[0021] 本明細書は、本開示の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示された1つ又は複数の実施形態は、単に本開示を説明するだけである。本開示の範囲は、開示された1つ又は複数の実施形態に限定されない。本開示の幅及び範囲は、本明細書に添付された特許請求の範囲及びそれらの均等物によって定義される。
[0022] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
[0023] 「下(beneath)」、「下(below)」、「下(lower)」、「上(above)」、「上(on)」、「上(upper)」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の1つ又は複数の要素又は1つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく(90度又は他の方向に回転されてもよい)、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。
[0024] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の10~30%(例えば、その値の±10%、±20%、又は±30%)の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。
[0025] 概要
[0026] 深紫外線(DUV)リソグラフィ装置における従来のパルスパワーシステムは、レーザ放電チャンバを駆動させるためのデュアルパワートレインを有する。設計により、各パルスパワートレインは、典型的には、同じ動作電圧に制御され、主発振器パワー増幅器(MOPA)及び主発振器パワーリング増幅器(MOPRA)レーザ動作を可能にするために、同期的にトリガされる。
[0027] パルスパワーシステムは、高電圧電力供給、共振充電供給、主発振器(MO)整流子、MOコンプレッションヘッド、パワー増幅器(PA)又はパワーリング増幅器(PRA)整流子、PA又はPRAコンプレッションヘッド、MOレーザ充電チャンバ、及び、PA又はPRAレーザ充電チャンバを含むことができる。補助コンポーネントは、電圧及びタイミング制御をパルスパワーシステムに提供するように構成されたレーザ制御システム、及び、パルスパワーシステムへの交流(AC)及び直流(DC)電力を管理するように構成された入力ステージサブラック及びパワー分配システムを、含むことができる。
[0028] 加えて、パルスパワーシステムは、マスタ/スレーブブロワモータコントローラによって駆動される、各レーザ放電チャンバのためのブロワシステムを含むことができる。通常の動作において、これらのブロワシステムはどちらも、ターゲットブロワ速度で通電され動作する。ブロワシステムは、マスタ及びスレーブの両方の出力を含むMOブロワモータコントローラ(BMC)、MOマスタブロワモータ、MOスレーブブロワモータ、PA又はPRAマスタブロワモータ、及びPA又はPRAスレーブブロワモータを含むことができる。パルスパワーシステムは、動作及びアイドル状態の間、最適なチャンバ温度を維持するのを助けるために利用される、各レーザ放電チャンバのためのヒータ及び冷却サブシステムを含むこともできる。
[0029] MO及びPA又はPRAレーザ放電チャンバを同じ電圧で駆動することは、タイミング制御及び同期化において有益であり得るが、いくつかの欠点を有し得る。例えば、MO及びPA又はPRAレーザ放電チャンバは、それらの特定の適用例のために(例えば、それぞれ主発振器、パワー増幅器、又はパワーリング増幅器として)動作するように設計される。各適用例についての動作条件は、各レーザ放電チャンバのパルスパワーシステムの電圧及び関連付けられたタイミングを独立に制御することが可能であることから、利益を得ることができる。しかしながら、従来のタイミング制御システムは、デュアルチャンバシステムの独立したタイミング制御についてのみ可能である。各レーザ充電チャンバのパルスパワーシステムのための電圧制御を分離することで、システム、サブシステム、及びそれらに含まれるか又はそれらに関連付けられたコンポーネントの、性能、信頼性、及び寿命に利益をもたらすことができる。分離された電圧制御は、単一チャネル動作、インターリーブされた発射、同期化された発射、及び/又は、同時発射を必要とする、レーザ源設計にも利益を与えることができる。
[0030] 電流パルスパワーシステムは、各パルスパワートレインの充電及び放電並びに接近したタイミング差(例えば、約5.0ナノ秒未満)を必要とする。結果として、単一チャネル動作又はインターリーブ動作のどちらも、電流パルスパワーシステムのオプションではない。加えて、電流パルスパワーシステムは、一方のパルスパワートレインが通電されるか動作中である間に、他方のパルスパワートレインの独立した動作又はサービスを可能にしない。更に、電流パルスパワーシステムは、一方のパルスパワートレインは失敗であるが他方のパルスパワートレインは依然として動作可能である場合、ソフトランディングを可能にしない。更にまた、デュアルチャンバ放電動作の間、電流パルスパワーシステムは、MOPA又はMOPRA動作をサポートするために、各レーザ放電チャンバのためのブロワシステムが動作中であることを必要とする。典型的には、ブロワシステムは通電され、同時に動作するように命じられる。チャンバ温度制御サブシステムは、独立に、但し同時にも動作する。同様に、単一チャンバ動作の間、電流パルスパワーシステムは、アイドルチャンバを動作させるためにパワーを消費し、電力消費増加、冷却動作(例えば、空冷、水冷)増加、加熱動作増加、動作コスト増加、システム、サブシステム、及びコンポーネント寿命の低下、並びに、システム、サブシステム、及びコンポーネントの信頼性の低下を推進する。
[0031] これらの従来のシステムとは対照的に、本開示は、デュアルチャンバレーザ源における各レーザ放電チャンバの電圧を独立に制御するための方法を提供する。本明細書で説明するいくつかの態様において、本開示は、デュアルパルスパワートレインを含むレーザ源を制御することを提供する。本明細書で説明するいくつかの態様において、本開示は、独立した電圧及びタイミング制御、並びに場合によっては電力消費削減を伴う、デュアルパルスパワーシステムを提供する。
[0032] 本明細書で説明するいくつかの態様において、例示のレーザ制御システムは、第1の共振充電供給(RCS)出力電圧を発生させるように構成された第1の独立回路(例えば、第1の独立充電及び電圧調節回路)を含む、第1のパルスパワートレインを含むことができる。第1のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバを駆動するように構成可能である。例示のレーザ制御システムは、第1のRCS出力電圧から独立した第2のRCS出力電圧を発生させるように構成された第2の独立回路(例えば、第2の独立充電及び電圧調節回路)を含む、第2のパルスパワートレインを、更に含むことができる。
第2のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバから独立した第2のレーザ放電チャンバを駆動するように構成可能である。
[0033] いくつかの態様において、2つのパルスパワードライブトレインの独立した電圧制御は、各RCS出力が独立した充電及び電圧調節回路に結合されるようにRCS設計を変更することによって実装可能である。各共振充電回路は、(i)リザーバキャパシタ(例えば、図4に示される例示のレーザ制御システム402)を共有すること、又は、(ii)分離リザーバキャパシタ(例えば、図5に示される例示のレーザ制御システム502、図6に示される例示のレーザ制御システム602)を有することの、いずれかが可能である。更に、各リザーバキャパシタは、(iii)共通の高電圧電力供給(HVPS)(例えば、図4に示される例示のレーザ制御システム402、図5に示される例示のレーザ制御システム502)又は(iv)その独自のHVPS(例えば、図6に示される例示のレーザ制御システム602内などの、各リザーバキャパシタについて1つのHVPS)の、いずれかによって充電可能である。例えば本開示は、(a)単一RCS、単一リザーバキャパシタ、及び単一HVPS(例えば、図4に示される例示のレーザ制御システム402)、(b)デュアルRCS、デュアルリザーバキャパシタ、及び単一HVPS(例えば、図5に示される例示のレーザ制御システム502)、又は(c)デュアルRCS、デュアルリザーバキャパシタ、及びデュアルHVPS(例えば、図6に示される例示のレーザ制御システム602)の、いずれかと共に、デュアル独立充電及び電圧調節回路を有する、レーザ制御システム(例えば、独立電圧パルスパワーシステム)を提供する。
[0034] いくつかの態様において、レーザ充電チャンバから更にアップストリームのパルスパワーシステムを分離することは、パルスパワートレインを独立に動作及びサービス供給することが可能である際に、潜在的な利益を増加させる。いくつかの態様において、2つのパルスパワートレインについて共振充電回路を分離することで、各パルスパワートレインの独立したエネルギー回収を可能にすることになる。いくつかの態様において、2つのパルスパワートレインの放電を緊密に同期させるための要件を消去し、単一チャネル動作、スタッタ動作、又はインターリーブ動作、並びにMOPA又はMOPRA動作の連続使用を可能にすることができる。
[0035] いくつかの態様において、MOPA又はMOPRA動作のための潜在的なタイミング同期化に対処するために、本明細書で開示するパルスパワーシステムは、タイミングジッタの+/-2.0ナノ秒を可能にするように、各パルスパワートレインについての厳重なタイミング制御及びジッタを提供することができる。タイミングジッタバジェットは、共振チャージャ電圧の再現性、整流子及びコンプレッションヘッド内のスイッチング及びパルスコンプレッション回路のタイミングにおける変動、及び、レーザ放電チャンバの放電に起因するタイミングにおける変動などの、パルスパワートレイン内のいくつかのコンポーネントに依存する。いくつかの態様において、MOPA又はMOPRA動作に対して独立電圧動作が求められる場合、RCS電圧再現性を向上させることができる。例えば、電圧に応じたタイミング変動は、約2.0ナノ秒/ボルトであり得、共振充電における電圧再現性を約0.1パーセントより少ない(+/-0.05パーセント)か、又は理想的には0.05パーセント未満(+/-0.025パーセント)となるように推進する。いくつかの態様において、RCS共通モード再現性は、電圧調節回路を使用して+/-0.1パーセントに限定することができる。いくつかの態様において、電圧再現性の向上を可能にするために追加の微調節回路を実装することによって、電圧再現性における更なる向上が達成可能である。例示的な例において、1つのこうした実現は、電圧調節回路が完了した後に使用されるブリードダウン回路の使用であり得る。
[0036] いくつかの態様において、2つのレーザ放電チャンバのためのブロワシステムを分離することで、各レーザ放電チャンバに独立動作を提供することができる。デュアルチャンバ動作において、ブロワシステムは、同時に動作するように引き続き通電及び制御可能である。単一チャンバ動作において、デュアルチャンバ動作で通常使用される電力消費を削減するか又はなくすために、1つのブロワシステムをアイドル状態にすることができる。
[0037] いくつかの態様において、2つのレーザ放電チャンバのための温度制御システムを分離することで、各レーザ放電チャンバに独立動作を提供することができる。デュアルチャンバ動作において、温度制御システムは、同時に動作するように引き続き通電及び制御可能である。単一チャンバ動作において、デュアルチャンバ動作で通常使用される電力消費及び始動を削減するか又はなくすために、1つの温度制御システムをアイドル状態にすることができる。
[0038] いくつかの態様において、本明細書で開示するレーザ源は、単一のレーザではなく2つの独立レーザを利用することができる。
[0039] 本明細書で開示するシステム、装置方法、コンピュータプログラム製品、及び製造技法に対して、多くの利点及び特典が存在する。例えば本開示は、各パワートレインについて独立電圧制御を提供する。更に本開示は、(i)単一パルスパワートレイン動作、(ii)独立電圧動作を伴う同期したデュアル出力、又は(iii)独立電圧動作を伴うインターリーブしたデュアル出力という、3つの動作モードを可能にするために、各パルスパワートレインの独立制御を提供する。更にまた、本開示は、一方のパワートレインがサービスを提供し、他方のパワートレインは依然として動作中であるようにするために、「ソフトランディング」又は「リンプアロング」機能又は能力を可能にするための、単一チャネル動作を提供する。加えて本開示は、電力消費削減及び寿命減少の低下を可能にするための単一チャネル動作を提供する。結果として、本開示のこれら及び他の態様は、動作のコストの削減、計画された及び未計画のダウンタイムの削減、並びに、より軽量のシステムを介した保守性の向上を提供する。加えて、単一チャンバ動作並びに他の動作モードの間、本開示のこれら及び他の態様は、電力消費削減、冷却動作(例えば、空冷、水冷)の減少、加熱動作の減少、動作コストの減少、システム、サブシステム、及びコンポーネント寿命の増加、並びに、システム、サブシステム、及びコンポーネントの信頼性の増加を提供する。
[0040] しかしながら、こうした態様をより詳細に説明する前に、本開示の態様が実装可能な例示の環境を提示することが有益である。
[0041] 例示のリソグラフィシステム
[0042] 図1A及び図1Bは、それぞれ、本開示の態様が実装可能なリソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’の概略図である。図1A及び図1Bに示されるように、リソグラフィ装置100及び100’は、XZ面に垂直な視点から示され(例えば、側面図)、パターニングデバイスMA及び基板WはXY面に垂直な追加の視点から提示される(例えば、X軸は右を指し、Y軸は上方を指す)。
[0043] リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’は各々、放射ビームB(例えば、深紫外線(DUV)放射ビーム又は極端紫外線(EUV)放射ビーム)を調整するように構成された、照明システムIL(例えば、イルミネータ)、パターニングデバイスMA(例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス)を支持するように構成され、パターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された、支持構造MT(例えば、マスクテーブル)、及び、基板W(例えば、レジストコートウェーハ)を保持するように構成され、基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された、基板テーブルWT(ウェーハテーブル)などの基板ホルダ、を含む。リソグラフィ装置100及び100’は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを、基板Wのターゲット部分C(1つ以上のダイを含む部分)上に投影するように構成された、投影システムPSも有する。リソグラフィ装置100において、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは反射型である。リソグラフィ装置100’において、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは透過型である。
[0044] 照明システムILは、放射ビームBを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0045] 支持構造MTは、参照フレームに関するパターニングデバイスMAの配向、リソグラフィ装置100及び100’のうちの少なくとも1つの設計、並びに、パターニングデバイスMAが真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件に依存する様式で、パターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、機械的、真空、静電、又は他の、クランプ技法を使用して、パターニングデバイスMAを保持することができる。支持構造MTは、例えば、必要に応じて固定式又は可動式が可能なフレーム又はテーブルであり得る。センサを使用することによって、支持構造MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPSに対して所望の位置にあることを保証することができる。
[0046] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」MAという用語は、基板Wのターゲット部分Cにパターンを生成するように、放射ビームBの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指すものとしてと広く解釈されるべきである。放射ビームBに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分Cに形成されるデバイス内の特定の機能層に対応していてもよい。
[0047] パターニングデバイスMAは、(図1Bのリソグラフィ装置100’におけるような)透過型、又は(図1Aのリソグラフィ装置100におけるような)反射型とすることができる。パターニングデバイスMAの例は、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルLCDパネルを含む。マスクは、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、又はハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに、様々なハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、各々が、入来放射を様々な方向に反射するように個々に傾斜可能な、小型ミラーのマトリクス配置を採用する。傾斜したミラーは放射ビームB内にパターンを付与し、放射ビームBは小型ミラーのマトリクスによって反射される。
[0048] 本明細書において使用する「投影システム」PSという用語は、用いられる露光放射線に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを含んでいてもよい。その他のガスは放射線又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、EUV又は電子ビーム放射線には真空環境を使用することがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
[0049] リソグラフィ装置100及び/又はリソグラフィ装置100’は、2つ(デュアルステージ)又はそれ以上の基板テーブルWT(及び/又は2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプとすることができる。こうした「マルチステージ」機械では、追加の基板テーブルWTが並列に使用可能であるか、又は、1つ以上の他の基板テーブルWTが露光に使用されている間に、準備ステップが1つ以上のテーブル上で実施可能である。いくつかの状況において、追加のテーブルは基板テーブルWTではない可能性がある。
[0050] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えば投影システムと基板の間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
[0051] 図1A及び図1Bを参照すると、照明システムILは放射源SOから放射ビームBを受け取る。放射源SO及びリソグラフィ装置100又は100’は、例えば放射源SOがエキシマレーザであるとき、別の物理エンティティであり得る。このような場合、放射源SOはリソグラフィ装置100又は100’の一部を形成するものとはみなされず、放射ビームBは、例えば、適切な誘導ミラー及び/又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBD(例えば、図1Bに示される)の助けを借りて、放射源SOから照明システムILへと渡る。他の場合、例えば放射源SOが水銀ランプであるとき、放射源SOはリソグラフィ装置100又は100’の不可欠部分とすることができる。放射源SO及びイルミネータILは、必要であれば、ビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ぶことができる。
[0052] 照明システムILは、放射ビームの角度強度分布を調整するための(例えば、図1Bに示される)アジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲(通常、それぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる)が調整可能である。加えて、照明システムILは、インテグレータIN及び放射コレクタCO(例えば、コンデンサ又はコレクタ系)などの、様々な他のコンポーネント(例えば、図1Bに示される)を含むことができる。照明システムILを使用して、放射ビームBがその断面内に所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームBを調節することができる。
[0053] 図1Aを参照すると、放射ビームBはパターニングデバイスMA(例えば、マスク)上に入射し、パターニングデバイスMAは支持構造MT(例えば、マスクテーブル)上に保持され、パターニングデバイスMAによってパターン付与される。リソグラフィ装置100において、放射ビームBはパターニングデバイスMAから反射される。パターニングデバイスMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは放射ビームBを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPW及び位置センサIFD2(例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ)の助けを借りて、基板テーブルWTは(例えば、放射ビームBの経路内で異なるターゲット部分Cを位置決めするように)正確に移動可能である。同様に、第1のポジショナPM及び別の位置センサIFD1(例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ)を使用して、放射ビームBの経路に関してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1及びM2並びに基板アライメントマークP1及びP2を使用して位置合わせ可能である。
[0054] 図1Bを参照すると、放射ビームBはパターニングデバイスMA上に入射し、パターニングデバイスMAは支持構造MT上に保持され、パターニングデバイスMAによってパターン付与される。放射ビームBはパターニングデバイスMAを横断して、投影システムPSを通過し、投影システムPSはビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。投影システムは、照明システム瞳IPUに対する瞳共役PPUを有する。放射の一部は、照明システム瞳IPUにおける強度分布から発生し、マスクパターンにおける回折による影響を受けずにマスクパターンを横断して、照明システム瞳IPUにおいて強度分布の像を作り出す。
[0055] 投影システムPSはマスクパターンMPの像MP’を基板W上のコーティングされたレジスト層上に投影し、像MP’は、強度分布からの放射によってマスクパターンMPから生成された回折ビームによって形成される。例えば、マスクパターンMPは、線及び空間のアレイを含むことができる。アレイにあり、ゼロ次回折とは異なる放射の回折は、線に垂直な方向での方向の変化を伴う、迂回回折ビームを発生させる。非回折ビーム(例えば、いわゆるゼロ次回折ビーム)は、伝搬方向におけるいずれの変化もなしに、パターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムPSの瞳共役PPUのアップストリームにある、投影システムPSの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、瞳共役PPUに達する。瞳共役PPUの面内の、及びゼロ次回折ビームに関連付けられた強度分布の部分は、照明システムILの照明システム瞳IPU内の強度分布の像である。例えば、アパーチャデバイスPDは、投影システムPSの瞳共役PPUを含む面に、又は実質的にその面に、配設される。
[0056] 投影システムPSは、レンズ又はレンズグループLを用いて、ゼロ次回折ビームのみならず、1次、又は1次及びより高次の回折ビーム(図示せず)も、キャプチャするように配置される。いくつかの態様において、線に対して垂直な方向に延在する線パターンを結像するためのダイポール照明を使用して、ダイポール照明の解像度強化効果を利用することができる。例えば、1次回折ビームは、可能最高解像度及びプロセスウィンドウ(例えば、許容露光ドーズ偏差と組み合わせた使用可能焦点深度)においてマスクパターンMPの像を作成するために、基板Wのレベルで対応するゼロ次回折ビームに干渉する。いくつかの態様において、非点収差は、照明システム瞳IPUの反対側のクアドラントにおいて放射ポール(図示せず)を提供することによって減少させることができる。更にいくつかの態様において、非点収差は、反対側のクアドラントにおける放射ポールに関連付けられた投影システムの瞳共役PPU内のゼロ次ビームをブロックすることによって、減少させることができる。
[0057] 第2のポジショナPW及び位置センサIFD(例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ)の助けを借りて、基板テーブルWTを(例えば、放射ビームBの経路内で異なるターゲット部分Cを位置決めするように)正確に移動可能である。同様に、第1のポジショナPM及び別の位置センサ(図1Bには図示せず)を使用して、(例えば、マスクライブラリからの機械的取り出し後、又はスキャン中に)放射ビームBの経路に関してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。
[0058] 一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成する、ロングストロークポジショナ(粗動位置決め)及びショートストロークポジショナ(微細位置決め)の助けを借りて実現可能である。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成する、ロングストロークポジショナ及びショートストロークポジショナを使用して実現可能である。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定することが可能である。パターニングデバイスMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせ可能である。(図示された)基板アライメントマークは、専用ターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分(例えば、スクライブラインアライメントマーク)間の空間に配置可能である。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に提供されている状況において、マスクアライメントマークはダイ間に配置可能である。
[0059] 支持構造MT及びパターニングデバイスMAは、真空内ロボットIVRを使用して、真空チャンバ内及び外のマスクなどの、パターニングデバイスを移動させることが可能な、真空チャンバV内にあることが可能である。代替として、支持構造MT及びパターニングデバイスMAが真空チャンバの外側にあるとき、真空内ロボットIVRと同様に、真空外ロボットを様々な伝送動作に使用することができる。いくつかの場合、転送ステーションの固定された運動マウントへの任意のペイロード(例えば、マスク)の円滑な転送について、真空内及び真空外の両方のロボットを較正する必要がある。
[0060] リソグラフィ装置100及び100’は、以下のモードのうちの少なくとも1つで使用することができる。
[0061] 1.ステップモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームBに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
[0062] 2.スキャンモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームBに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。
[0063] 3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。パルス放射源SOが採用可能であり、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動後、又はスキャン中の連続する放射パルス間に、必要であれば更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスMAを利用する、マスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
[0064] 記載された使用モード又は完全に異なる使用モードの組み合わせ及び/又はバリエーションも使用することができる。
[0065] 更なる態様において、リソグラフィ装置100は、EUVリソグラフィのためのEUV放射のビームを発生させるように構成された、EUV源を含む。一般に、EUV源は放射システム内に構成され、対応する照明システムがEUV源のEUV放射ビームを調節するように構成される。
[0066] 図2は、放射源SO(例えば、ソースコレクタ装置)、照明システムIL、及び投影システムPSを含む、リソグラフィ装置100をより詳細に示す。図2に示されるように、リソグラフィ装置100は、XZ面に垂直な視点(例えば、側面図)から示される(例えば、X軸は右を指し、Z軸は上方を指す)。
[0067] 放射源SOは、閉鎖構造220内で真空環境が維持できるように構築及び配置される。放射源SOは、ソースチャンバ211及びコレクタチャンバ212を含み、EUV放射を生成及び伝送するように構成される。EUV放射は、電磁スペクトルのEUVレンジ内の放射を放出するためにEUV放射放出プラズマ210が作成される、ガス又は蒸気、例えばキセノン(Xe)ガス、リチウム(Li)蒸気、又はスズ(Sn)蒸気によって、生成可能である。EUV放射放出プラズマ210は、少なくとも部分的にイオン化され、例えば、放電又はレーザビームによって作成可能である。例えば、Xeガス、Li蒸気、Sn蒸気、又は任意の他の適切なガス又は蒸気の、約10.0パスカル(Pa)の部分圧力を、放射の効率的な発生に使用可能である。いくつかの態様において、EUV放射を生成するために、励起スズのプラズマが提供される。
[0068] EUV放射放出プラズマ210によって放出される放射は、ソースチャンバ211から、ソースチャンバ211内の開口内又は開口の後ろに位置決めされる、任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ230(場合によっては、汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる)を介して、コレクタチャンバ212内に渡される。汚染物質トラップ230はチャネル構造を含むことができる。汚染物質トラップ230は、ガスバリア、又は、ガスバリア及びチャネル構造の組み合わせも含むことができる。本明細書に更に示される汚染物質トラップ230は、少なくともチャネル構造を含む。
[0069] コレクタチャンバ212は、いわゆる斜入射型コレクタとすることができる、放射コレクタCO(例えば、コンデンサ又はコレクタ系)を含むことができる。放射コレクタCOは、アップストリーム放射コレクタ側251及びダウンストリーム放射コレクタ側252を有する。放射コレクタCOを横断する放射は、仮想光源点IF内で合焦するように格子スペクトルフィルタ240で反射され得る。仮想光源点IFは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、仮想光源点IFが閉鎖構造220における開口219に又は開口219近くに位置するように、配置される。仮想光源点IFはEUV放射放出プラズマ210の像である。格子スペクトルフィルタ240は、特に、赤外(IR)放射を抑制するために使用される。
[0070] その後、放射は、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム221の望ましい角度分布を、並びに、パターニングデバイスMAにおいて放射強度の望ましい均一性を、提供するように配置された、ファセットフィールドミラーデバイス222及びファセット瞳ミラーデバイス224を含むことが可能な、照明システムILを横断する。支持構造MTによって保持されるパターニングデバイスMAにおける放射ビーム221の反射時に、パターン付与されたビーム226が形成され、パターン付与されたビーム226は、ウェーハステージ又は基板テーブルWTによって保持される基板W上に、反射要素228、229を介して投影システムPSによって結像される。
[0071] 照明システムIL及び投影システムPS内に、図示されたより多くの要素が存在可能である。任意選択として、格子スペクトルフィルタ240は、リソグラフィ装置のタイプに応じて存在可能である。更に、図2に示されるより多くのミラーが存在可能である。例えば、図2に示されるよりも、1つから6つの追加の反射要素が投影システムPS内に存在可能である。
[0072] 図2に示されるように、放射コレクタCOは、コレクタ(又はコレクタミラー)の単なる一例のように、斜入射型コレクタ253、254、及び255を伴う入れ子型コレクタとして示される。斜入射型コレクタ253、254、及び255は、光軸Oの周りに軸方向に対称に配設され、このタイプの放射コレクタCOは、好ましくは放電生成プラズマ(DPP)源と組み合わせて使用される。
[0073] 例示のリソグラフィセル
[0074] 図3は、リソセル又はクラスタとも呼ばれることのある、リソグラフィセル300を示す。図3に示されるように、リソグラフィセル300はXY面に垂直な視点(例えば、上面図)から示される(例えば、X軸は右を指し、Y軸は上方を指す)。
[0075] リソグラフィ装置100又は100’は、リソセル300の一部を形成することができる。リソグラフィセル300は、基板上で露光前及び露光後プロセスを実行するための1つ以上の装置を含むこともできる。例えば、これらの装置は、レジスト層を堆積させるためのスピンコータSC、露光レジストを現像するためのデベロッパDE、冷却プレートCH、及びベークプレートBKを含むことができる。基板ハンドラRO(例えば、ロボット)は、入力/出力ポートI/O1及びI/O2から基板を持ち上げ、それらを異なるプロセス装置間で移動させ、それらをリソグラフィ装置100又は100’のローディングベイLBへと送達する。これらのデバイスは、しばしばまとめてトラックと呼ばれ、それ自体によって制御されるトラック制御ユニットTCUの制御の下にあり、監視制御システムSCSはリソグラフィ制御ユニットLACUを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、様々な装置が、スループット及び処理効率を最大にするように動作可能である。
[0076] 例示のレーザ制御システムを含む例示のレーザ源
[0077] 単一RCS、単一リザーバキャパシタ、及び単一HVPSを有する、例示のレーザ制御システム
[0078] 図4は、本開示のいくつかの態様に従った、例示のレーザ制御システム402(例えば、独立電圧パルスパワーシステム)を含む、例示のレーザ源400の概略図である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、単一RCS(例えば、共通RCS420)、単一リザーバキャパシタ(例えば、共通リザーバキャパシタ、426)、及び単一HVPS(例えば、共通HVPS446)と共に、デュアル独立充電及び電圧調節回路(例えば、第1の独立回路422及び第2の独立回路424)を含むことができる。いくつかの態様において、例示のレーザ源400は、リソグラフィ装置100、又は100’の放射源SOの一部として、又は放射源SOに加えて、使用可能である。追加又は代替として、例示のレーザ源400はDUVリソグラフィ内で使用されるべきDUV放射を発生させることができる。
[0079] 図4に示されるように、例示のレーザ源400は、独立電圧及びタイミング制御を、場合によっては電力消費削減を伴う、デュアルパルスパワーシステムを含む、デュアルチャンバレーザ源とすることができる。例えば、例示のレーザ源400は、第1のレーザビーム406を発生させるように構成された第1のレーザ放電チャンバ404と、第1のレーザビーム406を受け取り、第2のレーザビーム410を発生させるために第1のレーザビーム406を増幅させるように構成された、第2のレーザ放電チャンバ408とを含むことができる。例示のレーザ源400は、第2のレーザビーム410、又はその修正バージョンを、リソグラフィ装置(例えば、リソグラフィ装置100又は110’)に出力することができる。例示のレーザ源400を参照しながら考察するいくつかの態様は、2つのレーザ放電チャンバを含むが、本開示の態様は、単一のレーザ放電チャンバ又は複数のレーザ放電チャンバを含む、レーザ源に適用可能である。
[0080] いくつかの態様において、第2のレーザ放電チャンバ408は、第1のレーザ放電チャンバ404から光を受け取って増幅するように構成可能である。いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ404は、主発振器(MO)の一部として実装可能であり、第2のレーザ放電チャンバ408は、パワー増幅器(PA)又はパワーリング増幅器(PRA)の一部として実装可能である。例えば、例示のレーザ源400はMO及びPAを含むMOPAレーザ源とすることができ、MOは第1のレーザ放電チャンバ404を含み、PAは第2のレーザ放電チャンバ408を含む。別の例において、例示のレーザ源400はMO及びPRAを含むMOPRAレーザ源とすることができ、MOは第1のレーザ放電チャンバ404を含み、PRAは第2のレーザ放電チャンバ408を含む。
[0081] いくつかの態様において、例示のレーザ源400は1つ以上のコンプレッションヘッドを含むことができる。例えば、例示のレーザ源400は、第1のレーザ放電チャンバ404に結合された第1のコンプレッションヘッド412を含むことが可能であり、例示のレーザ源400は、第2のレーザ放電チャンバ408に結合された第2のコンプレッションヘッド414を含むことが更に可能である。
[0082] いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408はガスの混合を含むことができる。例えば、例示のレーザ源400がエキシマレーザ源である態様において、第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408は、ハロゲン(例えば、フッ素)並びに、レーザビームを生成及び増幅する際に使用される他のガス(例えば、アルゴン、ネオン、及び他の適切なガス)を含むことができる。いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408は、同じガスの混合又は異なるガスの混合を含むことができる。例えば、第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408は、どちらもクリプトンガスを含むことができる。
[0083] いくつかの態様において、例示のレーザ源400は、1つ以上のガス源(例えば、ガスボトル)、及び1つ以上のガス源を独立に制御するように構成された1つ以上のガス制御システムを含むか、又はこれらに結合されることが可能である。例えば、第1のガス源は、第1のレーザビーム406を発生させるために使用される第1のガス混合を提供するために、第1のレーザ放電チャンバ404に結合可能である。加えて、第2のガス源は、第2のレーザビーム410を発生させるために使用される第2のガス混合を提供するために、第2のレーザ放電チャンバ408に結合可能である。いくつかの態様において、第2のガス源は実質的に第1のガス源と同様であり得、第2のガス混合は、第1のガス混合と同一又はほぼ同一であり得る。1つの例示的な例示の態様において、第1のガス源は、フッ素、アルゴン、及びネオンを含むが限定されない、ガスの混合を含むことができる。いくつかの例において、第1のガス源及び第2のガス源は、1つ以上のガス制御システムによって制御される1つ以上の弁を介して、第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408にそれぞれ結合可能である。
[0084] いくつかの態様において、例示のレーザ源400は、第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度及び第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度を、独立に制御するように構成された、1つ以上の温度アクチュエータを含む1つ以上の温度制御システムを含むことができる。いくつかの態様において、1つ以上の温度制御システムは、第1のレーザ放電チャンバ404内又はその近くに配設され、第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度を検出するように構成された、1つ以上の温度センサと、第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度とは独立の第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度を制御するように構成された、第1の温度アクチュエータとを含む、第1の温度制御システムを含むことができる。いくつかの態様において、1つ以上の温度制御システムは、第2のレーザ放電チャンバ408内又はその近くに配設され、第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度を検出するように構成された、1つ以上の温度センサと、第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度とは独立の第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度を制御するように構成された、第2の温度アクチュエータとを含む、第2の温度制御システムを、更に含むことができる。いくつかの態様において、第1の温度制御システム及び第2の温度制御システムは、それぞれ、第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408について、独立した動作を提供することができる。
[0085] いくつかの態様において、1つ以上の温度アクチュエータは、対応するレーザ放電チャンバ内のガスに熱を加えるように構成された1つ以上のコイルを含むが、限定されない、1つ以上の加熱システムを含むことができる。1つ以上のコイルは、1つ以上の印加電圧の二乗に比例する熱を発生させるように構成された、1つ以上の負荷抵抗として実装可能である。いくつかの態様において、1つ以上の温度アクチュエータは、対応するレーザ放電チャンバ内のガスから熱を除去するように構成された1つ以上の流体チャネルを含むが、限定されない、1つ以上の冷却システムを更に含むことができる。1つ以上の流体チャネルは、1つ以上の送水管の流体流量を制御することによって、熱を除去するように構成された、1つ以上の弁に結合された1つ以上の送水管として実装可能である。
[0086] いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ404は、第1の加熱システム及び第1の冷却システムを含む、第1の温度アクチュエータを含むことができる。第1の温度アクチュエータは、第1のレーザ放電チャンバ404内のガスの温度を制御するように構成可能である。いくつかの態様において、第2のレーザ放電チャンバ408は、第2の加熱システム及び第2の冷却システムを含む、第2の温度アクチュエータを含むことができる。第2の温度アクチュエータは、第2のレーザ放電チャンバ408内のガスの温度を制御するように構成可能である。
[0087] いくつかの態様において、第1の温度アクチュエータは、第1の加熱システム及び第1の冷却システムを使用して、第1のレーザ放電チャンバ404内の(例えば、第1のレーザ放電チャンバ404内又は近くに配設された1つ以上の温度センサによって)検出されたガス温度と、第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度について設定された(例えば、ユーザによって入力されるか、又は、第1の温度制御システムによって決定された)1つ以上の温度設定ポイントとに基づいて、及び、第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度とは独立に、第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度を制御するように構成可能である。いくつかの態様において、第2の温度アクチュエータは、第2の加熱システム及び第2の冷却システムを使用して、第2のレーザ放電チャンバ408内の(例えば、第2のレーザ放電チャンバ408内又は近くに配設された1つ以上の温度センサによって)検出されたガス温度と、第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度について設定された(例えば、ユーザによって入力されるか、又は、第2の温度制御システムによって決定された)1つ以上の温度設定ポイントとに基づいて、及び、第1のレーザ放電チャンバ404内のガス温度とは独立に、第2のレーザ放電チャンバ408内のガス温度を制御するように構成可能である。
[0088] いくつかの態様において、例示のレーザ源400は、第1のレーザ放電チャンバ404に結合されたか又は関連付けられた第1のパルスパワートレイン、及び、第2のレーザ放電チャンバ408に結合されたか又は関連付けられた第2のパルスパワートレインの、電圧及びタイミングを独立に制御するように構成された、例示のレーザ制御システム402を含むことが可能である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第1のパルスパワートレイン、第2のパルスパワートレイン、又はその両方の、電力消費を削減するように構成可能である。
[0089] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、例示のレーザ源400について3つの異なる構成、(i)MOPA、(ii)MOPRA、及び(iii)2つの独立レーザを提供することができる。例えば、例示のレーザ制御システム402が例示のレーザ源400にMOPA構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ404はMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバ408はPAレーザ放電チャンバであり得る。別の例において、例示のレーザ制御システム402が例示のレーザ源400にMOPRA構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ404はMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバ408はPRAレーザ放電チャンバであり得る。更に別の例において、例示のレーザ制御システム402が例示のレーザ源400に「2つの独立レーザ」構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ404は、第1のRCS出力電圧480に基づいて(例えば、第1の整流子出力電圧482に基づいて)第1の光子セットを発生させるように構成された、第1のレーザデバイスを含むことが可能であり、及び、第2のレーザ放電チャンバ408は、第2のRCS出力電圧484に基づいて(例えば、第2の整流子出力電圧486に基づいて)第2の光子セットを発生させるように構成された、第2のレーザデバイスを含むことが可能である。
[0090] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、共通RCS420、第1の整流子434(例えば、MO整流子)、第2の整流子438(例えば、PR整流子又はPRA整流子)、電圧コントローラ440(例えば、FCP/FCC)、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442(例えば、TEM)、及び共通HVPS446を含むことができる。いくつかの態様において、共通RCS420は、第1の独立回路422、第2の独立回路424、及び共通リザーバキャパシタ426を含むことができる。いくつかの態様において、第1の独立回路422は、第1の独立充電及び電圧調節回路を含むことが可能であり、第2の独立回路424は第2の独立充電及び電圧調節回路を含むことが可能である。
[0091] いくつかの態様において、共通リザーバキャパシタ426は、第1の独立回路422及び第2の独立回路424に電気的に結合されるように構成可能である。いくつかの態様において、第1の独立回路422及び第2の独立回路424は、共通HVPS446によって充電可能な共通リザーバキャパシタ426を共有することができる。例えば、共通HVPS446は、高電圧信号488を共通リザーバキャパシタ426に伝送するように構成可能である。共通リザーバキャパシタ426は、共通HVPS446から高電圧信号488を受信し、高電圧信号488に基づいて第1の独立回路422及び第2の独立回路424を充電するように、構成可能である。
[0092] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第1の独立回路422を含む第1のパルスパワートレインを含むことができる。第1の独立回路422は、第2のレーザ放電チャンバ408から独立した第1のレーザ放電チャンバ404を駆動するように構成された、第1のRCS出力電圧480を発生させるように構成可能である。いくつかの態様において、第1のRCS出力電圧480は、第1の整流子434、第1の整流子出力電圧482、及び第1のコンプレッションヘッド412を介して、第1のレーザ放電チャンバ404を駆動するように構成可能である。例えば、第1の独立回路422は、第1のRCS出力電圧480を第1の整流子434に伝送するように構成可能である。その後、第1の整流子434は、第1の独立回路422から第1のRCS出力電圧480を受け取り、第1のRCS出力電圧480に基づいて第1の整流子出力電圧482を発生させ、第1のレーザ放電チャンバ404を駆動させる際に使用するために第1の整流子出力電圧482を第1のコンプレッションヘッド412に伝送するように構成可能である。
[0093] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第2の独立回路424を含む第2のパルスパワートレインを更に含むことができる。第2の独立回路424は、第1のレーザ放電チャンバ404から独立した第2のレーザ放電チャンバ408を駆動するように構成された、第1のRCS出力電圧480から独立した、第2のRCS出力電圧484を発生させるように構成可能である。いくつかの態様において、第2のRCS出力電圧484は、第2の整流子438、第2の整流子出力電圧486、及び第2のコンプレッションヘッド414を介して、第2のレーザ放電チャンバ408を駆動するように構成可能である。例えば、第2の独立回路424は、第2のRCS出力電圧484を第2の整流子438に伝送するように構成可能である。その後、第2の整流子438は、第2の独立回路424から第2のRCS出力電圧484を受け取り、第2のRCS出力電圧484に基づいて第2の整流子出力電圧486を発生させ、第2のレーザ放電チャンバ408を駆動させる際に使用するために第2の整流子出力電圧486を第2のコンプレッションヘッド414に伝送するように構成可能である。
[0094] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、(例えば、共通HVPS446内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース460、(例えば、第2の整流子438内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース462、(例えば、共通RCS420内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース464、(例えば、第1の整流子434内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース466、及び、(例えば、共通RCS420内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース468などの、複数の通信インターフェースを含むことができる。いくつかの態様において、共通RCS420は、第1の独立回路422に電気的に結合されるように構成された第1の通信インターフェース(例えば、通信インターフェース464又は通信インターフェース468のうちの一方)、及び、第2の独立回路424に電気的に結合されるように構成された第2の通信インターフェース(例えば、通信インターフェース464又は通信インターフェース468のうちの他方)を、更に含むことができる。いくつかの態様において、複数の通信インターフェース(例えば、通信インターフェース460、通信インターフェース462、通信インターフェース464、通信インターフェース466、及び通信インターフェース468)は、複数のデジタル通信インターフェース、複数のコントローラエリアネットワーク(CAN)ノード、複数のイーサネットノード、複数のシリアル又はパラレル通信ケーブルノード、複数の汎用インターフェースバス(GPIB)ノード、又は、複数の任意の他の適切な通信インターフェースであり得るか、又はこれらを含み得る。
[0095] いくつかの態様において、電圧コントローラ440は、共通RCS420に、及びより具体的には、第1の独立回路422及び第2の独立回路424に、それぞれ通信インターフェース464及び通信インターフェース468を介して、電気的に結合可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ440は、(例えば、第1のRCS出力電圧480の電圧を制御することによって)第1のパルスパワートレインの電圧を、及び、(例えば、第2のRCS出力電圧484の電圧を制御することによって)第2のパルスパワートレインの電圧を、独立に制御するように構成可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ440は、第1のRCS出力電圧480の電圧を独立に制御するために、第1の電圧制御信号を発生させ、通信インターフェース464に伝送するように構成可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ440は、第2のRCS出力電圧484の電圧を独立に制御するために、第2の電圧制御信号を発生させ、通信インターフェース468に伝送するように構成可能である。
[0096] いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442は、それぞれ通信インターフェース466及び通信インターフェース462を介して、第1の整流子434及び第2の整流子438に電気的に結合可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442は、(例えば、第1の整流子出力電圧482のタイミングを制御することによって)第1のパルスパワートレインの放電のタイミングを、及び、(例えば、第2の整流子出力電圧486のタイミングを制御することによって)第2のパルスパワートレインの放電のタイミングを、独立に制御するように構成可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442は、第1の整流子出力電圧482のタイミングを独立に制御するために、第1のタイミング制御信号を発生させ、通信インターフェース466に伝送するように、構成可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442は、第2の整流子出力電圧486のタイミングを独立に制御するために、第2のタイミング制御信号を発生させ、通信インターフェース462に伝送するように、構成可能である。
[0097] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、例示のレーザ源400に、(i)第1のパルスパワートレイン又は第2のパルスパワートレインのいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについての(同時デュアルパルスパワートレイン動作を含むが限定されない)同期したデュアルパルスパワートレイン動作、及び、(iii)第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについての(スタッタデュアルパルスパワートレイン動作を含むが限定されない)インターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作という、3つの異なる動作モードを提供することができる。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、(i)第1のレーザ放電チャンバ404又は第2のレーザ放電チャンバ408のいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408からの(同時デュアル出力を含むが限定されない)同期したデュアル出力、又は、(iii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ404及び第2のレーザ放電チャンバ408からの(スタッタデュアル出力を含むが限定されない)インターリーブしたデュアル出力という、3つの動作モードを可能にするために、各パルスパワートレインの独立制御(例えば、独立電圧制御、独立タイミング制御、独立ガス制御、独立ブロワ制御、独立温度制御、又はそれらの組み合わせ)を提供することができる。
[0098] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第1のパルスパワートレインの電圧及びタイミング、並びに、第2のパルスパワートレインの電圧及びタイミングを、独立に制御するように構成可能である。例えば、例示のレーザ制御システム402は、(例えば、電圧コントローラ440及び通信インターフェース464を使用して)第1のパルスパワートレインの第1の電圧を、及び、(例えば、電圧コントローラ440及び通信インターフェース468を使用して)第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように構成可能である。例示のレーザ制御システム402は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442及び通信インターフェース466を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを、及び、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442及び通信インターフェース462を使用して)第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを、独立に制御するように更に構成可能である。
[0099] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第1のパルスパワートレインの電圧及び第2のパルスパワートレインの電圧を独立に制御するように、並びに、第1のパルスパワートレインのタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインのタイミングを更に制御するように、構成可能である。例えば、例示のレーザ制御システム402は、(例えば、電圧コントローラ440及び通信インターフェース464を使用して)第1のパルスパワートレインの第1の電圧を、及び、(例えば、電圧コントローラ440及び通信インターフェース468を使用して)第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように構成可能である。例示のレーザ制御システム402は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442及び通信インターフェース466を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを制御するように、更に構成可能である。例示のレーザ制御システム402は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ442及び通信インターフェース462を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、更に構成可能である。1つの例示的な例において、例示のレーザ制御システム402は、第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに関した遅延(例えば、離散的持続時間)に基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、構成可能である。いくつかの態様において、遅延は、第1のレーザ放電チャンバ404と第2のレーザ放電チャンバ408との間の光伝搬時間に(例えば、等価、倍数、分数に)に基づくものとすることができる。いくつかの態様において、遅延は制御可能なパラメータであり得る。いくつかの態様において、遅延は、第2のレーザ放電チャンバ408によって生成される光の望ましい帯域幅に基づくものとすることができる。いくつかの態様において、遅延は、約1.0フェムト秒、1.0ピコ秒、1.0ナノ秒、0.1ミリ秒、1.0ミリ秒、1秒、又は10秒よりも大きいことが可能である。
[0100] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第1の動作モードを用いて、第1のパルスパワートレインと同時であるように第2のパルスパワートレインをトリガするように構成可能である。第1の動作モードは、例えば、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについて同期したデュアルパルスパワートレイン動作、又は任意の他の適切な動作、あるいは動作の組み合わせを提供するように構成可能である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム402は、第2の動作モードを用いて、第2のパルスパワートレインに関して遅延するように第1のパルスパワートレインをトリガするように構成可能である。第2の動作モードは、例えば、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについてインターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作、又は任意の他の適切な動作、あるいは動作の組み合わせを提供するように構成可能である。
[0101] デュアルRCS、デュアルリザーバキャパシタ、及び単一HVPSを有する、例示のレーザ制御システム
[0102] 図5は、本開示のいくつかの態様に従った、例示のレーザ制御システム502(例えば、独立電圧パルスパワーシステム)を含む、例示のレーザ源500の概略図である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、デュアルRCS(例えば、第1のRCS520及び第2のRCS521)、デュアルリザーバキャパシタ(例えば、第1のリザーバキャパシタ526及び第2のリザーバキャパシタ527)、及び単一HVPS(例えば、共通HVPS546)と共に、デュアル独立充電及び電圧調節回路(例えば、第1の独立回路522及び第2の独立回路524)を含むことができる。いくつかの態様において、例示のレーザ源500は、リソグラフィ装置100又は100’の放射源SOの一部として、又は放射源SOに加えて、使用可能である。追加又は代替として、例示のレーザ源500はDUVリソグラフィ内で使用されるべきDUV放射を発生させることができる。
[0103] 図5に示されるように、例示のレーザ源500は、独立電圧及びタイミング制御を、場合によっては電力消費削減を伴う、デュアルパルスパワーシステムを含む、デュアルチャンバレーザ源とすることができる。例えば、例示のレーザ源500は、第1のレーザビーム506を発生させるように構成された第1のレーザ放電チャンバ504と、第1のレーザビーム506を受け取り、第2のレーザビーム510を発生させるために第1のレーザビーム506を増幅させるように構成された、第2のレーザ放電チャンバ508とを含むことができる。例示のレーザ源500は、第2のレーザビーム510、又はその修正バージョンを、リソグラフィ装置(例えば、リソグラフィ装置100又は110’)に出力することができる。例示のレーザ源500を参照しながら考察するいくつかの態様は、2つのレーザ放電チャンバを含むが、本開示の態様は、単一のレーザ放電チャンバ又は複数のレーザ放電チャンバを含む、レーザ源に適用可能である。
[0104] いくつかの態様において、第2のレーザ放電チャンバ508は、第1のレーザ放電チャンバ504から光を受け取って増幅するように構成可能である。いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ504は、主発振器(MO)の一部として実装可能であり、第2のレーザ放電チャンバ508は、パワー増幅器(PA)又はパワーリング増幅器(PRA)の一部として実装可能である。例えば、例示のレーザ源500は、MO及びPAを含むMOPAレーザ源とすることができ、MOは第1のレーザ放電チャンバ504を含み、PAは第2のレーザ放電チャンバ508を含む。別の例において、例示のレーザ源500は、MO及びPRAを含むMOPRAレーザ源とすることができ、MOは第1のレーザ放電チャンバ504を含み、PRAは第2のレーザ放電チャンバ508を含む。いくつかの態様において、例示のレーザ源500は、1つ以上のコンプレッションヘッドを含むことができる。例えば、例示のレーザ源500は、第1のレーザ放電チャンバ504に結合された第1のコンプレッションヘッド512を含むことができ、例示のレーザ源500は更に、第2のレーザ放電チャンバ508に結合された第2のコンプレッションヘッド514を含むことができる。いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ504及び第2のレーザ放電チャンバ508は、図4を参照して説明した例示のレーザ源400を参照して上記で考察した、任意の態様、構造、特徴、構成要素、又はシステムを含むか、又はこれらに結合することができる。
[0105] いくつかの態様において、例示のレーザ源500は、第1のレーザ放電チャンバ504に結合されたか又は関連付けられた第1のパルスパワートレイン、及び、第2のレーザ放電チャンバ508に結合されたか又は関連付けられた第2のパルスパワートレインの、電圧及びタイミングを独立に制御するように構成された、例示のレーザ制御システム502を含むことが可能である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第1のパルスパワートレイン、第2のパルスパワートレイン、又はその両方の、電力消費を削減するように構成可能である。
[0106] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、例示のレーザ源500について3つの異なる構成、(i)MOPA、(ii)MOPRA、及び(iii)2つの独立レーザを提供することができる。例えば、例示のレーザ制御システム502が例示のレーザ源500にMOPA構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ504はMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバ508はPAレーザ放電チャンバであり得る。別の例において、例示のレーザ制御システム502が例示のレーザ源500にMOPRA構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ504はMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバ508はPRAレーザ放電チャンバであり得る。更に別の例において、例示のレーザ制御システム502が例示のレーザ源500に「2つの独立レーザ」構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ504は、第1のRCS出力電圧580に基づいて(例えば、第1の整流子出力電圧582に基づいて)第1の光子セットを発生させるように構成された、第1のレーザデバイスを含むことが可能であり、及び、第2のレーザ放電チャンバ508は、第2のRCS出力電圧584に基づいて(例えば、第2の整流子出力電圧586に基づいて)第2の光子セットを発生させるように構成された、第2のレーザデバイスを含むことが可能である。
[0107] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第1のRCS520、第2のRCS521、第1の整流子534(例えば、MO整流子)、第2の整流子538(例えば、PR整流子又はPRA整流子)、電圧コントローラ540(例えば、FCP/FCC)、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542(例えば、TEM)、及び共通HVPS546を含むことができる。いくつかの態様において、第1のRCS520は、第1の独立回路522、及び第1のリザーバキャパシタ526を含むことができ、第2のRCS521は、第2の独立回路524、及び第2のリザーバキャパシタ527を含むことができる。いくつかの態様において、第1の独立回路522は第1の独立充電及び電圧調節回路を含むことが可能であり、第2の独立回路524は第2の独立充電及び電圧調節回路を含むことが可能である。
[0108] いくつかの態様において、第1のリザーバキャパシタ526は、第1の独立回路522に電気的に結合されるように構成可能であり、第2のリザーバキャパシタ527は、第2の独立回路524に電気的に結合されるように構成可能である。いくつかの態様において、第1のリザーバキャパシタ526及び第2のリザーバキャパシタ527は、共通HVPS546によって充電可能である。例えば、共通HVPS546は、高電圧信号588を第1のリザーバキャパシタ526及び第2のリザーバキャパシタ527に伝送するように構成可能である。第1のリザーバキャパシタ526は、共通HVPS546から高電圧信号588を受信し、高電圧信号588に基づいて第1の独立回路522を充電するように、構成可能であり、第2のリザーバキャパシタ527は、共通HVPS546から高電圧信号588を受信し、高電圧信号588に基づいて第2の独立回路524を充電するように、構成可能である。
[0109] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第1の独立回路522を含む第1のパルスパワートレインを含むことが可能である。第1の独立回路522は、第2のレーザ放電チャンバ508から独立した第1のレーザ放電チャンバ504を駆動するように構成された第1のRCS出力電圧580を発生させるように構成可能である。いくつかの態様において、第1のRCS出力電圧580は、第1の整流子534、第1の整流子出力電圧582、及び第1のコンプレッションヘッド512を介して、第1のレーザ放電チャンバ504を駆動するように構成可能である。例えば、第1の独立回路522は、第1のRCS出力電圧580を第1の整流子534に伝送するように構成可能である。その後、第1の整流子534は、第1の独立回路522から第1のRCS出力電圧580を受け取り、第1のRCS出力電圧580に基づいて第1の整流子出力電圧582を発生させ、第1のレーザ放電チャンバ504を駆動する際に使用するために第1の整流子出力電圧582を第1のコンプレッションヘッド512に伝送するように、構成可能である。
[0110] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第2の独立回路524を含む第2のパルスパワートレインを更に含むことが可能である。第2の独立回路524は、第1のレーザ放電チャンバ504から独立した第2のレーザ放電チャンバ508を駆動するように構成された第1のRCS出力電圧580から独立した第2のRCS出力電圧584を発生させるように構成可能である。いくつかの態様において、第2のRCS出力電圧584は、第2の整流子538、第2の整流子出力電圧586、及び第2のコンプレッションヘッド514を介して、第2のレーザ放電チャンバ508を駆動するように構成可能である。例えば、第2の独立回路524は、第2のRCS出力電圧584を第2の整流子538に伝送するように構成可能である。その後、第2の整流子538は、第2の独立回路524から第2のRCS出力電圧584を受け取り、第2のRCS出力電圧584に基づいて第2の整流子出力電圧586を発生させ、第2のレーザ放電チャンバ508を駆動する際に使用するために、第2の整流子出力電圧586を第2のコンプレッションヘッド514に伝送するように構成可能である。
[0111] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、(例えば、共通HVPS546内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース560、(例えば、第2の整流子538内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース562、(例えば、第2のRCS521内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース568、(例えば、第1のRCS520内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース564、及び、(例えば、第1の整流子534内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース566などの、複数の通信インターフェースを含むことができる。いくつかの態様において、第1のRCS520は、第1の独立回路522に電気的に結合されるように構成された通信インターフェース564を含むことができる。いくつかの態様において、第2のRCS521は、第2の独立回路524に電気的に結合されるように構成された通信インターフェース568を含むことができる。いくつかの態様において、複数の通信インターフェース(例えば、通信インターフェース560、通信インターフェース562、通信インターフェース564、通信インターフェース566、及び通信インターフェース568)は、複数のデジタル通信インターフェース、複数のCANノード、複数のイーサネットノード、複数のシリアル又はパラレル通信ケーブルノード、複数のGPIBノード、又は、複数の任意の他の適切な通信インターフェースであり得るか、又はこれらを含み得る。
[0112] いくつかの態様において、電圧コントローラ540は、第1のRCS520及び第2のRCS521に、それぞれ通信インターフェース564及び通信インターフェース568を介して、電気的に結合可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ540は、(例えば、第1のRCS出力電圧580の電圧を制御することによって)第1のパルスパワートレインの電圧を、及び、(例えば、第2のRCS出力電圧584の電圧を制御することによって)第2のパルスパワートレインの電圧を、独立に制御するように構成可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ540は、第1のRCS出力電圧580の電圧を独立に制御するために、第1の電圧制御信号を発生させ、通信インターフェース564に伝送するように構成可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ540は、第2のRCS出力電圧584の電圧を独立に制御するために、第2の電圧制御信号を発生させ、通信インターフェース568に伝送するように構成可能である。
[0113] いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542は、それぞれ通信インターフェース566及び通信インターフェース562を介して、第1の整流子534及び第2の整流子538に電気的に結合可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542は、(例えば、第1の整流子出力電圧582のタイミングを制御することによって)第1のパルスパワートレインの放電のタイミングを、及び、(例えば、第2の整流子出力電圧586のタイミングを制御することによって)第2のパルスパワートレインの放電のタイミングを、独立に制御するように構成可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542は、第1の整流子出力電圧582のタイミングを独立に制御するために、第1のタイミング制御信号を発生させ、通信インターフェース566に伝送するように、構成可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542は、第2の整流子出力電圧586のタイミングを独立に制御するために、第2のタイミング制御信号を発生させ、通信インターフェース562に伝送するように、構成可能である。
[0114] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、例示のレーザ源500に、(i)第1のパルスパワートレイン又は第2のパルスパワートレインのいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについての(同時デュアルパルスパワートレイン動作を含むが限定されない)同期したデュアルパルスパワートレイン動作、及び、(iii)第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについての(スタッタデュアルパルスパワートレイン動作を含むが限定されない)インターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作という、3つの異なる動作モードを提供することができる。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、(i)第1のレーザ放電チャンバ504又は第2のレーザ放電チャンバ508のいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ504及び第2のレーザ放電チャンバ508からの(同時デュアル出力を含むが限定されない)同期したデュアル出力、又は、(iii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ504及び第2のレーザ放電チャンバ508からの(スタッタデュアル出力を含むが限定されない)インターリーブしたデュアル出力という、3つの動作モードを可能にするために、各パルスパワートレインの独立制御(例えば、独立電圧制御、独立タイミング制御、独立ガス制御、独立ブロワ制御、独立温度制御、又はそれらの組み合わせ)を提供することができる。
[0115] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第1のパルスパワートレインの電圧及びタイミング、並びに、第2のパルスパワートレインの電圧及びタイミングを、独立に制御するように構成可能である。例えば、例示のレーザ制御システム502は、(例えば、電圧コントローラ540及び通信インターフェース564を使用して)第1のパルスパワートレインの第1の電圧を、及び、(例えば、電圧コントローラ540及び通信インターフェース568を使用して)第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように構成可能である。例示のレーザ制御システム502は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542及び通信インターフェース566を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを、及び、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542及び通信インターフェース562を使用して)第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを、独立に制御するように更に構成可能である。
