KR20010046791A - 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치및 방법 - Google Patents
반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
노광 공정이 수행되는 노광설비에서 입사 광량을 측정하는 광센서의 온도를 일정하게 유지할 수 있는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치 및 방법이 개시된다. 온도감지부에 의해 감지된 광센서의 동작 온도값은 제어부에 의해 기준 온도값과 비교되고, 이 비교 결과에 따라 제어부는 반도체 제조 설비의 가동을 제어하기 위한 인터록 제어신호 및 가열 또는 냉각제어신호를 출력하며, 가열/냉각부는 가열 또는 냉각제어신호에 응하여 광센서의 동작 온도값이 기준 온도값에 이를 때까지 광센서를 가열 또는 냉각한다. 또한, 제어부는 상기 반도체 제조 설비의 가동 중단 상태 및 광센서의 가열/냉각 상태를 작업자에게 알리기 위한 표시제어신호를 표시부로 제공하여 작업자에게 반도체 제조 설비의 가동 상태를 알린다. 따라서, 광센서의 동작 온도 변화에 따른 노광량의 측정 변화로 인해 불량 웨이퍼가 생산되는 것을 방지할 수 있고, 작업자가 작업 진행 상황의 변화에 신속하게 대처할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 제조 설비의 광센서의 온도 제어에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는, 웨이퍼 상에 소정 패턴을 형성하기 위하여 노광 공정이 수행되는 노광설비에서 입사 광량을 측정하는 광센서의 온도를 일정하게 유지할 수 있는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 노광 설비에서 사용되는 광센서 및 이와 관련된 주변 장치의 구성을 보이는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래에는 웨이퍼 상에 소정 패턴을 형성하기 위하여 조사되는 광의 량 즉, 노광량을 측정하기 위한 광센서(10), 광센서(10)를 가열 또는 냉각하기 위한 가열/냉각부(20), 그리고 광센서(10)의 온도를 감지하기 위한 온도감지부(30)를 갖는다.
이때, 광센서(10)는 일반적으로 18℃ 정도의 온도상태에서 동작될 때, 가장 정확한 노광량을 측정한다.
따라서, 온도감지부(30)는 광센서(10)의 현재 동작 온도를 감지하고, 이 감지신호를 가열/냉각부(20)로 제공한다. 그리고, 가열/냉각부(20)는 상기 감지신호에 따라 광센서(10)를 가열하거나 냉각하여 광센서(10)가 항상 일정한 온도 범위에서 동작되도록 제어한다.
그러나, 이와 같은 장치에서는 광센서(10)가 실제로 18℃의 온도 범위에서 동작되고 있는지를 작업자가 직접적으로 확인할 수 없다.
이로 인해, 광센서(10)가 적정 온도 보다 낮거나 높은 온도에서 동작되는 경우, 웨이퍼에 조사되는 노광량이 정확하게 측정되지 않는다. 그 결과, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴이 공정조건에 부합되지 않는 불량한 제품이 양산되는 문제점이 발생된다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 웨이퍼 상에 소정 패턴을 형성하기 위하여 노광 공정이 수행되는 노광설비에서 입사 광량을 측정하는 광센서의 온도를 일정하게 유지할 수 있는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 웨이퍼 상에 소정 패턴을 형성하기 위하여 노광 공정이 수행되는 노광설비에서 입사 광량을 측정하는 광센서의 온도를 일정하게 유지할 수 있는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 종래 반도체 제조 설비의 구성을 보이는 블록도;
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치의 구성을 보이는 블록도; 및
도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 광센서
200 : 가열/냉각부
300 : 온도감지부
400 : 아날로그/디지털 변환부
500 : 제어부
600 : 표시부
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치는, 입사되는 광량을 측정하기 위한 광센서를 가열 또는 냉각하기 위한 가열/냉각수단 및 상기 광센서의 온도를 감지하여 감지신호를 출력하기 위한 온도감지수단을 구비하여 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치에 있어서, 상기 감지신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하기 위한 아날로그/디지털 변환수단과, 상기 아날로그/디지털 변환수단으로부터 디지털 신호로 변환된 감지신호를 제공받고, 이 감지신호를 기 설정된 기준값과 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 반도체 제조 설비의 동작을 정지시키기 위한 인터록 제어신호를 설비동작 제어장치로 제공하고, 상기 광센서를 가열하기 위한 가열제어신호 또는 상기 광센서를 냉각하기 위한 냉각제어신호를 상기 가열/냉각수단으로 제공함과 동시에 표시제어신호를 출력하기 위한 제어수단과, 그리고 상기 표시제어신호에 응답하여 상기 반도체 제조 설비가 동작 정지중임을 작업자에게 알리기 위한 표시수단을 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 방법은, 광센서의 현재 온도를 나타내는 감지신호값이 입력되는지를 판단하는 제1단계와, 상기 감지신호값이 입력되면, 상기 감지신호값이 상기 광센서의 최적온도를 나타내는 기 설정된 기준값 보다 큰지를 판단하는 제2단계와, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크면, 반도체 제조 설비의 동작을 중지시키기 위한 인터록 제어 신호를 출력하는 제3단계와, 상기 광센서를 냉각시키기 위한 냉각제어신호를 출력하는 제4단계와, 상기 반도체 제조 설비가 동작 중지임을 작업자에게 알리기 위한 표시제어신호를 출력하는 제5단계와, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크지 않으면, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작은지를 판단하는 제6단계와, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작으면, 상기 인터록 제어 신호를 출력하는 제7단계와, 그리고 상기 광센서를 가열시키기 위한 가열제어신호를 출력하고 제5단계로 진행하는 제8단계를 포함한다.
이와 같은 장치 및 방법에 따르면, 광센서의 동작 온도가 적정 온도를 벗어나는 경우, 제어부의 제어에 의해 반도체 제조 설비의 동작이 중지된다. 이어서, 광센서의 동작 온도는 제어부의 제어에 의한 가열/냉각부의 가열 또는 냉각 동작에 의해 적정 온도로 맞추어진다.
그리고, 반도체 제조 설비의 동작 중지 상태 및 광센서에 대한 가열/냉각 동작 상태는 표시부를 통해 작업자에게 전달된다. 따라서, 광센서의 동작 온도 변화에 따른 노광량의 측정 변화로 인해 불량 웨이퍼가 생산되는 것을 방지할 수 있고, 작업자가 작업 진행 상황의 변화에 신속하게 대처할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치 및 방법을 첨부도면 도 2 및 도 3에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치의 구성을 보이는 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치는, 입사 광량을 측정하기 위한 광센서(100), 상기 광센서(100)를 가열 또는 냉각하기 위한 가열/냉각부(200), 상기 광센서(100)의 동작 온도를 감지하여 감지신호를 출력하기 위한 온도감지부(300), 상기 감지신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 아날로그/디지털 변환부(400), 상기 감지신호와 기준값을 비교한 결과에 따라 상기 광센서(100)를 가열 또는 냉각하기 위한 제어신호, 표시제어신호 그리고 인터록 제어신호를 출력하기 위한 제어부(500), 그리고 상기 반도체 제조 설비의 동작 상태를 작업자에게 표시하기 위한 표시부(600)를 갖는다
이와 같은 구성을 갖는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치의 동작을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
상기 광센서(100)는 웨이퍼 상에 조사되어 패턴을 형성하기 위하여 입사되는 광량을 측정한다. 이때, 상기 광센서(100)가 노광량을 정확하게 측정하기 위한 최적의 온도는 18℃이다.
반도체 제조 설비 즉, 노광 설비가 동작되면 상기 광센서(100)는 웨이퍼 상에 조사되는 광량을 측정하고, 상기 온도감지부(200)는 상기 광센서(100)의 현재 동작 온도를 수시로 감지하여 상기 감지신호를 상기 아날로그/디지털 변환부(400)로 제공한다.
상기 아날로그/디지털 변환부(400)는 상기 온도감지부(300)로부터의 상기 감지신호를 디지털 신호로 변환하여 상기 제어부(500)로 제공한다.
상기 제어부(500)는 상기 아날로그/디지털 변환부(400)로부터 제공되는 상기 감지신호에 따른 감지신호값을 기 설정된 기준값 즉, 18℃의 온도값과 비교한다.
그 비교 결과, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작거나 크면, 상기 제어부(500)는 상기 반도체 제조 설비의 동작을 정지시키기 위한 상기 인터록 제어신호를 설비동작 제어장치로 제공하여 상기 반도체 제조 설비의 노광 공정을 중단시킨다.
또한, 상기 제어부(500)는 상기 비교 결과에 응하여 상기 가열/냉각부(200)로 상기 가열제어신호 또는 냉각제어신호를 제공한다.
또한, 상기 제어부(500)는 상기 반도체 제조 설비의 동작 중지 상태 및 상기 광센서(100)의 가열/냉각 상태를 상기 작업자에게 알리기 위한 표시제어신호를 상기 표시부(600)로 제공한다.
상기 가열/냉각부(200)는 상기 제어부(500)로부터의 상기 가열 또는 냉각 제어신호에 응답하여 상기 광센서(100)의 동작 온도가 기준값에 이를 때까지 상기 광센서(100)를 가열 또는 냉각한다.
한편, 상기 표시부(600)는 상기 제어부(500)로부터의 표시제어신호에 응답하여 상기 반도체 제조 설비의 동작 중지 상태 및 상기 광센서(100)의 가열/냉각 상태를 상기 작업자에게 표시한다.
이제부터는 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 방법을 설명한다.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제어부(500)는 상기 광센서(100)의 현재 동작 온도를 나타내는 감지신호값이 입력되는지를 판단한다(단계 S700).
상기 감지신호값이 입력되지 않으면, 상기 제어부(500)는 단계 S700으로 되돌아간다.
상기 감지신호값이 입력되면, 상기 제어부(500)는 상기 감지신호값과 상기 광센서(100)의 최적 동작 온도를 나타내는 상기 기준값을 비교하여 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 큰지를 판단한다(단계 S710).
상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크면, 상기 제어부(500)는 상기 반도체 제조 설비의 동작을 중지시키기 위한 상기 인터록 제어신호를 상기 설비동작 제어장치로 제공한다(단계 S720).
여기에서, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크다는 것은 상기 광센서(100)의 현재 동작 온도가 상기 최적 동작 온도 보다 높음을 의미한다.
따라서, 상기 제어부(500)는 상기 광센서(100)를 냉각시키기 위한 상기 냉각제어신호를 상기 가열/냉각부(200)로 제공한다(단계 S730).
그리고, 상기 제어부(500)는 상기 표시제어신호를 상기 표시부(600)로 제공한다(단계 S740).
다음, 단계 S710에서 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크지 않다고 판단되면, 상기 제어부(500)는 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작은지를 판단한다(단계 S750).
상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작으면, 상기 제어부(500)는 상기 반도체 제조 설비의 동작을 중지시키기 위한 상기 인터록 제어신호를 상기 설비동작 제어장치로 제공한다(단계 S760).
여기에서, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작다는 것은 상기 광센서(100)의 현재 동작 온도가 상기 최적 동작 온도 보다 낮음을 의미한다.
따라서, 상기 제어부(500)는 상기 광센서(100)를 가열시키기 위한 상기 가열제어신호를 상기 가열/냉각부(200)로 제공한다(단계 S770).
그리고, 상기 제어부(500)는 상기 표시제어신호를 상기 표시부(600)로 제공한다(단계 S740).
상술한 바와 같은 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치 및 방법에 따르면, 광센서의 동작 온도가 적정 온도를 벗어나는 경우, 제어부의 제어에 의해 반도체 제조 설비의 동작이 중지된다. 이어서, 광센서의 동작 온도는 제어부의 제어에 의한 가열/냉각부의 가열 또는 냉각 동작에 의해 적정 온도로 맞추어진다.
그리고, 반도체 제조 설비의 동작 중지 상태 및 광센서에 대한 가열/냉각 동작 상태는 표시부를 통해 작업자에게 전달된다. 따라서, 광센서의 동작 온도 변화에 따른 노광량의 측정 변화로 인해 불량 웨이퍼가 생산되는 것을 방지할 수 있고, 작업자가 작업 진행 상황의 변화에 신속하게 대처할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (3)
- 입사되는 광량을 측정하기 위한 광센서를 가열 또는 냉각하기 위한 가열/냉각수단 및 상기 광센서의 온도를 감지하여 감지신호를 출력하기 위한 온도감지수단을 구비하여 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치에 있어서,상기 감지신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하기 위한 아날로그/디지털 변환수단;상기 아날로그/디지털 변환수단으로부터 디지털 신호로 변환된 감지신호를 제공받고, 이 감지신호를 기 설정된 기준값과 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 반도체 제조 설비의 동작을 정지시키기 위한 인터록 제어신호를 설비동작 제어장치로 제공하고, 상기 광센서를 가열하기 위한 가열제어신호 또는 상기 광센서를 냉각하기 위한 냉각제어신호를 상기 가열/냉각수단으로 제공함과 동시에 표시제어신호를 출력하기 위한 제어수단; 및상기 표시제어신호에 응답하여 상기 반도체 제조 설비가 동작 정지중임을 작업자에게 알리기 위한 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기준값은 18℃인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치.
- 광센서의 현재 온도를 나타내는 감지신호값이 입력되는지를 판단하는 제1단계;상기 감지신호값이 입력되면, 상기 감지신호값이 상기 광센서의 최적온도를 나타내는 기 설정된 기준값 보다 큰지를 판단하는 제2단계;상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크면, 반도체 제조 설비의 동작을 중지시키기 위한 인터록 제어 신호를 출력하는 제3단계;상기 광센서를 냉각시키기 위한 냉각제어신호를 출력하는 제4단계;상기 반도체 제조 설비가 동작 중지임을 작업자에게 알리기 위한 표시제어신호를 출력하는 제5단계;상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 크지 않으면, 상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작은지를 판단하는 제6단계;상기 감지신호값이 상기 기준값 보다 작으면, 상기 인터록 제어 신호를 출력하는 제7단계; 및상기 광센서를 가열시키기 위한 가열제어신호를 출력하고 제5단계로 진행하는 제8단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 방법.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019990050695A KR20010046791A (ko) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치및 방법 |
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| KR1019990050695A KR20010046791A (ko) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치및 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010046791A true KR20010046791A (ko) | 2001-06-15 |
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| KR1019990050695A KR20010046791A (ko) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 반도체 제조 설비의 광센서의 온도를 제어하기 위한 장치및 방법 |
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| KR (1) | KR20010046791A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572949B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-04-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 가열 처리 장치의 온도 교정 방법, 현상 처리 장치의 조정방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-11-15 KR KR1019990050695A patent/KR20010046791A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572949B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-04-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 가열 처리 장치의 온도 교정 방법, 현상 처리 장치의 조정방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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