KR102098558B1 - 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템 - Google Patents

리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102098558B1
KR102098558B1 KR1020120117948A KR20120117948A KR102098558B1 KR 102098558 B1 KR102098558 B1 KR 102098558B1 KR 1020120117948 A KR1020120117948 A KR 1020120117948A KR 20120117948 A KR20120117948 A KR 20120117948A KR 102098558 B1 KR102098558 B1 KR 102098558B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
protective gas
nozzle
lithographic apparatus
stage
Prior art date
Application number
KR1020120117948A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140051652A (ko
Inventor
박진홍
여정호
박주온
박창민
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020120117948A priority Critical patent/KR102098558B1/ko
Priority to US13/942,854 priority patent/US9632437B2/en
Publication of KR20140051652A publication Critical patent/KR20140051652A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102098558B1 publication Critical patent/KR102098558B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템이 제공된다. 상기 리소그래피 장치는 레티클이 고정되는 레티클 스테이지, 상기 레티클 스테이지의 적어도 일측면에 형성되어, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하는 적어도 하나의 노즐, 및 상기 노즐에 상기 보호 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템 {Lithography apparatus and method for lithography and stage system}
본 발명은 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템에 관한 것이다.
반도체 장치의 패턴 크기가 점점 작아지면서, 설계된 회로의 레이아웃을 웨이퍼 상에 패턴으로 전사하는 과정에, 극자외선광을 이용하는 리소그래피 기술이 이용되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여, 레티클 표면을 파티클로부터 보호하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여, 레티클 표면을 파티클로부터 보호하는 리소그래피 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여, 레티클 표면을 파티클로부터 보호하는 스테이지 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 리소그래피 장치의 일 태양은 레티클(reticle)이 고정되는 레티클 스테이지(stage), 상기 레티클 스테이지의 적어도 일측면에 형성되어, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하는 적어도 하나의 노즐, 및 상기 노즐에 상기 보호 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.
상기 보호 가스는, 상기 레티클 표면과 평행하게 흐르는 것을 포함할 수 있다.
상기 노즐은 회전하면서 상기 보호 가스를 흐르게 하여, 상기 에어 커튼이 부채꼴 형태로 형성되는 것을 포함할 수 있다.
상기 노즐이 복수 개인 경우, 상기 보호 가스가 흐르는 방향이 서로 같거나 서로 다른 것을 포함할 수 있다.
상기 레티클 스테이지의 백필(backfill) 가스와 상기 보호 가스는 동일한 것을 포함할 수 있다.
상기 보호 가스는 H2인 것을 포함할 수 있다.
상기 레티클은, 정전력(electrostatic force)에 의해 상기 레티클 스테이지에 고정될 수 있다.
상기 리소그래피 장치는 노광광을 제공하는 소스(source)를 더 포함하고, 상기 노광광을 반사하는 적어도 하나의 조명계 반사 미러(reflection mirror)를 더 포함하고, 반사된 상기 노광광을 웨이퍼(wafer)로 투사하는 적어도 하나의 투사 광학계 반사 미러(projection optics)를 더 포함하고, 상기 웨이퍼가 고정되는 웨이퍼 스테이지를 더 포함할 수 있다.
상기 노광광은 극자외선(EUV)광인 것을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 리소그래피 방법의 일 태양은 레티클 스테이지에 레티클을 고정하고, 상기 레티클 스테이지의 적어도 일측면에 형성된 적어도 하나의 노즐을 통하여, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하고, 상기 레티클에 노광광을 조사하는 것을 포함한다.
상기 레티클 스테이지의 백필 가스와 상기 보호 가스는 동일한 것을 포함할 수 있다.
상기 보호 가스는 H2인 것을 포함할 수 있다.
상기 노광광은 극자외선광인 것을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 스테이지 시스템의 일 태양은 레티클이 고정되는 레티클 스테이지, 상기 레티클 스테이지의 적어도 일측면에 형성되어, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하는 적어도 하나의 노즐을 포함한다.
상기 보호 가스는, 상기 레티클 표면과 평행하게 흐르는 것을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 정면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 ""직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below 또는 beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하에서 언급되는 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템은, 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여, 레티클 표면을 파티클로부터 보호하는 것에 관한 것이다. 레티클 스테이지 주변의 동적 모듈(예를 들어, Unicom, ReMa 등)에서 다수의 파티클이 발생할 수 있다. 종래에는, 레티클 표면에 펠리클을 형성하여, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지하였다. 즉, 펠리클을 이용하여, 전사 패턴의 불량을 감소시켰다. 다만, 최근에는 극자외선(EUV)광을 이용한 리소그래피 기술을 사용하기 때문에 펠리클을 이용할 수 없다. 왜냐하면, 펠리클은 극자외선광을 흡수하며, 극자외선광의 투과율을 저하시키기 때문이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시한 것이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 정면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다.
우선, 도 1을 참조하면, 리소그래피 장치는, 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110), 제2 서브 챔버(120), 레티클 스테이지(200), 가스 공급부(300), 소스(400), 조명계 반사 미러(500, 501), 투사 광학계 반사 미러(502, 503, 504, 600), 웨이퍼 스테이지(700) 등을 포함할 수 있다.
메인 챔버(100)는, 제1 서브 챔버(110), 제2 서브 챔버(120), 레티클 스테이지(200), 조명계 반사 미러(500, 501), 투사 광학계 반사 미러(502, 503, 504, 600), 웨이퍼 스테이지(700) 등을 포함하고 있다. 메인 챔버(100) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다.
제1 서브 챔버(110)는 메인 챔버(100) 내에 위치한다. 제1 서브 챔버(110) 내에 적어도 하나의 조명계 반사 미러(500, 501)가 존재할 수 있다. 노광광이 조명계 반사 미러(500, 501)에서 반사되어, 레티클 스테이지(200)에 도달할 수 있다. 노광광의 반사 효율을 높이기 위하여, 제1 서브 챔버(110) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다.
제2 서브 챔버(120)는 메인 챔버(100) 내에 위치한다. 제2 서브 챔버(120) 내에 적어도 하나의 투사 광학계 반사 미러(502, 503, 504, 600)가 존재할 수 있다. 레티클 표면에서 반사된 노광광은, 투사 광학계 반사 미러(502, 503, 504, 600)에서 반사되어, 웨이퍼에 조사될 수 있다. 노광광의 반사 효율을 높이기 위하여, 제2 서브 챔버(120) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다.
레티클 스테이지(200)는 메인 챔버(100) 내의 상부에 위치한다. 레티클은 레티클 스테이지(200) 상에 고정된다. 레티클이 고정되는 클램프에는, 정전력(electrostatic force)이 작용할 수 있다. 레티클 스테이지(200)는 노즐(210)을 포함할 수 있다. 레티클 스테이지(200)는 스캐닝(scanning) 동작을 할 수 있다.
가스 공급부(300)는 메인 챔버(100) 외부에 위치한다. 가스 공급부(300)는 레티클 스테이지(200)의 클램프(clamp) 및 노즐(210)에 가스를 공급한다. 레티클 스테이지(200)의 클램프에 백필(backfill) 가스를 공급하며, 노즐(210)에 에어 커튼 형성을 위한 보호 가스를 공급한다. 이때, 백필 가스와 보호 가스는 동일할 수 있다. 예를 들어, 백필 가스로 사용되는 H2를 이용하여, 보호 가스로 이용할 수 있다. 동일한 가스를 사용함으로써, 리소그래피 장치의 구조를 단순화할 수 있다.
소스(400)는 메인 챔버(100) 외부에 위치한다. 소스(400)는 제1 서브 챔버(110) 내의 반사 미러(500)에 노광광을 조사할 수 있다. 소스(400)는, 예를 들어, 방전 생성 플라즈마(DPP) EUV 광원, 레이저 생성 플라즈마(LPP) EUV 광원, 하이브리드 EUV 광원, 싱크로트론(synchrotron) EUV 광원 등일 수 있다.
반사 미러(500, 501, 502, 503, 504, 600)는 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 내에 위치한다. 반사 미러(500, 501, 502, 503, 504, 600)는, 소스(400)로부터 조사된 노광광이 미러의 반사면상에 경사 입사각으로 입사하는 경사 입사 미러, 반사면이 다층막인 다중 다층 미러 등일 수 있다. 웨이퍼 상에 미세한 패턴을 전사하기 위해, 투사 광학계 반사 미러(502, 503, 504, 600)는 고해상도를 가질 수 있다. 반사 미러(500, 501, 502, 503, 504, 600)의 개수는, 예를 들어, 6개일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
웨이퍼 스테이지(700)는 메인 챔버(100) 내의 하부에 위치한다. 웨이퍼 스테이지(700) 상에 웨이퍼가 고정된다. 웨이퍼 스테이지(700)는 미세 정렬을 위한 이동이 가능할 수 있다. 또한, 웨이퍼 스테이지(700)는 리소그래피 공정을 위해 특정한 방향으로 이동이 가능할 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 레티클 스테이지(200)의 일측면에 노즐(210)이 형성된다.
노즐(210)은 레티클 스테이지(200)의 일측면에 형성되어, 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여, 에어 커튼을 형성한다. 예를 들어, 노즐(210)은 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성되어, 보호 가스를 제1 방향(1000)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 노즐(210)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 노즐(210)은 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
보호 가스를 이용하여, 레티클 표면 외의 지역(예를 들어, 레티클 스테이지(200)의 가장자리 부분)도 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 파티클이 국부적으로 몰리는 지역의 형성을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(211 내지 214)이 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 다수의 노즐(211 내지 214)이 가스를 제1 방향(1000)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(211 내지 214)이 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성되고, 다수의 노즐(221 내지 224)이 제1 면과 반대편에 위치하는 제2 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 제1 면에 형성된 다수의 노즐(211 내지 214)은 보호 가스를 제1 방향(1000)으로 지속적으로 공급할 수 있고, 제2 면에 형성된 다수의 노즐(221 내지 224)은 보호 가스를 제1 방향(1000)과 반대 방향인 제2 방향(1100)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 제1 방향(1000)으로 흐르는 보호 가스의 흐름과 제2 방향(1100)으로 흐르는 보호 가스의 흐름은 서로 비껴가는 형태일 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214, 221 내지 224)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214, 221 내지 224)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(211 내지 214)이 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성되고, 다수의 노즐(221 내지 224)이 제2 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 제1 면에 형성된 다수의 노즐(211 내지 214)은 보호 가스를 제1 방향(1000)으로 지속적으로 공급할 수 있고, 제2 면에 형성된 다수의 노즐(221 내지 224)은 보호 가스를 제2 방향(1100)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 제1 방향(1000)으로 흐르는 보호 가스의 흐름과 제2 방향(1100)으로 흐르는 보호 가스의 흐름은 서로 맞대는 형태일 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214, 221 내지 224)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214, 221 내지 224)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(231 내지 234)이 레티클 스테이지(200)의 제3 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 다수의 노즐(231 내지 234)은 보호 가스를 제3 방향(1200)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 다수의 노즐(231 내지 234)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(231 내지 234)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(231 내지 234)이 레티클 스테이지(200)의 제3 면에 형성되고, 다수의 노즐(241 내지 244)이 제3 면과 반대편에 위치하는 제4 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 제3 면에 형성된 다수의 노즐(231 내지 234)은 보호 가스를 제3 방향(1200)으로 지속적으로 공급할 수 있고, 제4 면에 형성된 다수의 노즐(241 내지 244)은 보호 가스를 제3 방향(1200)과 반대 방향인 제4 방향(1300)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 제3 방향(1200)으로 흐르는 보호 가스의 흐름과 제4 방향(1300)으로 흐르는 보호 가스의 흐름은 서로 비껴가는 형태일 수 있다. 다수의 노즐(231 내지 234, 241 내지 244)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(231 내지 234, 241 내지 244)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(231 내지 234)이 레티클 스테이지(200)의 제3 면에 형성되고, 다수의 노즐(241 내지 244)이 제4 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 제3 면에 형성된 다수의 노즐(231 내지 234)은 보호 가스를 제3 방향(1200)으로 지속적으로 공급할 수 있고, 제4 면에 형성된 다수의 노즐(241 내지 244)은 보호 가스를 제4 방향(1300)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 제3 방향(1200)으로 흐르는 보호 가스의 흐름과 제4 방향(1300)으로 흐르는 보호 가스의 흐름은 서로 맞대는 형태일 수 있다. 다수의 노즐(231 내지 234, 241 내지 244)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(231 내지 234, 241 내지 244)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 다수의 노즐(211 내지 214)이 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성되고, 다수의 노즐(221 내지 224)이 제2 면에 형성되고, 다수의 노즐(231 내지 234)이 제3 면에 형성되고, 다수의 노즐(241 내지 244)이 제4 면에 형성될 수 있다. 다만, 다수의 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 제1 면에 형성된 다수의 노즐(211 내지 214)은 보호 가스를 제1 방향(1000)으로 지속적으로 공급할 수 있고, 제2 면에 형성된 다수의 노즐(221 내지 224)은 보호 가스를 제2 방향(1100)으로 지속적으로 공급할 수 있고. 제3 면에 형성된 다수의 노즐(231 내지 234)은 보호 가스를 제3 방향(1200)으로 지속적으로 공급할 수 있고, 제4 면에 형성된 다수의 노즐(241 내지 244)은 보호 가스를 제4 방향(1300)으로 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 제1 방향(1000) 내지 제4 방향(1300)으로 흐르는 보호 가스의 흐름은 그물 형태일 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214, 221 내지 224, 231 내지 234, 241 내지 244)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 다수의 노즐(211 내지 214, 221 내지 224, 231 내지 234, 241 내지 244)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 노즐(251)은 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성되어, 노즐(251)이 회전하면서 보호 가스를 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 보호 가스의 흐름은 부채꼴 형태일 수 있다. 다만, 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 노즐(251)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 노즐(251)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 노즐(251)은 레티클 스테이지(200)의 모서리 부분에 형성되어, 노즐(251)이 회전하면서 보호 가스를 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 보호 가스의 흐름은 부채꼴 형태일 수 있다. 다만, 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 노즐(251)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 노즐(251)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부의 저면도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치와 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치에서, 노즐(251)이 레티클 스테이지(200)의 제1 면에 형성되고, 노즐(252)이 제2 면에 형성될 수 있다. 노즐(251, 252)은 회전하면서 보호 가스를 지속적으로 공급할 수 있다. 이때, 보호 가스의 흐름은 부채꼴 형태일 수 있다. 다만, 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 노즐(251, 252)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 노즐(251, 252)은, 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이하에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 방법을 설명한다.
도 17을 참조하면, 레티클은 레티클 핸들러(800)에 의해, 로봇 챔버(900)를 거쳐 레티클 스테이지(200)로 이동된다. 레티클은 레티클 스테이지(200)에 고정된다. 레티클 핸들러 챔버(810) 및 로봇 챔버(900)는 진공 상태로 유지될 수 있다.
레티클이 레티클 스테이지(200)에 고정된 후, 레티클 스테이지(200)의 일측면(예를 들어, 레티클 스테이지(200)의 제1 면)에 형성된 노즐(210)을 통하여, 레티클 표면으로 보호 가스를 지속적으로 공급한다. 이때, 레티클 스테이지(200)의 백필 가스와 보호 가스는 동일할 수 있다. 예를 들어, 보호 가스는 H2일 수 있다.
소스(400)는 제1 서브 챔버(110) 내의 반사 미러(500)에 노광광을 조사한다. 소스(400)는, 예를 들어, 방전 생성 플라즈마(DPP) EUV 광원, 레이저 생성 플라즈마(LPP) EUV 광원, 하이브리드 EUV 광원, 싱크로트론(synchrotron) EUV 광원 등일 수 있다. 노광광은 제1 서브 챔버(110) 내의 다수의 조명계 반사 미러(500, 501)에서 반사되어, 레티클 표면에 도달한다. 레티클 표면에서 반사된 노광광은, 제2 서브 챔버(120) 내의 다수의 투사 광학계 반사 미러(502, 503, 504, 600)에서 반사되어 웨이퍼에 조사된다.
이하에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 스테이지 시스템을 설명한다.
도 2를 참조하면, 레티클 스테이지(200)의 일측면에 노즐(210)이 형성된다. 다만, 노즐의 개수는 제한되지 않는다. 노즐(210)은 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여, 에어 커튼을 형성한다. 노즐(210)은 보호 가스를 지속적으로 공급할 수 있다. 노즐(210)은, 보호 가스가 레티클 표면과 평행하게 흐르도록 형성될 수 있다. 노즐(210)은 보호 가스가 레티클 표면에 근접하여 흐르도록 형성될 수 있다. 보호 가스가 레티클 표면으로 지속적으로 공급되어, 레티클 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 메인 챔버 110: 제1 서브 챔버
120: 제2 서브 챔버 200: 레티클 스테이지
210: 노즐 300: 가스 공급부
400: 소스 500, 501: 조명계 반사 미러
502, 503, 504, 600: 투사 광학계 반사 미러
700: 웨이퍼 스테이지 800: 레티클 핸들러
810: 레티클 핸들러 챔버 900: 로봇 챔버

Claims (15)

  1. 레티클(reticle)이 고정되는 레티클 스테이지(stage);
    상기 레티클 스테이지의 4개의 측면에 각각 고정되어 상기 레티클 스테이지와 함께 이동하고, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하는 제1 내지 제4 노즐; 및
    상기 제1 내지 제4 노즐에 상기 보호 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 서로 마주보고,
    상기 제3 노즐 및 상기 제4 노즐은 서로 마주보고,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐이 상기 보호 가스를 흐르게 하는 방향은 상기 제3 노즐 및 상기 제4 노즐이 상기 보호 가스를 흐르게 하는 방향과 수직인 리소그래피 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 보호 가스는, 상기 레티클 표면과 평행하게 흐르는 것을 포함하는 리소그래피 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지의 백필(backfill) 가스와 상기 보호 가스는 동일한 것을 포함하는 리소그래피 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 보호 가스는 H2인 것을 포함하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 레티클은, 정전력(electrostatic force)에 의해 상기 레티클 스테이지에 고정되는 리소그래피 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    노광광을 제공하는 소스(source)를 더 포함하고, 상기 노광광을 반사하는 적어도 하나의 조명계 반사 미러(reflection mirror)를 더 포함하고, 반사된 상기 노광광을 웨이퍼(wafer)로 투사하는 적어도 하나의 투사 광학계 반사 미러(projection optics)를 더 포함하고, 상기 웨이퍼가 고정되는 웨이퍼 스테이지를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 노광광은 극자외선(EUV)광인 것을 포함하는 리소그래피 장치.
  10. 레티클 스테이지에 레티클을 고정하고,
    상기 레티클 스테이지의 4개의 측면에 각각 고정되어 상기 레티클 스테이지와 함께 이동하는 제1 내지 제4 노즐을 통하여, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하고,
    상기 레티클에 노광광을 조사하는 것을 포함하고,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 서로 마주보고,
    상기 제3 노즐 및 상기 제4 노즐은 서로 마주보고,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐이 상기 보호 가스를 흐르게 하는 방향은 상기 제3 노즐 및 상기 제4 노즐이 상기 보호 가스를 흐르게 하는 방향과 수직인 리소그래피 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지의 백필 가스와 상기 보호 가스는 동일한 것을 포함하는 리소그래피 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 보호 가스는 H2인 것을 포함하는 리소그래피 방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 노광광은 극자외선광인 것을 포함하는 리소그래피 방법.
  14. 레티클이 고정되는 레티클 스테이지;
    상기 레티클 스테이지의 4개의 측면에 각각 고정되어 상기 레티클 스테이지와 함께 이동하고, 상기 레티클 표면으로 보호 가스를 흐르게 하여 에어 커튼을 형성하는 제1 내지 제4 노즐을 포함하고,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 서로 마주보고,
    상기 제3 노즐 및 상기 제4 노즐은 서로 마주보고,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐이 상기 보호 가스를 흐르게 하는 방향은 상기 제3 노즐 및 상기 제4 노즐이 상기 보호 가스를 흐르게 하는 방향과 수직인 스테이지 시스템.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 보호 가스는, 상기 레티클 표면과 평행하게 흐르는 것을 포함하는 스테이지 시스템.
KR1020120117948A 2012-10-23 2012-10-23 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템 KR102098558B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120117948A KR102098558B1 (ko) 2012-10-23 2012-10-23 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템
US13/942,854 US9632437B2 (en) 2012-10-23 2013-07-16 Lithography apparatus, method for lithography and stage system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120117948A KR102098558B1 (ko) 2012-10-23 2012-10-23 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140051652A KR20140051652A (ko) 2014-05-02
KR102098558B1 true KR102098558B1 (ko) 2020-04-08

Family

ID=50485062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120117948A KR102098558B1 (ko) 2012-10-23 2012-10-23 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9632437B2 (ko)
KR (1) KR102098558B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10678149B2 (en) * 2015-06-24 2020-06-09 Diego Arturo Alvarado Castañeda Method and apparatus for maintaining the surface of a reticle free of particles
WO2017102255A1 (en) * 2015-12-17 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. Patterning device cooling apparatus
US10168626B2 (en) * 2016-06-17 2019-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
US10788764B2 (en) 2016-06-17 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
US11397385B2 (en) 2016-06-17 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and a method of forming a particle shield
KR102612028B1 (ko) * 2016-12-12 2023-12-07 삼성전자주식회사 리소그래피 장치
US10050045B1 (en) 2017-06-16 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. SRAM cell with balanced write port
CN113795912A (zh) * 2019-05-10 2021-12-14 Asml荷兰有限公司 包括静电夹具的设备和方法
CN112305866B (zh) * 2019-07-31 2021-12-03 上海微电子装备（集团）股份有限公司 气浴装置及光刻设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033258A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Nikon Corp 露光装置、マスク装置及びパターン保護装置、並びにデバイス製造方法
JP2005086133A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 露光装置および露光方法
US20070079525A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles and other objects
US20120026474A1 (en) * 2010-08-02 2012-02-02 Asml Holding N.V. Reticle Cooling in a Lithographic Apparatus

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH06302493A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Soltec:Kk プロキシミティ露光方法及びその装置
JP2947018B2 (ja) * 1993-09-27 1999-09-13 凸版印刷株式会社 パターン露光方法及び露光装置
US6198792B1 (en) 1998-11-06 2001-03-06 Euv Llc Wafer chamber having a gas curtain for extreme-UV lithography
US6933513B2 (en) * 1999-11-05 2005-08-23 Asml Netherlands B.V. Gas flushing system for use in lithographic apparatus
JP2001358056A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
TWI232356B (en) 2000-09-04 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR20020051671A (ko) 2000-12-23 2002-06-29 윤종용 에어브러쉬에 의한 포토마스크 세정방법 및 에어브러쉬를이용한 포토마스크 세정장치
KR100389133B1 (ko) * 2001-05-24 2003-06-25 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 노광장치 및 이의 구동방법
KR20040070743A (ko) 2003-02-04 2004-08-11 아남반도체 주식회사 베어 레티클의 파티클 제거기
US20050275835A1 (en) 2004-06-15 2005-12-15 Nikon Corporation Method and apparatus for protecting an EUV reticle from particles
US7202934B2 (en) * 2004-12-20 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100641579B1 (ko) 2004-12-31 2006-10-31 동부일렉트로닉스 주식회사 파티클을 제거할 수 있는 노광장치
KR20060131241A (ko) 2005-06-15 2006-12-20 삼성전자주식회사 자동 파티클 제거 장치 및 이를 구비하는 포토마스크핸들러 시스템
JP2007013054A (ja) 2005-07-04 2007-01-18 Nikon Corp 投影露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007242863A (ja) 2006-03-08 2007-09-20 Sony Corp 露光装置，マスク洗浄装置，マスク洗浄方法，マスク保管方法
US20070285632A1 (en) 2006-06-08 2007-12-13 Nikon Corporation EUVL reticle stage and reticle protection system and method
US8964166B2 (en) * 2007-12-17 2015-02-24 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method of producing device
JP5533227B2 (ja) 2010-05-13 2014-06-25 凸版印刷株式会社 露光装置
KR102141138B1 (ko) * 2012-03-14 2020-08-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033258A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Nikon Corp 露光装置、マスク装置及びパターン保護装置、並びにデバイス製造方法
JP2005086133A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 露光装置および露光方法
US20070079525A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles and other objects
US20120026474A1 (en) * 2010-08-02 2012-02-02 Asml Holding N.V. Reticle Cooling in a Lithographic Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140051652A (ko) 2014-05-02
US9632437B2 (en) 2017-04-25
US20140111782A1 (en) 2014-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102098558B1 (ko) 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템
JP4335868B2 (ja) リソグラフィ装置、照明系及びデブリ捕捉システム
TWI490663B (zh) 微影裝置及器件製造方法
US9958787B2 (en) Lithographic method and apparatus
KR20110083609A (ko) 스펙트럼 퓨리티 필터 및 리소그래피 장치
JP2014527291A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007173792A (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP4621586B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2012529758A (ja) リソグラフィ装置および迷走放射の低減方法
US11657492B2 (en) Reticle backside inspection method
KR102656123B1 (ko) 결함 최적화를 위한 레티클 배치의 제어
TW201635042A (zh) 具有一圖案化裝置環境的微影設備
US20080259298A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11550231B2 (en) Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus
JP4764900B2 (ja) アセンブリ及びリソグラフィ投影装置
JP4376227B2 (ja) リソグラフィ装置用投影装置
JP4570630B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TW202236378A (zh) 夾持器及包括夾持器之微影設備
NL2009591A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant