JP4359598B2 - 光学要素上の付着物の除去方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及びこれによって製造されたデバイス - Google Patents

Description

本発明は、光学要素上の付着物の除去方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及びこれによって製造されたデバイスに関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板の標的部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その場合には、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を使用して、ＩＣの個々の層に形成する回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコン・ウェーハ）の（例えば１つ又は複数のダイの部分を含む）標的部分に転写することができる。このパターンの転写は一般に、基板に塗布された放射感受性材料（レジスト）の層に結像させることによって達成される。一般に単一の基板は、連続してパターン形成された隣接する標的部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、１つの標的部分にパターン全体を一度に露光することによってそれぞれの標的部分に照射するステッパ、放射ビームのパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査し、同時にこの方向に平行に又は逆平行に基板を同期走査することによってそれぞれの標的部分に照射するスキャナなどがある。パターンを基板にインプリントすることによってパターン形成装置から基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ装置では、基板上に結像させることができるフィーチャのサイズが投影放射の波長によって制限される。より高いデバイス密度を有する集積回路、したがってより大きな動作速度を得るためには、より小さなフィーチャを結像させることができることが望ましい。現在のリソグラフィ投影装置はその大部分が、水銀ランプ又はエキシマ・レーザによって生み出される紫外光を使用しているが、より短い波長の放射、例えば波長が約１３ｎｍの放射を使用することが提案されている。このような放射は極端紫外線（ＥＵＶ）又は軟Ｘ線と呼ばれており、可能な放射源には例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、電子ストレージ・リングからのシンクロトロン放射などがある。

ＥＵＶ放射源は一般にプラズマ源、例えばレーザ生成プラズマ源又は放電プラズマ源である。プラズマ源に共通する特徴は、プラズマからあらゆる方向に放出される高速イオン及び原子の生成である。これらの粒子は、コレクタ（ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）ミラー及びコンデンサ（ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）ミラーに損傷を与える可能性がある。これらは一般に多層ミラー又は斜入射（ｇｒａｚｉｎｇ ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ）ミラーであり、もろい表面を有する。この表面は、プラズマから放出されたこれらの粒子の衝突又はスパッタリングによって徐々に劣化し、したがってミラーの寿命は短くなる。このスパッタリング効果は特に放射コレクタで問題になる。この放射コレクタ・ミラーの目的は、プラズマ源によってあらゆる方向に発射された放射を集め、それを照明系内の他のミラーに向けて導くことである。放射コレクタは、プラズマ源のすぐ近くの、プラズマ源の見通し線上に置かれ、したがって放射コレクタは、プラズマから大きな高速粒子束を受け取る。照明系内の他のミラーはある程度シールドすることができるので、プラズマから放出された粒子のスパッタリングによってこれらのミラーが受ける損傷は一般に相対的に小さい。

近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）源はＥＵＶ放射を生み出すのに、おそらくスズ又は他の金属蒸気を使用する。このスズはリソグラフィ装置内へ漏れる可能性があり、漏れたスズは、リソグラフィ装置内のミラー、例えば放射コレクタのミラー上に付着する。このような放射コレクタのミラーは、例えばルテニウム（Ｒｕ）のＥＵＶ反射層を最上層として有することがある。反射Ｒｕ層に付着した約１０ｎｍ超のスズ（Ｓｎ）の付着物は、バルクＳｎと同じようにＥＵＶ放射を反射する。ＳｎベースのＥＵＶ源の近くでは、数ｎｍのＳｎ層が非常に急速に付着されると予想される。スズの反射係数はルテニウムの反射係数に比べてはるかに小さいので、コレクタの全体透過率はかなり低下する。放射源からの破片又はこの破片によって生じる２次粒子が放射コレクタに付着することを防ぐため、米国特許第６７５３９４１号は、いわゆる薄層汚染物バリヤ（ｌａｍｅｌｌａｒ ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ ｂａｒｒｉｅｒ）を開示している。このバリヤは、放射ビームの伝搬方向に実質的に平行に配置された少なくとも２セットのチャネルを含み、これらのチャネル・セットは、放射ビームの光軸に沿って互いに離隔しており、これらの２つのチャネル・セット間の空間にフラッシング・ガスが供給される。このようなトラップは破片の一部を除去するかもしれないが、それでも一部の破片は放射コレクタに付着する。

本発明の一態様は、リソグラフィ装置の放射コレクタ上の付着物の除去方法を提供することである。本発明の他の態様は、デバイス製造方法及びこれによって製造されたデバイスを提供することである。本発明の他の態様は、リソグラフィ装置を提供することである。

本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置の放射コレクタ上の付着物の除去方法は、放射コレクタの端にガス・バリヤを配置し、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与える段階と、ハロゲンを含むガスと、水素を含むガスとからなるグループのうちの１種又は数種のガスから選択されたガスを、前射コレクタ・エンクロージャ容積に供給する段階と、付着物の少なくとも一部分を放射コレクタから除去する段階とを含む。

本発明の他の態様によれば、デバイス製造方法は、放射コレクタを含むリソグラフィ装置を用意する段階と、基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影する段階と、リソグラフィ装置の使用中又は使用後に、除去プロセスにおいて、放射コレクタから付着物の少なくとも一部分を除去する段階とを含み、この除去プロセスは、放射コレクタの一端にガス・バリヤを配置し、それによって放射コレクタ・エンクロージャ（包囲）容積を与える段階と、ハロゲンを含むガスと、水素を含むガスとからなるグループのうちの１種又は数種のガスから選択されたガスを、放射コレクタ・エンクロージャ容積に供給する段階と、付着物の少なくとも一部分を放射コレクタから除去する段階とを含む。

本発明の他の態様によれば、リソグラフィ装置は、放射コレクタと、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与える、放射コレクタの端のガス・バリヤと、エンクロージャ容積にガスを供給する注入口と、放射コレクタ・エンクロージャ容積からガスを除去する排出口とを含む。

本発明の他の態様によれば、リソグラフィ装置は、放射コレクタと、放射コレクタを取り囲む円周覆いと、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与える、放射コレクタの端のガス・バリヤとを含み、放射コレクタは、円周覆い及びガス・バリヤによって取り囲まれており、さらに、エンクロージャ容積にガスを供給する注入口と、放射コレクタ・エンクロージャ容積からガスを除去する排出口とを含む。

次に、添付の概略図を参照して本発明の実施例を例示的に説明する。図中、対応する参照符号は対応する部分を指す。

図１に、本発明の一実施例に基づくリソグラフィ装置１を概略的に示す。装置１は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明系（照明器）ＩＬを含む。支持体（例えばマスク・テーブル）ＭＴは、パターン形成装置（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築されており、このパターン形成装置をある種のパラメータに従って正確に配置するように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続されている。基板テーブル（例えばウェーハ・テーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構成されており、基板をある種のパラメータに従って正確に配置するように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続されている。投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳは、パターン形成装置ＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）標的部分Ｃの表面に投影するように構成されている。

照明系は、放射を誘導、成形又は制御する屈折、反射、磁気、電磁気、静電気光学構成要素又は他のタイプの光学構成要素、或いはこれらの組合せなど、さまざまなタイプの光学構成要素を含むことができる。

支持体はパターン形成装置を支持する。例えばパターン形成装置の重量を支える。支持体は、パターン形成装置の方向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、例えばパターン形成装置が真空環境中に保持されるのか否かなどによって決まる方法で、パターン形成装置を保持する。支持体は、機械式、真空、静電気又は他のクランプ技法を使用してパターン形成装置を保持することができる。本明細書では用語「レチクル」又は「マスク」を、より一般的な用語「パターン形成装置」と同義と考えてよい。

本明細書で使用する用語「パターン形成装置」は、例えば基板の標的部分にパターンを生成するために放射ビームの断面にパターンを付与する目的に使用することができる任意の装置を指すものと広く解釈しなければならない。例えばパターンが位相シフト・フィーチャ又はいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射ビームに付与されるパターンが、基板の標的部分の所望のパターンに正確に一致するわけではないことに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、標的部分に生み出される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。

パターン形成装置は透過型又は反射型とすることができる。パターン形成装置の例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィにおいてよく知られており、これには、バイナリ、交番位相シフト、減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、並びにさまざまなハイブリッド・マスク・タイプが含まれる。プログラム可能ミラー・アレイの一例では、入射放射ビームをさまざまな方向に反射するようにそれぞれを個別に傾けることができる小さなミラーのマトリックス配置を使用する。この傾けられたミラーが、このミラー・マトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。

本明細書で使用する用語「投影系」は、使用している露光放射、又は浸漬流体の使用、真空の使用などの他の因子に対して適当な、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気及び静電気光学系又はこれらの組合せを含む、任意のタイプの投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。本明細書における用語「投影レンズ」の使用はより一般的な用語「投影系」と同義と考えてよい。

図１に示すとおり、この装置は（例えば反射マスクを使用する）反射型の装置である。或いはこの装置を、（例えば透過マスクを使用する）透過型の装置とすることもできる。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／或いは２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプの装置とすることができる。このような「多ステージ」機械では、これらの追加のテーブルを並行して同時に使用することができ、或いは、１つ又は複数のテーブルを露光に使用している間に他の１つ又は複数のテーブル上で準備工程を実施することができる。

リソグラフィ装置は、比較的に高い屈折率を有する液体、例えば水で基板の少なくとも一部分を覆って、投影系と基板の間の空間を満たすことができるタイプの装置とすることもできる。浸漬液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の間の空間に適用することもできる。投影系の開口数を増大させる浸漬技法は当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する用語「浸漬」は、基板などの構造を液体に沈めなければならないということを意味しているのではなく、露光中に例えば投影系と基板の間に液体が位置するということを意味しているに過ぎない。

図１を参照すると、照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射を受け取る。例えば放射源がエキシマ・レーザであるときには、放射源とリソグラフィ装置とを別個の実体とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を構成するとはみなされず、放射は、例えば適当な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを含むビーム送達系を用いて放射源ＳＯから照明器ＩＬに渡される。この他の場合、例えば放射源が水銀ランプであるときには、放射源をリソグラフィ装置と一体の部分とすることができる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬ、並びに必要な場合にビーム送達系ＢＤを合わせて放射系と呼ぶ。

照明器ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整装置を含むことができる。一般に、少なくとも照明器のひとみ平面における強度分布の半径方向外側及び／又は内側の広がり（普通はそれぞれσアウター及びσインナーと呼ばれる）を調整することができる。さらに、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ、コンデンサＣＯなどの他のさまざまな構成要素を含むことができる。この照明器を使用して、所望の断面均一性及び断面強度分布を有するように放射ビームを調整することができる。

放射ビームＢは、支持体（例えばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されたパターン形成装置(例えばマスクＭＡ）に入射し、このパターン形成装置によってパターン形成される。マスクＭＡを横切った後、放射ビームＢは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳは、基板Ｗの標的部分Ｃ上にこのビームを集束させる。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉計装置、直線エンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの通り道に別の標的部分Ｃが配置されるように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭ及び他の位置センサＩＦ１（例えば干渉計装置、直線エンコーダ又は容量センサ）を使用して、例えばマスクＭＡをマスク・ライブラリから機械的に取り出した後に、又は走査中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に配置することができる。マスク・テーブルＭＴの移動は一般に、第１の位置決め装置ＰＭの一部分を構成する長ストローク・モジュール（おおまかな位置決め）及び短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は一般に、第２の位置決め装置ＰＷの一部分を構成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータにだけ接続し、又はマスク・テーブルＭＴを固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２及び基板位置調整用マークＰｌ、Ｐ２を使用して位置合せすることができる。図示の基板位置調整用マークは専用の標的部分を占めているが、これらのマークは標的部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブ・レーン・アライメント・マークとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがマスクＭＡ上に提供される状況では、マスク位置調整用マークはダイとダイの間に配置することができる。

図示の装置は下記の少なくとも１つのモードで使用することができる。

１．段階・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保ち、放射ビームに付与されたパターン全体を、１つの標的部分Ｃの表面に一度に投影する（すなわち１回の静的露光）。次いで、別の標的部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動させる。段階・モードでは、露光野の最大サイズが、１回の静的露光で結像される標的部分Ｃのサイズを限定する。

２．走査モードでは、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴとを同時に走査し、放射ビームに付与されたパターンを標的部分Ｃに投影する（すなわち１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は例えば、投影系ＰＳの拡大（縮小）倍率及び像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光野の最大サイズが、１回の動的露光における標的部分の（非走査方向の）幅を限定し、走査運動の長さが標的部分の（走査方向の）高さを決定する。

３．他のモードでは、プログラム可能パターン形成装置を保持したマスク・テーブルＭＴを本質的に固定し、放射ビームに付与されたパターンを標的部分Ｃに投影する間、基板テーブルＷＴを移動させ又は走査する。このモードでは一般に、パルス放射源を使用し、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又は走査中の放射パルスとパルスの間に、プログラム可能パターン形成装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。

上で説明した使用モードの組合せ及び／又は変形を使用し、或いは全く異なる使用モードを使用することもできる。

用語「レンズ」は、文脈が許す場合、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学構成要素を含むさまざまなタイプの光学構成要素の１つ又はこれらの組合せを指すことがある。

本明細書で使用する用語「層」は、当業者には知られているとおり、他の層との間、及び／又は真空（使用時）などの他の媒質との間に１つ又は複数の境界面を有する層を表現することがある。しかし、「層」は構造の一部分を意味することもあることを理解されたい。用語「層」はいくつかの層を指すこともある。これらの層は例えば互いに隣り合い、又は重なり合う。これらの層はさらに、１つの材料又は材料の組合せを含むことがある。本明細書で使用する用語「層」は、連続層又は不連続層を表現することがあることにも留意されたい。本発明では、本明細書で使用する用語「材料」が材料の組合せと解釈されることがある。本明細書では用語「付着物」が、当業者には知られているとおり、表面（例えば光学要素の表面）に化学的に又は物理的にはりついた材料を指す。このような付着物は１つの層であることもあるが、多層構造を含むこともある。付着物がキャップ層を含むこともあるが、放射源からスパッタリングされた元素粒子など望ましくない付着物を含むこともある。付着物は、付着した再付着生成物又は蒸着生成物を含むこともある。付着物はさらに、例えば粒子をスパッタリングする放射源を備えた装置を使用した後にこのようなスパッタリングされた粒子を含み、或いはＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎのグループから選択された１種又は数種の元素を含む材料の付着物を含む保護層として、キャップ層を含むことがある。本明細書において、「付着物は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎ並びにこれらの組合せからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む」との文言或いは「キャップ層は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ及びＧｅ並びにこれらの組合せからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む」との文言における用語「元素」は、当業者には明白なとおり、これらの元素のうちの１種又は数種の元素を含み、或いはこのような元素のうちの１種又は数種の元素を含む粒子を含み、或いはこれらの元素のうちの１種又は数種の元素を含む化合物（Ｓｉ酸化物、Ｓｉ炭化物、Ｓｉ窒化物など）を含み、或いはこれらの元素のうちの１種又は数種の元素を含む合金を含み、或いはこれらの元素の組合せ（例えばＳｎ、Ｏ、Ｃ及びＨを含む付着物）を含む、付着物又はキャップ層を指す。「Ｂ、Ｃ、Ｓｉ及びＧｅ並びにこれらの組合せからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む付着物」との文言は、特定の実施例において、原子Ｂ、Ｃ、Ｓｉ又はＧｅ或いはこれらの組合せを含む単層又は多層を指すことがある。元素層又は窒化層などは、当業者に知られているとおり、酸素不純物を含むことがある。

用語「ハロゲンを含むガス」又は「水素を含むガス」はそれぞれ、少なくともハロゲン・ガス又は水素ガスを含むガス又はガス混合物を指す。用語「ハロゲンを含むガス」の中の用語「ハロゲン」は、原子（ラジカル）として存在し、或いは化合物、例えばＦ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、ハロゲン間化合物（例えばＣｌＦ_３）、又はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択された１種又は数種の元素を含む他の化合物として存在する、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択された少なくとも１種又は数種の元素を指し、これらは、約５０〜５００°の温度で気相を形成することができ、また、ａ）Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎのうちの１種若しくは数種の元素を含む化合物（付着物）と反応し、又はこれらを還元して、それぞれ元素Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎとし、或いはｂ）Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎのうちの１種若しくは数種の元素を含む化合物と反応して、揮発性生成物を形成し、或いはｃ）Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎのうちの１種若しくは数種の元素を含む化合物と反応して、ハロゲン又は水素と反応して揮発性物質を形成する生成物を形成し、或いはｄ）元素Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎと反応して揮発性生成物を形成し、或いはｅ）例えば熱線又はプラズマと接触したときにハロゲン・ラジカルを与える（これらのラジカルは付着物と反応することができる）ことができる。Ｆ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、特にＩ_２を使用することができる。このようなガスはさらに、Ａｒなどの緩衝ガスのような追加の成分を含むことができる。用語「ハロゲン化物」は例えば、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌなどのハロゲンと例えばＣ、Ｓｉ又はＧｅとの２元又はそれ以上の化合物、例えばＣＣｌ_４、ＳｉＣｌ_４などを指す。

本明細書で使用する用語「放射」及び「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長λを有する放射）、極端紫外（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば波長５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム、電子ビームなどの粒子線を含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の波長を有する放射はＩＲ放射とされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。さらにリソグラフィではＵＶが通常、水銀放電ランプによって生み出すことができる波長、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ及び／又はＩ線３６５ｎｍに適用される。ＶＵＶは、真空紫外線（すなわち空気によって吸収されるＵＶ）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは深紫外線であり、リソグラフィでは通常、エキシマ・レーザによって生み出される１２６ｎｍ〜２４８ｎｍなどの波長に対して使用される。例えば波長５〜２０ｎｍの放射は、少なくともその一部分が５〜２０ｎｍの範囲にある、ある波長帯を有する放射について言うことを当業者は理解されたい。

図２に、投影装置１をより詳細に示す。この装置は、放射系４２、照明光学部品ユニット４４及び投影系ＰＳを含む。放射系４２は放射源ＳＯを含み、放射源ＳＯは放電プラズマによって形成することができる。ＥＵＶ放射は、非常に高温のプラズマを生成してＥＵＶ電磁スペクトル範囲の放射を発射するガス又は蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気によって生み出すことができる。この非常に高温のプラズマは、例えば放電によって少なくとも部分的にイオン化された放電プラズマを生じさせることによって生成される。この放射を効率的に生み出すためには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気或いは他の適当なガス又は蒸気の分圧が例えば１０Ｐａである必要がある。放射源ＳＯによって発射された放射は、放射源室４７からコレクタ室４８内へ、（放射源室４７の開口の中又はこの開口の後ろに配置された）ガス・バリヤ又は汚染トラップ４９を通して渡される。ガス・バリヤ４９は、例えば参照によって本明細書に援用する米国特許第６３５９９６９号、６５７６９１２号及び６６１４５０５号並びにＷＯ２００４／１０４７０７に詳細に記載されているチャネル構造を含む。

コレクタ室４８は放射コレクタ５０を含み、放射コレクタ５０は斜入射コレクタによって形成することができる。コレクタ５０を通過した放射は、格子スペクトル・フィルタ５１で反射されて、コレクタ室４８のアパーチャの虚放射源点（ｖｉｒｔｕａｌ ｓｏｕｒｃｅ ｐｏｉｎｔ）５２のところで集束する。コレクタ室４８からの放射ビーム５６は、照明光学部品ユニット４４の中の直入射（ｎｏｒｍａｌ ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ）反射器５３、５４によって反射され、レチクル又はマスク・テーブルＭＴ上に配置されたレチクル又はマスクに入射する。パターンが付与されたビーム５７が形成され、これが、投影系ＰＳの中で反射要素５８、５９によってウェーハ・ステージ又は基板テーブルＷＴ上に結像される。照明光学部品ユニット４４及び投影系ＰＳには一般に、図示したよりも多くの要素が存在する。リソグラフィ装置のタイプに応じて格子スペクトル・フィルタ５１は任意選択で存在する。また、図に示されているよりも多くのミラーが存在することがあり、例えば５８、５９よりも１〜４枚多い反射要素が存在することがある。

放射コレクタ５０は従来技術から知られている。本発明で使用することができる放射コレクタの一例が、参照によって本明細書に援用する米国特許出願公開２００４／００９４７２４Ａ１の例えば図３及び４に記載されている。

図１及び２に示したリソグラフィ装置を、ＥＵＶリソグラフィ装置用のリソグラフィ装置とすることができ、この装置は例えば、放射ビームを調整するように構成された照明系と、放射ビームに断面パターンを付与してパターン形成された放射ビームを形成するように構成されたパターン形成装置を支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板の標的部分に投影するように構成された投影系と、放射源及び放射コレクタとを含む。

図２に示した全ての光学要素（及びこの実施例の概略図に示されていない他の光学要素）は付着、例えばＳｎの付着を受けやすい。放射コレクタ５０及び存在する場合には格子スペクトル・フィルタ５１がこれにあてはまる。したがって、本発明の方法はそれらの光学要素に適用することができ、さらに直入射反射器５３、５４及び反射要素５８、５９、又は他の光学要素、例えば追加のミラー、格子などに適用することができる。

米国特許出願公開２００４／００９４７２４Ａ１の図３に示されているとおり、この図の斜入射コレクタ１０は、入れ子にされたいくつかの反射要素を含む。このタイプの斜入射コレクタは例えば、参照によって援用する米国特許出願公開２００３／００９５６２３Ａ１にも示されている。本発明の図２〜４に示されているとおり、コレクタ５０は光軸Ｏに沿って整列している。コレクタ５０は反射器１４２、１４３、１４６を含むことができる。図２〜４では、内側反射器が参照符号１４２によって指示され、外側反射器が参照符号１４６によって指示されている。放射コレクタ５０は、ある容積、すなわち外側反射器１４６の内側の容積を取り囲む。外側反射器１４６の内側のこの容積は通常、円周が閉じられているが、小さな開口が存在してもよい。反射器１４２と１４６の間に別の反射器１４３が位置することができる。反射器１４２、１４３及び１４６は全て、少なくともその一部分が、例えば米国特許出願公開２００４／００９４７２４Ａ１に記載されている反射層又はいくつかの反射層を含む表面を含む。これらの反射層の表面にはさらに、これらの反射層の表面の少なくとも一部分に提供された保護のためのキャップ層、又は光学フィルタとしてのキャップ層があってもよい。

放射コレクタ５０は通常、放射源ＳＯ又は放射源ＳＯの像の近くに置かれ、この放射コレクタは、放射源ＳＯ又は放射源ＳＯの像が位置する光軸Ｏの方向に延びる内側反射器１４２及び外側反射器１４６を少なくとも含み、内側反射器１４２は外側反射器１４６よりも光軸に近く、これらの反射器はそれぞれ内側反射面を有する。それぞれの反射器は、少なくとも２つの隣接する反射面を含み（図５及び６も参照されたい）、放射源ＳＯから遠い反射面は、放射源ＳＯに近い反射面よりも光軸に対して小さな角度で置かれる。このように斜入射コレクタ５０は、光軸に沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生み出すように構築されている。少なくとも２つの反射器が実質的に同軸に置かれ、光軸を中心に実質的に回転対称に延びることが好ましい。このＷｏｌｔｅｒタイプの斜入射コレクタは、例えば米国特許出願公開２００３／００９５６２３Ａ１及び２００４／００９４７２４Ａ１に記載されている。

１つ又は複数の外側反射器１４６及び内側反射器１４２／１４３に付着物が見られることがある。参照によって本明細書に援用する米国特許出願１０／９５６，３４４に記載されているとおり、この付着物は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含むことができる。Ｃ（炭素）は、リソグラフィ装置内の望ましくない炭化水素の存在によって放射コレクタ５０上に付着することがあるが、保護キャップ層として意図的に存在することもある。Ｓｉ（シリコン）も保護キャップ層として意図的に存在することがあり、Ｓｎ（スズ）は、Ｓｎを生み出す放射源ＳＯによって存在することがあるが、保護キャップ層として意図的に存在することもある。

例えばＳｎ源によるＳｎの付着は、数層の単層が付着した後に、放射コレクタ５０又は他の光学要素の反射にとって有害となる可能性があり、これによってこのような光学要素のクリーニングが必要となる可能性がある。Ｓｉはまた、レジストからのガス放出による付着物として存在することがある。付着物にはさらに、例えば装置の壁、電極、ガス・バリヤなどに使用される例えばＭｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ材料などが含まれる。

リソグラフィ装置の使用中に、放射コレクタ５０は汚染され、且つ／又は放射コレクタ５０上の保護層はこのような付着物によって劣化する。付着物、特にＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む付着物は、ハロゲン、例えばＦ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２及びＩ_２によって、例えば水素ラジカルによって、同時に又は前後して適用される水素ラジカルと１種又は数種のハロゲンの組合せによって、除去することができる。

第１の実施例では以下のプロセスが実行される：原子状水素でクリーニングして、ＳｎＯ_ｘ（及び／又は放射コレクタ５０上の他の酸化物付着物、例えば酸化シリコン）を、Ｓｎ（及び／又は他の元素又は金属化合物、例えばＳｉ）に還元するプロセス、並びにハロゲン、例えばＩ_２でクリーニングして、ハロゲン化物、例えばヨウ化物（及び／又は他のハロゲン化物、例えばＳｉＩ_４））の形態のＳｎ（及び／又は他の元素化合物、例えばＳｉ）を除去するプロセス。

これは、以下の段階を含む方法によって実行することができる：装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にＨ_２を含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタから付着物の少なくとも一部分を除去する段階、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる段階、付着物を有する放射コレクタを、この水素ラジカルの少なくとも一部分と接触させ、付着物の少なくとも一部分を還元する段階、装置の少なくとも一部分にハロゲンを含むガスを供給する段階、並びに付着物を有する放射コレクタを、このハロゲンを含むガスの少なくとも一部分と接触させ、付着物の少なくとも一部分を除去する段階。

第２の実施例では、先に述べた２つのプロセスが実質的に同時に実行されるよう、水素を含むガスがさらにハロゲン・ガスを含む。

これは、以下の段階を含む方法によって実行することができる：装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にＨ_２及びハロゲンを含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタから付着物の少なくとも一部分を除去する段階、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる段階、並びに付着物を有する放射コレクタを、このガスの中の水素ラジカル及びハロゲンの少なくとも一部分と接触させ、付着物の少なくとも一部分を除去する段階。

第３の実施例では、原子状水素だけを用いてクリーニングを実行して、酸化スズ（及び／又は放射コレクタ５０上の他の酸化物付着物、例えば酸化シリコン）を、揮発性の水素化スズ（及び／又は他の水素化物、例えば水素化シリコン、水素化ゲルマニウムなど）に還元して、揮発させる。

これは、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載されている方法によって実行することができ、この方法は、装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にＨ_２を含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタから付着物の少なくとも一部分を除去する段階、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる段階、並びに付着物を有する放射コレクタを、この水素ラジカルの少なくとも一部分と接触させ、付着物の少なくとも一部分を除去する段階を含む。

第４の実施例では、ハロゲンを含むガスだけを用いてクリーニングを実行して、スズ（及び／又は放射コレクタ５０上の他の付着物、例えばシリコン）を揮発させ、それによって放射コレクタ５０上の付着物を除去する。

これは、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載されている方法によって実行することができ、この方法は、装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にハロゲンを含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタから付着物の少なくとも一部分を除去する段階、並びに付着物を有する放射コレクタを、このハロゲンを含むガスの少なくとも一部分と接触させ、付着物の少なくとも一部分を除去する段階を含む。

これらの反応中に、Ｈ_２Ｏ並びに水素化物及び／又はハロゲン化物が形成されることがある。Ｓｎ又はＳｎ酸化物の反応は、例えば「the Gmelin-Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry」に記載されている。Ｓｎを含む付着物或いはＳｉ又はＧｅを含むキャップ層がある場合には、少量の酸素の存在によって、通常は、ある程度のＳｎ酸化物及びＳｉ又はＧｅ酸化物が存在する。これらの酸化物を除去するためには、ハロゲン化物及び／又は水素化物の形成によって元素Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅを除去できるようになる以前に、還元段階が必要となることがある。

このために、ハロゲンを含むガス及び／又は水素を含むガスからなるグループから選択されたガスを、放射コレクタ５０、特に、反射層があり、付着物、例えば放射源ＳＯからのＳｎの付着物によって劣化した、又は放射源ＳＯからの破片（例えばイオン、電子、クラスター、液滴、電極腐食生成物）によって、例えば放射コレクタ５０の反射層上の保護層が劣化した放射コレクタ５０の内容積に供給することができる。

これらのガスは実質的に、外側反射器１４６によって取り囲まれたこの容積に供給される。そうしなければこれらのガスがリソグラフィ装置の他の部分を攻撃する可能性があるからである。例えば、一部のハロゲンは、一部の光学及び／又は構造材料に対して腐食性である。したがって、付着物を除去するために、放射コレクタ５０の一端又は両端に、すなわち放射源ＳＯの方を向いた端の近く、及び照明ユニットの方を向いた端の近くに、ガス・バリヤを配置する。一実施例では本発明が、ガス・バリヤが、薄層汚染物バリヤ、例えば４９、１４９、及びシャッタ（ｓｈｕｔｔｅｒ）、例えば１２０、１３０からなるグループから選択された方法及びリソグラフィ装置を対象とする。このような薄層汚染物バリヤ４９及び１４９は、例えば米国特許第６６１４５０５号及び６３５９９６９号に記載されたチャネル構造を含む。さらに、一実施例では、薄層汚染物バリヤ４９又は１４９或いはその両方が軸を中心に回転する。

シャッタは、放射コレクタ５０の一端又は両端に配置することができる、スライド、回転又は可動要素又は装置、例えばバルブ（ｖａｌｖｅ）、ドア（ｄｏｏｒ）、ダイアフラム（ｄｉａｐｈｒａｇｍ）などとすることができる。ガス・バリヤの組合せ、例えば放射源からウェーハに向かって、第１の薄層汚染物バリヤ、第１のシャッタ、放射コレクタ、並びに第２のシャッタ及び第２の薄層汚染物バリヤから選択された任意選択の１つ又は複数のガス・バリヤ、の順に配置されたスタックも使用することができる。本明細書では用語「シャッタ」が、室、空間、管などを閉じ、本発明の文脈ではさらに放射コレクタ５０の一端を閉じるドア、バルブ、ダイアフラム・シャッタ、或いは他の要素又は装置を指す。本明細書では内容積が、外側反射器１４６並びに放射コレクタ５０の両端５０ａ及び５０ｂによって取り囲まれた容積である。また、「エンクロージャ（ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）容積」は、この内容積、又は外側反射器１４６並びに両方のドア１２０及び１３０によって与えられる容積（例えば図３参照）、又は外側反射器１４６並びに薄層汚染物バリヤ４９及び１４９によって与えられる容積（例えば図４参照）、すなわち外側反射器１４６及びガス・バリヤによって与えられる容積を指す。用語「放射コレクタ・エンクロージャ」は、放射コレクタ容積を与える要素、すなわち外側反射器１４６並びに両方のドア１２０及び１３０（例えば図３参照）、又は外側反射器１４６及び薄層汚染物バリヤ４９及び１４９（例えば図４参照）、すなわち外側反射器１４６及びガス・バリヤを指す。放射コレクタ５０は、外側反射器１４６の外面の追加のフィーチャ、又は外側反射器１４６の周囲の追加のフィーチャ、例えば保護ホルダ、ヒータなどを含むことができることを理解されたい。本明細書では、「放射コレクタの一端又は両端の１つ又は複数のガス・バリヤ」との文言が、一端に少なくとも１つのガス・バリヤを有し、或いは各端にガス・バリヤを有し、或いは一端又は各端に２つ以上のガス・バリヤ、例えば先に説明したスタックを有する放射コレクタを指す。したがって、用語「薄層汚染物バリヤ」がいくつかの薄層汚染物バリヤを指すことがあり、これらの薄層汚染物バリヤのうちの１つ又は複数のバリヤが任意選択で回転バリヤである。

これらのガス・バリヤは、放射コレクタ５０の容積から装置の残りの部分へ流れるガスに流動抵抗を与える。例えば、放射コレクタ５０の内容積の圧力を０．１〜２０００ｍｂａｒ、例えば約２〜１０ｍｂａｒと仮定すると、この内容積と放射コレクタ５０を含むリソグラフィ装置の部分（すなわち例えば図２、８及び９の室４８）との間の圧力差、望ましくは超過圧を約０．１〜２０００ｍｂａｒ、例えば約５〜１０ｍｂａｒ（すなわち放射コレクタ５０の容積の圧力よりも５〜１０ｍｂａｒ高い）に維持することができる。放射コレクタ５０の内容積の圧力は、約０．１〜２０００ｍｂａｒ、例えば１〜２０００ｍｂａｒに維持することができる。これらのガス・バリヤは、これらのガス・バリヤを通したハロゲン及び／又は金属−ハロゲン反応生成物の拡散が抑制されて、リソグラフィ装置の放射コレクタ５０を含む部分のこれらの化合物の分圧が、約１０^−６ｍｂａｒ未満、例えば約１０^−７ｍｂａｒ未満、例えば約１０^−８ｍｂａｒ未満、例えば約１０^−９ｍｂａｒ未満となるように設計される。

リソグラフィ装置はさらに、放射コレクタ・エンクロージャ容積の外側の圧力を、放射コレクタ・エンクロージャ容積の圧力よりも０．１〜２０００ｍｂａｒ高く維持するように構成された要素又は装置を含む。このような要素又は装置は、それぞれ放射コレクタ・エンクロージャ容積及びこの放射コレクタ・エンクロージャ容積の外側の容積（すなわち室４８）に接続され、又はこれらとガス接触したいくつかのガス・ポンプ６、いくつかの排出口／注入口２（下記参照）を含むことができる。このように、放射コレクタ・エンクロージャ容積の外側の圧力を、放射コレクタ・エンクロージャ容積の圧力よりも０．１〜２０００ｍｂａｒ、例えば約１〜２０００ｍｂａｒ高く維持することができる。圧力差を維持するためのこれらの要素又は装置にはさらに、例えばバルブ、（エンクロージャの内側及び／又は外側の）圧力検出器などが含まれ、これらは、圧力などを制御するプログラムを有するコンピュータに接続することができる。

図３を参照すると、放射コレクタ５０の両端（図４及び７（参照符号５０ａ及び５０ｂ）も参照されたい）に、放射コレクタ５０の内容積を取り囲むエンクロージャ容積を与える２つのシャッタ（又はバルブ、ドアなど）１２０及び１３０が配置されている。放射コレクタ５０の内容積は、外側反射器１４６と、放射源ＳＯの方を向いた端５０ａ（すなわち図３のシャッタ１２０によって閉じられた端）と、照明光学部品ＩＬの方を向いた端５０ｂ（すなわち図３のシャッタ１３０によって閉じられた端）とによって取り囲まれた容積である。シャッタ１２０及び１３０は、リソグラフィ装置の使用中に移動され又は開かれ、放射コレクタ５０をガスで処理して放射コレクタ５０の内面の付着物を除去するときには閉じられる。なお図３には、任意選択で存在する薄層汚染物バリヤ４９も示されている。シャッタ１２０及び１３０は、ホルダ１２１及び１３１を有するスライド・シャッタとすることができるが、ホイール上又は任意の装置上に存在してもよい。この実施例は、リソグラフィ装置の使用後の付着物の除去を対象とすることができる。

図４を参照すると、放射コレクタ５０の両端に、放射コレクタ５０の内容積を取り囲むエンクロージャ容積を与える２つの薄層汚染物バリヤ４９及び１４９が配置されている。これらの薄層汚染物バリヤ４９、１４９はともにガス・バリヤとなる。薄層汚染物バリヤ４９及び１４９が、腐食性のガスを、放射コレクタ５０のエンクロージャ内に閉じ込めるためには、薄層汚染物バリヤ４９と放射コレクタ５０の間の開口及び放射コレクタ５０と薄層汚染物バリヤ１４９の間の開口は最小限でなければならない。（後の変形で論じるとおり）小さなすき間は許される。図４ではこれらのすき間が比較的に大きい（尺度は一定ではない）。一変形では、この容積を閉め切るためにシートを取り付けることができる。

このバリヤによって、例えばヨウ素及び他の成分の拡散は低減する。薄層汚染物バリヤ４９及び１４９などのガス・バリヤとの気相中での衝突により、分子は止められ、流れの方向は内側コレクタへ向かって逆転される。

エンクロージャ容積の圧力は、粘性流が生じる十分な大きさでなければならない。より低い圧力（分子流）では、ヨウ素又は他の分子を留める気相中での衝突が不十分になる可能性がある。

正確な圧力はバリヤ・シートの寸法に依存する。粘性流は、クヌーセン値（Ｋ＝平均自由行程／特性寸法）＜０．１、例えば＜０．０１で得られ、一例として、長さ１０ｃｍの幅の狭い平行プレート４９ａでは、＞０．１ｍｂａｒの圧力が必要である。長さＬ（放射の方向の薄層プレート４９ａの長さ）と平板プレート間の高さｈの比Ｌ／ｈは＞＞１でなければならず、例えば１０ｃｍの長さに対して、プレート間の距離は一般に２ｃｍ未満でなければならない。長さＬが大きく高さｈが小さいことが好ましい。しかし同時に、ｈが小さいほど、抑制を達成する向流も小さくなり、例えば２ｍｍ間隔にフォイルを有する長さ１０ｃｍのフォイル・トラップでは、２ｃｍ間隔でフォイルを有する長さ１０ｃｍのフォイル・トラップに比べて必要な圧力差がはるかに小さくてすむ。一般的な薄層汚染物バリヤの寸法は、約１００から２００薄層４９ａとすることができ、その距離は、コレクタ側の６ｍｍから、中間焦点５２（図２）側の０．６ｍｍまでにわたる。薄層汚染物バリヤ１４９のため空間は十分にあり、そのためこの薄層汚染物バリヤは長さ１０ｃｍ、最大３０〜４０ｃｍとすることができる。使用されるバリヤ・ガスの重量も考慮事項である。Ｉ_２を押し留めるためには軽いＨｅよりも重いＡｒのほうがよい。本明細書ではバリヤ・ガスが、バリヤを通して放射コレクタ５０の内容積へ流入するガスとして使用される。

薄層汚染物バリヤを使用するとき、薄層要素４９ａは約５〜５０ｃｍとすることができ、薄層要素４９ａ間の距離は、薄層汚染物バリヤ４９の放射源側で約０．２〜１ｍｍ、コレクタ側で約２〜１０ｍｍであり、薄層汚染物バリヤ１４９の薄層要素４９ａ間の距離は、コレクタ側で約２〜２０ｍｍ、中間焦点５２の側で約０．２〜２ｍｍである。それぞれの薄層汚染物バリヤは、約５０〜４００、例えば７５〜３７５の薄層要素４９ａを含むことができる。

一実施例では、薄層汚染物バリヤ４９又は１４９或いはその両方が、ＥＵＶ露光中もその場にとどまる。この場合、薄層汚染物バリヤが吸収するＥＵＶを最小限にしなければならず、薄層の量を減らさなければならない。したがってこの実施例では、有利にも、リソグラフィ装置の使用中に（すなわちデバイスの製造中に）も付着物を除去することができる。他の実施例では、一方又は両方の薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９がＥＵＶビームの外側に配置され、クリーニング時に所定の位置に配置される。この場合にはずっと多くのフォイルを使用することができる。したがってこの実施例では、クリーニングで使用するために薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９をガス・バリヤとして端５０ａ及び／又は５０ｂに配置し、リソグラフィ装置の使用中には薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９を移動させる輸送手段が存在する。

放射コレクタ５０全体を取り替える代わりに、本発明は、放射コレクタ５０の表面から付着物を除去することによって放射コレクタ５０の表面を少なくとも部分的に修復し、又はクリーニングすることができる方法を提供する。

一実施例では、ガスがＨ_２を含むガスを含み、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせることを含む方法が提供される。このようにして、除去プロセスにおいて、付着物を水素ラジカルと接触させることによって、付着物を除去する。水素ラジカルはさまざまな方法で生み出すことができる。本発明の方法の一実施例では、水素ラジカルの少なくとも一部分が、Ｈ_２を含むガスのＨ_２から、Ｈ_２を水素ラジカルに転化させるように構成された熱フィラメント、プラズマ、放射及び触媒からなるグループから選択された１つ又は複数のラジカル生成装置によって生み出される。触媒はＨ_２を、触媒の表面に吸着したＨラジカル又はＨ原子に解離する。この触媒は、遷移金属ベースの触媒、例えばＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕを含む触媒を含むことができる。この触媒はさらに、Ｒｕ層、例えばＲｕが最上層に含まれる斜入射ミラーの表面又は放射コレクタ５０の多層の表面を含む。ラジカルを生じさせる放射は、ＥＵＶ放射、ＤＵＶ放射、ＵＶ放射などの放射、例えば１９３ｎｍ、１５７ｎｍ及び１２６ｎｍからなるグループから選択された波長を有する放射を含む放射を含むことができ、この放射は、素から水素ラジカルを形成することができる電子ビーム、電離放射などの放射を含むことができる。一実施例では、リソグラフィ装置の放射源ＳＯを、ラジカルを生じさせる放射源ＳＯとして使用する。他の実施例では、水素ガスからの水素ラジカルの形成を誘導する放射を提供する追加の放射源が存在する。一実施例では、水素ラジカルの少なくとも一部分を、米国特許出願１０／９５６，３４４の記載に従って生じさせる。水素ラジカルはＳｎ（又はＳｎ酸化物）、Ｃ、Ｓｉ（又はＳｉ酸化物）などと反応し、（例えばＳｎ酸化物などの酸化物が還元されるときに）例えば排出口によって除去することができる揮発性の水素化物及び／又は水を生成する。酸化されており、又は少なくとも部分的に付着物又はキャップ層の酸化物として酸化物として存在するＳｎ及びＳｉを、元素Ｓｎ及びＳｉに還元し、水素化物として除去することができる。付着物、例えばＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなるグループから選択された１種又は数種の元素は水素ラジカルによって除去することができるが、例えばＳｎは、ハロゲンを供給することによっても除去することができる。したがって他の実施例では、Ｈ_２を含むガスがさらにハロゲン・ガスを含む。ハロゲンは揮発性ハロゲン化物を形成することができ、例えばＳｎ及びＳｉ付着物の除去を向上させることができる。一実施例では、このガスがＩ_２を含むガスを含む方法が提供される。これはこのガスが、ミラーの表面から付着物を選択的に除去することによって、特にＳｎ付着物に対して良好な結果を示し、同時に、リソグラフィ装置の他の部分に対する腐食効果が小さいか、又はこの効果をほとんど示さないためである。

図５に、第１のミラー１４２及び第２のミラー１４６（それぞれ図２〜４の反射器１４６及び１４２）を含む放射コレクタ５０の一部分を概略的に示す。放射コレクタ５０は、ＥＵＶ放射３５を集め、放射ビーム５６（図６）を生み出すために３枚以上のミラーを含むことができる。ミラー１４２と１４６の間の空間１８０には、ＥＵＶ放射３５の外側、すなわちミラー１４６の影に配置された部分がいくつかある。これらの部分は灰色の領域によって指示されている。例えば、これらの空間を使用して、この図にはフィラメント１１０（１）及び１１０（２）で指示されたフィラメント１１０を配置することができる。

反射器／ミラー１４２及び１４６上の付着物を除去するため、米国特許出願１０／９５６，３４４に従って、本発明に基づくガス、例えば水素ガスを空間１８０に入れ、加熱されたフィラメント１１０によって少なくとも部分的に水素ラジカルに転化させることができる。水素ラジカルは、Ｓｎなどの望ましくない付着物を放射源ＳＯ（この図には示されていない）から除去し、且つ／又は例えばＳｎ酸化物をＳｎに還元することができる。

この実施例の一変形では、排出口２（１）及び２（２）を有する１つ又は複数のガス供給源６（１）及び６（２）を、ミラー５０が配置された空間に配置することができる。この位置は選択できることを理解されたい。他の変形では、空間１８０のＥＵＶ放射３５の外側に位置する部分、すなわちミラー１４６の影の部分にも排出口２（１）及び２（２）があるようにガス供給源を配置することができる。図５に、ガス供給源６（１）及び６（２）の位置の例を示す。

例えば、放射コレクタの内容積にガスを供給した後に、シャッタ１２０及び１３０を閉じ、フィラメント１１０を加熱して、水素ガスの場合には水素ラジカルが形成されるようにすることができる。フィラメント１１０の一般的な温度は約１４００から２４００℃である。処理中の放射コレクタの内容積の一般的な温度は室温（約２０℃）から５００℃であり、望ましい温度範囲は約５０〜３００℃、例えば約１００から２００℃である。この温度を得るために、加熱フィラメント１１０、シャッタ１２０又は１３０に組み込まれた加熱要素３８（例えば図７ａ参照）、及び他の加熱要素を使用することができる。一般的な圧力は例えば約１０^−５から２０００ｍｂａｒ、例えば約０．１から２０００ｍｂａｒであり、リソグラフィ装置の要素４８の圧力は、放射コレクタ５０の内容積よりも高い圧力、一般に（放射コレクタ５０の内容積の圧力よりも高い）約１〜２０００ｍｂａｒに維持される。水素分圧は約１０^−６〜２０００ｍｂａｒ、例えば約１０^−５から２０００ｍｂａｒとすることができる。

先に述べたとおり、水素ラジカルを生じさせるプロセスに続いて、水素ラジカルを生じさせるプロセスと同時に、又は水素ラジカルを生じさせるプロセスの代わりに、ハロゲンを含むガスを供給することによってハロゲンを供給することができる。

ハロゲン、例えばＩ_２の場合、温度は約１００から５００℃であり、望ましい温度範囲は１００〜３００℃、例えば約１３０から２００℃である。この温度を得るために、加熱フィラメント１１０、シャッタ１２０又は１３０に組み込まれた加熱要素３８、及び他の加熱要素を使用することができる。一般的な圧力は例えば約０．１〜２０００ｍｂａｒ、好ましくは１〜２０００ｍｂａｒであり、リソグラフィ装置のコレクタ室４８の圧力は、放射コレクタの内容積よりも高い圧力、一般に約１〜２０００ｍｂａｒ以上に維持される。ハロゲン（例えばＩ_２）分圧は約１０^−７〜１０^−２ｍｂａｒ、例えば約１０^−５〜１０^−４ｍｂａｒとすることができる。一実施例では、加熱フィラメント１１０を使用してさらに、ハロゲンを含むガスの中に含まれるハロゲン又はハロゲン化合物からハロゲン・ラジカルを生じさせることができる。

したがって他の実施例では、リソグラフィ装置がさらに、エンクロージャ容積を加熱するための１つ又は複数の加熱要素を含む。図６に、第１のミラー１４２及び第２のミラー１４６を含む放射コレクタ５０の一部分を概略的に示す。ミラー１４２と１４６の間の空間１８０には、ＥＵＶ放射３５の外側、すなわちミラー１４６の影に配置された部分がいくつかある。これらの部分は、参照符号３２及び３４が付された灰色の領域によって指示されている。例えば、これらの空間を使用して、（図５に示した）フィラメント１１０を配置することができる。しかし、これらの領域を、温度制御用の熱流体又は冷流体を輸送するための加熱線又は加熱管（図示せず）を配置するために使用することもできる。図６には、コントローラ４０によって制御された熱源３８が概略的に示されている。熱源３８は、コネクタ３１によってミラー１４２に接続することができる。コネクタ３１は熱伝導によって加熱される。コントローラ４０は、適当にプログラムされたコンピュータ、又は適当なアナログ及び／又はディジタル回路を有するコントローラとして実装することができる。熱源３８は、矢印３７で指示された熱を生成し、この熱は、放射コレクタ５０の第１のミラー１４２に導かれる。熱源３８をミラー１４２にも物理的に接続してもよい。熱源３８はさまざまな加熱要素を含むことができ、且つ／又はミラー１４２の異なる領域を選択的に加熱できるように熱源３８を配置することができる。このように、キャップ層又は付着物の層成長及び層除去をより良好に制御することができる。熱源３８は、コントローラ４０によって制御することができる。このコントローラはさらに、ポンプ２９を制御し、或いは熱電対、ガス圧、ガス流動などの測定装置、ミラー１４２及び／又はミラー１４６の反射率を解析する解析ユニット、付着層の厚さなどを測定する解析ユニットなど（図６には示されていないが、当業者には知られている）を制御してもよい。ヒータ、例えば熱源３８、及び放射コレクタ５０に接続された加熱要素は、（図５のフィラメント１１０などの）加熱線、高温の流体又は高温のガスを含み／輸送し、高温の／加熱されたガスを、加熱する容積に供給する管、（図６の熱源３８などの）放射コレクタ５０に接続され又は放射コレクタ５０と熱接触したヒータ或いは（図７ａ及び７ｂの熱源３８などの）ガス・バリヤに接続され又はガス・バリヤと熱接触したヒータ、（ＩＲランプなどの）加熱ランプ、及び（放射源ＳＯなどの）ＥＵＶ源からなるグループから選択することができる。最後の２つは例えば予熱源として使用することができる。シャッタ１３０を使用せず、又は部分的に開いたシャッタ１３０を使用する実施例では、ＩＲ源を例えば端５０ｂに配置することができる。

本発明はさらに、エンクロージャ容積を加熱し、且つ／又はＨ_２を含むガスの中のＨ_２から水素ラジカルを生じさせる目的に使用することができる１つ又は複数の加熱要素をエンクロージャ容積内にさらに含むリソグラフィ装置を提供する。エンクロージャ容積の加熱はさまざまな方法で実行することができる。他の実施例では、（ドア１２０、１３０、薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９などの）放射コレクタ・エンクロージャからなるグループから選択された１つ又は複数のエンクロージャの少なくとも一部分を加熱し、放射コレクタ・エンクロージャ容積に供給するガスを加熱することをさらに含む方法が提供される。

図５を参照すると、リソグラフィ装置の使用中の少なくとも一部分の間に、放射源ＳＯ（図示せず）の発射によって放射コレクタ上にＳｎが付着する可能性がある。放射コレクタ５０の使用後に、放射コレクタ５０の表面が、プラスチック管又は残りのガスなどからの望ましくない付着物、例えばＳｎ又は炭化水素を含む可能性があり、又は可能なキャップ層が劣化する可能性があり、これを除去（し置換）する必要が生じる。これは、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載された方法に従って実行することができる。

ガス供給源６（１）によって、Ｈ_２又はハロゲンを含むガス、Ｈ_２とハロゲンの組合せなどを、注入口２（１）を通して、放射コレクタ５０のミラー１４２及び１４６が存在する空間に供給することができる。熱フィラメント１１０の存在によって水素ガスは解離して水素ラジカルになる。水素ラジカルの一部は、放射コレクタ５０の表面の付着物又はキャップ層と接触し、そこでＳｉ（Ｓｉ酸化物を含む）、Ｓｎ（酸化スズを含む）及びＣなどのうちの１種又は数種の元素と反応することができる。このように、付着物を有する放射コレクタ５０は、水素ラジカルの少なくとも一部分と接触し、付着物の少なくとも一部分が除去される。揮発性の水素化物、例えばＳｉＨ_４が形成され、揮発性の水素化物には、水素化スズ及び／又はＣＨ_４などの炭化水素も含まれる。水が形成されることもある。揮発性化合物は、例えば参照符号６（２）及び２（２）で指示された排出口又はポンプによって少なくとも部分的に除去することができる（ガス供給源６及び注入口２をポンプ及び排出口として使用することもでき、又はいくつかのガス供給源６及び注入口２を配置し、そのうちの一部がガスを供給する機能を提供し、他の一部がガスを除去する機能を提供する）。例えば１００〜１５０ｎｍ／時の除去速度を得ることができる。成長及び除去速度は、ｅｘ ｓｉｔｕの蛍光Ｘ線分光法によって得ることができる。

同様に、放射コレクタ５０の内容積にハロゲンを含むガスを供給することができる。約１００℃から５００℃、例えば約１００℃から３００℃、例えば約１３０〜２００℃の温度を与えることによって、ハロゲンは例えばハロゲン化スズを形成し、それによって、Ｓｎを含む付着物の場合には、放射コレクタ５０の表面からスズの少なくとも一部分を除去する。

一実施例では、１つ又は複数のゲッタ（ｇｅｔｔｅｒ）プレート、ゲッタ・マス（ｍａｓｓ）又はゲッタ・コーティングを提供することができ、これらの表面には、ハロゲン・ガス、ハロゲン化物及び水素化物から選択された１種又は数種のガスが付着物を形成し、或いは、これらが、ハロゲン・ガス、ハロゲン化物及び水素化物から選択された１種又は数種のガスと反応することができ、それ以降は、これらのガスがリソグラフィ装置の他の光学要素にそれ以上害を与えない。例えばＮｉコーティングを使用してＩ_２を結合することができる。このようなゲッタ材料は、例えばシャッタ１２０及び／又は１３０の放射コレクタ５０の内容積の方を向いた表面の少なくとも一部分、或いは覆い（ｈｕｌｌ）２００（例えば図１０参照）の少なくとも一部分に配置された別個のバリヤ又は追加のバリヤとして使用することができる。

他の実施例では、この方法がさらに、放射コレクタ・エンクロージャ容積、例えばガス・バリヤ（薄層汚染物質又はバリヤ・シャッタ或いはその両方）にゲッタ材料を提供することを含む。ゲッタ材料は、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ａｇ及びＮｉからなるグループから選択された１種又は数種の金属から選択することができ、これらの金属は例えばＩ_２と反応することができる。例えばＳｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｄ及びＦｅは、約１５０℃でＩ_２と反応して、これらの温度以上で揮発性の生成物を形成し、Ｐｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉは、３００〜５００℃でＩ_２と反応して、これらの温度以上で揮発性の生成物を形成する。ゲッタ材料が配置され、冷却装置、加熱装置又は加熱装置と冷却装置の両方が配置される。このように、ゲッタ材料を所望の温度、すなわち揮発性のハロゲン化物などが形成される（「ゲッタリング」）温度よりも低い温度に維持することができるが、揮発性のハロゲン化物の形成によって例えば最上層が除去されることによってゲッタが再生されるようにゲッタ材料を加熱することもでき、それによってさらに、ゲッタ材料としてその後使用することができる新鮮な金属層が形成される。この再生プロセスはオフラインで使用することもできる。

他の実施例では、薄層汚染物バリヤ又はシャッタ１２０及び／又は１３０を配置し、これらを冷却トラップとして使用して、ハロゲン化物の分圧を低減させることによって、ゲッタリングが実行される。例えば、大部分の金属ヨウ化物は室温で低い蒸気圧を有し、捕捉される。したがって一実施例では、放射コレクタ・エンクロージャ容積からの排出ガスと放射コレクタ・エンクロージャ、とからなるグループから選択された１つ又は複数のガス又はエンクロージャの少なくとも一部分を冷却することをさらに含む方法が提供される。すなわち、シャッタ１２０の少なくとも一部分、シャッタ１３０の少なくとも一部分、放射コレクタの一端又は両端の薄層汚染物バリヤ（すなわち薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９）の少なくとも一部分、並びに取り囲む覆い２００の少なくとも一部分（下記参照）などから選択された少なくとも１つの部分に、その部分を室温よりも低い温度、例えば０℃未満の温度、例えば−１９６℃（液体Ｎ_２の温度）から０℃の範囲の温度、例えば約−１００℃に冷却するのに適した冷却装置を配置する。他の実施例では、冷却トラップなどの冷却装置が、図７ａ及び７ｂに冷却装置２０２とともに概略的に示されている排出口２（２）に配置される。したがって、本発明のリソグラフィ装置の放射コレクタ・エンクロージャはさらに、放射コレクタ・エンクロージャの少なくとも一部分を冷却するための冷却装置を含むことができる。さらに、本発明のリソグラフィ装置はさらに、放射コレクタ・エンクロージャ容積からの排出ガスの排出口のための冷却装置を含むことができる。

一変形では、図７ａに示されたガス供給源６及び注入口又は管２によって、ハロゲンを含むガス及び水素を含むガスからなるグループから選択された１種又は数種のガスを含むガスが、シャッタ１２０及び／又は１３０の開口又はガス・バルブを通して供給される。図７ａには、ガス供給源６（１）を使用して、端５０ａがシャッタ１２０によって囲われ、端５０ｂがシャッタ１３０によって囲われた放射コレクタ５０の内容積にガスを供給することができ、ガス供給源６（２）を、内容積からガスを除去するポンプとして使用してもよい一実施例が示されている。或いは、供給源６（１）と６（２）の両方又は一方がガスを供給し、付着物を除去する化学反応の後に、供給源６（１）と６（２）の両方又は一方が、ハロゲン化物又は水素化物の排出口の役目を果たすことができる。さらに、一方又は両方のシャッタ１２０及び１３０を加熱要素３８で加熱することができ、加熱要素３８は、シャッタ１２０及び／若しくは１３０に組み込まれたコイル、或いはシャッタ１２０及び／若しくは１３０並びに／又は放射コレクタ５０の少なくとも一部分を加熱するのに適した他の任意のヒータを含むことができる。例えば、ヒータ３８を、シャッタ１２０及び／又は１３０の内部の熱フィラメント１１０に接続することができる。このように、ヒータ３８を使用して放射コレクタ５０を加熱し、熱フィラメント１１０を使用して、原子状水素を生じさせ、且つ／又はエンクロージャ容積を加熱することができる。図６に示すように加熱要素３８を放射コレクタ５０の外部に接続することもできる。装置の使用中、シャッタ又はドア１２０及び１３０は開かれ又は移動される。使用後、これらは閉じられ、例えば系の露光モードの準備が再び整う前に、放射コレクタ５０の表面から付着物を少なくとも部分的に除去することができる。

この実施例では、開閉することができる放射コレクタ５０のエンクロージャ容積が提供される。図８を参照すると、このエンクロージャ容積は、端５０ａに（１つのドア、バルブ又はシャッタ１２０を形成する）ドア１２０（１）及び１２０（２）を含み、端５０ｂに（１つのドア、バルブ又はシャッタ１３０を形成する）ドア１３０（１）及び１３０（２）を含み、これらのドアは、図７ａに概略的に示されたドア、図１０に概略的に示された２つのハーフ・ドア、又は例えばダイアフラム型のドアなどの任意のタイプのドアからなることができる。エンクロージャ容積はコレクタ室４８内にある（図２〜４も参照されたい）。光がこの光学要素を通過することを可能にするためにエンクロージャ容積を開くことができる。この光学要素の周囲のプロセス環境を制御可能にするため、エンクロージャ容積を（点線によって指示されているように）閉じることができる。閉じられたエンクロージャ容積の内部では、この光学要素をクリーニングするために、化学的又は物理的に攻撃的な媒質をこの光学要素に適用することができる。エンクロージャ容積内でのプロセスを促進するために、エンクロージャ容積を加熱し、又は冷却し、或いは加熱及び冷却することができる。ドア１２０及び１３０は、支持要素１７０及び１７２を含むフレームの中に含めることができる。支持要素１７０及び１７２は、放射コレクタ５０を支持するように構成された１つの円周フレームの中に含めることができる。図示の支持要素よりも多くの支持要素が存在してもよい。

一変形では、エンクロージャ容積をコレクタ室４８から密封しなくてもよい（完全な真空シールがなくてもよい）。その代わりに、エンクロージャ容積と真空室の間の定められたすき間が許される。これらのすき間は、これらのすき間を通した不活性ガス又は反応性ガスの定められた流動を許す。この一定の流れは、エンクロージャ容積内の攻撃的な媒質がコレクタ室４８へ漏出することを防ぐ。エンクロージャ容積はドア又はバルブを使用して閉じることができる。これらのドア１２０及び１３０はそれぞれ開口５０ａ及び５０ｂを閉じる。このプロセスを促進するために、これらのドアを加熱し、又は冷却し、或いは加熱及び冷却することもできる。これらのドア１２０及び１３０は、エンクロージャ容積内のプロセスに媒質を供給し、エンクロージャ容積内のプロセスから媒質を抽出する位置でもある。

このように、コレクタ室４８内の化学的又は物理的に攻撃的なプロセスの封じ込めが提供され、漏れやすいすき間によってこのプロセスの密封を単純化することができ、コレクタ室４８内のプロセス容積が低減され、この攻撃的なプロセスが、大きなコレクタ室４８内の放射コレクタ５０の内容積に実質的に特定され、媒質を供給しかつ／又は抽出する機能とドアの中にエンクロージャ容積を閉じ込める機能とを結合することができる。

図７ａ及び８（並びに図３）は、放射コレクタ５０の両端５０ａ及び５０ｂにガス・バリヤ１２０及び１３０がある実施例を示している。これらの実施例ではこれらのガス・バリヤ１２０及び１３０がそれぞれドア１２０及び１３０である。例えばドア、シャッタ又はバルブ１２０は、ガス供給源６（１）によってガス（ハロゲン、水素、又はこれらの組合せ（同時に又は前後して供給される））を供給するための注入口２（１）を含むことができ、ドア、シャッタ又はバルブ１３０は、ドア１２０、１３０及び放射コレクタ５０によって形成されたエンクロージャ容積からポンプ６（２）によってガスを除去する排出口として排出口２（２）を含むことができる。代替実施例では、図７ｂに概略的に示すように、１つのドア、例えば一変形ではガスの注入口２（１）（上記参照）を有するドア１２０だけが配置され、第２のドアが配置されない。放射コレクタ５０の端５０ｂの開口を、放射コレクタ５０を含む室の減圧による排出口として使用することができる。このように、ポンピングのための大きな出口が提供される。さらに、放射コレクタ５０を含む室の中に開口を有する注入口２（２）に接続されたポンプを、この室の内部又はこの室の外部に配置して、ハロゲン化物、水素化物、水などのガスを除去できるようにすることができる。ポンプ６（２）、注入口２（２）及びガス供給源６（１）はそれぞれ、いくつかのポンプ、注入口及びガス供給源を含むことができる。この実施例では、放射コレクタ５０並びに放射コレクタ５０のドア１２０及び端５０ｂによって取り囲まれた容積がエンクロージャ容積を含む。

他の変形では、第２のドアが配置され、このドアは、放射コレクタ５０の一端を完全には閉じない。このようにして、エンクロージャ容積と周囲の大気との間の所望の圧力差を調整することができる。この実施例では、エンクロージャ容積の圧力を、約０．２から５０ｍｂａｒ、例えば約１から２０ｍｂａｒから選択することができ、放射コレクタ５０のこのエンクロージャ容積の外側（すなわち室４８）の圧力を、エンクロージャ容積よりも約１０^−６〜１５００ｍｂａｒ、例えば約１０^−５から１０００ｍｂａｒ高く維持することが望ましい。

一変形では、ドア１２０の代わりにドア１３０を配置することができ、ドア１３０にヒータ３８、ガス供給源６（１）及び排出口２（１）を配置することができることを理解されたい。両方の変形で、ガス供給源６（１）は、排出口２（１）によって、ドア１２０（又は１３０）と放射コレクタ５０の間の開口又は他の開口を通してガスを供給することもできる。さらに、一方又は両方のドア１２０及び１３０の代わりに、それぞれ、薄層汚染物バリヤ４９及び薄層汚染物バリヤ１４９を使用することができる。ガスは、複数の注入点を通してエンクロージャ容積に提供することができ、例えば、薄層汚染物バリヤ４９又は１４９を通して、或いは、ドア１２０及び／又はドア１３０のエンクロージャ側の複数の開口を通して供給することができる。このために、ドア１２０及び／又はドア１３０にいくつかのガス排出口２（１）を配置することができるが、一方又は両方のドアはさらに、ガス供給源６（１）から、ドアの排出口２（１）（すなわちドアへの入口）を通して、エンクロージャ側の（シャワー・ヘッドのような）複数の開口にガスを分配する構造を有することができる。したがって一実施例では、１つ又は複数の薄層汚染物バリヤ（４９及び／又は１４９）と、エンクロージャ容積へのガスの複数の注入点を含む１つ又は２つのドアとからなるグループから選択された１つ又は複数のバリヤ及び／又はドアを通してガスが供給される。例えば、シャッタを使用するとき、シャッタは少なくとも約１つの開口、例えば１００ｃｍ^２あたり少なくとも約１つの開口を提供することができ、それぞれの開口は約０．１〜５０ｍｍ^２の開口面積を有する。シャッタはさらに、そこを通してガスが供給される格子構造又は多孔質プレートを提供することができる。薄層汚染物バリヤを使用する場合には先に記載した寸法を使用することができる。

コレクタ５０と（ＥＵＶ源とコレクタ５０の間の）薄層汚染物バリヤ４９の間の空間が非常に小さい、例えば約３〜１０ｍｍであることがある。したがって一実施例では、凹／凸形を有するドア、シャッタ又はバルブ１２０が提供され、凹側は薄層汚染物バリヤ４９に向けられ、凸側は放射コレクタ５０（エンクロージャ容積）に向けられる。

例えばＷＯ２００４／１０４７０７に示されているように、この小さな空間にドアを構築することが難しいことがある。したがって他の実施例では、放射コレクタを移動させるように構成された１つ又は複数のトランスポータをさらに含むリソグラフィ装置が提供される。このようにして、放射コレクタ５０を、例えば数ｃｍ右へ（例えば図９ａ及び９ｂ）移動させて、ドア１２０を閉じることができるようにすることができる。クリーニング手順の後、ドア１２０は開かれ、放射コレクタ５０をその開始位置（デバイス製造位置）まで移動させることができる。図９ａ及び９ｂを参照すると、覆いの中又はドア１２０と１３０の間のコレクタ５０を、ＥＵＶ操作中の位置からクリーニング中の位置（それぞれ図９ａ及び９ｂ）までそれに沿って移動させることができるガイド１７１が提供されている。この移動は、より簡単なドアの使用を可能にする。このために、１つ若しくは複数のガイド１７１又はトランスポータ、例えばホイール又はいくつかのホイール、或いは例えばレール、スライド、トラックなどの上の例えばコンベヤ・ベルト、キャタピラ・トラック、歯車などを放射コレクタに提供することができ、これらは例えば、覆い２００の一部分の上、又は覆い２００の下部、又はコレクタ室４８の壁を移動する。これらのガイドはさらに壁、下部、又はフレームの部分である支持要素１７０上に配置することができる。放射コレクタ５０を移動させるのに他のトランスポータが適当であることがあることを理解されたい。放射コレクタ５０の移動はさらに、薄層汚染物バリヤ４９と放射コレクタ５０を分離することを可能にし、この分離は、（ドア１２０及び１３０並びに外側反射器１４６によって取り囲まれた放射コレクタ５０の内容積によって形成されたエンクロージャ容積の中にある）コレクタ５０をクリーニングし、エンクロージャ容積の外側の要素をクリーニングしないことを可能にする。したがって一実施例ではさらに、リソグラフィ装置が、放射源ＳＯと、放射源ＳＯと放射コレクタ５０の間の薄層汚染物バリヤ４９とを含む方法であって、薄層汚染物バリヤ４９と放射コレクタ５０の間の距離が増大するように放射コレクタ５０を輸送し、薄層汚染物バリヤ４９と放射コレクタ５０の間のエンクロージャ容積にシャッタ１２０を提供することをさらに含む方法が提供される。

一実施例では、リソグラフィ装置の使用中の薄層汚染物バリヤ４９と放射コレクタ５０の間の距離が約３〜１０ｍｍ、例えば約５ｍｍであり、この距離が、シャッタ１２０が閉められ、クリーニング手順が適用されるときには、少なくとも約３０ｍｍ、例えば少なくとも約４０ｍｍ、例えば約５０〜６０ｍｍに増大される。その後に、ドア１２０を移動させ、放射コレクタ５０を露光モード時のその通常の位置まで輸送することができる。

一実施例では、構造を単純化するため、絶対に漏れない構造を必要とせずに腐食性ガスがエンクロージャ容積から漏れることを制限する構造が設計され、方法が適用される。例えば、エンクロージャ容積の外側の圧力がエンクロージャ容積の内側よりも高いレベルにセットされるとき。すき間が大きすぎない場合、腐食性ガスの流出を非常に低いレベルに有効に低減させるのには、比較的に小さな超過圧で十分である。このように、専用のＯリング、専用の真空シール、漏れ防止のドア閉止などは必要なく、このことは複雑さ及びコストを低減させる。

図９ａ及び９ｂ（並びに図３）は、放射コレクタ５０の両端５０ａ及び５０ｂにガス・バリヤ１２０及び１３０がある一実施例を示している。これらの実施例ではこれらのガス・バリヤ１２０及び１３０がそれぞれドア１２０及び１３０である。図７ｂに概略的に示した実施例と同様の図示しない代替実施例では、１つのドア、例えば一変形ではガスの注入口２（１）（上記参照）を有するドア１２０だけが配置され、第２のドア１３０が配置されない。放射コレクタ５０の端５０ｂの開口及び放射コレクタ５０を含む室の減圧を、排出として使用することができる。エンクロージャ容積の圧力を、約０．２から５０ｍｂａｒ、例えば約１から２０ｍｂａｒから選択することができ、放射コレクタ５０のこのエンクロージャ容積の外側（室４８）の圧力を、エンクロージャ容積よりも約１０^−６〜１５００ｍｂａｒ、例えば約１０^−５から１０００ｍｂａｒ高く維持することが好ましい。

このように、ポンプ作用のための大きな出口が提供される。さらに、放射コレクタ５０を含む室の中に開口を有する注入口２（２）に接続されたポンプを、この室の内部又はこの室の外部に配置して、ハロゲン化物、水などのガスを除去できるようにすることができる。ポンプ６（２）、注入口２（２）及びガス供給源６（１）はそれぞれ、いくつかのポンプ、注入口及びガス供給源を含むことができる。この実施例では、放射コレクタ５０並びに放射コレクタ５０のドア１２０及び端５０ｂによって取り囲まれた容積がエンクロージャ容積を含む。他の変形では、第２のドアが配置され、このドアは、放射コレクタ５０の一端を完全には閉じない。このようにして、エンクロージャ容積と周囲の大気との間の所望の圧力差を調整することができる。

図１０を参照すると、特定の一実施例では、円周覆い２００及びガス・バリヤによって放射コレクタ５０が取り囲まれたリソグラフィ装置が提供される。したがって、一実施例では本発明の方法がさらに、放射コレクタ５０を取り囲む円周覆い２００を提供することを含む。覆い２００は、放射コレクタ５０の外面に対して少なくとも円周状に放射コレクタ５０を含む。光軸Ｏに平行な方向の覆い２００の長さは、光軸Ｏに対して平行に計算された放射コレクタ５０の長さの少なくとも５０％、例えば少なくとも９０％、例えば少なくとも１００％とすることができる。１００％の長さは、光軸Ｏに平行に、開口５０ａから５０ｂまでの長さになる。覆い２００はさらに湾曲していてもよく、図１０に示されているように円形である必要は必ずしもないことを理解されたい。本明細書では、「エンクロージャ容積」が、覆い２００及び覆いガス・バリヤの一端又は両端によって与えられる容積を含む。また、用語「放射コレクタ・エンクロージャ」は、エンクロージャ容積を与える要素、すなわち覆い２００と、及び放射コレクタの１つ又は複数の端、より正確には覆い２００の端の１つ又は複数のガス・バリヤとを指す。他の実施例では、これらのガス・バリヤがシャッタ又はドア１２０及び１３０を含む。パイプ又は注入口２及びガス供給源又はポンプ６によって指示されているガスの１つ又は複数の注入口を、この覆いに配置することができるが、ガスは、図７ａ及び７ｂに示すように、シャッタ又はドア１２０又は１３０の１つ又は複数の開口を通して供給することもでき、或いは、シャッタ又はドア１２０及び１３０を閉じる前にエンクロージャ容積に供給することができる。さらに、シャッタ又はドア或いは覆いなどに、１つ又は複数の排出口を配置することができる。図１０では、参照符号２及び６が、ガス供給源及び排出口、例えば注入口、排出口、ポンプ、ブロワなどの存在を概略的に指示している。

図１０には、ハーフ・ドア１２０（１）、１２０（２）が開いた状態、及びドア１３０（１）及び１３０（２）が閉じた状態が示されている。これらのドア又はバルブ又はシャッタは、スライド、さまざまな部品を含むホイールの回転、ダイアフラムのような開閉など（上記及び図７ａ参照）さまざまな方法で閉じることができる。次いで放射コレクタ５０は、ドア１２０及び１３０並びに円周壁又は覆い２００によって取り囲まれる。図１０を参照すると、エンクロージャ容積がここでは、放射コレクタ５０の周囲に（円筒形、繭形などの）円周壁を含み、放射コレクタ５０の両側にシャッタ１２０及び１３０を有する覆い２００を指す。

覆い２００並びに／或いはドア１２０及び／又はドア１３０は、ＥＵＶ操作、クリーニング操作及び保守中に、覆い２００によって取り囲まれた容積をさまざまな温度に操作することができる加熱要素又は冷却装置或いはこの両方を備えることができる。覆い２００は、反応ガスのための注入管路及び／又はガスを除去するための排出管路を備えることができる。

覆い２００を完全に閉じて覆い２００の内部を覆い２００の外部から分離するために、この覆いの両方の出口５０ａ及び５０ｂの２つのドア１２０及び１３０を閉じることができる。ドアのいくつかの変形が可能であり、これには例えば覆いを閉じる２つのハーフ・ドア、スライディング・ドア、ダイアフラム型の閉鎖などが含まれる。ドア１２０及び１３０を使用して、クリーニングに必要なガスを供給することができ、又はドア１２０及び１３０は、覆い（放射コレクタ５０）の内容積からガスを除去する排出口として機能することができる。

図１０を参照すると（この実施例は、図２〜９ｂに示した他の実施例にも含まれる）、任意選択の軸２０１が存在し、これは、薄層汚染物バリヤないしフォイル・トラップ４９（この図には示されていない）（一変形ではさらに薄層汚染物バリヤ１４９）に接続されており、回転する薄層汚染物バリヤを駆動するために使用される。この軸に沿って薄層汚染物バリヤ４９が回転する。したがってこの変形ではドア１２０及び１３０がこの軸２０１のための切欠きを有する。軸２０１は、エンクロージャ容積の中、又は例えば保護のためにエンベロープ（おおい）の中に存在することができる。覆い２００の内部の温度を例えばクリーニング手順中に制御するために、軸２０１又はそのエンクロージャ容積は、センサ、加熱及び／又は冷却要素又は装置を含むことができる。ドア１２０及び１３０も、このような加熱及び／又は冷却要素又は装置を含むことができる。加熱要素又は装置には例えば、加熱可能な線、コイル、加熱液を輸送するためのチャネル（導管）などが含まれる。冷却要素又は装置には、冷却液を輸送するための冷却管路、チャネルなどが含まれる。これらの加熱及び／又は冷却要素又は装置を、１つ又は複数のガス・バリヤ、例えばドア１２０及び１３０、覆い２００又は放射コレクタ５０に接続し、又はこれらと熱接触させることができる。

他の実施例では、薄層汚染物バリヤ４９又は薄層汚染物バリヤ１４９、或いはその両方が、２重薄層汚染物バリヤを含む。すなわちリソグラフィ装置の使用中に平行な一部の薄層４９ａが回転し、一部の薄層４９ａが動かない。

図１０（及び図３）は、放射コレクタ５０の両端５０ａ及び５０ｂにそれぞれガス・バリヤ１２０及び１３０がある一実施例を示している。これらの実施例ではこれらのガス・バリヤ１２０及び１３０が、２つのハーフ・ドア１２０（１）及び１２０（２）並びに１３０（１）及び１３０（２）によって形成されたドア１２０及び１３０である（ただしその他のタイプのドア／シャッタ／バルブを使用することもできる）。図７ｂに概略的に示した実施例と同様の図示しない代替実施例では、１つのドア、例えば一変形ではガスのための注入口２（１）（上記参照）を有するドア１２０だけが配置され、第２のドア１３０が配置されない。放射コレクタ５０の端５０ｂの開口及び放射コレクタ５０を含む室の減圧を排出として使用することができる。このように、ポンプ作用のための大きな出口が提供される。他の変形では、第２のドアが配置され、このドアは、放射コレクタ５０の一端を完全には閉じない。このようにして、エンクロージャ容積と周囲の大気との間の所望の圧力差を調整することができる。

ハロゲンを含むガス又は水素を含むガス或いはその両方を供給することによって、付着物の少なくとも一部分が放射コレクタから除去される。これらのガスは、ガス供給源（例えば図７ａ及び１０のガス供給源６（１））に接続された、例えばドア（例えばドア１２０）の注入口を通して、或いは薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９を通して（すなわち薄層要素４９ａ間の空間が注入口を形成する）、或いは覆い２００の注入口を通して供給することができる。ＳｎＨ_４、ＳｎＢｒ_４、Ｈ_２Ｏ、除去プロセスにおける可能な反応生成物などの揮発性ガスは、例えばドア１２０又は１３０に接続された排出口によって、或いは薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９を通して（すなわち薄層要素４９ａ間の空間がやはり排出口を形成する）、或いは覆い２００に接続された排出口（例えば図１０の排出口２及びポンプ６）を通して除去することができる。したがって一実施例では、一方又は両方のガス・バリヤが注入口又は排出口、或いは注入口と排出口の両方を含み、他の実施例では、円周覆い２００が注入口又は排出口、或いは注入口と排出口の両方を含む。

他の実施例では、覆い２００の中で放射コレクタ５０が可動である。この実施例は、図１０及び図９ａ／９ｂに示した実施例を組み合わせたものである。例えば、覆い２００は、支持要素１７０及び１７２を含む円周支持体によって形成することができる。この実施例では、図９ａ及び９ｂがその側面を概略的に示しており、覆い２００の上部が参照符号１７２で指示され、覆い２００の下部が参照符号１７０で指示されている。

図１０に示した実施例の一変形では、ガイド又はトランスポータ１７１が、図１０（又は図９ｂ）に示すように内側ではなく、覆い２００の外側に配置される。このために、それを通してコレクタと覆い２００の外側のガイド又はトランスポータ１７１とが接続される小さな漏れ穴を、覆い２００にあけることができる。したがって覆い２００の内側の材料及び要素の量が最小化される。覆い２００によって取り囲まれた容積に対する室４８内の超過圧力のために、覆い２００内のガスはこの容積の中に実質的に保たれる。したがって、支持要素１７０及び／又は１７２がある場合には（図９ａ及び９ｂ参照）、これらも覆い２００の外側に置くことができる。

一実施例では、（リソグラフィ装置の使用中の）薄層汚染物バリヤ４９と放射コレクタ５０の間の距離が約３〜１０ｍｍ、例えば約５ｍｍであり、この距離が、シャッタ１２０が閉められ、クリーニング手順が適用されるときには、少なくとも約３０ｍｍ、例えば少なくとも約４０ｍｍ、例えば約５０〜６０ｍｍに増大される。その後に、ドア１２０を移動させ、覆い２００の中で放射コレクタ５０を移動させることによって、放射コレクタ５０を露光モード時のその通常の位置まで輸送することができる。

他の実施例では、放射コレクタ・エンクロージャ容積へのガス供給源の少なくとも一部分、又はこの容積に例えば開口によってガスを供給する際に関与する放射コレクタ・エンクロージャ容積の構成要素、例えばガス供給源６（１）、排出口２（１）、ガス・バリヤ４９、１２０、１３０、１４９、覆い２００などの少なくとも一部分を加熱することができる。他の実施例では、放射コレクタ・エンクロージャ容積へのガス供給源の少なくとも一部分、又はこの容積に例えば開口によってガスを供給する際に関与する放射コレクタ・エンクロージャ容積の構成要素、例えばガス供給源６（１）、排出口２（１）、ガス・バリヤ４９、１２０、１３０、１４９、覆い２００などの少なくとも一部分を冷却することができる。例えば、図７ａに関する一変形例では、ドア１２０が加熱要素３８によって加熱され、ガス排出源６（２）のための開口を含むドア１３０が冷却される。図７／１０に関する他の変形例では、両方のドア１２０及び１３０を加熱することができるが、排出管６（２）に、例えば−１９６から０℃の冷却トラップが配置される。図１０に関する他の変形例では、ドア１２０及び１３０並びに覆い２００が加熱され、排出管６（２）に、例えば−１９６から０℃の冷却トラップが配置される。図７ｂ及び１０に関する他の変形例では、ドア１２０及び／又は薄層汚染物バリヤ４９と覆い２００（図１０）の両方を加熱することができるが、ドア１３０が配置されず、或いは、開いたドア１３０及び薄層汚染物バリヤ１４９のうちの１つ又は複数の要素が配置される。最後の２つの要素のうちの一方又は両方を冷却することができる。このようにして、ミラー容積内の特に放射コレクタ５０上の望ましくない材料の付着物が低減され又は最小化されるが、特にエンクロージャ容積全体が加熱されるときには、あまり敏感でない部分又は構成要素上の付着が促進され、排出口２（２）に１つ又は複数の冷却トラップ２０２が提供され、又は薄層汚染物バリヤ１４９などの他の要素が冷却される。

本発明の一実施例では、放射コレクタ・エンクロージャ容積内に水素ラジカルを供給することによって原子状水素でクリーニングするプロセスが実行され、加熱してもよいバリヤ４９及びドア１２０、並びに加熱してもよい覆い２００からなるグループから選択された１つ又は複数のガス・バリヤから選択された１つ又は複数のバリヤを通してエンクロージャ容積にＨ_２ガスが供給され、閉じたドア１３０は配置されず、或いは開いたドア１３０及び薄層汚染物バリヤ１４９からなるグループから選択された１つ又は複数のバリヤが配置され、薄層汚染物バリヤ１４９は冷却してもよく、続いて、ハロゲンでクリーニングするプロセスが実行され、加熱してもよいバリヤ４９及びドア１２０、並びに加熱してもよい覆い２００からなるグループから選択された１つ又は複数のガス・バリヤから選択された１つ又は複数のバリヤを通してエンクロージャ容積にハロゲンを含むガスが供給され、閉じたドア１３０及び薄層汚染物バリヤ１４９からなるグループから選択された１つ又は複数のガス・バリヤが配置され、薄層汚染物バリヤ１４９は冷却してもよい。

これらのプロセス中に、特にハロゲンでのクリーニング中に、例えば冷却トラップ２０２によって冷却してもよい排出装置６（２）によって、放射コレクタ容積からガスが除去される。ハロゲンを含むこのガスはさらに、水素ラジカルを提供する水素を含むことができる。さらに、覆い２００はこのガスの複数の注入点を含むことができる。この方法の代替実施例では、水素クリーニング中にも、閉じたドア１３０及び薄層汚染物バリヤ１４９からなるグループから選択された１つ又は複数の要素が配置される。

したがって、ガスがハロゲンを含まない一実施例、例えばクリーニングが水素ラジカルで実行される一実施例では、放射コレクタの一端だけに１つ又は複数のガス・バリヤを配置することができ、それによって放射コレクタ５０の閉じられていないもう一端に大きな排出口を提供することができ、ガスがハロゲンを含む一実施例では、ハロゲンを単独で使用するのか、又は水素の次に使用するのかにかかわらず、放射コレクタ５０の両端に少なくとも２つのガス・バリヤが配置される。ハロゲン・クリーニング中に両端にガス・バリヤを配置することによって、放射コレクタ・エンクロージャの中、例えば覆い２００の中にハロゲン及び反応生成物を封じ込めることができ、放射コレクタ・エンクロージャ容積を取り囲む容積を、エンクロージャ容積の圧力よりも高い圧力に維持することができ、それによってハロゲン及び反応生成物の封じ込めを促進することができる。

一実施例ではさらに、１つ又は複数のゲッタ・プレート又はゲッタ・マスを提供することができ、これらの表面には、水素化物、ハロゲン化物又はハロゲン・ガスが付着物を形成し、又はこれらのガスが付着し、それ以降は、これらのガスが他の（光学）要素にそれ以上害を与えない（上記参照）。例えば、Ｎｉコーティング又は他のゲッタ材料（上記参照）を使用してＩ_２を結合することができる。このようなゲッタは、例えばシャッタ１２０及び／又は１３０の放射コレクタ５０の内容積の方を向いた表面に配置された追加のバリヤ手段として使用することができる。

本発明の他の実施例によれば、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載されているように、保護層として使用することができるキャップ層を放射コレクタ５０に提供することができる。例えば、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなるグループから選択された１種又は数種の元素、例えばＢ、Ｃ、Ｓｉ及びＧｅからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む放射コレクタ５０への付着物としてキャップ層を提供することができる。この付着物は、キャップ層、例えば約１〜２０ｎｍのキャップ層、例えば約５〜１０ｎｍのキャップ層として使用される。この付着物は、リソグラフィ装置の使用の前に放射コレクタ５０に提供することができる。一実施例では、この装置の使用が、放射ビームでこの光学要素を照射すること、例えばＥＵＶ放射を適用することを含む。リソグラフィ装置の使用中にキャップ層は、放射源ＳＯからの粒子の衝突によって、例えば、例えば放射源ＳＯからのＳｎ又は他の粒子によるＳｎの付着及び／又はキャップ層の一部からのスパッタリングによって、部分的に又は完全に劣化する可能性があり、或いは放射コレクタ５０から部分的に又は完全に除去される可能性がある。したがって一実施例では、装置の使用の少なくとも一部分の間に、Ｓｎ源又は他の源からのＳｎ粒子又は他の粒子、或いは源の粒子と例えばリソグラフィ装置壁との衝突によって放出された２次粒子が、キャップ層の少なくとも一部分の表面に付着し、又はキャップ層の少なくとも一部分を除去する。したがって他の実施例では、付着物が少なくともＳｎを含み、この実施例の一変形では、キャップ層が少なくともＳｎを含む。使用中に、キャップ層上へｎ付着とキャップ層の除去の両方のプロセスが起こる可能性があり、それによって劣化したキャップ層が生じる。他の実施例では、装置の使用の少なくとも一部分の間に、例えばレジストからのガス放出によって、キャップ層の少なくとも一部分にＳｉが付着する。したがって一実施例では、付着物が少なくともＳｉを含み、この実施例の一変形では、キャップ層が少なくともＳｉを含む。

劣化したキャップ層を除去するため、以下の段階を含む方法が提供される：装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にＨ_２を含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタからキャップ層の少なくとも一部分を除去する段階、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる段階、キャップ層を有する放射コレクタを、この水素ラジカルの少なくとも一部分と接触させ、キャップ層の少なくとも一部分を還元する段階、装置の少なくとも一部分にハロゲンを含むガスを供給する段階、並びにキャップ層を有する放射コレクタを、このハロゲンを含むガスの少なくとも一部分と接触させ、キャップ層の少なくとも一部分を除去する段階。

本発明の他の実施例では、以下の段階を含む方法が提供される：装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にＨ_２及びハロゲンを含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタからキャップ層の少なくとも一部分を除去する段階、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる段階、並びにキャップ層を有する放射コレクタを、このガスの中の水素ラジカル及びハロゲンの少なくとも一部分と接触させ、キャップ層の少なくとも一部分を除去する段階。

本発明の他の実施例では、本発明の方法を、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載された方法に組み込むことができる。この方法は、装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にＨ_２を含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタからキャップ層の少なくとも一部分を除去する段階、このＨ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる段階、並びにキャップ層を有する放射コレクタを、この水素ラジカルの少なくとも一部分と接触させ、キャップ層の少なくとも一部分を除去する段階を含む。

本発明の他の実施例では、本発明の方法を、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載された方法に組み込むことができる。この方法は、装置の使用中又は使用後に、装置の少なくとも一部分にハロゲンを含むガスを供給することを含む除去プロセスにおいて、放射コレクタからキャップ層の少なくとも一部分を除去する段階、並びにキャップ層を有する放射コレクタを、このハロゲンを含むガスの少なくとも一部分と接触させ、キャップ層の少なくとも一部分を除去する段階を含む。

米国特許出願１０／９５６，３４４に記載された方法によれば、使用中又は使用後にキャップ層を少なくとも部分的に除去できるだけでなく、放射コレクタ５０上、又は放射コレクタ５０上の部分的に除去されたキャップ層上に、新しいキャップ層を形成することもできる。したがって上記の方法に、これに続けて付着プロセスによって放射コレクタにキャップ層を形成するプロセスを追加することもできる。一実施例では、これらの方法をデバイス製造方法に組み込むこともできる。このため、他の実施例によればリソグラフィ装置がさらに、Ｈ_２を含むガス及び／又はハロゲンを含むガスを装置の少なくとも一部分に供給する少なくとも１つの注入口と、Ｈ_２を含むガスのＨ_２から水素ラジカルを生じさせる装置と、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ及びＧｅからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む付着物を形成する、米国特許出願１０／９５６，３４４に記載された任意選択の装置とを含む。

キャップ層を除去する方法は、放射コレクタの一端又は両端に１つ又は複数のガス・バリヤを配置し、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与え、（先に述べたとおりに）放射コレクタ・エンクロージャ容積にガスを供給し、キャップ層の少なくとも一部分を除去することによって実行することができる。

キャップ層を形成する方法は、放射コレクタの一端又は両端に１つ又は複数のガス・バリヤを配置し、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与え、（米国特許出願１０／９５６，３４４に記載されたとおりに）放射コレクタ上に付着することができる材料を供給し、（米国特許出願１０／９５６，３４４に記載されたとおりに）キャップ層を形成することによって実行することができる。

シャッタ１２０及び１３０などの閉じたガス・バリヤを使用するときには、それぞれの方法を実行した後にそれらを移動させ、又は開いて、リソグラフィ装置を使用できるようにし、薄層汚染物バリヤ４９及び１４９の場合には、続いてリソグラフィ装置を使用するときに、それらをそのままの位置に保持することができる。先に述べたとおり、薄層汚染物バリヤ４９及び／又は１４９は、リソグラフィ装置の使用中は取り外し、クリーニング中はリソグラフィ装置の一端又は両端に配置することができるタイプのバリヤとすることもできる。また、シャッタ１２０及び／又は１３０並びに薄層汚染物バリヤ４９及び１４９の組合せも可能である。

一実施例では、リソグラフィ装置で使用され、放射コレクタによって集められる放射が、５〜２０ｎｍの範囲から選択された例えば約１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射を含む。

本明細書ではＩＣ製造でのリソグラフィ装置の使用を特に参照するが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学系、磁区メモリの誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含むフラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、この他の応用も有することを理解されたい。このような代替応用の文脈において、本明細書で使用する用語「ウェーハ」又は「ダイ」はそれぞれ、より一般的な用語「基板」又は「標的部分」と同義であると考えることができることを理解されたい。本明細書で参照する基板は、例えばトラック（一般にレジストの層を基板に塗布し、露光後にレジストを現像するツール）、測定ツール及び／又は検査ツールで、露光の前又は後に処理することができる。適用可能ならば、本明細書の開示を、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを製造するために基板を２回以上処理することができ、そのため、本明細書で使用する用語「基板」は、処理済みの複数の層をすでに含む基板を指すことがある。

これまで、光リソグラフィの文脈における本発明の実施例の使用を特に参照したが、他の応用、例えばインプリント・リソグラフィにおいて本発明を使用することができ、状況が許す場合には、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリント・リソグラフィでは、パターン形成装置のトポグラフィ（精密構成）が、基板上に生成されるパターンを画定する。パターン形成装置のトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層にプレスすることができ、電磁放射、熱、圧力又はこれらの組合せを適用することによってレジストは基板上で硬化する。パターン形成装置はレジストから取り外され、レジストが硬化した後にレジストにパターンが残る。

以上に本発明の特定の実施例を説明したが、以上に説明した以外の方法でも本発明を実施できることを理解されたい。例えば、本発明は、以上に開示した方法を記述した１つ又は複数の機械可読命令シーケンスを含むコンピュータ・プログラム、或いはこのようなコンピュータ・プログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。このコンピュータ・プログラムを使用して、付着物の除去を制御し、圧力を制御し、分圧を制御し、ガスの流量を制御し、ドア／シャッタ１２０／１３０を制御し、薄層汚染物バリヤ４９／１４９を制御し、放射コレクタ５０の輸送を制御することなどができる。

原子状水素を使用したクリーニングについて述べたが、自然界の水素が、ジュウテリウムＤ（水素原子６５００個に１つ）及びトリチウムＴを含むことはよく知られている。濃縮された原子同位体の混合物をクリーニングに使用すると有利な場合がある。原子ジュウテリウムをクリーニングに使用することも有利な場合がある。ジュウテリウムは「普通」の気体とみなすことができる。
・ジュウテリウムは一般にボトルで入手可能である。
・取扱いは水素と同様である。
・ジュウテリウムの使用の費用はそれほど高くない。ジュウテリウムは、２００ｂａｒ、５０リットルのボトル入りで、約１０００ユーロで購入できる。含量はしたがって１００００標準リットルである。クリーニングを実行するための一般的な流束は１０００ｍｂａｒ ｌ／秒である（圧力１０ｍｂａｒで１００ｌ／秒ポンピングする）。１本のボトルは１００００秒で空になる。１回のクリーニング・サイクルに一般に３００秒かかるとき、これは、３０クリーニング・サイクルを１本のボトルで実行することができることを意味する。ツールは約１００回クリーニングしなければならず、したがってツールの寿命が尽きるまでのジュウテリウム消費の総費用は３０００ユーロである。水素を使用する場合の同様の計算では１０００ユーロになる。
・原子ジュウテリウムの反応性は水素よりも高いと予想される。

以上の説明は例示を意図したものであって、限定を意図したものではない。したがって、前記請求項の範囲から逸脱することなく記載の発明に変更を加えることができることを当業者は理解されたい。

本発明は、以上の実施例に記載されたリソグラフィ装置の応用又はリソグラフィ装置での使用に限定されない。また、図面は通常、本発明を理解するために必要な要素及びフィーチャだけを含む。さらに、リソグラフィ装置の図面は概略図であり、尺度は一律ではない。本発明は、これらの略図に示された要素（例えば略図に描かれたミラーの数）に限定されない。さらに、本発明は、図１及び２に関して説明したリソグラフィ装置に限定されない。放射コレクタに関して記述した本発明を、（他の）多層斜入射ミラー又は他の光学要素に使用することができる。以上に説明した実施例を組み合わせることができることを理解されたい。例えば、図示されているよりも多くの加熱要素３８又は熱フィラメント１１０が存在してもよく、或いはこれらが図に概略的に示された位置とは違う位置にあってもよい。さらに、ガス供給源とポンプ、注入口と排出口は場合によっては交換することができる。例えば、ガスを供給するための注入口を続いてガスを除去するための排出口として使用することができる。

本発明の一実施例に基づくリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 図１に基づくリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明系及び投影光学部品の概略側面図である。 放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づくシャッタを概略的に示す図である。 放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づく薄層汚染物バリヤを概略的に示す図である。 放射コレクタの一部分及び本発明の一実施例に基づくフィラメントを概略的に示す図である。 温度制御装置を備えた本発明の一実施例に基づく放射コレクタの一部分を概略的に示す図である。 放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づく２つのシャッタを概略的に示す図である。 放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づく１つのシャッタを概略的に示す図である。 放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づくシャッタを概略的に示す図である。 可動放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づくシャッタを概略的に示す図である。 可動放射コレクタを囲う本発明の一実施例に基づくシャッタを概略的に示す図である。 放射コレクタを囲う覆いを概略的に示す図である。

符号の説明

ＳＯ 放射源
ＩＬ 照明系（照明器）
Ｂ 放射ビーム
ＭＡ パターン形成手段（マスク）
Ｍ１ マスク・アライメント・マーク
Ｍ２ マスク・アライメント・マーク
ＩＦ１ 位置センサ
ＭＴ 支持体（マスク・テーブル）
ＰＭ 第１の位置決め装置
ＰＳ 投影系（反射投影レンズ）
Ｗ 基板（ウェーハ）
Ｐ１ 基板アライメント・マーク
Ｐ２ 基板アライメント・マーク
ＩＦ２ 位置センサ
ＷＴ 基板テーブル（ウェーハ・テーブル）
ＰＷ 第２の位置決め装置
Ｃ 標的部分
Ｏ 光軸
１ リソグラフィ装置
２（１） 排出口／注入口
２（２） 排出口／注入口
６（１） ガス供給源（ポンプ）
６（２） ガス供給源（ポンプ）
２９ ポンプ
３１ コネクタ
３５ ＥＵＶ放射
３８ 熱源
４０ コントローラ
４２ 放射系
４４ 照明光学部品ユニット
４７ 放射源室
４８ コレクタ室
４９ 薄層汚染物バリヤ
４９ａ 薄層プレート
５０ 放射コレクタ
５０ａ 放射コレクタの端
５０ｂ 放射コレクタの端
５１ 格子スペクトル・フィルタ
５２ 虚放射源点
５３ 直入射反射器
５４ 直入射反射器
５６ 放射ビーム
５７ パターンが付与されたビーム
５８ 反射要素
５９ 反射要素
１１０（１） フィラメント
１１０（２） フィラメント
１２０ シャッタ（バルブ、ドア、ダイアフラム）
１２０（１） ハーフ・ドア
１２０（２） ハーフ・ドア
１２１ ホルダ
１３０ シャッタ（バルブ、ドア、ダイアフラム）
１３０（１） ハーフ・ドア
１３０（２） ハーフ・ドア
１３１ ホルダ
１４２ 内側反射器
１４３ 内側反射器
１４６ 外側反射器
１４９ 薄層汚染物バリヤ
１７０ 支持要素
１７１ ガイド
１７２ 支持要素
１８０ ミラー間の空間
２００ 覆い
２０１ 軸
２０２ 冷却装置

Claims (30)

1. リソグラフィ装置の放射コレクタ上の付着物の除去方法であって、
   前記放射コレクタの端にガス・バリヤを配置し、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与える段階と、
   ハロゲンを含むガスと、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスとからなるグループのうちの１種又は数種のガスから選択されたガスを、前記放射コレクタ・エンクロージャ容積に供給する段階と、
   前記付着物の少なくとも一部分を前記放射コレクタから除去する段階と
   を含み、
   前記リソグラフィ装置がさらに、放射源と、前記放射源と前記放射コレクタの間の薄層汚染物バリヤとを含み、
   前記薄層汚染物バリヤと前記放射コレクタの間の距離が増大するように前記放射コレクタを輸送する段階と、
   前記薄層汚染物バリヤと前記放射コレクタの間の前記エンクロージャ容積にシャッタを配置する段階とをさらに含む、方法。
2. 前記ガス・バリヤが薄層汚染物バリヤ又はシャッタである、請求項１に記載の方法。
3. 前記ガスが、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスを含み、
   前記水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスから、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウム・ラジカルを生じさせる段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記ガスがＩ_２を含むガスを含む、請求項１に記載の方法。
5. 水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスを供給する段階と、
   水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスから、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウム・ラジカルを生じさせる段階と、
   続いてハロゲンを含むガスを供給する段階とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記ガスが、複数の注入点を通して前記エンクロージャ容積に供給される、請求項１に記載の方法。
7. 前記付着物が、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎ並びにこれらの組合せからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記エンクロージャ容積を加熱する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記エンクロージャ容積内に加熱フィラメントを配置する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記エンクロージャ容積及び／又は前記ガスの少なくとも一部分を加熱する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記エンクロージャ容積及び／又は前記放射コレクタ・エンクロージャ容積からの排出ガスの少なくとも一部分を冷却する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
12. 前記エンクロージャ容積内にゲッタ材料を配置する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
13. 前記エンクロージャ容積の外側の圧力を、前記エンクロージャ容積の内側よりも０．１〜２０００ｍｂａｒ高くする段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
14. 前記放射コレクタを取り囲む円周覆いを配置する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
15. 前記放射コレクタがコレクタ・ミラーを含む、請求項１に記載の方法。
16. 放射コレクタを備えたリソグラフィ装置を用意する段階と、
    基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影する段階と、
    前記リソグラフィ装置の使用中又は使用後に、除去プロセスにおいて、前記放射コレクタから付着物の少なくとも一部分を除去する段階と
    を含み、前記除去プロセスが、
    前記放射コレクタの一端又は両端に１つ又は複数のガス・バリヤを配置し、それによって放射コレクタ・エンクロージャ容積を与える段階と、
    ハロゲンを含むガスと、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスとからなるグループのうちの１種又は数種のガスから選択されたガスを、前記放射コレクタ・エンクロージャ容積に供給する段階と、
    前記付着物の少なくとも一部分を前記放射コレクタから除去する段階と
    を含み、
    前記リソグラフィ装置がさらに、放射源と、前記放射源と前記放射コレクタの間の薄層汚染物バリヤとを備え、
    前記薄層汚染物バリヤと前記放射コレクタの間の距離が増大するように前記放射コレクタを輸送する段階と、
    前記薄層汚染物バリヤと前記放射コレクタの間の前記エンクロージャ容積にシャッタを配置する段階とをさらに含む、デバイス製造方法。
17. 前記ガス・バリヤが薄層汚染物バリヤ又はシャッタである、請求項１６に記載の方法。
18. 前記ガスが、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスを含み、
    前記水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスから、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウム・ラジカルを生じさせる段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
19. 前記ガスがＩ_２を含むガスを含む、請求項１６に記載の方法。
20. 水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスを供給する段階と、
    前記水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウムを含むガスから、水素、ジュウテリウム及び／又はトリチウム・ラジカルを生じさせる段階と、
    続いてハロゲンを含むガスを供給する段階とをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
21. 前記ガスが、複数の注入点を通して前記エンクロージャ容積に供給される、請求項１６に記載の方法。
22. 前記付着物が、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎ並びにこれらの組合せからなるグループから選択された１種又は数種の元素を含む、請求項１６に記載の方法。
23. 前記エンクロージャ容積を加熱する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
24. 前記エンクロージャ容積内に加熱フィラメントを配置する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
25. 前記エンクロージャ容積及び／又は前記ガスの少なくとも一部分を加熱する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
26. 前記エンクロージャ容積及び／又は前記エンクロージャ容積からの排出ガスの少なくとも一部分を冷却する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
27. 前記エンクロージャ容積内にゲッタ材料を配置する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
28. 前記エンクロージャ容積の外側の圧力を、前記エンクロージャ容積の内側よりも０．１〜２０００ｍｂａｒ高くする段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
29. 前記放射コレクタを取り囲む円周覆いを配置する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
30. 前記放射コレクタがコレクタ・ミラーを含む、請求項１６に記載の方法。

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