JPH01265513A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPH01265513A JPH01265513A JP63093079A JP9307988A JPH01265513A JP H01265513 A JPH01265513 A JP H01265513A JP 63093079 A JP63093079 A JP 63093079A JP 9307988 A JP9307988 A JP 9307988A JP H01265513 A JPH01265513 A JP H01265513A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトレジストを被覆した半導体基板と露光マス
クとの位置合せを行って露光を施す縮小投影露光装置に
関する。
クとの位置合せを行って露光を施す縮小投影露光装置に
関する。
従来、この種の縮小投影露光装置（以下ステッパーとす
る）は、露光マスク（以下レチクルとする）の洗浄機能
は有しておらず、別のレチクル洗浄装置により洗浄を行
って、いた。
る）は、露光マスク（以下レチクルとする）の洗浄機能
は有しておらず、別のレチクル洗浄装置により洗浄を行
って、いた。
半導体製造時のフォトリソグラフィ工程においては、レ
チクル上に塵埃が付着していると、半導体基板（以下ウ
ェハとする）にそのまま結像し、転写され、回路の欠陥
が発生し、不良品となってしまう。
チクル上に塵埃が付着していると、半導体基板（以下ウ
ェハとする）にそのまま結像し、転写され、回路の欠陥
が発生し、不良品となってしまう。
従来、ステッパーにはレチクル洗浄機能がないため、別
のレチクル洗浄装置を使い、洗浄し、ステッパーに運び
、セットしていた。
のレチクル洗浄装置を使い、洗浄し、ステッパーに運び
、セットしていた。
しかし、レチクル洗浄装置にて塵埃の付着がなくなった
レチクルも、ステッパーの所定位置に搬送する間に塵埃
が付着し、不良品の発生の源となっていた。
レチクルも、ステッパーの所定位置に搬送する間に塵埃
が付着し、不良品の発生の源となっていた。
本発明の目的は前記課題を解消した縮小投影露光装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した縮小投影露光装置に対し、本発明はステッパー
内にセットされたレチクル上の塵埃に２００ｎｍ前後の
紫外光を照射する光学系を設け、レチクル上の有機質の
塵埃のドライ洗浄を行うという相違点を有する。
内にセットされたレチクル上の塵埃に２００ｎｍ前後の
紫外光を照射する光学系を設け、レチクル上の有機質の
塵埃のドライ洗浄を行うという相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明においては、ホトレジ
ストを被覆した半導体基板と露光マスクとの位置合せを
行って露光を施す縮小投影露光装置において、短波長の
紫外光を縮小投影露光装置内にセットされた露光マスク
に照射することにより露光マスクに付着した有機質の塵
埃のドライ洗浄を行う機構を有するものである。
ストを被覆した半導体基板と露光マスクとの位置合せを
行って露光を施す縮小投影露光装置において、短波長の
紫外光を縮小投影露光装置内にセットされた露光マスク
に照射することにより露光マスクに付着した有機質の塵
埃のドライ洗浄を行う機構を有するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す縦新面図で
あり、第１図は通常の露光状態を示し、第２図はレチク
ルの洗浄状態を示す。
あり、第１図は通常の露光状態を示し、第２図はレチク
ルの洗浄状態を示す。
図において１本発明の縮小投影露光装置は通常の露光用
の光学系の他に、ステッパー内にセットされたレチクル
上に均一に２００ｎ ｍ前後の紫外光を照射するドライ
洗浄用の光学系を有し、レチクルの洗浄機能を持つ。こ
こに、通常の露光用光学系は楕円鏡２を備えた露光用光
源１と、ミラー３と、照明光学系４、シャッタ５と、ミ
ラー６と、光軸に対して垂直方向に移動可能なコンデン
サレンズ７と縮小投影レンズ９とからかる。該露光用光
源１としては紫外線を発する光源を用いる。一方、ドラ
イ洗浄用光学系は露光用光源１と、ドライ洗浄に有効な
２００ｎ ｍ前後の短波長の紫外線を効率良く反射する
ようにコーティングを施した球面鏡１２゜１３と遮光板
１４とからなる。露光時には球面鏡１２゜１３、遮光板
１４は露光用光学系より後退した位置に待機しており、
また露光時にはコンデンサレンズ７は露光用光学系の光
軸上に移動し、ドライ洗浄時にはドライ洗浄用光学系よ
り後退した位置に待機する。
の光学系の他に、ステッパー内にセットされたレチクル
上に均一に２００ｎ ｍ前後の紫外光を照射するドライ
洗浄用の光学系を有し、レチクルの洗浄機能を持つ。こ
こに、通常の露光用光学系は楕円鏡２を備えた露光用光
源１と、ミラー３と、照明光学系４、シャッタ５と、ミ
ラー６と、光軸に対して垂直方向に移動可能なコンデン
サレンズ７と縮小投影レンズ９とからかる。該露光用光
源１としては紫外線を発する光源を用いる。一方、ドラ
イ洗浄用光学系は露光用光源１と、ドライ洗浄に有効な
２００ｎ ｍ前後の短波長の紫外線を効率良く反射する
ようにコーティングを施した球面鏡１２゜１３と遮光板
１４とからなる。露光時には球面鏡１２゜１３、遮光板
１４は露光用光学系より後退した位置に待機しており、
また露光時にはコンデンサレンズ７は露光用光学系の光
軸上に移動し、ドライ洗浄時にはドライ洗浄用光学系よ
り後退した位置に待機する。
第１図に示すように、通常の露光状態では、露光用光源
１からの光が楕円鏡２、ミラー３で反射され、照明光学
系４、シャッタ５を通り、ミラー６で反射され、光軸に
対して垂直方向に移動可能なコンデンサレンズ７を透過
し、レチクル８の像が縮小投影レンズ９によりウェハチ
ャック１１上のウェハ１０に転写される０通常は光軸に
対し垂直方向に移動可能な球面鏡１２．１３及び遮光板
１４は光軸から外れた位置に待機している。
１からの光が楕円鏡２、ミラー３で反射され、照明光学
系４、シャッタ５を通り、ミラー６で反射され、光軸に
対して垂直方向に移動可能なコンデンサレンズ７を透過
し、レチクル８の像が縮小投影レンズ９によりウェハチ
ャック１１上のウェハ１０に転写される０通常は光軸に
対し垂直方向に移動可能な球面鏡１２．１３及び遮光板
１４は光軸から外れた位置に待機している。
一方、第２図に示すようにレチクルの洗浄状態では、コ
ンデンサレンズ７、球面ｆｉ１２．１３、遮光板１４が
移動している。露光用光源１より発せられた光は楕円鏡
２により反射され、特にドライ洗浄に有効な短波長の紫
外線を効率良く反射するようにコーティングを施した球
面鏡１２．１３により反射 １され、レチクル８の全面
を均一に紫外光にて照射する。遮光板１４により縮小投
影レンズ９には紫外光は照射されない。紫外光は有機質
の化学結合の切断効果があり、また空気中の酸素に吸収
されてオゾンを発生する。オゾンは酸化作用が強く、有
機化合物中の炭素や水素等と結合し、揮発性の物質に分
解除去することができる。この紫外光の性質を利用して
レチクル８をドライ洗浄する。
ンデンサレンズ７、球面ｆｉ１２．１３、遮光板１４が
移動している。露光用光源１より発せられた光は楕円鏡
２により反射され、特にドライ洗浄に有効な短波長の紫
外線を効率良く反射するようにコーティングを施した球
面鏡１２．１３により反射 １され、レチクル８の全面
を均一に紫外光にて照射する。遮光板１４により縮小投
影レンズ９には紫外光は照射されない。紫外光は有機質
の化学結合の切断効果があり、また空気中の酸素に吸収
されてオゾンを発生する。オゾンは酸化作用が強く、有
機化合物中の炭素や水素等と結合し、揮発性の物質に分
解除去することができる。この紫外光の性質を利用して
レチクル８をドライ洗浄する。
尚、実施例ではドライ洗浄用の光源として、露光用光源
１を使用しているが、光源に別の特に短波長の紫外光を
発する光源を使用することも可能である。
１を使用しているが、光源に別の特に短波長の紫外光を
発する光源を使用することも可能である。
以上説明したように本発明は短波長の紫外光をレチクル
に照射し、レチクルに付着した有機質の塵埃のドライ洗
