KR101301150B1 - 리소그래피 장치, 복합재 및 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 복합재 및 제조 방법 Download PDF

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템 및 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함한다. 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 상기 리소그래피 장치에는 복합재가 제공될 수 있으며, 상기 복합재 내에 탄소 섬유 층 및 티타늄 층이 제공된다.

Description

리소그래피 장치, 복합재 및 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS, COMPOSITE MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 리소그래피 장치 및 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우에, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치 내에서 이동가능한 부분들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 지지체 및/또는 기판 테이블이 이동가능할 수 있다. 위치설정 디바이스에 의해 이동가능한 부분들 상에 힘이 가해질 수 있다. 강철 및 알루미늄과 같은 금속들이 이동가능한 부분과 위치설정 디바이스에 사용되었다. 하지만, 금속들은 높은 중량을 가질 수 있다.
개선된 재료, 또는 적어도 금속의 대체물을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 리소그래피 장치의 구성요소는 복합재(composite material)를 포함하고, 상기 복합재는 탄소 섬유 층 및 티타늄 층을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 탄소 섬유 층을 포함하는 복합재가 제공되고, 상기 복합재 내에 티타늄 층이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 탄소 섬유 층을 제공하는 단계; 티타늄 층을 제공하는 단계; 및 상기 층들을 함께 압착(press)하는 단계를 포함하는 복합재를 제조하는 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선 또는 여타의 적절한 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 패터닝 디바 이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(W)의 타겟부(C)(1 이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 여하한의 타입의 광학 구성요소들, 또는 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용 도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광 학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 것과 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 또는 "기판 지지체"(및/또는 2 이상의 마스크 테이블 또는 "마스크 지지체")를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 또는 지지체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 또는 지지체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는데 사용될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 예를 들어 투영 시스템과 기판 사이 에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 )(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 달리) 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그것들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 상기 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치를 포함하며, 상기 리소그래피 장치의 구성요소는 복합재를 포함하고, 상기 복합재는 탄소 섬유 층 및 티타늄 층을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 "구성요소"라는 용어는 상기 장치의 여하한의 부품(part), 예를 들어 기판 테이블, 패터닝 디바이스 지지체 및 크래시 프로텍터(crash protector)를 포괄하는 것으로 의도된다. 또한, "구성요 소"라는 용어는, 예를 들어 기판 테이블의 표면과 같이 소정 부품의 일부분(portion of a part)까지도 포괄하는 것으로 의도된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 크래시 프로텍터를 도시한다. 크래시 프로텍터는 제어 시스템의 전력 파괴(power break down) 또는 고장(failure) 시 이동가능한 부분을 보호하는데 사용되는 이동가능한 부분이다. 크래시 프로텍터는 개방된 공간(5)에 장착될 수 있는 이동가능한 기판 테이블(도 1에서 WT)을 보호하는데 사용될 수 있다. 크래시 프로텍터의 주 평면(1)에 실질적으로 수직인 축을 중심으로 회전을 제한하기 위해 연장부(3)가 사용될 수 있다. 상기 연장부(3)에는 홈(도시되지 않음)을 통해 안내되는 돌출부들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. 크래시 프로텍터의 회전 방향으로 제어 불가능한(loss of control) 경우, 홈이 돌출부들 및 연장부(3)를 통해 크래시 프로텍터 상에 회전력을 가할 수 있으며, 이는 내부 코너(7)에 매우 높은 피크 응력(peak stress)을 준다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 크래시 프로텍터의 내부 코너(7)의 상세도이다. 내부 코너(7)는 탄소 섬유(11)와 티타늄(15)의 교번 층들을 포함하는 복합재로 구성된다. 티타늄 층은 내부 코너, 또는 높은 응력이 발생하는 다른 장소들에 제공될 수 있다. 전체 내부 코너에서 응력을 감소시키는데 티타늄 층이 요구되지 않는 경우, 티타늄 층(15)은 탄소 층(11)보다 더 작을 수 있다. 티타늄 층(15)이 존재하지 않는 위치들(13)은 추가 탄소 층 또는 필러 재료(filler material)로 채워질 수 있다. 티타늄 층은 약 0.01 내지 1 mm, 더 바람 직하게는 약 0.1 mm의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 티타늄은 티타늄 그레이드 5인 것이 바람직할 수 있다. 도 3에 도시된 상이한 층들은 함께 압착되어 도 4의 내부 코너(7)를 생성할 것이다. 도 3 및 도 4에서는, 4 개의 탄소 섬유 층들(11)이 3 개의 티타늄 층들(15)과 교번하지만, 탄소 섬유 및 티타늄의 추가 교번 층들을 갖는 복합물이 사용될 수도 있다. 티타늄 층은 직사각형 플레이트의 티타늄으로서 제공될 수 있으며, 그로부터 코너가 절단(cut-out)되어 상기 복합물의 내부 코너를 형성한다. 상기 복합물의 장점은 자기력에 민감하지 않으며 또한 탄소가 양호한 진동 감쇠를 제공한다는 점이다. 또한, 탄소 섬유의 사용은 밀도에 걸쳐 매우 높은 강도를 제공하는데, 이는 매우 강하고 또한 경량의 설계를 가능하게 한다.
도 5는 탄소 층들 사이에 티타늄 플레이트들이 제공되지 않고 충돌이 일어날 때의 도 2의 크래시 프로텍터 부품 내의 응력을 도시한다. 크래시 프로텍터에서 응력의 평면도가 도 5의 상부 부분에 제공되고, 크래시 프로텍터에서 응력의 저면도가 도 5의 하부 부분에 제공된다. 도 5는 티타늄 층들이 존재하지 않고 충돌이 일어날 때 내부 코너(9A 및 9B)에 매우 높은 피크 응력이 발생한다는 것을 나타낸다.
도 6은 탄소 층들 사이에 부분적으로 티타늄 플레이트들이 제공되고 충돌이 일어날 때의 도 2의 크래시 프로텍터 부품 내의 응력을 도시한다. 크래시 프로텍터에서 응력의 평면도가 도 6의 상부 부분에 제공되고, 크래시 프로텍터에서 응력의 저면도가 도 6의 하부 부분에 제공된다. 도 5와 도 6을 비교하면, 내부 코너에 티타늄 플레이트들이 존재하고 충돌이 일어날 때 내부 코너(7A 및 7B)에 더 낮은 피크 응력이 발생한다는 것을 나타낸다. 더 낮은 피크 응력과, 탄소 층들보다 양호한 응력 기준(stress criterion)을 갖는 티타늄은, 크래시 프로텍터가 충돌에 더 잘 견딜 수 있게 한다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 복합재의 사용에 대해 언급하였지만, 복합재가 다른 적용예들에서 사용될 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명은, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있다. 임프린트 리 소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트로부터 벗어나 이동하며, 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남긴다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예가 제공될 수 있는 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 크래시 프로텍터를 도시하는 도면;
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 크래시 프로텍터의 내부 코너(7)의 상세도;
도 5는 탄소 층들 사이에 티타늄 층들이 제공되지 않고 충돌이 일어날 때의 도 2의 크래시 프로텍터의 일부분 내의 응력을 도시하는 도면; 및
도 6은 탄소 층들 사이의 일부 부분 상에 티타늄 플레이트들이 제공되고 충돌이 일어날 때의 도 2의 크래시 프로텍터의 일부분 내의 응력을 도시하는 도면이다.

Claims (17)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하고,
    상기 리소그래피 장치의 구성요소는 복합재(composite material)를 포함하며, 상기 복합재는 탄소 섬유 층 및 티타늄 층을 포함하고,
    상기 복합재는 상기 구성요소의 내부 코너 상에 배치되고, 상기 티타늄 층은 상기 내부 코너에 배치된 코너 형상을 갖는 티타늄 플레이트인 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄소 섬유 및 티타늄 층들은 상기 복합재 내에 교번하여(alternatively) 배치되는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성요소는 상기 기판 테이블인 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성요소는 상기 지지체인 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 티타늄 층은 0.05 내지 0.6 mm 사이의 두께를 갖는 리소그래피 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 티타늄 층은 0.2 내지 0.4 mm 사이의 두께를 갖는 리소그래피 장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성요소는 이동가능한 부분으로부터 상기 장치를 보호하도록 구성된 크래시 프로텍터인 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성요소는 상기 리소그래피 장치의 사용 중에 이동가능한 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성요소는 이동가능한 부분을 위치시키도록 구성된 위치설정 디바이스인 리소그래피 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 탄소 섬유 층 및 티타늄 층을 포함하는 복합재를 포함하는, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 이동가능한 구성요소에 있어서,
    상기 복합재는 상기 구성요소의 내부 코너 상에 배치되고,
    상기 구성요소는 상기 리소그래피 장치의 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 기판 테이블 또는 지지체이며,
    상기 티타늄 층은 상기 내부 코너 상에 제공된 코너 형상을 갖는 티타늄 플레이트인, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 이동가능한 구성요소.
  17. 삭제
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