JP6374958B2 - Euv光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置 - Google Patents
Euv光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6374958B2 JP6374958B2 JP2016522368A JP2016522368A JP6374958B2 JP 6374958 B2 JP6374958 B2 JP 6374958B2 JP 2016522368 A JP2016522368 A JP 2016522368A JP 2016522368 A JP2016522368 A JP 2016522368A JP 6374958 B2 JP6374958 B2 JP 6374958B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- radiation source
- heating
- fuel
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 147
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 58
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 31
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019506 cigar Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
[0001] 本願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、2013年6月28日出願の米国仮特許出願第61/840,878号の利益を主張する。
パターンプリンティングの限界は、式(1)に示す解像度についてのレイリー基準によって、理論的に推測することができる:
上の式で、λは、使用される放射の波長であり、NAは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、k1は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調節係数であり、CDは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ(又はクリティカルディメンジョン)である。式(1)から、フィーチャの最小印刷可能サイズは、露光波長λを短くすること、開口数NAを大きくすること、又は、k1の値を小さくすること、の3つの方法によって小さくすることができると言える。
本発明の第1態様では、燃料をプラズマへと励起することにより放射ビームを生成するように構成された放射源装置であって、放射レーザビームが燃料に接触してプラズマを形成する位置に位置付けられるプラズマ形成部位と、プラズマの形成に伴って生成された燃料デブリを捕捉するための受け面を有する受け構造と、燃料デブリが表面に沿って装置の別の部分へと流れることができるように、燃料デブリを液化するのに十分な温度まで受け構造の1つ以上の受け面を加熱するための加熱構成と、を備え、加熱構成は、受け面を加熱するためのヒータ要素を備え、ヒータ要素の一部分は、ヒータ要素を加熱制御するための調節可能な長さを有する、放射源装置が提供される。
‐放射ビームB(例えば、EUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
‐パターニングデバイス(例えば、マスク又はレチクル)MAを支持するように構築され、かつ、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
‐基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、かつ、基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
‐パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、反射型投影システム)PSと、を備える。
Claims (20)
- プラズマへの燃料の励起により放射ビームを生成する放射源装置であって、
放射レーザビームが燃料に接触してプラズマを形成する位置に配置されるプラズマ形成部位と、
前記プラズマの前記形成に伴って生成される燃料デブリを捕捉するための受け面を有する受け構造と、
前記燃料デブリが前記面に沿って前記装置の別の部分に流れることができるように、前記燃料デブリを液化するために十分な温度まで前記受け構造の1以上の前記受け面を加熱するための加熱構成であって、前記加熱構成は、前記受け面を加熱するためのヒータ要素を備え、前記ヒータ要素の一部は、前記ヒータ要素を加熱制御するための調節可能な長さを有する、加熱構成と、を備える放射源装置。 - 前記ヒータ要素の前記一部はバネ状の形状を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記受け構造は、複数の局所構造要素を備え、各局所構造要素には、前記ヒータ要素を挿入可能に構築された少なくとも1つの開口部が設けられる、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記局所構造要素のうちの少なくともいくつかは、実質的に互いに平行かつ前記放射ビームの方向に対して斜めの角度で延在する細長い羽根を備える、請求項3に記載の装置。
- 前記受け構造は、前記放射ビームのパスを囲む実質的に円筒状又は円錐台形の構造を備え、複数の局所構造要素によって裏張りされており、各要素には、前記羽根を加熱するための1以上のヒータ要素が設けられる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記局所構造要素の外周部は、前記燃料をはじく特性を有する材料から形成される、又は、当該材料により被覆される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記受け構造は前記放射源装置の壁に連結され、前記受け構造の前記受け面は、前記放射源の前記壁から前記放射源のコレクタ上に散乱又は飛散するデブリ粒子の量を減少させるように構成される、請求項1〜6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記受け構造は、前記コレクタによって形成されるEUV放射円錐の外側境界の外側に設けられる、請求項7に記載の装置。
- 前記ヒータ要素は、
搬送コアを囲むシース材と、
前記シース材に巻き付けられかつ連結される電線と、を備えるヒータロッドである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。 - 前記電線は、前記燃料デブリが前記面に沿って前記装置の別の部分に流れることができるように前記燃料デブリを液化させるのに十分な温度レベルのために有効なワイヤ長を確実にするピッチで前記シース材に巻き付けられた抵抗ワイヤである、請求項9に記載の装置。
- 前記シース材には、前記ピッチに追従する溝が設けられ、前記抵抗ワイヤは、前記溝に連結される、請求項10に記載の装置。
- 前記巻き付けられた抵抗ワイヤの対応箇所の間の前記シース材には1つ以上の切り込みが設けられる、請求項10又は11に記載の装置。
- 前記切込みは、前記シース材の全長に沿って設けられ、前記ヒータ要素の軸方向に沿って調節可能なシース長さを提供する、請求項12に記載の装置。
- 前記ピッチは、前記受け面の局所的な温度変化を補償するように、前記ヒータ要素の前記長さに沿って調整される、請求項9〜13のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱構成は、前記面を、250℃〜500℃の範囲の温度で加熱する、請求項1〜14のいずれか1項に記載の装置。
- 前記燃料は、レーザ放射により励起され、前記EUV放射ビームを生成する、請求項1〜15のいずれか1項に記載の放射源装置。
- EUV放射ビームを生成する請求項1〜16のいずれか1項に記載の放射源と、前記ビームを受け、前記ビームを使用してパターニングデバイスから基板にパターンを転写するEUV光学システムと、を備えるリソグラフィ装置。
- EUV放射ビームを生成する請求項1〜17のいずれか1項に記載の放射源と、前記ビームを受け、調整して、ターゲット部分へ送るように構成されたEUV光学システムと、を備える光学装置。
- 極端紫外線放射を生成する方法であって、
燃料を放射ビームに接触させることにより、プラズマ形成部位にプラズマを形成することと、
前記プラズマの前記形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉する受け面を有する受け構造を提供することと、
前記受け構造の開口部内に挿入された加熱要素により前記受け面を加熱することと、を含む、方法。 - 前記受け面によって捕捉されたデブリを溶融するのに十分な温度まで前記受け面を加熱することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361840878P | 2013-06-28 | 2013-06-28 | |
US61/840,878 | 2013-06-28 | ||
PCT/EP2014/061710 WO2014206706A1 (en) | 2013-06-28 | 2014-06-05 | Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a radiation source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016528530A JP2016528530A (ja) | 2016-09-15 |
JP6374958B2 true JP6374958B2 (ja) | 2018-08-15 |
Family
ID=50897608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016522368A Active JP6374958B2 (ja) | 2013-06-28 | 2014-06-05 | Euv光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9753372B2 (ja) |
JP (1) | JP6374958B2 (ja) |
NL (1) | NL2012954A (ja) |
WO (1) | WO2014206706A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6940529B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2021-09-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | デブリ低減システム、放射源及びリソグラフィ装置 |
US10678138B2 (en) * | 2018-07-31 | 2020-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) radiation source and a method for generating extreme ultraviolet radiation |
US10791616B1 (en) * | 2019-03-27 | 2020-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Radiation source apparatus |
KR20210023535A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 타겟 잔해물 수집 장치 및 이를 포함하는 극자외선 광원 장치 |
US12007694B2 (en) | 2021-10-21 | 2024-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography apparatus and method |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49303B1 (ja) * | 1969-07-24 | 1974-01-07 | ||
GB1431386A (en) | 1972-07-15 | 1976-04-07 | Eichenauer Fritz | Method of producing electrical resistance heating elements |
US3813771A (en) | 1973-07-02 | 1974-06-04 | Gen Electric | Method of producing electrical resistance heaters, and the improved heater products |
JPH091610A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | トランスファ成形金型の加熱ヒータ |
JP3791822B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2006-06-28 | 株式会社八光電機製作所 | ヒーター装置 |
US7671349B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP3098291U (ja) * | 2003-06-03 | 2004-02-26 | 東リツ株式会社 | フレキシブルシーズヒータ |
US7098994B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-08-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7868304B2 (en) * | 2005-02-07 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US20070115443A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
EP2157481A3 (en) | 2008-08-14 | 2012-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
KR101652364B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2016-09-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 |
EP2170021B1 (en) * | 2008-09-25 | 2015-11-04 | ASML Netherlands B.V. | Source module, radiation source and lithographic apparatus |
JP5705592B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-04-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
EP2701460B1 (en) | 2011-04-20 | 2015-09-16 | UBE Industries, Ltd. | Spiral tube-like heater |
WO2013068197A1 (en) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Particle trap for euv source |
WO2013160083A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Contamination trap for a lithographic apparatus |
-
2014
- 2014-06-05 JP JP2016522368A patent/JP6374958B2/ja active Active
- 2014-06-05 US US14/899,196 patent/US9753372B2/en active Active
- 2014-06-05 NL NL2012954A patent/NL2012954A/en not_active Application Discontinuation
- 2014-06-05 WO PCT/EP2014/061710 patent/WO2014206706A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016528530A (ja) | 2016-09-15 |
WO2014206706A1 (en) | 2014-12-31 |
US20160147160A1 (en) | 2016-05-26 |
US9753372B2 (en) | 2017-09-05 |
NL2012954A (en) | 2015-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6374958B2 (ja) | Euv光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置 | |
US7355191B2 (en) | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source | |
JP6487519B2 (ja) | リソグラフィ装置用の汚染トラップ | |
US11829082B2 (en) | Radiation source for lithography process | |
US7641349B1 (en) | Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer | |
CN107885044B (zh) | 光刻设备及器件制造方法 | |
US20160252821A1 (en) | Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR20150008124A (ko) | 정전기 클램프, 리소그래피 장치 및 방법 | |
JP4917670B2 (ja) | 放射発生デバイス、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびその方法により製造されたデバイス | |
US8198612B2 (en) | Systems and methods for heating an EUV collector mirror | |
US20160041374A1 (en) | Radiation Collector, Radiation Source and Lithographic Apparatus | |
US8319200B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20120006258A1 (en) | Hydrogen radical generator | |
WO2014121873A1 (en) | Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a power source | |
JP6395832B2 (ja) | 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置 | |
JP2017520010A (ja) | クリーニング装置及び関連する低圧チャンバ装置 | |
WO2013068197A1 (en) | Particle trap for euv source | |
NL2011763A (en) | Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a power source. | |
NL2009622A (en) | Particle trap for euv source. | |
NL2011773A (en) | Component for a radiation source, associated radiation source and lithographic apparatus. | |
NL2010575A (en) | Contamination trap for a lithographic apparatus. | |
JP2014533420A (ja) | 放射源デバイス、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6374958 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |