KR20050063439A - 레티클 관리 방법 및 시스템 - Google Patents
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Abstract
반도체 기판에 대한 노광 공정에 사용되는 레티클을 효율적으로 관리하는 방법 및 시스템이 개시되어 있다. 노광 장치와 연결된 연산기는 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈를 연산하고, 비교기는 상기 누적 도즈와 기 설정된 기준 도즈를 비교한다. 상기 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우, 제어기는 상기 노광 공정을 중단시키며, 상기 레티클 표면에 누적된 오염물은 세정 공정을 통해 제거된다. 따라서, 레티클 표면에서 조명광의 에너지에 의해 발생되는 헤이즈 오염의 발생 가능성을 낮출 수 있으며, 상기 헤이즈 오염에 의해 발생되는 포토레지스트 패턴의 특정 저하를 미연에 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치를 제조하기 위한 포토리소그래피 공정에서 사용되는 레티클 관리 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정에 사용되는 레티클을 효율적으로 관리하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 이온들을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 세정된 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 공정과, 상기 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 조성물 층을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 포토레지스트 막을 형성하기 위하여 상기 포토레지스트 조성물 층을 경화시키는 베이크 공정과, 레티클 패턴을 상기 포토레지스트 막으로 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 전사된 레티클 패턴을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 현상 공정을 포함한다.
미합중국 특허 제6,538,719호(issued to Takahashi et al.)에 따르면, 상기 노광 공정을 수행하기 위한 노광 장치는 광원(light source)과, 조명광으로 레티클을 조명하기 위한 조명 유닛(illumination unit)과, 레티클을 지지하기 위한 레티클 스테이지, 레티클을 통과한 조명광을 반도체 기판 상으로 투영하는 투영 광학 시스템(projection optical system)과, 반도체 기판을 지지하기 위한 기판 스테이지 등을 포함한다.
상기 레티클 패턴은 상기 반도체 기판 상에 형성하고자 하는 포토레지스트 패턴과 대응하며, 조명 유닛으로부터 조사된 조명광에 의해 반도체 기판 상으로 전사된다. 최근, 반도체 장치의 고집적화에 따라 248nm, 193nm, 157nm와 같이 단파장을 갖는 조명광이 상기 노광 공정에 사용되고 있다.
상기 조명광은 상기 레티클 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질의 광반응을 유발시키며, 상기 광반응에 의해 레티클의 표면에서 헤이즈 오염(haze contamination)이 발생된다. 상기 헤이즈 오염의 예로는 레티클 표면에 형성되는 표면 분자상 오염(Surface Molecular Contamination; SMC), 암모늄 설페이트(ammonium sulfate)가 있다. 상기와 같은 레티클의 헤이즈 오염은 레티클의 투과율을 저하시키고, 포토레지스트 패턴의 임계 치수(critical dimension; CD) 불량, 패턴 브리지 현상 등과 같은 공정 불량을 유발시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은 반도체 기판에 대한 노광 공정에 사용되는 레티클의 관리를 효율적으로 수행하기 위한 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제2목적은 상술한 바와 같은 레티클 관리 방법을 수행하는데 적합한 시스템을 제공하는데 있다.
상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명은, 다수의 반도체 기판들에 대한 노광 공정을 기 설정된 레시피에 따라 수행하는 단계와, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈(accumulated dose)를 연산하는 단계와, 상기 연산된 누적 도즈와 기 설정된 기준 도즈를 비교하는 단계와, 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우 상기 노광 공정을 중단시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법을 제공한다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 기판들에 대한 노광 공정을 수행하기 위한 노광 장치와 연결되며, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 노광 공정에 사용되는 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈를 연산하기 위한 연산기와, 상기 연산기에 의해 연산된 누적 도즈와 기 설정된 기준 도즈를 비교하기 위한 비교기와, 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우 상기 노광 공정을 중단시키기 위한 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 누적 도즈는 하기하는 수학식 1에 의해 산출될 수 있다.
[수학식 1]
D = E × Sr × Nw ---- [1]
여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 Sr은 상기 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들의 수량이고, N은 상기 레티클을 이용하여 처리된 반도체 기판들의 수량이다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 누적 도즈는 하기하는 수학식 2에 의해 산출될 수 있다.
[수학식 2]
D = E × St ---- [2]
여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 St는 상기 레티클을 이용하여 처리된 샷 영역들의 수량이다.
상기 레티클의 표면에서 발생되는 헤이즈 오염은 레티클 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질들의 광화학반응에 의해 형성되므로, 상기 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈에 따라 상기 레티클을 관리하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우, 세정액을 이용하여 상기 레티클을 세정하므로, 효과적인 레티클 관리가 이루어질 수 있다. 또한, 상기 연산된 누적 도즈와 상기 기준 도즈 사이의 비교 결과에 따라 상기 노광 공정을 제어함으로써 상기 헤이즈 오염에 의해 발생될 수 있는 포토레지스트 패턴의 특성 저하를 미연에 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클 관리 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 상기 레티클 관리 방법을 수행하기 위한 레티클 관리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 도 3은 반도체 기판을 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 노광 장치(10)는 광원(12)과, 광원(12)으로부터 생성된 조명광으로 레티클(R)을 조명하기 위한 조명 유닛(14), 레티클(R)을 지지하기 위한 마스크 파지 부재로 사용되는 레티클 스테이지(16), 상기 레티클(R)을 통과한 조명광을 반도체 기판(W)으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상으로 투영하는 투영 광학 시스템(18), 상기 반도체 기판(W)을 지지하기 위한 기판 스테이지(20), 상기 레티클 스테이지(16)와 투영 광학 시스템(18)을 지지하기 위한 주 컬럼(22, main column), 및 상기 기판 스테이지(20)를 지지하기 위한 스테이지 지지베드(24, supporting bed)를 포함한다.
상기 광원(12)으로는 엑시머 레이저 빔을 방출하는 엑시머 레이저가 사용될 수 있다. 예를 들면, 248nm의 파장을 갖는 불화크립톤(KrF) 레이저 빔을 방출하는 불화크립톤 레이저, 193nm의 파장을 갖는 불화아르곤(ArF) 레이저 빔을 방출하는 불화아르곤 레이저, 157nm의 파장을 갖는 플로린(F2) 레이저 빔을 방출하는 플로린 레이저 등이 광원(12)으로 사용될 수 있다.
상기 광원(12)은 빔 매칭 유닛(26, beam matching unit; BMU)을 통해 조명 유닛(14)과 연결된다. 상기 조명 유닛(14)은, 외부 공기로부터 내부를 밀봉하기 위한 조명 시스템 하우징(14A, illumination system housing), 가변 빔 감쇠기(14B, variable beam attenuator), 빔 형상 최적화 시스템(14C, beam shaping optical system), 제1플라이 아이 렌즈 시스템(14D, first fly-eye lens system), 진동 미러(14E, vibrating mirror), 콘덴서 렌즈(14F, condenser lens), 제1미러(14G, first mirror), 제2플라이 아이 렌즈 시스템(14H, second fly-eye lens system), 애퍼처 스톱 플레이트(14J, aperture stop plate), 빔 스플리터(14K, beam splitter), 제1릴레이 렌즈(14L, first relay lens), 레티클 블라인드 기구(14M, reticle blind mechanism), 제2릴레이 렌즈(14N, second relay lens), 제2미러(14P, second mirror), 주 콘덴서 렌즈 시스템(14Q, main condenser lens system) 등을 포함한다.
상기 레티클 스테이지(16)는 주 컬럼(22)의 상부에 수평 방향으로 고정된 레티클 베이스 지지베드(reticle base supporting bed) 상에 배치되며, 상기 레티클(R)의 표면에 형성된 레티클 패턴을 반도체 기판(W)으로 전사하기 위해 수평 방향으로 이동된다. 또한, 상기 기판 스테이지(20)는 상기 조명광을 이용한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클(R)을 통과한 조명광이 상기 반도체 기판(W)의 표면을 스캔하도록 상기 레티클 스테이지(16)의 이동 방향과 반대 방향으로 이동된다.
상기와 같은 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 이미 공지된 기술(US Patent No. 6,538,719)이므로 생략하기로 한다.
상기 반도체 기판(W) 상에는 다수의 샷 영역들(Ws)이 설정되어 있으며, 상기 샷 영역들(Ws)은 반도체 장치의 종류에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
상기 레티클 관리 시스템(100)은 상기 노광 장치(10)의 주 제어기(30)와 연결된다. 상기 주 제어기(30)는 기 설정된 레시피에 따라 다수의 반도체 기판들(W)에 대한 노광 공정을 순차적으로 수행한다. 상기 레시피는 상기 반도체 기판(W) 상에 설정된 샷 영역들(Ws)의 위치와 수량, 각각의 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정을 수행하는데 소요되는 공정 시간, 상기 각각의 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클(R)에 조사되는 조명광의 에너지 등과 같은 데이터를 포함한다. 상기 레시피는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된다.
상기 레티클 관리 시스템(100)은 상기 주 제어기(30)와 연결되는 연산기(120)와, 상기 연산기(120)와 연결되는 비교기(130)와, 상기 주 제어기(30) 및 비교기(130)와 연결되는 관리 제어기(140, management controller)를 포함한다.
상기 연산기(120)는 주 제어기(30)로부터 수신된 노광 공정의 수행에 관한 데이터와 데이터 저장 유닛(110)에 저장된 데이터를 이용하여 상기 레티클(R)에 조사된 조명광의 누적 도즈를 연산한다. 상기 조명광의 누적 도즈는 상기 다수의 샷 영역들(Ws)에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클(R)에 조사된 조명광의 전체 에너지를 의미한다.
상기 조명광의 누적 도즈는 하기하는 수학식 1에 의해 산출될 수 있다.
[수학식 1]
D = E × Sr × Nw ---- [1]
여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈(mJ/㎠)이고, 상기 E는 반도체 기판(W) 상에 설정된 샷 영역들(Ws) 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클(R)에 조사되는 조명광의 에너지(mJ/㎠)이고, 상기 Sr은 상기 반도체 기판(W) 상에 설정된 샷 영역들(Ws)의 수량이고, N은 상기 레티클(R)을 이용하여 처리된 반도체 기판들(W)의 수량이다.
상기 주 제어기(30)는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된 레시피에 따라 상기 노광 공정을 수행하며, 상기 노광 공정의 수행 상태는 상기 데이터 저장 유닛(110)에 저장되며, 또한 연산기(120)로 전송된다.
상기 비교기(130)는 상기 연산기(120)에 의해 연산된 누적 도즈와 상기 데이터 저장 유닛(110)에 저장된 기 설정된 기준 도즈를 비교하고, 상기 관리 제어기(140)는 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우 상기 노광 공정을 중단시킨다.
상기 수학식 1을 이용하여 노광 공정에 사용되는 레티클(R)을 관리하는 방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
레티클 스테이지(16) 상으로 레티클(R)을 로딩한다.(단계 S100)
웨이퍼 스테이지(20) 상으로 반도체 기판(W)을 로딩한다.(단계 S110) 이때, 상기 웨이퍼 스테이지(20) 상에 지지된 반도체 기판(W)의 번호는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된다.
주 제어기(30)는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된 레시피에 따라 반도체 기판(W) 상에 설정된 샷 영역들(Ws)에 대한 노광 공정이 상기 노광 장치(10)에 의해 순차적으로 수행되도록 상기 노광 장치(10)의 동작을 제어한다(단계 S120).
상기 반도체 기판(W)의 샷 영역들(Ws)에 대한 노광 공정이 종료된 후, 상기 연산기(120)는 상기 수학식 1에 따라 상기 누적 도즈를 연산한다.(단계 S130)
상기 연산된 누적 도즈는 상기 데이터 저장 유닛(110)에 저장된다.(단계 S140)
비교기(130)는 상기 연산된 누적 도즈와 상기 기준 도즈를 비교한다.(단계 S150)
관리 제어기(140)는 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우, 상기 노광 공정을 중단시킨다. 상기와 같은 경우, 레티클(R)의 표면에 헤이즈 오염의 발생 가능성이 증가되므로, 관리 제어기(140)는 상기 레티클(R)을 세정하기 위해 상기 노광 공정을 중단시킨다.(단계 S160)
디스플레이 유닛(150)은 상기 연산된 누적 도즈와, 상기 기준 도즈 및 그들 사이의 차이값을 디스플레이한다.(단계 S170)
상기 레티클의 재사용을 위한 세정 공정이 수행된다.(단계 S180)
상기 세정된 레티클에 대한 검사 공정이 수행된다.(단계 S190) 상기 세정 공정에는 상기 레티클 상에 형성된 오염 물질을 제거하기 위한 세정액이 사용될 수 있으며, 상기 검사 공정에서는 상기 세정된 레티클의 투과율, 레티클 패턴의 상태 등과 같은 레티클의 특성이 검사된다.
상기 레티클에 대한 데이터는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된다.
이와 반대로, 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈보다 작은 경우, 연산된 누적 도즈는 데이터 저장 유닛(110)에 저장되며, 상기 주 제어기(30)는 후속하는 반도체 기판(W)에 대한 노광 공정을 수행한다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 레티클(R)의 오염을 효과적으로 관리할 수 있다. 즉, 레티클(R) 표면에 헤이즈 오염이 발생되기 전에 상기 누적 도즈를 이용하여 레티클(R)을 세정하므로 헤이즈 오염에 따른 노광 공정의 불량을 미연에 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레티클 관리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 누적 도즈는 하기하는 수학식 2에 의해 산출될 수 있다.
[수학식 2]
D = E × St ---- [2]
여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판(W) 상에 설정된 샷 영역들(Ws) 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클(R)에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 St는 상기 레티클(R)을 이용하여 처리된 샷 영역들(Ws)의 수량이다.
상기 수학식 2를 이용하여 노광 공정에 사용되는 레티클(R)을 관리하는 방법에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
레티클 스테이지(16) 상으로 레티클(R)을 로딩한다.(단계 S200)
웨이퍼 스테이지(20) 상으로 반도체 기판(W)을 로딩한다.(단계 S210)
주 제어기(30)는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된 레시피에 따라 반도체 기판(W) 상에 설정된 샷 영역들(Ws) 중 하나를 선택하고, 선택된 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정이 상기 노광 장치(10)에 의해 수행되도록 상기 노광 장치(10)의 동작을 제어한다.(단계 S220)
상기 선택된 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정이 종료된 후, 상기 연산기(120)는 상기 수학식 2에 따라 상기 누적 도즈를 연산한다.(단계 S230)
연산된 누적 도즈는 데이터 저장 유닛(110)에 저장된다.(단계 S240)
비교기(130)는 상기 연산된 누적 도즈와 상기 기준 도즈를 비교한다.(단계 S250)
관리 제어기(140)는 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우, 상기 레티클(R)을 세정하기 위해 상기 노광 공정을 중단시킨다.(단계 S260)
상기 연산된 누적 도즈, 기준 도즈 및 그들 사이의 차이값은 디스플레이 유닛(150)에 의해 디스플레이된다.(단계 S270)
상기 레티클은 세정 공정을 통해 세정되며(단계 S280), 세정된 레티클은 검사 공정을 통해 검사된다.(단계 S290)
이와 반대로, 상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈보다 작은 경우, 상기 주 제어부(30)는 후속하는 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정을 수행한다.
상기 수학식 1을 이용하여 레티클을 관리하는 방법에 따르면, 상기 반도체 기판(W)의 샷 영역들(Ws)에 대한 노광이 모두 종료된 후 누적 도즈를 연산하고, 연산된 누적 도즈에 따라 레티클(R)을 관리한다. 그러나, 상기 수학식 2를 이용하여 레티클(R)을 관리하는 방법에 따르면, 반도체 기판(W) 상에 설정된 각각의 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정이 종료된 후 누적 도즈를 연산하고, 연산된 누적 도즈에 따라 레티클(R)을 관리한다. 즉, 수학식 1을 이용하는 레티클 관리 방법은 각각의 반도체 기판(W)에 대한 노광 공정이 종료된 후에 수행되며, 수학식 2를 이용하는 레티클 관리 방법은 각각의 샷 영역(Ws)에 대한 노광 공정이 종료된 후에 수행된다.
상기 수학식 1을 이용하는 레티클 관리 방법은 노광 공정의 단위 시간당 처리량(throughput)을 향상시킬 수 있으며, 상기 수학식 2를 이용하는 레티클 관리 방법은 헤이즈 오염 발생 가능성을 낮출 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 기판(들)에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈를 연산하고, 연산된 누적 도즈에 따라 레티클을 교환하므로 헤이즈 오염의 발생 가능성을 낮출 수 있으며, 상기 헤이즈 오염에 따른 포토레지스트 패턴의 특성 저하를 미연에 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클 관리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 상기 레티클 관리 방법을 수행하기 위한 레티클 관리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 반도체 기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레티클 관리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 노광 장치 12 : 광원
14 : 조명 유닛 16 : 레티클 스테이지
18 : 투영 광학 시스템 20 : 기판 스테이지
22 : 주 컬럼 24 : 스테이지 지지베드
30 : 주 제어기 100 : 레티클 관리 시스템
110 : 데이터 저장 유닛 120 : 연산기
130 : 비교기 140 : 관리 제어기
150 : 디스플레이 유닛 W : 반도체 기판
Ws : 샷 영역 R : 레티클
Claims (11)
- 다수의 반도체 기판들에 대한 노광 공정을 기 설정된 레시피에 따라 수행하는 단계;상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈(accumulated dose)를 연산하는 단계;상기 연산된 누적 도즈와 기 설정된 기준 도즈를 비교하는 단계; 및상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우 상기 노광 공정을 중단시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 누적 도즈는 하기 수학식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법.D = E × Sr × Nw(여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 Sr은 상기 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들의 수량이고, N은 상기 레티클을 이용하여 처리된 반도체 기판들의 수량이다)
- 제1항에 있어서, 상기 누적 도즈는 하기 수학식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법.D = E × St(여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 St는 상기 레티클을 이용하여 처리된 샷 영역들의 수량이다)
- 제1항에 있어서, 상기 연산된 누적 도즈를 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 연산된 누적 도즈를 디스플레이하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노광 공정을 중단시킨 후 상기 레티클을 세정하는 단계 및 세정된 레티클을 검사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 방법.
- 반도체 기판들에 대한 노광 공정을 수행하기 위한 노광 장치와 연결되며, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 노광 공정에 사용되는 레티클에 조사된 조명광의 누적 도즈를 연산하기 위한 연산기;상기 연산기에 의해 연산된 누적 도즈와 기 설정된 기준 도즈를 비교하기 위한 비교기; 및상기 연산된 누적 도즈가 상기 기준 도즈와 같거나 큰 경우 상기 노광 공정을 중단시키기 위한 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 누적 도즈는 하기 수학식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 시스템.D = E × Sr × Nw(여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 Sr은 상기 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들의 수량이고, N은 상기 레티클을 이용하여 처리된 반도체 기판들의 수량이다)
- 제7항에 있어서, 상기 누적 도즈는 하기 수학식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 시스템.D = E × St(여기서, 상기 D는 상기 누적 도즈이고, 상기 E는 반도체 기판 상에 설정된 샷 영역들 중 하나에 대한 노광 공정을 수행하는 동안 상기 레티클에 조사되는 조명광의 에너지이고, 상기 St는 상기 레티클을 이용하여 처리된 샷 영역들의 수량이다)
- 제7항에 있어서, 상기 연산된 누적 도즈를 저장하기 위한 데이터 저장 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 연산된 누적 도즈를 디스플레이하기 위한 디스플레이 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 관리 시스템.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030094844A KR20050063439A (ko) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 레티클 관리 방법 및 시스템 |
| US11/017,783 US7161660B2 (en) | 2003-12-22 | 2004-12-22 | Photolithography system and method of monitoring the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030094844A KR20050063439A (ko) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 레티클 관리 방법 및 시스템 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050063439A true KR20050063439A (ko) | 2005-06-28 |
Family
ID=34675924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030094844A KR20050063439A (ko) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 레티클 관리 방법 및 시스템 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7161660B2 (ko) |
| KR (1) | KR20050063439A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719941B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2007-05-18 | 주식회사 피케이엘 | 포토마스크 표면의 헤이즈 측정장치 및 그 측정방법 |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080028360A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Picciotto Carl E | Methods and systems for performing lithography, methods for aligning objects relative to one another, and nanoimprinting molds having non-marking alignment features |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1999-10-06 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| JPH05326359A (ja) | 1991-11-12 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | レチクル管理システム |
| JP2919192B2 (ja) | 1992-09-04 | 1999-07-12 | 山口日本電気株式会社 | レチクル洗浄装置 |
| KR100190026B1 (ko) | 1996-03-12 | 1999-06-01 | 윤종용 | 레티클 전산관리 방법 |
| EP1143492A4 (en) | 1998-09-03 | 2004-06-02 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAID APPARATUS |
| JP2002353109A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、露光方法及び半導体デバイス製造方法 |
-
2003
- 2003-12-22 KR KR1020030094844A patent/KR20050063439A/ko not_active Application Discontinuation
-
2004
- 2004-12-22 US US11/017,783 patent/US7161660B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050134823A1 (en) | 2005-06-23 |
| US7161660B2 (en) | 2007-01-09 |
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