JP3628939B2 - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は、レジスト膜に極端紫外光をフォトマスクを介して照射する露光方法及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路を構成する半導体素子の微細化に伴って、配線のパターン寸法の微細化が求められている。微細なパターンを加工するためにはリソグラフィ技術が不可欠であり、特に、０．０７μｍ以下の配線幅を有するパターンの形成工程においては、１３ｎｍ帯の波長を持つ極端紫外光（ＥＵＶ光；Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）を露光光とするリソグラフィ技術が非常に期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光は波長が短いため、従来のクリプトンフロライド（ＫｒＦ）エキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ帯）又はアルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）を用いるリソグラフィのように空気中又は窒素の雰囲気中で露光を行なうと、露光光が酸素分子又は窒素分子に吸収されてしまう。このため、ＥＵＶ露光は真空中で行なう必要がある。
【０００４】
図６は、従来のＥＵＶ露光装置の概略断面構造を示している。真空チャンバー１の下部には基板ホルダー２が設けられており、該基板ホルダー２は、表面にレジスト膜３が形成された半導体基板４を保持している。また、真空チャンバー１の上部には、所望のマスクパターンが形成されている反射型マスク５を保持するマスクホルダー６が設けられている。
【０００５】
真空チャンバー１の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源７が設けられており、該ＥＵＶ光源７から出射されたＥＵＶ光は、反射ミラー８により反射型マスク５に向かって反射された後、該反射型マスク５により再び反射され、反射縮小光学系９を通過してレジスト膜３に例えば１／５程度に縮小された状態で照射される。これにより、反射型マスク８に形成されているマスクパターンは、レジスト膜３に転写される。
【０００６】
図７は、化学増幅型レジスト材料からなるレジストパターンを形成する従来のプロセスフローを示している。
【０００７】
まず、ステップＳＢ１において、半導体基板の上にレジストを塗布してレジスト膜を形成した後、ステップＳＢ２において、レジスト膜に対してプリベークを行なってレジスト膜に含まれている溶剤を揮散させる。
【０００８】
次に、ステップＳＢ３において、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するパターン露光を行なって、反射型マスクのパターンをレジスト膜に転写した後、ステップＳＢ４において、レジスト膜に対してポストベーク（露光後ベーク）を行なって、レジスト膜の露光部又は未露光部において酸を拡散させる。
【０００９】
次に、ステップＳＢ５において、レジスト膜をアルカリ性現像液により現像してレジストパターンを形成する。
【００１０】
尚、通常のレジスト材料（非化学増幅型レジスト材料）からなるレジストパターンを形成する場合には、ＥＵＶ光を照射してパターン露光を行なった後、ポストベークを行なうことなくレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本件発明者がＥＵＶ光を用いて、反射型マスク５（フォトマスク）に形成されているマスクパターンをレジスト膜３に転写する工程を繰り返し行なったところ、レジスト膜３に照射されるＥＵＶ光の露光量が次第に低下してしまい、パターン露光を再現性良く行なうことができないという問題に直面した。
【００１２】
前記に鑑み、本発明は、ＥＵＶ光を用いてフォトマスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下せず、パターン露光を再現性良く行なえるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本件発明者は、ＥＵＶ光により繰り返しパターン露光を行なうと、レジスト膜に照射される露光量が低下する理由について検討した結果、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうと、パターン露光に用いたフォトマスクが汚染してしまい、これによって、レジスト膜に照射される露光量が低下するということに気がついた。
【００１４】
そこで、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうとマスクの表面が汚染される原因について検討を行なった結果、以下の現象を見い出した。すなわち、ＥＵＶ光を用いるパターン露光は、ＥＵＶ光をフォトマスクに対して、真空中において約１００ｅＶという高エネルギーで照射するため、レジスト膜からの脱ガス（例えばＣＯ２ ガス）に起因して発生する反応生成物例えばＣＯｘ （ｘ＜２）がフォトマスクの表面に付着したり、又は露光チャンバー内に微少量存在する炭素化合物が高エネルギーのＥＵＶ光の照射によって炭化物質に変化してフォトマスクの表面に付着したりするので、フォトマスクの表面に炭素を含む堆積膜が形成され、これによって、フォトマスクからレジスト膜に向かって出射される露光光の光量が低減してしまうということを見い出した。
【００１５】
本発明は、前記の知見に基づいて成されたものであって、具体的には以下の通りである。
【００１６】
本発明に係る第１の露光方法は、極端紫外光を、所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射して、所望のパターンをレジスト膜に転写する露光方法を前提とし、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する前に、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去するクリーニング工程を備えている。
【００１７】
第１の露光方法によると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００１８】
第１の露光方法において、クリーニング工程は、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程を含むことが好ましい。
【００１９】
このようにすると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜はＣＯｘ （ｘ＜２）からなる反応生成物が主成分であるため、フォトマスクの表面に付着している堆積膜は酸素プラズマにより効率良く除去される。
【００２０】
本発明に係る第２の露光方法は、表面にレジスト膜が形成されている基板を真空チャンバーの内部に保持する工程と、真空チャンバーの内部において、所望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成されている堆積膜を真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光を、表面に形成されている堆積膜が除去されたフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する工程とを備えている。
【００２１】
第２の露光方法によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００２２】
本発明に係る第３の露光方法は、第１の真空チャンバーの内部において、所望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成されている堆積膜を、第１の真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマにより除去する工程と、第２の真空チャンバーの内部において、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する工程と、表面に形成されている堆積膜が除去されたフォトマスクを第１の真空チャンバーの内部から第２の真空チャンバーの内部にインラインで移送する工程と、第２の真空チャンバーの内部において、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する工程とを備えている。
【００２３】
第３の露光方法によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なわれるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態が防止される。
【００２４】
本発明に係る第１の露光装置は、真空チャンバーと、真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する光学系と、真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入するガス導入手段と、真空チャンバーの内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えている。
【００２５】
第１の露光装置によると、真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入する手段と、真空チャンバーの内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させる手段とを備えているため、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射することができるので、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減せず、これによって、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００２６】
本発明に係る第２の露光装置は、第１の真空チャンバーと、第１の真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入するガス導入手段と、第１の真空チャンバーの内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、第２の真空チャンバーと、第２の真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、第２の真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する光学系と、光学系を構成するフォトマスクを第１のチャンバーの内部と第２のチャンバーの内部との間でインラインで移送する移送手段とを備えている。
【００２７】
第２の露光装置によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なうことができるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態を防止することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る露光方法について、図１のフロー図を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、ステップＳＡ１において、半導体基板上に化学増幅型レジスト材料を塗布してレジスト膜を形成した後、ステップＳＡ２において、レジスト膜に対してプリベークを行なってレジスト膜に含まれている溶剤を揮散させる。
【００３０】
ステップＳＡ３において、パターン露光に用いる反射型マスクの表面を、酸素プラズマによりクリーニングして、反射型マスクの表面に形成されている堆積膜を除去する。反射型マスクとしては、その種類を特に問わないが、例えばモリブデン膜とシリコン膜との多層膜からなるＥＵＶ光反射膜の上に、ＥＵＶ光吸収体であるタンタルからなるマスクパターンが形成されたものを用いることができる。
【００３１】
ステップＳＡ４において、波長が１３ｎｍ帯であるＥＵＶ光をレジスト膜に照射するパターン露光を行なって、反射型マスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写した後、ステップＳＡ５において、レジスト膜にポストベークを行なって、レジスト膜の露光部又は未露光部において酸を拡散させる。
【００３２】
ステップＳＡ６において、レジスト膜をアルカリ性現像液により現像してレジストパターンを形成する。
【００３３】
第１の実施形態によると、反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングして、反射型マスクの表面に形成されている堆積膜を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するため、レジスト膜に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形成することができる。
【００３４】
尚、反射型マスクに対してクリーニングすると共に、露光装置のチャンバー内に設けられている光学系例えば反射型ミラー又は縮小光学系に対しても、酸素プラズマを用いてクリーニングを行なうことが好ましい。このようにすると、光学系における露光量の低減が一層防止されるので、レジストパターンを一層再現性良く形成することができる。
【００３５】
また、反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングする工程は、ＥＵＶ露光を行なう際に毎回行なうことが好ましいが、チャンバー内の真空度を高くして、チャンバー内に微少量存在する炭素化合物が炭化物質に変化する程度を抑制できる場合には、反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングする工程はパターン露光を行なう度毎に行なわず、数回程度のパターン露光に対して１回のクリーニングを行なってもよい。
【００３６】
また、ＥＵＶ光としては、波長が１３ｎｍ帯の光に限定されず、３ｎｍ帯〜５０ｎｍ帯の光を適宜用いることができる。
【００３７】
さらに、非化学増幅型レジストからなるレジストパターンを形成する場合には、レジスト膜に対してプリベークを行なった後、パターン露光に用いる反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングし、次に、レジスト膜にＥＵＶ光を照射してパターン露光を行なった後、ポストベークを行なうことなくレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
【００３８】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態として、第１の実施形態に係る露光方法を行なうための露光装置について図２を参照しながら説明する。
【００３９】
図２に示すように、真空チャンバー１００の下部には基板ホルダー１０１が設けられており、該基板ホルダー１０１は、表面にレジスト膜１０２が形成された半導体基板１０３を保持している。
【００４０】
真空チャンバー１００の上部には、真空チャンバー１００の内部において水平方向（図２における左右方向）へ移動可能なマスクホルダー１０４が設けられており、該マスクホルダー１０４は高周波印加電極１０５を介して反射型マスク１０６を保持している。高周波印加電極１０５には整合回路１０７を介して高周波電源１０８が接続されている。
【００４１】
マスクホルダー１０４が真空チャンバー１００の内部において図２における右方向へ移動したときに、マスクホルダー１０４に固定されている高周波印加電極１０５と対向する位置には対向電極１０９が設けられており、該対向電極１０９は接地されている。従って、高周波印加電極１０５と対向電極１０９とが対向した状態で、高周波印加電極１０５に高周波電源１０８から高周波電力を供給すると、高周波印加電極１０５と対向電極１０９との間にプラズマが発生する。
【００４２】
従来と同様、真空チャンバー１００の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１１０が設けられていると共に、真空チャンバー１００の内部には、ＥＵＶ光源１１０から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク１０６に向かって反射する反射ミラー１１１と、反射型マスク１０６により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に縮小して半導体基板１０３上のレジスト膜１０２に照射させる反射縮小光学系１１２とが設けられている。尚、反射縮小光学系１１２は、モリブデン膜とシリコン膜との多層膜からなる反射面を有する数枚の反射ミラーにより構成されている。
【００４３】
真空チャンバー１００には、酸素ガスを内部に導入するためのガス導入口１１３と、反応生成ガスを外部に排出するためのガス排出口１１４が設けられている。
【００４４】
尚、第２の実施形態においては、高周波印加電極１０５と対向電極１０９とを有する平行平板型のプラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマを発生させてもよい。
【００４５】
以下、図２〜図４を参照しながら、第２の実施形態に係る露光装置を用いて行なう露光方法について説明する。
【００４６】
まず、図２に示すように、表面にレジスト膜１０２が形成されている半導体基板１０３を基板ホルダー１０１上に保持した後、マスクホルダー１０４を真空チャンバー１００の内部において図２における右方向へ移動させて、マスクホルダー１０４に固定されている高周波印加電極１０５を対向電極１０９と対向させる。
【００４７】
次に、図３に示すように、真空チャンバー１００に設けられたガス導入口１１３から真空チャンバー１００内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度になるように導入すると共に、高周波電源１０８から高周波印加電極１０５に高周波電力を印加する。このようにすると、高周波印加電極１０５と対向電極１０９との間に酸素プラズマ１１５が発生するため、反射型マスク１０６の表面に形成されている堆積膜は酸素プラズマにより除去されるので、反射型マスク１０６の表面はクリーニングされる。尚、堆積膜と酸素プラズマとの反応により生成されたＣＯ２ 等の反応生成物はガス排出口１１４から外部に排出される。
【００４８】
次に、図４に示すように、マスクホルダー１０４を真空チャンバー１００の内部において図４における左方向へ移動させて、マスクホルダー１０４に保持されている反射型マスク１０６を反射ミラー１１１と反射縮小光学系１１２との間の位置に移動した後、ＥＵＶ露光源１１０からＥＵＶ光を出射させる。このようにすると、ＥＵＶ光は、反射ミラー１１１により反射型マスク１０５に向かって反射された後、反射型マスク１０５により再び反射されるので、反射型マスク１０５からはパターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状のＥＵＶ光は、反射縮小光学系１１２を通過して例えば１／５程度に縮小された後、レジスト膜１０２に転写される。
【００４９】
第２の実施形態によると、反射型マスク１０５の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なって、反射型マスク１０５の表面に形成されている堆積膜を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜１０２に照射するため、レジスト膜１０２に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形成することができる。
【００５０】
（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態として、本発明に係るパターン形成方法を行なうための露光装置について図５を参照しながら説明する。
【００５１】
図５に示すように、露光装置は、内部が真空に保持される露光用チャンバー２００と、内部が真空に保持されるプラズマ発生用チャンバー２１０と、露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを連通させる連通室２２０とを備えている。
【００５２】
露光用チャンバー２００内の下部には基板ホルダー２０１が設けられており、該基板ホルダー２０１は、表面にレジスト膜が形成された半導体基板２０２を保持している。露光用チャンバー２００内の上部にはマスクホルダー２０３が設けられており、該マスクホルダー２０３は反射型マスク２０４を着脱可能に保持することができる。
【００５３】
図示は省略しているが、露光用チャンバー２００の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源が設けられていると共に、露光用チャンバー２００の内部には、ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク２０４に向かって反射する反射ミラーと、反射型マスク２０４により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に縮小して半導体基板２０２上のレジスト膜に照射させる反射縮小光学系とが設けられている。
【００５４】
プラズマ発生用チャンバー２１０内の上部には、高周波印加電極２１１が設けられており、図示は省略しているが、高周波印加電極２１１は整合回路を介して高周波電源に接続されている。プラズマ発生用チャンバー２１０内の下部における高周波印加電極２１１と対向する位置には対向電極２１２が設けられており、該対向電極２１２は反射型マスク２０４を着脱可能に保持することができる。対向電極２１２は接地されており、高周波印加電極２１１に高周波電力を供給すると、高周波印加電極２１１と対向電極２１２との間にプラズマが発生する。尚、プラズマ発生用チャンバー２１０には、酸素ガスを内部に導入するためのガス導入口２１３と、反応生成ガスを外部に排出するためのガス排出口２１４が設けられている。
【００５５】
露光用チャンバー２００の内部には、反射型マスク２０４を保持するアーム２０５ａを有し、該アーム２０５ａを伸縮させる運動、アーム２０５ａをその軸を中心として回転させる運動及びアーム２０５ａを水平方向に旋回させる運動を行なう駆動手段を備えたハンドリングロボット２０５が設けられており、該ハンドリングロボット２０５は反射型マスク２０４を対向電極２１２とマスクホルダー２０３との間に交互に移送することができる。
【００５６】
連通室２２０にはシャッター２２１が設けられており、該シャッター２２１を駆動手段により連通室２２０に対して進出させることにより、露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０との間を連通させたり遮断させたりすることができる。
【００５７】
以下、第３の実施形態に係る露光装置を用いて行なう露光方法について説明する。
【００５８】
まず、ハンドリングロボット２０５を駆動して、該ハンドリングロボット２０５のアーム２０５ａに保持されている反射型マスク２０４を対向電極２１２に保持させた後、シャッター２２１を閉じて露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを遮断する。
【００５９】
次に、ガス導入口２１３から真空チャンバー２１０内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度になるように導入すると共に、高周波印加電極２１１に高周波電力を印加して、高周波印加電極２１１と対向電極２１２との間に酸素プラズマを発生させる。このようにすると、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜は酸素プラズマにより除去されるので、反射型マスク２０４の表面はクリーニングされる。
【００６０】
次に、シャッター２２１を開いて露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを連通させた状態で、ハンドリングロボット２０５を駆動して、対向電極２１２に保持されている反射型マスク２０４をマスクホルダー２０３に移送する。
【００６１】
次に、シャッター２２１を閉じて露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを遮断した後、ＥＵＶ露光源からＥＵＶ光を出射させる。このようにすると、ＥＵＶ光は、反射ミラーにより反射型マスク２０４に向かって反射された後、反射型マスク２０４により再び反射されるので、反射型マスク２０４からはパターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状のＥＵＶ光は、反射縮小光学系を通過して例えば１／５程度に縮小された後、半導体基板２０２上のレジスト膜に転写される。
【００６２】
第３の実施形態によると、反射型マスク２０４の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なって、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するため、レジスト膜に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形成することができる。
【００６３】
また、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜を除去するクリーニング工程はプラズマ発生用チャンバー２１０の内部において行なわれ、ＥＵＶ露光工程は、プラズマ発生用チャンバー２１０と遮断された露光用チャンバー２００の内部において行なわれるため、反射型マスク２０４の表面から除去された堆積膜により、反射ミラー又は反射縮小光学系等の光学系が汚染される恐れはない。
【００６４】
尚、第３の実施形態においては、高周波印加電極２１１と対向電極２１２とを有する平行平板型のプラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマを発生させてもよい。
【００６５】
【発明の効果】
本発明に係る第１〜第３の露光方法によると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００６６】
特に、第３の露光方法によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なわれるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態が防止される。
【００６７】
本発明に係る第１又は第２の露光装置によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射することができるため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００６８】
特に、第２の露光装置によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なうことができるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る露光方法を説明するフロー図である。
【図２】第２の実施形態に係る露光装置の概略断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る露光方法を説明する概略断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る露光方法を説明する概略断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る露光装置の概略平面図である。
【図６】従来の露光装置の概略断面図である。
【図７】従来の露光方法を説明するフロー図である。
【符号の説明】
１００ 真空チャンバー
１０１ 基板ホルダー
１０２ レジスト膜
１０３ 半導体基板
１０４ マスクホルダー
１０５ 高周波印加電極
１０６ 反射型マスク
１０７ 整合回路
１０８ 高周波電源
１０９ 対向電極
１１０ ＥＵＶ光源
１１１ 反射ミラー
１１２ 反射縮小光学系
１１３ ガス導入口
１１４ ガス排出口
２００ 露光用チャンバー
２０１ 基板ホルダー
２０２ 半導体基板
２０３ マスクホルダー
２０４ 反射型マスク
２０５ ハンドリングロボット
２０５ａ アーム
２１０ プラズマ発生用チャンバー
２１１ 高周波印加電極
２１２ 対向電極
２１３ ガス導入口
２１４ ガス排出口
２２０ 連通室
２２１ シャッター
【発明に属する技術分野】
本発明は、レジスト膜に極端紫外光をフォトマスクを介して照射する露光方法及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路を構成する半導体素子の微細化に伴って、配線のパターン寸法の微細化が求められている。微細なパターンを加工するためにはリソグラフィ技術が不可欠であり、特に、０．０７μｍ以下の配線幅を有するパターンの形成工程においては、１３ｎｍ帯の波長を持つ極端紫外光（ＥＵＶ光；Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）を露光光とするリソグラフィ技術が非常に期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光は波長が短いため、従来のクリプトンフロライド（ＫｒＦ）エキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ帯）又はアルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）を用いるリソグラフィのように空気中又は窒素の雰囲気中で露光を行なうと、露光光が酸素分子又は窒素分子に吸収されてしまう。このため、ＥＵＶ露光は真空中で行なう必要がある。
【０００４】
図６は、従来のＥＵＶ露光装置の概略断面構造を示している。真空チャンバー１の下部には基板ホルダー２が設けられており、該基板ホルダー２は、表面にレジスト膜３が形成された半導体基板４を保持している。また、真空チャンバー１の上部には、所望のマスクパターンが形成されている反射型マスク５を保持するマスクホルダー６が設けられている。
【０００５】
真空チャンバー１の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源７が設けられており、該ＥＵＶ光源７から出射されたＥＵＶ光は、反射ミラー８により反射型マスク５に向かって反射された後、該反射型マスク５により再び反射され、反射縮小光学系９を通過してレジスト膜３に例えば１／５程度に縮小された状態で照射される。これにより、反射型マスク８に形成されているマスクパターンは、レジスト膜３に転写される。
【０００６】
図７は、化学増幅型レジスト材料からなるレジストパターンを形成する従来のプロセスフローを示している。
【０００７】
まず、ステップＳＢ１において、半導体基板の上にレジストを塗布してレジスト膜を形成した後、ステップＳＢ２において、レジスト膜に対してプリベークを行なってレジスト膜に含まれている溶剤を揮散させる。
【０００８】
次に、ステップＳＢ３において、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するパターン露光を行なって、反射型マスクのパターンをレジスト膜に転写した後、ステップＳＢ４において、レジスト膜に対してポストベーク（露光後ベーク）を行なって、レジスト膜の露光部又は未露光部において酸を拡散させる。
【０００９】
次に、ステップＳＢ５において、レジスト膜をアルカリ性現像液により現像してレジストパターンを形成する。
【００１０】
尚、通常のレジスト材料（非化学増幅型レジスト材料）からなるレジストパターンを形成する場合には、ＥＵＶ光を照射してパターン露光を行なった後、ポストベークを行なうことなくレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本件発明者がＥＵＶ光を用いて、反射型マスク５（フォトマスク）に形成されているマスクパターンをレジスト膜３に転写する工程を繰り返し行なったところ、レジスト膜３に照射されるＥＵＶ光の露光量が次第に低下してしまい、パターン露光を再現性良く行なうことができないという問題に直面した。
【００１２】
前記に鑑み、本発明は、ＥＵＶ光を用いてフォトマスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下せず、パターン露光を再現性良く行なえるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本件発明者は、ＥＵＶ光により繰り返しパターン露光を行なうと、レジスト膜に照射される露光量が低下する理由について検討した結果、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうと、パターン露光に用いたフォトマスクが汚染してしまい、これによって、レジスト膜に照射される露光量が低下するということに気がついた。
【００１４】
そこで、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうとマスクの表面が汚染される原因について検討を行なった結果、以下の現象を見い出した。すなわち、ＥＵＶ光を用いるパターン露光は、ＥＵＶ光をフォトマスクに対して、真空中において約１００ｅＶという高エネルギーで照射するため、レジスト膜からの脱ガス（例えばＣＯ２ ガス）に起因して発生する反応生成物例えばＣＯｘ （ｘ＜２）がフォトマスクの表面に付着したり、又は露光チャンバー内に微少量存在する炭素化合物が高エネルギーのＥＵＶ光の照射によって炭化物質に変化してフォトマスクの表面に付着したりするので、フォトマスクの表面に炭素を含む堆積膜が形成され、これによって、フォトマスクからレジスト膜に向かって出射される露光光の光量が低減してしまうということを見い出した。
【００１５】
本発明は、前記の知見に基づいて成されたものであって、具体的には以下の通りである。
【００１６】
本発明に係る第１の露光方法は、極端紫外光を、所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射して、所望のパターンをレジスト膜に転写する露光方法を前提とし、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する前に、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去するクリーニング工程を備えている。
【００１７】
第１の露光方法によると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００１８】
第１の露光方法において、クリーニング工程は、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程を含むことが好ましい。
【００１９】
このようにすると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜はＣＯｘ （ｘ＜２）からなる反応生成物が主成分であるため、フォトマスクの表面に付着している堆積膜は酸素プラズマにより効率良く除去される。
【００２０】
本発明に係る第２の露光方法は、表面にレジスト膜が形成されている基板を真空チャンバーの内部に保持する工程と、真空チャンバーの内部において、所望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成されている堆積膜を真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光を、表面に形成されている堆積膜が除去されたフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する工程とを備えている。
【００２１】
第２の露光方法によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００２２】
本発明に係る第３の露光方法は、第１の真空チャンバーの内部において、所望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成されている堆積膜を、第１の真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマにより除去する工程と、第２の真空チャンバーの内部において、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する工程と、表面に形成されている堆積膜が除去されたフォトマスクを第１の真空チャンバーの内部から第２の真空チャンバーの内部にインラインで移送する工程と、第２の真空チャンバーの内部において、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する工程とを備えている。
【００２３】
第３の露光方法によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なわれるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態が防止される。
【００２４】
本発明に係る第１の露光装置は、真空チャンバーと、真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する光学系と、真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入するガス導入手段と、真空チャンバーの内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えている。
【００２５】
第１の露光装置によると、真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入する手段と、真空チャンバーの内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させる手段とを備えているため、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射することができるので、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減せず、これによって、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００２６】
本発明に係る第２の露光装置は、第１の真空チャンバーと、第１の真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入するガス導入手段と、第１の真空チャンバーの内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、第２の真空チャンバーと、第２の真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、第２の真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する光学系と、光学系を構成するフォトマスクを第１のチャンバーの内部と第２のチャンバーの内部との間でインラインで移送する移送手段とを備えている。
【００２７】
第２の露光装置によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なうことができるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態を防止することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る露光方法について、図１のフロー図を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、ステップＳＡ１において、半導体基板上に化学増幅型レジスト材料を塗布してレジスト膜を形成した後、ステップＳＡ２において、レジスト膜に対してプリベークを行なってレジスト膜に含まれている溶剤を揮散させる。
【００３０】
ステップＳＡ３において、パターン露光に用いる反射型マスクの表面を、酸素プラズマによりクリーニングして、反射型マスクの表面に形成されている堆積膜を除去する。反射型マスクとしては、その種類を特に問わないが、例えばモリブデン膜とシリコン膜との多層膜からなるＥＵＶ光反射膜の上に、ＥＵＶ光吸収体であるタンタルからなるマスクパターンが形成されたものを用いることができる。
【００３１】
ステップＳＡ４において、波長が１３ｎｍ帯であるＥＵＶ光をレジスト膜に照射するパターン露光を行なって、反射型マスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写した後、ステップＳＡ５において、レジスト膜にポストベークを行なって、レジスト膜の露光部又は未露光部において酸を拡散させる。
【００３２】
ステップＳＡ６において、レジスト膜をアルカリ性現像液により現像してレジストパターンを形成する。
【００３３】
第１の実施形態によると、反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングして、反射型マスクの表面に形成されている堆積膜を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するため、レジスト膜に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形成することができる。
【００３４】
尚、反射型マスクに対してクリーニングすると共に、露光装置のチャンバー内に設けられている光学系例えば反射型ミラー又は縮小光学系に対しても、酸素プラズマを用いてクリーニングを行なうことが好ましい。このようにすると、光学系における露光量の低減が一層防止されるので、レジストパターンを一層再現性良く形成することができる。
【００３５】