[0116] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第1のパルスパワートレインの電圧及び第2のパルスパワートレインの電圧を独立に制御するように、並びに、第1のパルスパワートレインのタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインのタイミングを更に制御するように、構成可能である。例えば、例示のレーザ制御システム502は、(例えば、電圧コントローラ540及び通信インターフェース564を使用して)第1のパルスパワートレインの第1の電圧を、及び、(例えば、電圧コントローラ540及び通信インターフェース568を使用して)第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように構成可能である。例示のレーザ制御システム502は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542及び通信インターフェース566を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを制御するように、更に構成可能である。例示のレーザ制御システム502は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ542及び通信インターフェース562を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、更に構成可能である。1つの例示的な例において、例示のレーザ制御システム502は、第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに関した遅延(例えば、離散的持続時間)に基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、構成可能である。いくつかの態様において、遅延は、第1のレーザ放電チャンバ504と第2のレーザ放電チャンバ508との間の光伝搬時間に(例えば、等価、倍数、分数に)基づくものとすることができる。いくつかの態様において、遅延は制御可能なパラメータであり得る。いくつかの態様において、遅延は、第2のレーザ放電チャンバ508によって生成される光の望ましい帯域幅に基づくものとすることができる。いくつかの態様において、遅延は、約1.0フェムト秒、1.0ピコ秒、1.0ナノ秒、0.1ミリ秒、1.0ミリ秒、1秒、又は10秒よりも大きいことが可能である。
[0117] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第1の動作モードを用いて、第1のパルスパワートレインと同時であるように第2のパルスパワートレインをトリガするように構成可能である。第1の動作モードは、例えば、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについて同期したデュアルパルスパワートレイン動作、又は任意の他の適切な動作、あるいは動作の組み合わせを提供するように構成可能である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム502は、第2の動作モードを用いて、第2のパルスパワートレインに関して遅延するように第1のパルスパワートレインをトリガするように構成可能である。第2の動作モードは、例えば、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについてインターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作、又は任意の他の適切な動作、あるいは動作の組み合わせを提供するように構成可能である。
[0118] デュアルRCS、デュアルリザーバキャパシタ、及びデュアルHVPSを有する、例示のレーザ制御システム
[0119] 図6は、本開示のいくつかの態様に従った、例示のレーザ制御システム602(例えば、独立電圧パルスパワーシステム)を含む、例示のレーザ源600の概略図である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、デュアルRCS(例えば、第1のRCS620及び第2のRCS621)、デュアルリザーバキャパシタ(例えば、第1のリザーバキャパシタ626及び第2のリザーバキャパシタ627)、及びデュアルHVPS(例えば、第1のHVPS646及び第2のHVPS647)と共に、デュアル独立充電及び電圧調節回路(例えば、第1の独立回路622及び第2の独立回路624)を含むことができる。いくつかの態様において、例示のレーザ源600は、リソグラフィ装置100又は100’の放射源SOの一部として、又は放射源SOに加えて、使用可能である。追加又は代替として、例示のレーザ源600はDUVリソグラフィ内で使用されるべきDUV放射を発生させることができる。
[0120] 図6に示されるように、例示のレーザ源600は、独立電圧及びタイミング制御を、場合によっては電力消費削減を伴う、デュアルパルスパワーシステムを含む、デュアルチャンバレーザ源とすることができる。例えば、例示のレーザ源600は、第1のレーザビーム606を発生させるように構成された第1のレーザ放電チャンバ604と、第1のレーザビーム606を受け取り、第2のレーザビーム610を発生させるために第1のレーザビーム606を増幅させるように構成された、第2のレーザ放電チャンバ608とを含むことができる。例示のレーザ源600は、第2のレーザビーム610、又はその修正バージョンを、リソグラフィ装置(例えば、リソグラフィ装置100又は110’)に出力することができる。例示のレーザ源600を参照しながら考察するいくつかの態様は、2つのレーザ放電チャンバを含むが、本開示の態様は、単一のレーザ放電チャンバ又は複数のレーザ放電チャンバを含む、レーザ源に適用可能である。
[0121] いくつかの態様において、第2のレーザ放電チャンバ608は、第1のレーザ放電チャンバ604から光を受け取って増幅するように構成可能である。いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ604は、主発振器(MO)の一部として実装可能であり、第2のレーザ放電チャンバ608は、パワー増幅器(PA)又はパワーリング増幅器(PRA)の一部として実装可能である。例えば、例示のレーザ源600は、MO及びPAを含むMOPAレーザ源とすることができ、MOは第1のレーザ放電チャンバ604を含み、PAは第2のレーザ放電チャンバ608を含む。別の例において、例示のレーザ源600は、MO及びPRAを含むMOPRAレーザ源とすることができ、MOは第1のレーザ放電チャンバ604を含み、PRAは第2のレーザ放電チャンバ608を含む。いくつかの態様において、例示のレーザ源600は、1つ以上のコンプレッションヘッドを含むことができる。例えば、例示のレーザ源600は、第1のレーザ放電チャンバ604に結合された第1のコンプレッションヘッド612を含むことができ、例示のレーザ源600は更に、第2のレーザ放電チャンバ608に結合された第2のコンプレッションヘッド614を含むことができる。いくつかの態様において、第1のレーザ放電チャンバ604及び第2のレーザ放電チャンバ608は、図4を参照して説明した例示のレーザ源400を参照して上記で考察した、任意の態様、構造、特徴、構成要素、又はシステムを含むか、又はこれらに結合することができる。
[0122] いくつかの態様において、例示のレーザ源600は、第1のレーザ放電チャンバ604に結合されたか又は関連付けられた第1のパルスパワートレイン、及び、第2のレーザ放電チャンバ608に結合されたか又は関連付けられた第2のパルスパワートレインの、電圧及びタイミングを独立に制御するように構成された、例示のレーザ制御システム602を含むことが可能である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第1のパルスパワートレイン、第2のパルスパワートレイン、又はその両方の、電力消費を削減するように構成可能である。
[0123] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、例示のレーザ源600について3つの異なる構成、(i)MOPA、(ii)MOPRA、及び(iii)2つの独立レーザを提供することができる。例えば、例示のレーザ制御システム602が例示のレーザ源600にMOPA構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ604はMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバ608はPAレーザ放電チャンバであり得る。別の例において、例示のレーザ制御システム602が例示のレーザ源600にMOPRA構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ604はMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバ608はPRAレーザ放電チャンバであり得る。更に別の例において、例示のレーザ制御システム602が例示のレーザ源600に「2つの独立レーザ」構成を提供するように構成されるとき、第1のレーザ放電チャンバ604は、第1のRCS出力電圧680に基づいて(例えば、第1の整流子出力電圧682に基づいて)第1の光子セットを発生させるように構成された、第1のレーザデバイスを含むことが可能であり、及び、第2のレーザ放電チャンバ608は、第2のRCS出力電圧684に基づいて(例えば、第2の整流子出力電圧686に基づいて)第2の光子セットを発生させるように構成された、第2のレーザデバイスを含むことが可能である。
[0124] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第1のRCS620、第2のRCS621、第1の整流子634(例えば、MO整流子)、第2の整流子638(例えば、PR整流子又はPRA整流子)、電圧コントローラ640(例えば、FCP/FCC)、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642(例えば、TEM)、第1のHVPS646、及び第2のHVPS647を含むことができる。いくつかの態様において、第1のRCS620は、第1の独立回路622、及び第1のリザーバキャパシタ626を含むことができ、第2のRCS621は、第2の独立回路624、及び第2のリザーバキャパシタ627を含むことができる。いくつかの態様において、第1の独立回路622は第1の独立充電及び電圧調節回路を含むことが可能であり、第2の独立回路624は第2の独立充電及び電圧調節回路を含むことが可能である。
[0125] いくつかの態様において、第1のリザーバキャパシタ626は、第1の独立回路622に電気的に結合されるように構成可能であり、第2のリザーバキャパシタ627は、第2の独立回路624に電気的に結合されるように構成可能である。いくつかの態様において、第1のリザーバキャパシタ626は、第1のHVPS646によって充電可能であり、第2のリザーバキャパシタ627は、第2のHVPS647によって充電可能である。例えば、第1のHVPS646は、第1の高電圧信号688を第1のリザーバキャパシタ626に伝送するように構成可能であり、第2のHVPS647は、第2の高電圧信号689を第2のリザーバキャパシタ627に伝送するように構成可能である。第1のリザーバキャパシタ626は、第1のHVPS646から第1の高電圧信号688を受信し、第1の高電圧信号688に基づいて第1の独立回路622を充電するように構成可能であり、第2のリザーバキャパシタ627は、第2のHVPS647から第2の高電圧信号689を受信し、第2の高電圧信号689に基づいて第2の独立回路624を充電するように構成可能である。
[0126] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第1の独立回路622を含む第1のパルスパワートレインを含むことが可能である。第1の独立回路622は、第2のレーザ放電チャンバ608から独立した第1のレーザ放電チャンバ604を駆動するように構成された第1のRCS出力電圧680を発生させるように構成可能である。いくつかの態様において、第1のRCS出力電圧680は、第1の整流子634、第1の整流子出力電圧682、及び第1のコンプレッションヘッド612を介して、第1のレーザ放電チャンバ604を駆動するように構成可能である。例えば、第1の独立回路622は、第1のRCS出力電圧680を第1の整流子634に伝送するように構成可能である。その後、第1の整流子634は、第1の独立回路622から第1のRCS出力電圧680を受け取り、第1のRCS出力電圧680に基づいて第1の整流子出力電圧682を発生させ、第1のレーザ放電チャンバ604を駆動する際に使用するために第1の整流子出力電圧682を第1のコンプレッションヘッド612に伝送するように、構成可能である。
[0127] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第2の独立回路624を含む第2のパルスパワートレインを更に含むことが可能である。第2の独立回路624は、第1のレーザ放電チャンバ604から独立した第2のレーザ放電チャンバ608を駆動するように構成された第1のRCS出力電圧680から独立した第2のRCS出力電圧684を発生させるように構成可能である。いくつかの態様において、第2のRCS出力電圧684は、第2の整流子638、第2の整流子出力電圧686、及び第2のコンプレッションヘッド614を介して、第2のレーザ放電チャンバ608を駆動するように構成可能である。例えば、第2の独立回路624は、第2のRCS出力電圧684を第2の整流子638に伝送するように構成可能である。その後、第2の整流子638は、第2の独立回路624から第2のRCS出力電圧684を受け取り、第2のRCS出力電圧684に基づいて第2の整流子出力電圧686を発生させ、第2のレーザ放電チャンバ608を駆動する際に使用するために、第2の整流子出力電圧686を第2のコンプレッションヘッド614に伝送するように構成可能である。
[0128] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、(例えば、第1のHVPS646内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース660、(例えば、第2のHVPS647内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース661、(例えば、第2の整流子638内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース662、(例えば、第2のRCS621内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース668、(例えば、第1のRCS620内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース664、及び、(例えば、第1の整流子634内に配設、結合、又は関連付けられた)通信インターフェース666などの、複数の通信インターフェースを含むことができる。いくつかの態様において、第1のRCS620は、第1の独立回路622に電気的に結合されるように構成された通信インターフェース664を含むことができる。いくつかの態様において、第2のRCS621は、第2の独立回路624に電気的に結合されるように構成された通信インターフェース668を含むことができる。いくつかの態様において、複数の通信インターフェース(例えば、通信インターフェース660、通信インターフェース661、通信インターフェース662、通信インターフェース664、通信インターフェース666、及び通信インターフェース668)は、複数のデジタル通信インターフェース、複数のCANノード、複数のイーサネットノード、複数のシリアル又はパラレル通信ケーブルノード、複数のGPIBノード、又は、複数の任意の他の適切な通信インターフェースであり得るか、又はこれらを含み得る。
[0129] いくつかの態様において、電圧コントローラ640は、第1のRCS620及び第2のRCS621に、それぞれ通信インターフェース664及び通信インターフェース668を介して、電気的に結合可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ640は、(例えば、第1のRCS出力電圧680の電圧を制御することによって)第1のパルスパワートレインの電圧を、及び、(例えば、第2のRCS出力電圧684の電圧を制御することによって)第2のパルスパワートレインの電圧を、独立に制御するように構成可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ640は、第1のRCS出力電圧680の電圧を独立に制御するために、第1の電圧制御信号を発生させ、通信インターフェース664に伝送するように構成可能である。いくつかの態様において、電圧コントローラ640は、第2のRCS出力電圧684の電圧を独立に制御するために、第2の電圧制御信号を発生させ、通信インターフェース668に伝送するように構成可能である。
[0130] いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642は、それぞれ通信インターフェース666及び通信インターフェース662を介して、第1の整流子634及び第2の整流子638に電気的に結合可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642は、(例えば、第1の整流子出力電圧682のタイミングを制御することによって)第1のパルスパワートレインの放電のタイミングを、及び、(例えば、第2の整流子出力電圧686のタイミングを制御することによって)第2のパルスパワートレインの放電のタイミングを、独立に制御するように構成可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642は、第1の整流子出力電圧682のタイミングを独立に制御するために、第1のタイミング制御信号を発生させ、通信インターフェース666に伝送するように、構成可能である。いくつかの態様において、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642は、第2の整流子出力電圧686のタイミングを独立に制御するために、第2のタイミング制御信号を発生させ、通信インターフェース662に伝送するように、構成可能である。
[0131] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、例示のレーザ源600に、(i)第1のパルスパワートレイン又は第2のパルスパワートレインのいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについての(同時デュアルパルスパワートレイン動作を含むが限定されない)同期したデュアルパルスパワートレイン動作、及び、(iii)第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについての(スタッタデュアルパルスパワートレイン動作を含むが限定されない)インターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作という、3つの異なる動作モードを提供することができる。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、(i)第1のレーザ放電チャンバ604又は第2のレーザ放電チャンバ608のいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ604及び第2のレーザ放電チャンバ608からの(同時デュアル出力を含むが限定されない)同期したデュアル出力、又は、(iii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ604及び第2のレーザ放電チャンバ608からの(スタッタデュアル出力を含むが限定されない)インターリーブしたデュアル出力という、3つの動作モードを可能にするために、各パルスパワートレインの独立制御(例えば、独立電圧制御、独立タイミング制御、独立ガス制御、独立ブロワ制御、独立温度制御、又はそれらの組み合わせ)を提供することができる。
[0132] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第1のパルスパワートレインの電圧及びタイミング、並びに、第2のパルスパワートレインの電圧及びタイミングを、独立に制御するように構成可能である。例えば、例示のレーザ制御システム602は、(例えば、電圧コントローラ640及び通信インターフェース664を使用して)第1のパルスパワートレインの第1の電圧を、及び、(例えば、電圧コントローラ640及び通信インターフェース668を使用して)第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように構成可能である。例示のレーザ制御システム602は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642及び通信インターフェース666を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを、及び、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642及び通信インターフェース662を使用して)第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを、独立に制御するように更に構成可能である。
[0133] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第1のパルスパワートレインの電圧及び第2のパルスパワートレインの電圧を独立に制御するように、並びに、第1のパルスパワートレインのタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインのタイミングを更に制御するように、構成可能である。例えば、例示のレーザ制御システム602は、(例えば、電圧コントローラ640及び通信インターフェース664を使用して)第1のパルスパワートレインの第1の電圧を、及び、(例えば、電圧コントローラ640及び通信インターフェース668を使用して)第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように構成可能である。例示のレーザ制御システム602は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642及び通信インターフェース666を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを制御するように、更に構成可能である。例示のレーザ制御システム602は、(例えば、レーザ放電チャンバタイミングコントローラ642及び通信インターフェース662を使用して)第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、更に構成可能である。1つの例示的な例において、例示のレーザ制御システム602は、第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに関した遅延(例えば、離散的持続時間)に基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、構成可能である。いくつかの態様において、遅延は、第1のレーザ放電チャンバ604と第2のレーザ放電チャンバ608との間の光伝搬時間に(例えば、等価、倍数、分数に)基づくものとすることができる。いくつかの態様において、遅延は制御可能なパラメータであり得る。いくつかの態様において、遅延は、第2のレーザ放電チャンバ608によって生成される光の望ましい帯域幅に基づくものとすることができる。いくつかの態様において、遅延は、約1.0フェムト秒、1.0ピコ秒、1.0ナノ秒、0.1ミリ秒、1.0ミリ秒、1秒、又は10秒よりも大きいことが可能である。
[0134] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第1の動作モードを用いて、第1のパルスパワートレインと同時であるように第2のパルスパワートレインをトリガするように構成可能である。第1の動作モードは、例えば、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについて同期したデュアルパルスパワートレイン動作、又は任意の他の適切な動作、あるいは動作の組み合わせを提供するように構成可能である。いくつかの態様において、例示のレーザ制御システム602は、第2の動作モードを用いて、第2のパルスパワートレインに関して遅延するように第1のパルスパワートレインをトリガするように構成可能である。第2の動作モードは、例えば、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについてインターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作、又は任意の他の適切な動作、あるいは動作の組み合わせを提供するように構成可能である。
[0135] 装置を製造するための例示のプロセス
[0136] 図7は、本開示のいくつかの態様又はその一部に従った、装置を製造するための例示の方法700を示すフローチャートである。いくつかの態様において、装置は、レーザ源、レーザ制御システム、又は、独立した電圧及びタイミング制御、及び場合によっては電力消費の削減を伴うデュアルパルスパワーシステムであり得るか、あるいはこれらを含み得る。例示の方法700を参照しながら説明する動作は、上記図1から図6及び下記図8を参照しながら説明するような、本明細書で説明するシステム、装置、方法、コンピュータプログラム製品、構成要素、技法、又はそれらの組み合わせのうちのいずれかによって、又はそれらに従って、実行可能である。
[0137] 動作702において、方法は、第1の共振充電供給(RCS)出力電圧(例えば、第1のRCS出力電圧480、580、又は680)を発生させるように構成された、第1の独立回路(例えば、第1の独立回路422、522、又は622)を含む、第1のパルスパワートレインを提供することを含むことができる。いくつかの態様において、第1のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバ(例えば、第1のレーザ放電チャンバ404、504、又は604)を駆動するように構成可能である。いくつかの態様において、第1のパルスパワートレインを提供することは、上記図1から図6及び下記図8を参照しながら説明する任意の態様又は態様の組み合わせに従って、第1のパルスパワートレインを提供することを含むことができる。
[0138] 動作704において、方法は、第1のRCS出力電圧から独立した第2のRCS出力電圧(例えば、第2のRCS出力電圧484、584、又は684)を発生させるように構成された、第2の独立回路(例えば、第2の独立回路424、524、又は624)を含む、第2のパルスパワートレインを提供することを含むことができる。いくつかの態様において、第2のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバから独立した第2のレーザ放電チャンバ(例えば、第2のレーザ放電チャンバ408、508、又は608)を駆動するように構成可能である。いくつかの態様において、第2のパルスパワートレインを提供することは、上記図1から図6及び下記図8を参照しながら説明する任意の態様又は態様の組み合わせに従って、第2のパルスパワートレインを提供することを含むことができる。
[0139] 動作706において、方法は、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインを含む、レーザ制御システム(例えば、例示のレーザ制御システム402、例示のレーザ制御システム502、又は例示のレーザ制御システム602を含むが限定されない、デュアルパルスパワーシステム又は独立電圧パルスパワーシステム)を形成することを、含むことができる。いくつかの態様において、レーザ制御システムは、下記のいずれかと共に、デュアル独立充電及び電圧調節回路を有することが可能である。
[0140] (a)単一RCS、単一リザーバキャパシタ、及び単一HVPS(例えば、図4に示された例示のレーザ制御システム402)、
[0141] (b)デュアルRCS、デュアルリザーバキャパシタ、及び単一HVPS(例えば、図5に示された例示のレーザ制御システム502)、又は、
[0142] (c)デュアルRCS、デュアルリザーバキャパシタ、及びデュアルHVPS(例えば、図6に示された例示のレーザ制御システム602)。
[0143] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システムは、(i)第1のレーザ放電チャンバはMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバはPAレーザ放電チャンバであり得る、MOPA構成、(ii)第1のレーザ放電チャンバはMOレーザ放電チャンバであり得、第2のレーザ放電チャンバはPRAレーザ放電チャンバであり得る、MOPRA構成、又は、(iii)第1のレーザ放電チャンバは、第1のRCS出力電圧に基づいて第1の光子セットを発生させるように構成された、第1のレーザデバイスを含むことが可能であり、第2のレーザ放電チャンバは、第2のRCS出力電圧に基づいて第2の光子セットを発生させるように構成された、第2のレーザデバイスを含むことが可能である、「2つの独立レーザ」構成の、3つの構成を提供することができる。
[0144] いくつかの態様において、例示のレーザ制御システムは、(i)第1のレーザ放電チャンバ又は第2のレーザ放電チャンバのいずれかの単一のパルスパワートレイン動作、(ii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ及び第2のレーザ放電チャンバからの同期したデュアル出力、又は(iii)独立電圧動作を伴う第1のレーザ放電チャンバ及び第2のレーザ放電チャンバからのインターリーブしたデュアル出力という、3つの動作モードを可能にするために、各パルスパワートレインの独立制御(例えば、独立電圧制御、独立タイミング制御、独立ガス制御、独立ブロワ制御、独立温度制御、又はそれらの組み合わせ)を提供することができる。
[0145] いくつかの態様において、レーザ制御システムを形成することは、上記図1から図6及び下記図8を参照しながら説明する任意の態様又は態様の組み合わせに従って、レーザ制御システムを形成することを含むことができる。
[0146] 例示のコンピューティングシステム
[0147] 本開示の態様は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装可能である。本開示の態様は、1つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行可能な、機械可読媒体上に記憶された命令としても実装可能である。機械可読媒体は、機械(例えば、コンピューティングデバイス)によって読み取り可能な形で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形の伝搬信号、及びその他を、含むことができる。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び/又は命令は、特定のアクションを実行するものとして、本明細書で説明され得る。しかしながら、こうした説明は単なる便宜的なものであり、こうしたアクションは実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスが、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び/又は命令を実行する結果として生じることを理解されたい。
[0148] 様々な態様は、例えば、図8に示される例示のコンピューティングシステム800などの、1つ以上のコンピューティングシステムを使用して実装可能である。例示のコンピューティングシステム800は、図4を参照しながら説明する例示のレーザ制御システム402、図5を参照しながら説明する例示のレーザ制御システム502、図6を参照しながら説明する例示のレーザ制御システム602、任意の他の適切なシステム、サブシステム、又はコンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの、本明細書で説明する機能を実行することが可能な、専用コンピュータとすることができる。例示のコンピューティングシステム800は、プロセッサ804などの1つ以上のプロセッサ(中央処理ユニット又はCPUとも呼ばれる)を含むことができる。プロセッサ804は、通信インフラストラクチャ806(例えば、バス)に接続される。例示のコンピューティングシステム800は、ユーザ入力/出力インターフェース802を介して通信インフラストラクチャ806と通信する、モニタ、キーボード、ポインティングディバイスなどの、ユーザ入力/出力デバイス803も含むことができる。例示のコンピューティングシステム800は、ランダムアクセスメモリ(RAM)などの、メインメモリ808(例えば、1つ以上の1次記憶デバイス)を含むこともできる。メインメモリ808は、1つ以上のレベルのキャッシュを含むことができる。メインメモリ808は、制御論理(例えば、コンピュータソフトウェア)及び/又はデータを内部に記憶している。
[0149] 例示のコンピューティングシステム800は、2次メモリ810(例えば、1つ以上の2次記憶デバイス)も含むことができる。2次メモリ810は、例えば、ハードディスクドライブ812及び/又は取り外し可能記憶ドライブ814を含むことができる。取り外し可能記憶ドライブ814は、フロッピーディスクドライブ、磁気テープドライブ、コンパクトディスクドライブ、光記憶デバイス、テープバックアップデバイス、及び/又は任意の他の記憶デバイス/ドライブとすることができる。
[0150] 取り外し可能記憶ドライブ814は、取り外し可能記憶ユニット818と対話可能である。取り外し可能記憶ユニット818は、コンピュータソフトウェア(制御論理)及び/又はデータを記憶したコンピュータ使用可能又は可読記憶デバイスを含む。取り外し可能記憶ユニット818は、フロッピーディスク、磁気テープ、コンパクトディスク、DVD、光記憶ディスク、及び/又は任意の他のコンピュータデータ記憶デバイスとすることができる。取り外し可能記憶ドライブ814は、取り外し可能記憶ユニット818から読み取り、及び/又は取り外し可能記憶ユニット818へ書き込む。
[0151] いくつかの態様によれば、2次メモリ810は、コンピュータプログラム及び/又は他の命令及び/又はデータに例示のコンピューティングシステム800がアクセスできるようにするための、他の手段、助け、又は他の手法を含むことができる。こうした手段、助け、又は他の手法は、例えば、取り外し可能記憶ユニット822及びインターフェース820を含むことができる。取り外し可能記憶ユニット822及びインターフェース820の例は、プログラムカートリッジ及び(ビデオゲームデバイスに見られるような)カートリッジインターフェース、取り外し可能メモリチップ(EPROM又はPROMなど)及び関連ソケット、メモリスティック及びUSBポート、メモリカード及び関連するメモリカードスロット、及び/又は、任意の他の取り外し可能記憶ユニット及び関連インターフェースを、含むことができる。
[0152] 例示のコンピューティングシステム800は、通信インターフェース824(例えば、1つ以上のネットワークインターフェース)を更に含むことができる。通信インターフェース824は、例示のコンピューティングシステム800が、リモートデバイス、リモートネットワーク、リモートエンティティなどの任意の組み合わせ(個別に及びまとめて、リモートデバイス828と呼ばれる)と通信及び対話できるようにする。例えば、通信インターフェース824は、例示のコンピューティングシステム800が、ワイヤード及び/又はワイヤレスであり得、LAN、WAN、インターネットなどの任意の組み合わせを含み得る、通信経路826を介して、リモートデバイス828と通信できるようにする。制御論理、データ、又はその両方は、通信経路826を介して例示のコンピューティングシステム800に、及び例示のコンピューティングシステム800から、伝送可能である。
[0153] 本開示の前述の態様における動作は、多種多様な構成及びアーキテクチャにおいて実装可能である。したがって、前述の態様における動作のいくつか又はすべては、ハードウェア、ソフトウェア、又はその両方において実行可能である。いくつかの態様において、有形の非一時的装置又は製品は、本明細書ではコンピュータプログラム製品又はプログラム記憶デバイスとも呼ばれる、制御論理(ソフトウェア)を記憶した、有形の非一時的コンピュータ使用可能又は可読媒体を含む。これは、例示のコンピューティングシステム800、メインメモリ808、2次メモリ810、及び取り外し可能記憶ユニット818及び822、並びに、前述の任意の組み合わせを具体化する有形の製品を含むが、限定されない。こうした制御論理は、1つ以上のデータ処理デバイス(例示のコンピューティングシステム800など)によって実行されるとき、こうしたデータ処理デバイスを本明細書で説明したように動作させる。
[0154] 当業者であれば、本開示に含まれる教示に基づいて、図8に示された以外のデータ処理デバイス、コンピュータシステム、及び/又はコンピュータアーキテクチャを使用して、本開示の態様をどのように作成及び使用するかが明らかとなろう。特に、本開示の態様は、本明細書で説明する以外のソフトウェア、ハードウェア、及び/又はオペレーティングシステムの実装を用いて動作可能である。
[0155] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0156] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。
[0157] 本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の態様では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである場合がある。
[0158] 本明細書に開示される例は、この開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。
[0159] 本文では、ICの製造における装置及び/又はシステムの使用について特に言及しているが、そのような装置及び/又はシステムは他の多くの可能な用途を有することを明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、LCDパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義(置き換えられる)と見なしてよいことが当業者には認識される。
[0160] 本開示の特定の態様が上に記載されているが、態様は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この説明は、本開示の実施形態を限定することを意図するものではない。
[0161] 特許請求の範囲を解釈するには、「背景技術」、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明の実施形態及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
[0162] 本開示のいくつかの態様を、指定の機能及びそれらの関係の実装を示す機能ビルディングブロックの助けを借りて、上記で説明してきた。これらの機能ビルディングブロックの境界は、本明細書では説明の利便性のために任意に定義されている。指定の機能及びそれらの関係が適切に実行される限り、代替の境界が定義可能である。
[0163] 本開示の特定の態様の前述の説明は、他者が当技術分野の範囲内の知識を適用することによって、不必要な実験なしに、本開示の一般概念から逸脱することなく、こうした特定の態様を様々に応用するために容易に改変及び/又は適合可能な、本態様の一般的性質を完全に明らかにするものである。したがって、こうした適合及び改変は、本明細書に提示した教示及びガイダンスに基づいて、開示された態様の等価物の意味及び範囲内であることが意図される。
[0164] 本発明の他の態様は、以下の番号が付けられた条項に記載されている。
1.第1の共振充電供給(RCS)出力電圧を発生させるように構成された第1の独立回路を備える、第1のパルスパワートレインであって、第1のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバを駆動するように構成される、第1のパルスパワートレインと、
第1のRCS出力電圧から独立した第2のRCS出力電圧を発生させるように構成された第2の独立回路を備える、第2のパルスパワートレインであって、第2のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバから独立した第2のレーザ放電チャンバを駆動するように構成される、第2のパルスパワートレインと、
を備える、レーザ制御システム。
2.レーザ制御システムは、
第1のパルスパワートレインの第1の電圧及び第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように、及び、
第1のパルスパワートレインの第1のタイミング及び第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを、独立に制御するように、
構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
3.レーザ制御システムは、
第1のパルスパワートレインの第1の電圧及び第2のパルスパワートレインの第2の電圧を、独立に制御するように、
第1のパルスパワートレインの第1のタイミングを制御するように、及び、
第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、
構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
4.レーザ制御システムは、
第1のパルスパワートレインの第1のタイミングに関した遅延に基づいて、第2のパルスパワートレインの第2のタイミングを制御するように、
構成される、条項3に記載のレーザ制御システム。
5.遅延は、第1のレーザ放電チャンバと第2のレーザ放電チャンバとの間の光伝搬時間に基づく、条項4に記載のレーザ制御システム。
6.遅延は制御可能なパラメータである、条項4に記載のレーザ制御システム。
7.遅延は、第2の放電光チャンバによって生成される光の望ましい帯域幅に基づく、条項4に記載のレーザ制御システム。
8.レーザ制御システムは、
第1の動作モードを用いて、第1のパルスパワートレインと同時であるように第2のパルスパワートレインをトリガするように、及び、
第2の動作モードを用いて、第2のパルスパワートレインに関して遅延するように第1のパルスパワートレインをトリガするように、
構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
9.第1の独立回路、第2の独立回路、及び、第1の独立回路及び第2の独立回路に電気的に結合されるように構成された共通リザーバキャパシタを備える、共通RCSと、
共通リザーバキャパシタに高電圧信号を伝送するように構成された、高電圧電力源(HVPS)と、
を更に備える、条項1に記載のレーザ制御システム。
10.第1の独立回路、及び、第1の独立回路に電気的に結合されるように構成された第1のリザーバキャパシタを備える、第1のRCSと、
第2の独立回路、及び、第2の独立回路に電気的に結合されるように構成された第2のリザーバキャパシタを備える、第2のRCSと、
高電圧電力源(HVPS)であって、
第1の高電圧信号を第1のリザーバキャパシタに伝送するように、及び、
第2の高電圧信号を第2のリザーバキャパシタに伝送するように、
構成された、高電圧電力源(HVPS)と、
を更に備える、条項1に記載のレーザ制御システム。
11.第1の独立回路、及び、第1の独立回路に電気的に結合されるように構成された第1のリザーバキャパシタを備える、第1のRCSと、
第2の独立回路、及び、第2の独立回路に電気的に結合されるように構成された第2のリザーバキャパシタを備える、第2のRCSと、
第1の高電圧信号を第1のリザーバキャパシタに伝送するように構成された、第1の高電圧電力源(HVPS)と、
第2の高電圧信号を第2のリザーバキャパシタに伝送するように構成された、第2のHVPSと、
を更に備える、条項1に記載のレーザ制御システム。
12.第1の独立回路に電気的に結合されるように構成された、第1の通信インターフェースと、
第2の独立回路に電気的に結合されるように構成された、第2の通信インターフェースと、
を更に備える、条項1に記載のレーザ制御システム。
13.第2のレーザ放電チャンバは、第1のレーザ放電チャンバから光を受け取って増幅するように構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
14.第1のレーザ放電チャンバは主発振器(MO)レーザ放電チャンバであり、第2のレーザ放電チャンバは、パワー増幅器(PA)放電チャンバ又はパワーリング増幅器(PRA)放電チャンバである、条項1に記載のレーザ制御システム。
15.第1のレーザ放電チャンバは、第1のRCS出力電圧に基づいて第1の光子セットを発生させるように構成された第1のレーザデバイスを備え、第2のレーザ放電チャンバは、第2のRCS出力電圧に基づいて第2の光子セットを発生させるように構成された第2のレーザデバイスを備える、条項1に記載のレーザ制御システム。
16.レーザ制御システムは、第1のパルスパワートレイン又は第2のパルスパワートレインの単一パルスパワートレイン動作を提供するように構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
17.レーザ制御システムは、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについて同期したデュアルパルスパワートレイン動作を提供するように構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
18.レーザ制御システムは、第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインについてインターリーブしたデュアルパルスパワートレイン動作を提供するように構成される、条項1に記載のレーザ制御システム。
19.第1の共振充電供給(RCS)出力電圧を発生させるように構成された第1の独立回路を備える、第1のパルスパワートレインであって、第1のRCS出力電圧は第1のレーザ放電チャンバを駆動するように構成される、第1のパルスパワートレインと、
第1のRCS出力電圧から独立した第2のRCS出力電圧を発生させるように構成された第2の独立回路を備える、第2のパルスパワートレインであって、第2のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバから独立した第2のレーザ放電チャンバを駆動するように構成される、第2のパルスパワートレインと、
を備える、装置。
20.装置を製造するための方法であって、
第1の共振充電供給(RCS)出力電圧を発生させるように構成された第1の独立回路を備える第1のパルスパワートレインを提供することであって、第1のRCS出力電圧は第1のレーザ放電チャンバを駆動するように構成される、提供すること、
第1のRCS出力電圧から独立した第2のRCS出力電圧を発生させるように構成された第2の独立回路を備える第2のパルスパワートレインを提供することであって、第2のRCS出力電圧は、第1のレーザ放電チャンバから独立した第2のレーザ放電チャンバを駆動するように構成される、提供すること、及び、
第1のパルスパワートレイン及び第2のパルスパワートレインを備えるレーザ制御システムを形成すること、
を含む、方法。
[0165] 本開示の幅及び範囲は、上記の例示的な態様又は実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。