TW202115503A

TW202115503A - 表面處理裝置及用於圖案化器件和其他基板之表面處理的方法

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Publication number: TW202115503A
Application number: TW109121190A
Authority: TW
Inventors: 戴克豪夫馬卡斯安德納斯范; 山德柏圖森; 帕爾馬登盧卡斯布羅曼; 丹東尼斯帝朵勒懷慕斯坎班; 喬漢斯哈博特喬瑟菲那莫斯
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2019-07-01
Filing date: 2020-06-22
Publication date: 2021-04-16
Also published as: WO2021001092A1; KR20220025748A; CN114072732A

Abstract

本發明揭示一種表面處理裝置及用於諸如晶圓或基板之基板之表面處理的方法。該表面處理裝置包含：一或多個支撐結構，其用於支撐一或多個基板；及一或多個紫外線照明源，其經組態以發射紫外線照明，且可操作以在該一或多個基板由該一或多個支撐結構支撐時處理該一或多個基板之該至少一個表面。該一或多個紫外線照明源與一曝光源相異且並不可操作以發射用於在一晶圓上曝光一圖案之曝光照明。

Description

表面處理裝置及用於圖案化器件和其他基板之表面處理的方法

本發明係關於一種微影裝置及一種微影方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。

為了減小最小可印刷大小，可使用具有短波長之輻射來執行成像。因此，已提議使用提供在例如13 nm至14 nm之範圍內之EUV輻射的EUV輻射源。已進一步提議可使用具有小於10 nm(例如在5 nm至10 nm之範圍內，諸如6.7 nm或6.8 nm)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線(EUV)輻射或軟x射線輻射。

疊對誤差指示成像至晶圓上之倍縮光罩圖案之實際部位與所要部位之間的偏差。對於此誤差存在一臨限值，超出該臨限值，成像之結果係不可接受的。數量級為奈米(在EUV中)且隨著每下一代EUV掃描器的出現而縮小。程序涉及將數十層之堆疊中的下一圖案化層放置至先前圖案化層上，該等層一起將最終構成積體電子電路。一個層相對於另一層之側向位移可能引起此等層未適當地連接，從而使得該電路對於操作使用而言不可接受。

國際專利申請公開案WO 2018/041599係以引用方式併入本文中。該公開案揭示一種EUV微影裝置，其具有一投影系統，該投影系統經組態以經由隙縫將藉由光罩圖案化之輻射光束投影至固持於基板台上之基板上的曝光區域上。基板台為基板載物台處之組件且與基板實體接觸，且可與將基板夾持至基板台之靜電夾具實體地且功能上整合。靜電夾具具有用以運走在夾具處產生之熱之冷卻系統。微影裝置以掃描模式操作，其中光罩及基板在投影期間被同時掃描。用以將圖案投影至基板上之輻射光束將大量熱遞送至彼基板，此造成基板之局部加熱。由加熱造成的基板之局部擴展會降低經投影圖案上覆已經存在於基板上之圖案之準確度。為了解決此問題，WO 2018/041599中所揭示之微影裝置包含位於投影系統與基板之間的冷卻器件。該冷卻器件在圖案化輻射光束經由縫隙入射於基板上之區域附近提供基板之局部冷卻。

在執行曝光之前，圖案化器件或倍縮光罩應完全乾燥以避免有效曝光劑量漂移。

將需要改良目前的圖案化器件處理方法及裝置，特別是對諸如圖案化器件及/或晶圓(待圖案化之基板)之基板進行除濕。

在本發明之一第一態樣中，提供一種用於基板之表面處理之表面處理裝置，其包含：一或多個支撐結構，其用於支撐一或多個基板；一或多個紫外線照明源，其經組態以發射紫外線照明，且可操作以在該一或多個基板由該一或多個支撐結構支撐時處理該一或多個基板之該至少一個表面；其中該一或多個紫外線照明源與一曝光源相異且並不可操作以發射用於在一晶圓上曝光一圖案之曝光照明。

在本發明之一第二態樣中，提供一種微影裝置，其包含該第一態樣之一表面處理裝置，其用於在執行一曝光之前處理一或多個基板之表面。

在本發明之一第三態樣中，提供一種用於處理在一微影程序中用以圖案化曝光照明之一或多個基板之至少一個表面的方法，該處理包含至少對該至少一個表面除濕，該方法包含：運用紫外線照明來照明該至少一個表面，其中該紫外線照明與用於在一晶圓上曝光一圖案之曝光照明相異。

圖1示意性地描繪微影裝置100。該裝置包含：

- 源模組SO；

- 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)；

- 支撐結構(例如光罩載物台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩) MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；

- 基板載物台(例如晶圓載物台) WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及

- 投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如(例如)圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持該圖案化器件MA。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可包括(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。

術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。

如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如使用反射光罩)。

微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板載物台(及/或兩個或多於兩個光罩載物台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外載物台，或可在一或多個載物台上進行預備步驟，同時將一或多個其他載物台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自源模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如具有所需譜線發射元素之材料的小滴、流或叢集)而產生所需電漿。源模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO₂ 雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源模組可為單獨實體。

在此類狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源模組之整體部分。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩載物台) MT上之圖案化器件(例如光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板載物台WT，例如以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。

提供EUV隔膜(例如，護膜PE)以防止圖案化器件受到系統內之顆粒污染。在所展示之部位處及/或在其他部位處提供此類護膜。可提供另一EUV隔膜SPF作為光譜純度濾光器，其可操作以濾出非想要輻射波長(例如，DUV)。此類非想要波長可以非所要方式影響晶圓W上之光阻。SPF亦可視情況幫助防止投影系統PS內之投影光學件受到在除氣期間釋放之顆粒污染(或替代地，為進行此操作可提供護膜來代替SPF)。此等EUV隔膜中之任一者皆可包含本文所揭示之EUV隔膜中之任一者。

可在多種模式中使用所描繪之裝置。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如光罩載物台) MT及基板載物台WT (亦即，單次動態曝光)。基板載物台WT相對於圖案化器件支撐件(例如光罩載物台) MT之速度及方向可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性予以判定。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式係已知的。在所謂的「無光罩」微影中，可程式化圖案化器件保持靜止但具有改變之圖案，且移動或掃描基板載物台WT。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

圖2更詳細地展示微影裝置之實施例，其包括輻射系統42、照明系統IL、圖案化器件腔室PD及投影系統PS。如圖2中所展示之輻射系統42屬於使用雷射產生電漿作為輻射源之類型。可由自例如氙(Xe)、鋰(Li)或錫(Sn)產生之極熱電漿產生EUV輻射。在一實施例中，使用Sn以產生電漿，以便發射在EUV範圍內之輻射。

輻射系統42體現圖1之裝置中之源SO的功能。輻射系統42包含源腔室47，在此實施例中，源腔室47不僅大體上圍封EUV輻射源，而且圍封收集器50，在圖2之實例中，收集器50為正入射收集器，例如多層鏡面。

作為LPP輻射源之部分，雷射系統61經建構及配置以提供雷射光束63，該雷射光束63係由光束遞送系統65遞送通過提供於收集器50中之孔隙67。又，輻射系統包括由目標材料供應件71供應之目標材料69，諸如Sn或Xe。在此實施例中，光束遞送系統65經配置以建立大體上聚焦於所要電漿形成位置73上之光束路徑。

在操作中，由目標材料供應件71以小滴之形式供應目標材料69，其亦可被稱作燃料。截留器72被提供於源腔室47之相對側上，以捕捉不管出於任何原因未變成電漿之燃料。當目標材料69之此小滴到達電漿形成位置73時，雷射光束63照射於該小滴上，且EUV輻射發射電漿形成於源腔室47內部。在脈衝式雷射之狀況下，此情形涉及對雷射輻射之脈衝進行定時以與小滴通過位置73之傳遞重合。此等情形產生具有若干10⁵ K之電子溫度之高度離子化電漿。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射包括在位置73處自電漿發射之想要的EUV。電漿形成位置73及孔隙52分別位於收集器50之第一焦點及第二焦點處，且EUV輻射係由正入射收集器鏡面50聚焦至中間焦點IF上。

自源腔室47發出之輻射光束經由反射器53、54而橫穿照明系統IL，如在圖2中由輻射光束56所指示。該等反射器經由護膜PE將光束56導向至定位於圖案化器件腔室PD中之支撐件(例如倍縮光罩載物台或光罩載物台) MT上之圖案化器件(例如倍縮光罩或光罩)上。形成經圖案化光束57，其係由投影系統PS經由反射元件58、59而成像至由晶圓載物台或基板載物台WT承載之基板上。基板W係由靜電夾具CL固持於基板載物台WT上。基板載物台WT與其夾具CL被容納於晶圓載物台隔室WSC中。

投影系統PS具有安裝於提供特定低壓環境之容器(箱)中之投影光學件。此容器被稱為投影光學件箱(POB)。POB及晶圓載物台隔室WSC為單獨的環境。在曝光期間，由於自POB接收到之輻射，光阻可能除氣。此等氣體不應到達投影光學件，此係因為其可能污染鏡面之表面(POB在EUV中含有反射光學組件)。污染可接著干涉成像。因此，提供動態氣鎖DGL (圖中未繪示)以減少此污染。

比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。舉例而言，可存在一個、兩個、三個、四個或甚至更多個反射元件，而非圖2中所展示之兩個元件58及59。

如熟習此項技術者應知曉，可定義參考軸X、Y及Z以量測及描述裝置、其各種組件及輻射光束55、56、57之幾何形狀及行為。在裝置之每一部件處，可定義X軸、Y軸及Z軸之局部參考座標系。Z軸在系統中之給定點處與光軸O之方向大致重合，且在描述相對於圖案化器件之空間關係時大體上垂直於圖案化器件(倍縮光罩) MA之平面且在描述相對於基板W之空間關係時垂直於基板W之平面。在源模組(裝置) 42中，X軸與燃料流(69，下文所描述)之方向大致重合，而Y軸正交於該方向，其自頁面中指出，如所指示。另一方面，在固持倍縮光罩MA之支撐結構MT附近，局部X軸大體上橫向於與局部Y軸對準之掃描方向。出於方便起見，在示意圖圖2之此區域中，X軸自頁面中指出，再次如所標記。此等指定在此項技術中係習知的，且將在本文中出於方便起見而被採用。原則上，可選擇任何參考座標系以描述裝置及其行為。

除了產生想要的EUV輻射以外，電漿亦可產生其他波長之輻射，例如在紅外線、可見光、紫外線(ultraviolet；UV)及深紫外線(deep ultraviolet；DUV)範圍內之輻射。亦可存在來自雷射光束63之紅外線(infrared；IR)輻射。在照明系統IL及投影系統PS中並不想要非EUV波長，且可部署各種措施來阻擋非EUV輻射。如圖2示意性地所描繪，對於IR、DUV及/或其他非想要波長，可將光譜純度濾光器SPF應用於虛擬源點IF之上游。在圖2所展示之特定實例中，描繪兩個光譜純度濾光器，一個光譜純度濾光器在源腔室47內且一個光譜純度濾光器在投影系統PS之輸出處。

圖3說明用以曝光雙載物台微影裝置中之基板W上之目標部分(例如晶粒)的步驟。兩個基板載物台(亦被稱作晶圓載物台)經組態以在微影裝置之操作使用中遵循晶圓載物台隔室(圖2中之WSC)內之路線。基板在預對準器中開始且經轉移至將基板固持於夾具中之基板載物台。接著沿著由步驟200、202、204、210、212、214、216、218、210及220指示之路線來輸送基板。

真空預對準器VPA為晶圓處置器之部件。預對準器為將基板W'放置至正確定向中(在局部X-Y平面中)的機器人，使得基板W'在步驟200處轉移至基板載物台時具有正確定向且準備好進行量測操作MEA。

