JP2006332659A - リソグラフィ特性向上 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の特性均一性を改善するように構成された方法、コンピュータ・プログラム製品、および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、改善方法は、リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、この修正データが、基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、修正データをサーマル・プレートが利用できるようにするステップとを含む。
【選択図】図４

Description

本発明は、一般に、リソグラフィ・システムおよびリソグラフィ露光方法に関する。

リソグラフィ露光装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ露光装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その場合、パターン形成デバイス（またはマスク、あるいはレチクルとも呼ばれる）を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射線感光材料の層（レジスト）を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つまたは複数のダイの一部を有する）ターゲット部分に結像（イメージング）することができる。一般に、単一の基板には網の目状に隣接するターゲット部分が含まれ、これらターゲット部分が連続的に露光される。既知のリソグラフィ露光装置は、ターゲット部分に全パターンを一度に露光することによって各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパと、投影ビームによって所与の方向（「走査」方向）でパターンを走査し、それと同時に、この方向と平行または逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナとを含む。

使用するツールにかかわらず、基板は、露光プロセス前に様々なプロセスに供される場合がある。例えば上で示したように、基板は通常、露光前にレジストで処理される。また露光前に、基板は、洗浄、エッチング、イオン注入（例えばドーピング）、金属被覆、酸化、化学機械研磨、プライミング、レジスト・コーティング、ソフト・ベーキング・プロセス、および測定プロセスに供される場合がある。

また基板は、例えば露光後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーキング、エッチング、イオン注入（例えばドーピング）、金属被覆、酸化、化学機械研磨、洗浄、および測定プロセスなど、多数の露光後プロセスに供される場合もある。さらに、通常そうであるように複数の層が必要とされる場合には、手順全体またはその変形態様が、新たな各層に関して繰り返されなければならない。

これらの露光前および露光後プロセスは通常、それらのそれぞれの目的のために設計されたステーションまたはモジュールによって行われる。基板は、典型的には事前定義された順序でこれらの処理モジュールおよびリソグラフィ露光装置に供される。この構成では、基板は、特定の処理モジュールによってサービスされるように事前指定された処理経路を通り、これは追跡することができる。処理経路は、監視し、記録し、制御して、特定の経路に限定することができる。

リソグラフィ・システム１００を図式的に示す図１Ａに示されるように、基板トラック装置１０４が、リソグラフィ露光装置１０２を多数の事前処理モジュール１０４、１０６および露光後処理モジュール１０４、１０８と相互接続している。露光前および露光後処理モジュール１０４、１０６、１０８は、基板トラック１０４の外部および／または内部にある装置とすることができる。これらの処理装置間の基板の移送に対処するために、基板トラック１０４は、リソグラフィ露光装置１０２、事前処理装置１０６、および事後処理装置１０８へと、およびそれらの装置から基板を搬送するように構成されたインターフェース・セクションおよび装置を含むことができ、さらに、基板トラック１０４の内部にある様々な処理モジュール間で基板を移動するための搬送装置を含むことができる。典型的には、基板トラックの外部にある装置１０６によって行われる露光前プロセスは、例えば洗浄、エッチング、イオン注入（例えばドーピング）、金属被覆、酸化、化学機械研磨、および測定を含む場合がある。典型的には、基板トラック１０４の内部にある装置によって行われる露光前プロセスは、例えば基板供給、レジスト・コーティング、測定、およびソフト・ベーキングを含む場合がある。典型的には、基板トラック１０４の内部にある装置によって行われる露光後プロセスは、例えば露光後ベーキング（ＰＥＤ）、ハード・ベーキング、および測定を含む場合がある。典型的には、基板トラックの外部にある装置１０８によって行われる露光後プロセスは、例えば洗浄、エッチング、イオン注入（例えばドーピング）、金属被覆、酸化、化学機械研磨、および測定を含む場合がある。

良好な基板の製造を容易にするために、基板のターゲット領域に露光されるパターンのフィーチャおよびプロファイルは、できるだけ正確に再現される。この目的のために、基板上の露光フィーチャの１つまたは複数の特性が典型的には特定されて、パターンのフィーチャおよびプロファイルを特徴付け、品質および／または均一性のベンチマーク・レベルを確立する。特性（ａｔｔｒｉｂｕｔｅ）は、例えば、フィーチャ間のギャップ、ホールおよび／またはポストのＸおよび／またはＹ直径、ホールおよび／またはポストの楕円率、フィーチャの面積、フィーチャ側壁角度、フィーチャの上部での幅、フィーチャの中央での幅、フィーチャの下部での幅、およびライン・エッジ・ラフネスを含む場合がある。

しかし、特性均一性に影響を及ぼす可能性、および／または露光パターンの品質を損なう可能性があるリソグラフィ製造プロセス中の多くの活動が存在する。例えば露光後ベーキング（ＰＥＢ）処理モジュールなど、基板トラックに沿って基板をサービスおよび処理する露光前および露光後プロセスでさえ、特性均一性の変動の一因となる場合がある。そのような変動は、ターゲット領域にわたって、基板にわたって、および基板間で生じる場合があり、最終的には歩留まりの損失をもたらす。

したがって、例えば基板の特性均一性を改善するための１つまたは複数の方法、コンピュータ・プログラム製品、および／または装置を提供することが有利である。

本発明の１つの観点によれば、基板の特性均一性を改善する方法であって、
リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、修正データが、基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
修正データをサーマル・プレートが利用できるようにするステップと
を含む方法が提供される。

本発明の別の観点によれば、コンピュータによって実行されると基板の特性均一性を改善する方法を実施させる命令がコード化されたコンピュータ可読プログラム製品であって、この方法が、
リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、修正データが、基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
修正データをサーマル・プレートが利用できるようにするステップと
を含んでいるコンピュータ可読プログラム製品が提供される。

本発明の別の観点によれば、
基板を加熱または冷却するように構成された、複数の区域を有するサーマル・プレートと、
基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算し、この修正データに基づいて複数の区域の１つの区域によって生成される温度を制御するように構成された制御装置であって、修正データが、基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されている制御装置と
を有するサーマル・プレート・システムが提供される。

本発明のさらなる観点によれば、
パターン形成された放射線のビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
基板を保持するように構成された基板ホルダと、
基板を加熱または冷却するように構成された、複数の区域を有するサーマル・プレートと、
基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算し、この修正データに基づいて複数の区域の１つの区域によって生成される温度を制御するように構成された制御装置であって、修正データが、基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されている制御装置と
を有するリソグラフィ装置が提供される。

次に、本発明の実施例を、単に例として、添付の概略図面を参照して説明する。図面中、対応する参照符号は対応する部分を示す。

図１に、本発明の一実施例によるリソグラフィ・システム１００を図式的に示す。システム１００は、基板上にパターンを露光するように構成されたリソグラフィ露光装置１０２と、基板トラックの内部か外部にある様々な露光前および露光後処理モジュールの間で基板を搬送するように構成された基板トラック１０４とを有する。

図２は、リソグラフィ露光装置１０２の一実施例のより詳細な概略図を提供する。リソグラフィ露光装置１０２は、
放射線（例えばＵＶ放射線）のビームＰＢを調整するようになされた照明システム（照明器）ＩＬと、
パターン形成デバイス（例えばマスク）ＭＡを保持するように構築された支持構造であって、要素ＰＬに対してパターン形成デバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブルであって、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン形成デバイスＭＡによってビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを備える）に結像するようになされた投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬと
を有している。

描写されているように、このリソグラフィ露光装置は（例えば透過性マスクを採用した）透過型である。別法として、リソグラフィ露光装置は（例えば、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを採用した）反射型であってもよい。

照明器ＩＬが放射線源ＳＯから放射線のビームを受ける。例えば放射線源がエキシマ・レーザであるとき、放射線源とリソグラフィ露光装置とを別個の実体とすることができる。そのような場合、放射線源はリソグラフィ露光装置の一部を成すものとはみなされず、放射線ビームは、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビーム・エキスパンダを有するビーム送達システムＢＤを用いて、放射線源ＳＯから照明器ＩＬに進められる。他の場合には、例えば放射線源が水銀ランプであるときには、放射線源をリソグラフィ露光装置の一部とすることができる。放射線源ＳＯと照明器ＩＬを、必要であればビーム送達システムＢＤと合わせて、放射線システムと呼ぶ場合もある。

照明器ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するための調節デバイスＡＭを有していてもよい。一般に、照明器のひとみ面での強度分布の少なくとも外側および／または内側ラジアル範囲（通常、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明器ＩＬは一般に積分器（インテグレータ）ＩＮや集光器（コンデンサ）ＣＯなど様々な他の構成要素を有する。照明器は、断面で所望の一様性および強度分布を有する調整された放射線のビーム（投影ビームＰＢと呼ぶ）を提供する。

投影ビームＰＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたパターン形成デバイスＭＡに入射する。パターン形成デバイスＭＡを通った後、投影ビームＰＢは投影システムＰＬを通過し、投影システムＰＬが、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）を用いて、例えばビームＰＢの経路内に別個のターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、パターン形成デバイスＭＡを、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後に、または走査中に、ビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭおよびＰＷの一方または両方の一部を成す長行程モジュール（粗い位置決め）および短行程モジュール（精密な位置決め）を用いて実現される。しかし、（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、支持構造ＭＴを短行程アクチュエータのみに接続してもよく、あるいは固定してもよい。パターン形成デバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターン形成デバイス・アラインメント・マークＭ１、Ｍ２および基板アラインメント・マークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

図示したリソグラフィ露光装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。

（１）ステップ・モードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止して保たれ、投影ビームに与えられた全パターンがターゲット部分Ｃに一度に投影される（すなわち、ただ１回の静的露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、ただ１回の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

（２）走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に支持構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期して走査される（すなわち、ただ１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズが、ただ１回の動的露光におけるターゲット部分の（非走査方向での）幅を制限し、走査運動の長さが、ターゲット部分の（走査方向での）高さを決定する。

（３）他のモードでは、支持構造ＭＴが、プログラム可能パターン形成デバイスを保持して本質的に静止して保たれ、投影ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードでは、通常はパルス放射線源が採用され、プログラム可能パターン形成デバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後または走査中に、連続する放射線パルスの合間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどプログラム可能パターン形成デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。

上述した使用モードの組合せおよび／または変形態様、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。

上に述べたように、基板を扱うプロセスが、１つまたは複数のリソグラフィ特性の値の変動の一因となる場合があり、これは、露光されるパターンの品質および性能に悪影響を及ぼす可能性がある。そのような不均一性は、ターゲット領域にわたって、基板にわたって、および基板間で生じる場合がある。さらに、これらの不均一性は、基板が通る特定の経路やスケジューリング異常など様々な因子に応じて変わることもある。以下でより詳細に述べるように、本発明の一実施例は、これらの不均一性を低減して許容できる特性均一性レベルを提供することができる特性向上プロセスを企図している。そのようなプロセスは、リソグラフィ・システムに関する情報、例えば基板トラック処理データ、計測データ、および／または基板履歴データを活用して、最適な修正データに到達し、または最適な修正データを維持して、全体の特性均一性能を改善する。

一実施例では、ベーキング・プレート、チル・プレート、またはそれらの組み合せなどのサーマル・プレートがそのような不均一性を引き起こす場合があるが、しかしまた、以下にさらに述べるように、それらのサーマル・プレートを使用して特性均一性を改善することもできる。現行システムでは、サーマル・プレートは通常、プレートにわたっての温度均一性がサーマル・プレートの仕様内にあることを検証するために設置時に１つまたは複数の温度センサを使用して較正される。しかしこの較正はサーマル・プレートの性能の間接的な度合（ｍｅａｓｕｒｅ）である。すなわちこの較正は、サーマル・プレートの仕様を超えてサーマル・プレートにわたる温度均一性を改善するため、またはサーマル・プレートにわたる温度均一性を実現するという試みを超えて基板特性均一性を改善するためには使用されない。さらに、この較正は単一時点で行われ、サーマル・プレートにわたる温度均一性は、時間にわたって、または使用によって変化する場合がある。実際、いくつかの状況では、全てではないにせよ大部分の基板を処理するために、リソグラフィ・システム内部の「最良の」個別サーマル・プレート（すなわち、時間および使用にわたってその均一性を維持することができる、全体にわたって良好な温度均一性を有するサーマル・プレート）を選択して、スループットの大幅な低減という犠牲を払って特性均一性を改善することができる。

上で述べたように、基板の特性不均一性は、サーマル・プレート内部での不均一性、または基板を処理するために使用される他のプロセスまたはデバイスからの不均一性から生じる場合がある。しばしば、特性不均一性は、所与の基板を処理するために使用される特定のモジュール（「経路」）に基づく再現可能な痕跡（「フィンガ・プリント」）を有する。フィンガ・プリントを識別することができることにより、フィンガ・プリントを減少するように、またはなくすように修正を加えて、特性均一性を改善することができる。一実施態様では、リソグラフィ・システム内で基板を処理するために使用される全てではないにせよ多くのサーマル・プレートの温度均一性を改善するためにそのような修正を加えることができ、したがって、基板を処理するためにただ１つの「最良の」サーマル・プレートが選択される場合よりも高いスループットでの特性均一性の改善を可能にする。

本発明の一実施例では、（１つまたは複数の）サーマル・プレートの典型的な温度測定に加えて、またはその代替として、試験フィーチャであるか製造フィーチャであるかにかかわらず、基板フィーチャの１つまたは複数の基板特性の直接的な測定値が得られて使用されて、１つまたは複数のサーマル・プレートの性能を最適化する。特に、１つまたは複数の特性の測定値が評価され、（１つまたは複数の）サーマル・プレート内部でなされる修正を決定して、（１つまたは複数の）サーマル・プレートにわたる温度均一性を改善し、または（１つまたは複数の）サーマル・プレートにわたる温度変動を実施して、各場合に特性均一性を改善または制御する。修正を実施するために、サーマル・プレート内部の１つまたは複数の温度区域が制御される。

典型的なサーマル・プレートは、複数の温度（加熱および／または冷却）区域から構成され、それらは、サーマル・プレート制御装置によってオン・オフを繰り返される。これらの区域は時として要素と呼ばれ、本明細書での用語「区域」は、用語「要素」と同義と考えられるものとする。したがってサーマル・プレートは、区域により、サーマル・プレートの表面にわたって異なる温度を有することがある。しかし、制御装置が、これらの各区域に対するオフセットの入力を可能にする。したがって、例えば上述した較正中に１つまたは複数の区域を所望の温度に到達しないように決定することができ、それにより１つまたは複数の区域にオフセットを加えて、基板全体にわたる温度均一性を改善することができる。サーマル・プレート制御装置内部で個々の区域の新たなオフセットを加えること、または既存のオフセットを調節（増加または減少）することによって、上述した修正を実施することができ、サーマル・プレートの温度均一性を改善し、またはサーマル・プレートにわたる温度の変動を実施して、それぞれの場合に特性均一性を改善または制御する。その結果、リソグラフィ・システム内部のプロセスまたは装置によって引き起こされる特性不均一性は、サーマル・プレートの温度均一性を調節することによって補償することができる。

一実施例では、以下でより詳細に述べるように、特性均一性改善方法が自動化され、リアルタイムで、またはほぼリアルタイムで動作して、以前に露光された基板から得られる特性データに基づいて１つまたは複数のサーマル・プレートの区域オフセットが更新および／または維持される。そのような特性データは、トラックおよび／またはリソグラフィ露光装置の外部にある１つまたは複数の計測ツールから得ることができ、あるいは有利には、トラックおよび／またはリソグラフィ露光装置内に実装された１つまたは複数の測定システムから得ることができる。本明細書で論じる、修正される１つまたは複数のサーマル・プレートは、典型的には基板トラック内部に位置付けられるが、追加としてまたは別法として、本発明の実施例をリソグラフィ露光装置内部の、またはトラックおよびリソグラフィ露光装置外部の１つまたは複数のサーマル・プレートに実装することもできる。一実施例では、本明細書に参照として全体を組み込む２００５年３月２９日に発行された米国特許第６８７３９３８号明細書に記載されているような拡張露光技法、およびＡＳＭＬのＤｏｓｅ Ｍａｐｐｅｒソフトウェア製品で提供される線量マップ（ｄｏｓｅ ｍａｐｐｉｎｇ）技法など、特性均一性を改善するために使用される他の技法に加えて、またはそれらの代替として、サーマル・プレート修正方法を適用することができる。

図３に、本発明の一実施例に従って構成されて動作する基板特性向上プロセス２００の全般的な発明概念を概略的に示す。図３に示されるように、向上プロセス２００は、手順タスクＢ２０２から始まり、このタスクＢ２０２は、リソグラフィ露光装置１０２によって、既存の区域オフセットを有するサーマル・プレートを使用するプロセスで基板を露光する。基板には基板処理および構成情報が関連付けられていてもよく、その情報は、露光前基板測定データ、露光要件およびパラメータ、基板が通ったまたは通る経路および基板を処理したまたは処理する装置を含む場合がある基板トラック処理データ、レジスト・タイプおよび厚さなどの基板特性、並びに計測データなどである。この処理および構成情報は、区域オフセットを更新する際に使用される。例えば、経路情報は、どの（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか、示すことができる。

基板を露光した後、手順タスクＢ２０４で、露光された基板の１つまたは複数の特性の値が測定される。測定タスクＢ２０４は、例えば基板全体の平均フィーチャ・サイズ、個々のターゲット領域のサイズ、レジストの厚さ、反射防止コーティングの厚さ、フィーチャ間のギャップ、ホールおよび／またはポストのＸおよびＹ直径、ホールおよび／またはポストの楕円率、フィーチャの面積、フィーチャ側壁角度、フィーチャの上部での幅、フィーチャの中央での幅、フィーチャの下部での幅、ライン・エッジ・ラフネスなどを含む１つまたは複数の様々な基板特性を測定して評価するように構成することができる。本明細書で使用する際、測定された特性の値は、測定された特性の実際の値を含むだけでなく、基板上での測定値の空間的な位置も含んでいてもよい。測定は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、分光エリプソメータ、反射率計、電気的な線幅測定ツール（ＥＬＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）測定ツール、電子ビーム測定ツール、原子力顕微鏡（ＡＦＭ）、散乱計、欠陥検査ツール、および／またはオーバーレイ測定ツールなど任意の適切な機器を使用して行うことができる。そのような測定機器は、露光装置内、基板トラック内、露光装置および基板トラックの外部、または前述した場所の任意の組み合せに提供することができる。

露光された基板の（１つまたは複数の）特性の測定値に基づいて、手順タスクＢ２０６が、基板の（１つまたは複数の）特性が十分に均一であるかどうか判定する。特性均一性の十分性は、特性値範囲、特性値標準偏差、および領域間の平均特性値範囲など１つまたは複数のプロファイル基準または特性に基づく場合がある。それぞれのプロファイル情報によって指定されるとき、基板が十分に均一である場合、区域オフセットまたは（以下でより詳細に論じる）区域オフセット応答への変更は必要とされない（手順タスクＢ２１２）。後続の基板は、既存の区域オフセットおよび区域オフセット応答を用いて処理される。

他方で、露光された基板が十分には均一でない場合、プロセス２００は、手順タスクＢ２０８に進み、ここで、特性均一性を改善または制御するために計算される１つまたは複数の更新区域オフセットを計算して、それを１つまたは複数の適切なサーマル・プレートに適用することによって、特性均一性の欠如を補償する。関連付けられた基板処理および構成情報をこの点で使用して、例えば、どの特定の（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか、あるいは特性均一性が更新区域オフセットに起因するかどうか、または特性均一性を更新区域オフセットによって修正することができるかどうかを判定することができる。一実施例では、更新区域オフセットは、露光される基板（または露光基板に関連付けられる基板のグループ）に関して特有であり且つ維持されている場合があり、基板（または基板のグループ）に関連付けられた基板処理および構成情報に基づいて、その基板（または基板のグループ）を処理するために使用される１つまたは複数のサーマル・プレートに適用される。別の基板（または基板のグループ）は、その独自の基板処理および構成情報に基づいた独自の更新区域オフセットを有する。

また、そのような区域オフセット計算は、区域オフセット応答（以下でより詳細に論じる）を使用していてもよい。区域オフセット応答は、（１つまたは複数の）測定された特性の値に基づいて更新することができ、同じ基板または後続の基板に関する修正区域オフセットの後続の計算を改善する。さらに、他の基板処理ステップまたは装置に修正を加えることができる。例えば、上で論じたように、線量を再構成すること、および／または露光を拡張することができる。他の基板処理ステップまたは装置に対するこれらの修正は、更新区域オフセットから導出することができ、あるいは独立して計算することができる。

手順タスクＢ２１０で、同じ基板または後続の基板が、基板を処理するために使用される（１つまたは複数の）サーマル・プレートに適用される最終の修正区域オフセット、および／または基板特有の（例えば基板の履歴に相関された）修正区域オフセットを用いて露光される。露光後、プロセス２００は、手順タスクＢ２０４に戻り、Ｂ２１０で修正区域オフセットを用いて露光された露光基板の１つまたは複数の特性（例えば限界寸法（ＣＤ））の値を測定する。次いで、プロセス２００は、手順タスクＢ２０６を反復して基板特性均一性を判定し、十分に均一でない場合、タスクＢ２０８で更新修正区域オフセットが生成される。プロセス２００は、（１つまたは複数の）露光基板が所望の特性均一性プロファイルを実現するまで、この反復プロセスを続ける。

区域オフセットを調節することによって、プロセス２００は、最適な区域オフセットに効果的に収束して基板特性不均一性を除外し、それにより改善された特性均一性をもたらす。したがって、例えば、特に特性不均一性が複数の露光後ベーキング・プレートから生じる場合に、基板間の平均特性再現性を改善することができる。

さらに、プロセス２００は、時間による変化に関して特性均一性レベルを監視し続け、必要に応じて区域オフセット調節を計算して実施する。例えば特性均一性が所望の特性均一性からずれる場合、プロセスがこの状況を識別し、改善された区域オフセットを計算し、それらを適用して、最適な特性均一性を継続的に維持する。

一実施例では、プロセス中に集められたデータと、なされた決定とをユーザが電子的に、および／または視覚的に入手できてもよく、システムの手動または自動監視を可能にする。さらにユーザは、情報を入力し、プロセスの適用を最適化することができる。

さらに、本発明の一実施例によるシステムおよびプロセスは、既存のプロセス制御データを活用することができる。特別なツーリングは不要であってもよく、区域オフセットを手動で変更するためのソフトウェアが現在入手可能であり、これは、本明細書で述べるような自動化された区域オフセット修正を提供するように別のソフトウェア・プログラムによって修正または使用することができる。

図４は、本発明の一実施例による特定の特徴（ｆｅａｔｕｒｅ）および性状（ａｓｐｅｃｔ）を詳述する概略機能ブロック図を提供する。図４に示されるように、特性向上プロセスは、区域オフセット応答計算モジュール３１０と、区域オフセット決定モジュール３２０と、データベース３１５とを利用する。これらのモジュールは、基板特性均一性を改善または制御するために所望の修正区域オフセットを実現するように互いに協働する。モジュールは、露光装置、基板トラック、何らかの他のデバイス（例えば先進のプロセス制御ユニット）、または前述したものの任意の組み合せにソフトウェアとして実装することができる。一実施例では、モジュールは、（１つまたは複数の）サーマル・プレート用の制御装置にソフトウェアまたはハードウェアとして実装することができる。

区域オフセット応答計算モジュール３１０は、特性均一性を改善または計算するために区域オフセットを決定するのに適用される区域オフセット応答の決定に関する特徴および性状に関する。区域オフセット応答は、特性均一性の改善または制御を行うために必要とされる区域オフセットを計算するのに使用される公式および／またはデータである。例えば区域オフセット応答は、各区域に関して、その区域における単位区域オフセット変化当たりの特性の値の変化を含む場合がある。

一実施例では、既知の区域オフセットを使用してベースライン区域オフセット応答を決定するために、区域オフセット応答計算モジュール３１０によって予備計算が行われる。区域オフセット応答は、例えば、既知の履歴（例えば基板が処理された方法、どのようなレジストおよび他のコーティングが基板上に使用されるかなど）で１つまたは複数の基板を露光し、１つまたは複数のサーマル・プレートの各区域に関して異なる区域オフセットを個別に適用することによって決定される。一実施例では、１つまたは複数のサーマル・プレートは、製造リソグラフィ・システムにおけるものであり、しかし別法として、製造リソグラフィ・システムで使用されるものと異なり、しかし実質的に同様のサーマル・プレートであってもよい。

上で論じたのと同様に、結果として得られる１つまたは複数の基板の１つまたは複数の特性の値が測定される。測定された特性値から、区域オフセット応答が計算される（３１０）。例えば、測定された特性の変化と区域オフセットの変化とを相関させて、単位区域オフセット変化当たりの特性変化を識別する区域オフセット応答データを提供することができる。区域オフセット応答は、区域毎に決定することができ、または１組の区域（またはサーマル・プレート全体）にわたって平均化されていてもよい。同様に、区域オフセット応答は、サーマル・プレート毎に決定することができ、または１組のサーマル・プレートにわたって平均化されていてもよい。追加としてまたは別法として、区域オフセット応答は、特定の基板構成および処理に特有のものであってもよい。例えば、あるレジストおよび／または処理条件を有する基板に関して１組の区域オフセット応答を決定することができ、別のレジストおよび／または処理条件を有する基板に関して別の組の区域オフセット応答を決定することができる。追加としてまたは別法として、各区域の空間応答が、区域オフセット応答内に因子として含まれていてもよい。すなわち、１つの区域の区域オフセットの変化が別の区域の応答を変える場合があるので、区域間の相互相関および相互作用が因数化される場合がある。区域オフセット応答は、データベース３１５を介して区域オフセット決定モジュール３２０に提供され、１つまたは複数のサーマル・プレートに適用される区域オフセットの計算に使用される。

一実施例では、そのようなまたは同様の区域オフセット応答が、特性均一性を改善または制御するために適用すべき適切な区域オフセットを計算するために単に区域オフセット決定モジュール３２０に提供される場合、区域オフセット応答計算モジュール３１０をなくしてもよい。例えば基本区域オフセット応答をデータベース３１５に供給して、区域オフセット決定モジュール３２０が利用可能であるようにすることができ（例えば、各区域に特有か、全ての区域に汎用かにかかわらず、単位区域オフセット変化当たりの特性の値の変化に関する初期仮定）、場合によって、例えば区域オフセット決定モジュール３２０の実施結果に基づいて区域オフセット決定モジュール３２０の動作中に更新することができる。

区域オフセット決定モジュール３２０は、適用される区域オフセットの決定機能の特徴および性状に関するものである。モジュールは論理回路を含み、この論理回路は、以下でより詳細に述べるように、特性均一性を改善または制御するために区域オフセットを計算し、そのように計算された区域オフセットを適用すべきかどうか判定し、さらに適宜、区域オフセット応答を更新するように構成されている。

既存の区域オフセットを有する１つまたは複数のサーマル・プレートを使用する露光および熱処理の後、１つまたは複数の露光基板の１つまたは複数の特性の値が測定され、（例えば、データベース３１５に供給される、データベース３１５によって検索された、またはデータベース３１５に保持された関連する基板処理および構成情報からの）リソグラフィ・システムを通る（１つまたは複数の）基板の進行経路（Ｂ３７０）と相関される。進行経路と相関させることによって、特性値を評価して、どのプロセスおよび／または装置が特性不均一性を引き起こしている可能性があるかを求めることができる。上で論じたように、トラック内、リソグラフィ露光装置内、または別の場所に位置された任意の適切な機器を使用して様々な特性を測定することができる。

特性測定データを用いて、区域オフセット決定モジュール３２０が、図２で論じたように、特性範囲、特性標準偏差、または領域間の平均特性範囲などのプロファイル特性または基準に従って（１つまたは複数の）特性が十分に均一であるかどうか判定する。（１つまたは複数の）特性が十分に均一でない場合、１つまたは複数の所望の区域オフセットが計算され、これを（１つまたは複数の）基板の特性均一性を改善または制御するために適切な１つまたは複数のサーマル・プレートに適用することができる。特に、区域オフセット決定モジュール３２０は、区域オフセット応答データベース３１５によって供給された、または別の形で入手可能な区域オフセット応答と、（１つまたは複数の）特性の測定値とを使用して、（１つまたは複数の）サーマル・プレートの既存の区域オフセットを増加または減少させて、（１つまたは複数の）サーマル・プレートに関する所望の区域オフセットに到達し、特性均一性を改善または制御することができる。上で論じたように、基板の経路などの基板に関連付けられる基板処理および構成情報を区域オフセット決定モジュール３２０によってこの件について使用して、例えば、どの特定の（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか、あるいは特性均一性が更新区域オフセットに起因するかどうか、または特性均一性を更新区域オフセットによって修正することができるかどうかを判定することができる。

一実施例では、更新区域オフセットは、露光基板（または露光基板に関連付けられる基板のグループ）に関して特有であり且つ維持される場合があり、基板（または基板のグループ）に関連付けられた基板処理および構成情報に基づいて、その基板（または基板のグループ）を処理するために使用される１つまたは複数のサーマル・プレートに適用される。別の基板（または基板のグループ）は、その独自の基板処理および構成情報に基づいて独自の更新区域オフセットを有していてもよい。したがって、例えば区域オフセット決定モジュール３２０は、基板の処理中に使用される対応する区域オフセットを決定するために、基板処理および構成情報を、基板または基板のグループ毎の区域オフセットを保持する区域オフセット・データベース３１５に記憶された区域オフセット情報と相関させることができる。はじめに既存の区域オフセットが使用され、場合によっては区域オフセット・データベース３１５に記憶される。しかし、初期処理の後、区域オフセット決定モジュール３２０は、基板処理および構成情報を、データベース３１５に記憶された適切な対応する区域オフセットと相関させ、Ｂ３４０によって更新区域オフセットを用いてデータベース３１５を更新し、他の場合には、区域オフセットへの変更を監視および検証する。

次いで、計算された区域オフセットを評価して、実際の区域オフセットを（１つまたは複数の）サーマル・プレートに適用すべきかどうか、および／または特定の区域オフセットが基板（または基板のグループ）に関して維持されている場合などには、維持された１組の区域オフセットを更新すべきかどうかを判定することができる。例えば、所望の区域オフセットは、サーマル・プレートでの既存の区域オフセットと実質的に異ならない場合、および／または基板（または基板のグループ）に関して維持されている既存の区域オフセットと実質的に異なる場合がある。さらに、例えば、基板がさらに処理されないので、または（１つまたは複数の）サーマル・プレートを技術的な理由から更新すべきでないので、所望の区域オフセットが（１つまたは複数の）サーマル・プレートに供給されない場合がある。

決定が、所望の区域オフセットを（１つまたは複数の）サーマル・プレートに適用することである場合、区域オフセット決定モジュール３２０は、例えば（１つまたは複数の）サーマル・プレートを含む基板トラックに電子的に送信することによって、所望の区域オフセットを（１つまたは複数の）サーマル・プレートが利用できるようにする（Ｂ３６０）。同様に、決定が、維持された１組の区域オフセットを更新することである場合にも、区域オフセット決定モジュール３２０はそのように行うことができる。一実施例では、１つまたは複数の最良のサーマル・プレートを特性測定データから決定することができ、次いで、全てまたはかなりの量の基板が、最良のサーマル・プレートを通過するようにスケジュール変更される。（１つまたは複数の）最良のサーマル・プレートは、性能を改善するために適用される更新区域オフセットを有していてもよい。

また、そのような区域オフセット計算は、区域オフセット応答（すなわち、特性均一性の改善または制御を行うために必要とされる区域オフセットを計算する際に使用される公式および／またはデータ）を使用していてもよい。例えば、基板の（１つまたは複数の）特性の測定値を、同じ基板または関係する基板の（１つまたは複数の）特性の期待値または以前に測定された値と比較して、以前に適用された区域オフセットが特性均一性の改善を実現したかどうかを判定することができる。（１つまたは複数の）特性の期待値または以前に測定された値が（１つまたは複数の）特性の実際の測定値と一致または相関しなかった場合、区域オフセット応答を更新して、同じ基板または後続の基板に関する修正区域オフセットの後続の計算を改善することができる。したがって、例えば区域オフセット応答が、特定の区域における単位区域オフセット変化当たりの特性の値の変化と、特性の期待値に満たない特性の実際の測定値とを含み、区域における単位区域オフセット変化当たりの特性の値の変化が、特性の期待値に満たない特性の実際の測定値の量に比例して増加していてもよい。

さらに、他の基板処理ステップまたは装置に修正が加えられる場合がある。例えば、更新区域オフセットに鑑みて、上で論じたように、線量を再構成すること、および／または露光を拡張することができる（Ｂ３６０）。さらに、または別法として、修正がエッチ・ツールまたは基板処理ステップにおけるものであってもよい。他の基板処理ステップまたは装置に対するこれらの修正は、更新区域オフセットから（例えば公式またはルックアップ・テーブルによって）導出することができ、または独立して計算することができる。区域オフセット決定モジュール３２０は、例えば基板トラックおよび／または露光装置に電子的に送信することによって、これらのさらなる修正を適切な装置が利用できるようにする。

次いで、基板トラックおよび／または露光装置は、（１つまたは複数の）基板を処理する１つまたは複数のサーマル・プレートに更新区域オフセットを適用することができ、（１つまたは複数の）サーマル・プレートは、基板トラックおよび／または露光装置内にあるか、またはそれらによって制御される（Ｂ３６０）。追加としてまたは別法として、基板トラックおよび／または露光装置は、更新区域オフセットから導出された修正を適用して、（１つまたは複数の）基板を処理するために使用される１つまたは複数の他の処理ステップまたは装置を更新することができ、（１つまたは複数の）サーマル・プレートは、基板トラックおよび／または露光装置内にあるか、またはそれらによって制御される（Ｂ３６０）。明らかであろうが、（１つまたは複数の）基板は、基板トラックと露光装置との間で移動することができ、したがって更新区域オフセットは、過補償を回避するように、基板トラックと露光装置の一方または両方に注意深く適用すべきである。次いで、露光装置および／または基板トラックによって処理される（１つまたは複数の）基板の１つまたは複数の特性が再び測定され（Ｂ３５０）、プロセスは、区域オフセットを繰り返し改訂することを再び反復し、最適な修正区域オフセットに収束する。そのように行う際、ターゲット領域にわたって、基板にわたって、および基板間で生じる基板特性不均一性は、所望の特性均一性プロファイルを生じるように効果的に修正することができる。

基板処理経路およびＢ３５０で測定されるような基板特性計測データを含めた、（１つまたは複数の）基板に関する更新された基板処理および構成情報および（１つまたは複数の）特性値の測定値が、（露光装置、基板トラックなどから）区域オフセット決定モジュール３２０に返される場合があり（Ｂ３４０）、基板に関する更新区域オフセットを決定する際に後で使用される。更新された基板処理および構成情報は、（１）露光装置からの線量、時間、処方、および露光設定と、（２）基板トラックからの、使用される（１つまたは複数の）サーマル・プレートおよび（１つまたは複数の）ボウル、適用される事前処理、処方、温度、時間、およびその他の処理情報と、（３）測定機器からの基板特性値とを含む場合がある。

図５は、供給された較正済みの東京エレクトロンの露光後ベーキング・プレートを使用して基板を処理した後の基板の特性値の概略レイアウトを例示する。ベーキング・プレートは、２００ｍｍ東京エレクトロンＡＣＴ８基板トラックからのものであり、このベーキング・プレートは７つの別個の区域を有し、各区域が、手動で調節することができる制御装置内部に記憶されたオフセットを有する。基板トラックは、ＡＳＭＬ ＰＡＳ ５５００／１１５０リソグラフィ露光装置にインターフェースされ、この露光装置が基板を露光した。

図６は、供給された較正済みの、しかし本発明の一実施例に従って修正された同じ東京エレクトロンの露光後ベーキング・プレートを使用して基板を処理した後の図５の同じ基板の特性値の概略レイアウトを例示する。換言すると、ベーキング・プレートの７つの個別の区域のうち１つまたは複数の区域の区域オフセットが本発明の一実施例に従って更新されて、そのベーキング・プレート上で加熱された基板に関して改善された基板特性均一性（約２７％）を生み出した。

本明細書での説明は区域オフセットに関するものであるが、本発明は、サーマル・プレートの全体または一部の性能を変更するために、任意の区域パラメータ、またはより一般的には修正データに適用可能であることを理解されたい。

本明細書では、ＩＣの製造でのリソグラフィ露光装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明したリソグラフィ露光装置が、集積光システム、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途を有する場合もあることを理解されたい。そのような他の用途の文脈では、本明細書における用語「ウェハ」または「ダイ」の使用を、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義と考えることができることを当業者は理解されよう。さらに、例えば多層ＩＣを作成するために基板を複数回処理することもでき、したがって本明細書で使用される用語「基板」は、複数回処理された層をすでに含む基板を表す場合もある。

本明細書で使用する用語「放射線」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射線（例えば、波長が約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍ）および極端紫外（ＥＵＶ）放射線（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲内）、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射線を包含する。

本明細書で使用する用語「パターン形成デバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作成する目的でビームの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを表すものと広く解釈すべきである。ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分での所望のパターンに正確には対応しない場合があることに留意されたい。一般に、ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応している。

パターン形成デバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターン形成デバイスの例として、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ、プログラム可能ＬＣＤパネルが挙げられる。マスクはリソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ・マスク、レベンソン型位相シフト・マスク、およびハーフトーン型位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド・マスク・タイプを含む。プログラム可能ミラー・アレイの一例は、小さなミラーのマトリックス配列を採用し、入射放射線ビームを異なる方向に反射するように各ミラーを個別に傾けることができる。そのようにして、反射されるビームがパターン形成される。

支持構造は、パターン形成デバイスの向き、リソグラフィ露光装置の設計、およびその他の条件、例えばパターン形成デバイスが真空環境内に置かれているか否かなどに応じた様式でパターン形成デバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、真空、またはその他のクランプ技法、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、必要に応じて固定することも可動にすることもでき、パターン形成デバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」の使用は、より一般的な用語「パターン形成デバイス」と同義と考えることができる。

本明細書で使用する用語「投影システム」は、例えば、使用する露光放射線、または浸液の使用や真空の使用など他の因子に適するように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システムを含めた様々なタイプの投影システムを包含するものと広く解釈すべきである。本明細書における用語「投影レンズ」の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。

また、照明システムは、放射線のビームを方向付けし、成形し、または制御するための、屈折、反射、および反射屈折光学構成要素を含めた様々なタイプの光学構成要素を包含することができ、そのような構成要素を以下では総称して、または個別に「レンズ」と呼ぶ場合がある。

リソグラフィ露光装置は、２つ（デュアル・ステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチ・ステージ」の機械では、追加のテーブルを並行して使用することができ、あるいは、１つまたは複数のテーブルで準備ステップを行いながら１つまたは複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。

またリソグラフィ露光装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水の中に基板の表面が浸漬されるタイプのものであってもよい。浸液は、リソグラフィ露光装置内の他の空間、例えばパターン形成デバイスと投影システムの第１の要素との間に適用することもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を高めるための技術分野でよく知られている。

本明細書で説明した方法は、ソフトウェア、ハードウェア、またはそれらの組み合せとして実装することができる。一実施例では、コンピュータ上で実行されるときに、本明細書で説明した方法の任意のものまたは全てを実施するようにコンピュータに命令するプログラム・コードを備えるコンピュータ・プログラム製品が提供される。コンピュータ・プログラム製品は、例えば、プログラム・コードを組み込んだＣＤ、プログラム・コードを組み込んだ装置内のハード・ドライブまたは他のメモリなどであってよい。

本明細書における説明は、本発明と合致する例示実施例を示す添付図面を参照している。他の実施例が可能であり、本発明の精神および範囲から逸脱することなく実施例に修正を加えることができる。したがって本発明の構成、動作、および挙動は、本明細書における詳細さのレベルに鑑みて、実施例の修正および変更が可能であるという理解の下で説明されている。したがって、本明細書における説明および／または添付図面は、本発明を限定することを意味または意図するものではなく、本発明の範囲は、添付する特許請求の範囲によって定義される。

リソグラフィ・システムの概略図である。 リソグラフィ投影装置の概略図である。 本発明の一実施例を示す高レベル流れ図である。 本発明の一実施例を示す概略機能ブロック図である。 供給された較正済みの東京エレクトロンの露光後ベーキング・プレートを使用して基板を処理した後の基板の特性値の概略レイアウトを示す図である。 供給された較正済みの、しかし本発明の一実施例に従って修正された同じ東京エレクトロンの露光後ベーキング・プレートを使用して基板を処理した後の図５の同じ基板の特性値の概略レイアウトを示す図である。

符号の説明

１００ リソグラフィ・システム
１０２ リソグラフィ露光装置
１０４ 基板トラック
１０６ 事前処理装置
１０８ 事後処理装置
ＩＬ 照明システム、照明器
ＭＡ パターン形成デバイス、マスク
ＭＴ 支持構造、マスク・テーブル
ＰＢ 投影ビーム
ＰＬ 投影システム
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル、ウェハ・テーブル

Claims (24)

1. 基板の特性均一性を改善する方法であって、
   リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、前記修正データが、前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
   前記修正データを前記サーマル・プレートに利用可能にするステップと
   を含む方法。
2. 前記特性が前記露光基板上のフィーチャの限界寸法である請求項１に記載の方法。
3. 前記特性が、前記露光基板上のフィーチャの（１）側壁角度、（２）ライン・エッジ・ラフネス、（３）ポスト直径、（４）コンタクト・サイズ、（５）ライン幅、（６）スペース幅、（７）アラインメント位置、または（８）（１）から（７）までの任意の組み合せ、である請求項１に記載の方法。
4. 前記修正データに従って前記基板を加熱するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
5. 前記サーマル・プレートが、前記リソグラフィ露光装置による前記基板の露光後に前記基板を加熱するように構成された露光後ベーキング・プレートを有している請求項１に記載の方法。
6. リソグラフィ露光装置によって処理される前記基板の前記特性の値を測定するステップと、
   基板プロファイル情報に基づいて、前記基板特性の前記測定値が十分に均一であるかどうか評価するステップと、
   前記基板特性の前記測定値が均一でないと決定した場合に、前記修正データを計算するステップと
   をさらに含む請求項１に記載の方法。
7. 前記修正データを計算する際に使用される区域オフセット応答を決定するステップであって、該区域オフセット応答が、区域オフセット変化の単位当たりの基板特性値の変化の度合を有しているステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
8. 前記特性の前記測定値に基づいて、前記修正データを計算する際に使用される区域オフセット応答を更新するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
9. 前記修正データを計算するステップが、基板処理および構成情報を使用するステップを含み、該基板処理および構成情報は、１つまたは複数の処理装置を通る前記基板の処理経路に関連付けられたデータを含む請求項１に記載の方法。
10. コンピュータによって実行されると基板の特性均一性を改善する方法を実施させる命令が符号化されたコンピュータ可読プログラム製品であって、前記方法が、
    リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、前記修正データが、前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
    前記修正データを前記サーマル・プレートに利用可能にするステップと
    を含むことを特徴とするコンピュータ可読プログラム製品。
11. 前記特性が前記露光基板上のフィーチャの限界寸法である請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
12. 前記特性が、前記露光基板上のフィーチャの（１）側壁角度、（２）ライン・エッジ・ラフネス、（３）ポスト直径、（４）コンタクト・サイズ、（５）ライン幅、（６）スペース幅、（７）アラインメント位置、または（８）（１）から（７）までの任意の組み合せである請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
13. 前記サーマル・プレートが、前記リソグラフィ露光装置による前記基板の露光後に前記基板を加熱するように構成された露光後ベーキング・プレートを有している請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
14. 前記方法が、
    リソグラフィ露光装置によって処理される前記基板の前記特性の値を測定するステップと、
    基板プロファイル情報に基づいて、前記基板特性の前記測定値が十分に均一であるかどうか評価するステップと、
    前記基板特性の前記測定値が均一でないと決定した場合に、前記修正データを計算するステップと
    をさらに含む請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
15. 前記方法が、前記修正データを計算する際に使用される区域オフセット応答を決定するステップであって、該区域オフセット応答が、区域オフセット変化の単位当たりの基板特性値の変化の度合を有しているステップをさらに含む請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
16. 前記方法が、前記特性の前記測定値に基づいて、前記修正データを計算する際に使用される区域オフセット応答を更新するステップをさらに含む請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
17. 前記修正データを計算するステップが、基板処理および構成情報を使用するステップを含み、該基板処理および構成情報は、１つまたは複数の処理装置を通る前記基板の処理経路に関連付けられたデータを含む請求項１０に記載のコンピュータ・プログラム製品。
18. 基板を加熱または冷却するように構成された、複数の区域を有するサーマル・プレートと、
    基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算し、該修正データに基づいて前記複数の区域の１つの区域によって生成される温度を制御するように構成された制御装置であって、前記修正データが、前記基板特性の前記値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されている制御装置と
    を有するサーマル・プレート・システム。
19. 前記サーマル・プレートが、前記リソグラフィ露光装置による前記基板の露光後に前記基板を加熱するように構成された露光後ベーキング・プレートを有している請求項１８に記載のサーマル・プレート・システム。
20. 前記特性が前記露光基板上のフィーチャの限界寸法である請求項１８に記載のサーマル・プレート・システム。
21. 前記特性が、前記露光基板上のフィーチャの（１）側壁角度、（２）ライン・エッジ・ラフネス、（３）ポスト直径、（４）コンタクト・サイズ、（５）ライン幅、（６）スペース幅、（７）アラインメント位置、または（８）（１）から（７）までの任意の組み合せである請求項１８に記載のサーマル・プレート・システム。
22. パターン形成された放射線のビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
    前記基板を保持するように構成された基板ホルダと、
    基板を加熱または冷却するように構成された、複数の区域を有するサーマル・プレートと、
    基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算し、該修正データに基づいて前記複数の区域の１つの区域によって生成される温度を制御するように構成された制御装置であって、前記修正データが、前記基板特性の前記値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されている制御装置と
    を有するリソグラフィ装置。
23. 前記基板の前記特性を測定するように構成された測定デバイスをさらに有する請求項２２に記載の装置。
24. 前記特性が、前記露光基板上のフィーチャの（１）限界寸法、（２）側壁角度、（３）ライン・エッジ・ラフネス、（４）ポスト直径、（５）コンタクト・サイズ、（６）ライン幅、（７）スペース幅、（８）アラインメント位置、または（９）（１）から（８）までの任意の組み合せである請求項２２に記載の装置。