また、反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングする工程は、ＥＵＶ露光を行なう際に毎回行なうことが好ましいが、チャンバー内の真空度を高くして、チャンバー内に微少量存在する炭素化合物が炭化物質に変化する程度を抑制できる場合には、反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングする工程はパターン露光を行なう度毎に行なわず、数回程度のパターン露光に対して１回のクリーニングを行なってもよい。
【００３６】
また、ＥＵＶ光としては、波長が１３ｎｍ帯の光に限定されず、３ｎｍ帯〜５０ｎｍ帯の光を適宜用いることができる。
【００３７】
さらに、非化学増幅型レジストからなるレジストパターンを形成する場合には、レジスト膜に対してプリベークを行なった後、パターン露光に用いる反射型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングし、次に、レジスト膜にＥＵＶ光を照射してパターン露光を行なった後、ポストベークを行なうことなくレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
【００３８】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態として、第１の実施形態に係る露光方法を行なうための露光装置について図２を参照しながら説明する。
【００３９】
図２に示すように、真空チャンバー１００の下部には基板ホルダー１０１が設けられており、該基板ホルダー１０１は、表面にレジスト膜１０２が形成された半導体基板１０３を保持している。
【００４０】
真空チャンバー１００の上部には、真空チャンバー１００の内部において水平方向（図２における左右方向）へ移動可能なマスクホルダー１０４が設けられており、該マスクホルダー１０４は高周波印加電極１０５を介して反射型マスク１０６を保持している。高周波印加電極１０５には整合回路１０７を介して高周波電源１０８が接続されている。
【００４１】
マスクホルダー１０４が真空チャンバー１００の内部において図２における右方向へ移動したときに、マスクホルダー１０４に固定されている高周波印加電極１０５と対向する位置には対向電極１０９が設けられており、該対向電極１０９は接地されている。従って、高周波印加電極１０５と対向電極１０９とが対向した状態で、高周波印加電極１０５に高周波電源１０８から高周波電力を供給すると、高周波印加電極１０５と対向電極１０９との間にプラズマが発生する。
【００４２】
従来と同様、真空チャンバー１００の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１１０が設けられていると共に、真空チャンバー１００の内部には、ＥＵＶ光源１１０から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク１０６に向かって反射する反射ミラー１１１と、反射型マスク１０６により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に縮小して半導体基板１０３上のレジスト膜１０２に照射させる反射縮小光学系１１２とが設けられている。尚、反射縮小光学系１１２は、モリブデン膜とシリコン膜との多層膜からなる反射面を有する数枚の反射ミラーにより構成されている。
【００４３】
真空チャンバー１００には、酸素ガスを内部に導入するためのガス導入口１１３と、反応生成ガスを外部に排出するためのガス排出口１１４が設けられている。
【００４４】
尚、第２の実施形態においては、高周波印加電極１０５と対向電極１０９とを有する平行平板型のプラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマを発生させてもよい。
【００４５】
以下、図２〜図４を参照しながら、第２の実施形態に係る露光装置を用いて行なう露光方法について説明する。
【００４６】
まず、図２に示すように、表面にレジスト膜１０２が形成されている半導体基板１０３を基板ホルダー１０１上に保持した後、マスクホルダー１０４を真空チャンバー１００の内部において図２における右方向へ移動させて、マスクホルダー１０４に固定されている高周波印加電極１０５を対向電極１０９と対向させる。
【００４７】
次に、図３に示すように、真空チャンバー１００に設けられたガス導入口１１３から真空チャンバー１００内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度になるように導入すると共に、高周波電源１０８から高周波印加電極１０５に高周波電力を印加する。このようにすると、高周波印加電極１０５と対向電極１０９との間に酸素プラズマ１１５が発生するため、反射型マスク１０６の表面に形成されている堆積膜は酸素プラズマにより除去されるので、反射型マスク１０６の表面はクリーニングされる。尚、堆積膜と酸素プラズマとの反応により生成されたＣＯ２ 等の反応生成物はガス排出口１１４から外部に排出される。
【００４８】
次に、図４に示すように、マスクホルダー１０４を真空チャンバー１００の内部において図４における左方向へ移動させて、マスクホルダー１０４に保持されている反射型マスク１０６を反射ミラー１１１と反射縮小光学系１１２との間の位置に移動した後、ＥＵＶ露光源１１０からＥＵＶ光を出射させる。このようにすると、ＥＵＶ光は、反射ミラー１１１により反射型マスク１０５に向かって反射された後、反射型マスク１０５により再び反射されるので、反射型マスク１０５からはパターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状のＥＵＶ光は、反射縮小光学系１１２を通過して例えば１／５程度に縮小された後、レジスト膜１０２に転写される。
【００４９】
第２の実施形態によると、反射型マスク１０５の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なって、反射型マスク１０５の表面に形成されている堆積膜を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜１０２に照射するため、レジスト膜１０２に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形成することができる。
【００５０】
（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態として、本発明に係るパターン形成方法を行なうための露光装置について図５を参照しながら説明する。
【００５１】
図５に示すように、露光装置は、内部が真空に保持される露光用チャンバー２００と、内部が真空に保持されるプラズマ発生用チャンバー２１０と、露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを連通させる連通室２２０とを備えている。
【００５２】
露光用チャンバー２００内の下部には基板ホルダー２０１が設けられており、該基板ホルダー２０１は、表面にレジスト膜が形成された半導体基板２０２を保持している。露光用チャンバー２００内の上部にはマスクホルダー２０３が設けられており、該マスクホルダー２０３は反射型マスク２０４を着脱可能に保持することができる。
【００５３】
図示は省略しているが、露光用チャンバー２００の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源が設けられていると共に、露光用チャンバー２００の内部には、ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク２０４に向かって反射する反射ミラーと、反射型マスク２０４により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に縮小して半導体基板２０２上のレジスト膜に照射させる反射縮小光学系とが設けられている。
【００５４】
プラズマ発生用チャンバー２１０内の上部には、高周波印加電極２１１が設けられており、図示は省略しているが、高周波印加電極２１１は整合回路を介して高周波電源に接続されている。プラズマ発生用チャンバー２１０内の下部における高周波印加電極２１１と対向する位置には対向電極２１２が設けられており、該対向電極２１２は反射型マスク２０４を着脱可能に保持することができる。対向電極２１２は接地されており、高周波印加電極２１１に高周波電力を供給すると、高周波印加電極２１１と対向電極２１２との間にプラズマが発生する。尚、プラズマ発生用チャンバー２１０には、酸素ガスを内部に導入するためのガス導入口２１３と、反応生成ガスを外部に排出するためのガス排出口２１４が設けられている。
【００５５】
露光用チャンバー２００の内部には、反射型マスク２０４を保持するアーム２０５ａを有し、該アーム２０５ａを伸縮させる運動、アーム２０５ａをその軸を中心として回転させる運動及びアーム２０５ａを水平方向に旋回させる運動を行なう駆動手段を備えたハンドリングロボット２０５が設けられており、該ハンドリングロボット２０５は反射型マスク２０４を対向電極２１２とマスクホルダー２０３との間に交互に移送することができる。
【００５６】
連通室２２０にはシャッター２２１が設けられており、該シャッター２２１を駆動手段により連通室２２０に対して進出させることにより、露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０との間を連通させたり遮断させたりすることができる。
【００５７】
以下、第３の実施形態に係る露光装置を用いて行なう露光方法について説明する。
【００５８】
まず、ハンドリングロボット２０５を駆動して、該ハンドリングロボット２０５のアーム２０５ａに保持されている反射型マスク２０４を対向電極２１２に保持させた後、シャッター２２１を閉じて露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを遮断する。
【００５９】
次に、ガス導入口２１３から真空チャンバー２１０内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度になるように導入すると共に、高周波印加電極２１１に高周波電力を印加して、高周波印加電極２１１と対向電極２１２との間に酸素プラズマを発生させる。このようにすると、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜は酸素プラズマにより除去されるので、反射型マスク２０４の表面はクリーニングされる。
【００６０】
次に、シャッター２２１を開いて露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを連通させた状態で、ハンドリングロボット２０５を駆動して、対向電極２１２に保持されている反射型マスク２０４をマスクホルダー２０３に移送する。
【００６１】
次に、シャッター２２１を閉じて露光用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを遮断した後、ＥＵＶ露光源からＥＵＶ光を出射させる。このようにすると、ＥＵＶ光は、反射ミラーにより反射型マスク２０４に向かって反射された後、反射型マスク２０４により再び反射されるので、反射型マスク２０４からはパターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状のＥＵＶ光は、反射縮小光学系を通過して例えば１／５程度に縮小された後、半導体基板２０２上のレジスト膜に転写される。
【００６２】
第３の実施形態によると、反射型マスク２０４の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なって、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するため、レジスト膜に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形成することができる。
【００６３】
また、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜を除去するクリーニング工程はプラズマ発生用チャンバー２１０の内部において行なわれ、ＥＵＶ露光工程は、プラズマ発生用チャンバー２１０と遮断された露光用チャンバー２００の内部において行なわれるため、反射型マスク２０４の表面から除去された堆積膜により、反射ミラー又は反射縮小光学系等の光学系が汚染される恐れはない。
【００６４】
尚、第３の実施形態においては、高周波印加電極２１１と対向電極２１２とを有する平行平板型のプラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマを発生させてもよい。
【００６５】
【発明の効果】
本発明に係る第１〜第３の露光方法によると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００６６】
特に、第３の露光方法によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なわれるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態が防止される。
【００６７】
本発明に係る第１又は第２の露光装置によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射することができるため、フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００６８】
特に、第２の露光装置によると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行なうことができるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着したりする事態を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る露光方法を説明するフロー図である。
【図２】第２の実施形態に係る露光装置の概略断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る露光方法を説明する概略断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る露光方法を説明する概略断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る露光装置の概略平面図である。
【図６】従来の露光装置の概略断面図である。
【図７】従来の露光方法を説明するフロー図である。
【符号の説明】
１００ 真空チャンバー
１０１ 基板ホルダー
１０２ レジスト膜
１０３ 半導体基板
１０４ マスクホルダー
１０５ 高周波印加電極
１０６ 反射型マスク
１０７ 整合回路
１０８ 高周波電源
１０９ 対向電極
１１０ ＥＵＶ光源
１１１ 反射ミラー
１１２ 反射縮小光学系
１１３ ガス導入口
１１４ ガス排出口
２００ 露光用チャンバー
２０１ 基板ホルダー
２０２ 半導体基板
２０３ マスクホルダー
２０４ 反射型マスク
２０５ ハンドリングロボット
２０５ａ アーム
２１０ プラズマ発生用チャンバー
２１１ 高周波印加電極
２１２ 対向電極
２１３ ガス導入口
２１４ ガス排出口
２２０ 連通室
２２１ シャッター
Claims (2)
- 表面にレジスト膜が形成されている基板を真空チャンバーの内部の基板ホルダーに保持する工程と、
所望のパターンを有する反射型マスクを前記真空チャンバーの内部に高周波印加電極を介してマスクホルダーに保持する工程と、
前記マスクホルダーに保持されている前記反射型マスクを前記高周波印加電極とプラズマ発生装置の対向電極の間に移動させる工程と、
前記真空チャンバー内に酸素ガスを導入する工程と、
前記反射型マスクの表面を前記酸素ガスが導入された前記真空チャンバーの内部に前記プラズマ発生装置により発生させた酸素プラズマによりクリーニングする工程と、
前記基板にパターンを転写するための光学系に、クリーニングされた前記反射型マスクを保持している前記マスクフォルダーを移動させる工程と、
極端紫外光を、クリーニングされた前記反射型マスクを介して前記レジスト膜に照射して前記反射型マスクのパターンを前記レジスト膜に転写する工程とを備えていることを特徴とする露光方法。 - 真空チャンバーと、
前記真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、
前記真空チャンバーの内部に設けられ、反射型マスクを保持するマスクホルダーと、
前記真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望のパターンが形成されている前記反射型マスクを介してレジスト膜に照射して前記反射型マスクのパターンを前記レジスト膜に転写する光学系と、
前記真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入するガス導入手段と、
前記真空チャンバーの内部に導入された前記酸素ガスからなるプラズマを発生させる高周波印加電極及び対向電極からなるプラズマ発生手段とを備え、
前記マスクホルダーは、前記高周波印加電極を介して前記反射型マスクを保持しており、前記反射型マスクのクリーニング時にプラズマ発生手段設置箇所へ移動することを特徴とする露光装置。
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|---|---|---|---|---|
| SG149680A1 (en) * | 2001-12-12 | 2009-02-27 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| DE10209493B4 (de) * | 2002-03-07 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf optischen Elementen, Vorrichtung zur Regelung von Kontamination auf optischen Elementen und EUV-Lithographievorrichtung |
| US6792029B2 (en) * | 2002-03-27 | 2004-09-14 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of suppressing energy spikes of a partially-coherent beam |
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| KR100563102B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2006-03-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치 |
| EP1411388B1 (en) * | 2002-09-12 | 2006-12-20 | ASML Netherlands B.V. | A method of cleaning by removing particles from surfaces, a cleaning apparatus and a lithographic projection apparatus |
| DE60323927D1 (de) * | 2002-12-13 | 2008-11-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| US6879142B2 (en) * | 2003-08-20 | 2005-04-12 | Broadcom Corporation | Power management unit for use in portable applications |
| US7355672B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
| US7385670B2 (en) | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
| US20070146658A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
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| KR101111691B1 (ko) | 2009-11-23 | 2012-02-14 | 주식회사 디씨엔 | 패턴 롤 성형장치 |
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| CN106292179B (zh) * | 2016-09-12 | 2019-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版清洁装置 |
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Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
| JP2725295B2 (ja) | 1988-08-02 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | シンクロトロン放射光露光装置 |
| US5466942A (en) * | 1991-07-04 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus |
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| US5582939A (en) * | 1995-07-10 | 1996-12-10 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating and using defect-free phase shifting masks |
| US5698113A (en) * | 1996-02-22 | 1997-12-16 | The Regents Of The University Of California | Recovery of Mo/Si multilayer coated optical substrates |
| JPH10223512A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 電子ビーム投影露光装置 |
| US5928817A (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-27 | Intel Corporation | Method of protecting an EUV mask from damage and contamination |
| JPH11224839A (ja) | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Canon Inc | 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法 |
| JP2000082666A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-03-21 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置、該ｘ線露光装置を用いたｘ線露光方法、ｘ線マスク構造体または該ｘ線露光装置を用いて作製された半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| US6031598A (en) * | 1998-09-25 | 2000-02-29 | Euv Llc | Extreme ultraviolet lithography machine |
| WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| JP2000286187A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Canon Inc | 露光装置、該露光装置に用いるマスク構造体、露光方法、前記露光装置を用いて作製された半導体デバイス、および半導体デバイス製造方法 |
| US6394109B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
| US6279249B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-08-28 | Intel Corporation | Reduced particle contamination manufacturing and packaging for reticles |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10754254B1 (en) | 2019-05-02 | 2020-08-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same |
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| Publication number | Publication date |
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