JP2018500596A - パターニングデバイス環境を有するリソグラフィ装置 - Google Patents

パターニングデバイス環境を有するリソグラフィ装置 Download PDF

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Abstract

リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（ＭＡ）とパターニングデバイスマスキングブレイド（ＲＥＢ−Ｘ、Ｙ）との間にガスを注入して、パターニングデバイスを汚染から保護するのを助ける。ガスは、パターニングデバイスの少なくとも一方の側部に配置された１つ又は複数のガス供給ノズル（２００）によって、パターニングデバイスとパターニングデバイスブレイドとの間に規定された空間内に注入されてよい。この１つ又は複数のガス供給ノズルは、パターニングデバイスサポート構造（ＭＴ）がそれに対して移動するフレームに結合される。各ノズルは、少なくとも反射型パターニングデバイスのパターニング領域にわたってガスを供給するように構築及び配置されてよい。【選択図】図４

Description

[関連出願の相互参照]
[0001] 本開示は、２０１４年１２月３１日に出願された米国第６２／０９８，７７７号の優先権を主張し、その全体を参照により本明細書に組み込む。
[0002] 本開示は、リソグラフィ装置に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。
[0004] パターン印刷の限界の理論的推定値は、等式（１）に示す解像度に関するレイリー基準によって与えられる。

ただし、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数、ＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンジョン）である。等式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、次の３つの方法、すなわち、露光波長λを短縮すること、開口数ＮＡを増大させること、又はｋ１の値を低下させることによって得られることが分かる。
[0005] 露光波長を短縮して、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源の使用が提案されてきた。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。想定される放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リング(Electron Storage Ring)によって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成されることができる。ＥＵＶ放射を生成するように構成された放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するためのレーザ、及びそのプラズマを封じ込めるためのソースコレクタモジュールを含んでよい。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の小滴などの燃料、あるいはＸｅガス又はＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気の流れに対して、レーザビームを誘導することによって作り出すことができる。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この放射は放射コレクタを使用して収集される。放射コレクタはミラー法線入射放射コレクタであってよく、これは放射を受けて、放射をビームへと集束させる。ソースコレクタモジュールは、真空環境を提供してプラズマをサポートするように配置された密閉構造又はチャンバを含んでよい。そのような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
[0007] ＥＵＶリソグラフィ装置における課題の１つは、パターニングデバイス（例えば、レチクル／マスク）の汚染である。ＥＵＶリソグラフィ装置において、パージガスがパターニングデバイスに向かって高速で流れることがあり、マイクロメータサイズまでの分子及び粒子を運ぶことがある。透明膜のペリクルを設けてパターニングデバイスを保護することもできるが、これには、ペリクルのＥＵＶ吸収性が比較的高いという短所がある。パターニングデバイスの分子汚染には、水素ラジカルを用いた洗浄プロセスによって対処することができる。しかしながら、このプロセスは粒子汚染には対処し得ず、またそもそも汚染防止のためには役立たない。投影光学部品及び照明光学部品の分子汚染は、それらの光学部品の真空環境を清浄な水素ガスでパージすることによって、防止又は低減することができる。その結果、通常、パターニングデバイスに向かう光路に沿った水素ガス流が生じる。この流れは、後にパターニングデバイスを汚染する可能性のある粒子を運ぶおそれがある。別の技術は、熱泳動を介して発生したガス温度勾配によって誘起される抗力を用いるものであり得るが、この技術ではパターニングデバイスを加熱しなければならないため、あまり望ましくない。一般に、既存の技術では、パターニングデバイスブレイド、及びガス注入箇所とパターニングデバイスの間に配置されたその他のコンポーネントからの粒子汚染の可能性を、効果的にも完全にも除去することができず、温度勾配に起因するパターニングデバイスの変形やＥＵＶ放射強度を擾乱するガス変動といった、他の問題を誘起するおそれがある。
[0008] ＥＵＶ光学システムにおいて使用される１つ又は複数のミラーには、例えば、様々な構築材料及び基板フォトレジストのガス放出による汚染に起因する曝露に起因して、伝送損失を招くリスクがある。このリスクの軽減に役立てるために、低いレベルのガス流を用いて光学システムの１つ又は複数の部品をパージすることがある。このガス流は、光学システム（例えば、投影光学部品及び／又はイルミネータ）からパターニングデバイスステージへと粒子を運び、それらをパターニングデバイス上に堆積させる。ガス流をもたらすイルミネータトップスリーブ（ＩＴＳ）を一部の機械に導入して、光学システム内の汚染減少に役立てることができる。ＩＴＳは、投影光学システムからのパターニングデバイスへの粒子の移動を減少させることができるが、照度均一性補正モジュール（ＵＮＩＣＯＭ）、１つ又は複数のパターニングデバイスブレイド（ＲＥＭＡ）、及び／又は、１つ又は複数の周囲構造からの、パターニングデバイスへの粒子の移動を増加させる。
[0009] 本開示の一態様によれば、反射型パターニングデバイスを支持するように構築及び配置されたサポート構造を含むリソグラフィ装置が提供される。この反射型パターニングデバイスは、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成される。この装置はまた、反射型パターニングデバイスによって反射されたパターン付与された放射ビームを受けるように構築及び配置され、かつこのパターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、フレームであって、サポート構造がこのフレームに対して移動可能である、フレームと、このフレームに結合されたガス供給ノズルであって、このガス供給ノズルからガスを供給するように構築及び配置されたガス供給ノズルと、を含む。このガス供給ノズルは、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の側部からガスを供給するように配置される。
[0010] 本開示の別の態様によれば、サポート構造で反射型パターニングデバイスを支持することであって、この反射型パターニングデバイスが、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成される、支持することと、反射型パターニングデバイスで照明ビームにパターンを付与することと、投影システムで、反射型パターニングデバイスから基板上に、パターン付与された放射ビームを投影することと、フレームに結合されたガス供給ノズルを介してガスを供給することであって、サポート構造がフレームに対して移動可能である、供給することと、を含む方法が提供される。ガスは、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の側部からのガス供給ノズルから供給される。
[0011] 本開示の別の態様によれば、反射型パターニングデバイスを支持するように構築及び配置されたサポート構造を含むリソグラフィ装置が提供される。この反射型パターニングデバイスは、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成される。この装置はまた、反射型パターニングデバイスによって反射されたパターン付与された放射ビームを受けるように構築及び配置され、かつこのパターン付与されたビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、フレームであって、サポート構造がこのフレームに対して移動可能である、フレームと、このフレームに結合された複数のガス供給ノズルであって、これらのガス供給ノズルからガスを供給するように構築及び配置された複数のガス供給ノズルと、を含む。これらの複数のガス供給ノズルは、複数のガス供給ノズルのうちの少なくとも１つが反射型パターニングデバイスのパターニング領域の一方の側部にあり、複数のガス供給ノズルのうちの別の少なくとも１つがパターニング領域の反対側の側部にあるように配置される。
[0012] 本開示の実施形態の特徴及び／又は利点、並びに、本開示の様々な実施形態の構造及び動作は、本明細書において添付の図面を参照して詳細に説明される。なお、本開示は、本明細書において説明する特定の実施形態に限定されない。そのような実施形態は、本明細書において単なる例示の目的で提示される。追加の実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて、当業者に明らかになろう。
[0013] 本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。
[0014] 本開示の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0015] リソグラフィ装置のうち、特に圧力ゾーンを示す、一実施形態の概略図である。 [0016] 図２の実施形態の詳細を側面図で示す。 [0017] 図２の実施形態の詳細のさらなる側面図を示し、本開示の一実施形態によるパターニングデバイスアセンブリ、及び１つ又は複数のマスキングブレイドを側面図で示す。 [0018] 一実施形態によるパターニングデバイスアセンブリ、及び、１つ又は複数のガス供給ノズルを平面図で示す。 [0019] 一実施形態によるガス供給ノズルの、図５の線６−６に沿った断面図を示す。 [0020] 別の実施形態によるガス供給ノズルの、図５の線６−６に沿った代替的な断面図を示す。 [0021] 一実施形態によるガス供給ノズルの上面図を示す。 [0021] 一実施形態によるガス供給ノズルの側面図を示す。 [0022] 図１１の線１０−１０に沿った、図８のガス供給ノズルのノズルチップの断面図を示す。 [0023] 図８のガス供給ノズルのノズルチップの斜視図を示す。 [0024] 図８のガス供給ノズルのノズルチップの部品の分解組立図を示す。 [0025] 組み立てられたときの、図１２の部品の組み合わせ図を示す。 [0026] 一実施形態による、図１のタイプのリソグラフィ装置におけるガス供給ノズル及びパターニングデバイスアセンブリの仰観図を示す。 [0027] 図５及び１４に示すガス供給ノズルからの出口ガスのガスフロー図を示す。
[0028] 本開示の特徴及び利点は、これらの図面と併せて以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同じ参照記号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面において、同じ参照番号は、基本的に、同一の、機能的に同様な、及び／又は、構造的に同様な要素を示す。
[0029] 本明細書は、本開示の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は本開示を例示するに過ぎない。本開示の範囲は開示される実施形態に限定されない。
[0030] 説明される（１つ以上の）実施形態、及び、明細書中の「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造、又は特性を他の１つ以上の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。
[0031] 実施形態をより詳細に説明する前に、本開示の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。
[0032] 図１に、本開示の一実施形態によるソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＰＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、反射型パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築及び配置され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を備える。図１には、床面に取り付けることができる下部架台ＢＦも示されている。この下部架台ＢＦによって、ポジショナＰＭ及び／又はＰＷを支持することができる。
[0033] 照明システムとしては、放射を誘導するか、整形するか、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0034] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを受け、かつ保持するための部分を備える。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
[0035] 「パターニングデバイス」又は「反射型パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビーム又は照明ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してよい。
[0036] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベゼンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0037] 投影システムとしては、照明システムと同様、使われている露光放射にとって、又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、及び静電型、又は他の型の光学要素、あるいはそれらのあらゆる組み合わせなどの、種々の型の光学コンポーネントを含むことができる。他のガスは過剰に放射を吸収する可能性があることから、ＥＵＶ放射に対しては真空を用いることが望ましい場合がある。従って、真空容器及び真空ポンプを利用して、ビームパス全体に真空環境を提供してよい。
[0038] 本明細書に示されている通り、リソグラフィ装置は、例えば、イルミネータＩＬ及び投影システムＰＳにおいて反射マスク及び反射光学部品を採用する、反射型のものであってよい。
[0039] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上のテーブル（例えば、２つ以上の基板テーブル、２つ以上のパターニングデバイステーブル、基板テーブル及び測定テーブル等）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0040] 図１を参照すると、一実施形態では、イルミネータＩＬは、ＥＵＶ源ＳＯからＥＵＶ放射ビームを受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法としては、必ずしもこれに限定されるものではないが、少なくとも１つの化学元素、例えばキセノン、リチウム、又はスズを有する材料を、１つ又は複数のＥＵＶ範囲内の輝線を有するプラズマ状態へと変換することが含まれる。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるそのような１つの方法においては、必要な線発光元素を有する材料の小滴などの燃料をレーザビームで照射することによって、プラズマを生成することができる。ＥＵＶ源ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するように構成されたレーザを含む、ＥＵＶ放射源（図１には示さず）の一部であってよい。結果として生じるプラズマは、出力放射、すなわちＥＵＶ放射を放出し、この放射はＥＵＶ源内に配置された放射コレクタを用いて収集される。
[0041] 例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起用のレーザビームを提供する場合、レーザとＥＵＶ源は別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射ビームは、レーザからＥＵＶ源へ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。レーザ及び燃料供給源は、ＥＵＶ放射源を備えるとみなすことができる。
[0042] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
[0043] 放射ビームＰＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル又はレチクルステージ）ＭＴ上に保持されている反射型パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡは、干渉計ＩＦ１などの第１位置決めデバイス及びパターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２を用いて位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＰＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。干渉計ＩＦ２などの第２位置決めデバイス及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサを用いて）、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＰＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。
[0044] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0045] １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル又はレチクルステージ）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
[0046] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
[0047] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0048] 図２に、本開示の一実施形態による装置を概略的に示す。図２の装置は、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを含む第１のチャンバ１０１を含む。照明システムＩＬは、放射源ＳＯから受けた放射ビームを調節するように構成され、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分上にパターン付与された放射ビームＰＢを投影するように構成される。第１のチャンバ１０１は、パターニングデバイスＭＡを支持するように構築されたパターニングデバイスサポートも含み、パターニングデバイスＭＡは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成することができる。第２のチャンバ１０２は基板テーブルを含むが、分かり易くするために、基板テーブルのうち基板Ｗのみを示す。
[0049] 図２に、装置をどのように４つの異なる真空環境ＶＥ１からＶＥ４に分割することができるかを示す。第１のチャンバ１０１は、パターニングデバイスステージを密閉する第１の真空環境ＶＥ１を規定するが、分かり易くするために、パターニングデバイスステージのうちパターニングデバイスＭＡのみを示す。第１のチャンバ１０１は、２つのさらなる真空環境、すなわち、照明システムＩＬを収容するＶＥ２と、投影システムＰＳを収容するＶＥ３と、を規定する、分離構造１０３も含む。真空環境ＶＥ２及びＶＥ３はさらに分割され得る。分離構造１０３は、投影ビームＰＢを照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡへと通過させるための、またパターン付与された放射ビームをパターニングデバイスＭＡから投影システムＰＳへと通過させるための開口１０４を有するスリーブ１０５を含む。スリーブ１０５は、ガス流を下向きに（すなわち、パターニングデバイスから離れるように）押し流すように、また、概ね均一なガス流を維持してＥＵＶ放射強度の擾乱を回避するようにも機能する。スリーブは、パターニングデバイスＭＡに向かってテーパ付けされてよい可能性がある。第２のチャンバ１０２は、基板テーブル（分かり易くするために、基板テーブルのうち基板Ｗのみを示す）を含む真空環境ＶＥ４を規定する。真空環境ＶＥ１及びＶＥ２は、それぞれの真空容器並びに真空ポンプＶＰ１及びＶＰ２によって形成及び維持され、それらの真空ポンプは複数の真空ポンプであってもよい。
[0050] 図２に示すように、一実施形態において、真空ポンプＶＰ１は、真空環境ＶＥ１を真空環境ＶＥ２及びＶＥ３より低い圧力に維持する。清浄なガス（例えば、水素、ヘリウム、窒素、酸素、又はアルゴン）を、ガス注入器（図示せず）を使用して真空環境ＶＥ２及びＶＥ３内に注入することができる。真空ポンプＶＰ１及びＶＰ２自体は当業者に知られており、様々な形で装置に結合させることができる。
[0051] 分離構造１０３は、様々な形で配置することができ、例えば、パターニングデバイスＭＡに向かって延在するスリーブ１０５を含んでよく、このスリーブ１０５の端部には、パターニングデバイスＭＡに向かって延在する投影ビーム開口１０４が設けられる。この実施形態では、開口１０４を有するスリーブ１０５は、テーパ付けされた断面を有してよい。
[0052] 一実施形態では、装置は放射ビーム整形デバイスも含んでよい。一実施形態では、放射ビーム整形デバイスは、投影ビームＰＢの横方向寸法を制御するように構成された少なくとも１つのパターニングデバイスマスキングブレイドＲＥＢ（ＲＥＭＡ）を備える。一実施形態では、複数のマスキングブレイドが設けられ、各マスキングブレイドは照明ビームの経路内に設けられる。図４に示すように、複数のブレイドＲＥＢを設けてよく、それらは、使用中に、少なくとも部分的に反射型パターニングデバイスＭＡと分離構造１０３の開口１０４との間に延在してよい。各パターニングデバイスマスキングブレイドＲＥＢはパターニングデバイスＭＡから離間して、少なくとも１つのパターニングデバイスマスキングブレイドとパターニングデバイスＭＡとの間に空間を規定する。パターニングデバイスマスキングブレイドＲＥＢの前方（例えば、下方）に、例えば、図１５に示す照度均一性補正モジュール（ＵＮＩＣＯＭ）３０６があってよい。照度均一性補正モジュールは、センサ及び／又は照度均一性補正を容易にする１つ又は複数の要素を備えてよい。装置内にイルミネータトップスリーブ（ＩＴＳ）も含んで光学部品からパターニングデバイスへの粒子の移動を減少させることができ、これも図１５に示す。一実施形態によれば、ＵＮＩＣＯＭ３０６は、ブレイドＲＥＢの下方に位置決めされてよい。一実施形態では、ＩＴＳは、ＵＮＩＣＯＭ３０６及びブレイドＲＥＢの両方の下方に位置決めされる。
[0053] 図３に、反射型パターニングデバイスＭＡを保持するパターニングデバイステーブルＭＴ、並びにパターニングデバイスＭＡの近くに配置され、それぞれＸ方向及びＹ方向の投影ビームの形状を制御するブレイドＲＥＢ−Ｘ及びブレイドＲＥＢ−Ｙを概略的に示す。図示された実施形態では、ＹブレイドＲＥＢ−Ｙは、Ｚ方向から見た場合、ＸブレイドＲＥＢ−ＸよりもパターニングデバイスＭＡの近くに位置決めされているが、当然これらのブレイドはその逆に配置し得る。パターニングデバイスステージフレームＲＳ−ＭＦには、放射ビームをパターニングデバイスＭＡに到達させ、それによって反射させるための開口４が設けられる。一実施形態では、パターニングデバイスステージフレームＲＳ−ＭＦは、１つ又は複数のセンサを支持してよい。
[0054] ＸブレイドＲＥＢ−Ｘは、Ｚ方向で測定して、投影ビーム開口４から短い距離１０ａをとって配置される。この最後に言及した距離は、最長約５ｍｍであってよく、又は最長約２ｍｍであってよい。
[0055] また、ＹブレイドＲＥＢ−Ｙは、パターニングデバイスＭＡから短い距離１０ｂをとって配置される。この最後に言及した距離も、Ｚ方向で測定して、最長約５ｍｍであってよい。
[0056] ＸブレイドとＹブレイドの間の最短距離１０ｃは、Ｚ方向で測定したとき、約５ｍｍであってよい。
[0057] 図４及び図５に、それぞれ、パターニングデバイスアセンブリの概略側面図及び概略平面図をより詳細に示す。図４に示すように、一実施形態では、１つ又は複数のガス供給ノズル２００が、１つ又は複数のコネクタ２０１を介してガス供給源ＧＳに接続され、ガス供給源ＧＳから送られたガスを供給するように構築及び配置される。一実施形態では、複数のガスノズルが設けられる。ガスノズル２００のうちの少なくとも１つを、パターニングデバイスＭＡの一方の側部に配置してよい。一実施形態では、ガスノズル２００のうちの少なくとも１つがパターニングデバイスＭＡの一方の側部に配置され、ガスノズルのうちの別の少なくとも１つがパターニングデバイスＭＡの反対側の側部に配置される。すなわち、一実施形態では、ガス供給ノズル２００は、複数のガス供給ノズルのうちの少なくとも１つが反射型パターニングデバイスのパターニング領域の一方の側部にあり、複数のガス供給ノズルのうちの別の少なくとも１つがパターニング領域の反対側の側部にあるように配置される。ガス供給ノズル２００は、少なくとも１つのパターニングデバイスマスキングブレイドＲＥＢとパターニングデバイスの間の空間に、ガスを供給するように構成される。しかしながら、そのような構成における２つ（又はそれより多く）のガス供給ノズル２００の使用は、制限することを意図していないことが理解されるべきである。一実施形態によれば、単一のガス供給ノズルをパターニングデバイスアセンブリ及び／又はリソグラフィ装置と共に設けてよく、また、フレームに結合して、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の少なくとも一方の側部からガスを供給するように構築及び配置してよい。
[0058] 図４の例示的実施形態では、ガスノズル２００がパターニングデバイスＭＡの両側部に設けられ、パターニングデバイスＭＡの表面に対して概ね平行な方向、すなわち図中の矢印の方向で、実質的にパターニングデバイスＭＡとブレイドＲＥＢ−Ｘ及びＲＥＢ−Ｙとの間の空間内にガス（特に、水素、ヘリウム、窒素、酸素又はアルゴン）を注入することができるように配置される。一実施形態では、ノズル２００はサポート構造ＭＴに対して水平に延在し、パターニングデバイスＭＡの表面に対して概ね水平な方向で、空間にガスを供給するように構築及び配置される。ガス供給ノズル２００は、例えば図４に示すように、少なくとも１つのパターニングデバイスマスキングブレイドＲＥＢの上方に設けることができる。
[0059] 図４及び図５において矢印で表すように、例えば、各ノズル２００の出口開放部２０２は、パターニングデバイスＭＡに向けて位置決めされて、パターニングデバイスＭＡ及びパターニングデバイスブレイドＲＥＢに向けてガスを供給してよい。図５及び図６に示す各ノズル２００は、パターニングデバイスＭＡに対して横方向に延在するが、少なくとも１つの出口開放部２０２を有する。ガス供給ノズル２００の出口開放部２０２は、例えば概ね水平に（すなわち、Ｘ−Ｙ平面内で）、パターニングデバイスの表面に向けられることが望ましい。
[0060] 一実施形態では、各ノズル２００は、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域の少なくとも半分にわたってガスを供給するように構築及び配置される。例えば、ガスは、パターニング領域の長さの少なくとも半分にわたって供給されてよい。別の実施形態では、各ノズル２００は、実質的に反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域又はスキャン領域全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される。一実施形態では、各ノズル２００は、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域より大きいエリアにわたってガスを供給するように構築及び配置される。一実施形態では、パターニングデバイスＭＡがスキャン動作で移動する場合、各ノズル２００は、実質的に反射型パターニングデバイスＭＡのスキャン領域全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される。
[0061] 各ノズルは、例えば図５に示すように、横方向寸法ＤＮ（例えば、長さ又は幅）、すなわち、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域の寸法ＤＭと実質的に等しいか、又はそれより大きいスパンを含む。出口開放部２０２は、供給されたガスをパターニングデバイスＭＡ及びパターニングデバイスブレイドＲＥＭＡに向けて送り出すための寸法ＤＯ（例えば、直径）を含む。一実施形態では、ＤＮ＝ＤＭである。一実施形態では、ＤＮ≧ＤＭである。一実施形態では、ＤＮ＞ＤＭである。一実施形態では、ＤＯ≧ＤＭ／２である。一実施形態では、ＤＯ≧ＤＭである。一実施形態では、ＤＯ＞ＤＭである。
[0062] 出口開放部２０２のサイズは様々であってよい。一実施形態では、各ノズル２００は、ノズル２００に沿って、かつ反射型パターニングデバイスのパターニング領域に対して横方向に延在する、複数の出口開放部２０２を備える。図６に、一実施形態による、ノズル２００のスパンの端から端まで延在する複数の出口開放部２０２の例を示す。ただし、図６においてノズル２００上に示す開放部２０２の量、位置、サイズ、及び構成は、制限することを意図するものではない。各開放部２０２は、パターニングデバイスＭＡのパターニング領域に向けて、またブレイドＲＥＢ近傍へと、ガスを送り出しかつ供給するための寸法ＤＯを有する。開放部２０２からのガス出口は、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）の少なくとも半分にわたってガスを供給するように構築及び配置されてよい。別の実施形態では、開放部２０２は、実質的に反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される。別の実施形態では、ガスは、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域より大きいエリアにわたって、開放部２０２から供給される。
[0063] 別の実施形態では、各ノズル２００は、ノズル２００に沿って、かつ反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域に対して、横方向に延在する単一の出口開放部２０２を備える。図７に、一実施形態による、ノズル２００のスパンの端から端まで延在する単一の出口開放部２０２の例を示すが、その寸法ＤＯは、ノズル２００のスパンの実質的に端から端まで連続的に延在し、パターニングデバイスＭＡのパターニング領域に向けて、またブレイドＲＥＢ近傍に、ガスを送り出しかつ供給する。一実施形態では、ＤＮ＝ＤＯである。別の実施形態では、ＤＮはＤＯより大きいか、又はＤＯと等しい。一実施形態では、ＤＮはＤＯより大きい。ただし、図７においてノズル２００上に示す開放部２０２の位置、サイズ、及び構成は、制限することを意図するものではない。
[0064] 開放部２０２からのガス出口は、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）の少なくとも半分にわたってガスを供給するように構築及び配置されてよい。別の実施形態では、開放部２０２は、実質的に反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される。さらに別の実施形態では、ガスは、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域より大きいエリアにわたって、開放部２０２から供給される。
[0065] ガス供給ノズル２００は、リソグラフィ装置内のフレームに結合される。サポート構造ＭＴは、フレームに対して移動可能である。すなわち、ガス供給ノズル２００は、サポート構造ＭＴから分離している。これによって、サポート構造ＭＴがノズル２００に対して、かつ／又はその逆に移動することが可能となる。
[0066] 一実施形態では、ガス供給ノズル２００は、別個のフレーム（図５には示さず）に結合される。一実施形態では、ガス供給ノズル２００が結合されるフレームは、パターニングデバイスステージメトロロジフレームＲＳ−ＭＦである。一実施形態では、ガス供給ノズル２００は、ベースフレームＢＦに結合される。一実施形態では、ガス供給ノズル２００は、投影システムＰＳ及び／又は１つ又は複数のセンサを保持するフレームから機械的に絶縁される。機械的絶縁は、ノズルから、投影システムＰＳ及び／又は１つ又は複数のセンサを保持するフレームに到達する振動を実質的に防止することを含む。
[0067] 図８〜図１３に、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の側部からガスを供給するために使用することができるガス供給ノズル２００の構成のさらなる実施形態を示す。図８及び図９に示すように、ガス供給ノズル２００は、ノズルチップ２０６に接続されたノズル本体２０４を含む。ノズル本体２０４は、据付面部分２０８及び前方接続部分２２０を含んでよい。据付面部分２０８は、ノズル２００が据え付けられる構造（例えば、フレーム）に接触してよく、また据付面部分２０８を用いて、パターニングデバイスステージＭＴに対するノズルの位置を（例えば、位置許容値を維持し、かつ／又は衝突を回避するように）制御することができる。据付面部分２０８は、その本体に沿って、延在ピンなどの１つ又は複数の取付機構２１８を含み、装置の構造（例えば、フレーム）に接続してよい。ノズル本体２０４の前方接続部分２２０は、例えば図９に示すように、ノズルチップ２０６に接続し、場合によってはノズルチップ２０６と重なる。前方接続部分２２０は、ノズルチップ２０６の１つ又は複数の対応するボス２０５（例えば、図１０及び１１参照）に取り付けるための１つ又は複数のコネクタ２２２を含む。ノズルチップ２０６は、ノズル本体２０４への取り付けのための第１のアーム２１０及び第２のアーム２１２も含む。第１のアーム２１０及び第２のアーム２１２は、これらのアーム２１０及び２１２のそれぞれにおける一方の端部に設けられたピボット穴２１４（図１０参照）を介して、ノズル本体２０４の両側部に設けられた接続ピン部分２１６（図８参照）に固定される。例示される実施形態では、アーム２１０及び２１２は、異なる構成を有してよく、例えば、第１のアーム２１０と第２のアーム２１２は、ノズル本体２０４の前方接続部分２２０の設計に対して異なる角度で延在する。しかし、ノズル本体２０４並びに第１のアーム２１０及び第２のアーム２１２に関するこの図示の構成は、制限することを意図するものではない。
[0068] 図１０に示すように、ノズルチップ２０６は、チャンバ２２４と、少なくとも１つのガス吐出スリット２２６を有するエッジ部分２２８と、を含み、供給されたガスを通過させてパターニングデバイスＭＡに向けて誘導する（矢印は、ノズルチップ２０６を通るガス流を表す）。例示される実施形態では、ガス吐出スリット２２６は、ノズルチップ２０４の横方向のスパンの端から端まで延在する。ガス吐出スリット２２６はまた、エッジ部分２２８の内部で、ある角度で位置決めされてよい。ガス吐出スリット２２６は、例えば、ノズル２００の水平面に対して下向きに傾斜するように向けられてよい。エッジ部分２２８は、チャンバ２２４及びスリット２２６から外向きに延在してよく、開放部２０２のガス吐出スリット２２６を通して供給されるガスを（例えば、パターニングデバイスＭＡから離れる下向きの方向に）誘導するバッフルとして機能することができる。図１２の分解組立図に示すように、ノズルチップ２０４の端部のガス吐出スリット２２６の横方向のスパンに対して垂直に、１つ又は複数の補強リブ２３８を設けることができる。より具体的には、図１２に、ノズルチップ２０６が第１の部分２３４（例えば、カバー）及び第２の部分２３６から形成されてよいことを示す。第２の部分２３６は、第２の部分２３６のスパンに沿って均等又はまばらに離間した、一連の概ね平行な離間したリブ２３８を含んでよい。第１の部分２３４は、１つ又は複数の開放部２４０、すなわち、第２の部分２３６のリブ２３８に接続するように設計された接続エリアを含んでよい。これらの部品を、例えば、互いに蝋付け又は溶接してよい。図１３に、組み立てられた図１２の部品の例を示す。ただし、図１０又は図１２のノズル２００上に示すノズルチップ２０６及び／又はガス吐出スリット２２６内部の、離間した補強リブ２３８の量、位置、サイズ、及び構成は、制限することを意図するものではない。
[0069] ノズル本体２０４は、プレナムチャンバとして機能して、各ノズルチップ２０４内のノズル吐出スリット２２６全体にわたる分布をより均一にするために、圧力を均等化する。これによって、ガス吐出スリット２２６全体にわたって実質的に均一なガス流が実現する。ノズルチップ２０６内の、一連の概ね平行な離間したリブ２３８は、ガスがチャンバ２２４を通って、チップ２０６のガス吐出スリット２２６内へ、そしてガス吐出スリット２２６を通って供給される時に、ガスを誘導及び加圧する。
[0070] ノズル本体２０４とノズルチップ２０６の間のガス界面は、ノズル本体２０４とノズルチップ２０６の傾斜した（金属間の）接触界面の両側で形状及びサイズが適合した、シール２３０（例えば、非Ｏリング界面）を含んでよい。図１１に、接触界面に設けられた、例えば、ノズルチップ２０６に設けられたシール２３０の一例を示すが、追加的又は代替的に、ノズル本体２０４にシールを設けてもよい。シール２３０は、リブ２３８に対応し、かつそれに位置合わせされる部分２３２を含んでよい。このノズル本体／チップ界面において、ガスは、離間したリブ２３８を含むノズルチップ２０６のチャンバ２２４内に運ばれ、離間したリブ２３８は、その流れを吐出スリット２２６へと導く。
[0071] 各ノズルは、図８に示すように、横方向寸法ＤＮ（例えば、長さ又は幅）、すなわちスパンを含み、これは、例えば図５に示すように、反射型パターニングデバイス又はパターニングデバイスＭＡのパターニング領域の寸法ＤＭと実質的に等しいか、又はそれより大きい。出口開放部２０２のガス吐出スリット２２６は、供給されたガスをパターニングデバイスＭＡ及びブレイドＲＥＭＡに向けて送り出すための横方向寸法（例えば長さ）を含む。スリット２２６から送り出されるガスは、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）の少なくとも半分にわたってガスを供給するように構築及び配置されてよい。別の実施形態では、スリット２２６は、実質的に反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される。別の実施形態では、ガスは、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域より大きいエリアにわたって、スリット２２６を介して供給される。一実施形態では、横方向寸法は、ガスがそこを通って供給されるノズルチップ２０６の横方向に沿った全体寸法として規定することができる。一実施形態では、ガス吐出スリット２２６の寸法は、ＤＮと等しいか、あるいは、ＤＮより大きいか又は等しい。一実施形態では、ガス吐出スリット２２６の寸法は、ＤＭと等しいか、あるいは、ＤＭより大きいか又は等しい。別の実施形態では、ガス吐出スリット２２６の寸法は、ＤＭより大きい。
[0072] 一実施形態では、ガス吐出スリット２２６の横方向寸法は、約２８９ミリメートル（ｍｍ）である。一実施形態では、ノズルの横方向寸法ＤＮは、約２８９ミリメートル（ｍｍ）である。
[0073] 一実施形態では、ガス吐出スリット２２６の横方向寸法は、隣接する横方向の補強リブ間の寸法として規定することができる。補強リブ間で測定された横方向寸法全ての合計は、ＤＮと等しいか、あるいは、ＤＮより大きいか又は等しくてよい。一実施形態では、ガス吐出スリット２２６の横方向寸法全ての合計は、ＤＭと等しいか、あるいは、ＤＭより大きいか又は等しい。別の実施形態では、ガス吐出スリット２２６の横方向寸法全ての合計は、ＤＭより大きい。
[0074] 出口開放部２０２のガス吐出スリット２２６は、供給されたガスをパターニングデバイス及びブレイドＲＥＭＡに向けて送り出すための厚さ寸法も有する。一実施形態では、ガス吐出スリット２２６の厚さは、約０．６ミリメートルと約１．０ミリメートル（ｍｍ）の間（約０．６ｍｍ及び約１．０ｍｍを含む）である。別の実施形態では、ガス吐出スリット２２６の厚さは、約０．８ｍｍである。ただし、スリット２２６のこうした寸法は単なる例であり、制限することを意図するものではない。
[0075] ガス吐出スリット２２６は、送り出されるガスをある角度で誘導するように設計されるが、その角度は、制限することを意図するものではない。一実施形態によれば、ガス吐出スリット２２６が位置決めされる角度は、水平面に対して約２０度である。
[0076] 本明細書で開示するノズル、例えば図８〜図１３に例示的に示すノズル２２０を使用する時、ガス供給源ＧＳからのガスは、ノズル開放部２０２を通って広がり、パターニングデバイスＭＡの下方へ放出される。ガスはそれ自体の制約（圧力、体積など）によって制御されてよい。さらに、ノズルは、プレナム様に設計されたチャンバ２２４を介してガスを（例えばＹ方向に）拡散するように設計されてよく、またノズルチップ２０６を通じて、ガス吐出スリット２２６を介して拡張されてよい。
[0077] 開放部２０２のガス吐出スリット２２６から送り出されるガスは、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）の少なくとも半分にわたってガスを供給するように構築及び配置されてよい。別の実施形態では、ガス吐出スリット２２６は、実質的に反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域（ＤＭ）全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される。別の実施形態では、ガスは、反射型パターニングデバイスＭＡのパターニング領域より大きいエリアにわたって、ガス吐出スリット２２６によって供給される。
[0078] 図８〜図１３に示す実施形態によるガス供給ノズル２００は、リソグラフィ装置内のフレームに結合されてよい。図１４に、例えば図１のタイプのリソグラフィ装置における、ガス供給ノズル２００及びパターニングデバイスアセンブリＭＴを有する例示的実施形態の仰観図を示す。サポート構造ＭＴは、フレームに対して移動可能である。すなわち、ガス供給ノズル２００は、サポート構造ＭＴから分離されている。これによって、サポート構造ＭＴがノズル２００に対して、かつ／又はその逆に移動することが可能となる。
[0079] 一実施形態では、図８〜図１３に示すガス供給ノズル２００は、別個のフレーム（図示せず）に結合される。別の実施形態では、ガス供給ノズル２００が結合されるフレームは、パターニングデバイスステージフレームＲＳ−ＭＦである。別の実施形態では、ガス供給ノズル２００は、ベースフレームＢＦに結合される。
[0080] 上記の、図５〜図１３に関して検討したノズルの例示的な設計及び構成は、パターニングデバイスＭＡに向けてガスを供給するために使用されるノズルの設計及び構成を制限することを意図するものではない。
[0081] 一実施形態によれば、ノズル２００は、パターニングデバイスのスキャン経路の両側部上にガスを注入して、パターニングデバイスの前側とＲＥＢブレイドとの間に清浄なガスを流すように設計される。特に、各ノズル２００は、少なくとも一方の側部に位置決めされているが、パターニングデバイスＭＡのパターニング領域の中心又は中央に向くように設計及び構成されており、その結果、パターニングデバイスＭＡのパターニング領域の中心又は中央に向けてガスを送り出すことができる。ノズル２００の出口開放部２０２から（図に示すように）Ｘ方向又はＹ方向に、ガスを送り出すか、又は注入することができる。ガスは、パターニングデバイスの最も近くにあるブレイド（この場合はＲＥＢ−Ｙブレイド）間に、空間内に注入されるが、ＲＥＢ−ＹブレイドとＲＥＢ−Ｘブレイドの間にも注入され得る。パターニングデバイスの表面の近く、より具体的には、パターニングデバイスの表面とブレイドＲＥＢの間の閉じ込め空間内にガスを注入することによって、コンポーネント（例えばブレイド自体及びその他のコンポーネント）からの汚染の可能性は大幅に低下する。
[0082] 図１５に例示的に示すように、ガス（例えば、水素、ヘリウム、窒素、酸素、又はアルゴン）の２つの経路３００及び３０２は、少なくともパターニング領域の互いに対向する側部に設けられたノズル２００から、概ね類似の態様で、パターニングデバイスＭＡ及びブレイドＲＥＢ−Ｘを横切って横方向に流れる。経路３００及び３０２は、パターニングデバイスＭＡの中心付近で合流し、混合し、次いで３０４に示すように、パターニングデバイスＭＡから離れて下向きの方向に逸れ、ＵＮＩＣＯＭ３０６を通り過ぎ、ＩＴＳへと向かう。一実施形態では、ノズル２００から注入されたガス流が直接パターニングデバイスＭＡに向くことは決してない。むしろ、ガス流は、パターニングデバイスＭＡ及びサポート構造ＭＴに対して、横方向又は概ね平行に移動を始めてよく、次いで、図示のとおり、パターニングデバイスＭＡから離れて流れるようになる。このようにして、ガス流内の粒子がパターニングデバイスＭＡの前側に付着する可能性は低くなる。従って、粒子をパターニングデバイス上に堆積させる能力が低下する。
[0083] 従って、本明細書に開示するリソグラフィ装置ＬＡＰを使用する方法は、サポート構造で反射型パターニングデバイスＭＡを支持することであって、この反射型パターニングデバイスＭＡが、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームＰＢを形成するように構成されている、支持することと、反射型パターニングデバイスＭＡで照明ビームにパターンを付与することと、投影システムＰＳで、反射型パターニングデバイスから基板上に、パターン付与されたビームを投影することと、１つ又は複数のガス供給ノズル２００を介して、反射型パターニングデバイスＭＡの表面に対して概ね平行な方向にガスを供給することと、を含む。一実施形態では、ガスは複数のガス供給ノズルから供給され、ノズルのそれぞれは、反射型パターニングデバイスＭＡの互いに対向する側部にある。すなわち、一実施形態では、複数のガス供給ノズルのうちの少なくとも１つは、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の一方の側部にあり、複数のガス供給ノズルのうちの別の少なくとも１つは、パターニング領域の反対側の側部にある。
[0084] 図面及び上記の説明は、全般に、複数のノズルを利用するシステムを図示及び説明しているが、リソグラフィ装置内で単一のノズルを実装及び使用してガスを供給してよいこともまた、本開示の範囲内である。本開示の一態様によれば、反射型パターニングデバイスを支持するように構築及び配置されたサポート構造を含むリソグラフィ装置が提供される。反射型パターニングデバイスは、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成されている。この装置はまた、反射型パターニングデバイスによって反射されたパターン付与された放射ビームを受けるように構築及び配置され、かつこのパターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、フレームであって、サポート構造がこのフレームに対して移動可能である、フレームとを含む。一実施形態では、少なくとも１つのガス供給ノズルがフレームに結合され、かつこのガス供給ノズルからガスを供給するように構築及び配置される。この少なくとも１つのガス供給ノズルは、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の少なくとも一方の側部からガスを供給するように配置される。
[0085] さらに、次いで、本開示は、少なくとも１つのガス供給ノズルを介して反射型パターニングデバイスの表面に対して概ね平行な方向にガスを供給することを含む方法を提供することが理解されるべきである。このガスは、反射型パターニングデバイスのパターニング領域の少なくとも一方の側部からの（上述の）少なくとも１つのガス供給ノズルから供給される。
[0086] 従って、本明細書に開示したノズル２００の構成は、パターニングデバイス上に粒子が堆積する可能性を低下させることができるため、有利である。ガス流は、パターニングデバイスの前側に到達する前に最低限のハードウェアを通過することができ、その結果、ガス流が汚染される機会は減少又は最少化する。こうして、パターニングデバイスＭＡの前方に、より清浄なガスを提供することができる。従って、本明細書のノズルの構成によって、露光中のパターニングデバイスの前部の汚染を減少させることができ、パターニングデバイスの前側の欠陥を減少させることができる。
[0087] パターニングデバイスＭＡからのガス放出によってイルミネータＩＬ及び投影システムＰＳ内へと運ばれ得る過剰な分子汚染の発生が生じないように助けることが、有利な場合がある。これは、導管を介して供給されるガスの一部が、イルミネータ（ＩＬ）及び投影システム（ＰＳ）に流入する可能性があるためである。
[0088] パターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造を、部分的に閉鎖された環境内、少なくとも、パターニングデバイスの表面とブレイドの間の閉じ込め空間付近に設けることが有利な場合がある。そのような構成では、部分的に閉鎖された環境内で圧力が生じるため、投影光学部品のコンパートメントに向かって一層効果的にガスを移送することができる。
[0089] パターニングデバイスＭＡの粒子汚染の可能性を低減又は最小化するために、パターニングデバイスＭＡにおける圧力が、ＶＥ２内の圧力及びＶＥ３内の圧力の両方より高くなるように設計及び実装されてよく、その結果、パターニングデバイスＭＡからＶＥ２及びＶＥ３内への下向きの流れが生じる。これは、異なる環境内に注入される流量、すなわち、例えば、ＶＥ２及びＶＥ３内へのガス注入の流量と、ノズル２００から注入されるガスの流量とを均衡させることによって実現することができる。さらに、パターニングデバイスＭＡからＶＥ１の残りの部分内への高い流れ抵抗を有することが望ましい場合があり、これはパターニングデバイスＭＡと環境ＶＥ１の間に流れ抵抗デバイスを設けることによって得ることができ、その結果、パターニングデバイスＭＡと環境ＶＥ１の間のガスコンダクタンスは、１０ｍ／ｓ以下、５ｍ／ｓ以下、又は２ｍ／ｓ以下となる。
[0090] そのような流れ抵抗の実装は、パターニングデバイスＭＡに対して概ね平行なＸ−Ｙ平面において分離器の上面を拡大すること、Ｘ−Ｙ平面においてパターニングデバイスサポート構造ＭＴの表面を拡大すること、又はＺ方向に（すなわち、パターニングデバイスＭＡに向かって、又はパターニングデバイスＭＡから離れる方向に、あるいはその両方向に）延在する１つ又は複数の突出体を、パターニングデバイスブレイドＲＥＢの少なくとも一部に形成することを含む。
[0091] 上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0092] 上述の実施形態は、リソグラフィ装置に関連して説明されたが、同じ構想を、表面の１つ又は複数の特性を測定するように構成された、例えばパターン付与された基板の表面の１つ又は複数の特性を測定するように構成された、メトロロジ装置又はインスペクション装置といった他のタイプの装置についても用いることができる。そのようなメトロロジ装置又はインスペクション装置は、例えば、以下の要素のうちのいくつか、すなわち、分析すべき構造を照明するために使用される放射ビームの特性を調節するように配置された光学システムと、分析すべき構造を支持するように構築された部分を備えるサポート構造と、放射ビームを整形するように構成された、サポート構造に隣接する放射ビーム整形デバイスと、分析すべき構造を支持するように構築されたサポート構造の部分と放射ビーム整形デバイスとの間に規定された空間に対してガスを供給するように構築及び配置された複数のガス供給ノズルと、検出された放射を分析するように配置されたプロセッサとのうちのいくつかを備えてよい。一実施形態では、各ノズルは、分析されるべき構造に対して横方向に延在する出口を有し、サポート構造によって支持された、少なくとも、分析すべき構造の長さの半分より広い範囲にわたってガスを供給するように構築及び配置された、連続的な長さを有する。分析すべき構造を照明するように配置された放射源は、メトロロジ装置又はインスペクション装置と共に使用される、装置の一体部分として、又は別のコンポーネントとして設けてよい。
[0093] 本明細書において、閉じ込め空間は、ａ）パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート構造の部分と、ｂ）放射整形デバイスとの間に規定された、限定的な空間であってよい。すなわち、閉じ込め空間は、パターニングデバイスと放射整形デバイスの間の限定的な空間であってよく、例えば、サポート構造によって支持されるパターニングデバイスＭＡの表面と、マスキングブレイドのうちの少なくとも１つとの間の閉じ込め空間であってよい。
[0094] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、ＬＥＤ、太陽電池、フォトニックデバイス等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0095] 本開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本開示の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、１つ又は複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読み取りが可能な形態で情報を記憶又は送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、又は電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。
[0096] 以上、本開示の具体的な実施形態を説明してきたが、本開示は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく記載されている本開示に変更を加えてもよい。
[0097] 以上、本開示を、特定される機能の実装及びそれらの関係性を例示する機能的構成単位を利用して説明してきた。これらの機能的構成単位の境界は、説明の便宜のために本明細書中で恣意的に定められている。特定される機能及びそれらの関係性が適切に実行される限りにおいて、代替的な境界を定めてもよい。
[0098] 具体的な実施形態に関する上述の説明は、当業者の技術範囲内の知識を適用することによって、過度の実験を行うことなく、また本開示の全般的な概念から逸脱することなく、他者がそのような具体的な実施形態を容易に修正し、かつ／又は様々な用途に適応させることができる程度に、本開示の全般的な性質を十分に明らかにしよう。従って、そのような適応及び修正は、本明細書中で提示する教示及び手引きに基づいて、開示された実施形態の等価物の意味及び範囲内とすることが意図される。本明細書中の語法や用語は制限ではなく説明を目的としており、そのため、本明細書の用語や語法は、教示及び手引きに照らして当業者によって解釈されるべきであることが理解されたい。
[0099] 本開示の広さ及び範囲は上述の例示的な実施形態のいずれによっても制限されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及び節、並びにその等価物に従ってのみ定義されるべきである。

Claims (29)

  1. 反射型パターニングデバイスを支持するように構築及び配置されたサポート構造であって、前記反射型パターニングデバイスが、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成される、サポート構造と、
    前記反射型パターニングデバイスによって反射された前記パターン付与された放射ビームを受けるように構築及び配置され、かつ、前記パターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
    フレームであって、前記サポート構造が前記フレームに対して移動可能である、フレームと、
    前記フレームに結合されたガス供給ノズルであって、前記ガス供給ノズルからガスを供給するように構築及び配置され、前記反射型パターニングデバイスのパターニング領域の側部からガスを供給するように配置されたガス供給ノズルと、を備えるリソグラフィ装置。
  2. 前記パターニングデバイスから離間し、かつ、前記照明ビームの経路内に設けられたマスキングブレイドであって、前記マスキングブレイドと前記パターニングデバイスとの間に空間が規定される、マスキングブレイドをさらに備え、
    前記ガス供給ノズルが前記空間にガスを供給するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記ガス供給ノズルが前記マスキングブレイドの上方にある、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記ガス供給ノズルが、前記サポート構造に対して水平に延在し、前記パターニングデバイスの表面に対して実質的に平行な方向で前記空間にガスを供給するように構築及び配置される、請求項２又は３に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記フレームに結合された複数のガス供給ノズルであって、前記ガス供給ノズルからガスを供給するように構築及び配置され、前記複数のガス供給ノズルのうちの少なくとも１つが前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域の前記側部にあり、前記複数のガス供給ノズルのうちの別の少なくとも１つが前記パターニング領域の反対側の側部にあるように配置された、複数のガス供給ノズルを備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記ガス供給ノズルが、前記ノズルに沿って、かつ、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域に対して、横方向に延在する複数の出口開放部を備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記ガス供給ノズルが、前記ノズルに沿って、かつ、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域に対して、横方向に延在する出口開放部を備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記ガス供給ノズルが、実質的に前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域全体にわたってガスを供給するように構築及び配置されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記ガス供給ノズルが、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域より大きいエリアにわたってガスを供給するように構築及び配置されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記ガス供給ノズルが、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域より大きい横方向寸法を備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記サポート構造が前記ガス供給ノズルに対して移動するように構築及び配置されるように前記ガス供給ノズルが前記サポート構造から分離される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記照明ビームが、ＥＵＶ波長の放射ビームである、請求項１〜１１のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記ＥＵＶ波長の前記放射ビームを調節するように構築及び配置された照明システムをさらに備える、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
  14. サポート構造で反射型パターニングデバイスを支持することであって、前記反射型パターニングデバイスが、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成される、支持することと、
    前記反射型パターニングデバイスで前記照明ビームにパターンを付与することと、
    投影システムで、前記反射型パターニングデバイスから基板上に、前記パターン付与された放射ビームを投影することと、
    フレームに結合されたガス供給ノズルを介してガスを供給することであって、前記サポート構造が前記フレームに対して移動可能である、供給することと、を含む方法であって、
    前記ガスが、前記反射型パターニングデバイスのパターニング領域の側部からの前記ガス供給ノズルから供給される、方法。
  15. パターニングデバイスマスキングブレイドが、前記パターニングデバイスから離間し、かつ、前記照明ビームの経路内にあり、前記マスキングブレイドと前記パターニングデバイスの間に空間が規定され、
    前記ガスを前記供給することが前記空間にガスを供給することを含む、請求項１４に記載の方法。
  16. 前記ガス供給ノズルが前記マスキングブレイドの上方にあり、前記空間に前記ガスを前記供給することが、前記マスキングブレイドの上方にガスを供給することを含む、請求項１５に記載の方法。
  17. 前記ガスを前記供給することが、前記パターニングデバイスの表面に対して実質的に平行な方向で前記空間に前記ガスを供給することを含む、請求項１５又は１６に記載の方法。
  18. 前記ガスを前記供給することが、複数のガス供給ノズルを介して前記ガスを供給することを含み、前記複数のガス供給ノズルのうちの少なくとも１つが、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域の一方の側部にあり、前記複数のガス供給ノズルのうちの別の少なくとも１つが、前記パターニング領域の反対側の側部にある、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の方法。
  19. 前記ガス供給ノズルが、前記ノズルに沿って、かつ、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域に対して、横方向に延在する複数の出口開放部を備え、前記ガスを前記供給することが、前記複数の出口開放部を通して前記ガスを供給することを含む、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の方法。
  20. 前記ガス供給ノズルが、前記ノズルに沿って、かつ、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域に対して、横方向に延在する出口開放部を備え、前記ガスを前記供給することが、前記出口開放部を通して前記ガスを供給することを含む、請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の方法。
  21. 前記ガスを前記供給することが、実質的に前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域全体にわたって前記ガスを供給することを含む、請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の方法。
  22. 前記ガスを前記供給することが、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域より大きいエリアにわたって前記ガスを供給することを含む、請求項１４〜２１のいずれか１項に記載の方法。
  23. 前記照明ビームがＥＵＶ波長の放射ビームである、請求項１４〜２２のいずれか１項に記載の方法。
  24. 反射型パターニングデバイスを支持するように構築及び配置されたサポート構造であって、前記反射型パターニングデバイスが、照明ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するように構成される、サポート構造と、
    前記反射型パターニングデバイスによって反射された前記パターン付与された放射ビームを受けるように構築及び配置され、かつ、前記パターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
    フレームであって、前記サポート構造が前記フレームに対して移動可能である、フレームと、
    前記フレームに結合された複数のガス供給ノズルであって、前記ガス供給ノズルからガスを供給するように構築及び配置され、前記複数のガス供給ノズルのうちの少なくとも１つが前記反射型パターニングデバイスのパターニング領域の一方の側部にあり、前記複数のガス供給ノズルのうちの別の少なくとも１つが前記パターニング領域の反対側の側部にあるように配置された、複数のガス供給ノズルと、を備えるリソグラフィ装置。
  25. 前記パターニングデバイスから離間し、かつ、前記照明ビームの経路内にあるパターニングデバイスマスキングブレイドであって、前記マスキングブレイドと前記パターニングデバイスとの間に空間が規定される、パターニングデバイスマスキングブレイドをさらに備え、
    前記複数のガス供給ノズルが、前記空間にガスを供給するように構成される、請求項２４に記載のリソグラフィ装置。
  26. 前記複数のガス供給ノズルが前記マスキングブレイドの上方にある、請求項２５に記載のリソグラフィ装置。
  27. 前記複数のガス供給ノズルの各ノズルが、少なくとも前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域全体にわたってガスを供給するように構築及び配置される、請求項２４〜２６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  28. 前記複数のガス供給ノズルの各ノズルが、前記反射型パターニングデバイスの前記パターニング領域より大きい横方向寸法を備える、請求項２４〜２７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  29. 前記サポート構造が前記複数のガス供給ノズルに対して移動するように構築及び配置されるように前記複数のガス供給ノズルの各々が前記サポート構造から分離される、請求項２４〜２８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
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