KR20100009563A - 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법 - Google Patents

패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100009563A
KR20100009563A KR1020097022941A KR20097022941A KR20100009563A KR 20100009563 A KR20100009563 A KR 20100009563A KR 1020097022941 A KR1020097022941 A KR 1020097022941A KR 20097022941 A KR20097022941 A KR 20097022941A KR 20100009563 A KR20100009563 A KR 20100009563A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
intermediate focus
patterning device
radiation
optical system
lighting system
Prior art date
Application number
KR1020097022941A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101157507B1 (ko
Inventor
얀 베르나르트 플레첼무스 반 슈트
헨드리쿠스 요한네스 마리아 마이예르
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20100009563A publication Critical patent/KR20100009563A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101157507B1 publication Critical patent/KR101157507B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

조명 시스템(IL)은 하우징(2), 및 상기 하우징(2) 내에 위치된 광학 시스템을 포함한다. 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소(4, 6)를 포함한다. 상기 광학 시스템은 중간 포커스(IF)로부터 발산하는 방사선 빔(B)으로 패터닝 디바이스(MA)를 조명하도록 구성되고 배치된다. 상기 중간 포커스(IF)는 조명 시스템(IL)의 저부 부분(10)과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치된다.

Description

패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법{ILLUMINATION SYSTEM FOR ILLUMINATING A PATTERNING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ILLUMINATION SYSTEM}
본 발명은 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템, 및 조명 시스템을 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
일반적으로, 방사선 소스로부터 발생한 전자기 방사선은, 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템에 들어갈 때 방사선을 집중시키기 위해 컬렉터에 의해 포커스된다. 조명 시스템은 통상적으로 조명 시스템에 의해 컨디셔닝된(conditioned) 방사선 빔을 이용하여 패터닝 디바이스를 조명하도록 거울과 같은 수개의 광학 요소들을 포함한다.
조명 시스템의 거울들에 의해 생성된 반사들로 인해 손실되는 방사선 빔의 조명 전력(illumination power)의 양을 제한하기 위하여, 조명 시스템에 존재하는 거울들의 개수를 제한하는 것이 제안되었다.
거울들의 양을 제한하는 것은, 방사선 소스로부터 발생한 방사선 빔이 조명 시스템에 들어가는 방향을 미리 결정할 수 있는 능력을 감소시킬 수 있다.
조명 시스템의 가능한 설계들 중 상당수에 대해, 방사선 빔을 조명 시스템 아래로부터 입사시키는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 조명 시스템을 지지하는 플로어(floor)를 통해 방사선 빔을 투과시키는 것이 제안되었지만, 방사선 빔이 플로어를 통과할 수 있게 하기 위해서는 플로어가 상당히 변형되어야 할 필요가 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템이 제공된다. 상기 조명 시스템은 하우징, 및 상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템을 포함한다. 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함한다. 상기 광학 시스템은 중간 포커스(intermediate focus)로부터 발산하는(diverging) 방사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치된다. 상기 중간 포커스는 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치된다.
일 실시형태에 따르면, 조명 시스템 및 소스-컬렉터 모듈(source-collector module)을 포함하는 조립체가 제공된다. 상기 조명 시스템은 하우징, 및 상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템을 포함한다. 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함한다. 상기 광학 시스템은 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치된다. 상기 중간 포커스는 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치된다. 상기 소스-컬렉터 모듈은 방사선 소스 및 상기 방사선 소스를 상기 중간 포커스에 이미징하는 컬렉터를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 하우징, 및 상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템을 포함하는 조명 시스템이 제공된다. 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함한다. 상기 광학 시스템은 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치된다. 상기 중간 포커스는 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치된다. 또한, 상기 장치는 방사선 소스, 및 상기 방사선 소스를 상기 중간 포커스에 이미징하는 컬렉터를 포함하는 소스-컬렉터 모듈, 및 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함한다. 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되고 배치된다. 또한, 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다.
또 다른 실시형태에 따르면, 조명 시스템을 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 패터닝 디바이스 상에 중간 포커스를 이미징하는 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하는 광학 시스템을 하우징에 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔을 이용하여 패터닝 디바이스를 조명하도록 상기 광학 시스템을 배치시키는 단계를 포함한다. 상기 중간 포커스는 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치된다.
더 상세하게는, 중간 포커스의 위치는 조명 시스템이 작동하게 될 플로어 내의 개구부 내에 존재하도록 결정될 수 있다. 이러한 개구부는 통상적으로 공기의 이동을 위해 사용되는 관통-홀(through-hole)일 수 있다. 중간 포커스의 적절한 위치는 상기 플로어의 대략 중간일 수 있다.
이러한 플로어들은 다양한 두께를 가질 수 있다. 통상적으로, 이러한 플로어는 약 0.10 m 내지 약 2.00 m의 두께를 가질 수 있다. 따라서, 중간 포커스는 조명 시스템의 저부 부분 아래에서 약 0.10 m와 약 2.00 m 사이의 위치에 위치될 수 있다. 상기 플로어는 2 개의 층들 - 상부 층 및 하부 층 - 로 분리될 수 있다. 상부 층은 0.1 m 내지 0.75 m 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 하부 층은 흔히 콘크리트(concrete)로 만들어지며, 약 0.50 m 내지 1.00 m 사이의 두께를 가질 수 있다. 하지만, 다른 범위와 층 구성이 행해질 수도 있다.
조명 시스템이 작동하게 될 플로어의 또 다른 변형은 약 0.20 m 두께의 비교적 얇은 플로어 층을 가질 수 있으며, 상기 얇은 플로어 층은 필러(pillar)들의 구성을 지지하고, 수평으로 방위잡힌 빔들은 상기 필러들 상에 놓이며, 상기 얇은 플로어 층은 상기 빔들에 의해 지지된다. 따라서, 중간 포커스는 조명 시스템의 저부 부분 아래에서 약 0.1 m의 위치에 위치된다. 상기 필러들은 통상적으로 콘크리트로 만들어질 수 있다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예가 적용될 수 있는 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 조명 시스템의 일 실시예를 도시하는 도면; 및
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 조명 시스템의 또 다른 실시예를 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예가 적용될 수 있는 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구성물(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구성물 지지체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구성물은 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구성물은, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구성물은, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(이중 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블들이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블들에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 1 이상의 광학 요소들, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(PB)은 지지 구성물(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(PB)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적 으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부 여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2a는 조명 시스템(IL)의 일 실시예를 도시한다. 조명 시스템(IL)은 광학 요소들(4, 6)을 포함하는 광학 시스템을 포함하는 하우징(2)을 포함한다. 이 실시예에서, 광학 요소들(4, 6)은 제 1 거울(4) 및 제 2 거울(6)이다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 제 1 거울(4) 및 제 2 거울(6)은 둘 다 하우징(2)의 내부에 위치된다.
또한, 도 2a는 방사선 소스(SO) 및 컬렉터(8)를 포함하는 소스-컬렉터 모듈(SCM)을 도시한다. 이 실시예에서, 컬렉터(8)는 조명 시스템(IL)과 소스(SO) 사이에 위치된다. 대안적으로, 상기 소스(SO)는 컬렉터(8)와 조명 시스템(IL) 사이에 위치된다. 이 대안예는 컬렉터가 수직 입사 거울(normal incidence mirror: 도면들에는 도시되지 않음)일 때에 적합할 수 있다.
도 2a에서 알 수 있는 바와 같이, 조명 시스템(IL)의 이 실시예의 저부 부분(10)에는 조명 시스템(IL)의 하우징(2)을 지지하는 복수의 지지 구조체들(12)이 제공된다. 이러한 지지 구조체들(12)은 하우징(2)에 직접 고정될 수 있다. 대안적으로, 상기 지지 구조체들은 하우징(2)에 고정적으로 부착되지 않고 하우징(2)과 맞물리거나(abut) 또는 하우징(2)에 고정된 구성요소들과 맞물릴 수 있다. 일 실시예에서, 지지 구조체들(12)은 하우징 아래에 약 70 cm의 자유 공간(free space)을 생성한다. 지지 구조체들(12)은 통상적으로 공기 이동을 위해 사용되는 관통-홀(TH)이 제공된 플로어(F) 상에 놓인다. 소스-컬렉터 모듈(SCM)은 데브리 완화부(debris mitigator: 14), 예를 들어 포일 트랩을 더 포함하며, 이는 소스(SO)와 컬렉터(8) 사이에 위치된다.
작동 시, 소스(SO)는 방사선 빔(B)을 발생시키며, 방사선 빔(B)은 중간 포커스(IF)에서 컬렉터(8)에 의해 포커스된다. 도 2a의 실시예에서, 중간 포커스(IF)는 조명 시스템(IL)의 저부 부분(10) 근처의 위치에 위치되도록 결정되었다. 중간 포커스(IF)는 조명 시스템(IL)의 저부 부분(10)과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치될 수 있다. 이 실시예에서, 중간 포커스(IF)의 위치는 하우징(2)의 외부에 그리고 플로어(F)에서 관통-홀(TH) 내의 대략 중간에 존재하도록 결정되었다. 거울들(4, 6)은 지지 구성물(MT) 상에 장착된 패터닝 디바이스(MA) 상에 중간 포커스를 이미징하도록 배치될 수 있다. 중간 포커스(IF)의 위치는 조명 시스템(IL)의 저부 부분(10) 아래에서 약 0.10 m 내지 2.00 m 사이에 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 중간 포커스(IF)의 위치는 조명 시스템(IL)의 저부 부분(10) 아래에서 약 0.50 m 내지 1.50 m 사이에 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 중간 포커스(IF)는 저부 부분(10) 아래에서 약 0.20 m 내지 0.80 m 사이에 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 중간 포커스(IF)는 조명 시스템(IL)의 저부 부분(10) 아래에서 약 0.10 m의 위치에 위치될 수 있다. 약 1.00 m의 두께를 갖는 팹 플로어(fab floor)의 경우, 중간 포커스(IF)는 저부 부분(10) 아래에서 약 0.50 m의 위치에 위치될 수 있는데, 이는 저부 부분(10) 아래의 약 0.50 m의 위치가 팹 플로어의 대략 중간이기 때문이다. 지지 구조체들(12)은 중간 포커스가 조명 시스템의 저부 부분에 대해 위치된 위치를 조정하기 위해 조정가능한 높이를 갖도록 배치될 수 있다. 이러한 조명 시스템들은 사용될 플로어 두께에 관한 종래의 지식 없이도 제조될 수 있다.
제 1 거울(4)은 제 2 거울(6)로 바로 방사선 빔을 반사시킬 수 있다. 상기 거울들(4, 6)은 필드 패싯 거울(field facet mirror)들일 수 있다. 필드 패싯 거울들은 해당 기술 분야에 알려져 있으며, 예를 들어 미국 특허 제 6,195,201호에 개시되었다. 제 1 거울(4)은 제 2 거울(6)의 대응하는 거울 요소들 근처에 복수의 이미지들을 형성하는데 사용되는 복수의 거울 요소들을 포함한다. 거울들(4, 6)은 사용 시 패터닝 디바이스(MA) 상에 중간 포커스를 이미징하는 광학 시스템을 형성한다. 도 2a에는 2 개의 거울들(4, 6)이 도시되어 있지만, 조명 시스템은 다른 수의 광학 요소들을 가질 수도 있다. 이러한 광학 요소들은 필드 패싯 거울 또는 다른 요소들일 수 있다.
도 2a의 실시예는 도 2b에 도시된 리소그래피 장치로 구현될 수 있다. 또한, 소스-컬렉터 모듈(SCM)과 조명 시스템(IL) 이외에, 이 실시예는 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된 방사선을 투영 시스템(PL)의 이미지 평면(IP) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(PL)을 포함한다. 사용 시, 이미지 평면은 기판의 타겟부에 위치된다. 도 2b는 2 개의 거울들(18, 20)을 포함하여 방사선을 이미지 평면(IP) 상으로 투영하는 투영 시스템을 도시한다. 하지만, 당업자라면, 방사선을 이미지 평면(IP) 상으로 투영하기 위해 다른 개수의 거울들이 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 2 개의 거울들(18, 20) 대신에 다수의 6 개의 거울들이 사용될 수 있다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 중간 포커스(IF)는 이미지 평면(IP) 아래의 위치에 위치된다. 하지만, 중간 포커스(IF)는 대안적으로 이미지 평면(IP)과 실질적으로 동일한 레벨의 위치에 위치될 수 있다.
이미지 평면(IP)과 동일한 레벨에 또는 심지어 이미지 평면(IP) 아래에 중간 포커스(IF)를 위치시키는 것은, 방해 없이 팹 플로어를 쉽게 통과할 수 있도록 광학 경로를 적응시키는데 있어서 용이하다. 중간 포커스는 이전에 나타낸 바와 같 이 팹 플로어와 동일한 높이에 위치될 수 있다.
조명 시스템의 또 다른 실시예는 도 3에 도시된다. 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 컬렉터(8)와 제 1 거울(4) 사이의 방사선 빔(B)의 일부분(P)이 제 2 거울(6)과 지지 구성부(MT) 사이로 전파된다. 이는 방사선 빔(B)의 일부분(P)이 플로어(F)에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 진행할 수 있게 함에 따라, 플로어(F)의 단면 치수를 제한하고 플로어(F)를 통해 투과될 수 있는 빔의 단면을 최대화한다.
도 3a의 실시예는 도 3b에 도시된 리소그래피 장치로 구현될 수 있다. 또한, 소스-컬렉터 모듈(SCM)과 조명 시스템(IL) 이외에, 이 실시예는 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된 방사선을 투영 시스템(PL)의 이미지 평면(IP) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(PL)을 포함한다. 사용 시, 이미지 평면은 기판의 타겟부에 위치된다. 도 3b는 2 개의 거울들(18, 20)을 포함하여 방사선을 이미지 평면(IP) 상으로 투영하는 투영 시스템을 도시한다. 하지만, 당업자라면, 방사선을 이미지 평면(IP) 상으로 투영하기 위해 다른 개수의 거울들이 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 2 개의 거울들(18, 20) 대신에 다수의 6 개의 거울들이 사용될 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 중간 포커스(IF)는 이미지 평면(IP) 아래의 위치에 위치된다. 하지만, 중간 포커스(IF)는 이미지 평면(IP)과 실질적으로 동일한 레벨의 위치에 위치될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도 메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (29)

  1. 조명 시스템에 있어서,
    하우징; 및
    상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템 - 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하고, 상기 광학 시스템은 중간 포커스(intermediate focus)로부터 발산하는(diverging) 방사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치되며, 상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치됨 - 을 포함하는 조명 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 상기 패터닝 디바이스 상에 상기 중간 포커스를 이미징하도록 배치되는 조명 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명 시스템의 저부 부분에는 상기 하우징을 지지하는 1 이상의 지지 구조체들이 제공되는 조명 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 지지 구조체들 중 적어도 1 이상과 실질적으로 동 일한 레벨에 위치되는 조명 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지 구조체들 중 적어도 1 이상은 상기 중간 포커스가 상기 조명 시스템의 저부 부분에 대해 위치된 위치를 조정하도록 조정가능한 높이를 갖는 조명 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분의 아래에서 약 0.10 m 내지 약 2.00 m 사이의 위치에 위치되는 조명 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분의 아래에서 약 0.20 m 내지 약 1.50 m 사이의 위치에 위치되는 조명 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분의 아래에서 약 0.10 m의 위치에 위치되는 조명 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 포커스로부터 발생된 방사선 빔이 바로 입사되는 거울을 더 포함하는 조명 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스 상에 상기 방사선 빔을 포커스하도록 구성되고 배치된 추가 거울을 더 포함하고, 상기 거울은 상기 방사선 빔을 상기 추가 거울로 바로 반사시키도록 배치된 조명 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스 상에 상기 방사선 빔을 포커스하도록 구성되고 배치된 거울을 더 포함하는 조명 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 하우징 외부에 위치된 위치를 갖는 조명 시스템.
  13. 조립체에 있어서,
    조명 시스템을 포함하고, 상기 조명 시스템은:
    하우징; 및
    상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템 - 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하고, 상기 광학 시스템은 중간 포커스로부터 발산하는 방 사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치되며, 상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치됨 - ; 및
    방사선 소스 및 상기 방사선 소스를 상기 중간 포커스에 이미징하는 컬렉터를 포함하는 소스-컬렉터 모듈을 포함하는 조립체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 방사선 소스는 상기 조명 시스템의 저부 부분 아래의 위치에 위치되는 조립체.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 소스-컬렉터 모듈은 상기 조명 시스템의 저부 부분 아래의 위치에 위치되는 조립체.
  16. 리소그래피 장치에 있어서,
    조명 시스템을 포함하고, 상기 조명 시스템은:
    하우징; 및
    상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템 - 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하고, 상기 광학 시스템은 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치되며, 상기 중간 포커스 는 상기 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치됨 - ;
    방사선 소스 및 상기 방사선 소스를 상기 중간 포커스에 이미징하는 컬렉터를 포함하는 소스-컬렉터 모듈;
    상기 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되고 배치됨 - ;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치.
  17. 리소그래피 장치에 있어서,
    조명 시스템을 포함하고, 상기 조명 시스템은:
    하우징; 및
    상기 하우징 내에 위치된 광학 시스템 - 상기 광학 시스템은 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하고, 상기 광학 시스템은 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔으로 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성되고 배치됨 - ;
    방사선 소스 및 상기 방사선 소스를 상기 중간 포커스에 이미징하는 컬렉터를 포함하는 소스-컬렉터 모듈;
    상기 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체 - 상기 패터닝 디바이스 는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되고 배치됨 - ;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    투영 시스템 - 상기 투영 시스템은 상기 투영 시스템의 이미지 평면 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되며, 상기 이미지 평면은 상기 기판의 타겟부에 위치됨 - 을 포함하고,
    상기 중간 포커스는 상기 이미지 평면과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치되는 리소그래피 장치.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 상기 패터닝 디바이스 상에 상기 중간 포커스를 이미징하도록 배치되는 리소그래피 장치.
  19. 조명 시스템을 제조하는 방법에 있어서,
    패터닝 디바이스 상에 중간 포커스를 이미징하는 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하는 광학 시스템을 하우징에 제공하는 단계; 및
    상기 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔을 이용하여 상기 패터닝 디바이스를 조명하도록 상기 광학 시스템을 배치시키는 단계를 포함하고, 상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  20. 조명 시스템을 제조하는 방법에 있어서,
    패터닝 디바이스 상에 중간 포커스를 이미징하는 적어도 1 이상의 광학 요소를 포함하는 광학 시스템을 하우징에 제공하는 단계;
    상기 중간 포커스로부터 발산하는 방사선 빔을 이용하여 상기 패터닝 디바이스를 조명하도록 상기 광학 시스템을 배치시키는 단계; 및
    상기 패터닝 디바이스에 의해 부여된 패턴을 이미지 평면에 이미징하는 단계를 포함하고,
    상기 중간 포커스는 상기 이미지 평면과 실질적으로 동일한 레벨 또는 그 아래의 위치에 위치되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  21. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 상기 패터닝 디바이스 상에 상기 중간 포커스를 이미징하도록 배치되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  22. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 중간 포커스의 위치는 조립체가 작동하게 될 플로어 내의 개구부에 존재하도록 결정되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 중간 포커스의 위치는 상기 플로어의 대략 중간인 조명 시스템을 제조하는 방법.
  24. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분 아래에서 약 0.10 m 내지 약 2.00 m 사이의 위치에 존재하도록 결정되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분 아래에서 약 0.50 m 내지 약 1.50 m 사이의 위치에 위치되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  26. 제 21 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 조명 시스템의 저부 부분 아래에서 약 0.10 m의 위치에 위치되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  27. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    방사선 소스 및 컬렉터를 포함하는 소스-컬렉터 모듈을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스-컬렉터 모듈은 상기 방사선 소스를 상기 중간 포커스에 이미징하도록 배치되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 조명 시스템의 저부 부분 아래의 위치에 상기 방사선 소스를 배치하는 단계를 더 포함하는 조명 시스템을 제조하는 방법.
  29. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 중간 포커스는 상기 하우징 외부에 위치되도록 결정되는 조명 시스템을 제조하는 방법.
KR1020097022941A 2007-04-03 2008-04-03 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법 KR101157507B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/730,751 2007-04-03
US11/730,751 US7889321B2 (en) 2007-04-03 2007-04-03 Illumination system for illuminating a patterning device and method for manufacturing an illumination system
PCT/NL2008/050184 WO2008120989A1 (en) 2007-04-03 2008-04-03 Illumination system for illuminating a patterning device and method for manufacturing an illumination system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100009563A true KR20100009563A (ko) 2010-01-27
KR101157507B1 KR101157507B1 (ko) 2012-06-20

Family

ID=39462596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097022941A KR101157507B1 (ko) 2007-04-03 2008-04-03 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7889321B2 (ko)
EP (1) EP2132601A1 (ko)
JP (1) JP2010524231A (ko)
KR (1) KR101157507B1 (ko)
CN (1) CN101681115A (ko)
TW (1) TW200846844A (ko)
WO (1) WO2008120989A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170024004A (ko) * 2014-06-23 2017-03-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
KR20170063778A (ko) * 2014-09-22 2017-06-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 공정 윈도우 식별자

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008014832A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
JP6112478B2 (ja) * 2008-03-20 2017-04-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影対物系
CN102422225B (zh) 2009-03-06 2014-07-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的照明光学系统与光学系统
KR101105410B1 (ko) * 2009-08-20 2012-01-17 주식회사 디엠에스 임프린트 장치
NL2006625A (en) * 2010-05-26 2011-11-29 Asml Netherlands Bv Illumination system and lithographic apparatus.
DE102015012053A1 (de) * 2015-09-14 2017-03-16 M+W Group GmbH Fertigungsanlage zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen aus Halbleiter-Wafern sowie Waffelelement für eine Fertigungsanlage

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229044A (ja) 1996-12-13 1998-08-25 Nikon Corp 露光装置および該露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法
DE10138313A1 (de) * 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
KR20020054368A (ko) * 1999-12-16 2002-07-06 시마무라 테루오 노광방법 및 장치
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4298336B2 (ja) * 2002-04-26 2009-07-15 キヤノン株式会社 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法
JP2006134974A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Canon Inc 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法
JP2007088061A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Canon Inc 露光装置
US7372058B2 (en) 2005-09-27 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Ex-situ removal of deposition on an optical element

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170024004A (ko) * 2014-06-23 2017-03-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
KR20170063778A (ko) * 2014-09-22 2017-06-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 공정 윈도우 식별자
US10755025B2 (en) 2014-09-22 2020-08-25 Asml Netherlands B.V. Process window identifier
US11379648B2 (en) 2014-09-22 2022-07-05 Asml Netherlands B.V. Process window identifier

Also Published As

Publication number Publication date
US20080246940A1 (en) 2008-10-09
EP2132601A1 (en) 2009-12-16
KR101157507B1 (ko) 2012-06-20
WO2008120989A1 (en) 2008-10-09
US7889321B2 (en) 2011-02-15
JP2010524231A (ja) 2010-07-15
TW200846844A (en) 2008-12-01
CN101681115A (zh) 2010-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9651875B2 (en) Illumination system and lithographic apparatus
US8144310B2 (en) Positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101157507B1 (ko) 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법
EP1615077A2 (en) Alignment method and apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and alignment tool
US7492441B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method incorporating a pressure shield
NL2009827A (en) A stage system and a lithographic apparatus.
US7471373B2 (en) Lithographic apparatus with patterning device position determination
KR20090018149A (ko) 광학 장치
US7713665B2 (en) Lithographic apparatus and patterning device
WO2008147175A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4740970B2 (ja) 振動絶縁サポートデバイスを含むリソグラフィ装置
US20100103390A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7978307B2 (en) Gas bearing, and lithographic apparatus provided with such a bearing
KR101138901B1 (ko) 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20070110793A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101301150B1 (ko) 리소그래피 장치, 복합재 및 제조 방법
US20200363732A1 (en) Positioning Device, Lithographic Apparatus, Method for Compensating a Balance Mass Torque and Device Manufacturing Method
US20080239263A1 (en) Lithographic system and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee