JP2005294834A - リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィック装置及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】リソグラフィック装置は、照明システムに放射を提供するようになされた放射源であって、第１の波長範囲の放射及び第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の放射を提供するようになされた放射源を備えている。サポートは、放射の断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされている。基板テーブルは、基板を保持するようになされ、投影システムは、パターン化された放射を基板の目標部分に投射するようになされている。第１の波長範囲は、リソグラフィック装置の一次波長である。第２の波長範囲は、リソグラフィック装置のセットアップに使用することができる。このセットアップには、較正、認定、性能試験及びアラインメントのうちの１つ又は複数が含まれている。また、第２の波長範囲を使用して他の基板を露光することも可能である。
【選択図】図１

Description

本発明はリソグラフィック装置及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィック装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィック装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクなどのパターン化デバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料（レジスト）の層を有する基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば１つ又は複数のダイ部分からなる）に画像化される。通常、１枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィック装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。

放射源からウェハ上の目標部分へ放射を透過させるためには、リソグラフィック装置には、制御された環境、たとえば真空環境などが必要である。たとえば極ＵＶ（ＥＵＶ）放射（１３ｎｍ放射など）を使用しているリソグラフィック装置の場合、比蒸気レベル及び比ガス・レベルが所定のレベル未満である制御された環境が必要である。蒸気及びガスは、ＥＵＶ放射を吸収するか、或いはＥＵＶ放射と相俟って光学的表面の汚染を促進する。ＥＵＶリソグラフィック装置の場合、制御された環境には、炭化水素（ＣｘＨｙ）の分圧が１０^−９トール未満であり、また、水（Ｈ_２Ｏ）の分圧が１０^−７トール未満である必要がある。リソグラフィック装置をたとえば保守のために開放する毎に、制御された環境を（再）確立しなければならず、そのためには多くの時間（数時間程度の時間）が必要であり、その間、事実上、リソグラフィック装置を使用することはできない。

また、他のタイプの放射（たとえば１５７ｎｍ或いは１９３ｎｍの放射）を使用しているリソグラフィック装置の場合も、制御された環境に対する要求事項は、ＥＵＶタイプのリソグラフィック装置の場合の要求事項とは異なるが、同じく制御された環境が必要である。この場合、制御された環境を（再）確立するために必要な時間は短いが、依然としてリソグラフィック装置の有効稼動使用時間に影響を及ぼしている。たとえば１５７ｎｍ近辺の放射を使用する場合、空気及び水蒸気によって１５７ｎｍの放射が吸収される。この放射の有効な使用を可能にするためには、空気及び水蒸気が所定の濃度レベル未満の制御された環境が必要である。この環境は、リソグラフィック装置のビーム経路を、窒素（Ｎ_２）、ヘリウム（Ｈｅ）或いは１５７ｎｍの投影ビームの放射に対して実質的に透明なガスの混合物などのパージ・ガスでパージすることによって達成される。１９３ｎｍシステムの場合、大気中の酸素によって放射が吸収されるため、制御された環境は、たとえば乾燥した窒素ガスでシステムをパージすることによって酸素の存在を実質的に除去しなければならない。

本発明の一態様によれば、より有効に使用することができる（たとえば稼動時間の長い）リソグラフィック装置及びデバイス製造方法が提供される。

本発明の一態様によれば、照明システムに放射を提供するようになされた放射源であって、第１の波長範囲の放射及び第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の放射を提供するようになされた放射源と、放射の断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされたサポートと、基板を保持するようになされた基板テーブルと、パターン化された放射を基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えたリソグラフィック装置が提供される。

リソグラフィック装置の基本機能として、第１の波長範囲の放射を使用して基板が露光される。第１の波長範囲の放射を使用するための制御された環境が確立されている間は、第２の波長範囲の放射が使用される。また、第２の波長範囲の放射を使用して他の基板を露光し、或いはリソグラフィック装置の較正若しくは他の保守機能を実施することができる。放射源は、両方の波長範囲の放射を同時に提供することができ、或いは個別の時間窓で提供することができるため、リソグラフィック装置の有効稼動時間が長くなる。

本発明の一実施例では、放射源は、第１及び第２の両方の波長範囲の放射を提供するようになされた放射源を備えており、さらに、第１若しくは第２の波長範囲の放射を提供するようになされた取外し可能フィルタを備えている。この実施例は、必要に応じてリソグラフィック装置の正規放射経路への第２の波長の放射の挿入を可能にしている。取外し可能フィルタは、第１若しくは第２の波長範囲のいずれかの放射を透過させるべく適合させることができる。たとえば、制御された環境が確立されている間、大気中に依然として存在しているあらゆる粒子を使用して第１の波長範囲の放射を吸収させ（第２の波長範囲の放射を有効に引き渡す）ことができ、また、リソグラフィック装置を稼動使用（第１の波長範囲）している間、第２の波長範囲の放射をフィルタ除去することができる。

代替実施例では、放射源は、第１の波長範囲の放射を提供するようになされた第１の放射源エレメントと、第２の波長範囲の放射を提供するようになされた第２の放射源エレメントと、第２の放射源エレメントから照明システムへ放射を導くようになされた、ミラーなどの取外し可能放射ディレクタとを備えている。この実施例の場合、リソグラフィック装置の光路に第２の波長範囲の放射を追加することができる。

第１の波長範囲は、制御された環境においてのみ使用される波長範囲であり、第２の波長範囲は、たとえば制御された環境が確立されていない場合に使用される。制御された環境は、上で考察したように、リソグラフィック装置のタイプによって様々であるが、たとえば真空のレベル（たとえば１０^−５トール未満さらには１０^−７トール未満）のみに関連している場合もある。また、制御された環境は、リソグラフィック装置の汚染の原因になる他のガス及び蒸気のレベル、たとえば炭化水素或いは水蒸気のレベルを制限することも可能である。

他の代替実施例では、ＥＵＶ領域に第１の波長範囲が存在しており、たとえば１３ｎｍであるが、ＵＶ領域に第１の波長範囲が存在し、たとえば１５７ｎｍ或いは１９３ｎｍであっても良い。したがって本発明は、リソグラフィック装置の将来のタイプにも既存のタイプにも適用することができる。

上で考察したように、リソグラフィック装置のセットアップに第２の波長範囲を使用することができる。このセットアップには、（干渉計の）較正、認定（ミラー・マップの決定など）、性能試験及びアラインメントのうちの１つ又は複数が含まれている。長時間を必要とする制御された環境を生成しなければならないＥＵＶタイプのリソグラフィック装置に適用する場合、この実施例により、ＥＵＶリソグラフィック装置を時間的により有効に使用することができる。

代替として、或いは同じ実施例において、第１の波長範囲を使用して基板を露光し、第２の波長範囲を使用して他の基板を露光することができる。また、制御された（高真空）環境をポンプ・ダウンしている間、非ＥＵＶ露光にＥＵＶリソグラフィック装置を使用することができる。

本発明の他の実施例では、第２の波長範囲は、１５０ｎｍと３５０ｎｍの間の範囲に存在している。この波長範囲では、ＥＵＶリソグラフィック装置のミラーの反射が２％より大きいため、アライメント或いは較正に第２の波長範囲の放射を使用することができる。

本発明の他の態様によれば、基板を提供するステップと、第１の波長範囲及び第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の放射を提供するステップと、放射の断面をパターン化するステップと、パターン化された放射を基板の目標部分に投射するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。第１及び第２の波長範囲の放射は、同時に提供することができ、或いは異なる時間窓で提供することができる。

本発明によるデバイス製造方法により、上で言及した本発明によるリソグラフィック装置の実施例と同様、リソグラフィック装置をより有効に使用することができる。

本明細書においては、リソグラフィック装置の、とりわけＩＣの製造における使用が参照されているが、本明細書において説明するリソグラフィック装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることを理解されたい。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するべく複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。

本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができるデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。また、ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路中の特定の機能層に対応している。

パターン化デバイスは、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化デバイスの実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。

サポートは、パターン化デバイスを支持し、たとえばパターン化デバイスの重量を支えている。サポートは、パターン化デバイスの配向、リソグラフィック装置の設計及び他の条件、たとえばパターン化デバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化デバイスを保持している。サポートには、機械式締付け技法、真空締付け技法或いは他の締付け技法、たとえば真空条件下における静電締付け技法を使用することができる。サポートは、たとえば必要に応じて固定若しくは移動させることができ、且つ、たとえば投影システムに対してパターン化デバイスを確実に所望の位置に配置することができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」という用語の同義語と見なすことができる。

本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、たとえば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。

また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。

リソグラフィック装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。

また、リソグラフィック装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に浸され、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィック装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの第１のエレメントの間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。

以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィック装置ＬＰを略図で示したものである。このリソグラフィック装置は、放射（たとえばＵＶ放射若しくはＥＵＶ放射）ビームＰＢを提供するようになされた照明システム（イルミネータ）ＩＬを備えている。第１のサポート（たとえばマスク・テーブル）ＭＴは、パターン化デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するようになされ、パターン化デバイスを投影システム（「レンズ」）ＰＬに対して正確に配置する第１の位置決めデバイスＰＭに接続されている。基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴは、基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するようになされ、基板を投影システム（「レンズ」）ＰＬに対して正確に配置する第２の位置決めデバイスＰＷに接続されている。

投影システム（たとえば反射投影レンズ）ＰＬは、パターン化デバイスＭＡによってビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分（たとえば１つ又は複数のダイが含まれている）に画像化するようになされている。

図に示すように、このリソグラフィック装置は、反射型（たとえば反射型マスク若しくは上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した）タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィック装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。

イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームＰＢを提供している。放射源がたとえばプラズマ放電源である場合、放射源及びリソグラフィック装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィック装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、通常、たとえば適切な集光ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタを備えた放射コレクタを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィック装置の一構成要素である。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、放射システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、ビームＰＢの角強度分布を調整するようになされた調整デバイスを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。イルミネータは、所望する一様な強度分布をその断面に有する調節済み放射ビームを提供している。

ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡで反射したビームＰＢは、ビームを基板Ｗの目標部分に集束させるレンズＰＬを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ２（たとえば干渉デバイス）を使用して正確に移動させることができ、それにより、たとえば異なる目標部分をビームＰＢの光路内に配置することができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭ及び位置センサＩＦ１を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、対物テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭ及びＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されているが、ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。

図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モード
基本的にマスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分に１回で投影される（つまり単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分が露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分のサイズが制限される。
２．走査モード
投影ビームに付与されたパターンが目標部分に投影されている間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期走査される（つまり単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の）が決定される。
３．その他のモード
プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分に投影されている間、基板テーブルＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。

上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。

通常の大気中の多くの分子によって１３ｎｍ波長の放射が吸収されるため、上で説明した、たとえばＥＵＶ放射で動作する、基板Ｗを露光するためのリソグラフィック装置には超高真空環境が必要である。超高真空環境に到達するためには、露光放射が伝搬するリソグラフィック装置内のあらゆる空間を超高真空環境にしなければならない。そのために、リソグラフィック装置の主要部分及びその関連コンポーネントは、真空チャンバ内に置かれている。真空チャンバを排気するプロセスには数時間の時間が必要であり、その間、リソグラフィック装置を使用して正規に基板を露光することはできない。

図２は、図１に示すリソグラフィック装置の放射源ＳＯの第１の実施例を簡易図でより詳細に示したものである。この実施例では、放射源ＳＯは、２つの放射源エレメント２及び３を備えている。第１の放射源エレメント２は、リソグラフィック装置の正規の動作に使用される第１の一次波長で放射している。この第１の放射源エレメント２は、たとえばＥＵＶ源を備えており、たとえば照明システムＩＬに１３ｎｍの放射を提供している。

第２の放射源エレメント３は、超高真空環境に到達するまでの間、リソグラフィック装置に使用することができる第２の波長で放射している。この第２の波長は、１５０ｎｍから３５０ｎｍまでの範囲の波長であることが有利である。リソグラフィック装置に使用されるミラー及び光学は、ＥＵＶ放射（１３ｎｍの）用に設計されるが、第２の波長の反射がやはり生じることになる。ＥＵＶ放射用に設計されるマスク及び光学は、第２の波長の放射をそれほど良好に透過させることはできない（推定では２％より大きい）が、それでも大抵のアプリケーションには十分である。

リソグラフィック装置への第２の放射源エレメント３からの放射の到達を可能にするべく、可動ミラー４が提供されている。正規の動作中は、照明システムＩＬに向かう第１の放射源エレメント２のビーム経路外へミラー４を移動させることができる。可動ミラー４は、リソグラフィック装置がポンプ・ダウン・フェーズにある間、ミラー４を図２に示す配向で配置することができる傾斜ミラー構造を使用して実施することも可能である。ミラー４は、動作フェーズでは、照明システムＩＬへの第１の放射源エレメント２からの放射の引渡しを可能にするべく傾斜させることができる。

図３は、本発明による放射源ＳＯの他の実施例を示したものである。この実施例では、放射源ＳＯは、第１及び第２の両方の波長で放射を放出する単一放射源１を備えており、たとえば第２の波長の放射のみを通過させるためのフィルタ５が、放射源１と照明システムＩＬの間に提供されている。第２のフィルタ（図示せず）を使用して第１の波長の放射のみを通過させることができ、また、放射ビーム経路内における第１のフィルタ５若しくは第２のフィルタの位置に応じて、第１の波長と第２の波長の間で選択することができる。別法としては、リソグラフィック装置の動作状態において第１の波長の放射のみを通過させるフィルタ５を使用することも可能である。大気中に依然として存在している分子によって第１の波長の放射が吸収されるため、このフィルタ５は、真空フェーズの間は除去される。

超高真空をリソグラフィック装置内に確立している期間の間、第２の波長の放射を使用することができる。第２の波長の放射は、リソグラフィック装置のセットアップ、認定、ミラー・マップなどの性能試験及び干渉計の較正に使用することが可能である。第２の波長の放射をセットアップ・プロセスに使用する場合、第２の波長で動作させることができる、たとえば他のタイプのリソグラフィック装置で知られているセンサを使用することができる。また、真空を確立している期間の間、第２の波長の放射を使用して他のウェハを露光することができる（場合によっては異なるタイプのマスクを使用して）。いずれの場合においても稼動時間が長くなり、リソグラフィック装置を有効に使用することができる。

様々な実施例を参照して上で説明した放射源には、放電ランプを始めとする任意のタイプの放射源を使用することができる。

本発明の実施例について、第１の動作波長が１３ｎｍ近辺のＥＵＶリソグラフィック装置を参照して説明したが、本発明による多重波長放射源は、他のタイプのリソグラフィック装置に適用することも可能である。約１５７ｎｍ或いは約１９３ｎｍの一次動作波長で動作するリソグラフィック装置にも高真空環境が必要であるが、このような場合も、第２の波長の放射源を使用することにより、リソグラフィック装置の有効稼動時間を長くすることができる。

以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。以上の説明は、本発明の制限を意図したものではない。

本発明の一実施例によるリソグラフィック装置を示す図である。 図１に示すリソグラフィック装置の放射源ＳＯの第１の実施例をより詳細に示す簡易図である。 図１に示すリソグラフィック装置の放射源ＳＯの第２の実施例をより詳細に示す簡易図である。

符号の説明

１ 単一放射源
２、３ 放射源エレメント
４ 可動ミラー
５ フィルタ
ＩＦ１、ＩＦ２ 位置センサ
ＩＬ 照明システム（イルミネータ）
ＬＰ リソグラフィック装置
Ｍ１、Ｍ２ マスク位置合せマーク
ＭＡ パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ 第１のサポート（マスク・テーブル）
Ｐ１、Ｐ２ 基板位置合せマーク
ＰＢ 放射ビーム
ＰＬ 投影システム（「レンズ」）
ＰＭ 第１の位置決めデバイス
ＰＷ 第２の位置決めデバイス
ＳＯ 放射源
Ｗ 基板（レジスト被覆ウェハ）
ＷＴ 基板テーブル

Claims (22)

1. 照明システムに放射を提供するようになされた放射源であって、第１の波長範囲の放射及び第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の放射を提供するようになされた放射源と、
   前記放射の断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされたサポートと、
   基板を保持するようになされた基板テーブルと、
   パターン化された放射を前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えたリソグラフィック装置。
2. 前記放射源が、前記第１及び第２の両方の波長範囲の放射を提供することができる放射源と、前記第１若しくは第２の波長範囲の前記放射を提供するようになされた取外し可能フィルタとをさらに備えた、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
3. 前記放射源が、前記第１の波長範囲の放射を提供するようになされた第１の放射源エレメントと、前記第２の波長範囲の放射を提供するようになされた第２の放射源エレメントと、前記第２の放射源エレメントから前記照明システムへ放射を導くようになされた取外し可能放射ディレクタとをさらに備えた、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
4. 前記第１の波長範囲が、制御された環境で使用される波長範囲であり、前記第２の波長範囲が、前記制御された環境が確立されていない場合に使用される波長範囲である、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
5. 前記第１の波長範囲がＥＵＶ領域に存在する、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
6. 第１の波長が約１３ｎｍである、請求項５に記載のリソグラフィック装置。
7. 前記第１の波長範囲がＵＶ領域に存在する、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
8. 前記第１の波長が約１５７ｎｍと１９３ｎｍの間の範囲に存在する、請求項７に記載のリソグラフィック装置。
9. 前記第２の波長範囲が前記リソグラフィック装置のセットアップに使用され、前記セットアップが、較正、認定、性能試験及びアラインメントのうちの１つ又は複数からなる、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
10. 前記第１の波長範囲を使用して前記基板が露光され、前記第２の波長範囲を使用して他の基板が露光される、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
11. 前記第２の波長範囲が約１５０ｎｍと３５０ｎｍの間の範囲に存在する、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
12. 基板を提供するステップと、
    第１の波長範囲の放射及び前記第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の放射を提供するステップと、
    前記放射の断面をパターン化するステップと、
    パターン化された放射を前記基板の目標部分に投射するステップとを含むデバイス製造方法。
13. 前記第１若しくは第２の波長範囲の放射をフィルタ除去するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１若しくは第２の波長範囲の放射を照明システムに導くステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
15. 前記第１の波長範囲が、制御された環境中を放射が伝搬する波長範囲であり、前記第２の波長範囲が、前記制御された環境が確立されていない場合に放射が伝搬する波長範囲である、請求項１２に記載の方法。
16. 前記第１の波長範囲がＥＵＶ領域に存在する、請求項１２に記載の方法。
17. 第１の波長が約１３ｎｍである、請求項１６に記載の方法。
18. 前記第１の波長範囲がＵＶ領域に存在する、請求項１２に記載の方法。
19. 前記第１の波長が約１５７ｎｍと１９３ｎｍの間の範囲に存在する、請求項１８に記載の方法。
20. リソグラフィック装置のセットアップに前記第２の波長範囲を使用するステップをさらに含み、前記セットアップが、較正、認定、性能試験及びアラインメントのうちの１つ又は複数からなる、請求項１２に記載の方法。
21. 前記基板の露光に前記第１の波長範囲を使用するステップと、他の基板の露光に前記第２の波長範囲を使用するステップとをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
22. 前記第２の波長範囲が約１５０ｎｍと３５０ｎｍの間の範囲に存在する、請求項１２に記載の方法。

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