JP4443632B2 - フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正するレチクル - Google Patents
フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正するレチクル Download PDFInfo
- Publication number
- JP4443632B2 JP4443632B2 JP52588298A JP52588298A JP4443632B2 JP 4443632 B2 JP4443632 B2 JP 4443632B2 JP 52588298 A JP52588298 A JP 52588298A JP 52588298 A JP52588298 A JP 52588298A JP 4443632 B2 JP4443632 B2 JP 4443632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- reticle
- pattern
- radiation
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
この発明はレチクルに関し、より具体的には集積回路装置を製造するために用いられるフォトリソグラフィックシステムにおいて用いられるレチクルに関する。
背景技術
集積回路装置の製造は、正確に制御された量をウェハまたは基板の非常に小さな領域内に導入するかまたはその領域上に堆積することを必要とする。フォトリソグラフィは典型的にはこれらの領域を規定するパターンを作り出す。すなわち、フォトレジストはウェハ上にスピンコートされ、選択的に放射に露光され、かつその後現像される。ポジ型フォトレジストが用いられる場合はデベロッパは照射された領域を取り除き、一方ネガ型フォトレジストが用いられる場合はデベロッパは照射されない領域を取り除く。フォトレジストがパターニングされた後、ウェハはフォトレジストをマスクとして用いて加算的処理(イオン注入など)または減算的処理(エッチングなど)にさらされる。
フォトリソグラフィックシステムは典型的にはマスクまたはレチクルとともに放射源およびレンズを用いてフォトレジストを選択的に照射する。この放射源はマスクまたはレチクルを通して放射をレンズに投射し、レンズはマスクまたはレチクルの像をウェハ上で結ぶ。マスクはウェハ全体(または別のマスク)上にパターンを1回の露光ステップで転写し、一方レチクルはパターンをウェハの一部分にのみ転写する。ステップアンドリピート方式は複数の露光を用いてウェハ全体の上にレチクルパターンの複数の像を転写する。このレチクルパターンはレンズによる縮小のため、典型的にはウェハ上の像の大きさの2倍から10倍である。しかしながら、非縮小(1倍)ステッパはより大きいフィールドを提示し、これによって各露光ごとに1を超える数のパターンが印刷されることが可能になる。
レチクルは典型的には、比較的表面に欠陥がなくかつ放射波長での光透過が高い石英からなる。石英は近紫外線光および深(deep)紫外線光に対して熱膨張率が低く、透過が高い。石英は高価になりがちであるが、高品質の合成石英材料の発達に伴ってより入手しやすくなってきた。
レチクルは磨かれかつ洗浄された大きな石英板を切断することによって準備され、その後クロムまたは鉄酸化物などのマスク形成材料で被覆される。クロムは最も広く用いられる材料であり、典型的には1,000オングストローム未満の厚さまでスパッタリングまたは蒸着によって堆積される。クロムはその後選択的に取り除かれてパターンを形成する。たとえば、フォトレジストの非常に薄い層が、1組の正確に位置付けられた方形の像を写しかつ露光することによって(光学的にまたは電子ビームによって)クロム上に堆積されかつパターニングされ、さらにその後ウエットエッチングが施される。複雑なVLSI回路レベルに対してレチクルをパターニングすると10時間以上にわたって100,000回を超える方形の露光を必要とするかもしれない。この間中、位置的誤差を防ぐために極度の温度制御がしばしば必要である。その結果、レチクルの質をクロムがエッチングされた後まで保証することができない。
ステップアンドリピート方式におけるレンズ誤差(lens errors)は非常に望ましくないものである。なぜなら、それによりレチクルからフォトレジストへのパターンの転写が中断され、これが集積回路製造工程に欠陥を導くことになるからである。レンズ誤差とは、非点収差およびディストーションなどのさまざまな光学収差を含む。非点収差はレンズの曲率が不規則なとき起こる。ディストーションは、レンズの中心からの半径距離によってレンズの倍率が変化するときに起こる。たとえば凸または糸巻き型ディストーションでは、各像点は中心から半径方向に外側にずれ、最も距離の離れた像点は最も外側にずれる。凹または樽型ディストーションでは、各像点は中心に向かって半径方向に内側にずれ、最も距離の離れた像点は最も内側にずれる。したがって、レンズ誤差は修正または補正ができるように頻繁に測定される。
レンズ誤差を評価するための典型的な技術は、評価の目的で用いられるように特別に設計されたマスクパターンを用いてフォトレジストの露光および現像を行なうことを含む。このような像処理の後、ウェハは光学検査を受けるかまたは電気的に測定可能なパターンを形成するようにさらに処理されるかのいずれかである。光学システムを監視するようにシリコン上に製造された感光性検出器の使用もまたこの技術分野で公知である。
米国特許第4,585,342号は放射感応性検出器とともにマトリックス内に配置されるシリコンウェハ、この検出器の各々が投射フィールドの同じ場所に連続して別々に配置されるようにウェハを位置付けるためのx−yステージ、および光学リソグラフィックシステムの性能を評価する前に検出器を較正するために検出器の出力信号を記録するためのコンピュータを開示する。
米国特許第5,402,224号は、予め定められた間隔Sxで配置された測定パターンを備えるテストレチクルを提供し、そのパターンをテストレチクルから感光性基板に転写し、テストレチクルと基板とを互いに対してΔTx(ΔTx<Sx)分シフトし、測定パターンをテストレチクルから基板へ再度転写し、これらの2つの形成されたパターンの間の相対的なずれを測定してディストーション特性の微分係数を出し、さらに微分係数を積分してディストーション特性を得る、光学システムのディストーション検査を提供する。
ステップアンドリピート方式においてレンズを置換することは、レンズが大きく、重く、この方式の不可欠部分であることから非実用的であると考えられる。さらに、代わりのレンズによって後の修正が不必要になるということは考えにくい。
米国特許出願第5,308,991号は、既知のレンズディストーションの修正を補正することを組入れたディストーション前(predistorted)のレチクルを開示する。ウェハ上での形のずれをレンズのフィールド位置の関数として表わすレンズディストーションデータが得られる。このレンズディストーションデータは、x次元修正項およびy次元修正項を計算するために用いられる。修正項の逆数はステージコントローラの補正値によって乗算され、レチクルを正しく位置付ける。この態様では、レチクルはレンズ誤差を補正するように位置付けられる。米国特許第5,308,991号の方法は添付の請求項1の前文の主題である。しかしながら、このアプローチの欠点は非常に正確なレチクル位置付け装置が必要となることである。
EP−A−0307726は、半導体本体のパターンとパターンを生じさせるマスクとの間のディストーションを補正するための既知の半導体製造方法を開示する。
DE−A−1522285は、マスクの曲率が補正を提供するように調整される、半導体製造工程におけるレンズ曲率を補正する方法を開示する。
EP−A−0689099およびEP−A−0724199もまた、投射レンズシステムにおいて生じる誤差を修正および補正するための従来技術の方法を開示する。
したがって、フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正する改良された技術の必要性が存在する。
発明の開示
この発明の1つの目的は、レンズ誤差に対する補正を提供することである。別の目的は、ステップアンドリピート方式のようなフォトリソグラフィックシステムの正確さを向上させることである。この発明は、像パターンを備えた、レンズ誤差を補正するレチクルを提供することによってこれらの目的を達成する。この発明の一局面に従うと、フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正する方法は、像のずれデータによってレンズ誤差を得るステップと、像のずれデータを用いてレチクルを構造的に修正することによりレチクルがレンズ誤差を補正するステップとを含む。好ましくは、像のずれデータはレンズ表面上のx座標とy座標との関数である。
このレチクルはレチクル上の放射転写領域の構成(またはレイアウト)を調整することによって(たとえば石英基板の上面のクロムパターンを調整することによって)構造的に修正することができる。これに代えて、レチクルはレチクルの曲率を調整することによって(たとえばクロムパターンを石英基板の上面に配置し、石英基板の底面の一部をこすり取ることによって)構造的に修正することができる。
一実施例では、像のずれデータはレンズ加熱の関数として変化し、レチクルを構造的に修正するステップはレチクルパターンに付随するレンズ加熱を補正することを含む。像のずれデータを得るステップは、第1のテストパターンおよびレンズを通して第1の放射量を投射し、第1のレンズ加熱に付随する第1のレンズ誤差を提供するステップと、第2のテストパターンおよびレンズを通して第2の放射量を投射し第2のレンズ加熱に付随する第2のレンズ誤差を提供するステップと、第1および第2のレンズ誤差を用いて像のずれデータを提供するステップとを含む。この態様では、レチクルはレチクルパターンに付随するレンズにおける局所的加熱効果を補正するように構造的に修正され得る。
有利なことに、レチクルは集積回路装置をパターニングするように適合させることができ、この場合レチクルは集積回路装置の製造中にフォトリソグラフィックシステムにおける像パターンおよびレンズ誤差の補正の両方を提供する。
この発明のこれらおよび他の目的、特徴および利点は、さらに詳しく述べられ、後に続く好ましい実施例の詳細な説明を参照することにより、より容易に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
後に続く好ましい実施例の詳細な説明は、次の図面を参照しながら読むと最もよく理解することができる。
図1は、ステップアンドリピート方式の典型的な配置を表わす斜視図である。
図2および図3は、異なる量のレンズ加熱によるレンズ誤差を表わす図である。
図4は、集積回路装置をパターニングするために用いられるレチクルの上面図である。
図5は、図4のレチクルに付随するレンズ誤差を表わす図である。
図6は、この発明の一実施例に従ったレチクルの上面図である。
図7および8は、図6のレチクルの一部を他のパターンと比較した拡大図である。
図9は、図6のレチクルの断面図である。
図10は、この発明の別の実施例に従ったレチクルの上面図である。
図11および12は、図10のレチクルの一部を他のパターンと比較した拡大図である。
図13は、図10のレチクルの断面図である。
発明を実施するための様態
図面において、示される要素は必ずしも縮尺を合わせて描かれるものではなく、同一または同様の要素が複数の図を通じて同じ参照番号で示される場合もある。
図1は集積回路装置を製造するためのステップアンドリピート方式の典型的な配置を表わす斜視図である。システム10は放射源12、レチクル14、レンズ16、およびx−yステッピングテーブル20上に取付けられたウェハ18を含む。放射源12はI線紫外線光を生成するための水銀灯を含む。レチクル14は石英基板上にクロムパターンを含み、放射パターンを転写するためのクロム領域の間には光透過性の線22を含む。レンズ16は放射パターンをウェハ18のフォトレジストで被覆された部分24上に結像する。コンピュータ(図示せず)は標準デジタルデータプロセッサであり、ステップアンドリピート動作についてステッピングテーブル20のx−y方向の動き、および放射パターンの結像についてz方向のレンズ16の動きを制御する。レチクル、レンズ、およびウェハを電気制御信号に応答してx、yまたはz方向に動かす機構はこの技術分野で公知である。
図2および図3はレンズ加熱の量を変化させた場合のレンズ16におけるレンズ誤差を表わす図である。小さな円はレンズ底面の放射が通過する点(x座標およびy座標によって規定される)を表わす。円についている線はレンズ面のその点でのレンズ誤差を表わす。線の長さは誤差の大きさに対応し、また線の方向は像がずらされる方向に対応する。図2は低温でのレンズ16のレンズ誤差を表わし、一方図3は高温でのレンズ16のレンズ誤差を表わす。図からわかるように、レンズ誤差はレンズ加熱の関数である。
図4は集積回路装置の層をパターニングするために用いられるレチクルを表わした図である。レチクル30は光透過性の線の分離パターンを備える第1の部分32と、光透過性の線の密集パターンを備える第2の部分34とを含む。たとえば、第1の部分32は線36を含み、第2の部分34は線38を含む。第1の部分32の線は隣接する線から広く間隔をあけられ、一方部分34の線は隣接する線と近接している。これらの線は同様の線幅を有し、たとえばシステム10の最小解像度に対応する。したがって、第2の部分34は第1の部分32よりはるかに多量の放射を転写する。
図5はレチクル30が用いられるときのレンズ16におけるレンズ誤差を表わす図である。図示したように、レンズ16のうちレチクル30の部分32と整列した部分は局所的な加熱をほとんど被ることなく、したがってこれは図2のレンズ誤差に対応し、一方レンズ16のうちレチクル30の部分34と整列した部分は極度の局所的加熱を被り、したがってこれは図3のレンズ誤差と対応する。レンズ16のうちレチクル30の部分32および34の外側の部分は、局所的な加熱をほとんどまたは全く受けず、これもまた図2のレンズ誤差に対応する。したがって、レンズ16のレンズ誤差は採用したレチクルパターンによる局所的レンズ加熱の関数である。
レンズ16のレンズ誤差は従来技術を用いて、レンズ誤差における変化をレンズ加熱の関数として特徴付けようとすることなく、レチクルから独立して検査することができる。しかしながら、レチクルはあるレンズ部分を他の部分よりはるかに多量の放射に露光するという独特のパターンを有することが多い。放射は強度が高くレンズは熱伝導率が低いので、多量の放射にさらされるレンズの部分は、放射にほとんどまたは全くさらされないレンズの部分よりはるかに熱くなりやすい。したがって、特定のレチクルは局所的レンズ加熱のパターンを示す。さらに、レンズは所与の熱膨張係数を有するので、レンズの寸法はレンズ熱の関数として変化する。したがって、レンズ誤差は本来のレンズ欠陥からだけでなくレンズ加熱によってもまた起こる。さらに、レンズ加熱に付随するレンズ誤差は特定のレチクルパターンに依存する。
レチクル30、または集積回路装置を製造するために用いられる他のレチクルに付随するレンズ誤差の検査は、レチクルの転写パターンを測定し、その転写パターンをレチクルパターンと比較し、さらにその後レチクルのレンズ誤差を計算することによって遂行され得る。この態様では、レンズ誤差はレチクルに付随するレンズ加熱を含む。しかしながら、このアプローチの欠点は、レチクルパターンは通常レンズを検査しやすいように設計されてはいないことである。たとえば、長い線が一方向に際立って引かれるレチクルパターンは、線の方向における像のずれに対しては非常に限定された情報しか提供できないおそれがある。さらに、このレチクルパターンは所望の座標で測定するのが困難であるかもしれない。
レンズ誤差を特徴付けるための好ましいアプローチは、B.ムーアら(B.Moore et al.)による「フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ加熱に付随するレンズ誤差の検査(Inspection Of Lens Error Associated With Lens Heating In A Photolithographic System)」と題され、1998年3月3日に発行された米国特許第5,723,238号に記述されている。このアプローチは、第1の放射量を第1のテストパターンおよびレンズを通して投射し第1のレンズ加熱に付随する第1のレンズ誤差を提供するステップと、第2の放射量を第2のテストパターンおよびレンズを通して投射し第2のレンズ加熱に付随する第2のレンズ誤差を提供するステップと、第1および第2のレンズ誤差を用いてレンズ加熱の関数として変化する像のずれデータを提供するステップとを含む。この態様では、像のずれデータは第1のレンズ加熱に対応する第1のデータ項目と、第2のレンズ加熱に対応する第2のデータ項目とを、レンズ表面の各座標点について含む。一実施例では、像のずれデータを得るステップは、第1のテストレチクルが第1の放射量をレンズに転写することにより第1のレンズ加熱を提供するように放射を第1のテストレチクルおよびレンズを通して投射することによってウェハ上のフォトレジストの第1の部分上に第1の像パターンを形成するステップと、第2のテストレチクルが第2の放射量をレンズに転写することにより第2のレンズ加熱を提供するように放射を第2のテストレチクルおよびレンズを通して投射することによってフォトレジストの第2の部分上に第2の像パターンを形成し、よって第2の放射量が第1の放射量より実質的に多くなり、その結果第2のレンズ加熱が第1のレンズ加熱より実質上大きくなるステップと、ウェハを選択的に露光するようにフォトレジストを現像するステップと、フォトレジストをエッチングマスクとして用いてウェハをエッチングすることにより第1の像パターンに対応するウェハに第1の転写パターンを形成し、第2の像パターンに対応するウェハに第2の転写パターンを形成するステップと、フォトレジストを剥がすステップと、第1のテストパターンと第1の転写パターンとの間のずれを比較することにより第1のデータ項目を得るステップと、第2のテストパターンと第2の転写パターンとの間のずれを比較することにより第2のデータ項目を得るステップとを含む。
したがって、この発明のレチクルが修正される前にレンズ誤差を何らかの態様で得ることが必要である。好ましくは、レンズ誤差は像のずれを提供する像のずれデータまたはレンズ(または露光フィールド)上の位置の関数としてのオフセットによって表現される。このレンズ位置は、たとえばレンズの中心からの半径距離として、またはレンズ表面上の(x,y)座標として規定され得る。レンズ位置が半径距離であれば、像のずれ(Δr)は半径距離の関数である。同様に、レンズ位置が(x,y)座標にあれば、像のずれ(Δx,Δy)は(x,y)座標の関数である。いくつかのレンズ誤差がレンズ加熱の関数として得られると、レンズ表面の各座標位置について、像のずれデータは第1のレンズ加熱に対応する第1の像のずれと、第2のレンズ加熱に対応する第2の像のずれとを含む。
さらに、第1および第2のレンズ誤差からの像のずれデータは必要に応じて内挿または外挿され得る。たとえば、1次近似として、レンズ誤差における線形の変化をレンズ加熱の関数として仮定することができる。同様に、さらなるレンズ誤差が、特にウェハ上の別個の層についても得られる。所望であれば、第1および第2の転写パターンの複数のものが測定でき、これらの測定値は統計的分析を用いて評価されて第1および第2のレンズ誤差を決定することができる。統計的分析はレンズ誤差の(前の露光からの)残留加熱効果を評価するのにもまた有用であり得る。すなわち、ステップアンドリピート露光は急速に行なわれることが多いので、前の露光がレンズ加熱およびレンズ誤差に影響することもある。複数の露光について、たとえば典型的な露光によるレンズ加熱に基づいた像のずれデータ(ただし最初の露光はレンズ加熱がいくらか少ないかもしれない)を提供するために、統計的分析を用いることができる。
像のずれデータはまた、焦点−露光マトリックスと組合せて決定されてもよい。たとえば、一旦そのウェハ(または別のウェハ)についての焦点−露光マトリックスが得られると、第1および第2のレンズ誤差は最適な焦点および露光パラメータを用いて得られる。さらに、像のずれデータは本質的なレンズ誤差についての修正情報、レンズ加熱誤差、フォトレジストにおける変化、ウェハのトポグラフィにおける変化、およびレンズ誤差に寄与する他の要因を含み得る。
例示の目的で、レンズ16を低温まで加熱することに付随する第1のレンズ誤差から得られる像のずれデータはレチクル30の部分32を修正することに対して適切であると思われ、レンズ16を高温まで加熱することに付随する第2のレンズ誤差から得られる像のずれデータはレチクル30の部分34を修正することに対して適切であると考えられる。すなわち、部分32は少量のレンズ加熱を示す像のずれデータを用いて修正でき、これは部分32が少量の放射のみを透過する分離放射透過性パターンを含むからであり、一方部分34は多量のレンズ加熱を示す像のずれデータを用いて修正でき、これは部分34が多量の放射を透過する密集放射透過性パターンを含むからである。
図6から9は構造的に修正されるレチクル30がレチクル30に付随するレンズ16のレンズ誤差を補正するための1つのアプローチを表わす。図6から9では、レチクル130はレチクル30の放射透過領域の構成を調整することにより得られる。
図6はレチクル130の上面図であり、これは光透過性の線の分離パターンを含む第1の部分132と、光透過性の線の密集パターンを含む第2の部分134とを含む。たとえば、第1の部分132は線136を含み、第2の部分134は線138を含む。レチクル130はレチクル30と類似しているが、レチクル130では線の構成がレチクル30に付随するレンズ誤差を補正するように調整されているという点においてのみ異なる。たとえば、線136は線36に付随するレンズ誤差を補正するように調整されており、線138は線38に付随するレンズ誤差を補正するように調整されている。
図7は線136を線36および336と比較した拡大図である。線36は理想の(収差のない)転写パターンを表わす。線336は線36を用いて得られた転写パターンを表わす。説明の便宜上、線36、136および336は意図したレンズの縮小を相殺するように尺度決めされ、ずれが誇張されている。線36と線336との間のずれはレンズ誤差を示す。したがって、線136はこのずれを補正するように構成される。すなわち、線136が用いられると、理想の転写パターンと実際の転写パターンとの間のずれが減少し、よってレンズ誤差を補正する。
図8は線138を線38および338と比較した拡大図である。線38は理想の(収差のない)転写パターンを表わす。線338は線38を用いて得られた転写パターンを表わす。説明の便宜上、線38、138および338は意図したレンズの縮小を相殺するように尺度決めされ、ずれが誇張される。線38と線338との間のずれはレンズ誤差を示す。したがって、線138はこのずれを補正するように構成される。すなわち、線138が用いられると、理想の転写パターンと実際の転写パターンとの間のずれが減少し、したがってレンズ誤差が補正される。
線38と線338との間のずれは線36と線336との間のずれよりも実質上大きい。というのは、説明のために、部分134に付随するレンズ16の領域は部分132に付随するレンズ16の領域と比べて実質上より局所的な加熱を受けるからである。有利なことに、像のずれデータの第1のデータ項目は線136を構成するのに用いられ、像のずれデータの第2のデータ項目は線138を構成するのに用いられる。したがって、線36と線136との間のずれは線38と線138との間のずれより小さい。こうして、レチクル130はレチクル30に付随するレンズ誤差の関数として構成される。
図9はレチクル130の断面図であり、石英基板142上にクロムパターン140を含む。石英基板142は上面144と底面146とを含む。面144および146は平坦である。したがって、レチクル130は上面および下面の対向する主表面を含む。集積回路装置の製造中、放射源12からの放射はレチクル130の上主面から底主面、さらにその後レンズ16へと通過する。クロムパターン140は放射遮断パターンを提供し、石英基板142は放射透過性基板を提供する。クロムパターン140はレンズ誤差を補正するように構成され、石英基板142は従来のものである。
図10から13は構造的に修正されるレチクル30がレチクル30に付随するレンズ16のレンズ誤差を補正するための別のアプローチを表わす。図10から13では、レチクル230はレチクル30の底面の曲率を調整することにより得られる。
図10はレチクル230の上面図であり、光透過性の線の分離パターンを含み、第2の部分234は光透過性の線の密集パターンを含む。たとえば、第1の部分232は線236を含み、第2の部分234は線238を含む。レチクル230はレチクル30と類似しているが、レチクル230の底面がレチクル30に付随するレンズ誤差を補正するように調整されているという点でのみ異なる。たとえば、線236は線36と一致し、線238は線38と一致する。
図11は線236を線336および436と比較した拡大図である。線236は理想の(収差のない)転写パターンを表わす。線336はレチクル30の線36を用いて得られた転写パターンを表わす。線436は線336に付随するレンズ誤差のない転写パターンを表わす。説明の便宜上、線236、336および436は意図したレンズ縮小を相殺するように尺度決めされ、ずれが誇張される。線236と線336との間のずれはレンズ誤差を示す。したがって、レチクル230の底面はこのずれを補正する曲率または「処方策(prescription)」を提供するために研磨される。すなわち、レチクル230の底面が歪曲したものが用いられ、理想の転写パターンと実際の転写パターンとの間のずれは減少し、したがって、レンズ誤差が補正される。
図12は線238を線338および438と比べた拡大図である。線238は理想の(収差のない)転写パターンを表わす。線338はレチクル30の線38を用いて得られた転写パターンを表わす。線438は線338に付随するレンズ誤差のない転写パターンを表わす。説明の便宜上、線238、338および438は意図したレンズの縮小を相殺するように尺度決めされ、ずれが誇張されている。線238と線338との間のずれはレンズ誤差を示す。したがって、レチクル230の底面はこのずれを補正する曲率を提供するように研磨される。すなわち、レチクル230の底面が歪曲したものを用いると、理想の転写パターンと実際の転写パターンとの間のずれが減少し、したがってレンズ誤差が補正される。
線238と線338との間のずれは線236と線336との間のずれと比べて実質上大きいが、これは説明の目的で、部分234に付随するレンズ16の領域が部分232に付随するレンズ16の領域に比べて実質上より局所的な加熱を受けるからである。有利なことに、像のずれデータの第1のデータ項目は部分232の下のレチクル230の底面の曲率を決定するのに用いられ、像のずれデータの第2のデータ項目は部分234の下のレチクル230の底面の曲率を決定するのに用いられる。したがって、レチクル230の底面の曲率は部分232の下の方が部分234の下に比べて小さい。これは、線236と線336との間のずれが線238と線338との間のずれより小さいからである。この態様では、レチクル230はレチクル30に付随するレンズ誤差の関数として構成される。
図13はレチクル230の断面図であり、石英基板242上にクロムパターン240を含む。石英基板242は上面244と底面246とを含む。上面244は平坦であるが、底面246は歪曲しており、よって石英基板242の選択された部分が他の部分より厚い。したがって、レチクル230は上面および下面の対向する主表面を含む。集積回路装置の製造中、放射源12からの放射はレチクル230の上主表面から底主表面、さらにその後レンズ16へ通過する。クロムパターン240は放射遮断パターンを提供し、石英基板242は放射透過性基板を提供する。クロムパターン240はレチクル30上のクロムパターンに関しては修正されない。しかしながら、底面246の曲率はレンズ誤差を補正するために放射を再び方向付ける。その結果、石英基板242は光学修正板を提供する。
したがってこの発明は、フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正するために集積回路装置の製造に適応したレチクルを構造的に修正する方法を提供する。たとえば、レチクルの仕様はこの発明に従って調整でき、その後レチクル製造者が構造的に修正されたレチクルを製造するのに用いるために提供される。好ましくは、像のずれデータはある特定のレンズに特定のものである。また、レチクル修正は少なくとも部分的には元のレチクルに付随する予想されるレンズ誤差に基づくことも好ましい。有利なことに、修正されたレチクルは元のレチクル位置に関して再位置決めまたは再整列される必要はない。すなわち、修正されたレチクルはそれ自体がレンズ誤差を補正するのである。
上述の実施例に対する変形例は明らかである。たとえば、レチクルを構造的に修正することはレチクルの少なくとも一主表面のトポグラフィを変え、所望であれば、対向する主表面のトポグラフィを変えることを含み得る。たとえば、クロムパターンと石英基板の底面の曲率との両方が調整され得る。レンズ誤差はさまざまな技術を用いて、たとえばさまざまな感光性材料(ポジおよびネガの両方)または感光性検出器を用いて像パターンを評価することによって、得られる。所望であれば、構造的に修正されたマスクを用いてウェハ全体を1回の露光ステップでパターニングすることもできる。この発明はさまざまな光学投射システムにおけるレンズ誤差を減じるのに非常に適している。
当業者は、ここに開示された構造および方法を提供するのに必要なステップを容易に実施するであろうし、また処理パラメータ、材料、寸法、およびステップのシーケンスは例示の目的のみで与えられたものであり、所望の結果を達成するために変えることができ、さらにこの発明の範囲内で修正できることを理解するであろう。ここに開示した実施例の変形および修正はここに述べた説明に基づいて、次の請求の範囲に述べるようなこの発明の範囲から離れることなくなされ得る。
Claims (23)
- フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズのレンズ誤差を補正するための方法であって、
像のずれデータからレンズ誤差を得るステップと、
像のずれデータを用いてレチクルを構造的に修正することによりそのレチクルが、少なくともレチクルの放射透過パターンに付随する局所的レンズ加熱の結果生じたレンズ誤差を補正するステップとを含み、
レチクルを構造的に修正するステップがレチクルの放射透過領域の構成を調整するステップを含み、像のずれデータがレンズ加熱の関数として変化する、方法。 - 像のずれデータを得るステップが、
第1の放射量を第1のテストパターンおよびレンズを通して投射し、第1のレンズ加熱に付随する第1のレンズ誤差を提供するステップと、
第2の放射量を第2のテストパターンおよびレンズを通して投射し、第2のレンズ加熱に付随する第2のレンズ誤差を提供するステップと、
第1および第2のレンズ誤差を用いて像のずれデータを提供するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 第1のテストパターンを通して放射を投射し、ウェハ上の感光性材料の第1の部分に第1の像パターンを形成するステップと、
第2のテストパターンを通して放射を投射し、感光性材料の第2の部分に第2の像パターンを形成するステップと、
感光性材料を現像してウェハの選択された部分を露光するステップと、
感光性材料をエッチングマスクとして使用してウェハをエッチングし、それによってウェハに第1の転写パターンと第2の転写パターンとを形成するステップとをさらに含み、第1の転写パターンは第1のテストパターンに付随し、第2の転写パターンは第2のテストパターンに付随する、請求項2に記載の方法。 - レチクルが集積回路装置をパターニングするように適合される、請求項1に記載の方法。
- 像のずれデータはレンズ上の位置の関数である、請求項1に記載の方法。
- 像のずれデータが、放射が通過するレンズの表面上のx座標とy座標との関数である、請求項1に記載の方法。
- レチクルを構造的に修正するステップがレチクルのうち少なくとも一部の曲率を調整するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 集積回路装置の製造中、レチクルを用いて像パターンを提供し、かつレンズ誤差を補正するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 集積回路装置を製造するために用いられるフォトリソグラフィックシステムにおけるレンズのレンズ誤差を補正するための方法であって、
レンズ表面上のx座標およびy座標の関数としての像のずれデータによりレンズ誤差を得るステップと、
像のずれデータを用いてレチクルを構造的に修正することにより、レチクルが、少なくともレチクルの放射透過パターンに付随する局所的レンズ加熱の結果生じたレンズ誤差を補正するステップと、
レチクルおよびレンズを通して放射を投射することにより、集積回路装置の製造中に、レチクルが像パターンを提供しかつレンズ誤差を補正するステップとを含み、
レチクルを構造的に修正するステップがレチクルの放射透過領域の構成を調整するステップを含み、像のずれデータがレンズ加熱の関数として変化する、方法。 - レチクルが放射透過基板上に放射遮断パターンを含み、放射透過領域の構成を調整するステップが放射透過基板に関して放射透過パターンの構成を調整するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 放射遮断パターンがクロムを含み、放射透過基板が石英を含む、請求項10に記載の方法。
- レチクルを構造的に修正するステップがレチクルのうち少なくとも一部の曲率を調整するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- レチクルが放射透過基板上に放射遮断パターンを含み、レチクルの曲率を調整するステップが放射透過基板の曲率を調整するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 放射遮断パターンがクロムを含み、放射透過基板が石英を含む、請求項13に記載の方法。
- レチクルが第1および第2の対向する主表面を含み、放射が第1の主表面から第2の主表面へ通過し、レチクルを構造的に修正するステップが少なくとも1つの主表面のトポグラフィを調整するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 第1の主表面が放射遮断パターンを含み、トポグラフィを調整するステップが放射遮断パターンの構成を調整するステップを含む、請求項15に記載の方法。
- 第2の主表面が放射透過基板によって提供され、トポグラフィを調整するステップが第2の主表面の一部をこすり取ることにより第2の主表面の曲率を調整するステップを含む、請求項15に記載の方法。
- レチクルが石英基板上に配置されるクロムパターンを含み、フォトリソグラフィックシステムがステップアンドリピート方式である、請求項9に記載の方法。
- レチクルおよびレンズを通って放射を投射し、装置上の感光層に像パターンを形成するステップと、
感光層を現像して装置を選択的に露光するステップと、
エッチングを施して像パターンに対応する転写パターンを装置に形成するステップとをさらに含む、請求項9に記載の方法。 - 像のずれデータが座標の各々について多数のデータ項目を含み、レチクルを構造的に修正するステップがデータ項目の部分集合をレチクルの放射透過パターンの関数として選択するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 像のずれがレンズの第1の加熱に対応する第1のデータ項目と、レンズの第2の加熱に対応する第2のデータ項目とを含む、請求項9に記載の方法。
- 像のずれデータを得るステップが、
ウェハ上のフォトレジストの第1の部分上に、第1のテストレチクルおよびレンズを通して放射を投射することにより第1の像パターンを形成するステップを含み、第1のテストレチクルは第1の放射量をレンズに転写し、それによってレンズの第1の加熱を提供し、前記像のずれデータを得るステップはさらに、
フォトレジストの第2の部分に、第2のテストレチクルおよびレンズを通して放射を投射することにより第2の像パターンを形成するステップを含み、第2のテストレチクルは第2の放射量をレンズに転写し、それによってレンズの第2の加熱を提供し、第2の放射量は第1の放射量より実質的に多く、この結果レンズの第2の加熱はレンズの第1の加熱より実質上大きくなり、前記像のずれデータを得るステップはさらに、
フォトレジストを現像してウェハを選択的に露光するステップと、
フォトレジストをエッチングマスクとして用いてウェハをエッチングし、それによってウェハに第1の像パターンに対応する第1の転写パターンと、第2の像パターンに対応する第2の転写パターンとを形成するステップと、
フォトレジストを剥がすステップと、
第1のテストパターンと第1の転写パターンとの間のずれを比較することにより第1のデータ項目を得るステップと、
第2のテストパターンと第2の転写パターンとの間のずれを比較することにより第2のデータ項目を得るステップとを含む、請求項21に記載の方法。 - レンズ誤差のあるレンズを含むフォトリソグラフィックシステムにおいて、レンズ誤差を補正するための方法であって、
像のずれデータによりレンズ誤差を表現するステップと、
像のずれデータを用いてレチクルを構造的に修正することにより、レチクルが、少なくとも放射透過パターンに付随する局所的レンズ加熱の結果生じたレンズ誤差を補正するステップと、
レチクルおよびレンズを通して放射を投射することにより、レチクルが像平面上に像パターンを形成しかつレンズ誤差を補正するステップとを含み、
レチクルを構造的に修正するステップがレチクルの放射透過領域の構成を調整するステップを含み、像のずれデータがレンズ加熱の関数として変化する、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/760,031 US5888675A (en) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | Reticle that compensates for radiation-induced lens error in a photolithographic system |
US08/760,031 | 1996-12-04 | ||
PCT/US1997/022616 WO1998025182A1 (en) | 1996-12-04 | 1997-12-04 | Reticle that compensates for lens error in a photolithographic system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001505366A JP2001505366A (ja) | 2001-04-17 |
JP2001505366A5 JP2001505366A5 (ja) | 2005-07-14 |
JP4443632B2 true JP4443632B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=25057860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52588298A Expired - Fee Related JP4443632B2 (ja) | 1996-12-04 | 1997-12-04 | フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正するレチクル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5888675A (ja) |
EP (1) | EP0943119B1 (ja) |
JP (1) | JP4443632B2 (ja) |
KR (1) | KR100517678B1 (ja) |
DE (1) | DE69705638T2 (ja) |
WO (1) | WO1998025182A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW357262B (en) | 1996-12-19 | 1999-05-01 | Nikon Corp | Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system |
US6529623B1 (en) * | 1999-08-31 | 2003-03-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper lens specific reticle compensation for critical dimension control |
WO2001051993A1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | System, method and photomask for compensating aberrations in a photolithography patterning system |
US6513151B1 (en) * | 2000-09-14 | 2003-01-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation |
US6906305B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
US6828542B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US6807503B2 (en) | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
WO2004099877A1 (de) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische messvorrichtung und betriebsverfahren für ein optisches abbildungssystem |
US7318214B1 (en) | 2003-06-19 | 2008-01-08 | Invarium, Inc. | System and method for reducing patterning variability in integrated circuit manufacturing through mask layout corrections |
US7558419B1 (en) | 2003-08-14 | 2009-07-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for detecting integrated circuit pattern defects |
US7003758B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-02-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography simulation |
US7858450B2 (en) * | 2004-01-06 | 2010-12-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optic mask and manufacturing method of thin film transistor array panel using the same |
US7266800B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-09-04 | Invarium, Inc. | Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes |
JP4316442B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 評価システム、露光描画システム及び評価方法 |
US7588868B2 (en) * | 2004-10-06 | 2009-09-15 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for reducing the impact of across-wafer variations on critical dimension measurements |
JP5414968B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2014-02-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学撮像システムの測定装置および操作方法 |
US7853067B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-12-14 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for lithographic reticle inspection |
CN101589342A (zh) | 2007-01-22 | 2009-11-25 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 改善光学系统成像特性的方法以及光学系统 |
US7564556B2 (en) * | 2007-04-02 | 2009-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and apparatus for lens contamination control |
WO2009053001A1 (de) * | 2007-10-19 | 2009-04-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische vorrichtung mit verbessertem abbildungsverhalten sowie verfahren dazu |
US8845908B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-09-30 | Micron Technology, Inc. | Reticles, and methods of mitigating asymmetric lens heating in photolithography |
US8625078B2 (en) * | 2011-04-06 | 2014-01-07 | Nanya Technology Corp. | Illumination design for lens heating mitigation |
US8609302B2 (en) | 2011-08-22 | 2013-12-17 | Micron Technology, Inc. | Lithography methods, methods for forming patterning tools and patterning tools |
DE102012207335A1 (de) * | 2012-05-03 | 2013-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographieverfahren und projektionsbelichtungsanlage mit einem abbildungsfehler korrigierenden retikel und verfahren zur herstellung eines entsprechenden retikels |
US9476764B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wavefront adjustment in extreme ultra-violet (EUV) lithography |
US9405204B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of overlay in extreme ultra-violet (EUV) lithography |
US9034665B2 (en) * | 2013-10-11 | 2015-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool configuration and method for extreme ultra-violet (EUV) patterning with a deformable reflective surface |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1522285A1 (de) * | 1966-03-17 | 1969-08-07 | Telefunken Patent | Verfahren zur Erzeugung von Mikrostrukturen auf einem Substrat |
US4585342A (en) * | 1984-06-29 | 1986-04-29 | International Business Machines Corporation | System for real-time monitoring the characteristics, variations and alignment errors of lithography structures |
US4759626A (en) * | 1986-11-10 | 1988-07-26 | Hewlett-Packard Company | Determination of best focus for step and repeat projection aligners |
JPS6474547A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 | Motorola Inc | Manufacture of semiconductor for compensating strain between pattern on semiconductor body and mask for obtaining pattern |
US5308991A (en) * | 1992-06-02 | 1994-05-03 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for making a predistorted reticle to compensate for lens distortions |
US5402224A (en) * | 1992-09-25 | 1995-03-28 | Nikon Corporation | Distortion inspecting method for projection optical system |
US5329334A (en) * | 1993-03-02 | 1994-07-12 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit test reticle and alignment mark optimization method |
JP3186011B2 (ja) * | 1994-06-24 | 2001-07-11 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3893626B2 (ja) * | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
US5723238A (en) * | 1996-12-04 | 1998-03-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Inspection of lens error associated with lens heating in a photolithographic system |
-
1996
- 1996-12-04 US US08/760,031 patent/US5888675A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-12-04 JP JP52588298A patent/JP4443632B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-04 DE DE69705638T patent/DE69705638T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-04 KR KR10-1999-7004987A patent/KR100517678B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-12-04 EP EP97952347A patent/EP0943119B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-04 WO PCT/US1997/022616 patent/WO1998025182A1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5888675A (en) | 1999-03-30 |
KR100517678B1 (ko) | 2005-09-29 |
WO1998025182A1 (en) | 1998-06-11 |
DE69705638T2 (de) | 2002-05-29 |
EP0943119A1 (en) | 1999-09-22 |
KR20000057416A (ko) | 2000-09-15 |
DE69705638D1 (de) | 2001-08-16 |
EP0943119B1 (en) | 2001-07-11 |
JP2001505366A (ja) | 2001-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4443632B2 (ja) | フォトリソグラフィックシステムにおけるレンズ誤差を補正するレチクル | |
US6673638B1 (en) | Method and apparatus for the production of process sensitive lithographic features | |
EP1006413B1 (en) | Alignment method and exposure apparatus using the same | |
US7396621B2 (en) | Exposure control method and method of manufacturing a semiconductor device | |
JP3254916B2 (ja) | 投影光学系のコマ収差を検出する方法 | |
US20070024834A1 (en) | Apparatus and process for determination of dynamic scan field curvature | |
US6208469B1 (en) | Method of adjusting reduction projection exposure device | |
JP3445045B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
US9046788B2 (en) | Method for monitoring focus on an integrated wafer | |
JP2005026362A (ja) | 加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法 | |
EP1150170A2 (en) | Evaluation of a characteristic of a lithography system | |
US6741334B2 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
US5723238A (en) | Inspection of lens error associated with lens heating in a photolithographic system | |
WO2005109106A1 (en) | Apparatus and process for determination of dynamic lens field curvature | |
US8077290B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US6208747B1 (en) | Determination of scanning error in scanner by reticle rotation | |
TWI752647B (zh) | 用於推斷例如聚焦之處理參數之方法與相關聯之設備及製造方法 | |
US20020033935A1 (en) | Exposure apparatus, imaging performance measurement method, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method | |
US7422828B1 (en) | Mask CD measurement monitor outside of the pellicle area | |
US6178256B1 (en) | Removal of reticle effect on critical dimension by reticle rotation | |
JP4158418B2 (ja) | レジストパターン幅寸法の調整方法 | |
JP2003178968A (ja) | 収差計測方法及び投影露光装置 | |
US20100177290A1 (en) | Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method | |
JP2006120660A (ja) | 位置補正方法及び位置補正装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JPH0620923A (ja) | 露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041115 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080411 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080526 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080704 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |