TWI564677B - 微影方法及裝置 - Google Patents

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詹姆士 羅伯特 道尼斯
喬納斯 喬可巴斯 麥修斯 巴賽曼
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

微影方法及裝置
本發明係關於一種微影方法及裝置，且特定言之(但非排他地)係關於一種校正由微影裝置之投影系統造成之像差之方法。
微影裝置為將所要圖案應用至基板上(通常應用至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常藉由使用投影系統以將圖案成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
用以將圖案成像至基板上之投影系統將把一些像差引入至經投影影像中。
本發明之一目標為提供預防或減輕與先前技術相關聯之問題的校正像差之方法。
根據本發明之一第一態樣，提供一種校正由一微影裝置之一投影系統造成之像差之方法，該方法包含：使用位於該微影裝置中之一感測器來執行由該投影系統造成之像差之一量測；基於自機器狀態之 一改變以來該微影裝置之一操作歷史而判定是否將該等經量測像差與先前使用該感測器而獲得的像差量測進行平均化；若判定出不應執行平均化，則使用該經量測像差來演算待應用於該微影裝置之一校正；若判定出應執行平均化，則使用一經平均化像差量測來演算待應用於該微影裝置之一校正；及將該所演算校正應用於該微影裝置。
該方法有利，此係因為其允許在經平均化像差量測有用時(例如，在像差相對慢地改變時)使用像差量測之平均化，而在經平均化像差量測較不有用時(例如，在像差相對快地改變時)不將像差量測平均化。
該微影裝置之該操作歷史可包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目。
在機器狀態之該改變為(例如)照明模式之一改變及/或光罩之一改變的情況下使用此途徑可有利。
該微影裝置之該操作歷史可包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來之經過時間。
在機器狀態之該改變為(例如)該微影裝置之操作之中斷的情況下(例如，切斷該微影裝置，接著稍後再次接通該微影裝置)使用此途徑可有利。
可在判定是否將該等經量測像差與先前經量測像差進行平均化時考量機器狀態之該改變之性質。
可在判定演算該經平均化像差量測之方式時考量機器狀態之該改變之該性質。
該微影裝置之機器狀態之該改變可包含如下各者中之一或多者：該微影裝置之操作之一中斷、照明模式之一改變、光罩之一改變、批大小之一改變，或輻射劑量之一改變。
該方法可包含：若自已發生機器狀態之一改變以來尚未執行像 差量測，則不執行經量測像差之平均化。
該經平均化像差量測可為像差量測之一移動平均值。
此經平均化像差量測有利，此係因為隨著時間推移自該平均值排除緊接在機器狀態之一改變之後(當該等像差可已快速改變時)發生的像差量測。
該經平均化像差量測可為自發生機器狀態之該改變以來執行之所有像差量測的一平均值。
該方法可進一步包含當自機器狀態之該改變以來已經過一預定時間時停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
此情形有利，此係因為其允許自動轉移至僅使用應用程式程序控制(APC)校正。
該方法可進一步包含當自機器狀態之該改變以來預定數目個基板或預定數目批基板已由該微影裝置曝光時停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
該方法可進一步包含當像差之改變之一速率慢於一預定臨限值時停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
可將一加權應用至該所演算校正，該加權隨著自機器狀態之該改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目增加而減低，或隨著自機器狀態之該改變以來該經過時間增加而減低。
可曝光一系列批基板，且可在每一批基板之曝光之前執行該像差量測。
可基於自機器狀態之一改變以來該微影裝置之該操作歷史而調整使用該感測器執行像差量測之該速率。
有利的是，此情形可改良該微影裝置之產出率。
待應用於該投影系統之該校正之該演算可考量基於由該投影系統造成的該等像差之預期改變之前饋值。
一種包含電腦可讀指令之電腦程式可經組態以使一電腦進行根據本發明之該以上態樣之一方法。
根據本發明之一態樣，提供一種電腦可讀媒體，其攜載根據該以上內容之一電腦程式。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一投影系統、經組態以量測像差之一感測器，及一控制器，其中該控制器經組態以：使用該感測器以執行由該投影系統造成之像差之一量測；基於自機器狀態之一改變以來該微影裝置之一操作歷史而判定是否將該等經量測像差與先前使用該感測器而獲得的像差量測進行平均化；若判定出不應執行平均化，則使用該經量測像差來演算待應用於該微影裝置之一校正；若判定出應執行平均化，則使用一經平均化像差量測來演算待應用於該微影裝置之一校正；及將該所演算校正應用於該微影裝置。
該微影裝置之該操作歷史可包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目。
該微影裝置之該操作歷史可包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來之經過時間。
該控制器可在判定是否將該等經量測像差與先前經量測像差進行平均化時考量機器狀態之該改變之性質。
該控制器可在判定演算該經平均化像差量測之方式時考量機器狀態之該改變之該性質。
該微影裝置之機器狀態之該改變可包含如下各者中之一或多者：該微影裝置之操作之一中斷、照明模式之一改變、光罩之一改變、批大小之一改變，或輻射劑量之一改變。
若自已發生機器狀態之一改變以來尚未執行像差量測，則該控制器可不執行經量測像差之平均化。
該經平均化像差量測可為像差量測之一移動平均值。
該經平均化像差量測可為自發生機器狀態之該改變以來執行之所有像差量測的一平均值。
該控制器可在自機器狀態之該改變以來已經過一預定時間時停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
該控制器可在自機器狀態之該改變以來預定數目個基板或預定數目批基板已由該微影裝置曝光時停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
該控制器可在像差之改變之一速率慢於一預定臨限值時停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
該控制器可將一加權應用至該所演算校正，該加權隨著自機器狀態之該改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目增加而減低，或隨著自機器狀態之該改變以來該經過時間增加而減低。
該控制器可基於自機器狀態之一改變以來該微影裝置之該操作歷史而調整使用該感測器執行像差量測之該速率。
藉由該控制器進行的待應用於該投影系統之該校正之該演算可考量基於由該投影系統造成的該等像差之預期改變之前饋值。
該微影裝置可包括一使用者介面，且該控制器經組態以經由該使用者介面而接收待由該控制器使用以判定是否使用一經平均化像差量測來演算待應用於該微影裝置之一校正之一或多個參數。
AM‧‧‧調整構件
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
CT‧‧‧控制器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧支撐結構/物件台/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PL‧‧‧項目/投影系統
PM‧‧‧第一定位器件
PW‧‧‧第二定位器件
S‧‧‧感測器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/物件台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：- 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置； - 圖2描繪根據本發明之一實施例之像差校正的方法；- 圖3更詳細地描繪根據本發明之一實施例之像差校正的方法；- 圖4描繪根據本發明之一替代實施例之像差校正的方法；- 圖5描繪根據本發明之一替代實施例之像差校正的方法；及- 圖6描繪使用本發明之一實施例之模擬而獲得的結果。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層應用至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案 將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩及可程式化鏡面陣列。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，經反射光束經圖案化。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動且可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於(例如)所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件，包括用於導向、塑形或控制輻射光束的折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件亦可在下文中被集體地或單個地稱作「透鏡」。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個 其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例之微影裝置。該裝置包含：- 照明系統IL，其用以調節輻射光束PB(例如，UV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其用於固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至用於相對於項目PL來準確地定位該基板之第二定位器件PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之反射光罩或可程式化鏡面陣列)。
照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為裝置之整體部件。輻射源SO及照明系統IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明系統IL可包含用於調整光束之角強度分佈之調整構件AM。可調整照明系統之光瞳平面中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。調整構件亦可能夠選擇照明模式之不同形式，諸如，偶極模式或四極模式。不同形式之照明模式可用以投影不同光罩圖案。
另外，照明系統IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明系統提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束PB。輻射光束PB之角強度分佈將取決於已由調整構件AM選擇之照明模式。
輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束PB傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束PB之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉形成定位器件PM及PW之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT之移動。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。在一替代配置(未被說明)中，物件台MT、WT之移動可受平面馬達及編碼器系統控制。
所描繪裝置可(例如)用於掃描模式中，在掃描模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方 向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之長度(在掃描方向上)。掃描方向通常被稱作微影裝置之y方向。
感測器S提供於微影裝置之基板台WT上。感測器S經組態以量測由投影系統PL投影之輻射光束之像差。感測器S可(例如)包含成像陣列(例如，CCD陣列)。繞射光柵(圖中未繪示)提供於光罩MA上抑或提供於光罩台MT上。為了執行由投影系統PL造成之像差之量測，移動光罩台MT使得輻射光束PB照明繞射光柵。投影系統PL在基板台WT處形成繞射光柵之影像。感測器S定位於投影系統PL下方以捕捉繞射光柵之影像。在相對於焦平面之不同位置(亦即，使用圖1中所展示之笛卡爾座標的不同z方向位置)處捕捉一系列繞射光柵影像。影像經分析以提供已由投影系統PL引入至輻射光束PB中之像差之量測。舉例而言，該等像差可被表達為任尼克集合。可在沿著由輻射光束PB照明之區域(經照明區域可被稱作曝光狹縫)之不同x方向位置處運用繞射光柵及感測器S來執行量測之集合。替代地，感測器S可包含成像陣列(例如，CCD陣列)，該成像陣列足夠大以沿著曝光狹縫之整個x方向範圍捕捉影像。在此種狀況下，可在光罩位階處提供繞射光柵之集合，該等繞射光柵係沿著曝光狹縫之x方向而間隔開。接著針對該集合之每一繞射光柵判定像差量測。在一實施例中，繞射光柵之集合可包含七個繞射光柵，且因此，可在沿著曝光狹縫之x方向間隔開之七個位置處提供像差量測。在一些情況下，可捕捉遠離將曝光狹縫平分之中心線(其可對應於y=0)之影像，且該等影像用以提供像差量測。
控制器CT經組態以調整投影系統PL之透鏡以便校正由投影系統PL造成之像差。舉例而言，控制器CT可包含微處理器。投影系統PL之若干透鏡可具備操控器，該等操控器經組態以修改彼等透鏡之形狀、位置及/或定向。透鏡操控器可(例如)為將壓縮或拉伸力施加至透 鏡之邊緣之機械致動器，或可(例如)為經組態以選擇性地加熱透鏡之部分之加熱器。使用操控器來修改透鏡形狀、位置及定向之效應為吾人所熟知，且因此，透鏡操控器可用以以已知方式校正由投影系統PL引入之像差。因此，感測器S、控制器CT及透鏡操控器包含用以量測像差且校正經量測像差之回饋迴路。在一項實例中，感測器S及控制器CT判定出存在Z9偏移。可藉由引入操控器調整之線性組合來縮減此偏移，操控器調整引入相反Z9偏移。藉由將各種透鏡操控器視為自由度而最佳化優質化函數(通常為經量測像差之平方和)來判定操控器調整之線性組合。若a為含有所有操控器位置之向量且z為含有在曝光狹縫中之不同位置處量測之所有像差之向量，則在透鏡調整之後所得之像差將為z'=z-L.a，其中L為含有「透鏡相依性」(透鏡相依性為由每一操控器引入之像差之描述)之矩陣。一解之簡單實例為最小平方解，其中z'經最小化，將向量a視為可變參數集，從而給出a_min=(L.L^T)^(-1).L^T.z。可使用除了最小平方解以外之解。
控制器CT亦可經組態以調整光罩MA及/或基板W之位置以校正由投影系統PL造成之像差。像差之簡單形式為影像之橫向位移。控制器可藉由調整光罩MA及/或基板W之位置而校正此橫向位移。
控制器CT亦可經組態以調整輻射光束PB之波長以校正由投影系統PL造成之像差。像差之簡單形式為焦平面上方或下方之位移。此位移可藉由調整由源SO提供之輻射光束PB之波長予以校正。
因此，回饋迴路可用以校正由投影系統PL引入之像差。不可能完全移除由投影系統PL引入之所有像差。然而，像差之縮減使得其下降低於臨限值可足以允許使用投影系統PL以所要準確度將圖案投影至基板上。對像差之校正之參考不意欲意謂像差被完全消除(此情形將不切實際)。取而代之，像差校正可被解譯為意謂縮減(或意欲縮減)由投影系統造成之像差之投影系統調整。
在一些實施例中，使用感測器S來執行像差量測可需要大量時間，例如，大約10秒。微影裝置可在大約30秒內圖案化整個基板，且因此，相比於圖案化基板所需之週期，量測像差所需之週期相當大。出於此原因，可在複數個基板已經圖案化之後執行像差量測。舉例而言，可每當一批基板(一批基板可(例如)在10個與30個之間的基板，例如，25個基板)已經圖案化時就執行像差量測。
在感測器S完全沿著曝光狹縫延伸之一實施例中，可較快速地(例如，在小於1秒內)執行像差量測。此係因為為了量測橫越曝光狹縫之像差，無需在光柵與感測器之不同x方向位置之間移動。在此狀況下，可(例如)在每一基板已經圖案化之後更常執行像差量測。替代地可在每一批基板已經圖案化之後執行像差量測。
使用感測器執行之像差量測將包括一些誤差。誤差之來源可包括感測器之成像陣列之有限解析度及存在於經量測影像中之雜訊。可縮減經量測像差中之誤差的一種方式係藉由重複藉由感測器執行之像差量測。然而，因為執行像差量測需要相當大時間段，所以重複量測可不較佳。在一些情況下，像差量測中之誤差可如此大使得調整投影系統PL之透鏡以校正表觀像差事實上將縮減圖案經投影至基板上之準確度。換言之，由投影系統PL造成之像差增加，或至少對經投影圖案具有顯著影響之像差增加使得經投影圖案之準確度予以縮減。
圖2示意性地表示可用以克服或減輕以上問題之方法。該方法可受到控制器CT控制。可藉由控制器CT執行形成該方法之部分之演算。該方法包含：量測由投影系統引入之像差、使用經量測像差及微影裝置之操作歷史以演算投影透鏡校正、將校正應用於投影系統P，接著曝光基板。舉例而言，每當已曝光一批基板時就週期性地重複該方法。
圖3中示意性地表示本發明之一實施例。圖3所展示之方法之第 一步驟為判定微影裝置是否已經歷機器狀態之改變。控制器CT接收指示已發生機器狀態之改變之輸入。該等輸入亦可識別機器狀態之改變形式。發生機器狀態改變之事實為微影裝置之操作歷史之實例(機器狀態改變之性質亦為微影裝置之操作歷史之實例)。在一項實例中，機器狀態之改變可停止微影裝置之操作以允許常規維護，接著進行微影裝置之重新啟動。在另一實例中，機器狀態之改變可為歸因於微影裝置為一個部件的生產線(常常被稱作塗佈顯影系統)中之別處之延遲之微影裝置之操作的中斷。此延遲可被稱作塗佈顯影系統延遲。舉例而言，因為用以製備用於圖案化之基板之工具已停止操作，所以可發生塗佈顯影系統延遲。當微影裝置停止操作時，投影系統將開始冷卻，此係因為輻射光束不再傳遞通過投影系統。此情形將改變由投影系統造成之像差。在投影系統在基板之圖案化經恢復時變熱時，像差將再次改變。
在另一實例中，機器狀態之改變可為由微影裝置使用之照明模式之形式之改變(例如，自環形模式至偶極模式)。可在以具備不同圖案之光罩交換光罩MA時發生此情形。當發生照明模式之形式之改變時，輻射光束將傳遞通過投影系統之一些透鏡中之不同部位。此改變將造成局域化加熱，其可將像差引入至輻射光束中。
在另一實例中，機器狀態之改變可為照明模式之調整(例如，改變其外徑)，而不改變其形式。可在以具備不同圖案之光罩交換光罩MA時發生此情形。諸如此之改變會改變有效數值孔徑，且此改變可具有對由投影系統造成之高階像差(例如，5階或更高階之像差)之顯著效應。
照明模式之形式之改變及照明模式之調整兩者可被認為是照明模式之改變的實例。
在另一實例中，機器狀態之改變可為以具備不同圖案之光罩對 光罩MA之交換，而不具有照明模式之改變。新光罩將以與舊光罩不同之方式繞射輻射光束，從而使輻射傳遞通過投影系統之一些透鏡中之不同部位。
在另一實例中，機器狀態之改變可為提供至基板之輻射劑量之改變。此改變將變更投影系統之加熱。舉例而言，若增加輻射劑量，則由輻射光束造成之投影系統之加熱亦將增加。實務上，最可能在發生光罩改變時發生輻射劑量之改變(其可伴隨有照明模式之改變)。
在另一實例中，機器狀態之改變可為包含基板批之基板之數目改變。此改變影響投影系統像差，此係因為投影透鏡之總作用區間循環改變。當已發生一批之最後基板之曝光時，在發生下一批之第一基板之曝光之前存在延遲。在此延遲期間，輻射光束並未傳遞通過投影系統，且因此，投影系統之加熱被中斷。發生延遲之頻率取決於被曝光之批之大小，且將在批大小改變時改變。因此，改變批大小將改變投影系統之加熱，且將修改由投影系統引入至輻射光束中之像差。
一般而言，機器狀態之改變可為微影裝置之操作之中斷，或微影裝置之在由投影系統將像差引入至輻射光束中之後將具有顯著效應的任何操作參數之改變。操作參數包括照明模式形式、照明模式內徑、照明模式外徑、批大小、輻射劑量，或光罩之改變。機器狀態之改變之發生率及機器狀態之改變之性質為微影裝置之操作歷史之實例。
若已發生機器狀態之改變，則在移動至為像差量測之下一步驟之前將基板之經曝光批之數目之計數重設至零。若尚未發生機器狀態之改變，則方法直接前進至像差量測。在圖3之方法之以下描述中，假定恰好已發生機器狀態之改變。
在該方法之下一步驟中，使用感測器S來執行由投影系統PL造成之像差之量測，且將量測之結果傳遞至控制器CT。
控制器CT檢查自機器狀態改變以來是否已曝光20批或更多批基板。因為恰好已發生機器狀態之改變，所以自機器狀態之彼改變以來諸批基板皆未被曝光。因此，控制器使用剛才已經執行之像差量測來演算投影系統PL之校正。
控制器CT將所演算校正應用於投影系統PL。接著曝光一批基板。經曝光基板之批之計數遞增1，且方法返回至圖3中所展示之步驟之開始。
在第二次通過方法時，尚未發生機器狀態之改變，且方法直接前進至像差量測，而不重設經曝光批之計數(經曝光批之數目為1)。使用感測器S來量測由投影系統PL造成之像差，且將量測之結果傳遞至控制器CT。
因為僅已曝光一批基板，所以控制器再次使用剛才已經執行之像差量測來演算投影系統之校正。控制器CT接著將所演算校正應用於投影系統PL，在此之後接著曝光一批基板。經曝光批之計數遞增1，且方法返回至圖3中所展示之步驟之開始。
重複以上步驟直至已曝光20批基板為止。當在此狀況下時，在像差量測之後，控制器CT不使用剛才已經執行之像差量測來演算校正，而是代替地使用先前20個像差量測之平均值來演算校正。接著將所演算校正應用於投影系統，在此之後曝光另一批基板。
該方法接著針對後續批繼續，且在每一像差量測之後，先前20個像差量測之平均值用以演算應用於投影系統之校正。因此，最後20個像差量測之移動平均值用以演算應用於投影系統之透鏡之校正。舉例而言，當已曝光25批時，對批6至25執行之像差量測之平均值將用以演算校正。
