JP2007242863A - 露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法 - Google Patents
露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007242863A JP2007242863A JP2006062829A JP2006062829A JP2007242863A JP 2007242863 A JP2007242863 A JP 2007242863A JP 2006062829 A JP2006062829 A JP 2006062829A JP 2006062829 A JP2006062829 A JP 2006062829A JP 2007242863 A JP2007242863 A JP 2007242863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- unit
- gas
- cleaning
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】高い解像度でパターンを加工することが容易であって、製品歩留まりの低下を防止する。
【解決手段】マスク支持台121が支持するマスクMへ、マスクMへの照明において不活性なガスgをガス噴霧部131が噴霧することによって、マスク洗浄部3がマスクMを洗浄する。
【選択図】図3
【解決手段】マスク支持台121が支持するマスクMへ、マスクMへの照明において不活性なガスgをガス噴霧部131が噴霧することによって、マスク洗浄部3がマスクMを洗浄する。
【選択図】図3
Description
本発明は、露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法に関する。
半導体装置を製造する際においては、リソグラフィ技術を用いて、ウエハに微細なパターンを加工している。
ここでは、たとえば、パターン加工を施すウエハの表面に、感光性材料からなるレジスト膜を形成した後に、マスクパターンが形成されたマスクを照明し、その照明によって生ずるマスクパターン像をウエハ上に形成されたレジスト膜に露光し転写する。その後、そのマスクパターンが転写されたレジスト膜を現像し、ウエハの表面にレジストマスクを形成する。そして、そのレジストマスクを用いて、エッチング処理を実施することによって、ウエハをパターン加工する。
このようなリソグラフィ技術においては、デバイスの高集積化や、動作速度の高速化の要求に対応するため、より高い解像度でパターンを加工することが求められている。このため、光源を、波長が248nmであるKrFエキシマレーザから、波長が193nmであるArFエキシマレーザへ変更し、短波長化することで、解像度の向上を実現させている。
また、ウエハに形成されたレジスト膜へマスクパターン像を高精度に転写させるために、マスク製造工程においては、マスクを洗浄し、そのマスクに存在する異物を除去している。たとえば、マスクパターンをマスクに形成する際に用いたレジスト膜の残渣などの異物を除去するために、硫酸などの洗浄液を用いてマスクを洗浄している(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記のように硫酸などの洗浄液で洗浄されたマスクを照明し、そのマスクのマスクパターン像をウエハのレジスト膜へ転写させる際には、そのマスクへの照明による化学反応でマスクに異物が生成される場合があるために、その異物に起因して、高い解像度でパターンを加工することが困難な場合がある。この異物は、ヘイズ(Haze)と呼ばれており、主成分が硫酸アンモニウムであって、前述の洗浄において残留した硫酸が雰囲気中のアンモニアなどの不純物と反応し結晶成長することで生成される。また、露光が実施される場合を除き、マスクは、クリーンルームにおいて大気環境下で保管されるため、その環境下において微量に存在するNF4やSO4などの不純物によってヘイズが成長する場合がある。そして、このマスクに生成されたヘイズが、マスクからウエハへ移り、製品歩留まりを低下させる場合がある。
特に、上述したように高解像度化のために光源が短波長化されている場合においては、ヘイズの結晶成長が促進されるために、上記の不具合が顕在化する場合がある。
このように、マスクに異物が存在するために、高い解像度でパターンを微細加工することが困難になると共に、製品歩留まりが低下する場合があった。
したがって、本発明の目的は、高い解像度でパターンを微細加工することが容易であって、製品歩留まりを向上可能な露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、マスクパターンが形成されたマスクを照明することによってマスクパターン像を被転写体に転写する露光装置であって、前記マスクを洗浄するマスク洗浄部を有し、前記マスク洗浄部は、前記マスクを支持するマスク支持部と、前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部とを含み、前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって、前記マスクを洗浄する。
上記課題を解決するために、本発明のマスク洗浄装置は、照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、前記マスクを支持するマスク支持部と、前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部とを含み、前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって前記マスクを洗浄する。
上記課題を解決するために、本発明のマスク洗浄方法は、照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄方法であって、前記マスクへの照明において不活性なガスを前記マスクへ噴射することによって前記マスクを洗浄する。
上記課題を解決するために、本発明のマスク保管方法は、照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを保管するマスク保管方法であって、前記マスクへの照明において不活性なガスの雰囲気下において前記マスクを保管する。
本発明においては、マスクへの照明において不活性なガスを噴霧することによってマスクを洗浄する。また、本発明においては、そのガスの雰囲気下においてマスクを保管する。
本発明によれば、高い解像度でパターンを微細加工することが容易であって、製品歩留まりを向上可能な露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法を提供することができる。
図1は、本発明にかかる実施形態における露光装置1を示すブロック図である。
図1に示すように、本実施形態の露光装置1は、露光部2と、マスク洗浄部3と、マスク検査部4と、マスク保管部5と、制御部6とを有する。また、露光装置1は、たとえば、ロボットアームなどの搬送系(図示なし)を有しており、露光部2とマスク洗浄部3とマスク検査部4とマスク保管部5とのそれぞれにおいて、その搬送系がマスクMを搬入または搬出するように制御部6が制御する。そして、露光装置1は、マスクパターンが形成されたマスクMを照明することによって、被転写体であるウエハWにマスクパターン像を転写する。露光装置1の各部について順次説明する。
露光部2について説明する。
図2は、本発明にかかる実施形態において、露光部2の断面を示す断面図である。
図2に示すように、露光部2は、チャンバ11と、ウエハステージ21と、マスクステージ31と、照明系41と、投影系51とを有しており、ウエハWの表面に形成されたレジスト膜Rにマスクパターン像を露光する。ここで、露光部2は、制御部6からの制御信号に基づいて、露光動作を実施する。本実施形態においては、制御部6からの制御信号に基づいて、露光部2は、図1に示すように、マスク検査部4において検査されたマスクMが搬入され、その搬入されたマスクMを用いて露光を実施する。そして、その露光を実施した後においては、マスクMがマスク洗浄部3へ搬出される。露光部2の各部について順次説明する。
チャンバ11は、図2に示すように、内部に空間を有し、その内部の空間を密閉するように形成されている。そして、チャンバ11は、ウエハステージ21と、投影系51とが、その内部空間に配置されており、搬入口(図示なし)からウエハWが搬入される。
ウエハステージ21は、図2に示すように、レジスト膜形成装置(図示なし)によって、感光性材料からなるレジスト膜Rが表面に形成されたウエハWを支持する。ウエハステージ21は、ウエハ搬送系(図示なし)によって外部からウエハステージ21に搬送されたウエハWを、たとえば、真空吸着によって固定する。ウエハステージ21は、反射鏡(図示なし)が設けられており、その反射鏡に対応するように設置されたレーザ干渉計(図示なし)によって、位置および傾きが検出される。そして、ウエハステージ21は、駆動モータ(図示なし)を含み、その支持しているウエハWの表面に沿ったx方向と、そのウエハWの表面においてx方向に直交するy方向と、そのウエハWの表面に垂直なz方向とのそれぞれの方向へ駆動モータによって移動する。そして、駆動モータによって、x方向,y方向,z方向の各軸の回転方向へ、そのウエハWを回転移動させて、そのウエハWの表面の傾きが調整される。ここでは、前述のレーザ干渉計によって検出されたウエハステージ21の位置および傾きに基づいて制御部6が駆動モータを制御して、ウエハステージ21の位置および傾きが調整される。
マスクステージ31は、図2に示すように、マスクパターンMPが形成されたマスクMを支持する。ここでは、マスク搬送系(図示なし)によってマスクステージ31に搬送されたマスクMを、たとえば、真空吸着によって固定する。本実施形態においては、図2に示すように、遮光材料によってマスクパターンMPが一方の面に形成されたマスク基板MSと、そのマスク基板MSにおいてマスクパターンMPが形成された領域を囲うように、そのマスク基板MSの一方の面に配置されたペリクル枠PFと、そのマスク基板MSの一方の面から間隔を隔てるようにペリクル枠PFに設けられたペリクルPとを含むマスクMを、マスク基板MSが上方であって、ペリクルPが下方に向くようにマスクステージ31が支持する。そして、マスクステージ31は、反射鏡(図示なし)が設けられており、その反射鏡に対応するように設置されたレーザ干渉計(図示なし)によって、位置および傾きが検出される。そして、マスクステージ31は、駆動モータ(図示なし)を含み、その支持しているマスクMの表面に沿ったx方向と、そのマスクMの表面においてx方向に直交するy方向と、そのマスクMの表面に垂直なz方向とのそれぞれの方向へ駆動モータによって移動する。そして、そのマスクMを駆動モータによって回転移動させて、そのマスクMの表面の傾きが調整される。ここでは、前述のレーザ干渉計によって検出されたマスクステージ31の位置および傾きに基づいて制御部6が駆動モータを制御して、マスクステージ31の位置および傾きが調整される。
照明系41は、図2に示すように、マスクステージ31によって支持されたマスクMを照明する。照明系41は、光源(図示なし)と、照明光学系(図示なし)とを有しており、制御部6からの制御信号に基づいて各部が動作する。たとえば、光源は、ArFエキシマレーザを含む。この他に、KrFレーザ,F2レーザなどのレーザ光源を、光源として用いてもよい。また、照明光学系は、その光源からの光束の照度を均一にするオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ、そのフライアイレンズから出射される光を集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、絞りなどを含む。そして、照明系41は、光源から照明光学系へレーザを照射し、その照明光学系から、マスクステージ31によって支持されたマスクMへ、そのレーザを照射して、マスクパターン像を生成させる。
投影系51は、図2に示すように、照明系41によって照明されたマスクMによって生ずるマスクパターン像を、ウエハステージ21によって支持されたウエハWのレジスト膜Rに投影する。投影系51は、複数の光学レンズ(図示なし)を含み、たとえば、1/4倍にマスクパターン像を縮小して、ウエハWのレジスト膜Rに投影する。
マスク洗浄部3について説明する。
図3は、本発明にかかる実施形態において、マスク洗浄部3の断面を示す断面図である。図3において、図3(a)は、y方向においてマスク洗浄部3の中央部に対応するxz面についての断面図である。また、図3(b)は、x方向においてマスク洗浄部3の中央部に対応するyz面についての断面図である。
図3に示すように、マスク洗浄部3は、チャンバ111と、マスク支持台121と、ガス噴霧部131とを有し、マスク支持台121が支持するマスクMへ、ガス噴霧部131がガスgを噴霧することによって、マスクMを洗浄する。マスク洗浄部3は、制御部6からの制御信号に基づいて、マスクMを洗浄する動作を実施する。本実施形態においては、制御部6からの制御信号に基づいて、マスク洗浄部3は、露光部2においてマスクパターン像がウエハWに転写される前においては、図1に示すように、マスク保管部5からマスクMがチャンバ111に搬入され、その搬入されたマスクMを洗浄する。そして、その洗浄後においては、マスクMがマスク検査部4へ搬出される。一方で、その露光部2においてマスクパターン像がウエハWに転写された後においては、マスク洗浄部3は、図1に示すように、露光部2からマスクMがチャンバ111に搬入され、その搬入されたマスクMを洗浄する。そして、その洗浄後においては、マスクMがマスク検査部4に搬出される。マスク洗浄部3の各部について順次説明する。
チャンバ111は、図3に示すように、内部に空間を有する。そして、チャンバ111は、マスク支持台121と、ガス噴霧部131とが、その内部空間に配置されている。そして、チャンバ111は、図3(b)に示すように、排気口111eが形成されており、その排気口111eから内部の気体が外部へ排気される。本実施形態においては、ガス噴霧部131がガスgを噴射する方向に対応する部分に、この排気口111eが設置されている。
マスク支持台121は、図3に示すように、チャンバ111の内部空間において、マスクMを支持する。マスク支持台121は、マスク搬送系(図示なし)によって外部から搬送されたマスクMを、たとえば、真空吸着によって固定する。ここでは、マスク支持台121は、そのマスクMにおいてマスクパターンMPが形成されたマスクパターン形成領域にて、マスクMのマスク基板MSの面と、その面に対して反対側となるペリクルPの面とのそれぞれが露出するように、マスクMを支持する。本実施形態においては、図3に示すように、マスク基板MSにおいてマスクパターンMPが形成された面に対して反対の面が上方に向くと共に、ペリクルPが下方に向くようにマスク支持台121が支持する。
ガス噴霧部131は、図3に示すように、第1噴霧ノズル部131aと、第2噴霧ノズル部131bとを有する。
ガス噴霧部131において第1噴霧ノズル部131aおよび第2噴霧ノズル部131bは、図3(a)に示すように、マスク支持台121によって支持されたマスクMの面に沿って複数のノズルがx方向に配列されるように設置されている。そして、第1噴霧ノズル部131aおよび第2噴霧ノズル部131bは、ガスgを噴射する。ここでは、マスクMに対して化学的に不活性であって、露光部2においてマスクMへレーザなどの光を照射する際に、その光によって生ずる光化学反応に対して不活性な気体を、ガスgとして噴射する。つまり、マスクMへの照明による光化学反応によって、ヘイズなどの異物が生成される際に、その反応の原料にならない気体を、そのガスgとして噴射し、その光化学反応によって異物が生成される際に原料になる物質をマスクMの表面から除去する。具体的には、窒素ガスを、このガスgとして噴霧する。この他に、希ガスを用いてもよい。
ここで、第1噴霧ノズル部131aは、図3(a)に示すように、チャンバ111の内部空間の上方に設置されている。また、第1噴霧ノズル部131aは、駆動モータ(図示なし)を有しており、図3(b)に示すように、マスク支持台121によって支持されたマスクMのマスク基板MSの面に沿うように、その駆動モータがノズルをy方向へ移動する。そして、そのマスク支持台121によって支持されたマスクMのマスク基板MSにおいてマスクパターンMPが形成された面に対して反対側の面へ、y方向に移動しながら、ガスgを噴射する。
一方で、第2噴霧ノズル部131bは、図3(a)に示すように、チャンバ111の内部空間の下方に設置されている。また、第2噴霧ノズル部131bは、第1噴霧ノズル部131aと同様に、駆動モータ(図示なし)を有しており、図3(b)に示すように、マスク支持台121によって支持されたマスクMのマスク基板MSの面に沿うように、その駆動モータがノズルをy方向へ移動する。そして、マスク支持台121によって支持されたマスクMにおいてペリクルPが設けられた面へ、ガスgを噴射する。
また、本実施形態においては、第1噴霧ノズル部131aおよび第2噴霧ノズル部131bは、図3(b)に示すように、マスク支持台121によって支持されたマスクMの面の垂線に対して、ガスgを噴霧する方向が、45°以上傾斜した角度θになるように各ノズルが配置されている。第1噴霧ノズル部131aおよび第2噴霧ノズル部131bとの各ノズルを、マスクMの面の垂線に対して傾斜させて配置することで、マスクMの表面に存在するヘイズなどの異物を、ガスgの噴霧によって効果的にマスクMから除去できる。また、図3(b)に示すように、ガスgを噴射する方向に対応するように、排気口111eを設置できるため、マスクMから除去した異物を、その排気口111eを介して、内部から外部へ効果的に排出できる。特に、この角度θが、60°以上,80°以下になるように配置することで、上記の効果を顕在化することができる。
マスク検査部4について説明する。
マスク検査部4は、マスクMに付着する異物の有無について検査する。マスク検査部4は、制御部6からの制御信号に基づいて、このマスクMについての検査動作を実施する。本実施形態においては、露光部2においてマスクパターン像を被転写体であるウエハWに転写する前には、マスク検査部4は、図1に示すように、マスク洗浄部3からマスクMが搬入され、その搬入されたマスクMを検査する。そして、そのマスクMが検査に適合している場合には、露光部2へマスクMが搬出される。一方で、露光部2においてマスクパターン像がウエハWに転写された後においては、マスク検査部4は、図1に示すように、マスク洗浄部3からマスクMが搬入され、その搬入されたマスクMを検査する。そして、そのマスクMが検査に適合している場合には、マスク保管部5へマスクMが搬出される。
具体的には、まず、マスク検査部4は、マスク洗浄部3により洗浄されたマスクMをステージ(図示なし)で支持する。そして、その支持したマスクMに光源(図示なし)からの光を照射し、マスクMを透過する透過光や、マスクMから反射する反射光を光センサ(図示なし)で受光する。そして、その受光した透過光,反射光の強度値を演算器(図示なし)が解析し、マスクMに付着した異物の有無を判断する。
マスク保管部5について説明する。
マスク保管部5は、マスクMを収容し保管する。マスク保管部5は、制御部6からの制御信号に基づいて、このマスクMについての保管動作を実施する。本実施形態においては、露光部2においてマスクパターン像をウエハWに転写する際には、マスク保管部5は、図1に示すように、露光部2へマスクMが搬出される。そして、露光部2においてマスクパターン像がウエハWに転写された後においては、マスク保管部5は、図1に示すように、マスク検査部4からマスクMが搬入され、その搬入されたマスクMを保管する。
具体的には、マスク保管部5は、マスク検査部4により検査されたマスクMが、ストッカー(図示なし)の収容容器(図示なし)に搬入され、そのマスクMを収容容器内で密閉保管する。本実施形態においては、ガスgとして窒素ガスを収容容器内に充満させて、ヘイズなどの異物の発生源になる不純物を容器内から排出し、そのガスgの雰囲気下においてマスクMを保管する。
制御部6について説明する。
制御部6は、コンピュータと、そのコンピュータに所定の機能を実現させるためのプログラムとを有しており、各部の動作を制御する。ここでは、制御部6は、オペレータによって操作命令が入力される操作コンソール(図示なし)に接続されており、その操作コンソールに入力された操作命令に対応するように各装置を制御する制御信号を生成した後に、その生成した制御信号を各部に出力して制御する。
本実施形態において露光を実施する際においては、図1に示すように、まず、マスク保管部5によって保管されているマスクMをマスク洗浄部3へ搬入するように、制御部6が制御する。そして、その搬入したマスクMについての洗浄を実施するように、制御部6がマスク洗浄部3を制御する。つぎに、マスク洗浄部3が洗浄したマスクMをマスク検査部4へ搬入するように、制御部6が制御する。そして、その搬入したマスクMについての検査を実施するように、制御部6がマスク検査部4を制御する。つぎに、マスク検査部4が検査したマスクMを露光部2へ搬入するように、制御部6が制御する。そして、その搬入したマスクMを用いてマスクパターンMPの転写を実施するように、制御部6が露光部2を制御する。つぎに、露光部2において使用されたマスクMをマスク洗浄部3へ搬入するように、制御部6が制御する。そして、その搬入されたマスクMについての洗浄を実施するように、制御部6がマスク洗浄部3を制御する。つぎに、マスク洗浄部3が洗浄したマスクMをマスク検査部4へ搬入するように、制御部6が制御する。そして、その搬入したマスクMについての検査を実施するように、制御部6がマスク検査部4を制御する。つぎに、マスク検査部4が検査したマスクMをマスク保管部5へ搬入するように、制御部6が制御する。そして、その搬入したマスクを保管するように、制御部6がマスク保管部5を制御する。このようにして、制御部6は、露光プロセスを制御して順次実施する。
以下より、上記の本実施形態の露光装置1の動作について説明する。
図4は、本発明にかかる実施形態において、ウエハWをパターン加工する際の動作を示すフロー図である。
まず、図4に示すように、レジスト膜Rの形成を実施する(S11)。
ここでは、レジスト膜形成装置(図示なし)を用いて、スピンコート法によってウエハWの表面に感光性材料を含む溶液を塗布した後に、ベーク処理することによってレジスト膜Rを形成する。
つぎに、図4に示すように、露光を実施する(S21)。
ここでは、マスクパターンMPが形成されたマスクMを露光装置1が照明し、そのマスクMにより生じたマスクパターン像を、ウエハWに形成されたレジスト膜Rに転写することによって、露光を実施する。
図5は、本発明にかかる実施形態において、露光を実施する際の動作を示すフローである。
まず、図5に示すように、マスクMの洗浄を実施する(S111)。
ここでは、マスク保管部5によって保管されているマスクMを搬出した後に、マスク洗浄部3へ搬入する。そして、その搬入したマスクMをマスク洗浄部3が洗浄する。
具体的には、マスク洗浄部3のマスク支持台121がチャンバ111の内部空間においてマスクMを支持し、その支持されているマスクMの両面に、ガス噴霧部131の第1噴霧ノズル部131aと第2噴霧ノズル部131bとが移動しながらガスgを噴霧して、マスクMの両面に付着しているヘイズなどの異物を除去する。そして、そのマスクMから除去した異物を、チャンバ111の排気口111eを介して、内部から外部へ排出する。
つぎに、図5に示すように、マスクMの検査を実施する(S121)。
ここでは、マスク洗浄部3が洗浄したマスクMをマスク検査部4へ搬入し、その搬入したマスクMについての検査をマスク検査部4が実施する。
具体的には、マスク洗浄部3により洗浄されたマスクMを、マスク検査部4のステージ(図示なし)に支持させた後に、その支持したマスクMに光源(図示なし)からの光を照射する。そして、そのマスクMを透過する透過光や、マスクMから反射する反射光を光センサ(図示なし)で受光すし、その受光した透過光,反射光の強度値を演算器(図示なし)で解析することによって、マスクMに付着した異物の存在が許容範囲であるか否かを判断する。
つぎに、図5に示すように、マスクパターンMPの転写を実施する(S131)。
ここでは、マスク検査部4が検査したマスクMを露光部2へ搬入し、その搬入したマスクMを用いて、露光部2がマスクパターンMPの転写を実施する。
具体的には、搬入されたマスクMをマスクステージ31が支持し、そのマスクMを照明系41が照明する。ここでは、照明系41のArFエキシマレーザがレーザを照射することによって、照明光学系を介して、マスクステージ31によって支持されたマスクMへ、そのレーザを照射する。これによって、マスクMからマスクパターン像が出射される。
そして、その照明系41によって照明されたマスクMによって生ずるマスクパターン像を、ウエハステージ21によって支持されたウエハWのレジスト膜Rへ、投影系51が投影する。ここでは、投影系51が、たとえば、1/4倍にマスクパターン像を縮小して、ウエハWのレジスト膜Rに投影し、マスクパターンMPの転写を完了する。
つぎに、図5に示すように、マスクMの洗浄を実施する(S141)。
ここでは、上記のマスクMの洗浄と同様に、露光部2において使用されたマスクMをマスク洗浄部3へ搬入し、その搬入されたマスクMについての洗浄をマスク洗浄部3が実施する。
つぎに、図5に示すように、マスクMの検査を実施する(S151)。
ここでは、上記のマスクMの検査と同様に、マスク洗浄部3が洗浄したマスクMをマスク検査部4へ搬入し、その搬入したマスクMについての検査をマスク検査部4が実施する。
つぎに、図5に示すように、マスクMの保管を実施する(S161)。
ここでは、マスク検査部4が検査したマスクMをマスク保管部5へ搬入し、その搬入したマスクの保管をマスク保管部5が実施する。具体的には、ガスgとしての窒素ガスをマスク保管部5の収容容器内を充満させ、そのガスgの雰囲気下においてマスクMを保管する。
このようにして、露光の実施を完了する。
つぎに、図4に示すように、現像を実施する(S31)。
ここでは、現像処理装置(図示なし)において、マスクパターンMPが転写されたレジスト膜Rに現像液を供給することによって現像を実施し、レジストマスクをウエハWに形成する。
そして、そのレジストマスクが形成されたウエハWを検査する。たとえば、異物の有無について検査を実施した後に、そのレジストマスクが形成されたウエハWをポストベーク処理する。そして、エッチング処理を実施することによって、ウエハWをパターン加工する。
以上のように、本実施形態の露光装置1は、図3に示すように、マスク支持台121が支持するマスクMへ、マスクMへの照明において不活性なガスgをガス噴霧部131が噴霧することによって、マスク洗浄部3がマスクMを洗浄する。ここでは、マスク支持台121は、マスクMにおいてマスクパターンMPが形成されたマスクパターン形成領域にて、マスク基板MSの面と、そのマスク基板MSの面に対して反対側となるペリクルPの面とのそれぞれが露出するように、マスクMを支持する。そして、ガス噴霧部131は、第1噴霧ノズル部131aがマスク基板MSの面に窒素ガスをガスgとして噴霧し、第2噴霧ノズル部131bがペリクルPの面に窒素ガスをガスgとして噴霧する。このため、マスクMに存在するヘイズなどの異物を、そのガスgの噴霧によって効果的に除去することができる。したがって、本実施形態は、高い解像度でパターンを加工することが容易であって、製品歩留まりを向上することができる。
また、本実施形態の露光装置1は、ガスgの雰囲気下において、マスク保管部5がマスクMを保管する。よって、保管中のマスクMにおいてヘイズが結晶成長することを抑制できる。したがって、本実施形態は、高い解像度でパターンを加工することが容易であって、製品歩留まりの低下を防止することができる。
なお、上記の本実施形態において、露光装置1は、本発明の露光装置に相当する。また、上記の本実施形態において、マスク洗浄部3は、本発明のマスク洗浄部,マスク洗浄装置に相当する。また、上記の実施形態において、マスク保管部5は、本発明のマスク保管部に相当する。また、上記の実施形態において、マスク支持台121は、本発明のマスク支持部に相当する。また、上記の実施形態において、ガス噴霧部131は、本発明のガス噴射部に相当する。また、上記の実施形態において、第1噴霧ノズル部131aは、本発明の第1噴霧ノズル部に相当する。また、上記の実施形態において、第2噴霧ノズル部131bは、本発明の第2噴霧ノズル部に相当する。
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
たとえば、上記の実施形態においては、マスクの両面のそれぞれにガスを噴射するように、その両面のそれぞれの側に、ガス噴射部のノズルを設置する場合について示しているが、これに限定されない。たとえば、一方の面の側にのみ、ノズルを設置する場合であってもよい。このような場合においては、露光部にて支持されたマスクにおいて、上方へ向いた面側にヘイズなどの異物が付着する場合が多いため、この面側のみに、ガスを噴霧可能なように設置することが好ましい。つまり、ペリクル面側でなく、透明基板であるマスク基板側の面に対して、ガスを噴霧することが好ましい。
1…露光装置(露光装置)、
2…露光部、
3…マスク洗浄部(マスク洗浄部,マスク洗浄装置)、
4…マスク検査部、
5…マスク保管部(マスク保管部)、
6…制御部、
11…チャンバ、
21…ウエハステージ、
31…マスクステージ、
41…照明系、
51…投影系
111…チャンバ、
121…マスク支持台(マスク支持部)、
131…ガス噴霧部(ガス噴射部)、
131a…第1噴霧ノズル部(第1噴霧ノズル部)、
131b…第2噴霧ノズル部(第2噴霧ノズル部)
2…露光部、
3…マスク洗浄部(マスク洗浄部,マスク洗浄装置)、
4…マスク検査部、
5…マスク保管部(マスク保管部)、
6…制御部、
11…チャンバ、
21…ウエハステージ、
31…マスクステージ、
41…照明系、
51…投影系
111…チャンバ、
121…マスク支持台(マスク支持部)、
131…ガス噴霧部(ガス噴射部)、
131a…第1噴霧ノズル部(第1噴霧ノズル部)、
131b…第2噴霧ノズル部(第2噴霧ノズル部)
Claims (9)
- マスクパターンが形成されたマスクを照明することによってマスクパターン像を被転写体に転写する露光装置であって、
前記マスクを洗浄するマスク洗浄部
を有し、
前記マスク洗浄部は、
前記マスクを支持するマスク支持部と、
前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部と
を含み、
前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって、前記マスクを洗浄する
露光装置。 - 前記マスク洗浄部は、前記マスクパターン像を前記被転写体に転写した後に、前記マスクを洗浄する
請求項1に記載の露光装置。 - 前記マスク洗浄部は、前記マスクパターン像を前記被転写体に転写する前に、前記マスクを洗浄する
請求項2に記載の露光装置。 - 前記マスク支持部は、前記マスクにおいて前記マスクパターンが形成されたマスクパターン形成領域にて前記マスクの第1面と前記第1面に対して反対側の第2面とのそれぞれが露出するように前記マスクを支持し、
前記ガス噴霧部は、
前記マスクの前記第1面に前記ガスを噴霧する第1噴霧ノズル部と、
前記マスクの前記第2面に前記ガスを噴霧する第2噴霧ノズル部と
を含む
請求項3に記載の露光装置。 - 前記ガス噴霧部は、前記ガスとして窒素ガスを噴霧する
請求項4に記載の露光装置。 - 前記マスクを保管するマスク保管部
を有し、
前記マスク保管部は、前記マスクへの照明において不活性なガスの雰囲気下において前記マスクを保管する
請求項5に記載の露光装置。 - 照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、
前記マスクを支持するマスク支持部と、
前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部と
を含み、
前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって前記マスクを洗浄する
マスク洗浄装置。 - 照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄方法であって、
前記マスクへの照明において不活性なガスを前記マスクへ噴射することによって前記マスクを洗浄する
マスク洗浄方法。 - 照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを保管するマスク保管方法であって、
前記マスクへの照明において不活性なガスの雰囲気下において前記マスクを保管する
マスク保管方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006062829A JP2007242863A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006062829A JP2007242863A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242863A true JP2007242863A (ja) | 2007-09-20 |
Family
ID=38588116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006062829A Pending JP2007242863A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007242863A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164464A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの異物除去方法及び異物除去装置 |
US9632437B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lithography apparatus, method for lithography and stage system |
CN111420092A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-17 | 泰山职业技术学院 | 一种用于口罩的全自动杀菌灭毒箱及其杀菌灭毒方法 |
-
2006
- 2006-03-08 JP JP2006062829A patent/JP2007242863A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164464A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの異物除去方法及び異物除去装置 |
US9632437B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lithography apparatus, method for lithography and stage system |
CN111420092A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-17 | 泰山职业技术学院 | 一种用于口罩的全自动杀菌灭毒箱及其杀菌灭毒方法 |
CN111420092B (zh) * | 2020-04-08 | 2021-02-19 | 泰山职业技术学院 | 一种用于口罩的全自动杀菌灭毒箱及其杀菌灭毒方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5029611B2 (ja) | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2009094541A (ja) | 基板搬送装置、基板搬送方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2005166970A (ja) | 処理システム、当該処理システムを有する露光装置 | |
JP2006156974A (ja) | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007281441A (ja) | 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2002373852A (ja) | 露光装置 | |
WO2008069211A1 (ja) | 洗浄用液体、洗浄方法、液体発生装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2007242863A (ja) | 露光装置,マスク洗浄装置,マスク洗浄方法,マスク保管方法 | |
US20030155077A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2006024715A (ja) | リソグラフィー装置およびパターン形成方法 | |
KR20070038706A (ko) | 레티클 세정 장치 및 이를 갖는 기판 노광 장치 | |
JP2009016422A (ja) | クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 | |
JP2010021370A (ja) | 液浸露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP4125205B2 (ja) | エッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置 | |
KR100783730B1 (ko) | 포토마스크 건식세정장치 및 건식세정방법 | |
JP6828329B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5012393B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
WO2002093626A1 (fr) | Procede et dispositif d'alignement, procede et systeme d'acheminement de substrat | |
WO2002067303A1 (fr) | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition et procede de production du dispositif | |
JP7028285B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2024007657A (ja) | 異物除去装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 | |
JP2000098589A (ja) | レチクル異物検査装置、レチクル異物検査機能を有する露光装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2017069426A (ja) | 異物除去装置及び異物除去方法 | |
JP2005183656A (ja) | 露光装置 | |
KR20050063439A (ko) | 레티클 관리 방법 및 시스템 |