量測站MEA處所執行之步驟係在左側虛線框內，而右側虛線框展示曝光站EXP處所執行之步驟。有時，基板台WTa、WTb中之一者將在曝光站處，而另一者係在量測站處，如上文所描述。在步驟200處，藉由圖中未繪示之一機構自真空預對準器VPA裝載新基板W'。並行地處理此兩個基板(量測站處之一基板及曝光站處之另一基板)以便增加微影裝置之產出率。

最初參看新近裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其係運用新光阻而製備以供在裝置中之第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此裝置及/或其他微影裝置若干次，且亦可經歷後續程序。特別針對改良疊對效能之問題，任務為確保新的圖案被確切地施加於已經經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上的正確位置中。此等處理步驟逐漸地在基板中引入失真，該等失真必須被量測及校正以達成令人滿意的疊對效能。

可在其他微影裝置中執行先前及/或後續圖案化步驟(如剛才所提及)，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續圖案化步驟。舉例而言，器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中來執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中或真空工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。

在202處，使用基板標記P1 (被描繪為四個十字)等及影像感測器(圖中未繪示)之對準量測以量測及記錄基板相對於基板載物台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測橫越基板W'之若干對準標記。在一項實施例中，此等量測係用以建立「晶圓柵格」，該晶圓柵格極準確地映射橫越基板之標記之分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。

在步驟204處，亦使用位階感測器LS來量測相對於X-Y位置之晶圓高度(Z)圖。通常，高度圖係僅用以達成經曝光圖案之準確聚焦。主要地，高度圖僅用以達成經曝光圖案之準確聚焦。可另外出於其他目的使用高度圖。

當裝載基板W'時，接收到配方資料206，其定義待執行之曝光，且亦定義晶圓及先前產生之圖案及待產生於其上之圖案之屬性。將在202、204處進行之晶圓位置、晶圓柵格及高度圖之量測添加至此等配方資料，使得可將配方資料及量測資料208之完整集合傳遞至曝光站EXP。對準資料之量測(例如)包含以與作為微影程序之產品的產品圖案成固定或標稱固定關係而形成之對準目標之X位置及Y位置。恰好在曝光之前獲得之此等對準資料用以產生對準模型，對準模型具有將模型擬合至資料之參數。此等參數及對準模型將在曝光操作期間用以校正當前微影步驟中所施加之圖案之位置。在使用中之模型內插經量測位置之間的位置偏差。習知對準模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起以不同尺寸界定「理想」柵格之平移、旋轉及按比例調整。使用更多參數之進階模型係已知的。

在210處，調換晶圓W'與W，使得經量測基板W'變成基板W而進入曝光站EXP。在圖1之實例裝置中，藉由交換裝置內之基板載物台WTa與WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持準確地被夾持且定位於彼等支撐件上，以保留基板載物台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等載物台，則為了利用用於基板W (以前為W')之量測資訊202、204以控制曝光步驟，必需判定投影系統PS與基板台WTb (以前為WTa)之間的相對位置。在步驟212處，使用光罩對準標記(圖中未繪示)來執行倍縮光罩對準。在步驟214、216、218中，將掃描運動及輻射施加於橫越基板W之順次目標部位處，以便完成多個圖案之曝光。

藉由在執行曝光步驟中使用量測站處所獲得之對準資料及高度圖，使此等圖案相對於所要部位準確地對準，且詳言之，相對於先前放置於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟220處自裝置卸載現在被標註為「W''」之經曝光基板，以根據經曝光圖案使其最終經歷蝕刻或其他程序。

熟習此項技術者將知曉上述描述為真實製造情形之一個實例中所涉及之多個極詳細步驟的簡化綜述。舉例而言，常常將存在使用相同或不同標記之粗糙及精細量測之單獨階段，而非在單一遍次中量測對準。粗糙及/或精細對準量測步驟可在高度量測之前或之後執行，或交錯執行。

以與處置基板W相似之方式來處置圖案化器件(例如倍縮光罩或光罩) MA。舉例而言，可自清潔及顆粒緊密的倍縮光罩儲存容器將倍縮光罩MA裝載至微影裝置(例如EUV系統)中，如US7839489及EP1519233B1所揭示(其兩者特此係以引用方式併入)。參看圖1、圖2及圖3，一旦將倍縮光罩MA裝載至系統中，就將倍縮光罩MA安裝至倍縮光罩載物台上使得可藉由使用定位器PM及位置感測器PS1相對於輻射光束56之路徑來準確地定位倍縮光罩MA。將在由系統控制器判定之時間點，例如在步驟212處，執行倍縮光罩對準。一旦被控制器請求，倍縮光罩就經由一或多個倍縮光罩標記物相對於其支撐件MT自動對準。當倍縮光罩之圖案相對於所要部位準確地對準時，系統將準備好進行微影曝光。

儘管倍縮光罩在被置放至儲存容器中且隨後裝載至微影系統中之前通常被儘可能多地或至少實際地清潔，但不完美的清潔程序(例如其可留下化學殘餘物)伴隨著不完美的環境條件(例如濕度)仍導致在處置、輸送及/或儲存期間外部分子(例如水及有機分子)被吸收至倍縮光罩之一個或兩個表面中及/或在倍縮光罩之一個或兩個表面上形成鹽沈積物。舉例而言，雖然EP1519233B1提議用以降低儲存空間之污染風險之若干預防措施，諸如中間真空及專用耦接結構，但轉移容器與儲存容器之間的不完美的耦接將會將來自外部環境之顆粒、水及有機分子不可避免地帶入至儲存有倍縮光罩之儲存容器中。與新的倍縮光罩相比，若將再用現有倍縮光罩而不再次經受任何清潔程序，則情形會變得更差。

已設法進入系統之彼等分子及顆粒中的一些將被化學吸附至倍縮光罩之表面且自組裝以在一些活性位點形成各種局部簇。舉例而言，水分子經由水分子部分解離成OH及H自由基而被化學吸附至倍縮光罩表面上。所得OH及H自由基基團緊密結合至表面之活性位點。作為此化學吸附程序之結果，水分子可保持在此表面上極長時間。此等自組裝簇亦可彼此組合以形成塗層之薄層，諸如水塗層或烴塗層之薄層。水簇/塗層連同現有鹽沈積物可進一步增強顆粒與倍縮光罩表面之間的結合。因此，使用氣體射流之典型清潔方法對於移除此等顆粒係低效的。

倍縮光罩表面之顆粒及鹽沈積物取決於其大小可嚴重地影響或甚至阻擋一些現有圖案特徵，從而導致基板W上之大的圖案化誤差(例如疊對誤差，諸如斷線及/或非想要的接觸之變形)或甚至錯誤圖案。此外，歸因於在EUV波長下之水吸收係數高，形成於倍縮光罩表面上之薄的水塗層可使EUV光束衰減且導致用於圖案化基板之輻射強度不足。另外或替代地，若薄的水塗層並非均勻的，例如分散之水簇，則EUV光之橫向光束輪廓可藉由橫越撞擊EUV光之整個光點區域之不均勻的衰減(由於不均勻的吸水性)而變更或調變。橫越EUV光束之不均勻衰減可繼而改變EUV光在投影系統PS中之聚焦特性且導致圖案化之變化，例如臨界尺寸(CD)變化。不一致的圖案化將對EUV系統之良率產生負面影響。

「潮濕的」倍縮光罩，亦即在一個或兩個表面上具有薄層水分子，對經印刷晶圓特徵之CD具有負面影響。研究顯示，在使用同一倍縮光罩執行某一數目個EUV曝光之後，所吸收之水分子自倍縮光罩表面逐漸消失。此移除所吸收水分子的結果為：在發生此情形時，經印刷晶圓特徵之CD趨向於漂移。當倍縮光罩被完全除濕且所有所吸收水分子被完全移除時，此CD漂移最終穩定。舉例而言，在典型的EUV微影裝置中，可能採取多達50次晶圓曝光直至自倍縮光罩表面移除所有的所吸收之水分子使得CD漂移穩定且獲得一致的圖案化效能。對倍縮光罩完全除濕所需之曝光數目可取決於微影裝置中之應用及操作條件。

已使用若干方法以對微影裝置中之倍縮光罩進行除濕。在此類方法中之一者中，可預先將「潮濕的」倍縮光罩良好地裝載至微影裝置中以便確保倍縮光罩將在微影曝光開始時完全乾燥。然而，此除濕程序可能花費不切實際的時長來完成，例如幾天。

在第二方法中，不論何時需要就將「潮濕的」倍縮光罩裝載至微影裝置中且隨後藉由運行一批虛設晶圓對其進行除濕，而非在微影曝光開始之前幾天就裝載「潮濕的」倍縮光罩。當此等虛設晶圓開始展示一致的CD (指示倍縮光罩完全乾燥)時，微影裝置可接著被視為準備好運行生產晶圓。替代地，在第三方法中，產生專用曝光工序使得在被裝載至微影裝置中之後，「潮濕的」倍縮光罩將由例如EUV輻射光束曝光一定時間量(以連續或間斷的方式)直至EUV光照射之倍縮光罩之特定部分乾燥為止。然而，將必須重複此專用曝光工序複數次，例如25或50次，以便確保倍縮光罩之整個表面積被除濕。因而，所有此等方法皆具有高產出率損失。裝載新倍縮光罩並對其進行除濕所需之時間量仍相當大且可考量倍縮光罩之總使用時間之百分比。因此，極大地降低了系統產出率。在一些狀況下，EUV微影裝置之產出率可降低多達20%。

專利公開案JP2004170802(A)揭示一種在微影裝置外部使用包含加熱器或IR燈之專用乾燥裝置的不同方法。在自儲存容器取出倍縮光罩之後，首先將倍縮光罩轉移至乾燥裝置中，在該乾燥裝置中，對倍縮光罩進行除濕。隨後，將乾燥倍縮光罩轉移至微影裝置中以進行曝光。因為此方法之除濕機制係基於加熱，所以需要大量時間來使「熱」倍縮光罩經由被動冷卻而熱沈降，亦即達到與環境溫度之熱平衡，以便防止熱誘發之疊對誤差。

本文中揭示提供用於解決前述問題之高效方式之表面處理裝置。該裝置經組態以用於對諸如圖案化器件/倍縮光罩(用於圖案化光束以在晶圓上曝光圖案)或曝光有圖案之晶圓之基板進行表面處理，且包含用於固持一或多個基板之一或多個支撐結構，及經組態以發射UV輻射之至少一個紫外線(UV)光源。可在外殼、箱或被至少部分地圍封之任何類型之容器中含有該表面處理裝置。舉例而言，至少部分地圍封於容器中之表面處理裝置可包含用於微影裝置之模組化單元，使得該表面處理裝置在微影裝置之真空環境內經操作但可在非真空環境中(例如微影裝置外部)經組裝及/或服務。替代地，該表面處理裝置可完全整合於微影裝置之圖案化器件系統PD內。現在將在處理圖案化器件或倍縮光罩之內容背景中描述以下實施例，但該等實施例同樣適用於晶圓處理。

與依賴於加熱及/或蒸發之習知除濕機制形成對比，所提議之表面處理裝置可使用自UV光源發射之高能UV光子，例如在10 nm至200 nm (且更具體言之10 nm至170 nm)之真空UV(VUV)波長範圍內。高能UV光子可有效地破壞所吸收水(H₂ O)分子之O-H鍵且將此類H₂ O分子光解離成OH及H自由基。與光解離程序並行地，高能UV光子亦可破壞形成於OH及H自由基基團與表面之活性位點之間的強結合。此允許將自倍縮光罩表面釋放OH及H自由基基團且隨後藉由周圍氣流，例如乾燥氮氣(N₂ )或乾燥氫氣(H₂ )將其帶走。因此，使用UV輻射會藉由以「冷」且更受控制之方式移除所吸收之水分子而對倍縮光罩之表面除濕。

此外，使用UV輻射亦允許同時移除某些表面污染物使得在處理之後，倍縮光罩表面將既乾燥又清潔。表面污染物，諸如藉由例如鹽沈積物或毛細管力而結合至倍縮光罩表面之小顆粒(例如具有在10 nm至10 µm之範圍內之大小)，難以藉由習知途徑來移除，例如使用氣體射流以沖掉鬆散地結合至倍縮光罩表面之落下顆粒。此難題可藉由將表面曝光至UV輻射來克服，其可1)解離底層鹽沈積物及水分子及/或2)破壞形成於顆粒與此類鹽沈積物及水分子之間的增強之結合。由此類鹽沈積物及/或水分子結合之顆粒可接著自倍縮光罩表面釋放且隨後由周圍氣流帶走。因此，與「熱」除濕方法相比，此途徑提供用於對倍縮光罩表面進行除濕之「冷」且因此較快速的途徑，其另外提供同時表面清潔之額外效應。

可藉由將諸如(例如)氧氣(O₂ )及/或氫氣(H₂ )分子之特定背景氣體引入至系統中而進一步擴展系統之表面清潔能力。此類背景氣體結合適當UV光子能(相對於氣體分子之化學鍵結能量)可用以光解離此類氣體分子。舉例而言，解離O₂ 分子所需之光子能與對應於短於170 nm之UV波長的H₂ O分子之光子能相似。然而，將需要較高光子能(對應於短於100 nm之UV波長)以光解離H₂ 分子。在光解離程序之後，產生高反應性自由基，例如H及O；此等自由基將與某些表面污染物反應，從而輔助其自經處理表面移除。

舉例而言，O₂ 氣體可用作背景氣體且UV源可發射在(至少)第一UV波長及第二UV波長下之輻射。在此類實例中，O₂ 分子將由第一UV波長下之UV輻射解離成O自由基。O自由基中之一些將與O₂ 分子組合且形成將充當強氧化劑之臭氧(O₃ )分子。另外，彼等O₃ 分子中之一些將由第二UV波長下之UV輻射進一步解離成O自由基。所產生之高反應性O自由基及O₃ 分子將接著氧化含有機物之碳，例如烴簇或塗層，且將其轉換成氣態分子(例如CO或CO₂ )，該等氣態分子將隨後經由氣體循環自系統被移除。舉例而言，新的背景氣體可自氣體入口進入至系統中且在使系統循環之後，攜載所釋放之表面物質的背景氣體可經由氣體出口離開系統。表面處理裝置之壓力可自初始真空條件恢復至微影裝置之環境壓力。以相似方式，H₂ 氣體亦可用作背景氣體，其在曝光至合適UV波長(例如＜100 nm)下之UV輻射時，將被解離成H自由基。H自由基可與有機物及/或顆粒反應，或與含金屬物質(諸如金屬顆粒)反應，且因此自表面移除此等物質。

圖4說明根據第一實施例的用於圖案化器件(例如倍縮光罩)之表面處理裝置400。該表面處理裝置被部分圍封於外殼或腔室470中，該外殼或腔室在微影裝置中形成可拆卸的模組化單元。此可拆卸的模組化單元可位於諸如圖2中所說明之微影裝置之照明系統IL、投影系統PS或圖案化器件系統PD內部，且與此等子系統中之一者或全部共用真空環境。該表面處理裝置可經組態成使得當當前圖案化器件正用於曝光且由例如微影裝置之控制器作出對下一圖案化器件之請求時，此下一倍縮光罩將為已由該表面處理裝置400處理的經處理之圖案化器件。此經處理之圖案化器件將接著自表面處理裝置轉移至圖案化器件系統PD中之所要曝光部位。參看圖2，應在倍縮光罩對準步驟212開始之前完成執行表面處理及後續倍縮光罩轉移之步驟。

支撐結構可以各種不同設計予以實施且可以各種不同方式固持圖案化器件。在第一實施例中，包含連接至腔室470之壁之兩個支撐臂的支撐結構420自底部升高至某一高度。支撐結構420之兩個臂固持倍縮光罩410之後表面410b之周邊區的一部分。以此方式，倍縮光罩410之前(頂部)表面410a及後(底部)表面410b兩者係可接取的。應注意，支撐結構420之部位未受限制。在一不同實施例中，支撐結構420可位於任何其他合適的部位處，例如位於腔室之底部，使得倍縮光罩410之僅頂部表面410a可接取。替代地，在另一實施例中，支撐結構420位於腔室之頂部且倍縮光罩410保持倒轉使得倍縮光罩410之前表面410a之周邊區的至少一部分與支撐結構420接觸。如圖4中所說明，支撐結構420經組態成使得支撐結構420僅固持單個圖案化器件。然而，可在一個腔室中置放多少支撐結構且可由單個支撐結構固持多少圖案化器件並沒有限制。舉例而言，在其他實施例中，提供支撐複數個圖案化器件之單個支撐結構，或提供複數個支撐結構，其中每一支撐結構經組態以僅支撐單個圖案化器件或該複數個支撐結構中之一或多者可各自支撐複數個圖案化器件。

UV光源可包含非相干光源(例如氣體放電UV燈)或相干光源(例如UV雷射)。自UV光源發射之UV輻射應覆蓋真空UV(VUV)波長區之至少一部分，亦即10 nm至200 nm。在一些實施例中，UV輻射應覆蓋短於170 nm及/或100 nm之UV波長範圍的至少一部分。一或多個UV光源可位於腔室內部之任何合適部位處。舉例而言，在圖4中所說明之實例中，第一UV光源440a及第二UV光源440b分別提供於腔室470之頂部及底部，使得倍縮光罩410之前表面410a及後表面410b兩者可同時被除濕及清潔。UV光源440a、440b經組態以發射發散UV光450a、450b，該發散UV光450a、450b能夠在待處理之倍縮光罩表面所位於之平面處覆蓋倍縮光罩410之整個有用的表面積(例如除周邊處置區域460之外的所有表面積)。

可提供一或多個輸送氣體入口或噴嘴以提供氣流從而移除顆粒。在圖4中所說明之實例中，四個輸送氣體供應噴嘴430a至430d位於倍縮光罩表面附近以產生氣流，以用於帶走自倍縮光罩表面410a、410b釋放之任何物質(例如顆粒、OH及H自由基)。此處，向倍縮光罩410之每一表面410a、410b分配兩個噴嘴。由兩個各別噴嘴產生的在相反方向上傳播之兩個氣流在每一倍縮光罩表面中心處會合，在該中心處，其碰撞且遠離表面朝向一或多個出口480a、480b、480c、480d流動。輸送氣體供應噴嘴及/或出口之數目、部位及/或配置並不限於四個且將依應用而定。當表面處理程序完成且作出對倍縮光罩轉移之請求時，乾燥且清潔之倍縮光罩410將自表面處理裝置轉移(例如由輸送器件)至倍縮光罩隔室(例如圖案化器件腔室PD)中。

此外，反應性背景氣體可視情況被引入至在照明系統IL、圖案化器件系統PD、投影系統PS與表面處理裝置之間且尤其在腔室470內共用的真空環境中。此背景氣體供應可與由氣體噴嘴430a至430d提供之輸送氣體供應(用於將污染物輸送出腔室)相同或相異。舉例而言，可由氣體噴嘴430a至430d或由單獨氣體噴嘴490將背景氣體(例如乾燥O₂ 氣體或乾燥H₂ 氣體)引入至腔室470中。在循環之後，攜載用於倍縮光罩表面之所釋放物質之背景氣體最終將經由氣體出口480a至480d離開腔室。應注意，氣體噴嘴及氣體出口之數目、部位及/或配置可與本文中所說明及描述不同，且針對不同應用係不同的。提供背景氣體可藉由移除藉由單獨使用UV輻射而不能移除的許多額外污染物(例如碳及/或含顆粒之金屬)而改良清潔能力。在UV表面處理之後，應回復系統之真空環境以允許曝光處理後倍縮光罩。

由於UV表面處理為「冷」程序，因此成功地規避了「熱」表面除濕方法所需之長且不受控制的熱穩定時間且因而顯著改良了UV表面處理之速度。代替等待幾個小時來使「熱」處理後倍縮光罩完全沈降，可例如在僅數十秒內實現UV表面處理。因此，在轉移至倍縮光罩隔室中以用於曝光之後，經處理倍縮光罩可緊接用於曝光(例如一旦倍縮光罩對準步驟212完成)。UV表面處理所需之時間量可例如小於10s、20s、30s、40s或50s。取決於微影裝置內之表面處理裝置之部位及輸送器件之類型，將倍縮光罩在內部轉移至倍縮光罩載物台(以用於曝光)所需之時間量可相似於或短於將倍縮光罩自外部儲存容器裝載所需之時間量。在微影裝置之真空環境內裝載乾燥及清潔的倍縮光罩會防止此倍縮光罩在將其自微影裝置外部之部位裝載時被重新加濕及/或重新污染。可藉由微影裝置之控制器控制及排程開始UV表面處理之定時。舉例而言，當當前倍縮光罩被曝光時，可對下一倍縮光罩進行排程以同時開始表面處理程序，使得此下一倍縮光罩已完成處理且在當前倍縮光罩之使用結束時可用。

圖5說明根據另一實施例之表面處理系統500。此組態特別適用於通常使用反射倍縮光罩的EUV微影。與圖4中所說明之實施例相比，兩個支撐結構520a、520b並未相對於腔室570之底部升高某一高度，而是替代地直接固定至腔室570之底部。倍縮光罩510之後表面510b之周邊區的至少一部分與支撐結構520a、520b接觸使得倍縮光罩被穩定地固持。單個UV光源540用以運用UV光550僅照明倍縮光罩510之前表面510a。提供氣體供應噴嘴530a、530b以產生氣流以用於移除污染物及分子，例如經由出口580a、580b自表面移除出腔室570。此等氣體供應噴嘴可另外提供反應性背景氣體，否則一或多個額外噴嘴590可提供此背景氣體。

應注意，實際配置可不同於該特定實例中所說明之配置。舉例而言，可較佳的是，對顆粒污染之最敏感表面應指向下而非向上(由於重力)且因此倍縮光罩510可自所展示之倍縮光罩倒轉(前表面510a面向下)，其中UV光源540自下方照明此表面。又，應記住，倍縮光罩之夾持背面應保持清潔及乾燥。

代替包含於可拆卸模組化單元內，表面處理裝置可完全整合至固持有待曝光圖案化器件之圖案化器件系統PD中之現有環境中。圖6說明根據另一實施例之表面處理裝置的整合式版本。在此狀況下，圖案化器件系統PD之支撐結構620 (與圖2之支撐結構MT對應)充當表面處理裝置之支撐結構620。圖案化器件系統PD中之現有氣流用以移除在UV表面處理期間釋放之表面物質。

如圖6中所展示，反射倍縮光罩610係由支撐結構620固持，其前表面面朝向投影EUV光束。UV光源640 (與EUV源分離)位於距倍縮光罩之反射前表面某一距離處且位於入射EUV光束56與反射EUV光束57之間。UV光源640將發散UV光束650朝向倍縮光罩610之頂部表面發射。發散UV光束650之光點大小足夠大以覆蓋倍縮光罩表面積。位於倍縮光罩表面之兩個邊緣處之兩個氣體供應噴嘴(圖中未繪示)用以產生兩個氣流，該兩個氣流在倍縮光罩表面之中心碰撞且自該表面移走(向下)。取決於應用，可存在用於氣體供應噴嘴之許多其他不同的配置。舉例而言，根據另一實施例，圖案化器件可不同地固持於不同微影裝置中，且因此可希望將不同數目個噴嘴置放於不同部位處。

在將倍縮光罩610裝載至圖案化器件系統PD中且安裝至支撐結構620上之後，將由系統控制器啟用UV光源以執行包括除濕及清潔之表面處理。所釋放物質，例如顆粒、氣態分子、OH及H自由基將由周圍氣流帶走且最終自系統被移除。與其中在單獨隔室或模組化單元中執行表面處理的圖4及圖5之實施例相比，此實施例中之原位UV表面處理藉由消除了對輸送器件之需求而進一步簡化了系統設計。自起始UV表面處理至被裝載及準備好進行曝光的總體程序時間可與在前兩個實施例中之總體程序時間相似。

以上實施例及實例描述用於處理圖案化器件/倍縮光罩之實施例。應注意，所論述之許多問題亦可影響其他基板，且尤其影響經圖案化之基板(晶圓)。因此，本文中所描述之方法及器件應被理解為包括用於例如在經圖案化之前處理此類晶圓的等效方法及器件。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

42:輻射系統 47:源腔室 50:收集器/正入射收集器鏡面 52:孔隙 53:反射器 54:反射器 55:輻射光束 56:輻射光束 57:經圖案化光束/輻射光束 58:反射元件 59:反射元件 61:雷射系統 63:雷射光束 65:光束遞送系統 67:孔隙 69:目標材料/燃料流 71:目標材料供應件 72:截留器 73:電漿形成位置 100:微影裝置 200:步驟 202:步驟/量測資訊 204:步驟/量測資訊 206:配方資料 208:量測資料 210:步驟 212:倍縮光罩對準步驟 214:步驟 216:步驟 218:步驟 220:步驟 400:表面處理裝置 410:倍縮光罩 410a:前表面/頂部表面/倍縮光罩表面 410b:後表面/倍縮光罩表面 420:支撐結構 430a:輸送氣體供應噴嘴 430b:輸送氣體供應噴嘴 430c:輸送氣體供應噴嘴 430d:輸送氣體供應噴嘴 440a:第一紫外線(UV)光源 440b:第二紫外線(UV)光源 450a:發散紫外線(UV)光 450b:發散紫外線(UV)光 460:周邊處置區域 470:腔室 480a:出口 480b:出口 480c:出口 480d:出口 490:氣體噴嘴 500:表面處理系統 510:倍縮光罩 510a:前表面 510b:後表面 530a:氣體供應噴嘴 530b:氣體供應噴嘴 540:紫外線(UV)光源 550:紫外線(UV)光 570:腔室 580a:出口 580b:出口 590:額外噴嘴 610:反射倍縮光罩 620:支撐結構 640:紫外線(UV)光源 650:發散紫外線(UV)光束 B:輻射光束 C:目標部分 CL:靜電夾具 EXP:曝光站 IF:中間焦點/虛擬源點 IL:照明系統/照明器 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化器件/倍縮光罩 MEA:量測操作/量測站 MT:支撐結構/圖案化器件支撐件 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:圖案化器件腔室/圖案化器件系統 PE:護膜 PM:第一定位器 PS:投影系統 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 SO:源模組 SPF:極紫外線(EUV)隔膜/光譜純度濾光器 VPA:真空預對準器 W:基板/晶圓 W':基板/晶圓 W'':經曝光基板 WSC:晶圓載物台隔室 WT:基板載物台

現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：

圖1示意性地描繪具有反射投影光學件之微影裝置；

圖2為具有晶圓載物台隔室之圖1之裝置的更詳細視圖；

圖3示意性地說明根據已知實務及根據本發明之一實施例經修改的雙載物台微影裝置中之量測及曝光程序；

圖4示意性地說明根據本發明之第一實施例的用於以模組化形式對圖案化器件進行表面處理的裝置。

圖5示意性地說明根據本發明之第二實施例的用於以模組化形式對圖案化器件進行表面處理的另一裝置。

圖6示意性地說明根據本發明之第三實施例的用於以一體化形式對圖案化器件進行表面處理的裝置。

400:表面處理裝置

410:倍縮光罩

410a:前表面/頂部表面/倍縮光罩表面

410b:後表面/倍縮光罩表面

420:支撐結構

430a:輸送氣體供應噴嘴

430b:輸送氣體供應噴嘴

430c:輸送氣體供應噴嘴

430d:輸送氣體供應噴嘴

440a:第一紫外線(UV)光源

440b:第二紫外線(UV)光源

450a:發散紫外線(UV)光

450b:發散紫外線(UV)光

460:周邊處置區域

470:腔室

480a:出口

480b:出口

480c:出口

480d:出口

490:氣體噴嘴

Claims

一種用於對基板除濕之表面處理裝置，其包含：一或多個支撐結構，其用於支撐一或多個基板；一或多個紫外線照明源，其經組態以發射紫外線照明，且可操作以在該一或多個基板由該一或多個支撐結構支撐時處理該一或多個基板之該至少一個表面；其中該一或多個紫外線照明源與一曝光源相異且並不可操作以發射用於在一晶圓上曝光一圖案之曝光照明。
如請求項1之表面處理裝置，該一或多個紫外線照明源經組態以發射一第一UV波長及一第二UV波長。
如請求項1或2之表面處理裝置，其進一步包含複數個紫外線照明源，該等各別紫外線照明源中之每一者經組態以朝向該至少一個表面之一各別部分發射紫外線照明。
如請求項1或2之表面處理裝置，其中來自該一或多個紫外線照明源之該紫外線照明包含在10 nm與200 nm之間的範圍內之一或多個波長。
如請求項1或2之表面處理裝置，其中來自該一或多個紫外線照明源之該紫外線照明包含在10 nm與170 nm之間的範圍內之一或多個波長。
如請求項1或2之表面處理裝置，其中來自該一或多個紫外線照明源之該紫外線照明包含在10 nm與100 nm之間的範圍內之一或多個波長。
如請求項1或2之表面處理裝置，其中該一或多個支撐結構中之至少一者可操作以支撐複數個基板。
如請求項1或2之表面處理裝置，其進一步包含一或多個輸送氣體供應源，該一或多個輸送氣體供應源經組態以產生一或多個輸送氣流以用於運走在該表面處理期間自該一或多個基板釋放的顆粒。
如請求項8之表面處理裝置，其中該一或多個氣流包含氮氣(N₂ )或氫氣(H₂ )中之一或多者。
如請求項1或2之表面處理裝置，其包含用於將一反應性背景氣體供應至該表面處理裝置中之一或多個背景氣體源。
如請求項10之表面處理裝置，其中該反應性背景氣體或其由該紫外線照明對該背景氣體之效應所產生的產物可操作以輔助移除該一或多個基板之該至少一個表面上之一或多個污染物顆粒。
如請求項11之表面處理裝置，其中該背景氣體包含氧氣或氫氣(H₂ )中之一或多者。
如請求項2之表面處理裝置，其中該背景氣體包含氧氣且該第一UV波長經組態以將氧氣解離成O自由基。
如請求項1或2之表面處理裝置，其中該等基板中之每一者包含用於在一微影程序中圖案化一晶圓之一圖案化器件。
如請求項14之表面處理裝置，其中該圖案化器件包含以下各者中之一或多者：一倍縮光罩、一可程式化鏡面陣列及一可程式化LCD面板。
如請求項1或2之表面處理裝置，其中該等基板中之每一者包含用於在一微影程序中在其上曝光一圖案之一晶圓。
如請求項1或2之表面處理裝置，其包含用於至少部分地圍封至少該一或多個支撐結構及該一或多個紫外線照明源之一外殼。
如請求項17之表面處理裝置，其中該外殼包含一模組化外殼，該模組化外殼經組態以與一微影裝置之一或多個其他外殼界接使得該表面處理裝置及該一或多個其他外殼共用一共同真空或部分真空環境。
如請求項14之表面處理裝置，其中該表面處理裝置包含於一微影裝置內之適當腔室內，該適當腔室：在該基板包含一圖案化器件的情況下，為一圖案化器件腔室，使得該一或多個支撐結構包含用於在一曝光期間支撐該圖案化器件之一圖案化支撐件；或在該基板包含一晶圓的情況下，為一晶圓載物台隔室，使得該一或多個支撐結構包含用於在一曝光期間支撐該晶圓之一晶圓支撐件。
一種微影裝置，其包含一如請求項1或2之表面處理裝置，該表面處理裝置用於在使用一或多個基板或對該一或多個基板執行一曝光之前處理該一或多個基板之表面。
如請求項20之微影裝置，其中該表面處理裝置至少部分地圍封於一模組化單元中且該模組化單元位於該微影裝置內。
如請求項21之微影裝置，其中該模組化單元自該微影裝置可拆卸。
如請求項20之微影裝置，其進一步包含一輸送器件，該輸送器件用以將一經處理基板自該模組化單元轉移至一所要部位以用於運用該經處理基板執行一微影曝光。
如請求項20之微影裝置，其可操作以使用該表面處理裝置對經排程以用於一後續曝光之一第二基板執行一表面處理程序，與使用一第一基板執行一曝光至少部分地同時進行。
如請求項20之微影裝置，其包含一圖案化器件系統，其中該表面處理裝置整合於該圖案化器件系統內使得該圖案化器件系統及用於基板之表面處理之該裝置共用相同的支撐結構。
如請求項20之微影裝置，其包含一晶圓載物台隔室，其中該表面處理裝置整合於該晶圓載物台隔室內使得該晶圓載物台隔室及用於基板之表面處理之該裝置共用相同的支撐結構。
如請求項20之微影裝置，其包含一EUV或DUV微影系統。
一種用於處理在一微影程序中所使用之一或多個基板之至少一個表面之方法，該處理包含至少對該至少一個表面除濕，該方法包含：運用紫外線照明來照明該至少一個表面，其中該紫外線照明與用於在一晶圓上曝光一圖案之曝光照明相異。
如請求項28之方法，其中該紫外線照明包含在10 nm與200 nm之間的範圍內之一或多個波長。
如請求項28之方法，其中該紫外線照明包含在10 nm與170 nm之間的範圍內之一或多個波長。
如請求項28之方法，其中該紫外線照明包含在10 nm與100 nm之間的範圍內之一或多個波長。
如請求項28至31中任一項之方法，其包含產生一或多個輸送氣流以用於運走在該表面處理期間自該一或多個基板釋放的顆粒。
如請求項32之方法，其中該一或多個氣流包含氮氣(N₂ )或氫氣(H₂ )中之一或多者。
如請求項28至31中任一項之方法，其包含在該處理期間供應一反應性背景氣體，使得該反應性背景氣體或其由該紫外線照明對該背景氣體之效應所產生的產物輔助移除該至少一個表面上之一或多個污染物顆粒。
如請求項31之方法，其中該背景氣體包含氧氣或氫氣中之一或多者。
如請求項28至31中任一項之方法，其包含將每一經處理基板輸送至一基板腔室內之一基板支撐件。
如請求項28至31中任一項之方法，其包含使用該經處理基板或對該經處理基板執行一微影曝光以曝光一圖案。
如請求項28至31中任一項之方法，其中該使用該經處理基板或對該經處理基板執行一微影曝光係與一後續基板之處理至少部分地同時執行。
如請求項28至31中任一項之方法，其中該等基板中之每一者包含用於在一微影程序中圖案化一晶圓之一圖案化器件。
如請求項28至31中任一項之方法，其中該等基板中之每一者包含用於在一微影程序中在其上曝光一圖案之一晶圓。