TW201635042A - 具有一圖案化裝置環境的微影設備 - Google Patents

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Abstract

一種微影設備在一圖案化裝置與一圖案化裝置遮蔽葉片之間噴射氣體，以幫助保護該圖案化裝置免受污染。該氣體可藉由經配置於該圖案化裝置之至少一側上的一或多個氣體供應噴嘴噴射至界定於該圖案化裝置與該圖案化裝置葉片之間的空間中。該一或多個氣體供應噴嘴耦接至一框架，支撐結構相對於該框架移動。每一噴嘴可經建構並配置以在該反射圖案化裝置之至少該圖案化區上方供應氣體。

Description

具有一圖案化裝置環境的微影設備
本發明係關於一種微影設備。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，替代地被稱作光罩或比例光罩之圖案化裝置可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網格。已知微影設備包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
圖案印刷限值之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則而給出，該解析度準則係如方程式(1)中所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為製程相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷 特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有如下波長之電磁輻射：在5nm至20nm之範圍內，例如，在13nm至14nm之範圍內，例如，在5nm至10nm之範圍內(諸如，6.7nm或6.8nm)。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。經組態以產生EUV輻射之輻射系統可包括激勵燃料以提供電漿之雷射，及容納該電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於諸如合適材料(例如，錫)之小滴之燃料或諸如Xe氣或Li蒸汽之合適氣體或蒸汽串流處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡像式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
一EUV微影設備之一問題為圖案化裝置(例如，比例光罩/光罩)之污染。在一EUV微影設備中，一淨化氣體可以高速度流向該圖案化裝置，且可載運達至微米大小之分子及粒子。可提供一透明薄膜來保護該圖案化裝置，但該薄膜具有一缺點：由該表膜進行的相對高之EUV吸收。該圖案化裝置之分子污染可由涉及氫基之清潔過程來解決。然而，此情形可能無法解決粒子污染，且並不首先幫助防止污染。投影及照明光學件之分子污染可藉由用潔淨氫氣淨化其真空環境來防止或降低。通常，此情形導致沿光學路徑朝向該圖案化裝置之一 氫氣流。此流可載運可隨後染污該圖案化裝置之粒子。另一技術可為使用由經由熱泳產生之一氣體溫度梯度誘發的一阻力，但此情形由於必須加熱該圖案化裝置而不大合乎需要。大體而言，現有技術可能無法有效或完全地自該圖案化裝置葉片及位於氣體注入點與該圖案化裝置之間的其他組件移除粒子污染之可能性，且可能誘發其他問題，諸如歸因於一溫度梯度之圖案化裝置變形或干擾EUV輻射強度之一氣體波動。
用於一EUV光學系統中之一或多個鏡面處於歸因於曝光之透射損失之風險下，該曝光係歸因於來自(例如)各種建構材料及基板光阻之釋氣的污染。為幫助減輕此風險，可使用一低層氣流來淨化該光學系統之一或多個部件。此氣流將粒子自該光學系統(例如，投影光學件及/或照明器)輸送至該圖案化裝置載物台，且將其沈積於該圖案化裝置上。可引入提供一氣流之一照明器頂部套管(ITS)，以幫助減少一光學系統中之污染進入一些機器中。該ITS可減少自該投影光學系統至該圖案化裝置之粒子轉移，但增加自該照明均一性校正模組(UNICOM)、一或多個圖案化裝置葉片(REMA)及/或一或多個周圍結構至該圖案化裝置之粒子轉移。
根據本發明之一個態樣，提供一種包括經建構並配置以支撐一反射圖案化裝置之一支撐結構的微影設備。該反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束。該設備亦包括：一投影系統，其經建構並配置以接收由該反射圖案化裝置反射之該經圖案化輻射光束且經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；一框架，該支撐結構可相對於該框架移動；及一氣體供應噴嘴，其耦接至該框架且經建構並配置以自其供應氣體。該氣體供應噴嘴經配置以自該反射圖案化裝置之一圖案化區之一側供應氣體。
根據本發明之另一態樣，提供一種方法，該方法包括：用一支 撐結構支撐一反射圖案化裝置，該反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束；用該反射圖案化裝置圖案化該照明光束；用一投影系統將來自該反射圖案化裝置之該經圖案化輻射光束投影至一基板上；及經由耦接至一框架之一氣體供應噴嘴供應一氣體，該支撐結構可相對於該框架移動。該氣體係自該反射圖案化裝置之一圖案化區之一側自該氣體供應噴嘴予以供應。
根據本發明之另一態樣，提供一種包括經建構並配置以支撐一反射圖案化裝置之一支撐結構的微影設備。該反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束。該設備亦包括：一投影系統，其經建構並配置以接收由該反射圖案化裝置反射之該經圖案化輻射光束且經組態以將該經圖案化光束投影至一基板上；一框架，該支撐結構可相對於該框架移動；及複數個氣體供應噴嘴，其耦接至該框架且經建構並配置以自其供應氣體。該複數個氣體供應噴嘴經配置使得該複數個氣體供應噴嘴中之至少一者位於該反射圖案化裝置之一圖案化區之一側上，且該複數個氣體供應噴嘴中之另一者位於該圖案化區之一相對側上。
本文中參看附圖詳細地描述本發明之實施例之特徵及/或優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
4‧‧‧孔隙
10a‧‧‧距離
10b‧‧‧距離
10c‧‧‧最小距離
101‧‧‧第一腔室
102‧‧‧第二腔室
103‧‧‧分離器構造
104‧‧‧孔隙
105‧‧‧套管
200‧‧‧氣體供應噴嘴
201‧‧‧連接件
202‧‧‧排出口/開口
204‧‧‧噴嘴主體
205‧‧‧凸台
206‧‧‧噴嘴尖口
208‧‧‧安裝表面部分
210‧‧‧第一臂
212‧‧‧第二臂
214‧‧‧樞轉孔
216‧‧‧連接接腳部分
218‧‧‧附接機構
220‧‧‧正面連接部分
222‧‧‧連接件
224‧‧‧腔室
226‧‧‧氣體出口隙縫
228‧‧‧邊緣部分
230‧‧‧密封件
232‧‧‧部分
234‧‧‧第一部分
236‧‧‧第二部分
238‧‧‧筋
240‧‧‧開口
300‧‧‧路徑
302‧‧‧路徑
306‧‧‧照明均一性校正模組(UNICOM)
BF‧‧‧基座框架
C‧‧‧目標部分
DN‧‧‧尺寸
DM‧‧‧尺寸
DO‧‧‧尺寸
GS‧‧‧氣體供應源
IF1‧‧‧干涉計
IF2‧‧‧干涉計
IL‧‧‧照明系統
LAP‧‧‧微影設備
M1‧‧‧圖案化裝置對準標記
M2‧‧‧圖案化裝置對準標記
MA‧‧‧反射圖案化裝置
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
REB-X‧‧‧X葉片
REB-Y‧‧‧Y葉片
RS-MF‧‧‧圖案化裝置載物台框架
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
VE1‧‧‧真空環境
VE2‧‧‧真空環境
VE3‧‧‧真空環境
VE4‧‧‧真空環境
VP1‧‧‧真空泵
VP2‧‧‧真空泵
現在將僅藉由實例參看隨附圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影設備；圖2為尤其展示微影設備之壓力區之一實施例的示意圖； 圖3以側視圖展示圖2之實施例的細節；圖4展示圖2之實施例之進一步側視圖細節，該側視圖細節以側視圖展示根據之本發明之一實施例的圖案化裝置總成及一或多個遮蔽葉片；圖5以平面圖展示根據一實施例之圖案化裝置總成及一或多個氣體供應噴嘴；圖6展示根據一實施例之氣體供應噴嘴的沿圖5之線6-6截得之截面圖；圖7展示根據另一實施例的氣體供應噴嘴之沿圖5之線6-6截得的替代性截面圖；圖8及圖9分別展示根據一實施例的氣體供應噴嘴之俯視圖及側視圖；圖10說明如沿圖11中之線10-10截得的圖8之氣體供應噴嘴之噴嘴尖口的截面圖；圖11展示圖8之氣體供應噴嘴之噴嘴尖口的透視圖；圖12展示圖8之氣體供應噴嘴之噴嘴尖口之部件的分解圖；圖13展示圖12之部件在經組裝時的組合視圖；圖14展示根據一實施例的圖1之類型之微影設備中氣體供應噴嘴及圖案化裝置總成之仰視圖；且圖15展示來自圖5及圖14中所示之氣體供應噴嘴之排出氣體的氣流圖。
自下文結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相似參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，相似參考數字通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例證本發明。本發明之範疇並非限於所揭示之該(等)實施例。本發明由附加於其之專利申請範圍界定。
所描述實施例及本說明書中對「一個實施例」、「實施例」、「實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否作明確描述，結合一或多個其他實施例實現該特徵、結構或特性係在熟習此項技術者之知識範圍內。
然而，在更詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地展示根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影設備LAP。該設備包含：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束PB(例如，EUV輻射)；一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構並配置以支撐一反射圖案化裝置(例如，光罩或比例光罩)MA且連接至經組態以精確定位該圖案化裝置之第一定位器PM；一基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以精確定位該基板之第二定位器PW；及一投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予至輻射光束PB之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。圖1中亦展示於為可安裝至底板之基座框架BF。定位器PM及/或PW可由基座框架BF支撐。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT包含用於以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置是否被固持於一真空環境中)的方式收納並固持該圖案化裝置MA的一部件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置。支撐結構可為(例如)框架或台，其可視需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化裝置」或「反射圖案化裝置」應被廣泛解譯為指可用以將橫截面中之圖案賦予至輻射光束或照明光束以便在基板之目標部分中創製圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製的裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括如適於正使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空容器及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，該設備為一反射型設備，亦即，在照明器IL及投影系統PS中使用反射光罩及反射光學件的反射型設備。
微影設備可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上台(例如，兩個或兩個以上基板台、兩個或兩個以上圖案化裝置載物台、一基板台及一 量測台等等)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參考圖1，在一實施例中，照明器IL自EUV源SO接收EUV輻射光束。產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一化學元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一此種方法中，常常被稱為雷射產生之電漿(「LPP」)的電漿可藉由用雷射光束輻照諸如具有所需譜線發射元素之材料之小滴的燃料產生。EUV源SO可為包括雷射(圖1中未示)之EUV輻射源之部件，該雷射經組態以提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於EUV源中之輻射收集器予以收集。
舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與EUV源可為分離實體。在此等狀況下，輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至EUV源。雷射及燃料供應源可被認為包含EUV輻射源。
照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ-外部(σ-outer)及σ-內部(σ-inner))。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束PB於反射圖案化裝置(例如，光罩)MA上入射且由該圖案化裝置圖案化，該反射圖案化裝置MA被固持於支撐結構(例如，光罩台或比例光罩載物台)上。圖案化裝置MA可使用諸如干涉計IF1及圖案化裝置對準標記M1、M2之第一定位裝置定位。在自圖案化裝置 (例如，光罩)MA反射之後，經圖案化輻射光束PB穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉諸如干涉計IF2及基板對準標記P1、P2之第二定位裝置(例如，使用干涉式裝置、線性編碼器或電容感測器)，可精確地移動基板台WT，例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束PB之路徑中。
所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性地投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台或比例光罩載物台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖2示意性地展示根據本發明之一實施例的一設備。圖2之設備包括含有照明系統IL以及投影系統PS之第一腔室101。照明系統IL經組態以調節接收自源SO之輻射光束，且投影系統PS經組態以將經圖案化輻射光束PB投影至基板W之目標部分上。第一腔室101亦含有經 建構以支撐圖案化裝置MA之圖案化裝置支撐件，圖案化裝置MA能夠將其橫截面中之圖案賦予輻射光束以形成經圖案化輻射光束。第二腔室102含有為了清楚起見展示僅基板W的基板台。
圖2展示設備可如何被劃分成四個不同真空環境VE1至VE4。第一腔室101界定圍封為了清楚起見展示僅圖案化裝置MA之圖案化裝置載物台的第一真空環境VE1。第一腔室101亦包括界定兩個其他真空環境之分離器構造103：容納照明系統IL之VE2及容納投影系統PS之VE3。可進一步劃分真空環境VE2及VE3。分離器構造103包括套管105，該套管具有用於將投影光束PB自照明系統IL傳遞至圖案化裝置MA，且用於將經圖案化輻射光束自圖案化裝置MA傳遞至投影系統PS的孔隙104。套管105亦用以迫使氣流向下(亦即，離開圖案化裝置)，且用以維持大體上均勻之氣流以避免EUV輻射強度之干擾。可能情況為，套管可朝向圖案化裝置MA逐漸減小。第二腔室102界定基板台(為了清楚起見展示僅基板W的)之真空環境VE4。真空環境VE1及VE2係藉由各別真空容器以及真空泵VP1及VP2形成及維持，該等真空泵VP1及VP2亦可為複數個真空泵。
如圖2中所展示，在一實施例中，真空泵VP1將真空環境VE1維持於低於真空環境VE2及VE3的壓力下。可使用氣體噴射器(圖中未示)將清潔氣體(例如，氫、氦、氮、氧或氬)噴射至真空環境VE2及VE3中。真空泵VP1、VP2同樣為熟習此項技術者所知曉，且可以各種方法耦接至設備。
分離器構造103可以各種方法配置，且可包括(例如)朝向圖案化裝置MA延伸之套管105，在該套管105末端處設置朝向圖案化裝置MA延伸之投影光束孔隙104。在此實施例中，承載孔隙104之套管105可具有漸縮橫截面。
在一實施例中，設備亦包括一輻射光束塑形裝置。在一實施例 中，輻射光束塑形裝置包含經組態以控制投影光束PB之一側向尺寸的至少一圖案化裝置遮蔽葉片REB(REMA)。在一實施例中，設置複數個遮蔽葉片，每一遮蔽葉片設置於照明光束之路徑中。如圖4中所示，可設置多個葉片REB，且該等葉片在使用期間至少部分在反射圖案化裝置MA與分離器構造103之孔隙104之間延伸。每一圖案化裝置遮蔽葉片REB與圖案化裝置MA間隔開，以便於至少一圖案化裝置遮蔽葉片與圖案化裝置MA之間界定一空間。舉例而言，如圖15中所展示，在圖案化裝置遮蔽葉片REB之前(例如，之下)，可存在一照明均一性校正模組(UNICOM)306。照明均一性校正模組可包含促進照明均一性校正之一感測器及/或一或多個元件。照明器頂部套管(ITS)亦可包括於設備中以減少粒子自光學件至圖案化裝置之轉移，該照明器頂部套管亦展示於圖15中。根據一實施例，UNICOM 306被定位於葉片REB之下。在一實施例中，ITS被定位於UNICOM 306及葉片REB兩者之下。
圖3示意性地展示固持反射圖案化裝置MA以及葉片REB-X及葉片REB-Y之圖案化裝置台MT，該等葉片位於圖案化裝置MA附近以分別控制投影光束在X及Y方向上的塑形。在所說明之實施例中，當在Z方向上檢視時，Y葉片REB-Y經定位為比X葉片REB-X更接近圖案化裝置MA，但當然該等葉片可以其他方式配置於周圍。圖案化裝置載物台框架RS-MF具備允許輻射光束達至圖案化裝置MA且由圖案化裝置MA反射之孔隙4。在一實施例中，圖案化裝置載物台框架RS-MF可支撐一或多個感測器。
X葉片REB-X位於如在Z方向上量測的與投影光束孔隙4相距一小距離10a之處。此最近提及之距離可不超過約5mm，或不超過約2mm。
又，Y葉片REB-Y位於與圖案化裝置MA相距小距離10b之處。在 Z方向上所量測，此最近提及之距離亦可不超過約5mm。
當在Z方向上量測時，X葉片與Y葉片之間的最小距離10c可為約5mm。
圖4及圖5分別更詳細展示圖案化裝置總成之側面示意圖及平面示意圖。如圖4中所展示，在一個實施例中，一或多個氣體供應噴嘴200經由一或多個連接件201連接至氣體供應源GS，且經建構並配置以供應自氣體供應源GS遞送之氣體。在一實施例中，提供複數個氣體噴嘴。氣體噴嘴200中之至少一者可經配置於圖案化裝置MA之一側上。在一實施例中，氣體噴嘴200中之至少一者經配置於圖案化裝置MA之一側上，且氣體噴嘴中之至少另一者經配置於圖案化裝置MA之相對側上。亦即，在一實施例中，氣體供應噴嘴200經配置使得該複數個氣體供應噴嘴中之至少一者係在反射圖案化裝置之圖案化區的一側上，且該複數個氣體供應噴嘴中之至少另一者位於該圖案化區之相對側上。氣體供應噴嘴200經組態以將氣體供應至位於至少一圖案化裝置遮蔽葉片REB與圖案化裝置之間的空間。然而，應理解，在此組態中使用兩個(或兩個以上)氣體供應噴嘴200並非意欲為限制性的。根據一實施例，單個氣體供應噴嘴可具備圖案化裝置總成及/或微影設備，且可耦接至框架且經建構並配置以自反射圖案化裝置之圖案化區之至少一側供應氣體。
在圖4之說明性實施例中，氣體噴嘴200經設置於圖案化裝置MA之任一側，且經配置使得氣體(詳言之，氫、氦、氮、氧或氬)可在大體平行於圖案化裝置MA之表面的方向上、在圖式中之箭頭的方向上且實質上至圖案化裝置MA與葉片REB-X、REB-Y之間的空間且於該空間中噴射。在一實施例中，噴嘴200相對於支撐結構MT水平地延伸，且經建構並配置以在大體平行於圖案化裝置MA之表面的方向上將氣體供應至空間。舉例而言，氣體供應噴嘴200可經設置於至少一 圖案化裝置遮蔽葉片REB上方，如圖4中所展示。
舉例而言，如圖4及圖5中由箭頭所表示，每一噴嘴200之排出口202可經定位朝向圖案化裝置MA，以朝向圖案化裝置MA及圖案化裝置葉片REB供應氣體。如圖5及圖6中所展示，相對於圖案化裝置MA側向延伸之每一噴嘴200具有至少一排出口202。氣體供應噴嘴200之排出口202以令人期望之方式經定向朝向圖案化裝置表面，例如，大體上水平(亦即，在X-Y平面中)地定向。
在一實施例中，每一噴嘴200經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之圖案化區的至少一半上方供應氣體。舉例而言，可在圖案化區之長度的至少一半上方供應氣體。在另一實施例中，每一噴嘴200經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之實質上整個圖案化區或掃描區上方供應氣體。在一實施例中，每一噴嘴200經建構並配置以在大於反射圖案化裝置MA之圖案化區的一區域上方供應氣體。在一實施例中，在圖案化裝置MA於掃描運動中移動的情況下，每一噴嘴200經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之實質上整個掃描區上方供應氣體。
每一噴嘴包括一側向尺寸DN(例如，長度或寬度)或跨度，該側向尺寸DN或跨度實質上等於或大於反射圖案化裝置MA之圖案化區之尺寸DM，例如，如圖5中所示。排出口202包括朝向圖案化裝置MA及圖案化裝置葉片REMA輸出所供應之氣體的尺寸DO(例如，直徑)。在一實施例中，DN=DM。在一實施例中，DN>=DM。在一實施例中，DN>DM。在一實施例中，DO>=DM/2。在一實施例中，DO>=DM。在一實施例中，DO>DM。
排出口202之大小可改變。在一個實施例中，每一噴嘴200包含沿噴嘴200且相對於反射圖案化裝置之圖案化區側向延伸之多個排出口202。圖6說明根據橫跨噴嘴200之跨度延伸的多個排出口202之一實 施例的一實例。然而，如圖6中展示於噴嘴200上之開口202之量、位置、大小及組態並非意欲為限制性的。每一開口202具有朝向圖案化裝置MA之圖案化區且鄰近葉片REB輸出並供應氣體的尺寸DO。自開口202輸出之氣體可經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之圖案化區(DM)的至少一半上方供應氣體。在另一實施例中，開口202經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之實質上整個圖案化區(DM)上方供應氣體。在另一實施例中，氣體係藉由開口202在大於反射圖案化裝置MA之圖案化區的一區域上方予以供應。
在另一實施例中，每一噴嘴200包含沿噴嘴200且相對於反射圖案化裝置MA之圖案化區側向延伸的單個排出口202。圖7說明根據橫跨噴嘴200之跨度延伸的單個排出口202之一實施例的實例，其中噴嘴之尺寸DO實質上橫跨噴嘴200之跨度不斷延伸，以朝向圖案化裝置MA之圖案化區且鄰近葉片REB輸出並供應氣體。在一實施例中，DN=DO。在另一實施例中，DN大於或等於DO。在一實施例中，DN大於DO。然而，如圖7中展示於噴嘴200上的開口202之位置、大小及組態並非意欲為限制性的。
