KR100695555B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
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Abstract
리소그래피 장치는, 조명시스템에 방사선을 제공하고 제1파장 범위 및 상기 제1파장 범위와 상이한 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 방사선 소스를 포함한다. 지지부는 패터닝장치를 지지하도록 구성되고, 상기 패터닝장치는 상기 방사선의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된다. 기판테이블은 기판을 잡아주도록 구성되고, 투영시스템은 상기 패터닝된 방사선을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된다. 상기 제1파장 범위는 리소그래피 장치의 주된 파장이다. 제2파장 범위의 방사선은 상기 리소그래피 장치의 셋업을 위해 사용되며, 상기 셋업은 캘리브레이션, 퀄러피케이션, 성능 테스트 및 정렬 중 1이상을 포함한다. 상기 제2파장 범위는 추가 기판의 노광을 위해 사용될 수도 있다.
Description
대응되는 참조부호들이 대응되는 부분을 지칭하는 개략적인 첨부도면들을 참조하여, 단지 예시의 방법으로 본 발명의 실시예들에 대하여 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 방사선 소스(SO)의 제1실시예를 보다 상세하게 도시한 개략도;
도 3은 보다 상세한, 도 1의 리소그래피 장치의 방사선 소스(SO)의 제2실시예를 보다 상세하게 도시한 개략도이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부상으로 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는 예를 들어, 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클로 지칭되기도 하는 IC의 개별층에 대응되는 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수도 있고, 이 패턴이 방사선 감응재(레지스트)의 층을 갖는 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)의 타겟부(예를 들어, 하나 또는 수개의 다이의 부분을 포함함)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 노광되는 인접 타겟부들의 네트워크를 포함한다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체 패턴을 타겟부상으로 한번에 노광시킴으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스테퍼와, 패턴을 소정 방향("스캐닝"방향)으로 투영빔을 통하여 스캐닝하는 한편 동기적으로 기판을 상기 방향 또는 이와 반대 방향으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다.
리소그래피 장치는 소스로부터 웨이퍼상의 타겟부로 방사선을 전달할 수 있도록 진공 환경과 같은 제어환경(controlled environment)을 필요로 할 수 있다. 예를 들어, (13nm와 같은) 극 UV(EUV) 방사선을 이용하는 리소그래피 장치에서는, 특정 증기 및 가스 레벨들이 사전결정된 레벨 아래에 있는 제어환경이 요구된다. 증기 및 가스들은 EUV 방사선을 흡수하거나 방사선과 조합하여 광학 표면들의 오염을 조장할 수도 있다. EUV 리소그래피 장치에서, 상기 제어환경은 하이드로카본(CxHy)의 부분압이 10-9 Torr 아래이고, 물(H2O)의 부분압은 10-7 Torr 아래인 요건을 만족시켜야 한다. 예를 들어, 유지보수(maintenance)를 위해 리소그래피가 개방될 때마다, 상기 제어환경이 (재)조성되어야 한다. 이는 (몇시간 정도의) 긴 시간을 필요로 하며, 이 시간 동안에는 리소그래피 장치가 유효하게 사용될 수 없다.
또한, 제어환경에 대한 요건들이 EUV 타입의 리소그래피 장치의 요건들과는 상이할 수도 있으나, 또 다른 타입의 방사선(예를 들어, 157nm 또는 193nm)을 사용 하는 리소그래피 장치에 대해서도, 제어환경이 필요하다. 이는, 제어환경을 (재)조성하는데 시간을 덜 소요하지만, 여전히 리소그래피 장치의 유효 작동 사용 시간에 영향을 미친다. 예를 들어, 157nm 부근 범위내의 방사선을 사용하는 경우, 공기 및 수증기는 157nm 방사선을 흡수할 것이다. 방사선을 효과적으로 사용할 수 있도록 하기 위해서는, 공기 및 수증기가 사전결정된 농도 레벨 아래에 있는 제어환경이 필요하다. 이는, 질소(N2)나 헬륨(He)과 같은 퍼지 가스 또는 157nm에서 방사선 투영빔에 대해 실질적으로 투과적인 가스 혼합물로 리소그래피 장치의 빔의 경로를 정화함으로써 달성될 수 있다. 193nm 시스템에서는, 방사선이 대기의 산소에 의하여 흡수되고, 제어환경은 예를 들어 건식 질소 가스로 시스템을 정화(purging)함으로써 이 가스의 존재를 실질적으로 제거해야 한다.
