JP2005026362A - 加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の加熱処理装置を用意する工程と、用意された各加熱処理装置について、露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各加熱処理装置について設定温度と実効的な露光量の関係を求める工程と、求められた関係から、各加熱処理装置について、所定の実効的な露光量が得られるように補正する工程とを含む。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、感光性樹脂膜の露光後加熱処理に用いられる加熱処理装置の温度校正方法、感光性樹脂膜の現像処理に用いられる現像処理装置の調整方法、加熱処理装置の温度校正方法又は加熱処理装置の温度校正方法を用いて校正・調整された装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィー工程では、パターン露光を行うため、露光装置にて所望パターンの形成されたマスクを介して、ウェハ上に形成されたレジスト膜に前記所望パターンを転写して行われる。
【0003】
パターンの微細化の要求から、露光波長の短波長化、及び、投影レンズの高NA化がなされており、それと同時にプロセスの改善が同時に行われてきた。しかしながら、近年のデバイスパターンの微細化要求はさらに厳しく、露光量裕度や焦点深度のプロセスマージンを十分に得ることが難しく、歩留まりの減少を引き起こしていた。
【0004】
少ないプロセスマージンで光リソグラフィを行うためには、プロセスマージンを消費する誤差の精密な分析と誤差配分(エラーバジェット)が重要視されてきている。例えば、ウェハ上に多数のチップを同じ設定露光量で露光したつもりでも、レジストの感度変化、PEB(Post Exposure Bake)、現像のウェハ面内の不均一性、レジストのウェハ面内膜厚変動などが原因となって、実効的な適正露光量がばらつき、そのために歩留まりの低下を引き起こしていた。そのために、少ないプロセスマージンを有効に使用し、歩留まりの低下を防ぐために、より高精度の露光量、及び、フォーカスをモニタしてフィードバック、または、フィードフォワードする露光量、及び、フォーカスの制御方法が求められると同時に、各プロセスユニット毎に、プロセスマージンを消費する誤差要因の精密な分析を行い、その分析結果を基に、主要な誤差要因の改善を施す必要もある。
【0005】
フォーカスに依存しない実効的な露光量を測定し、測定された露光量に基づいてロット間の露光量変動を抑制する技術が開示されている(特許文献1)。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−299205
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
現在、装置の稼働効率を向上させるために、複数の加熱処理装置を用いて露光処理後の加熱処理が行われる。設定温度と実際の加熱温度とは装置毎に異なる。加熱処理装置毎に加熱温度が異なるので、一つの装置を校正しただけでは、全体の歩留まりを向上させることができないという問題があった。
【0008】
また、面内の温度均一性を向上させるために複数の熱源を有する加熱処理装置がある。この加熱処理装置では、設定温度と実際の加熱温度とは熱源毎に異なる。熱源処理装置毎に加熱温度が異なるので、一つの熱源を校正しただけでは、全体の歩留まりを向上させることができないという問題があった。
【0009】
また、露光後加熱処理の温度ムラ、現像処理時の現像ムラにより、パターンが変動する。パターンの変動を抑制するためには、温度ムラ及び現像ムラの両方を抑制すればよい。しかし、二つの制御を行うパラメータを求めるには時間がかかるという問題があった。
【0010】
本発明の目的は、装置間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が装置間で変動することを抑制し、歩留まりの向上を図り得る加熱処理装置の温度校正方法を提供することにある。
【0011】
本発明の別の目的は、複数の熱源を有する加熱処理装置に対して、熱源間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が装置間で変動することを抑制し、歩留まりの向上を図り得る加熱処理装置の温度校正方法を提供することにある。
【0012】
本発明の別の目的は、露光後加熱処理の温度分布、現像処理時の現像ムラを現像処理で一括して補正し、調整時間の短縮化を得る現像処理装置の調整方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
【0014】
本発明の一例に係わる加熱処理装置の温度校正方法は、基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜に転写し、前記露光量モニタパターンを形成する工程と、複数の加熱処理装置を用意する工程と、用意された各加熱処理装置について、前記露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、前記加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、前記冷却処理された基板上の感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各加熱処理装置について設定温度と実効的な露光量の関係を求める工程と、求められた関係から、各加熱処理装置について、所定の実効的な露光量が得られるように設定温度を補正する工程とを含むことを特徴とする。