自開口202輸出之氣體可經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之圖案化區(DM)的至少一半上方供應氣體。在另一實施例中，開口202經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之實質上整個圖案化區(DM)上方供應氣體。在又一實施例中，氣體係由開口202在大於反射圖案化裝置MA之圖案化區的一區域上方予以供應。
氣體供應噴嘴200耦接至微影設備中之一框架。支撐結構MT可相對於該框架移動。亦即，氣體供應噴嘴200與支撐結構MT解耦。此情形使得支撐結構MT能夠相對於噴嘴200移動，及/或反之亦然。
在一實施例中，氣體供應噴嘴200耦接至一分離框架(圖5中未示)。在一實施例中，氣體供應噴嘴200耦接至之框架為圖案化裝置載 物台台度量衡框架RS-MF。在一實施例中，氣體供應噴嘴200耦接至基座框架BF。在一實施例中，氣體供應噴嘴200以機械方式與固持投影系統PS及/或固持更多一個感測器之框架隔離。機械隔離包含實質上防止來自噴嘴之振動到達固持投影系統PS及/或固持更多一個感測器之框架。
圖8至圖13說明可用以自反射圖案化裝置之圖案化區之一側供應氣體的氣體供應噴嘴200之組態的另一實施例。如圖8及圖9中所見，氣體供應噴嘴200包括連接至噴嘴尖口206之一噴嘴主體204。噴嘴主體204可包括一安裝表面部分208及一正面連接部分220。安裝表面部分208可接觸安裝有噴嘴200之結構(例如，框架)，且可用以控制噴嘴相對於圖案化裝置台MT之位置(例如，以維持位置容限及/或避免衝突)。安裝表面部分208可包括一或多個附接機構218(諸如延伸接腳)，附接結構沿其主體連接至設備之結構(例如，框架)。舉例而言，如圖9中所示，噴嘴主體204之正面連接部分220連接至噴嘴尖口206，且在某些狀況下與該噴嘴尖口重疊。正面連接部分220包括用於附接至噴嘴尖口206之一或多個對應凸台205(例如，參見圖10及圖11)的一或多個連接件222。噴嘴尖口206亦包括用於附接至噴嘴主體204之第一臂210及第二臂212。第一臂210及第二臂212經由設置於臂210及212中之每一者之一端中的樞轉孔214(參見圖10)被固定至設置於噴嘴主體204之任一大小上的連接接腳部分216(參見圖8)。在所說明之實施例中，臂210及212具有不同組態，例如，第一臂210及第二臂212相對於噴嘴主體204之正面連接部分220的設計以不同角度延伸。然而，如所展示，噴嘴主體204以及第一臂210及第二臂212的此組態並非意欲為限制性的。
如圖10中所展示，噴嘴尖口206包括一腔室224及一邊緣部分228，其中之至少一氣體出口隙縫226引導所供應之氣體通過且朝向圖 案化裝置MA(箭頭表示通過噴嘴尖口206之氣流)。在所說明之實施例中，氣體出口隙縫226橫跨噴嘴尖口204之側向跨度延伸。氣體出口隙縫226亦可以一角度定位於邊緣部分228內。舉例而言，氣體出口隙縫226可相對於噴嘴200之水平面以一向下角度予以引導。邊緣部分228可自腔室224及隙縫226向外延伸，且充當引導經由開口202之氣體出口隙縫226供應之氣體的擋扳(例如，在遠離圖案化裝置MA之向下方向上)。如圖12之分解圖中所展示，可在噴嘴尖口204之末端處相對於氣體出口隙縫226之側向跨度垂直地設置一或多個加強筋238。更特定而言，圖12展示噴嘴尖口206可由第一部分234(例如，蓋板)及第二部分236形成。第二部分236可包括一系列大體上平行之間隔開的筋238，該等筋沿第二部分236之跨度等距或偶發地間隔開。第一部分234可包括經設計以與第二部分236之筋238連接的一或多個開口240或連接區域。舉例而言，該等部件可硬焊或焊接在一起。圖13展示如所組裝的圖12之部件的實例。然而，如展示於圖10或圖12中之噴嘴200上的噴嘴尖口206及/或氣體出口隙縫226內的間隔開之加強筋238之量、位置、大小及組態並非意欲為限制性的。
噴嘴主體204充當等化壓力以用於越過每一噴嘴尖口204中之噴嘴出口隙縫226之更均勻分佈的充氣腔室。此情形提供越過氣體出口隙縫226之實質上均勻的氣流。噴嘴尖口206內之該系列大體上平行之間隔開的筋238可在氣體經由腔室224供應時引導且加壓該氣體，且將該氣體引導至尖口206之氣體出口隙縫226中並該氣體出口隙縫。
介於噴嘴主體204與噴嘴尖口206之間的氣體介面可包括在形狀及大小上匹配噴嘴主體204與噴嘴尖口206之傾斜(金屬至金屬)接觸介面之兩側的一密封件230(例如，非O型環介面)。儘管密封件可另外地或替代性地設置於噴嘴主體204上，但圖11展示設置於接觸介面處(例如，設置於噴嘴尖口206上)的密封件230之實例。密封件230可包 括對應於筋238且與該等筋對齊的部分232。在此噴嘴主體/尖口介面處，氣體被通道傳輸至噴嘴尖口206之腔室224，該噴嘴尖口含有將流導引至出口隙縫226的間隔開之筋238。
如圖8中所示，每一噴嘴包括側向尺寸DN(例如，長度或寬度)或跨度，該側向尺寸DN或跨度實質上等於或大於反射圖案化裝置或圖案化裝置MA之圖案化區的尺寸DM，例如，如圖5中所示。排出口202之氣體出口隙縫226包括朝向圖案化裝置MA及葉片REMA輸出所供應氣體的一側向尺寸(例如，長度)。自隙縫226輸出之氣體可經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之圖案化區(DM)的至少一半上方供應氣體。在另一實施例中，隙縫226經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之實質上整個圖案化區(DM)上方供應氣體。在另一實施例中，氣體係經由隙縫226在大於反射圖案化裝置MA之圖案化區的一區域上方予以供應。在一實施例中，側向尺寸可被定義為沿噴嘴尖口206之側向方向的總尺寸，氣體經由該噴嘴尖口予以供應。在一實施例中，氣體出口隙縫226之尺寸等於DN，或者大於或等於DN。在一實施例中，氣體出口隙縫226之尺寸等於DM，或者大於或等於DM。在另一實施例中，氣體出口隙縫226之尺寸大於DM。
在一個實施例中，氣體出口隙縫226之側向尺寸為約289毫米(mm)。在一實施例中，噴嘴之側向尺寸DN為約289毫米(mm)。
在一實施例中，氣體出口隙縫226之側向尺寸可被定義為介於鄰近的側向加強筋之間的尺寸。在加強筋之間所量測之所有側向尺寸的總和可等於DN，或者大於或等於DN。在一實施例中，氣體出口隙縫226之所有側向尺寸的總和等於DM，或者大於或等於DM。在另一實施例中，氣體出口隙縫226之所有側向尺寸的總和大於DM。
排出口202之氣體出口隙縫226亦包括朝向圖案化裝置及葉片REMA輸出所供應之氣體的一厚度尺寸。在一實施例中，氣體出口隙 縫226之厚度介於約0.6與約1.0毫米(mm)之間(包括0.6mm與1.0mm)。在另一實施例中，氣體出口隙縫226之厚度為約0.8mm。然而，隙縫226之此等尺寸僅為例示性的，且並非意欲為限制性的。
氣體出口隙縫226經設計以引導輸出氣體的角度並非意欲為限制性的。根據一實施例，氣體出口隙縫226經定位所在的角度為相對於水平面成約20度。
當使用如本文所揭示之噴嘴(諸如說明性地展示於圖8至圖13中之噴嘴200)時，來自氣體供應源GS之氣體經由噴嘴開口202膨脹，且在圖案化裝置MA之下被釋放。氣體可由其自身限制來控制(壓力、體積等)。此外，噴嘴可經設計以經由類充氣設計之腔室224散佈氣體(例如，在Y方向上)，且經由氣體出口隙縫226通過噴嘴尖口206膨脹。
自開口202之氣體出口隙縫226輸出之氣體可經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之圖案化區(DM)的至少一半上方供應氣體。在另一實施例中，氣體出口隙縫226經建構並配置以在反射圖案化裝置MA之實質上整個圖案化區(DM)上方供應氣體。在另一實施例中，氣體係由氣體出口隙縫226在大於反射圖案化裝置MA之圖案化區的一區域上方予以供應。
根據圖8至圖13中所說明之實施例的氣體供應噴嘴200可耦接至微影設備中之框架。舉例而言，圖14展示具有圖1之類型之微影設備中的氣體供應噴嘴200及圖案化裝置總成MT的例示性實施例之仰視圖。支撐結構MT可相對於框架移動。亦即，氣體供應噴嘴200與支撐結構MT解耦。此情形使得支撐結構MT能夠相對於噴嘴200移動，及/或反之亦然。
在一實施例中，如圖8至圖13中所展示之氣體供應噴嘴200耦接至分離框架(圖中未示)。在另一實施例中，氣體供應噴嘴200耦接至之框架為圖案化裝置載物台框架RS-MF。在另一實施例中，氣體供應 噴嘴200耦接至基座框架BF。
如關於圖5至圖13所論述之噴嘴之以上例示性設計及組態並非意欲限制用以朝向圖案化裝置MA供應氣體之噴嘴的設計或組態。
根據一實施例，噴嘴200經設計以在圖案化裝置掃描路徑之任一側上噴射氣體，以在圖案化裝置前側與REB葉片之間具有潔淨氣流。具體而言，定位於至少任一側上之每一噴嘴200經設計且組態以指向圖案化裝置MA之圖案化區的中心或中間，使得可朝向圖案化裝置MA之圖案化區之中心或中間輸出氣體。可在X方向(如諸圖中所展示)或在Y方向上自噴嘴200之排出口202輸出或噴射氣體。氣體係在最接近圖案化裝置之葉片(在此狀況下，REB-Y葉片)之間被噴射至空間中，但可在REB-Y葉片與REB-X葉片之間噴射。藉由接近於圖案化裝置表面噴射氣體且尤其將氣體噴射至圖案化裝置表面與葉片REB之間的受限空間中，實質上降低了來自組件(諸如葉片本身及其他組件)之污染的可能性。
如圖15中所說明性展示，氣體(例如，氫、氦、氮、氧或氬)之兩個路徑300及302自設置於圖案化區之至少相對側上的噴嘴200以大體上平行之方式橫跨圖案化裝置MA及葉片REB-X側向地流動。路徑300及302在幾乎圖案化裝置MA之中心處相遇、組合且接著在向下方向上經過UNICOM 306且朝向ITS如由304所展示分散遠離圖案化裝置MA。在一實施例中，自噴嘴200噴射之氣流從不直接指向圖案化裝置MA。實情為，該氣流可開始相對於圖案化裝置MA及支撐結構MT側向地或大體上平行地移動，且接著變成流動遠離圖案化裝置MA，如圖所示。以此方式，氣流中之粒子不大可能落於圖案化裝置MA之前側上。因此，將粒子沈積於圖案化裝置上的能力被降低。
一種使用本文中所揭示之微影設備LAP的方法因此包括：用一支撐結構支撐一反射圖案化裝置MA，該反射圖案化裝置MA經組態以將 一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束PB；用該反射圖案化裝置MA圖案化該照明光束，用一投影系統PS將該經圖案化光束自該反射圖案化裝置投影至一基板上，且在大體平行於該反射圖案化裝置MA之表面的一方向上經由一或多個氣體供應噴嘴200供應一氣體。在一實施例中，該氣體係自複數個氣體供應噴嘴供應，其中各別噴嘴係在反射圖案化裝置MA之相對側上。亦即，在一實施例中，該複數個氣體供應噴嘴中之至少一者係在反射圖案化裝置之圖案化區之一側上，且該複數個氣體供應噴嘴中之至少另一者係在該圖案化區之相對側上。
儘管以上圖式及描述大體上展示且描述利用一個以上噴嘴之系統，但仍在處於本發明之範疇內的是，可在微影設備中實施且使用單個噴嘴來供應氣體。根據本發明之一個態樣，提供一種包括經建構並配置以支撐反射圖案化裝置之一支撐結構的微影設備。反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束。該設備亦包括：一投影系統，其經建構並配置以接收藉由反射圖案化裝置反射之經圖案化輻射光束且經組態以將經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一框架，其中該支撐結構可相對於該框架移動。在一實施例中，至少一氣體供應噴嘴耦接至該框架，且經建構並配置以自其供應氣體。至少一氣體供應噴嘴經配置以自反射圖案化裝置之圖案化區之至少一側供應氣體。
此外，接著，應理解本發明提供一種方法，其包括：在大體平行於反射圖案化裝置之表面的方向上經由至少一氣體供應噴嘴供應氣體。氣體係自反射圖案化裝置之圖案化區之至少一側由至少一氣體供應噴嘴(如上所述)予以供應。
同樣，本文中所揭示的噴嘴200之組態係有利的，此係由於該組態可減少粒子被沈積於圖案化裝置上的似然性。氣流可在到達圖案化 裝置前側之前傳遞極少硬體，從而減小或最小化氣流被污染的機會。因此，可在圖案化裝置MA之前提供較潔淨氣體。因此，本文中之噴嘴的組態可減少圖案化裝置之正面在曝光期間的污染，且降低圖案化裝置前側缺陷度。
可為有利的是幫助確保來自圖案化裝置MA之釋氣並未導致產生可被運送至照明器IL及投影系統PS中之過量分子污染物，此係由於經由導管供應之一些氣體可能流入照明器(IL)及投影系統(PS)中。
提供經組態以將圖案化裝置固持於經部分圍封之環境中(固持於至少圖案化裝置表面與葉片之間的受限空間附近)的支撐結構可為有利的。在此組態中，可歸因於經部分圍封之環境中所創製的壓力而達成朝向投影光學件隔室的甚至更有效之氣體轉移。
為減少或最小化圖案化裝置MA之粒子污染的可能性，該圖案化裝置MA可經設計及實施使得圖案化裝置MA處之壓力高於VE2及VE3兩者，使得存在自圖案化裝置MA至VE2及VE3中之向下流動。舉例而言，此可藉由平衡被噴射至不同環境中之流動速率(亦即，至VE2及VE3中之氣體噴射及自噴嘴200噴射之氣體的流動速率)來達成。又，可能需要具有自圖案化裝置MA至VE1之剩餘部分的高流動阻力，且此可藉由在圖案化裝置MA與環境VE1之間提供流動阻力裝置，使得圖案化裝置MA與環境VE1之間的氣體傳導速率不超過10m/s、不超過5m/s，或不超過2m/s來獲得。
此流動阻力之實施包括使得分離器之頂表面在大體上平行於圖案化裝置MA之X-Y平面中延伸，使得圖案化裝置支撐結構MT之表面在X-Y平面中延伸，或在至少一些圖案化裝置葉片REB上形成一或多個突起物，此等突起物在Z方向上延伸(亦即，朝向圖案化裝置MA或遠離圖案化裝置MA，或前述兩者)。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或者完全不 同之使用模式。
儘管結合微影設備描述上文實施例，但同一概念亦可被用於其他類型之設備，諸如經組態以量測表面之一或多個特性(例如，量測經圖案化基板之表面之一或多個特性)的度量衡設備或檢查設備。此度量衡或檢查設備可包含(例如)以下元件中之若干者：一光學系統，其經配置以調節用以照明有待分析之結構的輻射光束之性質；一支撐結構，其包含經建構以支撐有待分析之結構的一部件；一輻射光束塑形裝置，其經組態以塑形該輻射光束，該輻射光束塑形裝置鄰近該支撐結構；及複數個氣體供應噴嘴，其經建構並配置以將氣體供應至界定於經建構以支撐有待分析之結構之支撐結構的該部件與該輻射光束塑形裝置之間的空間；及一處理器，其經配置以分析所偵測之輻射。在一實施例中，每一噴嘴具有相對於有待分析之結構側向延伸的出口，且具有一連續長度，其經建構並配置以至少在藉由支撐結構支撐的待分析之結構之長度的一半上方供應氣體。可提供經配置以照明待分析之結構的輻射源作為設備之一整合部件，或作為待與度量衡或檢查設備一起使用的分離組件。
在本文中，受限空間可為被界定於a)經建構以支撐圖案化裝置之支撐結構之部件，與b)輻射塑形裝置之間的一有限空間。亦即，受限空間可為介於圖案化裝置與輻射塑形裝置之間的一有限空間，諸如介於藉由支撐結構支撐之圖案化裝置MA的表面與遮蔽葉片中之至少一者的表面之間的受限空間。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、LED、太陽能電池、光子裝置，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景下，可認為本文對術語 「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已含有多個經處理層之基板。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合進行實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起。
雖然上文已描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見的是，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可定義替代邊 界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識而易於修改及/或調適此等特定實施例用於各種應用而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及條款以及其等效物進行界定。
4‧‧‧孔隙
10a‧‧‧距離
10b‧‧‧距離
10c‧‧‧最小距離
MA‧‧‧反射圖案化裝置
MT‧‧‧支撐結構
PB‧‧‧輻射光束
REB-X‧‧‧X葉片
REB-Y‧‧‧Y葉片
RS-MF‧‧‧圖案化裝置載物台框架

Claims (29)

  1. 一種微影設備，其包含：一支撐結構，其經建構並配置以支撐一反射圖案化裝置，該反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束；一投影系統，其經建構並配置以接收由該反射圖案化裝置反射之該經圖案化輻射光束，且經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；一框架，該支撐結構可相對於該框架移動；及一氣體供應噴嘴，其耦接至該框架，且經建構並配置以自其供應氣體，該氣體供應噴嘴經配置以自該反射圖案化裝置之一圖案化區之一側供應氣體。
  2. 如請求項1之微影設備，其進一步包含與該圖案化裝置間隔開之一遮蔽葉片，該遮蔽葉片設置於該照明光束之路徑中，使得存在界定於該遮蔽葉片與該圖案化裝置之間的一空間，且其中該氣體供應噴嘴經組態以將氣體供應至該空間。
  3. 如請求項2之微影設備，其中該氣體供應噴嘴係在該遮蔽葉片上方。
  4. 如請求項2或請求項3之微影設備，其中該氣體供應噴嘴相對於該支撐結構水平延伸，且經建構並配置以在實質上平行於該圖案化裝置之表面的一方向上將氣體供應至該空間。
  5. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其包含耦接至該框架且經建構並配置以自其供應氣體之複數個氣體供應噴嘴，該複數個氣體供應噴嘴經配置使得該複數個氣體供應噴嘴中之至少一者係在該反射圖案化裝置之該圖案化區之該側上，且該複數個氣 體供應噴嘴中之至少另一者位於該圖案化區之一相對側上。
  6. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該氣體供應噴嘴包含沿該噴嘴且相對於該反射圖案化裝置之該圖案化區側向延伸的複數個排出口。
  7. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該氣體供應噴嘴包含沿該噴嘴且相對於該反射圖案化裝置之該圖案化區側向延伸的一排出口。
  8. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該氣體供應噴嘴經建構並配置以在該反射圖案化裝置之實質上該整個圖案化區上方供應氣體。
  9. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該氣體供應噴嘴經建構並配置以在大於該反射圖案化裝置之該圖案化區的一區域上方供應氣體。
  10. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該氣體供應噴嘴包含大於該反射圖案化裝置之該圖案化區的一側向尺寸。
  11. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該氣體供應噴嘴與該支撐結構解耦，使得該支撐結構經建構並配置以相對於該氣體供應噴嘴移動。
  12. 如請求項1至3中任一項之微影設備，其中該照明光束為一EUV波長下之一輻射光束。
  13. 如請求項12之微影設備，其進一步包含一照明系統，該照明系統經建構並配置以調節該EUV波長下的該輻射光束。
  14. 一種方法，其包含：用一支撐結構支撐一反射圖案化裝置，該反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束；用該反射圖案化裝置圖案化該照明光束， 用一投影系統將來自該反射圖案化裝置之該經圖案化輻射光束投影至一基板上，及經由一氣體供應噴嘴供應一氣體，該氣體供應噴嘴耦接至一框架，該支撐結構可相對於該框架移動，其中該氣體係自該反射圖案化裝置之一圖案化區之一側起由該氣體供應噴嘴予以供應。
  15. 如請求項14之方法，其中一圖案化裝置遮蔽葉片與該圖案化裝置間隔開且係在該照明光束之路徑中，使得該遮蔽葉片與該圖案化裝置之間界定一空間，且其中該供應該氣體包含將氣體供應至該空間。
  16. 如請求項15之方法，其中該氣體供應噴嘴係在該遮蔽葉片上方，且其中該將該氣體供應至該空間包含在該遮蔽葉片上方供應氣體。
  17. 如請求項15或請求項16之方法，其中該供應該氣體包含在實質上平行於該圖案化裝置之表面的一方向上將該氣體供應至該空間。
  18. 如請求項14至16中任一項之方法，其中該供應該氣體包含經由複數個氣體供應噴嘴供應該氣體，該複數個氣體供應噴嘴中之至少一者係在該反射圖案化裝置之該圖案化區的一側上，且該複數個氣體供應噴嘴中之至少另一者係在該圖案化區之一相對側上。
  19. 如請求項14至16中任一項之方法，其中該氣體供應噴嘴包含沿該噴嘴且相對於該反射圖案化裝置之該圖案化區側向延伸的複數個排出口，且其中該供應該氣體包含經由該複數個排出口供應該氣體。
  20. 如請求項14至16中任一項之方法，其中該氣體供應噴嘴包含沿 該噴嘴且相對於該反射圖案化裝置之該圖案化區側向延伸的一排出口，且其中該供應該氣體包含經由該排出口供應該氣體。
  21. 如請求項14至16中任一項之方法，其中該供應該氣體包含在該反射圖案化裝置之實質上該整個圖案化區上方供應該氣體。
  22. 如請求項14至16中任一項之方法，其中該供應該氣體包含在大於該反射圖案化裝置之該圖案化區的一區域上方供應該氣體。
  23. 如請求項14至16中任一項之方法，其中該照明光束為一EUV波長下的一輻射光束。
  24. 一種微影設備，其包含：一支撐結構，其經建構並配置以支撐一反射圖案化裝置，該反射圖案化裝置經組態以將一圖案賦予一照明光束以形成一經圖案化輻射光束；一投影系統，其經建構並配置以接收由該反射圖案化裝置反射之該經圖案化輻射光束且經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；一框架，該支撐結構可相對於該框架移動；及複數個氣體供應噴嘴，其耦接至該框架且經建構並配置以自其供應氣體，該複數個氣體供應噴嘴經配置使得該複數個氣體供應噴嘴中之至少一者係在該反射圖案化裝置之一圖案化區之一側上，且該複數個氣體供應噴嘴中之至少另一者係在該圖案化區之一相對側上。
  25. 如請求項24之微影設備，其進一步包含一圖案化裝置遮蔽葉片，其與該圖案化裝置間隔開且係在該照明光束之路徑中，使得該遮蔽葉片與該圖案化裝置之間界定一空間，且其中該複數個氣體供應噴嘴經組態以將氣體供應至該空間。
  26. 如請求項25之微影設備，其中該複數個氣體供應噴嘴係在該遮 蔽葉片上方。
  27. 如請求項24至26中任一項之微影設備，其中該複數個氣體供應噴嘴中之每一噴嘴經建構並配置以在該反射圖案化裝置之至少該整個圖案化區上方供應氣體。
  28. 如請求項24至26中任一項之微影設備，其中該複數個氣體供應噴嘴中之每一噴嘴包含大於該反射圖案化裝置之該圖案化區的一側向尺寸。
  29. 如請求項24至26中任一項之微影設備，其中該複數個氣體供應噴嘴中之每一噴嘴與該支撐結構解耦，使得該支撐結構經建構並配置以相對於該複數個氣體供應噴嘴移動。
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