CN1677239A - 光刻设备及器件制造方法 - Google Patents

光刻设备及器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1677239A
CN1677239A CNA2005100595681A CN200510059568A CN1677239A CN 1677239 A CN1677239 A CN 1677239A CN A2005100595681 A CNA2005100595681 A CN A2005100595681A CN 200510059568 A CN200510059568 A CN 200510059568A CN 1677239 A CN1677239 A CN 1677239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radiation
wavelength coverage
wavelength
lithographic equipment
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100595681A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100520588C (zh
Inventor
E·A·F·范德帕斯奇
M·H·M·比姆斯
M·H·A·里德斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN1677239A publication Critical patent/CN1677239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100520588C publication Critical patent/CN100520588C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
    • A47G25/00—Household implements used in connection with wearing apparel; Dress, hat or umbrella holders
    • A47G25/14—Clothing hangers, e.g. suit hangers
    • A47G25/1407—Clothing hangers, e.g. suit hangers with identification means
    • A47G25/1414—Clothing hangers, e.g. suit hangers with identification means connected to the hook member
    • A47G25/1421—Clothing hangers, e.g. suit hangers with identification means connected to the hook member at the top
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光刻设备，包括：配置成向照明系统提供辐射的辐射源，该辐射源配置成提供第一波长范围和第二波长范围的辐射，该第二波长范围不同于第一波长范围；支撑物，配置成支撑图形化装置，该图形化装置配置成向辐射的横截面传递图形；衬底工作台，配置成支持衬底；以及投影系统，配置成将图形化的辐射投影到衬底的目标部分上。第一波长范围是该光刻设备的主要波长。第二波长范围用于初始化该光刻设备，该初始化包括校准、验证、性能测试以及对准中的一种或多种。第二波长范围也可用于曝光另外的衬底。

Description

光刻设备及器件制造方法
技术领域
本发明涉及光刻设备和器件制造方法。
背景技术
光刻设备是将期望图形应用到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于，例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图形化装置(例如掩模)可用于产生与IC的单层相对应的电路图形，并且该图形可以成像到具有辐射敏感材料层(抗蚀剂)的衬底的目标部分上(例如，包括一个或几个芯片的部分)。通常，单个衬底包含将被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的分步投影光刻机(stepper)，其中通过将整个图形一次曝光在目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪(scanner)，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)穿过投影束扫描图形并且同时平行或反平行于该方向扫描衬底来照射每个目标部分。
光刻设备可能需要受控环境(例如，真空环境)以能够将辐射从源传送到晶片上的目标部分。例如，在使用极紫外(EUV)辐射(例如13nm)的光刻设备中，需要受控环境，其中特定蒸汽和气体水平低于预定水平。蒸汽和气体或者吸收EUV辐射，或者与辐射结合起来促进光学表面的污染。在EUV光刻设备中，受控环境需要碳氢化合物(CxHy)的分压低于10-9Torr，水(H2O)的分压低于10-7Torr。每次打开该光刻装置时，例如为了维护的目的，必须(重新)建立受控环境。这需要大量时间(大约几小时)，在此期间不能有效使用光刻设备。
同样，对于使用其它辐射(例如，157nm或193nm)的光刻设备，受控环境也是必需的，当然对此受控环境的要求可能不同于EUV型光刻设备对受控环境的要求。这可能需要较少的时间来(重新)建立受控环境，但是仍然对此光刻设备的有效操作使用时间有影响。例如，当使用大约157nm范围内的辐射时，空气和水蒸汽将吸收157nm的辐射。为了能够有效使用此辐射，需要其中空气和水蒸汽低于预定浓度水平的受控环境。这可以通过使用净化气体(例如，氮气(N2)、氦(He)或者对于157nm的投影束的辐射基本透明的气体的混合物)净化该光刻设备中的射束路径来实现。在193nm系统中，辐射被大气中的氧气吸收，受控环境应当基本消除这种气体的出现，例如，通过使用干燥氮气净化该系统。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种光刻设备和器件制造方法，它们在使用(例如，操作时间)中更有效。
根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：辐射源，配置成向照明系统提供辐射；辐射系统，配置成提供第一波长范围和第二波长范围的辐射，第二波长范围不同于第一波长范围；支撑物，配置成支撑图形化装置，该图形化装置配置成向辐射的截面传递图形；衬底工作台，配置成支撑衬底；投影系统，配置成将图形化的辐射投影到衬底的目标部分上。
第一波长范围的辐射可用于曝光衬底，这是该光刻设备的基本功能。可以在其间建立用于第一波长范围辐射的受控环境的时间内使用第二波长范围的辐射。第二波长范围的辐射可以用于曝光另外的衬底，或者例如用于执行校准或该光刻设备中的其它维护。辐射源可以同时或者在分开的时窗中提供两种波长范围的辐射。因此，增加了该光刻设备的有效工作时间。
在本发明的一个实施例中，辐射源包括配置成提供第一和第二波长范围的辐射的辐射源，并且另外包括配置成提供第一或第二波长范围的辐射的可移动滤光器。该实施例允许在需要时将第二波长辐射插到光刻设备的正常辐射路径中。该可移动滤光器可适用于透射第一或者第二波长范围的辐射。例如，在受控环境建立阶段使用空气中任何仍然存在的粒子吸收第一波长范围的辐射，并且在光刻设备的操作使用(第一波长范围)期间滤除第二波长范围的辐射是可能的。
在可供选择的实施例中，辐射源包括配置成提供第一波长范围辐射的第一辐射源元件，配置成提供第二波长范围浮栅的第二辐射源元件，以及配置成将辐射从第二辐射源元件导向到照明系统的可移动辐射导向器。在该实施例中，可能将第二波长范围的辐射加入到光刻设备的光路中。
例如，第一波长范围是仅在受控环境中使用的波长范围，而第二波长范围是在未建立受控环境时使用的。受控环境可能取决于光刻设备的类型，如上所述的，但是也可能只与例如真空水平(例如，小于10-5Torr，或者甚至小于10-7Torr)有关。受控环境也可能对光刻设备的污染所涉及的其它气体和蒸汽(例如碳氢化合物或水蒸气水平)加以限制。
在另一个可供选择的实施例中，第一波长范围是EUV区域，例如，13nm。第一波长范围也可以在UV区域，例如，157nm或193nm。因此本发明不仅可以用在现有类型的光刻设备中，也可以用在未来的光刻设备中。
如上所述，第二波长范围可用于光刻设备的初始化，该初始化包括(干涉仪)校准、验证(例如确定反射镜分布图)、性能测试以及对准中的一种或多种。EUV类型的光刻设备所必需的受控环境可能要花费长时间来建立，当在这种光刻设备中应用时，该实施例使得EUV光刻装置的时间使用更加有效。
作为备选或者并存的方案，使用第一波长范围曝光衬底，且第二波长范围用于曝光另外的衬底。那么EUV光刻设备可以在抽气成为受控(高真空)环境期间用于非EUV曝光。
在本发明的另一个实施例中，第二波长范围是150-350nm。在该波长区域，EUV光刻设备中反射镜的反射大于2％，这使得第二波长范围辐射可用于对准或校准目的。
根据本发明的另一方面，提供了一种器件制造方法，包括：提供衬底；提供第一波长范围和第二波长范围的辐射，其中第二波长范围不同于第一波长范围；图形化辐射束的截面；以及将图形化的辐射投影到衬底的目标部分上。可以同时或者在不同的时窗内提供第一和第二波长范围的辐射。
该方法允许更有效地使用光刻设备，这与前述的本发明的光刻设备的实施例可比拟。
虽然本文中具体参照的是光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解此处描述的光刻设备还可以有其它应用，例如，制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图形(guidance and detectionpattern)、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。应当理解，在对这种可供选择的应用的描述中，此处术语“晶片”或“芯片”的任何使用可认为分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。此处所指的衬底可以在曝光前或曝光后，在例如轨道(track)(通常将抗蚀剂涂敷到衬底上并且显影曝光后的衬底的一种工具)或度量或检查工具中处理。在适用的情况下，此处的公开可应用于这种或其它衬底处理工具。此外，衬底可以被处理过不止一次(例如为了制造多层IC)，因此此处使用的衬底也可以指已经包含了多个处理过的层的衬底。
此处使用的术语“辐射”和“射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm)和极紫外(EUV)辐射(例如，波长为5-20nm)，以及诸如离子束或电子束的粒子束。
此处使用的术语“图形化装置”应广泛地理解成是指可用来向射束截面传递图形以便在衬底的目标部分上创建图形的装置。应当注意，传递给射束的图形可能不严格对应于衬底目标部分中的期望图形。通常，传递给射束的图形对应于正在目标部分中制造的器件中的特定功能层，例如集成电路。
图形化装置可以是透射型或反射型的。图形化装置的例子包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，所包括的掩模类型有例如二进制、交替相移以及衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个例子采用小反射镜的矩阵排列，每个小反射镜可以被分别倾斜以便将入射辐射束向不同方向反射。通过这种方式，反射束被图形化。
支撑物支撑，例如承受图形化装置的重量。其固定图形化装置的方式取决于图形化装置的定向、光刻设备的设计以及其它条件(例如，图形化装置是否在真空环境中固定)。该支撑物可以使用机械夹持、真空或其它夹持技术，例如真空条件下的静电夹持。该支撑物可以是例如框架或工作台，其可以按需要固定或可移动并且可保证图形化装置相对于例如投影系统位于期望位置。本文中术语“光刻板”或“掩模”的任何使用可认为与更通用的术语“图形化装置”同义。
本文中使用的术语“投影系统”应广泛地理解成包括各种类型的投影系统，这些投影系统包括折射光学系统、反射光学系统以及反射折射光学系统，只要对于例如所使用的曝光辐射、或者对于其它因素(例如，浸液的使用或真空的使用)是适合的即可。本文中术语“透镜”的任何使用可认为与更通用的术语“投影系统”同义。
照明系统也可包括各种光学部件，这些光学部件包括折射、反射和反射折射光学部件，用于反射、定形或控制辐射的投影束，并且这些部件也可在下面统称或个别地称作“透镜”。
该光刻设备可以是具有两个(双极)或更多衬底工作台(和/或两个或更多掩模工作台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行使用额外的工作台，或者可以在一个或多个工作台用于曝光时，在一个或多个工作台上进行准备步骤。
该光刻设备也可以是这种类型，其中衬底浸没在折射率较高的液体(例如，水)中以便填满投影系统的最后元件和衬底之间的空间。浸液也可以应用于该光刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统的第一元件之间的空间。浸没技术用于增加光学系统的数值孔径在本领域中是公知的。
附图说明
下面将参照示意性的附图，仅通过示例的方式描述本发明的实施例，在附图中对应的标号表示对应的部分，其中：
图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备；
图2更详细地示出了图1的光刻设备的辐射源SO的第一实施例的简化视图；
