NL1032674C2 - Stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied. - Google Patents
Stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1032674C2 NL1032674C2 NL1032674A NL1032674A NL1032674C2 NL 1032674 C2 NL1032674 C2 NL 1032674C2 NL 1032674 A NL1032674 A NL 1032674A NL 1032674 A NL1032674 A NL 1032674A NL 1032674 C2 NL1032674 C2 NL 1032674C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- radiation source
- compound
- source according
- collector
- top layer
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 44
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- -1 alkyl triethoxysilane Chemical compound 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- MLXDKRSDUJLNAB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F MLXDKRSDUJLNAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007258 Si2H4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 206010013457 Dissociation Diseases 0.000 description 1
- 241000219289 Silene Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000047 disilanyl group Chemical group [H][Si]([*])([H])[Si]([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
STRALINGSBRON VOOR ELEKTROMAGNETISCHE STRALING MET EEN GOLFLENGTE IN HET EXTREEM ULTRAVIOLET (XUV) GOLFLENGTEGEBIED
De uitvinding betreft een stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied, in het bijzonder met een golflengte in het golflengtegebied tussen 10 nm en 15 nm, 5 tenminste omvattend een kamer voor het daarin opnemen van een XUV-straling genererend plasma en een collector voor het bundelen en uit de kamer doen treden van door het plasma gegenereerde XUV-straling.
Bekend is een stralingsbron voor elektromagnetische 10 straling met een golflengte in het diep ultraviolet (DUV) golflengtegebied, in het bijzonder met een golflengte van 193 nm, die binnen het vakgebied van de nanolithografie wordt toegepast bij de productie van halfgeleiderschakelingen.
Het streven naar verdergaande miniaturisering van 15 halfgeleiderschakelingen heeft de aanzet gegeven tot de ontwikkeling van een XUV-stralingsbron.
De thans bekende XUV-stralingsbron omvat in hoofdzaak een vacuümkamer of ultrahoogvacuümkamer, die is voorzien van daartoe geschikte en op zich bekende middelen om een in de 20 kamer ingebracht materiaal, waarvan bekend is dat het in een plasmatoestand XUV-straling met een bepaalde golflengte genereert, in die plasmatoestand te brengen. De gegenereerde XUV-straling wordt met behulp een collector, bijvoorbeeld een meerlagenspiegel of een samenstel van gebogen spiegels van 25 bijvoorbeeld ruthenium (Ru) of palladium (Pd) gebundeld en uit de kamer geleid.
Bij de thans bekende XUV-stralingsbron doet zich het verschijnsel voor dat door de XUV-straling die is gegenereerd door het (primaire) plasma, nabij het oppervlak van de 30 collector een (secundair) plasma wordt gevormd, waarvan de ionen een sputterende werking uitoefenen op het oppervlak van de collector, die bijgevolg erodeert. Om de erosie van de collector zo veel mogelijk te beperken kan men de intensiteit 1032*7* 2 van de bekende XUV-stralingsbron zo laag mogelijk houden, maar met het oog op de beoogde toepassingen van deze stralingsbron is juist een relatief hoge intensiteit vereist.
Het is een doel van de uitvinding een XUV-stralingsbron 5 te verschaffen waarmee XUV-straling met hoge intensiteit kan worden gegenereerd, zonder dat daarbij erosie van de collector optreedt.
Dit doel wordt bereikt met een XUV-stralingsbron van het in de aanhef genoemde type, waarbij overeenkomstig de 10 uitvinding in de kamer een eerste verbinding is opgenomen die in een evenwichtsreactie reageert met het materiaal van het oppervlak van de collector tot een aan dat oppervlak gebonden tweede verbinding.
Een XUV-stralingsbron volgens de uitvinding biedt de 15 mogelijkheid een dynamische balans tot stand te brengen aan het oppervlak van de collector, waarbij materiaal dat door de sputterende werking van de ionen in het secundaire plasma wordt onttrokken aan het oppervlak, wordt aangevuld door de uit de eerste verbinding gevormde tweede verbinding 20 In een XUV-stralingsbron volgens de uitvinding wordt de eerste verbinding door de gegeneerde XUV-straling bijvoorbeeld geïoniseerd en reageert de geïoniseerde verbinding vervolgens met het oppervlak van de collector, waarbij de aldus gevormde tweede verbinding aangroeit op dat 25 oppervlak, en een compensatie vormt voor materiaal dat als gevolg van de sputterende werking van het secundaire plasma aan dat oppervlak wordt onttrokken.
In een uitvoeringsvorm van een XUV-stralingsbron volgens de uitvinding, waarbij de collector een spiegel met 30 een meerlagenstructuur is en tenminste een silicium (Si)— houdende toplaag omvat, is de eerste verbinding een eerste Si-verbinding die onder inwerking van de gegenereerde XUV-straling in een evenwichtsreactie met het Si in de toplaag reageert tot een aan die toplaag gebonden tweede Si-35 verbinding.
Teneinde de hierboven genoemde dynamische balans nauwkeurig in te kunnen stellen is in de kamer van een 3 dergelijke XUV-stralingsbron bij voorkeur voorts waterstofgas (H2) opgenomen.
Waterstofgas biedt het voordeel dat dit onder inwerking van XUV-straling dissocieert volgens de reactievergelijking: 5 e + H2 —* 2H + e waarbij reactieve waterstofradicalen worden gevormd die zich direct aan het oppervlak van de collector kunnen hechten, of die door een reactie met de eerste verbinding een reactief radicaal vormt dat zich aan het oppervlak van de collector 10 kan binden.
Ook is het mogelijk dat het waterstofgas dissociatief wordt geïoniseerd, en aldus de ontlading in het secundaire plasma in stand helpt houden, volgens de reactievergelijking: e + H2 - H2+ + e 15 De eerste Si-verbinding is bijvoorbeeld een silaan (SinH2n+2)/ waarbij n een geheel getal kleiner of gelijk aan 6 is.
Silenen vertonen in een plasma dissociatie, waarbij reactieve radicalen worden gevormd, die zich aan het 20 oppervlak van de collector kunnen binden. Deze dissociaties verlopen bijvoorbeeld volgens een van de onderstaande reactievergelij kingen: e + SiH4 - SiH2 + 2H + e (83%) - SiH3 + H + e (17%) 25 e + Si2H6 —* SiH3 + SiH2 + H + e
Silanen, bijvoorbeeld SiH4, vertonen in een plasma voorts dissociatieve hechting, onder vorming van negatieve ionen, volgens de reactievergelijking:
e + SiH4 - SiH3' + H
30 Voorts leveren silanen door middel van dissociatieve ionisatie een bijdrage aan de instandhouding van een secundair plasma, bijvoorbeeld volgens een van de onderstaande reactievergelijkingen: e + SiH4 - SiH2+ + 2H + 2e 35 e + Si2H6 -» Si2H4+ + 2H + 2e
Silanen in een stralingsbron volgens de uivinding zijn voorts onderhevig aan recombinaties, die leiden tot verlies 4 van negatieve ionen, bijvoorbeeld volgens een van de onderstaande reactievergelijkingen:
SiH2+ + S1H3 -* SiH2 + S1H3 Si2H4+ + S1H3’ - SiH3 + 2SiH2 5 H2+ + SiH3' - H2 + SiH3
Voorts treden neutraal-neutrale recombinaties op, bijvoorbeeld volgens een van de onderstaande reactievergelij kingen:
SinH2r.+2 + H -+ SinH2ni-i + H2 I0 SinH2n+2 + SiH2-> Si n+lh2n+4 H + Si2H6 -♦ S1H3 + SiH4 H2+ SïH2 SiH4 SiH3 + SiH3 - SiH4 + SiH2 Si2H5 + Si2H5 -► S14H10 15 In een alternatieve uitvoeringsvorm is de eerste Si- verbinding een alkyltriethoxysilaan, waarvan de alkylgroep al dan niet een gesubstitueerde alkylgroep is.
De eerste Si-verbinding in deze laatste uitvoeringsvorm is bijvoorbeeld (1H,1H,2H,2H-perfluorodecyl)-triethoxysilaan 20 (CF3- (CF2) 7- (CH2) 2-Si (OC2H5) 3) .
Gevonden is dat een (gesubstitueerd) alkyltriethoxysilaan in het bijzonder geschikt is de absorptie van watermoleculen aan de Si-toplaag van een spiegel met een meerlagenstructuur tegen te gaan, volgens een 25 reactiemechanisme waarbij de eerste Si-verbinding reageert met water, waarbij de ethoxygroepen onder afscheiding van ethanol worden vervangen door hydroxylgroepen, welke hydroxylgroepen vervolgens reageren met aan de Si-toplaag gebonden hydroxylgroepen, onder afscheiding van water. De 30 aldus gevormde aan de Si-toplaag gehechte tweede Si- verbinding vormt een zelf-geassembleerde monolaagfilm (SAM-film) op de toplaag van de meerlagenspiegel, die aldus het Si van de toplaag dat door sputteren is verdwenen vervangt.
In een XUV-stralingsbron volgens de uitvinding, waarbij 35 de collector een spiegel met een meerlagenstructuur is en tenminste een silicium (Si)-houdende toplaag omvat, omvat de meerlagenstructuur bijvoorbeeld een stapeling van molybdeen 5 (Mo)-films, gescheiden door dunne lagen silicium (Si).
In een uitvoeringsvorm van een XUV-stralingsbron volgens de uitvinding, waarbij de collector een spiegel met een meerlagenstructuur is en tenminste een koolstof (C)-5 houdende toplaag omvat, is de eerste verbinding een eerste C-verbinding die in een evenwichtsreactie met het C in de toplaag reageert tot een aan die toplaag gebonden tweede C-verbinding.
De eerste C-verbinding is bijvoorbeeld een 10 koolwaterstof (CH)-verbinding.
In een uitvoeringsvorm van een XUV-stralingsbron volgens de uitvinding, waarbij de collector een samenstel van gebogen spiegels van een metaal (Mt) omvat, is de eerste verbinding een eerste Mt-verbinding die in een 15 evenwichtsreactie met het metaal van de spiegels reageert tot een aan het oppervlak van de spiegels gebonden tweede Mt-verbinding .
Het metaal (Mt) is bijvoorbeeld geselecteerd uit de groep die ruthenium (Ru), rhodium (Rh) en palladium (Pd) omvat.
20 De uitvinding zal in het nu volgende worden toegelicht aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld, onder verwijzing naar de tekening.
In de tekeningen toont Fig. 1 een schematische afbeelding van een XUV-stralingsbron met een collector volgens de 25 uitvinding.
Fig. 1 toont een stralingsbron 1 met een primair plasms (niet getoond) voor het genereren van XUV-straling (voorgesteld door de drie pijlen 4), een collector 7 die wordt gevormd door een meerlagenstructuur met een toplaag 6 30 van Si en een secundair plasma 2, dat is samengesteld uit ionen en radicalen van silanen en waterstof (afkomstig van een eerste Si-verbinding en voorgesteld door deeltjes 3). Het secundaire plasma 2 levert een continue flux 5 van deeltjes die invallen op het oppervlak 6 van de collector 7. Van de 35 invallende flux 5 wordt een fractie r, voorgesteld door pijl 8, aan het oppervlak 6 gereflecteerd, een fractie β van de invallende flux 5 reageert aan het oppervlak 6, waarbij een 6 deel γ, voorgesteld door pijl 9, een recombinatiereactie ondergaat en een deel s, voorgesteld door pijl 10, onder vorming van een tweede Si-verbinding zich aan het oppervlak 6 van de collector 7 hecht, een en ander volgens de 5 vergelijkingen r = 1 - β en β = γ + s
Opgemerkt zij dat in figuur 1 een schematische 10 voorstelling is die is beperkt tot uitvoeringsvormen waarin de collector een Si-houdende toplaag heeft en de eerste verbinding een Si-verbinding is. In uitvoeringsvormen waarin de collector een toplaag van C of een metaal heeft, is het secundaire plasma samengesteld uit ionen en radicalen van C-15 verbindingen respectievelijk uit metaalverbindingen van het met het metaal van de toplaag corresponderende metaal.
Claims (12)
1. Stralingsbron voor elektromagnetische straling (4) met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied, in het bijzonder met een golflengte in het golflengtegebied tussen 10 nm en 15 nm, tenminste omvattend 5 een kamer voor het daarin opnemen van een XUV-straling genererend plasma (1) en een collector (7) voor het bundelen en uit de kamer doen treden van door het plasma (1) gegenereerde XUV-straling, met het kenmerk, dat in de kamer een eerste verbinding (2) is opgenomen die in een 10 evenwichtsreactie reageert met het materiaal van het oppervlak (6) van de collector (7) tot een aan dat oppervlak (6) gebonden tweede verbinding.
2. Stralingsbron volgens conclusie 1, waarbij de collector (7) een spiegel met een meerlagenstructuur is en 15 tenminste een silicium (Si)-houdende toplaag (6) omvat, met het kenmerk, dat de eerste verbinding (2) een eerste Si-verbinding is die in een evenwichtsreactie met het Si in de toplaag (6) reageert tot een aan die toplaag (6) gebonden tweede Si-verbinding.
3. Stralingsbron volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat in de kamer voorts waterstofgas (H2) is opgenomen.
4. Stralingsbron volgens een der conclusies 2-3, met het kenmerk, dat de eerste Si-verbinding een silaan (SinH2n+2) is, waarbij n^6.
5. Stralingsbron volgens een der conclusies 2-3, met het kenmerk, dat de eerste Si-verbinding een alkyltriethoxysilaan is.
6. Stralingsbron volgens een der conclusies 2-3, met het kenmerk, dat de eerste Si-verbinding een 30 alkyltriethoxysilaan is waarvan de alkylgroep een gesubstitueerde alkylgroep is.
7. Stralingsbron volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de eerste Si-verbinding (1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl)-triethoxysilaan (CF3- (CF2) 7- (CH2) 2-Si (OC2H5) 3) is. 1032674
8. Stralingsbron volgens een der conclusies 2-7, met het kenmerk, dat de meerlagenstructuur een stapeling van molybdeen (Mo)-films, gescheiden door dunne lagen silicium (Si) omvat.
9. Stralingsbron volgens conclusie 1, waarbij de collector een spiegel met een meerlagenstructuur is en tenminste een koolstof (C)-houdende toplaag omvat, met het kenmerk, dat de eerste verbinding een eerste C-verbinding is die in een evenwichtsreactie met het C in de toplaag reageert 10 tot een aan die toplaag gebonden tweede C-verbinding.
10. Stralingsbron volgens conclusie 9, , met het kenmerk, dat de eerste C-verbinding een koolwaterstof (CH)-verbinding is.
11. Stralingsbron volgens conclusie 1, waarbij de 15 collector een samenstel van gebogen spiegels van een metaal (Mt) omvat, met het kenmerk, dat de eerste verbinding een eerste Mt-verbinding is die in een evenwichtsreactie met het metaal van de spiegels reageert tot een aan het oppervlak van de spiegels gebonden tweede Mt-verbinding.
12. Stralingsbron volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat het metaal (Mt) is geselecteerd uit de groep die ruthenium (Ru), rhodium (Rh) en palladium (Pd) omvat. 1032674
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1032674A NL1032674C2 (nl) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | Stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied. |
| US12/444,994 US20100171050A1 (en) | 2006-10-13 | 2007-10-11 | Method for regenerating a surface of an optical element in an xuv radiation source, and xuv radiation source |
| PCT/NL2007/000258 WO2008044921A1 (en) | 2006-10-13 | 2007-10-11 | Method for regenerating a surface of an optical element in an xuv radiation source and xuv radiation source |
| EP07834574A EP2074634A1 (en) | 2006-10-13 | 2007-10-11 | Method for regenerating a surface of an optical element in an xuv radiation source and xuv radiation source |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1032674A NL1032674C2 (nl) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | Stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied. |
| NL1032674 | 2006-10-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1032674C2 true NL1032674C2 (nl) | 2008-04-15 |
Family
ID=38009236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1032674A NL1032674C2 (nl) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | Stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100171050A1 (nl) |
| EP (1) | EP2074634A1 (nl) |
| NL (1) | NL1032674C2 (nl) |
| WO (1) | WO2008044921A1 (nl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8791440B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Target for extreme ultraviolet light source |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004104707A2 (de) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1007851A3 (nl) * | 1993-12-03 | 1995-11-07 | Asml Lithography B V | Belichtingseenheid met een voorziening tegen vervuiling van optische componenten en een fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijke belichtingseenheid. |
| US7098149B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
| US7196342B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
| US7567379B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-07-28 | Intel Corporation | Technique to prevent tin contamination of mirrors and electrodes in an EUV lithography system |
| US7355191B2 (en) * | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
| JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
| US7868304B2 (en) * | 2005-02-07 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7149032B2 (en) * | 2005-03-29 | 2006-12-12 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Anti-glare film |
| US7365349B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | EUV light source collector lifetime improvements |
| US7372058B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Ex-situ removal of deposition on an optical element |
| US7504643B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-03-17 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
| US7518128B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned |
| JP2009292939A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Seiko Epson Corp | 放射線硬化型インク組成物、記録方法、記録物、インクセット、インクジェット記録用インクカートリッジ、インクジェット記録装置、放射線検知方法、および管理方法 |
-
2006
- 2006-10-13 NL NL1032674A patent/NL1032674C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-10-11 WO PCT/NL2007/000258 patent/WO2008044921A1/en active Application Filing
- 2007-10-11 EP EP07834574A patent/EP2074634A1/en not_active Withdrawn
- 2007-10-11 US US12/444,994 patent/US20100171050A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004104707A2 (de) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JURCZYK B E ET AL: "The effect of debris on collector optics, its mitigation and repair: next-step a gaseous sn EUV DPP source", PROCEEDINGS OF THE SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING SPIE-INT. SOC. OPT. ENG USA, vol. 5751, no. 1, 2005, pages 591 - 596, XP002434766, ISSN: 0277-786X * |
| KLUNDER D J W ET AL: "Debris mitigation and cleaning strategies for Sn-based sources for EUV lithography", PROCEEDINGS OF THE SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING SPIE-INT. SOC. OPT. ENG USA, vol. 5751, no. 1, 2005, pages 962 - 970, XP002434765, ISSN: 0277-786X * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2074634A1 (en) | 2009-07-01 |
| US20100171050A1 (en) | 2010-07-08 |
| WO2008044921A1 (en) | 2008-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6784757B2 (ja) | リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 | |
| JP2018531426A6 (ja) | リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 | |
| EP1796851B1 (en) | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids | |
| EP1835345A2 (en) | Photosensitive silane coupling agent, method of modifying surface, method of forming pattern, and method of fabricating device | |
| EP3097441A2 (en) | Lamination transfer films for forming antireflective structures | |
| US9802968B2 (en) | Branched siloxanes and methods for synthesis | |
| KR101635722B1 (ko) | 수지 조성물 및 그의 경화물 | |
| CN101038436A (zh) | 光敏硅烷偶联剂、图案的形成方法以及元件的制造方法 | |
| US9007560B2 (en) | Radiation source | |
| NL1032674C2 (nl) | Stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied. | |
| KR20110026497A (ko) | 리소그래피 장치의 피복되지 않은 다층 미러 상의 침적물을 제거하는 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP5861376B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、及びガスバリア性フィルムを有する電子デバイス | |
| KR102383361B1 (ko) | 임프린트용 경화성 조성물, 경화물, 패턴 제조 방법, 리소그래피 방법, 패턴, 및 임프린트용 중합성 조성물 | |
| KR20230034347A (ko) | 유전체 막 형성 조성물 | |
| TW202206940A (zh) | 防護膜、曝光原版、曝光裝置、防護膜的製造方法及半導體裝置的製造方法 | |
| TW201104919A (en) | Method of deposition of chemical compound semiconductor and device | |
| US20230408904A1 (en) | Pellicle membrane and method of forming the same | |
| NL1034039C2 (nl) | Werkwijze voor het beschermen van een optisch element in een stralingsbron voor elektromagnetische straling met een golflengte in het extreem ultraviolet (XUV) golflengtegebied en stralingsbron. | |
| JPS60211076A (ja) | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 | |
| KR20170141060A (ko) | 그래핀의 제조장치 및 제조방법 | |
| CN102621821A (zh) | 一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置及方法 | |
| JPH03101818A (ja) | 気体分離膜 | |
| Tagaya et al. | Printing of Au nanoparticles by Vuv-exposed patterned surfaces of a poly (dimethylsiloxane) film | |
| JP2023546954A (ja) | 誘電体膜形成組成物 | |
| Yoshioka et al. | Film structure dependence of electrical properties of microcrystalline silicon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20130501 |