본 발명의 일 형태는 (예를 들어, 작동시간과 관련하여) 사용하기에 보다 효율적인 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 조명시스템에 방사선을 제공하도록 구성된 방사선 소스, 제1파장 범위 및 상기 제1파장 범위와 상이한 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 방사선 시스템, 상기 방사선의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝장치를 지지하도록 구성된 지지부, 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블, 및 상기 패터닝된 방사선을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
상기 제1파장 범위의 방사선은 리소그래피 장치의 주된 기능인 기판의 노광에 사용될 수도 있다. 제2파장 범위의 방사선은, 제1파장 범위의 방사선의 사용을 위해 제어환경이 조성되는 시간 동안 사용될 수 있다. 제2파장 범위의 방사선의 사용은, 예를 들어 추가 기판의 노광을 위한 것이거나 리소그래피 장치의 캘리브레이션 또는 여타 유지보수 기능들을 수행하기 위한 것일 수도 있다. 방사선 소스는 상기 두 파장 범위의 방사선 모두를 동시에 제공하거나 또는 별도의 시간 윈도우들(separate time windows)로 제공할 수 있다. 결과적으로, 리소그래피 장치의 유효 작동시간이 증가된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 방사선 소스는, 상기 제1 및 제2파장 범위의 방사선 모두를 제공하도록 구성된 방사선 소스를 포함하고, 상기 제1 또는 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 제거가능한 필터를 더 포함한다. 이 실시예는 필요한 경우 상기 리소그래피 장치의 정규 방사선 경로내에 제2파장의 방사선을 도입(insertion)하도록 할 수 있다. 제거가능한 필터는 제1 또는 제2파장 범위의 방사선을 전달하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제어환경 조성의 단계동안 제1파장 범위의 방사선을 흡수하고(제2파장 범위의 방사선은 유효하게 통과시킴), 상기 리소그래피 장치의 작동적 사용(제1파장 범위)동안 상기 제2파장 범위의 방사선을 필터링해내기 위하여, 대기중에 여전히 존재하는 어떠한 파티클들도 사용할 수 있다.
대안실시예에서, 방사선 소스는, 제1파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 제1방사선 소스 요소, 및 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 제2방사 선 소스 요소, 및 상기 제2방사선 소스 요소로부터 조명시스템으로 방사선을 지향시키도록 구성된 거울과 같은 제거가능한 방사선 디렉터를 포함한다. 이 실시예에서, 리소그래피 장치의 광 경로에 제2파장 범위의 방사선을 부가할 수 있다.
예를 들어, 제1파장 범위는 제어된 환경 내에서만 사용되는 파장 범위이고, 제2파장 범위는 제어환경이 조성되지 않은 경우에 사용된다. 제어환경은 상술된 바와 같이 리소그래피 장치의 타입에 종속될 수도 있지만, 예를 들어 단지 진공 레벨(가령, 10-5 Torr보다 작거나 심지어는 10-7 Torr보다 작음)과 관련될 수도 있다. 제어환경은 또한, 하이드로카본이나 물의 레벨과 같은, 리소그래피 장치의 오염물과 연루될 수 있는 여타 가스 및 증기들의 레벨에 관한 제약을 둘 수도 있다.
추가의 대안실시예에서, 제1파장의 범위는 EUV의 영역, 예를 들어 13nm이다. 또한, 제1파장의 범위는 UV 영역, 예를 들어 157nm 또는 193nm일 수도 있다. 본 발명은 따라서 미래의 타입에 적용될 수 있지만, 기존 타입의 리소그래피 장치에도 적용될 수 있다.
상술된 바와 같이, 제2파장의 범위는, (간섭계) 캘리브레이션, (거울 맵들을 판정하는 것과 같은) 퀄러피케이션(qualification), 성능 테스트 및 정렬 중 1이상을 포함하는 리소그래피 장치의 셋업에 사용될 수도 있다. 긴 시간이 걸릴 수도 있는 제어환경이 생성되어야 하는 EUV 타입의 리소그래피 장치에 적용될 경우, 상기 환경은 EUV 리소그래피 장치에 보다 효율적인 시간의 사용을 제공한다.
대안으로서 또는 동시에, 기판은 제1파장 범위를 사용하여 노광되고, 제2파 장의 범위는 추가 기판의 노광에 사용될 수 있다. 그 후, EUV 리소그래피 장치는, 제어(고진공)환경으로의 펌핑 다운(pump down)시 비EUV 노광에 사용될 수 있다.
본 발명의 추가 실시예에서, 제2파장의 범위는 150 내지 350nm 사이의 영역에 있다. 이 파장 영역에서는, EUV 리소그래피 장치의 거울들의 반사율이 2%보다 높아서, 제2파장 범위의 방사선이 정렬 또는 캘리브레이션 용도로 사용될 수 있도록 한다.
본 발명의 추가 형태에 따르면, 기판을 제공하는 단계; 제1파장 범위 및 상기 제1파장 범위와는 상이한 제2파장 범위의 방사선을 제공하는 단계; 상기 방사선의 단면을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 방사선을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다. 상기 제1 및 제2파장 범위의 방사선은 동시에 제공되거나 상이한 시간 윈도우로 제공될 수도 있다.
이 방법은 상술된 본 발명의 리소그래피 장치의 실시예들과 비견될 수 있는, 보다 효율적인 리소그래피 장치의 사용을 가능하게 한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가, 집적 광학시스템의 제조, 자기 도메인 메모리, 액정표시패널(LCD), 박막자기헤드 등을 위한 가이던스 및 검출패턴의 제조와 같은 여타 응용례들을 가질 수도 있음을 이해해야 한다. 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서내의 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 사용이 각각 "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로서 고려될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트의 층을 기판에 적용하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴)이나 메트롤로지 또는 검사 툴에서 노광 전 또는 후에 처리될 수도 있다. 적용이 가능할 경우, 본 명세서의 내용은 상기 및 기타 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 기판은 예를 들어 다중 층 IC를 생성시키기 위하여 한번 이상 처리될 수 있어서, 본 명세서에서 사용된 기판이라는 용어는 다중 처리된 층을 이미 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 자외선(UV)(예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 가짐)과 극자외(EUV)선(예를 들어, 5 내지 20㎚ 범위의 파장을 가짐)뿐만 아니라 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성시키는 것과 같이 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 장치들을 지칭하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 투영빔에 부여되는 패턴은 기판 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 대응하지는 않는다는데 유의해야 한다. 일반적으로, 투영빔에 부여되는 패턴은 집적회로와 같은, 타겟부에 형성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크타입 뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크타입도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 예로는 작은 거울들 의 매트릭스 배열을 들 수 있는데, 상기 거울들 각각은 입사되는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 이러한 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다.
지지부는 패터닝장치의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 그것은, 패터닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝장치가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은, 여타 조건들에 따라 소정의 방식으로 패터닝장치를 잡아준다. 지지부는 기계적 클램핑, 진공 또는 예를 들어 진공 조건하에서의 정전기 클램핑과 같은 여타 클램핑 기술들을 사용할 수 있다. 지지부는 예를 들어, 필요에 따라 고정 또는 이동가능하며 패터닝장치를 원하는 위치, 가령 투영시스템에 대한 위치에 있도록 보장할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수도 있다. 본 명세서에서 사용되는 "레티클" 또는 "마스크"란 용어의 어떠한 사용도 보다 일반적인 용어인 "패터닝장치"와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어, 사용되는 노광방사선에 대하여 적절하거나 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용이나 진공의 사용과 같은 여타의 팩터들에 대하여 적절한, 굴절광학시스템, 반사광학시스템 및 카타디옵트릭 광학시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 "렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
또한, 조명시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위한 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학구성요소를 포괄 할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 수도 있다.
리소그래피장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태일 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있거나, 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수도 있다.
또한, 리소그래피장치는 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물에 기판이 침지되는 형태일 수도 있다. 침지액은 리소그래피장치내의 여타의 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이에 적용될 수도 있다. 당업계에서는 투영시스템의 개구수를 증가시키는 침지 기술이 잘 알려져 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(LP)를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는, 방사선(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 제공하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL)를 포함한다. 제1지지부(예를 들어, 마스크테이블)(MT)는, 패터닝장치(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 투영시스템("렌즈")(PL)에 대하여 패터닝장치를 정확히 위치시키는 제1위치설정장치(PM)에 연결된다. 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주도록 구성되고, 투영시스템("렌즈")(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정장치(PW)에 연결된다.
투영시스템(예를 들어, 반사형 투영렌즈)(PL)은 패터닝장치(MA)에 의하여 투영빔(PB)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 묘화(imaging)하도록 구성된다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사형 마스크 또는 상술된 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채용한) 반사형이다. 대안적으로는, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형일 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 제공한다. 상기 방사선 소스와 리소그래피 장치는, 예를 들어 상기 방사선 소스가 플라즈마 방전 소스인 경우 별도의 객체일 수 있다. 이러한 경우에, 상기 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성한다고 볼 수 없으며, 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 콜렉팅 거울 및/또는 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 방사선 콜렉터의 도움으로 방사선 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)를 거쳐간다. 여타의 경우, 예를 들어, 방사선 소스가 수은램프인 경우에 상기 방사선 소스는 상기 장치의 통합된 일부일 수 있다. 상기 방사선 소스(SO)와 일루미네이터(IL)를 방사선 시스템이라 칭할 수도 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 빔(PB)의 각도 세기분포를 조정하도록 구성된 조정장치를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측의 반경크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 상기 일루미네이터는 그 단면에서 소정의 균일성 및 세기 분포를 갖는 콘디셔닝된 방사선 빔을 제공한다.
상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)상에 입사된다. 마 스크(MA)를 가로지른 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하고, 상기 렌즈는 기판(W)의 타겟부(C)위에 상기 빔(PB)을 포커싱한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스)의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정장치(PM) 및 위치센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블들(MT 및 WT)의 이동은, 위치설정수단들(PM 및 PW)의 일부를 형성하는 긴-행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은-행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, 스테퍼의 경우에는 (스캐너와는 대조적으로) 마스크테이블(MT)이 짧은 행정 액추에이터에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1,P2)를 사용하여 정렬될 수도 있다.
도시된 장치는 다음의 바람직한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 투영빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에(즉, 단일 정적노광) 타겟부(C)상에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 정적노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)이 동시에 스캐닝되는 한편 투영빔에 부여된 패턴이 소정 타겟부(C)(즉, 단일 동적노광)상에 투영된 다. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전(image reversal) 특성에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시의 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 한편, 스캐닝동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)이 프로그램가능한 패터닝장치를 잡아주어 기본적으로 정적인 상태로 유지되며, 투영빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안 기판테이블(WT)이 움직이거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스방사선소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 기판테이블(WT)이 이동한 후, 또는 스캔시 연속적인 방사선펄스들 사이에서 필요에 따라 프로그램가능한 패터닝장치가 업데이트된다. 이 작동 모드는, 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 활용하는 마스크없는(maskless) 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전체적으로 상이한 사용 모드가 채용될 수도 있다.
13nm 파장의 방사선은 보통의 대기중의 여러 분자들에 의해 흡수되므로, 예를 들어 기판(W)을 노광하기 위해 EUV 방사선을 이용해 작동하는 상술된 리소그래피 장치는 초고의(ultra high) 진공 환경을 필요로 한다. 상기 초고의 진공 환경에 이르기 위해서는, 노광 방사선이 전파되는 리소그래피 장치내의 모든 공간들을 초 고도의 진공 환경으로 만들 필요가 있다. 이를 위해서, 리소그래피 장치의 주요 부 분 및 그것의 구성요소들이 진공 챔버내에 놓인다. 진공 챔버를 배기하는 프로세스는 몇 시간이 걸릴 수도 있으며, 이 시간중에는 리소그래피 장치가 정상적으로 기판을 노광하는데 사용될 수 없다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 방사선 소스(SO)의 제1실시예를 보다 상세히 나타내어 단순화시킨 도이다. 이 실시예에서, 상기 소스(SO)는 2개의 방사선 소스 요소(2,3)를 포함한다. 제1방사선 소스 요소(2)는 리소그래피 장치의 정상적인 작동에 사용되는 주된 제1파장으로 방사되며, 예를 들어 조명시스템(IL)으로 13nm의 방사선을 제공하는 EUV 소스를 포함하여 이루어진다.
제2방사선 소스 요소(3)는 초고의 진공 환경에 미처 이르지 못한 시간 동안 리소그래피 장치에 사용될 수 있는 제2파장으로 방사된다. 제2파장은 150 내지 350nm의 범위내에 있는 것이 유리할 수 있다. 리소그래피 장치에서 사용되는 거울 및 광학기들은 (13nm의) EUV 방사선을 위해 설계되었으나, 제2파장에서도 반사가 일어날 것이다. EUV 방사선용으로 설계된 마스크 및 광학기들은 제2파장에서는 방사선을 그리 잘 전달할 수 없지만(추정치는 ＞2%), 여전히 많은 적용례들에 대해서는 충분하다.
제2방사선 소스 요소(3)로부터의 방사선이 리소그래피 장치에 이를 수 있도록 하기 위하여, 이동가능한 거울(4)이 제공된다. 정상적인 작동중에, 상기 거울(4)은 조명시스템(IL)을 향하여 제1방사선 소스 요소(2)의 빔 경로를 벗어나(out of) 움직일 수도 있다. 이동가능한 거울(4)은 또한 리소그래피 장치의 펌프 다운 단계동안 거울(4)이 도 2에 도시된 방위로 배치될 수 있는 틸팅 거울 구성을 사용 하여 구현될 수도 있다. 상기 거울(4)은 제1방사선 소스 요소(2)로부터의 방사선이 조명시스템(IL)을 통과할 수 있도록 하기 위해 작동 상황시에 틸팅(tilted away)될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 방사선 소스(SO)의 추가 실시예를 나타낸다. 이 실시예에서, 방사선 소스(SO)는 단일 방사선 소스(1)를 포함하며, 이는 제1파장 및 제2파장 모두에서 방사선을 방출한다. 예를 들어 제2파장의 방사선만을 통과시키기 위하여 방사선 소스(1)와 조명시스템(IL) 사이에는 필터(5)가 위치된다. 제1파장에서만 방사선을 통과시키기 위해 제2필터(도시 안됨)가 사용될 수도 있고, 방사선 빔의 경로내에 제1필터(5) 또는 제2필터를 적절히 위치시킴으로써 제1 및 제2파장간에 선택이 내려질 수도 있다. 대안적으로는, 리소그래피 장치의 작동 상태에서 제1파장의 방사선만을 통과시키는 필터(5)가 사용되고, 진공 상황중에는 제1파장의 방사선이 대기중에 여전히 존재하는 분자들에 의해 흡수되므로 필터(5)가 제거된다.
제2파장의 방사선은 리소그래피 장치내에 초고의 진공이 조성되는 주기동안 사용될 수도 있다. 리소그래피 장치의 셋업, 퀄러피케이션, 거울 맵과 같은 성능 테스트 및 간섭계 캘리브레이션을 위한 사용도 가능하다. 셋업의 목적으로 제2파장의 방사선을 사용하는 경우에, 다른 타입의 리소그래피 장치에서 공지된 센서와 같이, 제2파장으로 작동할 수 있는 센서들이 사용될 수도 있다. 또한, 제2파장의 방사선은 진공 주기(vacuuming period)동안 추가 웨이퍼들(상이한 타입의 마스크들을 사용할 수 있음)을 노광하는데 사용될 수도 있다. 두 경우 모두에 있어, 리소그래피 장치가 유효하게 사용될 수 있는 작동 시간이 얻어진다.
다양한 실시예를 참조하여 상술된 방사선 소스들은 방전 램프를 포함하는 모든 타입의 방사선 소스일 수도 있다.
상기 실시예들은 제1의 작동 파장이 13nm 정도인 EUV 리소그래피 장치를 참조하여 설명되었다. 하지만, 본 발명에 따른 다중 파장의 방사선 소스는 다른 종류의 리소그래피 장치에 적용될 수도 있다. 대략 157nm 또는 193nm의 주된 작동 파장으로 작동하는 리소그래피 장치 역시 고진공 환경을 필요로 한다. 이들 경우에는, 제2파장의 방사선 소스를 사용하여 리소그래피 장치의 유효 작동 시간 또한 증가될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대하여 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실시될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 상기 설명은 본 발명을 제한하고자 의도된 것은 아니다.
본 발명에 따르면, 예를 들어 작동시간과 관련하여 사용하기에 보다 효율적인 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법을 얻을 수 있다.
Claims (22)
- 리소그래피 장치에 있어서,조명시스템에 방사선을 제공하도록 구성되고 제1파장 범위 및 상기 제1파장 범위와 상이한 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 방사선 소스;상기 방사선의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝장치를 지지하도록 구성된 지지부;기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블; 및상기 패터닝된 방사선을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함하여 이루어지고,상기 제1파장 범위는 제어된 환경 내에서 사용되는 파장 범위이고, 상기 제2파장 범위는 상기 제어된 환경이 조성되지 않은 경우에 사용되는 파장 범위인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 방사선 소스는, 상기 제1 및 제2파장 범위의 방사선 모두를 제공할 수 있는 방사선 소스와, 상기 제1 또는 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 제거가능한 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 방사선 소스는, 상기 제1파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 제1방사선 소스 요소, 및 상기 제2파장 범위의 방사선을 제공하도록 구성된 제2방사선 소스 요소, 및 상기 제2방사선 소스 요소로부터 상기 조명시스템으로 방사선을 지 향시키도록 구성된 제거가능한 방사선 디렉터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제1파장 범위는 EUV 영역내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제5항에 있어서,상기 제1파장은 대략 13nm인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1파장 범위는 UV 영역내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제7항에 있어서,상기 제1파장은 157 내지 193nm 사이의 영역 내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2파장 범위는 상기 리소그래피 장치의 셋업을 위해 사용되고, 상기 셋업은 캘리브레이션, 퀄러피케이션, 성능 테스트 및 정렬 중 1이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 상기 제1파장 범위를 사용하여 노광되고, 상기 제2파장 범위는 추가 기판의 노광을 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2파장 범위는 150 내지 350nm 사이의 영역 내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 디바이스 제조방법 있어서,기판을 제공하는 단계;제1파장 범위 및 상기 제1파장 범위와는 상이한 제2파장 범위의 방사선을 제공하는 단계;상기 방사선의 단면을 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 방사선을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 제1파장 범위는 제어된 환경 내에서 방사선이 전파되는 파장 범위이고, 상기 제2파장 범위는 상기 제어된 환경이 조성되지 않은 경우에 방사선이 전파되는 파장 범위인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 제1 또는 제2파장 범위의 방사선을 필터링해내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 제1 또는 제2파장 범위의 방사선을 조명시스템으로 지향시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 삭제
- 제12항에 있어서,상기 제1파장 범위는 EUV 영역내에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 제1파장은 대략 13nm인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 제1파장 범위는 UV 영역내에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 제1파장은 157 내지 193nm 사이의 영역 내에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제12항에 있어서,리소그래피 장치의 셋업을 위해 상기 제2파장 범위를 사용하는 단계를 더 포함하고, 상기 셋업은 캘리브레이션, 퀄러피케이션, 성능 테스트 및 정렬 중 1이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 기판의 노광을 위해서는 상기 제1파장 범위를 사용하고, 추가 기판의 노광을 위해서는 상기 제2파장 범위를 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 제2파장 범위는 150 내지 350nm 사이의 영역 내에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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