图3更详细地示出了图1的光刻设备的辐射源SO的第二实施例的简化视图。
具体实施方式
图1示意性描绘了根据本发明一个实施例的光刻设备LP。该设备包括配置成提供辐射(例如，UV或EUV辐射)束PB的照明系统(照明器)IL。第一支撑物(例如，掩模工作台)MT配置成支撑图形化装置(例如，掩模)MA，并连接到第一定位装置PM，该第一定位装置PM相对于投影系统(“透镜”)PL准确定位图形化装置。衬底工作台(例如，晶片台)WT配置成支持衬底(例如，涂敷了抗蚀剂的晶片)W，并连接到第二定位装置PW，该第二定位装置PW相对于投影系统(“透镜”)PL准确定位衬底。
投影系统(例如，反射投影透镜)PL配置成将通过图形化装置MA传递给射束PB的图形成像到衬底W的目标部分(例如，包括一个或多个芯片)上。
如此处所描述的，该设备是反射型的(例如，采用反射掩模或者如前所述的可编程反射镜阵列的类型)。或者，该设备可以是透射型的(例如，采用透射掩模)。
照明器IL从辐射源SO提供辐射束PB。例如当该源是等离子体放电源时，该源和光刻设备可以是分开的。在这种情况下，该源不被认为形成光刻设备的一部分，并且辐射束通常借助于辐射收集器从源SO传到照明器IL，所述辐射收集器包括，例如适合的收集透镜和/或光谱纯度过滤器。在其它情况下，该源可以是设备的整体部分，例如，当该源是汞灯时。源SO和照明器IL可以被成为辐射系统。
照明器IL可以包括配置成调整射束PB的角强度分布的调整装置。通常，至少可以调整照明器的光瞳面内的强度分布的外和/或内径向程度(radial extent)(通常分别称为σ-outer和σ-inner)。该照明器提供经调整的射束，该射束的横截面具有所需的均匀性以及强度分布。
射束PB入射到支撑在掩模工作台MT上的掩模MA。被掩模MA反射后，射束PB通过透镜PL，该透镜PL将射束聚焦到衬底W的目标部分上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量装置)，可以准确移动衬底工作台WT，以便例如将不同的目标区域定位在射束PB的路径中。类似地，例如在从掩模库中机械获取掩模MA后或者在扫描期间，第一定位装置PM和位置传感器IF1可用来相对于射束PB的路径准确定位掩模MA。通常，目标工作台MT和WT的移动将借助于长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精细定位)实现，所述长冲程模块和短冲程模块形成为定位装置PM和PW的一部分。然而，在分步投影光刻机的情况下(与扫描仪相反)，掩模工作台MT可以只连接到短冲程传动器或者可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2且衬底对准标记P1、P2对准掩模MA和衬底W。
所描述的设备可以在以下优选模式中使用：
1、分步投影模式：掩模工作台MT和衬底工作台WT保持基本固定，而传递到投影束的整个图形一次投影到目标部分上(即，单次静态曝光)。然后，沿X方向和/或Y方向移动衬底工作台WT，以便可以曝光不同的目标部分。在分步投影模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的目标部分的尺寸。
2、扫描模式：当传递到射束的图形投影到目标部分上时，同步扫描掩模工作台MT和衬底工作台WT(单次动态曝光)。衬底工作台WT相对于掩模工作台的速度和方向由投影系统PL的放大(缩小)率以及图像反转特性决定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定目标部分的高度(在扫描方向上)。
3、另一种模式：支持可编程图形化装置的掩模工作台MT基本保持固定，并且当传递到射束的图形投影到目标部分上时，移动或扫描衬底工作台WT。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底工作台WT的每次移动后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，按需要更新可编程图形化装置。该操作模式可容易地应用于使用可编程图形化装置(例如，前述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
可以采用上述模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的模式。
上述的光刻设备(例如，使用EUV辐射工作以曝光衬底W)需要超高真空环境，因为普通大气中的很多分子吸收13nm波长的辐射。为了达到超高真空环境，光刻设备中曝光辐射在其中传播的所有空间都需要处于超高真空环境。为此，光刻设备的主要部分机器部件放置在真空室中。对真空室抽真空的过程可能要花费几个小时，在此期间光刻设备不能用来正常曝光衬底。
图2更详细地示出了图1的光刻设备的辐射源SO的第一实施例的简化图。在该实施例中，源SO包括两个辐射源元件2、3。第一辐射源元件2基本辐射光刻设备的正常操作中使用的第一波长，并且例如，包括例如向照明系统IL提供13nm的辐射的EUV源。
第二辐射源元件3辐射第二波长，该第二波长可在超高真空环境还未达到的时间内在光刻设备中使用。有利的是，该第二波长的范围是150-350nm。虽然，此光刻设备中使用的反射镜和光学元件是为EUV辐射(13nm)设计的，但是在第二波长也会发生反射。为EUV辐射设计的掩模和光学元件可能不能很好地透射(估计＞2％)第二波长的辐射，但是这对于很多应用仍是足够的。
为了使来自第二辐射源元件的辐射到达光刻设备，提供了可移动反射镜4。在正常操作期间，反射镜4可以移出第一辐射源元件2的射束路径向照明系统IL移动。可移动反射镜4也可以使用倾斜透镜设置实现，其中在对光刻设备进行抽真空的阶段，反射镜4可以定位在图2所示的方向。反射镜4也可以在工作阶段倾斜开，以允许来自第一辐射源元件2的辐射到达照明系统IL。
图3示出了根据本发明的辐射源SO的另一实施例。在该实施例中，辐射源SO包括单个辐射源1，其辐射第一波长和第二波长的辐射。滤光器5定位在辐射源1和照明系统IL之间，以便仅使例如第二波长的辐射通过。第二滤光器(未示出)可用于仅通过第一波长的辐射，并且可以通过相应地在辐射束路径中定位第一滤光器5和第二滤光器，来在第一和第二波长之间选择。或者，在光刻设备的工作状态中使用仅透过第一波长辐射的滤光器，而在抽真空期间移去滤光器5，因为第一波长的辐射被大气中仍然存在的分子吸收。
可以在光刻设备中建立了超高真空的期间内使用第二波长的辐射。可能的使用是为了光刻设备的初始化、验证、性能测试，例如反射镜分布以及干涉仪校准。当使用第一波长辐射来初始化时，可以使用能与第二波长辐射一起工作的传感器，例如其它类型光刻设备中已知的传感器。同样，在抽真空期间，可以使用第二波长的辐射来曝光另外的晶片(可使用不同类型的掩模)。在这两种情况下，其中可以有效使用光刻设备的工作时间增加了。
上面参照各种实施例描述的辐射源可以是任何类型的辐射源，包括放电灯。
对以上实施例的描述参照的是EUV光刻设备，其中第一工作波长大约是13nm。然而，根据本发明的多波长辐射源也可以应用于其它类型的光刻设备。主要工作波长是约157nm或约193nm的光刻设备也需要高真空环境。在这些情况下，使用第二波长的辐射源也可以增加光刻设备的有效工作时间。
虽然上面描述了本发明的具体实施例，但是应当理解可以不按所描述的那样实施本发明。上面的描述不应当看作是对本发明的限制。

Claims (22)

1、一种光刻设备，包括：
辐射源，配置成向照明系统提供辐射，该辐射源配置成提供第一波长范围和第二波长范围的辐射，该第二波长范围不同于该第一波长范围；
支撑物，配置成支撑图形化装置，该图形化装置配置成向辐射的横截面传递图形；
衬底工作台，配置成支撑衬底；
投影系统，配置成将图形化的辐射投影到衬底的目标部分上。
2、根据权利要求1的光刻设备，其中辐射源还包括能够提供第一和第二波长范围的辐射源，以及配置成提供第一或第二波长范围的可移动滤光器。
3、根据权利要求1的光刻设备，其中辐射源还包括：
第一辐射源元件，配置成提供第一波长范围的辐射；
第二辐射源元件，配置成提供第二波长范围的辐射；以及
可移动辐射导向器，配置成将辐射从第二辐射源元件导向到照明系统。
4、根据权利要求1的光刻设备，其中第一波长范围是在受控环境中使用的波长范围，且第二波长范围是受控环境未建立时使用的波长范围。
5、根据权利要求1的光刻设备，其中第一波长范围处于EUV区域。
6、根据权利要求5的光刻设备，其中第一波长大约为13nm。
7、根据权利要求1的光刻设备，其中第一波长范围处于UV区域。
8、根据权利要求7的光刻设备，其中第一波长处于约157nm-193nm之间区域。
9、根据权利要求1的光刻设备，其中第二波长范围用于该光刻设备的初始化，该初始化包括校准、验证、性能测试和对准中的一种或多种。
10、根据权利要求1的光刻设备，其中使用第一波长范围曝光衬底，并且第二波长范围用于曝光另外的衬底。
11、根据权利要求1的光刻设备，其中第二波长范围处于约150-350nm之间的区域。
12、一种器件制造方法，包括：
提供衬底；
提供第一波长范围和第二波长范围的辐射，该第二波长范围不同于该第一波长范围；以及
图形化辐射的横截面；以及
将图形化的辐射投影到衬底的目标部分上。
13、根据权利要求12的方法，其中还包括滤除第一或第二波长范围的辐射。
14、根据权利要求12的方法，其中还包括将第一或第二波长的辐射导向到照明系统。
15、根据权利要求12的方法，其中第一波长范围是辐射在受控环境中传播的波长范围，且第二波长范围是受控环境未建立时辐射传播的波长范围。
16、根据权利要求12的方法，其中第一波长范围处于EUV区域。
17、根据权利要求16的方法，其中第一波长大约为13nm。
18、根据权利要求12的方法，其中第一波长范围处于UV区域。
19、根据权利要求18的方法，其中第一波长处于约157nm-193nm之间区域。
20、根据权利要求12的方法，还包括使用第二波长范围来初始化光刻设备，该初始化包括校准、验证、性能测试和对准中的一种或多种。
21、根据权利要求12的方法，还包括使用第一波长范围曝光衬底，并且使用第二波长范围曝光另外的衬底。
22、根据权利要求12的方法，其中第二波长范围处于约150-350nm之间区域。
CNB2005100595681A 2004-03-31 2005-03-30 光刻设备及器件制造方法 Expired - Fee Related CN100520588C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/813682 2004-03-31
US10/813,682 US7265366B2 (en) 2004-03-31 2004-03-31 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1677239A true CN1677239A (zh) 2005-10-05
CN100520588C CN100520588C (zh) 2009-07-29

Family

ID=34887710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100595681A Expired - Fee Related CN100520588C (zh) 2004-03-31 2005-03-30 光刻设备及器件制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7265366B2 (zh)
EP (1) EP1582927A1 (zh)
JP (1) JP4429201B2 (zh)
KR (1) KR100695555B1 (zh)
CN (1) CN100520588C (zh)
SG (1) SG115815A1 (zh)
TW (1) TWI265384B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101634815B (zh) * 2009-08-31 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 一种基于多个不同波长的对准方法
CN102822749A (zh) * 2010-02-09 2012-12-12 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN105372940A (zh) * 2014-08-28 2016-03-02 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的光源切换装置
CN106773540A (zh) * 2016-11-29 2017-05-31 四川大学 一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7265366B2 (en) * 2004-03-31 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7632012B2 (en) * 2005-09-01 2009-12-15 Siemens Energy, Inc. Method of measuring in situ differential emissivity and temperature
US9052615B2 (en) 2008-08-29 2015-06-09 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
JP5474522B2 (ja) * 2009-01-14 2014-04-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源システム
NL2004444A (en) 2009-04-27 2010-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and detector apparatus.

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414918A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nikon Corp Stepper
US5143854A (en) * 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
JP3033135B2 (ja) * 1990-06-13 2000-04-17 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3128827B2 (ja) * 1990-12-26 2001-01-29 株式会社ニコン 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス
US5739898A (en) * 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP3379200B2 (ja) * 1994-03-25 2003-02-17 株式会社ニコン 位置検出装置
JPH08264427A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Nikon Corp アライメント方法及びその装置
KR0186068B1 (ko) * 1995-12-27 1999-04-01 문정환 리소그라피 장치의 위치 정렬 시스템
US5926298A (en) * 1996-08-30 1999-07-20 Lucent Technologies Inc. Optical multiplexer/demultiplexer having a broadcast port
JPH11251226A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Nikon Corp Ｘ線投影露光装置
US7329886B2 (en) * 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
DE19830438A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Dekontamination von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
US6137574A (en) * 1999-03-15 2000-10-24 Zygo Corporation Systems and methods for characterizing and correcting cyclic errors in distance measuring and dispersion interferometry
US6724486B1 (en) * 1999-04-28 2004-04-20 Zygo Corporation Helium- Neon laser light source generating two harmonically related, single- frequency wavelengths for use in displacement and dispersion measuring interferometry
US6571057B2 (en) * 2000-03-27 2003-05-27 Nikon Corporation Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices
US6764808B2 (en) * 2002-02-27 2004-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Self-aligned pattern formation using wavelenghts
CN100337089C (zh) * 2002-09-20 2007-09-12 Asml荷兰有限公司 器件检验
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
WO2004031854A2 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung
EP1434092A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI264620B (en) * 2003-03-07 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1517183A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7081992B2 (en) * 2004-01-16 2006-07-25 Euv Llc Condenser optic with sacrificial reflective surface
US7265366B2 (en) * 2004-03-31 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7349082B2 (en) * 2004-10-05 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Particle detection device, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7629697B2 (en) * 2004-11-12 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Marker structure and method for controlling alignment of layers of a multi-layered substrate
US7414722B2 (en) * 2005-08-16 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Alignment measurement arrangement and alignment measurement method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101634815B (zh) * 2009-08-31 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 一种基于多个不同波长的对准方法
CN102822749A (zh) * 2010-02-09 2012-12-12 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
US9134630B2 (en) 2010-02-09 2015-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9372412B2 (en) 2010-02-09 2016-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102822749B (zh) * 2010-02-09 2016-07-06 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN105372940A (zh) * 2014-08-28 2016-03-02 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的光源切换装置
CN106773540A (zh) * 2016-11-29 2017-05-31 四川大学 一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI265384B (en) 2006-11-01
EP1582927A1 (en) 2005-10-05
KR20060044966A (ko) 2006-05-16
TW200604752A (en) 2006-02-01
US20050218342A1 (en) 2005-10-06
US7265366B2 (en) 2007-09-04
JP4429201B2 (ja) 2010-03-10
CN100520588C (zh) 2009-07-29
SG115815A1 (en) 2005-10-28
KR100695555B1 (ko) 2007-03-14
JP2005294834A (ja) 2005-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100520588C (zh) 光刻设备及器件制造方法
US7781237B2 (en) Alignment marker and lithographic apparatus and device manufacturing method using the same
CN1525160A (zh) 用于测量光刻装置中元件表面污染物的方法和设备
KR20040101025A (ko) Ｅｕｖ리소그래피를 위한 기판을 코팅하는 방법 및포토레지스트 층을 구비한 기판
CN102096339A (zh) 双台座光刻设备和器件制造方法
WO1999027569A1 (fr) Aligneur, procede d'exposition et procede de fabrication de composants
US7050152B2 (en) Exposure apparatus
CN102460302B (zh) 光刻设备和用于减小杂散辐射的方法
CN1530756A (zh) 包括气体冲洗系统的光刻装置
JP2010524231A (ja) パターニングデバイスを照明するための照明システム、および照明システムを製造する方法
KR100583506B1 (ko) 노광장치 및 방법
CN1514307A (zh) 一种光刻投影装置
JP4509974B2 (ja) レチクル予備位置合わせセンサ用一体照明システムがあるエンドエフェクタ
CN1918516A (zh) 光刻装置和校准方法
US7471373B2 (en) Lithographic apparatus with patterning device position determination
CN1684000A (zh) 光刻装置、照明系统和用于旋转强度分布的光学元件
CN1501165A (zh) 器件制造方法及其制出的器件
US7227612B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2007367A (en) Lithographic apparatus and method.
TWI394013B (zh) 微影裝置，投影系統及器件製造方法
WO2023285139A1 (en) Lithography system, substrate sag compensator, and method
JP2023528761A (ja) 内蔵同軸照明を備えたリソグラフィプリアライメント結像センサ
WO2021047903A1 (en) Invariable magnification multilevel optical device with telecentric converter
CN1609714A (zh) 组件、光刻装置和器件制造方法
NL2023285A (en) Apparatus for imaging an object at multiple positions

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090729

Termination date: 20140330