TWI444782B - 包含一內部感測器及一迷你反應器之微影裝置及處理微影裝置之內部感測器之感測表面之方法 - Google Patents

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Description

包含一內部感測器及一迷你反應器之微影裝置及處理微影裝置之內部感測器之感測表面之方法
本發明係關於一種包含內部感測器及迷你反應器之微影裝置。本發明進一步係關於一種用於處理微影裝置之內部感測器之感測表面的方法。本發明亦係關於一種器件製造方法。
本申請案主張2008年4月15日申請且全文以引用之方式併入本文中之美國臨時申請案61/071,156的權利。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經相繼圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影裝置中，可成像至基板上之特徵的尺寸可受到投影輻射之波長限制。為了產生具有更高密度之器件且因此具有更高操作速度的積體電路，需要能夠成像更小特徵。儘管大多數當前微影投影裝置使用由汞燈或準分子雷射所產生之紫外光，但已提議使用為(例如)約13nm之更短波長輻射。該輻射被稱作極紫外線(EUV)或軟x射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。
EUV輻射源通常為電漿源，例如，雷射產生之電漿源或放電源。任何電漿源之共同特徵為產生在所有方向上自電漿所逐出之快速離子及原子。此等粒子可損害通常為具有易碎表面之多層鏡面或掠入射鏡面之收集器及聚光器鏡面。此表面歸因於自電漿所逐出之粒子之衝擊或濺射而逐漸地降級，且鏡面之使用壽命因此減少。濺射效應對於輻射收集器或收集器鏡面特別成問題。此鏡面之目的係收集由電漿源在所有方向上所發射之輻射且將其引導朝向照明系統中之其他鏡面。輻射收集器經定位成極接近於電漿源且與電漿源成一視線，且因此自電漿接收大通量之快速粒子。因為系統中之其他鏡面可能在某種程度上被遮蔽，所以其通常在較小程度上受到自電漿所逐出之粒子之濺射損害。
在不久的將來，極紫外線(EUV)源可使用錫(Sn)或另一金屬蒸汽來產生EUV輻射。此錫可洩漏至微影裝置中，且沈積於微影裝置中之鏡面(例如，輻射收集器之鏡面)上。該輻射收集器之鏡面可具有為(例如)釕(Ru)之EUV反射頂層。多於大約10nm錫(Sn)在反射Ru層上之沈積物將以與本體Sn相同之方式來反射EUV輻射。收集器之總透射可顯著地減少，因為錫之反射係數顯著地低於釕之反射係數。為了防止來自源之碎片或由此碎片所產生之二次粒子沈積於輻射收集器上，可使用污染物障壁。儘管該等污染物障壁或捕捉器可移除碎片之一部分，但某些碎片仍將沈積於輻射收集器或其他光學元件上。
為了移除不需要的沈積物，已論述清潔方法，包括(例如)諸如國際專利申請公開案第WO 2008002134號中所描述之氫自由基清潔。以此方式，將H2 及氫自由基引入於微影裝置之至少一部分中。WO 2008002134描述一種用於在EUV微影裝置(例如，具有Sn源之EUV微影裝置)中使用之清潔配置。清潔配置包括用於含氫氣體之氣體源及氫自由基源。氫自由基源為誘發氫之光解離之(UV)輻射源(此亦可為EUV源)或產生氫自由基之熱燈絲。自由基可減少Sn氧化物(若存在)，且形成Sn沈積物及/或碳沈積物之揮發性氫化物。以此方式，清潔配置可用以清潔光學元件以去除Sn及/或C沈積物。
微影裝置可包含一或多個內部感測器，內部感測器可用於複數個應用，諸如，對準控制、劑量控制、影像最佳化、瞳孔檢視、光譜純度，等等。該等感測器可遭受含碳材料(諸如，碳或烴)之沈積物。
本發明之一態樣係提供一種包含內部感測器之微影裝置。本發明之另一態樣係提供一種用於處理微影裝置之內部感測器之感測表面的方法。本發明之又一態樣係提供一種器件製造方法。
為此，在一實施例中，本發明提供一種包含內部感測器及迷你反應器之微影裝置，其中迷你反應器可相對於感測器而移動，其中感測器具有感測表面，其中迷你反應器包含用於含氫氣體之入口、氫自由基產生器，及用於含氫自由基氣體之出口，其中迷你反應器經配置以在用於處理感測器之感測表面的方法中使用迷你反應器期間形成包含氫自由基之區域迷你環境以處理感測表面。
根據一實施例，提供一種微影裝置，微影裝置包括：投影系統，投影系統經建構及配置以將輻射光束投影至基板之目標部分上；內部感測器，內部感測器具有感測表面；及迷你反應器，迷你反應器可相對於感測器而移動。迷你反應器包括用於含氫氣體之入口、氫自由基產生器，及用於含氫自由基氣體之出口。迷你反應器經建構及配置以形成包含氫自由基之區域迷你環境以處理感測表面。
感測器可包含選自由晶圓平台感測器、光罩平台感測器、偵測器感測器、收集器感測器、收集器框架感測器、照明器感測器、照明器框架感測器、位置感測器及能量感測器組成之群組的感測器。在一實施例中，感測表面包含釕。在本文中，術語「感測器」指代內部感測器，亦即，微影裝置內之感測器。
在一實施例中，氫自由基產生器可包含燈絲，燈絲經建構及配置以被加熱，以便將分子氫轉換成氫自由基。在一實施例中，迷你反應器可經配置以淨化感測器之感測表面。在一實施例中，微影裝置可進一步包含冷卻元件，冷卻元件經配置以冷卻迷你反應器之至少一部分(特別為迷你反應器壁)。
在一實施例中，迷你反應器可包含具有腔室開口之反應器腔室。該反應器腔室開口可配置至感測表面，或感測表面可配置至反應器腔室開口，或反應器腔室開口及感測表面兩者均可配置至彼此，因為如以上所提及，感測器或迷你反應器或感測器及迷你反應器為可輸送的。以此方式，迷你反應器亦可能能夠「伺服」複數個感測器，諸如，兩個或兩個以上感測器。舉例而言，可順序地處理不同感測器之感測表面，因為感測器經分別輸送至迷你反應器，或迷你反應器經分別輸送至感測器，或各別感測器及迷你反應器經輸送至彼此。
感測表面可具有感測表面區域或感測表面橫截面區域，且反應器腔室開口可具有腔室開口區域(或腔室開口橫截面區域)。特別地，反應器腔室開口區域大體上等於或大於感測表面區域或感測表面橫截面區域。以此方式，清潔位置(亦即，在感測表面上)可能幾乎自環境被關閉或遮蔽。通常，反應器腔室開口區域與感測表面區域或感測表面橫截面區域之比率係在約0.2至2之範圍內。
迷你反應器(及特別為反應器腔室)之內部表面可包含大體上不與氫或氫自由基或氫及氫自由基兩者反應之材料(特別為在處理條件下)。在一實施例中，反應器壁(特別為反應器腔室)之內部表面可包含具有之氫自由基表面重組係數的材料。在一實施例中，可經配置以引導至感測表面及/或其周圍之一部分的反應器之外部部分(特別為反應器腔室之外部部分)可包含具有大於約0.02(特別為約>0.1)之氫自由基表面重組係數的材料。
根據一態樣，本發明之實施例提供一種用於處理微影裝置之內部感測器之感測表面的方法，其中感測器具有感測表面，方法包含向感測表面提供包含氫自由基之區域迷你環境，及藉由氫自由基而處理感測表面。
根據一實施例，提供一種用於處理微影裝置之內部感測器之感測表面的方法，其中感測器具有感測表面。方法包含提供包含氫自由基之區域迷你環境，及藉由氫自由基而處理感測表面。
本發明之一實施例允許區域迷你環境大體上僅提供至感測表面。在一實施例中，方法包含至少部分地清潔感測表面以去除含碳沈積物(諸如，碳沈積物及/或烴沈積物)。因此，在一實施例中，迷你反應器為可配置以大體上僅針對感測器之感測表面而形成區域迷你環境。
在一實施例中，可藉由沿著熱燈絲而引導含氫氣體來提供氫自由基。在迷你反應器中，特別為在反應器腔室內，H2 分壓可在約0.1Pa至100Pa之範圍內，且氫自由基分壓可在約10-5 Pa至10Pa之範圍內。在一實施例中，含氫氣體包含選自由H2 、HD、D2 、HT、DT及T2 組成之群組的一或多種氣體。
方法可進一步包含(例如)藉由評估來自感測表面之排氣而評估處理結果。舉例而言，質譜儀可偵測反應產物(例如，烴)。當達到烴之預定下限時，可終止處理。因此，微影裝置可進一步包含經配置以評估處理結果之處理感測器。方法可進一步包含評估經處理感測表面。視評估而定，可繼續處理(例如)直到獲得某一預定結果(諸如，撞擊於感測表面上之光的預定吸收、反射或折射值)為止，或可終止處理，且可繼續(例如)微影處理(亦即，製造器件)。
在一實施例中，微影裝置進一步包含迷你反應器(諸如，以上所提及)，其中迷你反應器包含用於含氫氣體之入口、氫自由基產生器，及用於含氫自由基氣體之出口，其中迷你反應器經配置以針對感測表面而形成(在用於處理感測器之感測表面的方法中使用迷你反應器期間)包含氫自由基之區域迷你環境以用於處理感測表面，且其中用於處理感測器之感測表面的方法包含：將感測表面配置至迷你反應器，或將迷你反應器配置至感測表面，或將感測表面及迷你反應器配置至彼此；及針對感測表面而形成包含氫自由基之區域迷你環境；及藉由氫自由基而處理感測表面。
可在藉由微影裝置而製造器件之前或之後應用處理感測表面之方法。然而，在另一態樣中，一實施例亦提供一種使用微影裝置之器件製造方法，其中微影裝置包含感測器，感測器包含感測表面，其中在製造器件時，在感測器在器件製造方法期間不具決定性之製造階段期間，應用用於處理感測器之感測表面的方法，其中方法包含將包含氫自由基之區域迷你環境提供至感測表面，及藉由氫自由基而處理感測表面。
根據一實施例，提供一種使用微影裝置之器件製造方法。微影裝置包含感測器，感測器包含感測表面。方法包含：圖案化輻射光束；將輻射光束投影至基板之目標部分上；提供包含氫自由基之區域迷你環境；及藉由氫自由基而處理感測表面。
在一實施例中，微影裝置包含經建構以產生EUV輻射之輻射源，其中輻射源為Sn電漿源。在本文中，術語「經建構以產生EUV輻射」特別指代經設計成產生EUV輻射且經設計成用於EUV微影術中之源。在特定變體中，輻射源分別包含雷射產生之電漿源(LPP)或放電產生之電漿源(Sn電漿源)。
在一實施例中，微影裝置包含：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。在一實施例中，微影裝置為EUV微影裝置。微影裝置包含輻射源，輻射源經建構以產生輻射光束，在一實施例中，輻射光束可為EUV輻射光束，且輻射源經建構以產生EUV輻射。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置1。裝置1包括：源SO，其用於產生輻射；照明系統(照明器)IL，其經組態以調節來自接收自源SO之輻射之輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)。源SO可經提供作為單獨單元。支撐件(例如，光罩台)MT經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件MA之第一定位器件PM。基板台(例如，晶圓台)WT經組態以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板W之第二定位器件PW。投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐件支撐(例如，承載)圖案化器件。支撐件以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於(例如)投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射係借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在使用時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器件。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束投影至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器件PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器IF1(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器件PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
a.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
b.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
c.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的相繼輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長λ)及極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長，例如，約13.5nm)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，認為具有在約780nm至3000nm(或更大)之間的波長的輻射係IR輻射。UV指代具有大約100nm至400nm之波長的輻射。在微影術內，其通常亦應用於可由汞放電燈所產生之波長：G線436nm；H線405nm；及/或I線365nm。VUV為真空UV(亦即，由空氣所吸收之UV)且指代大約100nm至200nm之波長。DUV為深UV，且通常在微影術中用於由準分子雷射所產生之波長，如126nm至248nm。熟習此項技術者應理解，具有在(例如)5nm至20nm之範圍內之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5nm至20nm之範圍內之某一波長帶的輻射。
圖2更詳細地展示投影裝置1，其包括輻射系統42、照明光學器件單元44，及投影系統PS。輻射系統42包括可由放電電漿形成之輻射源SO。EUV輻射可由氣體或蒸汽產生，例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中形成極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。藉由(例如)放電而導致至少部分地離子化之電漿來形成極熱電漿。對於輻射之有效產生，可能需要為(例如)10Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。在一實施例中，應用作為EUV源之Sn源。由輻射源SO所發射之輻射係經由定位於源腔室47中之開口中或後方之任選氣體障壁或污染物捕捉器49(亦被指示為污染物障壁或箔捕捉器)而自源腔室47傳遞至收集器腔室48中。污染物捕捉器49可包含通道結構。污染物捕捉器49亦可包含氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文中進一步所指示之污染物捕捉器或污染物障壁49至少包含通道結構。
收集器腔室48包括可由掠入射收集器形成之輻射收集器50(本文中亦被指示為收集器鏡面)。輻射收集器50具有上游輻射收集器側50a及下游輻射收集器側50b。由收集器50所傳遞之輻射可經反射離開光柵光譜濾波器51以在收集器腔室48中之孔徑處聚焦於虛擬源點52中。自收集器腔室48，輻射光束56係在照明光學器件單元44中經由正入射反射器53、54而反射至定位於主光罩或光罩台MT上之主光罩或光罩上。形成經圖案化光束57，其係在投影系統PS中經由反射元件58、59而成像至晶圓平台或基板台WT上。比所示元件多之元件可通常存在於照明光學器件單元44及投影系統PS中。視微影裝置之類型而定，可視情況存在光柵光譜濾波器51。另外，可存在比圖中所示之鏡面多的鏡面，例如，可存在除了58、59以外多1至4個的反射元件。自先前技術已知輻射收集器50。
代替作為收集器鏡面50之掠入射鏡面，可應用正入射收集器。如本文在一實施例中更詳細地所描述之收集器鏡面50可為具有反射器142、143及146之巢套式收集器，且如尤其圖2示意性地所描繪之收集器鏡面50在本文中進一步用作收集器(或收集器鏡面)之實例。因此，在適用時，作為掠入射收集器之收集器鏡面50亦可大體上被解釋為收集器且在一實施例中亦被解釋為正入射收集器。
另外，代替光柵光譜濾波器51，如圖2示意性地所描繪，可應用透射光學濾波器，或在一實施例中，可完全不使用濾波器。對於EUV而言透射且對於UV輻射而言較不透射或甚至大體上吸收UV輻射之光學濾波器在此項技術中為已知的。因此，「光柵光譜純度濾波器」在本文中進一步被指示為「光譜純度濾波器」，其包括光柵或透射濾波器。未描繪於圖2中但亦經包括作為任選光學元件的可為EUV透射光學濾波器(例如，配置於收集器鏡面50之上游)，或照明單元44及/或投影系統PS中之光學EUV透射濾波器。
在一實施例(亦見上文)中，輻射收集器50可為掠入射收集器。沿著光軸O而對準收集器50。源SO或其影像位於光軸O上。輻射收集器50可包括反射器142、143、146(亦被稱作Wolter型反射器，其包含若干Wolter型反射器)。有時，其亦被稱作殼層。此等反射器(或殼層)142、143、146可為巢套式且圍繞光軸O而旋轉地對稱。在圖2中(以及在其他圖中)，內部反射器係由參考數字142指示，中間反射器係由參考數字143指示，且外部反射器係由參考數字146指示。輻射收集器50封閉某一容積，亦即，外部反射器146內之容積。通常，外部反射器146內之此容積為圓周關閉的，但可存在小開口。所有反射器142、143及146均包括至少一部分包括一反射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及146(可存在更多反射器，且本文中包含具有三個以上反射器或殼層之輻射收集器(亦被稱作收集器鏡面)50的實施例)經至少部分地設計用於反射及收集來自源SO之EUV輻射，且反射器之至少一部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。舉例而言，反射器之背側之至少一部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。後者部分亦可被稱作背側。在此等反射層之表面上，可此外存在用於保護之頂蓋層或作為提供於反射層之表面之至少一部分上的光學濾波器。
輻射收集器50通常置放於源SO或源SO之影像附近。每一反射器142、143、146可包含至少兩個鄰近反射表面，較遠離於源SO之反射表面與較接近於源SO之反射表面相比經置放成與光軸O成小角度。以此方式，掠入射收集器50經組態以產生沿著光軸O而傳播之(E)UV輻射光束。至少兩個反射器可經大體上同軸地置放且圍繞光軸O而大體上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輻射收集器50可在外部反射器146之外部表面上具有另外特徵或圍繞外部反射器146而具有另外特徵，例如，保護性固持器、加熱器，等等。參考數字180指示兩個反射器之間(例如，反射器142與143之間)的空間。
參看圖1及圖2，微影裝置1中之感測器(亦即，內部感測器)可在微影裝置1中之任何處，諸如，在輻射系統42、照明單元44及/或投影系統PS等等中。繪製熟習此項技術者已知之所有可能感測器及感測器位置將為多餘的，但藉由實例，在圖1中描繪兩個位置感測器IF1及IF2。該等感測器可用於對準光罩MA或晶圓W。如以上所提及，感測器可(例如)為晶圓平台感測器、光罩平台感測器、偵測器感測器、收集器感測器、照明器感測器、位置感測器(諸如，位置感測器IF1及IF2)、能量感測器，等等。感測器可經配置以量測對準、照明、位置，等等。在一實施例中，感測器之感測表面包含釕。
圖3a及圖3b更詳細地以側視圖示意性地描繪具有感測表面202之感測器201。圖3c及圖3d示意性地描繪透視圖；此處，迷你反應器(見下文)在階段I(圖3c)期間未配置於感測表面202上，且在階段II(圖3d)期間配置於感測表面202上。在階段II中，可應用根據本發明之用於處理感測表面202之方法。圖3e示意性地描繪關於圖3a所描繪之實施例的替代實施例，其中迷你反應器具有延伸之邊緣(見下文)。
現特定地參看圖3a至圖3e來進一步描述本發明之實施例。
感測表面202可為大體上平坦的，但亦可為凹入或凸起的(亦見圖3b)。感測器201經配置於微影裝置1中之某處，亦即，其為內部感測器。為了在此情境中說明感測器201，以參考數字200來指示用於感測器之支撐件，諸如，壁、光罩台、晶圓台、鏡面，等等。感測表面202可經受以參考數字291所指示之含碳沈積物，諸如，碳沈積物或烴沈積物。該含碳沈積物291可歸因於在微影裝置1中使用或針對微影處理而使用泵、潤滑劑、抗蝕劑等等而形成。亦可將沈積物291指示為碎片。含碳沈積物291呈現為可由以H*所指示之氫自由基至少部分地移除，此可導致形成揮發性烴(諸如，甲烷)。此等揮發性烴可藉由一或多個泵(未繪製)而抽離，泵可經配置以維持微影裝置1中之低氣壓(在微影處理期間)。
使用氫自由基之潛在缺點可為：其亦與存在於微影裝置1中之其他材料反應。微影裝置1可包含(例如)以焊料形式之錫(Sn)，或(例如)在不鏽鋼中作為痕量元素之鋅(Zn)，且亦包含為(例如)歸因於Sn源之Sn沈積物的Sn。當釋放氫自由基時，氫自由基亦可與其他金屬或金屬氧化物反應，藉此可能地形成可再沈積於光學元件上之金屬氫化物，諸如，ZnH2 或SnH4 ，等等。該過程可被稱作「氫誘發性脫氣」。此不為所要的。因此，需要自感測表面202移除含碳沈積物291，同時不使存在於微影裝置中之其他表面(特別為含Zn或Sn表面)經受氫自由基。本發明之另一潛在益處為：因為微影裝置1之並非所有部分均順應於原子H，且因為藉由本發明，自由基可能不大體上移出迷你環境，所以材料順應性可能更小或並非問題。
因此，本發明提供微影裝置1之實施例，微影裝置1包含該內部感測器201且另外包含迷你反應器210，其中感測器201或迷你反應器210或感測器201及迷你反應器210為可輸送的。迷你反應器210可包含用於含氫氣體226之入口220、氫自由基產生器260，及用於含氫自由基氣體266之出口230。熟習此項技術者應清楚，術語「入口」及「出口」亦可分別指代複數個入口及複數個出口。迷你反應器210經特別配置以在根據本發明之一實施例的用於處理感測器201之感測表面202的方法中使用迷你反應器210期間針對感測表面202而形成包含氫自由基之區域迷你環境255以用於處理感測表面202。在一實施例中，迷你反應器210可經配置以淨化感測器201之感測表面202。有利地，揮發性氫化物係以此方式而移出迷你環境255且經排出，藉此大體上防止揮發性氫化物沈積於感測表面202上。含氫自由基氣體266之氣體流動可為脈衝式或連續的。
以此方式，可藉由氫自由基而處理感測表面202(且特別為大體上僅感測表面202)，而不大體上使微影裝置1之其他零件經受氫自由基，因為迷你反應器210及感測器201(更特別為感測表面202)經配置成一者係在另一者上(或反之亦然)。因此，本文使用術語「迷你環境」。
可使用此項技術中已知之器件及方法以將感測器201自用於感測之位置輸送至用於處理之位置(或反之亦然)，其中將迷你反應器210輸送至感測器201，或可將迷你反應器210及感測器201輸送至彼此。該等器件可包括輸送器，輸送器包括軌道、可移動臂、望遠鏡臂(telescope arm)、晶圓平台、光罩平台，等等。藉由實例，在圖3a中，示意性地描繪輸送器215，在此實施例中，輸送器215允許輸送迷你反應器210。輸送器215可(例如)為望遠鏡臂。在示意性地描繪之實施例中，輸送器連接至微影裝置壁1001。此處，輸送器215經描繪為經配置以輸送迷你反應器210。然而，亦可應用輸送器215以輸送感測器201，或可應用用於輸送迷你反應器210之輸送器215及用於輸送感測器201之第二輸送器215兩者。
在圖3b中，示意性地描繪之輸送器215包含輪，其允許輸送感測器201或事實上為上方定位有感測器201之支撐件200。此處，輸送器215可(例如)在微影裝置底部1002上輸送。
迷你反應器210包含氫自由基產生器260，亦即，在迷你反應器210內，氫分子之總量的至少一部分係自含氫氣體226轉換成氫自由基(亦即，含氫自由基氣體266)。氫自由基產生器260可包含選自由一或多個振盪場電極、磁控管RF產生器及一或多個熱(亦即，可加熱)燈絲組成之群組的一或多個氫自由基產生器260。在一特定實施例中，氫自由基產生器260包含燈絲，燈絲經配置以被加熱，以便將分子氫轉換成氫自由基。
圖3a至圖3b示意性地描繪該實施例，其中以參考數字265來指示燈絲。在一實施例中，燈絲265可為(例如)W(鎢)或Ta(鉭)導線或線圈(或為熟習此項技術者已知之另一材料)，其可經加熱至(例如)約1500° K至3000° K或甚至更高，此視材料種類及所要溫度以及為解離含H2 氣體100中所有H2 分子之至少一部分之H2 的化學鍵所需要的溫度而定。
在一實施例中，可藉由沿著熱燈絲而引導含氫氣體226來提供氫自由基，藉此產生含氫自由基氣體266。在一實施例中，含氫氣體226包含選自由H2 、HD、D2 、HT、DT及T2 組成之群組的一或多種氣體。在本文中，術語「含氫氣體」指代包含氫分子之氣體(亦即，H2 及其類似物)。術語「含氫自由基氣體」指代包含氫自由基之氣體(亦即，H及其類似物)。氫原子或氫自由基之類似物包含D(氘)及T(氚)，且H2 之類似物包含D2 、T2 、HD、TD及HT。出於簡單起見，將H2 (包括其類似物)及H(包括其類似物)分別進一步指示為H2 及H。因此，H2 可指代選自由H2 、D2 、T2 、HD、TD及HT及H組成之群組的一或多者，且H可指代選自由H、D及T組成之群組的一或多者。在本文中，術語「含氫氣體」特別係關於包含該等分子或由該等分子組成之氣體，如在含H2 氣體稀釋之H2 (諸如，H2 與一或多種稀有氣體(諸如，He)之混合物)的情況下。在本文中，術語「含氫自由基氣體」特別係關於包含該等自由基之氣體，該氣體進一步大體上包含H2 及一或多種稀有氣體(諸如，He)。
此含氫自由基氣體266之至少一部分經由出口230而離開迷你反應器210。氫自由基與感測表面202上之沈積物291進行接觸，且可移除特別為含碳沈積物之沈積物。可藉由與迷你反應器210整合或配置於別處之排氣裝置(未描繪)而排出以參考數字290(見圖3b)所指示之排氣。
本發明之實施例可提供將區域迷你環境255大體上僅提供至感測表面202。在一實施例中，方法包含至少部分地清潔感測表面202以去除含碳沈積物291(諸如，碳沈積物及/或烴沈積物)。此可允許更自由地選擇材料(特別為非感測器材料)，因為彼等材料大體上不經受氫自由基(亦即，含自由基氣體)。區域迷你環境255形成於感測表面202上之容積中且不遠離於感測表面202。因此，感測器201之以參考數字250所指示之環境可大體上不含有或接收氫自由基。應注意，氫自由基可相對快速地(重新)關聯；因此，可形成含有氫自由基之區域迷你環境255，而以參考數字250所指示之(另一)環境大體上不含有或接收氫自由基。以此方式，環境250可能不遭受氫誘發性脫氣及/或材料降級。
此係(例如)指示於圖3b至圖3d中。當執行處理時，氫自由基(亦即，含氫自由基氣體266)可大體上不遷移遠離於反應器210。氫自由基可移動遠離於迷你反應器210之距離係以參考數字L2而指示，且可(例如)在小於約5cm(諸如，0cm至5cm，或0cm至2cm，或甚至為0cm至1cm)之範圍內。迷你環境255外部之氫誘發性脫氣將藉此為極有限的。此不意謂氫氣可能不更遠地擴散，但該氣體大體上不再含有氫自由基。
可藉由應用迷你反應器210(特別為反應器腔室)之外部部分而特別抑制氫自由基之遷移，外部部分可經配置以引導至感測表面202及/或其周圍(亦即，環境250)之一部分，外部部分可包含具有約>0.02或約>0.1(亦見下文)之氫自由基表面重組係數的材料。因此，藉由應用該等部分，可促進氫自由基重組，且因此，可減少氫自由基(進一步)至微影裝置1中之輸送且可區域地維持區域迷你環境(針對感測表面202)。
可藉由源225而提供含氫氣體，源225可在微影裝置1內或在微影裝置1外部。另外，藉由採用可經加熱之燈絲265，可提供電壓源264，電壓源264亦可在微影裝置1內或在微影裝置1外部。
在一實施例中，迷你反應器210可包含具有腔室開口240之反應器腔室241。此腔室開口240可與出口230至少部分地重合。然而，氫自由基產生器260亦可配置於迷你反應器210中所包含之單獨腔室中。舉例而言，迷你反應器210可由一或多個腔室(例如，兩個腔室)組成。在示意性圖式中，僅指示一個腔室。然而，迷你反應器210可(例如)包含：具有出口230之產生氫自由基之腔室，產生氫自由基之腔室經配置以產生氫自由基；及在其下游之腔室，腔室經配置以經由出口230而接收產生氫自由基之腔室中所產生之氫自由基之總數目的至少一部分，且經配置以針對感測表面202而形成迷你環境255。未描繪該實施例。因此，在一實施例中，出口230經配置以在處理方法中使用迷你反應器210期間將含氫自由基氣體266提供至感測器201之感測表面202，特別為當出口230與反應器腔室開口240大體上重合時(如示意性圖式所描繪)。然而，在一實施例中，出口230亦可經配置以在處理方法中使用迷你反應器210期間將含氫自由基氣體266提供至出口下游之單獨反應器腔室241。接著，自反應器腔室241，含氫自由基氣體266可經由反應器腔室開口240而提供至感測器201之感測表面202(未描繪此實施例)。
在圖3a及圖3b示意性地所描繪之實施例中，迷你反應器210包含反應器腔室241，其中反應器腔室241亦包含氫自由基產生器260，且其中出口230與反應器腔室開口240大體上重合。反應器210及在此實施例中亦為反應器腔室241具有壁212，壁212具有內部表面211。
此處，反應器腔室241經特別配置成使得當感測器201及迷你反應器210經配置用於處理時，將反應腔室241之反應器腔室開口240引導至感測表面202。該反應器腔室開口240可經配置以移動至感測表面202之鄰近區域中的位置，或感測表面202可經配置以移動至反應器腔室開口240之鄰近區域，或反應器腔室開口240及感測表面202兩者均可經配置以移動至其係在彼此之鄰近區域中的各別位置。
當反應器腔室開口240及感測表面202適當地位於彼此之鄰近區域中時，獲得一組態，其中可特別在由反應器腔室241及感測表面202大體上封閉之容積內應用處理感測表面202之方法。圖3a及圖3b中示意性地描繪此組態；在圖3c中，感測器201與迷你反應器210偏移(諸如，在執行根據本發明之用於處理感測表面202之方法之前或之後可為此情況)，此係以階段I指示，且感測器201與迷你反應器210在階段II(圖3d)中經帶入至彼此之鄰近區域中的位置(藉由移動迷你反應器210、藉由移動感測器201或藉由移動迷你反應器210及感測器201)，此亦可被指示為處理階段，亦即，根據本發明之方法而處理感測表面202之階段。由反應器腔室241及感測表面202大體上封閉之容積係以參考數字242指示。
感測表面202可具有以參考數字205所指示之感測表面區域或感測表面橫截面區域(見圖3c及圖3d)。當感測表面202為大體上平坦(如圖3a中)時，應用感測表面區域；當感測器為(例如)凸起(如圖3b中)或凹入時，應用感測表面橫截面。感測表面區域及感測表面橫截面兩者均係以參考數字205指示。區域將大體上在約1mm2 至100cm2 之範圍內。應注意，術語感測器201亦可包括複數個感測器201(諸如，感測器陣列)。另外，反應器腔室開口240可具有腔室開口區域。此腔室開口區域係以參考數字245指示(圖3c及圖3d)。當反應器腔室開口區域245小於感測表面區域或感測表面橫截面區域205時，可藉由「掃描」感測表面202(亦即，將反應器腔室開口240配置於感測表面202上之不同位置處)而清潔感測表面202。再次，此可藉由輸送感測器201或迷你反應器210或藉由移動感測器201及迷你反應器210兩者而執行。
應注意，術語「在...上」在本文中不暗示迷你反應器210係在感測表面202上方，而是暗示感測表面202及迷你反應器210或反應器腔室開口240彼此接近，且感測表面202可由含氫自由基氣體260達到，例如，在小於約2cm(諸如，0.2cm至2cm)之距離處，或在小於約1cm(諸如，0.2cm至1cm)之距離處。此等距離應用於反應器腔室開口240與感測表面之間的最短距離及迷你反應器210與感測表面202之間的最短距離，最短距離分別係以參考數字L3及L4指示且在圖3a至圖3e中為大體上相同的。
在圖3a、圖3b及圖3e中，迷你反應器210係在頂部上，但此等側視圖可以在0°至360°之範圍內的任何旋轉而旋轉(在圖式之平面中)，且仍表示根據本發明之可能配置。
反應器腔室開口區域245可大體上等於或大於感測表面區域或感測表面橫截面區域205。在該等實施例中，可有可能使反應器腔室241可甚至部分地封閉感測表面202。特別為當腔室開口區域245具有以上尺寸或小於感測表面區域或感測表面橫截面區域205時，可大體上僅針對感測表面202而形成迷你環境255。在一實施例中，迷你反應器210為可配置以大體上僅針對感測表面202而形成區域迷你環境255。因此，反應器腔室開口區域245與感測表面區域或感測表面橫截面區域205之比率特別係在約0.2至2或約0.5至2之範圍內，或在約0.5至1.5之範圍內，或在約0.5至1.2之範圍內。反應器腔室開口區域245與感測表面區域或感測表面橫截面區域205之比率可在約1至2或約1.05至2之範圍內，或在約1.1至1.5之範圍內，或在約1.1至1.2之範圍內。
當感測表面區域或感測表面橫截面區域205小於反應器腔室開口區域245時，或當感測器201(亦即，感測器橫截面)小於反應器腔室開口區域245時，腔室開口240可在感測表面202或感測器201上至少部分地滑動。在圖3b中，此將暗示迷你反應器210在支撐件200之方向上(進一步)移動，直到甚至大體上封閉感測表面202為止。
在一實施例中，微影裝置1可進一步包含以參考數字270所指示之冷卻元件，冷卻元件經配置以冷卻迷你反應器210之至少一部分。以此方式，可冷卻反應器壁212(特別為反應器腔室241之反應器壁)之內部表面211。此可有益於保護此壁。其可進一步有益於沈積在根據本發明之處理期間自感測表面202所排氣之烴。此亦可允許清潔作用對微影裝置1及/或其元件之熱穩定性的效應為有限的，亦即，處理對迷你反應器210之環境250的影響可為有限的。
在一特定實施例中，反應器壁212(特別為反應器腔室241)之內部表面211可包含特別為在處理條件下大體上不與氫或氫自由基或氫及氫自由基兩者反應之材料。舉例而言，該等壁212(或特別為表面211)可由鋁或不鏽鋼組成。在一實施例中，反應器腔室241之內部表面211可包含具有約之氫自由基表面重組係數且在一變體中具有之氫自由基表面重組係數的材料。與具有>0.02之氫自由基表面重組係數的材料相比，使用該材料或符合此準則之材料之組合呈現為提供氫自由基重組之降低。關於重組係數之資訊可在文獻中找到，特別為W.V. Smith之「The surface recombination of H atoms and OH radicals」(J. Chem. Phys. 11，110-125(1943))，及B.J. Wood、H. Wise之「Kinetics of Hydrogen Atom Recombination on Surfaces」(J. Phys. Chem. 65，1976-1983(1961))。在一實施例中，壁212可包含不鏽鋼或鋁，且在一特定實施例中，壁212包含塗層(亦即，在一實施例中為內部表面211)(諸如，石英或Si3 N4 或以下所描述或為熟習此項技術者已知之其他材料)具有低自由基表面重組係數之不鏽鋼或鋁。在一實施例中，迷你反應器210(特別為反應器腔室241)之可經配置以引導至感測表面202及/或其周圍(諸如，基板200)之一部分的外部部分(以參考數字219指示)可包含具有約>0.02或約>0.1之氫自由基表面重組係數的材料。
圖3c至圖3e中描繪一實例。在圖3c及圖3d中，壁212之經配置以在執行處理感測表面202之方法期間引導至感測表面202的邊緣(作為外部部分219)(亦即，壁212之配置於最下游的部分)(以參考數字213指示)包含具有相對較高自由基表面重組(亦即，具有至少約0.02之表面重組係數)之該材料216(作為塗層或外部表面)。
在圖3e中，壁212具有延伸邊緣217(作為外部部分219)，藉此形成一種「帽形狀」，其中延伸邊緣之以參考數字218所指示的下游表面包含具有相對較高自由基表面重組之該材料216。再次，延伸邊緣下游表面217亦經配置以在執行處理感測表面202之方法期間引導至感測表面202。
以下表1說明許多材料及其針對氫自由基之各別表面重組係數。
迷你反應器210中(特別為反應器腔室241內)之H2 分壓可在約0.1Pa至100Pa之範圍內，且氫自由基分壓可在約1‧10-5 Pa至10Pa之範圍內，諸如，在1‧10-4 Pa至1Pa之範圍內。因此，在區域迷你環境255內，H2 分壓亦可在約0.1Pa至100Pa之範圍內，且氫自由基分壓可在約1‧10-5 Pa至10Pa之範圍內，諸如，在1‧10-4 Pa至1Pa之範圍內。
本發明亦提供一種用於處理微影裝置(諸如(但不限於)，本文所描述之微影裝置1)之內部感測器201之感測表面202的方法，其中方法包含將包含氫自由基之區域迷你環境255提供至感測表面202，及藉由氫自由基而處理感測表面202。因此，本發明亦提供一種用於處理(特別為去除含碳沈積物清潔)感測器201之感測表面202的原位方法。
方法可進一步包含(例如)藉由評估來自感測表面202之排氣而評估處理結果。舉例而言，質譜儀可偵測烴。當達到烴之預定下限時，可終止處理。因此，微影裝置1可進一步包含經配置以評估處理結果之處理感測器。該處理感測器係以參考數字280而示意性地描繪於圖3a及圖3b中。
方法可進一步包含評估(藉由諸如感測器280之實施例的感測器)經處理感測表面202。視評估而定，可繼續處理(例如)直到獲得某一預定結果(諸如，撞擊於感測表面202上之光的預定反射或折射值)為止，或可終止處理(例如，當獲得某一預定結果時)，且可繼續(例如)微影處理(亦即，製造器件)。或者，可在預定時間(例如，在校準之後界定)之後終止處理。
可在藉由微影裝置1而製造器件之前或之後應用處理感測表面202之方法。然而，在另一態樣中，本發明亦提供一種使用(例如)如本文所描述之微影裝置1之器件製造方法，其中在製造器件時，在感測器201在器件製造方法期間未被使用之製造階段期間，應用用於處理感測器201之感測表面202的方法，其中方法包含將包含氫自由基之區域迷你環境255提供至感測表面202，及藉由氫自由基而處理感測表面202。因此，如以上所提及，本發明亦提供一種用於處理(特別為去除含碳沈積物清潔)感測器201之感測表面202的原位方法。
圖3c及圖3d(例如)示意性地描繪感測器201及迷你反應器210在處於偏移階段I(圖3c)中(例如，因為在製造器件時(諸如，在對準時)使用感測器201)或處於處理階段II(圖3d)中時的透視圖。在此實施例之此示意性圖式中，藉由實例，感測器201(或更特別為感測表面202)為大體上圓形的。感測表面202之尺寸(諸如，長度/寬度或直徑)係以L1指示，且可使得感測表面區域205將大體上在約1mm2 至100cm2 之範圍內(亦見上文)。當在器件製造方法(亦即，微影處理)期間(例如，在對準之後)未使用感測器201時，可輸送感測器201或迷你反應器210或感測器201及迷你反應器210兩者，使得迷你反應器210配置於感測表面202上。接著，可應用處理感測表面202之方法，且可清潔感測表面202以去除含碳化合物。
氫自由基可移動遠離於迷你反應器210(或更特別為感測表面202)之距離係以參考數字L2指示，且可(例如)在小於約5cm(諸如，0cm至5cm，或0cm至2cm，或甚至為0cm至1cm)之範圍內。迷你環境255外部之氫誘發性脫氣將藉此為有限的(且可甚至藉由應用具有相對較高表面氫自由基組合係數之以上所提及材料而減少)。此不意謂氫氣可能不更遠地擴散，但該氣體大體上不再含有氫自由基。此外，氣態氣體產物可大體上不移動返回至待再沈積之感測表面。藉此，感測器201之環境250(此處為(例如)支撐件200)大體上不經受氫自由基反應，此使存在於感測器201之環境250中之材料的選擇較不困難。
在一特定實施例中，微影裝置1包含經建構以產生EUV輻射之輻射源，其中輻射源為Sn電漿源。在本文中，術語「經建構以產生EUV輻射」特別指代經設計成產生EUV輻射且經設計成用於EUV微影術中之源。在特定變體中，輻射源分別包含雷射產生之電漿源(LPP)或放電產生之電漿源(Sn電漿源)。
在一實施例中，微影裝置1包含：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。在一變體中，微影裝置1為EUV微影裝置1。微影裝置1包含輻射源，輻射源經建構以產生輻射光束，在一實施例中，輻射光束特別為EUV輻射光束，且輻射源經建構以產生EUV輻射。
因此，在一實施例中，本發明提供具有內部感測器201之微影裝置1。微影裝置1進一步具有迷你反應器210。感測器201或迷你反應器210或感測器201及迷你反應器202為可輸送的。感測器201具有感測表面202。迷你反應器210包含用於含氫氣體之入口、氫自由基產生器，及用於含氫自由基氣體之出口。迷你反應器210經配置以在用於處理感測器201之感測表面202的方法中使用迷你反應器210期間針對感測表面202而形成包含氫自由基之區域迷你環境以用於處理感測表面202。以此方式，可區域地清潔感測表面202，而無對感測表面202之環境的實質影響。因此，在一實施例中，根據本發明之實施例的方法及迷你反應器210允許針對感測表面202而形成迷你環境255，同時減少或甚至防止將微影裝置1之其他部分曝光至氫自由基(亦即，含氫自由基氣體266)。
在一實施例中，術語「大體上」在本文中指代「完全地」。在另一實施例中，特別當係關於值時，其可(例如)指代約95%至100%。熟習此項技術者理解術語「大體上」。同樣地，在一實施例中，術語「至少部分地」在本文中指代「完全地」。在另一實施例中，其可(例如)指代約95%至100%。術語「包含」亦包括術語「包含」意謂「由...組成」之實施例。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置1在IC製造中之使用，但應瞭解，本文所描述之微影裝置1可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、包括液晶顯示器(LCD)之平板顯示器、薄膜磁頭，等等。應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。可使用此電腦程式來控制沈積物之移除、控制壓力，等等。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。動詞「包含」及其變形之使用不排除除了申請專利範圍中所敍述之元件或步驟以外之其他元件或步驟的存在。在一元件前之量詞「一」不排除複數個該等元件的存在。舉例而言，在一實施例中，術語「一感測器201」因此亦可關於複數個(非鄰近)感測器201。在一實施例中，迷你反應器210亦經配置以處理複數個(非鄰近)感測器201之複數個感測表面202，特別為順序地處理該等表面202，且因此分別針對每一感測表面202而形成迷你環境255。
本發明不限於如實施例中所描述之微影裝置1之應用或在微影裝置1中之使用。另外，圖式通常僅包括用以理解本發明之元件及特徵。除此之外，微影裝置1之圖式為示意性的且未按比例的。本發明不限於示意性圖式中所示之彼等元件。另外，本發明不限於關於圖1或圖2所描述之微影裝置1。應瞭解，可組合以上所描述之實施例。
1．．．微影裝置/投影裝置
42．．．輻射系統
44．．．照明光學器件單元
47．．．源腔室
48．．．收集器腔室
49．．．污染物捕捉器
50．．．輻射收集器
50a．．．上游輻射收集器側
50b．．．下游輻射收集器側
51．．．光柵光譜濾波器
52．．．虛擬源點
53．．．正入射反射器
54．．．正入射反射器
56．．．輻射光束
57．．．經圖案化光束
58．．．反射元件
59．．．反射元件
142．．．反射器
143．．．反射器
146．．．反射器
180．．．兩個反射器之間(例如，反射器142與143之間)的空間
200．．．用於感測器之支撐件
201．．．感測器
202．．．感測表面
205．．．感測表面區域或感測表面橫截面區域
210．．．迷你反應器
211．．．內部表面
212．．．反應器壁
213．．．壁212之經配置以在執行處理感測表面202之方法期間引導至感測表面202的邊緣
215．．．輸送器
216．．．具有相對較高自由基表面重組之該材料
217．．．延伸邊緣
218．．．延伸邊緣之下游表面
219．．．外部部分
220．．．用於含氫氣體226之入口
225．．．源
226．．．含氫氣體
230．．．用於含氫自由基氣體266之出口
240．．．反應器腔室開口
241．．．反應器腔室
242．．．由反應器腔室241及感測表面202大體上封閉之容積
245．．．反應器腔室開口區域
250．．．迷你反應器210之環境/感測器201之環境
255．．．區域迷你環境
260．．．氫自由基產生器
264．．．電壓源
265．．．燈絲
266．．．含氫自由基氣體
270．．．冷卻元件
280．．．處理感測器
290．．．排氣
291．．．含碳沈積物
1001．．．微影裝置壁
1002．．．微影裝置底部
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
L1．．．感測表面202之尺寸(諸如，長度/寬度或直徑)
L2．．．氫自由基可移動遠離於迷你反應器210(或更特別為感測表面202)之距離
L3．．．反應器腔室開口240與感測表面之間的最短距離
L4．．．迷你反應器210與感測表面202之間的最短距離
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐件
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器件
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2示意性地描繪根據圖1之一實施例之微影投影裝置之EUV照明系統及投影光學器件的側視圖；且
圖3a至圖3e示意性地描繪作為圖1之微影裝置之一部分之迷你反應器的實施例及其變化。
1．．．微影裝置/投影裝置
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐件
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器件
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (15)

  1. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，該投影系統經建構及配置以將一輻射光束投影至一基板之一目標部分上；一內部感測器，該內部感測器具有一感測表面；及一迷你反應器，該迷你反應器可相對於該感測器而移動，該迷你反應器包含：用於一含氫氣體之一入口；一氫自由基(radical)產生器；及用於一含氫自由基氣體之一出口，該迷你反應器經建構及配置以形成包含氫自由基之一區域迷你環境以處理該感測表面，其中該迷你反應器之一外部部分包含一材料，該材料具有一大於約0.02的氫自由基表面重組係數(hydrogen radical surface recombination coefficient)。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該迷你反應器可相對於該感測器而移動，以便在使用該微影裝置期間實質上僅針對該感測表面而形成該區域迷你環境。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該迷你反應器可相對於該感測器而移動，以便將該迷你反應器帶入該感測器之一鄰近區域中以形成該迷你環境。
  4. 如請求項1或2之微影裝置，其中該感測器包含選自由一晶圓平台感測器、一光罩平台感測器、一偵測器感測器、一收集器感測器、一收集器框架感測器、一照明器 感測器、一照明器框架感測器、一位置感測器及一能量感測器組成之群組的一感測器。
  5. 如請求項1或2之微影裝置，其中該迷你反應器經配置以淨化該感測器之該感測表面。
  6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該迷你反應器包含具有一腔室開口之一反應器腔室，其中該感測表面具有一感測表面區域或一感測表面橫截面區域，其中該反應器腔室開口具有一腔室開口區域，其中該反應器腔室開口區域與該感測表面區域或該感測表面橫截面區域之比率係在約0.2至2之範圍內，且其中該反應器腔室開口區域實質上等於或大於該感測表面區域或該感測表面橫截面區域。
  7. 如請求項1或2之微影裝置，其中該迷你反應器包含具有一腔室開口之一反應器腔室，且其中該反應器腔室之一內部表面包含實質上不與氫及氫自由基反應之一材料。
  8. 如請求項1或2之微影裝置，其進一步包含經配置以評估該處理之一結果的一處理感測器。
  9. 一種用於處理一微影裝置之一內部感測器之一感測表面的方法，其中該感測器具有一感測表面，該方法包含：提供包含氫自由基之一區域迷你環境；及藉由該等氫自由基而處理該感測表面，其中該微影裝置進一步包含一迷你反應器，該迷你反應器之一外部部分包含一材料，該材料具有一大於約0.02的氫自由基表面重組係數。
  10. 如請求項9之方法，其中該區域迷你環境係實質上僅提供至該感測表面。
  11. 如請求項9或10之方法，其進一步包含至少部分地清潔該感測表面以去除含碳沈積物。
  12. 如請求項9或10之方法，其進一步包含評估該經處理感測表面。
  13. 如請求項9或10之方法，其進一步包含評估來自該感測表面之排氣。
  14. 如請求項9或10之方法，其中該微影裝置進一步包含一迷你反應器，其中該迷你反應器包含用於一含氫氣體之一入口、一氫自由基產生器，及用於一含氫自由基氣體之一出口，且其中該方法進一步包含：將該感測表面配置至該迷你反應器，或將該迷你反應器配置至該感測表面，或將該感測表面及該迷你反應器配置至彼此；及形成包含氫自由基之該區域迷你環境；及藉由該等氫自由基而處理該感測表面。
  15. 一種使用一微影裝置之器件製造方法，該微影裝置包含具有一感測表面之一感測器，該方法包含：圖案化一輻射光束；將該輻射光束投影至一基板之一目標部分上；提供包含氫自由基之一區域迷你環境；及藉由該等氫自由基而處理該感測表面，其中該微影裝置進一步包含一迷你反應器，該迷你反 應器之一外部部分包含一材料，該材料具有一大於約0.02的氫自由基表面重組係數。
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