浄を行う機構を有することにより、レチクル搬送中にレ
チクルに有機質の塵埃が付着しても洗浄することができ
、欠陥を防ぎ、不良品の発生を抑えることができる効果
を有する。
に照射し、レチクルに付着した有機質の塵埃のドライ洗
浄を行う機構を有することにより、レチクル搬送中にレ
チクルに有機質の塵埃が付着しても洗浄することができ
、欠陥を防ぎ、不良品の発生を抑えることができる効果
を有する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す縦断面図で
ある。 １・・・露光用光源 ２・・・楕円鏡３．６・・
・ミラー ４・・・照明光学系５・・・シャ
ッタ ７・・・コンデンサレンズ８・・・レチ
クル ９・・・縮小投影レンズ１０・・・ウェ
ハ １１・・・ウェハチャック１２．１３・
・・球面鏡 １４・・・遮光板特許出願人 日
本電気株式会社
ある。 １・・・露光用光源 ２・・・楕円鏡３．６・・
・ミラー ４・・・照明光学系５・・・シャ
ッタ ７・・・コンデンサレンズ８・・・レチ
クル ９・・・縮小投影レンズ１０・・・ウェ
ハ １１・・・ウェハチャック１２．１３・
・・球面鏡 １４・・・遮光板特許出願人 日
本電気株式会社
Claims (1)
- （１）ホトレジストを被覆した半導体基板と露光マスク
との位置合せを行って露光を施す縮小投影露光装置にお
いて、短波長の紫外光を縮小投影露光装置内にセットさ
れた露光マスクに照射することにより露光マスクに付着
した有機質の塵埃のドライ洗浄を行う機構を有すること
を特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093079A JPH01265513A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093079A JPH01265513A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265513A true JPH01265513A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14072511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63093079A Pending JPH01265513A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265513A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874283A2 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-28 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
| WO1999005708A1 (fr) * | 1997-07-22 | 1999-02-04 | Nikon Corporation | Procede d'exposition pour projection, dispositif de cadrage pour projection, et procedes de fabrication et de nettoyage optique du dispositif de cadrage |
| WO2000003304A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-20 | Carl Zeiss | Verfahren zur dekontamination von mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlagen |
| EP1102124A2 (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2001061409A2 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Asml Us, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
| EP1160624A2 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicle and method of using the same |
| EP1329773A2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method |
| US6924492B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63093079A patent/JPH01265513A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4534260B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2010-09-01 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、その製造方法及び光洗浄方法 |
| US6538722B2 (en) | 1997-07-22 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus |
| US6411368B1 (en) | 1997-07-22 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus |
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| EP1102124A3 (en) * | 1999-11-16 | 2002-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US6819396B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| EP1102124A2 (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2001061409A3 (en) * | 2000-02-15 | 2002-02-21 | Silicon Valley Group | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
| US6387602B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-05-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
| WO2001061409A2 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Asml Us, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
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| EP1160624A3 (en) * | 2000-06-01 | 2003-10-22 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicle and method of using the same |
| US6924492B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1329773A2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method |
| EP1329773A3 (en) * | 2002-01-18 | 2006-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method |
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