最後20個像差量測之移動平均值將繼續用以演算校正直至發生機器狀態之改變為止。當發生機器狀態之改變時，經曝光批之計數經 重設至零，且校正再次基於剛才已經執行之像差量測。此狀況繼續直至已曝光20批為止，於是再次使用最後20個像差量測之移動平均值來演算校正。
在20批基板之曝光之後引入移動平均值僅僅為一實例。可在某其他數目個經曝光批基板(例如，10批、30批，或任何其他合適數目批)之後引入移動平均值(或其他平均值)。相似地，任何數目個像差量測可用以產生經平均化量測。
圖3之實施例有利，此係因為其在可預期像差在相似於曝光一批基板所需之時間之時間標度內改變時(亦即，在機器狀態改變之後)提供基於每批之像差之校正。該實施例接著在可預期像差較慢地改變(亦即，一旦在可預期像差之慢漂移時在機器狀態改變之後已曝光複數批)時提供經平均化像差校正。使用移動平均值有利，此係因為在發生機器狀態改變之後不久執行之像差量測隨著時間推移將停止以形成平均值之部分，且代替地將僅使用運用處於穩態之微影裝置執行之像差量測。當使用平均值時，將對與特定像差量測相關聯之誤差進行平均化，且該誤差在校正應用於投影系統之後隨即具有縮減之效應(該平均化改良經量測像差之信雜比)。
在一實施例中，可隨著時間推移將像差量測之平均化分階段。圖4中闡明使用此途徑之方法。參看圖4，發生機器狀態之改變，其可(例如)為新光罩MA至微影裝置中之引入及用以照明彼光罩之照明模式之改變。將經曝光批之計數重設至零。
使用感測器S來量測由經投影系統PL引入之像差。控制器判定自機器狀態改變以來是否已曝光10批。在此情況下，尚未曝光10批，且因此，控制器移動至下一步驟，下一步驟為使用剛才已執行之像差量測來演算投影系統校正。將校正應用於投影系統PL且接著曝光一批基板。
在該批基板之曝光之後，經曝光批之計數遞增1。再次量測像差。因為尚未執行10個像差量測，所以控制器再次移動至使用剛才已量測之像差來演算像差校正之步驟。應用校正且曝光該批基板。重複此程序直至已曝光第10批基板為止。
當控制器CT判定出已曝光10批基板時，方法沿著流程圖之右側分支移動。控制器接著檢查是否已曝光25批基板。因為僅已曝光10批基板，所以此問題之回覆為否，且控制器接著向下移動至使用自機器狀態改變以來已執行之所有像差量測進行平均化之方法步驟。經平均化像差量測用以演算待應用於投影系統PL之校正。接著應用校正且曝光一批基板。
接著重複該方法，且在每一狀況下，自機器狀態改變以來之所有先前像差量測用以判定待應用於投影系統PL之校正。此情形繼續直至已曝光25批為止。此時，用以演算平均像差之像差量測之數目在25處固定。平均像差係用以演算應用於投影系統PL之校正。接著曝光一批基板。在此曝光之後，使用最近的25個像差量測之移動平均值係用以演算所有平均像差量測直至存在機器狀態之改變為止。當發生機器狀態改變時，接著方法返回至基於剛才已執行之像差量測來演算校正。
用於圖4所展示之方法中之值僅僅為實例值。可使用任何合適值。圖4之實施例有利，此係因為其在像差相對快地改變時(亦即，在機器狀態改變之後)提供基於每批之像差之校正，其接著在像差較不快地改變時(亦即，一旦在機器狀態改變之後已曝光若干批)提供經平均化像差校正。最後，該方法提供在微影裝置在穩態下操作時之像差之移動平均值。當微影裝置在穩態下操作時，由透鏡系統造成之像差相比於其緊接在機器狀態改變之後改變而更慢地改變(該等像差可隨著時間推移漂移)。對最後25個像差量測進行平均化會縮減具有誤差 之像差量測調整投影系統使得經投影圖案之準確度予以縮減而非增加之似然性。
已執行根據本發明之一實施例之方法之模擬，圖6中展示其之結果。該模擬使用微影裝置投影系統之像差行為之模型以展示本發明之效應。在圖6中，水平軸線指示已曝光之基板之批之數目。垂直軸線指示由投影系統造成之像差(被表達為通用值)。為說明簡單起見，依據絕對值展示像差。該模擬使用三個不同經模擬光罩，每一經模擬光罩具有具不同屬性之關聯照明模式。該模擬使用三個不同批大小：1個基板、25個基板及50個基板，其中25基板批大小比其他批大小顯著更常見。產生三個不同光罩及批大小之混合。在該模擬中不包括經模擬微影裝置在操作中之延遲，諸如，塗佈顯影系統延遲。由經模擬微影裝置之經模擬感測器進行之像差量測之再現性經設定為0.5(1-均方偏差正常分佈)。因此，感測器之經模擬輸出為(正確)像差量測與隨機產生之誤差之組合。
圖5中展示用於模擬中之方法。在該方法中，當演算在前5批之曝光之前之像差校正時不執行像差量測之平均化。當待曝光第6批時，啟用像差量測之平均化，但僅使用第6及後續像差量測(因此，實務上不發生平均化)。當待曝光第7批時，產生第6及第7像差量測且第6及第7像差量測用以演算校正。當待曝光第8批時，平均值為第6、第7及第8像差量測之平均值。此情形繼續直至已曝光多於15批為止。此時，平均化使用先前10個像差量測之移動平均值。因此，使用對批6至15之像差量測，接著進行對批7至16之像差量測，等等。此情形繼續直至發生機器狀態之改變為止。
圖6中之中空圓圈指示在不使用平均化的情況下(亦即，在不使用本發明的情況下)量測投影透鏡像差且在針對之後每一批校正投影透鏡像差時產生之像差值。十字形指示在使用平均化時(亦即，使用本 發明)產生之像差值。加陰影圓圈指示在使用本發明但不觸發像差量測之平均化時產生之像差值。亦即，不執行平均化，此係因為微影裝置之操作歷史使得並不預期平均化會改良像差校正(自機器狀態改變以來不到5批被曝光)。結果，所產生之像差值相同，而無論是否使用本發明(如由加陰影圓圈所指示)。
對於給定批，可比較如由十字形指示之使用經平均化量測而獲得之像差值與如由中空圓圈指示之在不使用平均化的情況下獲得之像差值。一般而言，十字形比中空圓圈更接近於垂直軸線之底部，且因此，可看到，本發明提供改良型像差校正。可存在特定批之例項：其中本發明提供惡化之像差校正，亦即，十字形比用於彼批之圓圈更遠離垂直軸線。然而，此等例項相對少。在0.41處已演算在不使用平均化時之平均誤差，而在0.31處已演算在使用本發明時之平均誤差。如自圖6可看到，平均化提供極低之像差值之叢集(例如，大約120批)，其指示藉由平均化提供之特別良好效能。當不使用平均化時未看到等效叢集。
模型化(諸如，用以產生圖6所展示之結果之模型化)可用以基於給定投影系統之已知像差行為判定供方法使用之值。模型化亦可考量晶圓生產環境中之預期條件。
在一實施例中，代替在特定數目批或基板之曝光之後引入像差量測之平均化，可在自機器狀態改變以來已經過一特定時間段之後引入平均化。移動平均值(或其他平均值)未必需要基於特定數目批，而是代替地可基於某一其他參數，諸如，基於數個基板之曝光。移動平均值(或其他平均值)可基於在特定先前時間段期間獲得之像差量測。
自機器狀態改變以來經曝光批之數目、自機器狀態改變以來經曝光基板之數目及自機器狀態改變以來之時間段皆為可為了判定何時應引入像差量測之平均化而監視之參數之實例。其皆為可用以判定應 如何執行像差量測之平均化之參數之實例。可使用諸如透鏡溫度之其他參數。此等參數之值可被認為形成微影裝置之操作歷史之部分。
一般而言，控制器CT可選擇性地使用經平均化像差量測以演算至投影系統之校正，該選擇係基於自機器狀態改變以來之經監視參數(例如，已經執行之基板曝光之數目(或已被曝光之基板之批之數目))。平均值可(例如)為複數個先前執行之像差量測之移動平均值。
先前執行之像差量測之子集可用以產生經平均化像差量測。該子集可包含一連續系列之先前執行之像差量測。替代地，該子集可包含一不連續系列之先前執行之像差量測。舉例而言，可藉由微影裝置使用光罩A及光罩B來曝光交替基板批。在此種狀況下，對於使用光罩A的基板曝光而產生之經平均化像差量測可包括在使用光罩A曝光前一批時獲得之像差量測(亦即，在使用光罩B曝光一批基板之前獲得之像差量測)。一般而言，可在選擇待用以產生經平均化像差量測之像差量測時使用先前曝光(例如，先前批之曝光)之特性。平均化可限於使用在具有相同特性之先前批(或基板)之曝光期間獲得之像差量測。
微影裝置可停止操作達幾日，(例如)以允許微影裝置之修理。在此種狀況下，投影系統PL將冷卻。投影系統包含固持於厚壁之金屬圓柱中之一系列折射透鏡。投影系統可具有大熱容量，且可緩慢地輻射熱使得投影系統花費大約兩日冷卻至環境溫度。當微影裝置再次開始操作時，投影系統將緩慢地變熱，例如，在幾小時的時間段內或甚至在一日或兩日內。在投影系統之此加熱期間，很可能看到特性像差(例如，三階像差)，該像差隨著投影系統暖機至穩定操作溫度而隨著時間漂移。本發明之實施例可校正此像差。因為像差相對慢地變化，所以使用經平均化像差量測(例如，25個像差量測之平均值)進行之像差校正提供了像差之校正，同時減小了像差量測中之雜訊造成經投影 圖案準確度縮減之似然性(該雜訊將被平均掉)。
本發明之實施例可考量機器狀態改變之性質。在此種狀況下，可相應地調整引入像差量測之平均化之方式。舉例而言，若改變照明模式之外徑，則可預期此改變會改變投影透鏡之高階像差。可預期此等改變在數分鐘至數小時之時間段內穩定。此時間段比為了使特性像差(例如，三階像差)在微影裝置之維護之後穩定所花費的時間段短得多。因此，舉例而言，可相應地選擇在起始平均化之前所需之基板曝光(或批曝光)之數目(例如，若預期較慢變化之像差，則在平均化之前使用較多基板曝光)。用以產生經平均化像差量測之像差量測之數目亦可考量機器狀態改變之性質。
考量機器狀態改變之性質之另一實例係關於批大小。在此實例中，曝光同一類型之許多批，且隨著時間推移像差量測之平均化移動至穩態(例如，移動平均值)。接著曝光具有相同影像但具有較少基板之單一批。對於彼單一批，可中止平均化或朝向對彼批執行之像差量測而將該平均化加權。後續曝光可返回至使用相同影像之原始批大小。在此種狀況下，經執行之平均化相比於在許多批之第一批之曝光之後之狀況可更快地返回至平均化之穩態(例如，移動平均值)。
在另一實例中，可預期由微影裝置之操作之短中斷(例如，歸因於塗佈顯影系統延遲之幾秒)造成的像差改變在曝光屬於相同類型之許多批(亦即，相同圖案及相同批大小)時相對快地穩定。可預期由照明模式之形式改變造成的像差改變較慢地穩定。可相應地選擇在起始平均化之前所需之基板曝光(或批曝光)之數目。相似地，可相應地選擇用以產生經平均化像差量測之像差量測之數目。
在另一實例中，若機器狀態之改變切斷微影裝置以供維護，則由控制器用以判定應在何時起始像差量測之平均化及彼平均化之形式之參數可為自微影裝置被接通回以來之經過時間。
在一實施例中，方法可在圖3至圖5所展示之三種不同方法(或此等方法之變化)之間作出選擇，該選擇取決於機器狀態改變之性質。一般而言，可取決於機器狀態改變之性質而選擇引入像差量測之平均化之方式及用以產生平均值之像差量測之數目。
本發明之實施例可調整像差量測之頻率以考量像差改變之預期速率。舉例而言，在不具有機器狀態之改變的情況下一旦已曝光20批基板，就可預期像差改變之速率。因此，方法可切換以代替在每一批基板之後在每隔兩批基板之曝光之後執行像差量測。在另一實例中，緊接在機器狀態改變之後即可執行批內像差量測(例如，在25基板批之每隔5個基板之後)。在已曝光預定數目批之後，批內像差量測之間的批之數目可增加，或可中止批內像差量測。
一般而言，一旦在不具有機器狀態改變的情況下已曝光預定數目批(或基板)，就可發生像差量測之速率之縮減。此情形有利，此係因為其將改良微影裝置之產出率(亦即，每小時經圖案化之基板之數目)。像差量測之速率之縮減可考量機器狀態改變之性質。舉例而言，可預期像差在光罩改變之後相對快地穩定且在機器維護之後相對慢地穩定。
在一實施例中，最終可切斷像差校正。此情形可(例如)在微影裝置用以將相同圖案投影至基板上歷時長時間段(例如，大約數日或數週)的情況下適用。在此情形下，包含曝光於基板上之圖案之週期性量測的應用程式程序控制(APC)可用以監視及校正由投影系統造成的像差之改變。可花費幾小時來執行APC量測(曝光基板，且接著在發生經曝光圖案之量測之前處理該基板)。然而，若投影系統像差以慢於APC量測之頻率之速率改變，則APC足以控制投影系統像差。APC可提供比由感測器S提供更準確之像差量測，且因此，在像差改變之速率慢於APC量測之頻率時可較佳地使用APC。
在一實施例中，可藉由將對愈來愈多量測之經量測像差進行平均化且接著最後在已達到最大數目個量測時(例如，對100批基板進行平均化)切斷像差量測及校正迴路來執行藉由感測器S及控制器CT判定之像差校正之逐漸停止。
在一替代實施例中，可在控制器判定出像差改變之速率慢於預定臨限值時發生藉由感測器S及控制器CT判定之像差校正之逐漸停止。預定臨限值可(例如)對應於慢於APC量測所花費的時間使得APC足以控制投影系統像差之像差改變之速率。
在一替代實施例中，可在控制器基於自機器狀態改變以來經過之時間(例如，在機器狀態改變之後數個小時或數天)判定時發生藉由感測器S及控制器CT判定之像差校正之逐漸停止。
一般而言，控制器CT可使用多個參數以監視在機器狀態改變之後之微影裝置之進程。舉例而言，可監視自機器狀態改變以來之批曝光(或基板曝光)之數目及自機器狀態改變以來之經過時間兩者。可由控制器在判定應演算及應用像差校正之方式時使用該等經監視參數兩者。舉例而言，可基於自機器狀態改變以來之批曝光(或基板曝光)之數目而判定用以產生經平均化像差量測之平均化之形式。可基於自機器狀態改變以來之經過時間而判定像差校正之逐漸停止(或部分逐漸停止)。
可使用像差校正之部分逐漸停止(例如，如上文所提及)。舉例而言，可將加權應用至應用於投影系統之像差校正，該加權隨著自機器狀態改變以來經過之時間增加而縮減。舉例而言，加權可隨著時間推移自100%縮減至0%。替代地，加權可隨著時間推移縮減至非零值(例如，30%或某一其他合適值)。
在一實施例中，控制器可包括允許微影裝置之使用者輸入待由方法使用之參數值之介面。此等參數值可(例如)包含在不具有機器狀 態改變的情況下在發生像差量測之平均化之前必須被曝光的批(或晶圓)之數目。其可包含用以產生平均量測之像差量測之數目。其可包含自機器狀態改變以來經過之時間，在此之後切斷使用用感測器量測的像差進行之像差校正。
微影裝置可使用前饋值以調整投影系統。亦即，投影系統可基於投影系統之行為之模型而經調整以考量預期發生之像差。除了以上文所描述之方式使用回饋值以外，投影系統之調整亦可使用前饋值。當演算待應用於投影系統之調整時，可將加權應用至前饋值且將加權應用至回饋值。本發明之實施例可調整加權之相對大小，而考量自機器狀態改變以來已曝光的批之數目(或基板之數目)。舉例而言，被給出前饋值之相對權重可隨著經曝光批之數目(或經曝光基板之數目)增加而縮減。被給出前饋值之相對權重可在達到經曝光批之預定數目(或經曝光基板之數目)之後縮減至零，在此種狀況下，未將前饋校正應用於投影系統。
儘管以上描述涉及為了校正由投影系統造成之像差之投影系統之調整，但可應用微影裝置之其他調整。舉例而言，投影系統之焦平面在z方向上之位移(其可被認為像差之形式)可藉由調整由源SO提供之輻射之波長予以校正。舉例而言，光罩MA及/或基板W之位置可經調整以校正影像之橫向位移。
儘管已在具有透射投影系統之微影裝置方面描述本發明之實施例，但本發明亦可適用於具有反射投影系統之微影裝置(例如，EUV微影裝置)。
可以任何方便形式來實施本發明之態樣。舉例而言，可提供電腦程式以進行本文所描述之方法。可在適當電腦可讀取媒體上攜載此等電腦程式，術語電腦可讀取媒體包括適當有形儲存器件(例如，光碟)。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。

Claims (36)

  1. 一種校正由一微影裝置之一投影系統造成之像差之方法，該方法包含：使用位於該微影裝置中之一感測器來執行由該投影系統造成之像差之一量測；基於自機器狀態之一改變以來該微影裝置之一操作歷史而判定是否將該等經量測像差與先前使用該感測器而獲得的像差量測進行平均化；若判定出不應執行平均化，則使用該經量測像差來演算待應用於該微影裝置之一校正；若判定出應執行平均化，則使用一經平均化像差量測來演算待應用於該微影裝置之一校正；及將該所演算校正應用於該微影裝置。
  2. 如請求項1之方法，其中該微影裝置之該操作歷史包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該微影裝置之該操作歷史包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來經過之時間。
  4. 如請求項1或2之方法，其中在判定是否將該等經量測像差與先前經量測像差進行平均化時考量機器狀態之該改變之性質。
  5. 如請求項1或2之方法，其中在判定演算該經平均化像差量測之方式時考量機器狀態之該改變之該性質。
  6. 如請求項1或2之方法，其中該微影裝置之機器狀態之該改變包含如下各者中之一或多者：該微影裝置之操作之一中斷、照明模式之一改變、光罩之一改變、批大小之一改變，或輻射劑量 之一改變。
  7. 如請求項1或2之方法，其中若自已發生機器狀態之一改變以來尚未執行像差量測，則不執行經量測像差之平均化。
  8. 如請求項1或2之方法，其中該經平均化像差量測為像差量測之一移動平均值。
  9. 如請求項1或2之方法，其中該經平均化像差量測為自發生機器狀態之該改變以來執行之所有像差量測的一平均值。
  10. 如請求項1或2之方法，其中將該校正應用於該微影裝置之一投影系統。
  11. 如請求項1或2之方法，其中該方法進一步包含當自機器狀態之該改變以來已經過一預定時間時，停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
  12. 如請求項1或2之方法，其中該方法進一步包含當自機器狀態之該改變以來預定數目個基板或預定數目批基板已由該微影裝置曝光時，停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
  13. 如請求項1或2之方法，其中該方法進一步包含當像差之改變之一速率慢於一預定臨限值時，停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
  14. 如請求項1或2之方法，其中將一加權應用至該所演算校正，該加權隨著自機器狀態之該改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目增加而減低，或隨著自機器狀態之該改變以來該經過時間增加而減低。
  15. 如請求項1或2之方法，其中曝光一系列批基板，且其中在每一批基板之曝光之前執行該像差量測。
  16. 如請求項1或2之方法，其中基於自機器狀態之一改變以來該微 影裝置之該操作歷史而調整使用該感測器執行像差量測之速率。
  17. 如請求項1或2之方法，其中待應用於該投影系統之該校正之該演算考量基於由該投影系統造成的該等像差之預期改變之前饋值。
  18. 一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令經組態以使一電腦進行一如請求項1至17中任一項之方法。
  19. 一種電腦可讀媒體，其攜載一如請求項18之電腦程式。
  20. 一種微影裝置，其包含：一投影系統、經組態以量測像差之一感測器，及一控制器，其中該控制器經組態以：使用該感測器以執行由該投影系統造成之像差之一量測；基於自機器狀態之一改變以來該微影裝置之一操作歷史而判定是否將該等經量測像差與先前使用該感測器而獲得的像差量測進行平均化；若判定出不應執行平均化，則使用該經量測像差來演算待應用於該微影裝置之一校正；若判定出應執行平均化，則使用一經平均化像差量測來演算待應用於該微影裝置之一校正；及將該所演算校正應用於該微影裝置。
  21. 如請求項20之微影裝置，其中該微影裝置之該操作歷史包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目。
  22. 如請求項20或21之微影裝置，其中該微影裝置之該操作歷史包含自該微影裝置之機器狀態之一改變以來經過之時間。
  23. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器在判定是否將該等經量測像差與先前經量測像差進行平均化時考量機器狀態之該 改變之性質。
  24. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器在判定演算該經平均化像差量測之方式時考量機器狀態之該改變之該性質。
  25. 如請求項20或21之微影裝置，其中該微影裝置之機器狀態之該改變包含如下各者中之一或多者：該微影裝置之操作之一中斷、照明模式之一改變、光罩之一改變、批大小之一改變，或輻射劑量之一改變。
  26. 如請求項20或21之微影裝置，其中若自已發生機器狀態之一改變以來尚未執行像差量測，則該控制器不執行經量測像差之平均化。
  27. 如請求項20或21之微影裝置，其中該經平均化像差量測為像差量測之一移動平均值。
  28. 如請求項20或21之微影裝置，其中該經平均化像差量測為自發生機器狀態之該改變以來執行之所有像差量測的一平均值。
  29. 如請求項20或21之微影裝置，其中該校正經應用於該微影裝置之一投影系統。
  30. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器在自機器狀態之該改變以來已經過一預定時間時，停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
  31. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器在自機器狀態之該改變以來預定數目個基板或預定數目批基板已由該微影裝置曝光時，停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
  32. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器在像差之改變之一速率慢於一預定臨限值時，停止應用一校正，該校正係使用用該感測器執行的像差量測而演算。
  33. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器將一加權應用至該所演算校正，該加權隨著自機器狀態之該改變以來由該微影裝置曝光之基板或基板批之一數目增加而減低，或隨著自機器狀態之該改變以來該經過時間增加而減低。
  34. 如請求項20或21之微影裝置，其中該控制器基於自機器狀態之一改變以來該微影裝置之該操作歷史而調整使用該感測器執行像差量測之速率。
  35. 如請求項20或21之微影裝置，其中藉由該控制器進行的待應用於該投影系統之該校正之該演算考量基於由該投影系統造成的該等像差之預期改變之前饋值。
  36. 如請求項20或21之微影裝置，其中該微影裝置包括一使用者介面，且該控制器經組態以經由該使用者介面而接收待由該控制器使用以判定是否使用一經平均化像差量測來演算待應用於該微影裝置之一校正之一或多個參數。
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