【0015】
本発明の一例に係わる加熱処理装置の温度校正方法は、複数の基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、基板上での実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、複数の熱源を有する加熱処理装置を用意する工程と、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記熱源の位置に対応する位置の前記感光性樹脂膜に転写し、露光量モニタパターンを形成する工程と、前記露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、前記加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、前記冷却処理された基板上の感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各熱源について設定温度と露光量モニタパターンの状態との関係を求める工程と、求められた各関係から、前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量の面内分布が等しくなるように各熱源の設定温度を補正する工程とを含むことを特徴とする。
【0016】
本発明の一例に係わる現像処理装置の調整方法は、基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、前記露光量モニタパターンが形成された基板に加熱処理を行う工程と、加熱処理された基板に冷却処理を行う工程と、前記冷却処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、前記加熱処理後の各露光量モニタパターンの状態、現像処理後の各露光量モニタパターンの状態から前記現像処理装置の制御パラメータを算出する工程と、算出された制御パラメータに応じて前記現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする。
【0017】
本発明の一例に係わる現像処理装置の調整方法は、基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、前記露光量モニタパターンが形成された基板に加熱処理を行う工程と、加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、現像液を前記感光性樹脂膜に対して吐出し、長手方向の長さが前記基板の最大幅より大きいノズルを基板に対して相対的に走査させる現像処理装置を用意する工程と、前記現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、前記ノズルのある位置が走査した線上に位置する露光量モニタパターンの状態の平均値を求める工程と、前記露光量モニタパターンの状態の平均値を複数の位置について求め、前記ノズルの長手方向の露光量モニタパターンの状態の分布を求める工程と、露光量モニタパターンの状態分布から前記現像処理装置の制御パラメータを算出する工程と、算出された制御パラメータに応じて前記現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする。
【0018】
本発明の一例に係わる現像処理装置の調整方法は、基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、各基板について、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、前記露光量モニタパターンが形成された各基板に加熱処理を行う工程と、加熱処理された各基板に冷却処理を行う工程と、前記冷却処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、前記冷却処理後に測定された露光量モニタパターンの状態の平均値を測定する工程と、複数の現像処理装置を用意する工程と、各現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、各現像処理装置で現像処理された基板について、露光量モニタパターンの状態の平均値をそれぞれ算出する工程と、前記冷却処理後の前記露光量モニタパターンの状態の平均値、前記現像処理後の前記露光量モニタパターンの状態の平均値から前記各現像処理装置の制御パラメータを算出する工程と、算出された制御パラメータに応じて前記各現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする。
【0019】
本発明の一例に係わる現像処理装置の調整方法は、基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、前記露光量モニタパターンが形成された基板に加熱処理を行う工程と、加熱処理された基板に冷却処理を行う工程と、複数の現像処理装置を用意する工程と、各現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、各現像処理装置で現像処理された基板について、露光量モニタパターンの状態の平均値をそれぞれ算出する工程と、前記露光量モニタパターンの状態の平均値から前記各現像処理装置について制御パラメータを算出する工程と、前記算出された制御パラメータに応じて前記各現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【0021】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる加熱処理装置の校正方法の手順を示すフローチャートである。
まず、基板上にフォトレジスト膜を塗布形成した後(S101)、露光前加熱を行う(S102)。次に、図2に示すフォトマスクを用意する。フォトマスク100には、実効的なレジスト感度をモニタするための露光量モニタマーク200が形成されている。露光量モニタマーク200は、フォーカス位置に依存せず露光量のみに依存してレジストにパターンを形成するマークである。露光量モニタマークは、デバイスパターンが形成されたデバイス領域の周囲のダイシング領域に形成されている。
【0022】
図3に示すように、露光量モニタマーク200は、透光部201と遮光部202とが露光装置で解像しない幅pのブロック内に配列されている。複数のブロックが、ブロック内の透光部201と遮光部202との配列方向に、連続的に配列されている。そして、前記配列方向では、ブロック内の透光部201と遮光部202とのデューティー比が単調に変化している。なお、複数のブロックが断続的に配列されていても良い。
【0023】
実効的な露光量をモニタしたいマスクが、開口数NA、コヒーレントファクターσ、露光波長λの露光装置にセットされた場合を考える。この装置で解像しないブロックの幅p(ウェハ上寸法)の条件は、回折理論より、
λ/p≧(1+σ)NA (1)
となる。
【0024】
上記モニタマークの周期を式(1)の条件に設定することにより、露光量モニタマークにおける回折光(1次以上の回折光)は投影レンズの瞳に入らず、直進光(0次回折光)のみが瞳に入るようになる。上記条件を満たすことによって、モニタマークのパターンは解像限界以下となる。そして、露光量モニタマークのパターンが解像限界以下のピッチであると、そのパターンは解像されず、開口比に応じてウェハ面上に到達する露光量が異なったフラット露光となる。このため、露光装置の設定露光量が同じでも開口比に応じて実効的な露光量が変化する。この場合の露光量は、露光量モニタマークのパターンが解像しないため、フォーカス変動の影響を完全に取り除くことができる。
【0025】
使用する露光条件が、露光波長λ=248nm,NA=0.68,σ=0.75であることを考慮して、モニタマークの周期をマスクパターンにおける回折光(1次以上の回折光)は投影レンズの瞳に入らず、直進光(0次回折光)のみが瞳に入る条件である式(1)を満たすよう、ウェハ換算寸法で0.2μmを用いた。
【0026】
図4には図3に示した露光量モニタマークをフォトレジスト膜に転写した際に得られるウェハ面上での強度分布を示した。ウェハ面上には、モニタマークで回折された0次回折光のみが照射されるため、像強度分布は透過部の面積の2乗に比例した分布となる。従って、このマスクを用いて、露光後の加熱、冷却を行うと、フォトレジスト膜には露光量モニタマークの潜像(露光量モニタパターン)が形成され、図5に示すような膜厚分布となる。このパターンを光学式の線幅測長装置で測定することにより、加熱処理後の実効的な露光量を得ることができる。また、現像処理後には、フォトレジスト膜は図6に示すような膜厚分布となる。このパターンを光学式の線幅測長装置で測定することにより、現像処理後の実効的な露光量を得ることができる。
【0027】
図2に示したフォトマスクを用いて、所定の露光量で基板上に形成されたフォトレジスト膜に露光量モニタマークを転写し、露光量モニタパターンを形成する(ステップS103)。
【0028】
上記条件で、各加熱処理装置毎に、図1のフローチャートを用いてPEB設定温度を振ったサンプルを作成する(ステップS104)。冷却した後(ステップS105)、現像を行う(ステップS106)。加熱処理後の、冷却処理及び現像処理の条件は各サンプルで同一とする。
【0029】
各サンプルの露光量モニタパターンの長さを測定する(ステップS107)。そして、各加熱処理装置のPEB設定温度とパターンの長さ(実効露光量)D.M(μm)との関係を求める(ステップS108)。図7には各加熱処理装置A〜Eの設定温度とパターン長D.Mの相関グラフを示した。このグラフから近似式を求め、それに基づき実効露光量が同一(パターン長D.Mが同一)になる最適な温度を算出し、各装置の最適な設定温度を求める(ステップS109)。算出された設定温度から各加熱処理装置の設定温度の校正を行う(ステップS110)。
【0030】
表1には校正前と校正後の露光量モニタパターンの長さ“D.M”、クリティカルディメンジョン“CD”、並びに校正前の予想温度を示す。
【0031】
【表1】
【0032】
表2に、露光量モニタパターンの長さの最大値と最小値の差“ΔD.M”、クリティカルディメンジョンの最大値と最小値の差“ΔCD”、予想温度の最大値と最小値の差“Δ予想温度”を示す。
【0033】
【表2】
【0034】
表2に示すように、実効露光量(D.M)、クリティカルディメンジョン共に加熱処理装置間差が校正されている事を確認した。
【0035】
本実施形態によれば、加熱処理装置間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が装置間で変動することを抑制することができる。そして、校正後の装置を用いて半導体装置を製造することにより歩留まりの向上を得ることができる。
【0036】
露光量モニタマークを用いた適用例を一例示したが、露光後の上記パターンの測長手段は光学顕微鏡や光学式の線幅測長装置だけに限定されるものではなく、合わせずれ検査装置やSEMやAFMなど、また、光学式の線幅測長の手段においても、位相差法や微分干渉法、多波長の光源で計測する方法など、種々適用可能である。また、露光装置自体に内蔵された合わせ位置ずれ検査機能や線幅測長機能等を用いることも可能である。
【0037】
(第2の実施形態)
本実施形態では、加熱処理装置に熱源が複数存在する場合の、基板面内バラツキの校正評価方法の一例を示す。
【0038】
本実施形態では、図8に示す複数の熱源301,302,303を有する加熱処理装置を用いた場合に、基板面内の実効露光量のバラツキを校正する方法を説明する。図9は、本発明の第2の実施形態に係わる加熱処理装置の校正方法の手順を示すフローチャートである。
【0039】
第1の実施形態と同様に、レジスト塗布(ステップS101)、露光前加熱(ステップS102)、露光(ステップS103)を行う。図10に示すように、露光時、各熱源301,302,303に位置に対応する位置のレジスト膜に露光量モニタパターンを含む311,312,313を形成する。
【0040】
図1のフローを用いてPEB設定温度を振った複数のサンプルを作成する(ステップS204)。その後、冷却処理(ステップS105)、現像処理(ステップS106)を行う。各パターン311,312,313に含まれる露光量モニタパターンの長さを測定する(ステップS107)。
【0041】
そして、各熱源のPEB設定温度とパターンの長さ(実効露光量)との関係を求める(ステップS208)。各熱源について、求められた関係に基づいて実効露光量が同一(パターン長が同一)になる最適な温度を算出し、各熱源の最適な設定温度を求める(ステップS209)、算出された値から各熱源の設定温度の校正を行う(ステップS210)。
【0042】
表3には校正前と校正後の露光量モニタパターンの長さ“D.M”、クリティカルディメンジョン“CD”、並びに校正前の予想温度を示す。
【0043】
【表3】
【0044】
表4に、露光量モニタパターンの長さの最大値と最小値の差ΔD.M、クリティカルディメンジョンの最大値と最小値の差ΔCD、予想温度の最大値と最小値の差“Δ予想温度”を示す。
【0045】
【表4】
【0046】
表4に示すように、実効露光量(D.M)、クリティカルディメンジョンと共に熱源間差が校正されている事を確認した。
【0047】
本実施形態によれば、加熱処理装置間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が装置間で変動することを抑制することができる。そして、校正後の装置を用いて半導体装置を製造することにより歩留まりの向上を得ることができる。
【0048】
露光量モニタマークを用いた適用例を一例示したが、露光後の上記パターンの測長手段は光学顕微鏡や光学式の線幅測長装置だけに限定されるものではなく、合わせずれ検査装置やSEMやAFMなど、また、光学式の線幅測長の手段においても、位相差法や微分干渉法、多波長の光源で計測する方法など、種々適用可能である。また、露光装置自体に内蔵された合わせ位置ずれ検査機能や線幅測長機能等を用いることも可能である。
【0049】
(第3の実施形態)
本実施形態では、現像処理装置の調整を行う方法を説明する。
フォトレジスト膜塗布、露光前加熱処理、露光、PEB処理、冷却処理を行ったサンプルを用意する。PEB処理時設定温度を振って複数のサンプルを測定する。冷却処理後に露光量モニタパターンの寸法(DMPEB:実効露光量)を光学式の線幅測長装置で測定する。測定結果を図11に示す。これより、PEB温度T(℃)とパターンの寸法DMPEB(μm)の関係は、下記の式で表されることがわかった。
【0050】
DMPEB=−0.125T+41.2 (2)
図12に示した現像処理装置を用意する。図12は、本発明の第3の実施形態に係わる現像処理装置の構成を示す図である。図12(a)は平面図、図12(b)は断面図である。現像装置は、基板400に対して現像液402を吐出するノズル401を有する。ノズル401の長手方向の長さは基板の直径以上の長さである。現像液402を吐出している状態でノズル401を塗布開始位置Psから塗布終了位置Peにかけて移動させて、基板400上に現像液402を供給する。PEB温度が振られたサンプルに対してノズル401と基板400との距離Dgapを振る。
【0051】
現像処理後に露光量モニタマークの寸法(DMDEV:実効露光量)を光学式の線幅測長装置で測定する。測定結果を図13に示す。これより、PEB温度(T)、現像ノズルと基板との距離(Dgap)と実効露光量(DMPEB)の関係は、下記の式で表されることがわかった。
【0052】
DMDEV=−0.125T+0.5Dgap+30.7 (3)
図14のフローチャートを用いて本願の現像処理装置の調整方法を説明する。図14は、本発明の第3の実施形態に係わ現像処理装置の調整方法の手順を示すフローチャートである。
先ず、レジスト膜の塗布(ステップS301)、露光前の加熱処理(ステップS302)を行う。図2に示したマスクに形成された露光量モニタマークを、露光量モニタパターンをx、y方向とも30mmピッチでレジスト膜に転写し、露光量モニタパターンの潜像を形成する(ステップS303)。PEB設定温度を振ってPEB処理を行った複数のサンプルを作成する(ステップS304)。PEB処理後、基板の冷却処理を行う(ステップS305)
冷却処理後に露光量モニタパターンの寸法を計測する(ステップS306)。したところ、冷却処理後の露光量モニタパターン寸法は、図15のようになり、分布をプロットすると、図16に示すように同心円の分布となった。式(2)により、面内の温度分布は図17のように算出された。
【0053】
さらに、この基板に対して、現像処理を行い(ステップS307)、各露光量モニタパターンの寸法を計測する(ステップS308)。現像処理後の露光量モニタパターン寸法は、図18に示すようになり、分布をプロットすると図19の平面図に示すようになった。図17と図18の値を式(3)に代入して現像ノズルと基板との距離(gap)を求めたところ、図20に示すようになった。これより、面内の分布が図21に示すようになった。このような分布になったのは、ここで用いた現像方法が、直線状の現像ノズルを基板の−x方向から+x方向に走査させながら現像液を供給する方法で、ノズルと基板との距離が同じに調整できていなかったためであると判定し、距離が1mmとなるように調整した(ステップS309,S310)。
【0054】
本実施例では、加熱処理後と現像処理後の露光量モニタマークの測定結果から現像処理装置の調整を行ったが、図22のフローチャートに示すように、現像処理後の測定結果だけから調整することも可能である。例えば直線状のノズルから現像液を吐出しながらをウェハの一端から他端に走査させ、現像液を供給するような現像方法では、実効露光量分布を、ノズルの同一位置における走査線上の算出した実効露光量を平均することで求めることが望ましい。図19に示したパターン長DMDEV(露光量)分布を、ノズルのある位置が走査した線上の露光量モニタパターン長DMDEVの平均値を求めると、図23に示すようになる。この露光量分布がなるべく一定になるように、ノズルからの吐出量分布を調整するか、ギャップを調整すればよい。
【0055】
また、図24に示すように直線状のノズルから現像液を吐出しながらウェハを回転させることで現像液を供給するような現像方法でも、実効露光量分布を、ノズルの同一位置における走査線上(同心円上)の算出した実効露光量を平均することで求めることが望ましい。図19に示した露光量分布を、走査線上(同心円上)で平均すると、図25に示すようになる。この露光量分布がなるべく一定になるように、ノズルからの吐出量分布を調整するか、ギャップを調整すればよい。
【0056】
これら手法はノズル長手方向の流量分布を均一であるかを調べるノズルの評価方法にも適用可能である。
【0057】
図13、図24で示した現像処理装置の調整は、複数の装置の装置間差の調整にも適用可能である。この場合は、実効露光量の分布を求めるのではなく、それぞれの処理装置の実効露光量の平均値を求めておいて、各処理装置の実効露光量の平均値が等しくなるように、ノズルからの吐出量、ギャップ、現像液温度、雰囲気温度等を調整すればよい。
本実施形態によれば、露光後加熱処理の温度分布、現像処理時の現像ムラを現像処理で一括して補正し、調整時間の短縮化を得る。
【0058】
なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0059】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、装置間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が装置間で変動することを抑制し、歩留まりの向上を図り得る。
熱源間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が熱源間で変動することを抑制し、歩留まりの向上を図り得る。
露光後加熱処理の温度分布、現像処理時の現像ムラを現像処理で一括して補正し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係わる加熱処理装置の校正方法の手順を示すフローチャート。
【図2】第1の実施形態に係わるフォトマスクの構成を示す平面図。
【図3】第1の実施形態に係わる露光量モニタマークの構成を示す平面図。
【図4】図3に示した露光量モニタマークをフォトレジスト膜に転写した際に得られるウェハ面上での強度分布を示す図。
【図5】加熱、冷却処理後のフォトレジスト膜の膜厚分布を示す図。
【図6】現像処理後のフォトレジスト膜の膜厚分布を示す図。
【図7】各加熱処理装置A〜Eの設定温度とパターン長D.Mの相関グラフを示す図。
【図8】第2の実施形態に係わるか熱処理装置の構成を示す図。
【図9】第2の実施形態に係わる加熱処理装置の校正方法の手順を示すフローチャート。
【図10】熱源と露光量モニタパターンの位置の関係を示す図。
【図11】冷却処理後の露光量モニタパターンの寸法DMPEBとPEB温度の関係を示す図。
【図12】第3の実施形態に係わる現像処理装置の構成を示す図。
【図13】現像処理後のPEB温度と露光量モニタパターンの寸法DMDEVとの関係のギャップ依存性を示す図。
【図14】第3の実施形態に係わる現像処理装置の調整方法の手順を示すフローチャート。
【図15】加熱処理後の露光量モニタパターンの寸法DMPEBの分布を示す図。
【図16】加熱処理後の露光量モニタパターンの寸法DMPEBの分布を示す平面図。
【図17】加熱処理後の温度の分布を示す平面図。
【図18】現像処理後の露光量モニタパターンの寸法DMDEVの分布を示す図。
【図19】現像処理後の露光量モニタパターンの寸法DMDEVの分布を示す平面図。
【図20】基板表面とノズルとのギャップの分布を示す図。
【図21】基板表面とノズルとのギャップの分布を示す平面図。
【図22】第3の実施形態に係わる校正方法の手順を示すフローチャート。
【図23】ノズルのある位置が走査した線上の露光量モニタパターン長DMDEVの平均値の分布を示す図。
【図24】第3の実施形態に係わる現像処理装置の構成を示す図。
【図25】ノズルのある位置が走査した線上の露光量モニタパターン長DMDEVの平均値の分布を示す図。
【符号の説明】
100…マスク,200…露光量モニタマーク,201…透光部,202…遮光部
Claims (17)
- 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、
露光装置を用いて、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜に転写し、前記露光量モニタパターンを形成する工程と、
複数の加熱処理装置を用意する工程と、
用意された各加熱処理装置について、前記露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、
前記加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、
前記冷却処理された基板上の感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、
前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各加熱処理装置について設定温度と実効的な露光量の関係を求める工程と、
求められた関係から、各加熱処理装置について、所定の実効的な露光量が得られるように設定温度を補正する工程と
を含むことを特徴とする加熱処理装置の温度校正方法。 - 複数の基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
基板上での実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、
複数の熱源を有する加熱処理装置を用意する工程と、
露光装置を用いて、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記熱源の位置に対応する位置の前記感光性樹脂膜に転写し、露光量モニタパターンを形成する工程と、
前記か熱処理装置を用いて、前記露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、
前記加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、
前記冷却処理された基板上の感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、
前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各熱源について設定温度と露光量モニタパターンの状態との関係を求める工程と、
求められた各関係から、前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量の面内分布が等しくなるように各熱源の設定温度を補正する工程と
を含むことを特徴とする加熱処理装置の温度校正方法。 - 前記露光量モニタマークは、前記投影露光装置で解像することができない一定幅p内に遮光部と透光部とが一方向に配列された複数のブロックが断続的、または連続的に前記一方向に配列され、該ブロックの遮光部と透光部との寸法比が前記一方向に単調に変化するパターンであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の加熱処理装置の温度校正方法。
- 前記露光装置の露光波長をλ、ウェハ側の開口数をNA、コヒーレンスファクタσとしたとき、ウェハ上におけるピッチPが、
λ/p≧(1+σ)NA
を満たすことを特徴とする請求項3に記載の加熱処理装置の温度校正方法。 - 請求項1〜請求項4の何れかに記載された加熱処理装置の温度校正方法を用いて校正された加熱処理装置を用いて、半導体基板上に形成され、半導体素子パターンが転写された感光性樹脂膜を加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、
所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、
前記露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、
加熱処理された基板に冷却処理を行う工程と、
前記冷却処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、
前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
前記加熱処理後の各露光量モニタパターンの状態、現像処理後の各露光量モニタパターンの状態から前記現像処理装置の制御パラメータを算出する工程と、
算出された制御パラメータに応じて前記現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする現像処理装置の調整方法。 - 予め加熱処理時の加熱温度と前記露光量モニタパターンの状態との第1の関係を求める工程と、
予め加熱処理時の加熱温度と,前記現像処理装置の制御パラメータと、前記露光量モニタパターンの状態との第2の関係を求める工程と、
前記制御パラメータの算出時、前記冷却処理後に測定された各露光量モニタパターンの状態と前記第1の関係から加熱温度の分布を求め、
前記求められた加熱温度の分布と、現像処理後に測定された各露光量モニタパターンの状態と、第2の関係とから前記制御パラメータの分布を求め、
求められた制御パラメータの分布が均一となるようすることを特徴とする請求項6に記載の現像処理装置の調整方法。 - 前記現像処理装置は、現像液を前記感光性樹脂膜に対して吐出し、長手方向の長さが前記基板の最大幅より大きいノズルを基板に対して相対的に走査させることを特徴とする請求項6に記載の現像処理装置の調整方法。
- 予め加熱処理時の加熱温度と前記露光量モニタパターンの状態との第1の関係を求める工程と、
予め加熱処理時の加熱温度と,前記ノズルと前記感光性樹脂膜表面との距離と、前記露光量モニタパターンの状態との第2の関係を求める工程と、
前記制御パラメータの算出時、前記冷却処理後に測定された各露光量モニタパターンの状態と前記第1の関係から加熱温度の分布を求め、
前記求められた加熱温度の分布と、現像処理後に測定された各露光量モニタパターンの状態と、第2の関係とから前記距離の分布を求め、
求められた距離の分布が均一となるようすることを特徴とする請求項8に記載の現像処理装置の調整方法。 - 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、
所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、
前記露光量モニタパターンが形成された基板に加熱処理を行う工程と、
加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、
現像液を前記感光性樹脂膜に対して吐出し、長手方向の長さが前記基板の最大幅より大きいノズルを基板に対して相対的に走査させる現像処理装置を用意する工程と、
前記現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、
前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
前記ノズルのある位置が走査した線上に位置する露光量モニタパターンの状態の平均値を求める工程と、
前記露光量モニタパターンの状態の平均値を複数の位置について求め、前記ノズルの長手方向の露光量モニタパターンの状態の分布を求める工程と、
露光量モニタパターンの状態分布から前記現像処理装置の制御パラメータを算出する工程と、
算出された制御パラメータに応じて前記現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする現像処理装置の調整方法。 - 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、
各基板について、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、
前記露光量モニタパターンが形成された各基板に加熱処理を行う工程と、
加熱処理された各基板に冷却処理を行う工程と、
前記冷却処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
前記冷却処理後に測定された露光量モニタパターンの状態の平均値を測定する工程と、
複数の現像処理装置を用意する工程と、
各現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、
前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
各現像処理装置で現像処理された基板について、露光量モニタパターンの状態の平均値をそれぞれ算出する工程と、
前記冷却処理後の前記露光量モニタパターンの状態の平均値、前記現像処理後の前記露光量モニタパターンの状態の平均値から前記各現像処理装置の制御パラメータを算出する工程と、
算出された制御パラメータに応じて前記各現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする現像処理装置の調整方法。 - 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、
所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜の複数の位置に転写し、複数の露光量モニタパターンを形成する工程と、
前記露光量モニタパターンが形成された基板に加熱処理を行う工程と、
加熱処理された基板に冷却処理を行う工程と、
複数の現像処理装置を用意する工程と、
各現像処理装置を用いて、前記感光性樹脂膜の現像処理を行う工程と、
前記現像処理後、各露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、
各現像処理装置で現像処理された基板について、露光量モニタパターンの状態の平均値をそれぞれ算出する工程と、
前記露光量モニタパターンの状態の平均値から前記各現像処理装置について制御パラメータを算出する工程と、
前記算出された制御パラメータに応じて前記各現像処理装置の制御パラメータを変更する工程とを含むことを特徴とする現像処理装置の調整方法。 - 前記露光量モニタマークは、前記投影露光装置で解像することができない一定幅p内に遮光部と透光部とが一方向に配列された複数のブロックが断続的、または連続的に前記一方向に配列され、該ブロックの遮光部と透光部との寸法比が前記一方向に単調に変化するパターンであることを特徴とする請求項6〜請求項12の何れかに記載の現像処理装置の調整方法。
- 前記露光装置の露光波長をλ、ウェハ側の開口数をNA、コヒーレンスファクタσとしたとき、ウェハ上におけるピッチPが、
λ/p≧(1+σ)NA
を満たすことを特徴とする請求項13に記載の現像処理装置の調整方法。 - 前記現像処理装置は、現像液を前記感光性樹脂膜に対して吐出し、長手方向の長さが前記基板の最大幅より大きいノズルを基板に対して相対的に走査させることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の現像処理装置の調整方法。
- 前記現像処理装置の制御パラメータは、現像ノズルの長手方向の流量分布、現像液流量、現像ノズルと前記基板との距離の少なくともひとつであることを特徴とする請求項8,10,15の何れかに記載の現像処理装置の調整方法。
- 請求項6〜16の何れかに記載された現像処理装置の調整方法を用いて調整された現像処理装置を用いて感光性樹脂膜の現像処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003188496A JP4127664B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 現像処理装置の調整方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003188496A JP4127664B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 現像処理装置の調整方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007220236A Division JP2007318181A (ja) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | 現像処理装置の調整方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005026362A true JP2005026362A (ja) | 2005-01-27 |
JP4127664B2 JP4127664B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=33562272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003188496A Expired - Fee Related JP4127664B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 現像処理装置の調整方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7510341B2 (ja) |
JP (1) | JP4127664B2 (ja) |
KR (1) | KR100572949B1 (ja) |
CN (1) | CN1292457C (ja) |
TW (1) | TWI241633B (ja) |
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JP7450358B2 (ja) | 2019-09-25 | 2024-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理制御方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
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Publication number | Publication date |
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TWI241633B (en) | 2005-10-11 |
KR100572949B1 (ko) | 2006-04-28 |
US7510341B2 (en) | 2009-03-31 |
KR20050002609A (ko) | 2005-01-07 |
US20050008979A1 (en) | 2005-01-13 |
CN1577082A (zh) | 2005-02-09 |
CN1292457C (zh) | 2006-12-27 |
TW200504833A (en) | 2005-02-01 |
JP4127664B2 (ja) | 2008-07-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070827 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080121 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080318 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080507 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080509 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |