TWI485529B - 微影方法及配置 - Google Patents

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TWI485529B TW099114130A TW99114130A TWI485529B TW I485529 B TWI485529 B TW I485529B TW 099114130 A TW099114130 A TW 099114130A TW 99114130 A TW99114130 A TW 99114130A TW I485529 B TWI485529 B TW I485529B
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Description

微影方法及配置
本發明係關於一種微影方法及配置。該微影配置可為或可包含如下文所描述之一微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生對應於IC之個別層的電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次曝光之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
可施加至基板之圖案特徵的尺寸(例如，線寬或臨界尺寸)受形成用以將該等特徵提供於該基板上之輻射光束之輻射的波長限制。為了減少最小特徵大小，因此有可能使用較短波長之輻射。然而，實務上，對於為了減少最小特徵大小而將波長縮減至(例如)在電磁光譜之極紫外線範圍內的波長，通常在技術上存在困難且費用昂貴。因此，為了縮減可施加至基板之特徵大小，已研究出不同方法。一種用以縮減施加至基板之圖案之特徵大小的方法為雙重圖案化。雙重圖案化為廣義術語，其涵蓋用以將圖案特徵提供於基板上之許多技術，該等圖案特徵(例如)被定尺寸，或被隔開不能藉由使用藉由單次曝光所圖案化之抗蝕劑之該單次曝光及單次顯影達成的距離。
雙重圖案化之一實例被稱作雙重曝光。雙重曝光為同一抗蝕劑層使用兩個不同光罩(或已為了移位待施加至該抗蝕劑之圖案之目標部位而移位的同一光罩)進行兩次分離曝光之序列。可將基板及/或光罩移動遠小於用以曝光抗蝕劑之輻射之波長的距離。在一實例中，可曝光抗蝕劑以提供第一圖案。可接著移動基板及/或光罩且進行第二次曝光以提供第二圖案，從而確保第二圖案之特徵位於第一圖案之特徵中間(例如，相對於第一圖案之特徵互相交叉)。第一圖案及第二圖案均獨立地經受由用於每一曝光中之輻射之波長強加於最小圖案特徵大小的相同限制。然而，因為經組合之第一圖案與第二圖案之圖案特徵位於彼此中間(例如，互相交叉)，所以該等圖案特徵可比僅使用單次曝光可達成之情況更靠近。然而，此方法存在之一問題為：必須準確地對準第一次曝光與第二次曝光，以確保所得組合圖案中之圖案特徵之間的間隔(或換言之，疊對)係合乎需要的。此目標可難以可靠地且一致地被達成。
另一方法有時被稱作隔片微影程序或自對準隔片程序(以及對其之許多其他變化)。此程序涉及將一第一圖案特徵(或一個以上第一圖案特徵)提供於一基板上。如上文所描述，此第一圖案特徵之最小尺寸經受由用以提供該圖案特徵之輻射之波長所強加的限制。接著將塗佈第一圖案特徵之側壁的材料提供於第一圖案特徵上。側壁上之塗層被稱作隔片，從而給予此方法其名稱。接著移除第一圖案特徵自身，但保留處於側壁上之材料。此材料形成兩個第二圖案特徵，該兩個第二圖案特徵被分離原始第一圖案特徵之寬度。因此，形成兩個第二圖案特徵以代替單一第一圖案特徵──該等第二圖案特徵具有(例如)為原始第一圖案特徵之間距之大約一半的間距。將間距減半而不必減少所使用之輻射的波長。
在一隔片微影程序中，僅進行單次曝光，且因此，無需考慮與上文所論述之雙重曝光程序相關聯的對準或疊對要求。然而，在隔片微影程序中會遭遇不同問題。舉例而言，需要確保第二圖案特徵具有彼此相同之尺寸(例如，相同線寬)，且第二圖案特徵相對於彼此相等地間隔，以確保提供於基板上之圖案儘可能地規則且均一。此目標難以被達成。
舉例而言，需要提供一種消除或減輕先前技術之一或多個問題(無論是在本文中或是在別處得以識別)的微影方法及配置。
根據本發明之一第一態樣，提供一種微影方法，其包括：將一第一材料層提供於一基板之一表面上；將該第一材料層之一部分曝光至一輻射光束，以便在該第一材料層中形成一第一圖案特徵，該第一圖案特徵具有側壁，且該輻射光束之一焦點屬性經控制以控制該等側壁之一側壁角度；將一第二材料層提供於該第一圖案特徵上方，該第二材料層將一塗層提供於該第一圖案特徵之側壁上；移除該第二材料層之一部分，從而在該第一圖案特徵之側壁上存留該第二材料層之一塗層；移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，從而在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成一塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵。
該焦點屬性之控制可控制該第一圖案特徵之該等側壁之該側壁角度，藉此影響該第一圖案特徵之該等側壁上的該第二材料層之該塗層之一尺寸。影響該第一圖案特徵之該等側壁上的該第二材料層之該塗層之該尺寸可繼而導致影響在移除該第一圖案特徵之後存留於該基板上的該第二材料層之該至少一部分之一尺寸。
除了控制該輻射光束之一焦點屬性以外，該方法亦可包括控制由該輻射光束所提供之一輻射劑量，以便控制該第一圖案特徵之該等側壁之一側壁角度。可藉由控制該輻射光束之該焦點屬性來達成改變該劑量。
回應於一先前形成之第二圖案特徵或先前形成之第二圖案特徵之間的一間隔之一量測，可進行控制該焦點屬性。
若該第一圖案特徵為一特定類型，則可進行針對該第一圖案特徵的該焦點屬性之該控制。
對於該基板之一或多個特定區域而非對於該基板之整個區域，可進行針對該第一圖案特徵的該焦點屬性之該控制。
控制該焦點屬性可包括：在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上控制該焦點屬性。控制該焦點屬性可包括：將該焦點屬性移動成遠離或朝向該基板之該表面。控制該焦點屬性可包括：在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上延伸或縮減該焦點屬性。
該焦點屬性可為以下各者中之一者：提供該輻射光束之一配置之一焦距、該輻射光束之一焦點、該輻射光束之一聚焦深度。
該方法可包括：形成複數個第一圖案特徵，以繼而形成另外第二圖案特徵。
在如下步驟之後：移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，從而在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成一塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵，該方法可包括：將該等第二圖案特徵轉印至該基板。將該等第二圖案特徵轉印至該基板可被描述為提供第三圖案特徵。如在此項技術中所知，該等第三圖案特徵可在形狀、大小、組態及/或定向方面對應於該等第二圖案特徵。
根據本發明之一第二態樣，提供一種微影配置，其包括：一照明系統，其用於提供一輻射光束；一支撐結構，其用於支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板台，其用於固持一基板；一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一控制器，其中在使用中，該微影配置用以執行以下方法之至少一部分：將一第一材料層提供於該基板之一表面上；將該第一材料層之一部分曝光至該輻射光束，以便在該第一材料層中形成一第一圖案特徵，該第一圖案特徵具有側壁；將一第二材料層提供於該第一圖案特徵上方，該第二材料層將一塗層提供於該第一圖案特徵之側壁上；移除該第二材料層之一部分，從而在該第一圖案特徵之側壁上存留該第二材料層之一塗層；移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，從而在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成一塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵，且在該微影配置用以執行該方法之至少一部分之前，該控制器經組態以接收與一先前形成之第二圖案特徵或先前形成之第二圖案特徵之間的一間隔之一量測相關聯的資訊，且在該方法期間，該控制器經組態以控制該微影配置之至少一部分，以便控制該輻射光束之焦點屬性，以控制該第一圖案特徵之該等側壁之一側壁角度。
根據本發明之一第三態樣，提供一種器件之至少一部分，該器件係使用本發明之該第一態樣的該微影方法或本發明之該第二態樣的該微影配置加以製造。
以上態樣已在如下內容背景中得以描述：控制用以提供一圖案特徵之一輻射光束之一焦點屬性，以便控制該圖案特徵之一側壁角度。該側壁角度控制用以對第二圖案特徵及/或隨後形成之第三圖案特徵之尺寸(例如，線寬)進行控制，或對該等尺寸具有某一程度之控制。在另一態樣中，該輻射光束之一或多個其他屬性之該控制可用以控制使用該輻射光束所形成之第一圖案特徵之該側壁角度。或者或另外，可控制該輻射光束之任何適當屬性以變化該第一圖案特徵之一屬性，其繼而允許對第二圖案特徵及隨後形成之第三圖案特徵之尺寸(例如，線寬)的某一程度之控制。舉例而言，可控制該輻射光束之任何適當屬性以變化該第一圖案特徵之一剖面之一屬性。該輻射光束之該屬性可為不同於一焦點屬性之某屬性。該第一圖案特徵之該屬性可為不同於側壁角度之某屬性。
因此，本發明之一第四態樣可被描述為一種微影方法，其包括：將一第一材料層提供於一基板之一表面上；將該第一材料層之一部分曝光至一輻射光束，以便在該第一材料層中形成一第一圖案特徵，該第一圖案特徵具有側壁，且該輻射光束之一屬性經控制以控制該第一圖案特徵之一屬性；將一第二材料層提供於該第一圖案特徵上，該第二材料層將一塗層提供於該第一圖案特徵之側壁上；移除該第二材料層之一部分，從而在該第一圖案特徵之側壁上存留該第二材料層之一塗層；移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，從而在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成一塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵。經控制的該輻射光束之該屬性應對該第一圖案特徵之一屬性有影響，該第一圖案特徵之該屬性繼而對該等隨後形成之第二圖案特徵(及隨後，第三圖案特徵)之尺寸有影響。
現將參看隨附示意性圖式僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡工具或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米或更低之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，經反射光束得以圖案化。
支撐結構或圖案化器件支撐件固持圖案化器件。支撐結構或圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的，且其可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統，其適合於(例如)所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒流體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
照明系統亦可涵蓋用以引導、塑形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，包括折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件在下文亦可被集體地或單獨地稱作「透鏡」。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板被浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例的微影裝置。該裝置包括：
-照明系統(照明器)IL，其用以調節輻射光束PB(例如，UV輻射或EUV輻射)；
-支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，支撐結構)MT，其用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM；
-基板台(例如，晶圓台)WT，其用以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該基板之第二定位器件PW；及
-投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用以調整光束之角強度分佈的調整器AM。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL通常包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器提供經調節輻射光束PB，從而在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束PB入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，在橫穿圖案化器件MA後，光束PB傳遞通過透鏡PL，透鏡PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在光束PB之路徑中。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束PB之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉形成定位器件PM及PW之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT之移動。然而，在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下較佳模式中：
1.在步進模式中，在將被賦予至光束PB之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如上文所論述，若在抗蝕劑層之單次曝光之後隨後進行該抗蝕劑之顯影，則形成於該抗蝕劑中之任何圖案的最小特徵大小均受用以形成該圖案之輻射的波長限制。若進行兩次不同曝光(針對每一曝光之圖案位於彼此中間(例如，互相交叉))，則所得圖案特徵可經定位成比抗蝕劑之單次曝光及單次顯影所允許之情況更靠近。然而，以此方式提供圖案會經受針對每一曝光之圖案的準確對準(例如，疊對)。一較佳(或至少替代)方法可為使用不具有此等對準(或疊對)問題之隔片微影程序。圖2a至圖2h中示意性地描繪此隔片微影程序。
圖2a示意性地描繪一基板。該基板可(例如)與關於圖1所描述之基板類似或相同。圖2b示意性地描繪將第一材料層4提供於基板2之表面上。第一材料層4有時被稱作犧牲層，因為將在該程序期間之稍後階段犧牲(移除)此層。將第一材料層4曝光至輻射光束(例如，經圖案化輻射光束)，以便在第一材料層4中形成第一圖案特徵。接著，顯影第一材料層4。圖2c展示在第一層已經顯影後之第一基板2。第一圖案特徵6被展示為已位於基板2上。第一圖案特徵6具有側壁8。側壁8在實質上垂直於基板2之表面的方向上延伸。
圖2d展示將第二材料層10提供於第一圖案特徵6上方。第二材料層10塗佈第一圖案特徵6之側壁8。第二材料層10通常被稱作保形層，因為第二材料層10與第一圖案特徵6之形狀相符。
圖2e展示(例如)藉由蝕刻或其類似者來移除第二材料層之一部分。將第二材料層之塗層12存留於(例如，覆蓋或塗佈)第一圖案特徵6之側壁8上。保留於第一圖案特徵6之側壁8上的第二材料層之塗層12通常被稱作隔片(例如，在當前所描述之程序(隔片微影程序)中)。因此，應理解，術語「隔片」被使用且可貫穿此描述被使用，以描述第一圖案特徵6之側壁8上之第二材料層之塗層。接著(例如)藉由蝕刻或化學處理或其類似者來移除第一圖案特徵6。
圖2f展示已移除第一圖案特徵。在移除第一圖案特徵的過程中，在基板2上存留在第一圖案特徵(其現已被移除)之側壁上形成塗層12的第二材料層之至少部分。因此，此材料12現於基板2上在鄰近於經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵12。在下文中，材料12被稱作第二圖案特徵12。自圖2c與圖2f之比較可看出，圖2f之第二圖案特徵12具有為圖2c之第一圖案特徵6之間距之一半的間距。此間距減半不是藉由縮減用以提供此等圖案特徵之輻射的波長加以達成，而是藉由在單次曝光之前及之後進行適當處理(例如，提供及移除層)加以達成。
返回參看圖2f，展示各種間隔及寬度：S1 為形成於單一第一圖案特徵之側壁之任一側上之第二圖案特徵12之間的間隔；S2 為鄰近於鄰近及不同之第一圖案特徵之側壁所形成之第二圖案特徵12之間的間隔；L1 為鄰近於第一圖案特徵之第一側壁所形成之第二圖案特徵12的寬度(或換言之，線寬)；L2 為鄰近於第一圖案特徵之第二相反側壁所形成之第二圖案特徵的寬度(或換言之，線寬)。
為了產生均一結構化且間隔之圖案特徵，需要使S1 等於S2 且使L1 等於L2 。自圖2a至圖2f及其描述之審閱應瞭解，間隔S1 主要係藉由與第一圖案特徵6之產生(見(例如)圖2b及圖2c)相關聯的微影程序加以判定。間隔S2 亦係藉由與第一圖案特徵6之產生(見(例如)圖2b及圖2c)相關聯的微影程序加以判定，但亦係基於第二材料層10之提供(圖2d所示)及該第二材料層10之一部分之後續移除(圖2e所示)加以判定。第二圖案特徵12之線寬L1 及L2 係藉由所提供的第二材料層10之厚度(見(例如)圖2d)加以判定，且亦係基於第二材料層10之該部分之後續移除(見圖2e)加以判定。應瞭解，可能難以準確地且一致地控制參與間隔S1 及S2 以及L1 及L2 之判定的所有程序，此意謂可能必然地難以確保第二圖案特徵12相等地間隔且具有相等寬度。
可繼續圖2a至圖2f所示之程序。應理解，可能需要將圖2f所示之第二圖案特徵轉印至基板2。圖2g展示可如何(例如)藉由蝕刻或其類似者來移除未由第二圖案特徵12屏蔽的基板2之區域。由第二圖案特徵12所屏蔽之區域形成第三圖案特徵14，第三圖案特徵14係由與基板2之材料相同的材料形成。接著(例如)藉由蝕刻或其類似者來移除第二圖案特徵12。圖2h展示當已移除第二圖案特徵時之基板2。可看出，第三圖案特徵14保留於基板2上，且此等第三圖案特徵14之線寬L1 、L2 及第三圖案特徵14之間的間隔S1 、S2 與圖2f所示且參看圖2f所描述之線寬及間隔實質上相同。
返回參看圖2b及圖2c，輻射光束被描述為用以將圖案特徵提供於基板上。圖3a及圖3b示意性地描繪可如何進行此過程。參看圖3a，基板2被展示為具備第一材料層4。將第一材料層4曝光至輻射16(例如，UV輻射)，輻射16已傳遞通過圖案化器件(例如，光罩)18以提供經圖案化輻射光束。應瞭解，可使用任何適當圖案化器件。連同後續顯影，可使用至輻射光束16之曝光以提供如上文關於圖2c所描述之第一圖案特徵。圖3b展示提供於基板2上之第一圖案特徵6。當提供第一圖案特徵6時，已知的係將輻射光束16聚焦於用以形成第一圖案特徵6之第一材料層上或其內，或聚焦於該等圖案特徵之臨界尺寸之敏感度對於焦點屬性(例如，該輻射光束之焦點)之改變最不敏感所在的平面(相對於基板之表面)上。此情形有助於確保第一專利特徵6之側壁8被良好地界定且相對於基板2之表面實質上垂直地延伸。
根據本發明之一實施例，可控制用以形成第一圖案特徵之輻射光束之焦點屬性，以控制第一圖案特徵之側壁之側壁角度。如下文將更詳細地所論述，焦點屬性之控制將控制第一圖案特徵之側壁之側壁角度，藉此影響形成於第一圖案特徵之側壁上的第二材料層之後續塗層之尺寸(例如，厚度或其類似者)。此情形繼而導致影響在移除第一圖案特徵之後存留於基板上的第二材料層之至少一部分之尺寸-亦即，影響第二圖案特徵之尺寸(例如，線寬)。因此，根據本發明之一實施例，相對於或結合處理控制(諸如層沈積及層移除)，可按微影方式控制第二圖案特徵之尺寸。
現將參看圖4至圖7僅藉由實例來描述本發明之一實施例。
圖4a示意性地描繪基板20。已將第一材料層提供於基板20上、曝光至輻射光束且顯影以形成第一圖案特徵22(實質上如上文關於圖2a至圖2c所論述)。第一圖案特徵22具有側壁24。藉由輪廓26來展示用以提供第一圖案特徵22的輻射光束之部分的表示。舉例而言，輪廓26可表示在產生第一圖案特徵22之區域附近(例如，在該等特徵中間)輻射光束(或輻射光束之部分)之強度分佈。應瞭解，輪廓26僅係藉由實例被給出，且僅係作為有助於理解本發明之基本且圖解之輔助被給出。實際上，此等輪廓可能更複雜，或可能不在諸圖所描繪之確切位置中。
輪廓26提供輻射光束之焦點屬性的表示。焦點屬性可為以下各者中之一者：提供輻射光束之系統之焦距、輻射光束之焦點，或輻射光束之聚焦深度。可藉由在實質上垂直於基板之表面的方向上控制焦點屬性來控制焦點屬性。舉例而言，可將焦點屬性移動成遠離或朝向基板20之表面(例如，可移動焦點)，或可在實質上垂直於基板20之表面的方向上延伸或縮減焦點屬性(例如，可延伸或縮減聚焦深度)。在圖4a至圖4c中，藉由移動成朝向或遠離基板20之輪廓26來描繪此控制。在其他實例(圖中未繪示)中，可藉由在實質上垂直於基板20之表面的方向上輪廓26之形狀之延伸或壓縮來表示焦點屬性之改變(例如，對聚焦深度之改變)。
返回參看圖4a，輻射光束實質上聚焦於基板20之表面上，此意謂輪廓26亦位於基板20之表面的中心。在此實施例中，當焦點位於此位置中時，將最終在第一圖案特徵22上形成側壁24的第一材料層之區域曝光至實質上相等輻射劑量。此意謂側壁24相對於基板20之表面實質上垂直。或者或另外，此可被描述為導致側壁24之側壁角度為90°(若自基板20之表面加以量測)或0°(若自實質上垂直於基板20之表面的方向加以量測)。
圖4b描繪輻射光束之焦點已向下(如該圖所示)(例如，朝向及/或通過界定基板20之表面的平面)移位的情形。因此，輪廓26在圖4b中被展示為處於比圖4a所示之輪廓26之位置低的位置。參看圖4b，可看出，側壁24之側壁角度實質上遵循輪廓26。在圖4b所示之組態中，此導致側壁24延伸成遠離基板20且朝向鄰近之第一圖案特徵22之側壁24成角度。
圖4c展示與圖4b所示且參看圖4b所描述之情形類似的情形。然而，在圖4c中，輻射光束之焦點已移位成遠離基板20，如由亦移位成遠離基板20之輪廓26所描繪。側壁24之側壁角度再次實質上遵循輪廓26。在圖4c中，此導致側壁24延伸成遠離基板20且遠離鄰近之第一圖案特徵22之側壁24成角度。
應瞭解，輪廓相對於側壁角度之位置的影響僅係藉由實例被給出，且僅係作為有助於理解本發明之基本且圖解之輔助被給出。實際上，輪廓之位置(與焦點屬性相關)與所得側壁角度之間的關係可能更複雜，或可能不具有如諸圖所描繪之直接關係。
變化(亦即，控制)側壁之側壁角度的影響為：亦變化(亦即，控制)隨後形成於第一圖案特徵上方之第二材料層之尺寸(例如，厚度)。能夠控制隨後形成於第一圖案特徵上方之第二材料層之尺寸(例如，厚度)允許控制由於第一圖案特徵之後續移除而形成之第二圖案特徵之尺寸(例如，線寬或厚度)。圖5a至圖5f中示範此情形，其示意性地描繪隔片微影程序之一部分。
圖5a示意性地描繪圖4b之基板20及第一圖案特徵22。連同用以形成第一圖案特徵22之輻射光束之焦點屬性的控制(如關於圖4b所描述)，可以與關於圖2a至圖2c所描述之方式非常相同的方式來形成該等圖案特徵。第一圖案特徵22之側壁24延伸成遠離基板20，且朝向鄰近之第一圖案特徵22之側壁24成角度。圖5a亦展示第二材料層30已提供於第一圖案特徵22上方。第二材料層30塗佈第一圖案特徵22之側壁24。第二材料層10通常被稱作保形層，因為第二材料層30與第一圖案特徵22之形狀相符。
圖5b展示(例如)藉由蝕刻或其類似者來移除第二材料層之一部分。將第二材料層之塗層32存留於(例如，覆蓋或塗佈)第一圖案特徵22之側壁24上。保留於第一圖案特徵22之側壁24上的第二材料層之塗層32通常被稱作隔片(例如，在當前所描述之程序(隔片微影程序)中)。因此，應理解，術語「隔片」被使用且可貫穿此描述被使用，以描述第一圖案特徵22之側壁24上之第二材料層之塗層。接著(例如)藉由蝕刻或化學處理或其類似者來移除第一圖案特徵22。
自圖5b與圖2d(在圖2d中，與圖5b對比，側壁被展示為垂直地延伸成遠離基板)之比較可看出，側壁之塗層在圖5b與圖2d中具有不同厚度。特定而言，圖5b所示之側壁塗層大於圖2d所示之側壁塗層。下文進一步描述此差之顯著性。
現參看圖5c，已移除第一圖案特徵。在移除第一圖案特徵的過程中，在基板20上存留在第一圖案特徵(其現已被移除)之側壁上形成塗層32的第二材料層之至少部分。因此，此材料32現於基板20上在鄰近於經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵32。在下文中，材料32被稱作第二圖案特徵32。自圖4b與圖5c之比較可看出，圖5c之第二圖案特徵32具有為圖4b之第一圖案特徵22之間距之一半的間距。此間距減半不是藉由縮減用以提供此等圖案特徵之輻射的波長加以達成，而是藉由在單次曝光之前及之後進行適當處理(例如，提供及移除層)加以達成。
返回參看圖5c，展示各種間隔及寬度：S1 為形成於單一第一圖案特徵之側壁之任一側上之第二圖案特徵32之間的間隔；S2 為鄰近於鄰近及不同之第一圖案特徵之側壁所形成之第二圖案特徵32之間的間隔；L1 為鄰近於第一圖案特徵之第一側壁所形成之第二圖案特徵12的寬度(或換言之，線寬)；L2 為鄰近於第一圖案特徵之第二相反側壁所形成之第二圖案特徵的寬度(或換言之，線寬)。
可繼續圖5a至圖5c所示之程序。應理解，可能需要將圖5c所示之第二圖案特徵32轉印至基板20。圖5d展示可如何(例如)藉由蝕刻或其類似者來移除未由第二圖案特徵32屏蔽的基板20之區域。由第二圖案特徵32所屏蔽之區域形成第三圖案特徵34，第三圖案特徵34係由與基板20之材料相同的材料形成。接著(例如)藉由蝕刻或其類似者來移除第二圖案特徵32。圖5e展示當已移除第二圖案特徵時之基板20。可看出，第三圖案特徵34保留於基板20上，且此等第三圖案特徵34之線寬L1 、L2 及第三圖案特徵34之間的間隔S1 、S2 與圖5c所示且參看圖5c所描述之線寬及間隔實質上相同。
圖5f與上文所論述之圖5c相同，且出於比較原因而再次予以展示。圖5g與圖2f相同。總之，圖5g展示提供於基板2上之第二圖案特徵12，其中藉由在實質上垂直地延伸成遠離基板2的第一圖案特徵之側壁上形成塗層而形成第二圖案特徵12。現比較圖5f與圖5g。在圖5f中，當第一圖案特徵之側壁未垂直地延伸成遠離基板20而是遠離垂線成角度(見(例如)圖5b)時所形成的第二圖案特徵32比在圖5g中的情況厚(例如，具有更大線寬)，在圖5g中，藉由塗佈實質上垂直地延伸成遠離基板之第一圖案特徵之側壁而形成第二圖案特徵12(見(例如)圖2e)。因此，應瞭解，可使用變化用以在基板上形成第一圖案特徵之輻射光束之焦點屬性來影響該等第一圖案特徵之側壁之側壁角度。隨後，可使用該等側壁角度之變化來控制藉由塗佈該等側壁且接著移除第一圖案特徵所形成之第二圖案特徵之線寬。總之，可使用用以提供第一圖案特徵之輻射光束之焦點屬性的變化來控制使用第一圖案特徵(例如，該等第一圖案特徵之側壁)所形成之第二圖案特徵之尺寸(例如，線寬)。
控制輻射光束之焦點屬性以繼而控制第二圖案特徵之線寬的益處為：可將焦點屬性之改變局域地應用於第一類型之圖案特徵(例如，以形成密集規則線、具有特定間距之線、具有特定線寬之線，及其類似者)，或應用於基板之一或多個特定區域(例如，其中將形成密集規則線)。此方法與通常應用於整個基板(亦即，全域應用)的諸如蝕刻或顯影之處理方法形成對比。一另外益處為：可藉由(例如)適當地控制微影裝置(例如，照明器或投影透鏡、投影系統或其類似者)之屬性來準確地控制焦點屬性，且可跨越基板之不同區域準確地應用準確控制(藉由(例如)適當準確地控制基板或輻射光束或基板及輻射光束兩者之移動)。舉例而言，可應用此控制，使得焦點屬性對於不同晶粒、目標部分或曝光場或其類似者係不同的。圖6為示意性地描繪根據本發明之一實施例的以下兩者之間的關係的曲線圖：輻射光束之焦點移位(自(例如)當焦點與基板之表面或第一材料層之表面重合時的標稱值)；及所形成之第二(或第三)圖案特徵之所得線寬。可使用朝向或遠離基板的200奈米之焦點移位來達成第二圖案特徵的2奈米之線寬改變。可使用100奈米之焦點移位來影響所得第二圖案特徵的1奈米之線寬改變。總之，該曲線圖示範可藉由適當準確地控制焦點移位來準確地控制線寬。
除了控制用以提供第一圖案特徵(隨後由其形成第二圖案特徵)之輻射光束之焦點屬性以外，亦可控制輻射劑量。亦可使用控制輻射劑量來控制第一圖案特徵之側壁之側壁角度，藉此允許進一步控制隨後形成之第二圖案特徵之尺寸(例如，線寬)。可藉由控制輻射光束之焦點屬性來達成改變劑量。
回應於先前形成之第二圖案特徵(例如，其尺寸)或先前形成之第二圖案特徵之間的空間(例如，上文所描述之S1 、S2 、L1 、L2 )之量測，可進行控制輻射光束之焦點屬性。可處理此等量測以判定是否需要改變(例如，增加或減少)第二圖案特徵之尺寸(例如，線寬L1 、L2 )。若需要此增加或減少，則可控制輻射光束之焦點屬性以控制第一圖案特徵之側壁之側壁角度，如上文所描述。當在被進行量測之同一基板上或在不同基板上形成第一圖案特徵時，可進行此控制。
圖7示意性地描繪一流程圖，該流程圖描繪可如何使用一量測來控制輻射光束之焦點屬性，以繼而控制使用該輻射光束所形成之第一圖案特徵之側壁角度。藉由方框50來示意性地描繪微影裝置及程序(例如，蝕刻)工具。可使用微影裝置及程序工具50以執行圖5a至圖5f所示且參看圖5a至圖5f所描述之方法來進行隔片微影程序。可接著將具有所得第二圖案特徵之基板轉印(藉由箭頭52所描繪)至度量衡(例如，量測)載物台54。在此度量衡載物台54處，可採取各種量測，例如，上文所論述之間隔S1 、S2 或線寬L1 、L2 。接著，將關於此量測之資訊發送(藉由箭頭56所描繪)至藉由方框58所描繪之控制器。控制器58經組態以接收此資訊56。資訊56係與先前形成之第二圖案特徵或先前形成之第二圖案特徵之間的間隔之量測相關聯，或等同於該量測。控制器58亦經組態以控制(藉由箭頭60所描繪)微影裝置之至少一部分(例如，照明器之一部分或投影系統之一部分)，以便控制輻射光束之焦點屬性，以在後續曝光中控制第一圖案特徵之側壁之側壁角度。
圖7所提及之控制器可形成微影配置之部分。微影配置可包括：照明系統，其用於提供輻射光束；支撐結構，其用於支撐圖案化器件，圖案化器件用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案；基板台，其用於固持基板；投影系統，其用於將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及控制器。因此，微影配置可被描述為包括微影裝置(例如，圖1所示之微影裝置)及用於該配置之至少一部分的控制器。在使用中，微影配置用以執行上文所描述之方法之至少一部分，總之，其包括：將第一材料層提供於基板之表面上；將第一材料層之一部分曝光至輻射光束，以便在第一材料層中形成第一圖案特徵，第一圖案特徵具有側壁；將第二材料層提供於第一圖案特徵上方，第二材料層將塗層提供於第一圖案特徵之側壁上；移除第二材料層之一部分，從而在第一圖案特徵之側壁上存留第二材料層之塗層(例如，以形成一或多個隔片，如以上所描述)；移除由第一材料層形成之第一圖案特徵，從而在基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成塗層的第二材料層之至少一部分，存留於基板上的第二材料層之部分在鄰近於經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵(亦即，隔片)。在該方法之前，控制器可經組態以接收與先前形成之第二圖案特徵之尺寸或先前形成之第二圖案特徵之間的間隔之量測相關聯的資訊，且在該方法期間，控制器經組態以控制微影配置之至少一部分(例如，照明器或投影系統之一部分)，以便控制輻射光束之焦點屬性，以繼而控制第一圖案特徵之側壁之側壁角度(且因此控制(例如)隨後使用第一圖案特徵所形成之第二圖案特徵之線寬)。
控制器可為能夠控制(例如)微影配置之一部分的任何適當配置。舉例而言，控制器可為電腦，或嵌式處理器，或用於此電腦或處理器中之程式碼。
在以上描述中，已參考第二圖案特徵。舉例而言，已描述：回應於先前形成之第二圖案特徵(例如，其尺寸)或先前形成之第二圖案特徵之間的空間(例如，上文所描述之S1 、S2 、L1 、L2 )之量測，可進行控制輻射光束之焦點屬性。或者或另外，回應於先前形成之第三圖案特徵(例如，其尺寸)或先前形成之第三圖案特徵之間的空間(例如，上文所描述之S1 、S2 、L1 、L2 )之量測，可進行控制輻射光束之焦點屬性，第三圖案特徵係如上文所描述而形成(例如，由及/或使用第二圖案特徵形成)。根據本發明之實施例，可在同一基板上或在將被投影有輻射光束以提供第一圖案特徵之不同基板上進行量測。
自本發明之實施例的描述應瞭解，本發明之實施例可特別地適用於奈米級微影，其中圖案特徵(例如，上文所描述之第一圖案特徵、第二圖案特徵或第三圖案特徵)之一或多個尺寸(例如，線寬或臨界尺寸)約為奈米。
歸因於以第二材料層來塗佈第一圖案特徵之方式，普遍的是使第一圖案特徵之尺寸(例如，線寬)大於第二材料層之尺寸(例如，厚度)，且因此大於來自使用該第二材料層之第二圖案特徵之尺寸(例如，線寬)。
應瞭解，可在一器件之部分或全部的製造中使用根據本發明之一實施例的第二(及/或第三)圖案特徵之形成。因此，根據本發明之一實施例，提供使用如上文所論述的根據本發明之實施例的方法或配置所製造之器件之至少一部分。
以上實施例已在如下內容背景中得以描述：控制用以提供一圖案特徵之輻射光束之焦點屬性，以便控制該圖案特徵之側壁角度。側壁角度控制用以對第二圖案特徵及隨後形成之第三圖案特徵之尺寸(例如，線寬)進行控制，或對該等尺寸具有某一程度之控制。在另一實施例中，輻射光束之一或多個其他屬性之控制可用以控制使用輻射光束所形成之第一圖案特徵之側壁角度。或者或另外，可控制輻射光束之任何適當屬性以變化第一圖案特徵之屬性，其繼而允許對第二圖案特徵及隨後形成之第三圖案特徵之尺寸(例如，線寬)的某一程度之控制。輻射光束之屬性可為不同於焦點屬性之某屬性。第一圖案特徵之屬性可為不同於側壁角度之某屬性。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
2．．．基板
4．．．第一材料層
6．．．第一圖案特徵
8．．．側壁
10．．．第二材料層
12．．．材料/第二圖案特徵/第二材料層之塗層
14．．．第三圖案特徵
16．．．輻射光束
18．．．圖案化器件
20．．．基板
22．．．第一圖案特徵
24．．．側壁
26．．．輪廓
30．．．第二材料層
32．．．材料/第二圖案特徵/第二材料層之塗層
34．．．第三圖案特徵
50．．．微影裝置及程序工具
52．．．轉印
54．．．度量衡載物台
56．．．發送/資訊
58．．．控制器
60．．．控制
AM．．．調整器
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構/圖案化器件支撐件/物件台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PB．．．輻射光束
PL．．．項目/投影系統/透鏡
PM．．．第一定位器件
PW．．．第二定位器件
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台/物件台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2a至圖2h示意性地描繪隔片微影程序之一實施例；
圖3a及圖3b示意性地描繪與圖2a至圖2h所示且參看圖2a至圖2h所描述之程序相關聯的曝光原理；
圖4a至圖4c示意性地描繪根據本發明之一實施例的對圖案特徵之側壁之側壁角度的影響，該等影響係與用以提供該等圖案特徵之輻射光束之焦點屬性的變化有關；
圖5a至圖5g示意性地描繪根據本發明之一實施例的隔片微影程序之一部分；
圖6為示意性地描繪根據本發明之一實施例的以下兩者之間的關係的曲線圖：用以提供第一圖案特徵之輻射光束的焦點移位；及使用該等第一圖案特徵所形成之第二圖案特徵的線寬；及
圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的表示可如何控制輻射光束之焦點屬性的流程圖。
20．．．基板
22．．．第一圖案特徵
24．．．側壁
26．．．輪廓

Claims (14)

  1. 一種微影方法，其包含：將一第一材料層提供於一基板之一表面上；將該第一材料層之一部分曝光至一輻射光束，以便在該第一材料層中形成一第一圖案特徵(pattern feature)，該第一圖案特徵具有側壁；將一第二材料層提供於該第一圖案特徵上方(over)，該第二材料層將一塗層(coating)提供於該第一圖案特徵之側壁上；移除該第二材料層之一部分，在該第一圖案特徵之側壁上存留(leaving)該第二材料層之該塗層；移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成該塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位(locations)的部位中形成第二圖案特徵，及藉由在曝光該第一材料層期間控制該輻射光束的一焦點屬性(focal property)，而調整(adjusting)各自形成於兩相鄰第一圖案特徵上的兩相鄰第二圖案特徵間的一距離(distance)，以控制該等側壁的一側壁角度(sidewall angle)，藉此影響該第一圖案特徵的該等側壁上的該第二材料層之該塗層之一尺寸(dimension)。
  2. 如請求項1之方法，其中影響該第一圖案特徵之該等側壁上的該第二材料層之該塗層之該尺寸繼而導致影響在 移除該第一圖案特徵之後存留於該基板上的該第二材料層之該至少一部分之一尺寸。
  3. 如請求項1之方法，其中除了控制該輻射光束之一焦點屬性以外，亦控制由該輻射光束所提供之一輻射劑量，以便控制該第一圖案特徵之該等側壁之該側壁角度。
  4. 如請求項1之方法，其中回應於一先前形成之第二圖案特徵或先前形成之第二圖案特徵之間的一間隔之一量測，進行控制該焦點屬性。
  5. 如請求項1之方法，其中若該第一圖案特徵為一特定類型，則進行針對該第一圖案特徵的該焦點屬性之該控制。
  6. 如請求項1之方法，其中對於該基板之一或多個特定區域而非對於該基板之整個區域，進行針對該第一圖案特徵的該焦點屬性之該控制。
  7. 如請求項1之方法，其中控制該焦點屬性包含：在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上控制該焦點屬性。
  8. 如請求項7之方法，其中控制該焦點屬性包含：將該焦點屬性移動成遠離或朝向該基板之該表面。
  9. 如請求項7之方法，其中控制該焦點屬性包含：在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上延伸或縮減該焦點屬性。
  10. 如請求項1之方法，其中該焦點屬性為以下各者中之一者：提供該輻射光束之一配置之一焦距、該輻射光束之一焦點、該輻射光束之一聚焦深度。
  11. 如請求項1之方法，其包含：形成複數個第一圖案特徵，以繼而形成另外第二圖案特徵。
  12. 如請求項1之方法，其中在如下步驟之後：移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，從而在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成一塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵，該方法包含：將該等第二圖案特徵轉印至該基板。
  13. 一種微影配置(arrangement)，其包含：一照明系統，其經組態以提供一輻射光束；一支撐件(support)，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一控制器，其中該微影配置經建構及配置以：將一第一材料層提供於該基板之一表面上；將該第一材料層之一部分曝光至該輻射光束，以便在該第一材料層中形成一第一圖案特徵，該第一圖案特徵具有側壁； 將一第二材料層提供於該第一圖案特徵上方，該第二材料層將一塗層提供於該第一圖案特徵之側壁上；移除該第二材料層之一部分，在該第一圖案特徵之側壁上存留該第二材料層之該塗層；移除由該第一材料層形成之該第一圖案特徵，在該基板上存留在該第一圖案特徵之側壁上形成該塗層的該第二材料層之至少一部分，存留於該基板上的該第二材料層之該部分在鄰近於該經移除之第一圖案特徵之側壁之部位的部位中形成第二圖案特徵，其中該控制器經組態以接收與一先前形成之第二圖案特徵，或先前形成之第二圖案特徵之間的一間隔(spacing)，之一量測相關聯的資訊，及其中該控制器經組態以控制該微影配置之至少一部分，以便控制該輻射光束之焦點屬性，以控制該第一圖案特徵之該等側壁之一側壁角度，而調整各自形成於兩相鄰第一圖案特徵上的兩相鄰第二圖案特徵間的一距離，藉此影響該第一圖案特徵的該等側壁上的該第二材料層之該塗層之一尺寸。
  14. 一種器件，其係使用如請求項1之微影方法加以製造。
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