JP2958913B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はIC,LSI等を製造するための露光装置に関し、
特に露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置に関
する。
特に露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置に関
する。
露光装置に用いられる露光用光源としては、可視光お
よび紫外線を発生するものが数多く用いられている。こ
れらの光源を用いた露光においてはマスクにダメージを
与えることがほとんどない。
よび紫外線を発生するものが数多く用いられている。こ
れらの光源を用いた露光においてはマスクにダメージを
与えることがほとんどない。
しかし、ごく微細なパターンを露光するために近年提
案されたシンクロト放射光を光源とした露光によって
は、マスクの特性が変化することが、W.A.Johnson,R.A.
Levy,D.J.Resnick,T.E.Saunders,A.W.Yanof,H.Betz,H.H
unber.and H.Oertel,“Radiation damage effects in b
orn nitride mask membrenes subljected to x−rayevp
osures",journal of vacuumscience＆technology B,vo
l.5,No.1,Jan/Feb 1987等によって指摘されている。
案されたシンクロト放射光を光源とした露光によって
は、マスクの特性が変化することが、W.A.Johnson,R.A.
Levy,D.J.Resnick,T.E.Saunders,A.W.Yanof,H.Betz,H.H
unber.and H.Oertel,“Radiation damage effects in b
orn nitride mask membrenes subljected to x−rayevp
osures",journal of vacuumscience＆technology B,vo
l.5,No.1,Jan/Feb 1987等によって指摘されている。
したがって、許容被爆量を超えたマスクは交換する必
要があり、この交換の時期を適切に把握するためには、
個々のマスクの被爆量を正確に把握しておく必要がある
が、従来の露光装置にはこの種の機能は設けられていな
かった。
要があり、この交換の時期を適切に把握するためには、
個々のマスクの被爆量を正確に把握しておく必要がある
が、従来の露光装置にはこの種の機能は設けられていな
かった。
上述した従来の露光装置は個々のマスクの被爆量を把
握する機能が設けられていなかったため、露光中にマス
クの被爆量が許容被爆量を超えてしまい、正常な露光が
行なわれない危険性が生じてしまうという問題点があ
る。また、上記のような放射光により製造がなされるI
C,LSI等は十数回の露光プロセスを重ねて行なって製造
されるものが多く、また、その露光時間も厳密に制限す
る必要があるため、正常な露光が行なわれない場合には
それまでの製造プロセスがすべて無駄なものになってし
まい、大きな損失が生じてしまうという問題点もある。
握する機能が設けられていなかったため、露光中にマス
クの被爆量が許容被爆量を超えてしまい、正常な露光が
行なわれない危険性が生じてしまうという問題点があ
る。また、上記のような放射光により製造がなされるI
C,LSI等は十数回の露光プロセスを重ねて行なって製造
されるものが多く、また、その露光時間も厳密に制限す
る必要があるため、正常な露光が行なわれない場合には
それまでの製造プロセスがすべて無駄なものになってし
まい、大きな損失が生じてしまうという問題点もある。
本発明は上記従来技術が有する欠点に鑑みてなされた
ものであって、個々のマスクの被爆量を正確に把握する
ことのできる露光装置を実現することを目的とする。
ものであって、個々のマスクの被爆量を正確に把握する
ことのできる露光装置を実現することを目的とする。
本発明のＸ線露光装置は、 露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置におい
て、 表示部と、 露光時にマスクに吸収される露光量を各露光毎に検出
する検出手段と、 各マスク毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段と、 各マスクが露光される際に、当該マスクに対して前記
記憶手段に記憶されている蓄積被爆量を前記検出手段に
て検出された露光量が加算されたものとし、これを前記
表示部に表示させる制御装置とを有する。
て、 表示部と、 露光時にマスクに吸収される露光量を各露光毎に検出
する検出手段と、 各マスク毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段と、 各マスクが露光される際に、当該マスクに対して前記
記憶手段に記憶されている蓄積被爆量を前記検出手段に
て検出された露光量が加算されたものとし、これを前記
表示部に表示させる制御装置とを有する。
この場合、各マスク毎に記憶手段をそれぞれ設けても
よく、 また、制御装置が、露光量が加算された蓄積被爆量と
予め定められている許容値とを比較し、該比較結果を表
示部に表示させるものであってもよい。
よく、 また、制御装置が、露光量が加算された蓄積被爆量と
予め定められている許容値とを比較し、該比較結果を表
示部に表示させるものであってもよい。
さらに、マスク交換手段を設け、制御装置が、露光量
が加算された蓄積被爆量が予め定められている許容値を
超えるものであるときに、前記マスク交換手段によりマ
スクを交換させるものであってもよい。
が加算された蓄積被爆量が予め定められている許容値を
超えるものであるときに、前記マスク交換手段によりマ
スクを交換させるものであってもよい。
マスクを露光する際には、該露光におけるマスクの露
光量が検出手段により検出され、該露光量を記憶手段に
記憶されている当該マスクの蓄積被爆量に加算したもの
が表示部に表示されるので、個々のマスクの被爆量を正
確に把握することができる。
光量が検出手段により検出され、該露光量を記憶手段に
記憶されている当該マスクの蓄積被爆量に加算したもの
が表示部に表示されるので、個々のマスクの被爆量を正
確に把握することができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の要部の装置構成を示す概略断面図で
ある。
ある。
シンクロトロン等の光源装置より出射される放射光10
1は、大きな曲率半径のミラー102により回折されて拡大
され、露光チャンバ103に設けられた窓104およびマスク
105を介して、ウエハステージ107上に装着されたウエハ
106を露光する。マスク105の蓄積被爆量はマスク105の
周縁部近傍に配設された蓄積被爆量検出手段108により
検出される。
1は、大きな曲率半径のミラー102により回折されて拡大
され、露光チャンバ103に設けられた窓104およびマスク
105を介して、ウエハステージ107上に装着されたウエハ
106を露光する。マスク105の蓄積被爆量はマスク105の
周縁部近傍に配設された蓄積被爆量検出手段108により
検出される。
第２図は第１図中のマスク105の構成を示す側面図で
ある。
ある。
マスク保持体203上に載置されるマスク支持膜202上に
は、マスク吸収材201によるマスクパターンが描かれて
いる。マスク保持体203はマスク補強体204上に取付けら
れており、該マスク補強体204の側面にはマスク105の認
識番号を示すマスクID205がバーコード等のパターン情
報の形式で書込まれている。
は、マスク吸収材201によるマスクパターンが描かれて
いる。マスク保持体203はマスク補強体204上に取付けら
れており、該マスク補強体204の側面にはマスク105の認
識番号を示すマスクID205がバーコード等のパターン情
報の形式で書込まれている。
第３図は蓄積被爆量検出手段108の構成を示すブロッ
ク図であり、第４図は第３図中の記憶装置305の構成を
示すブロック図である。
ク図であり、第４図は第３図中の記憶装置305の構成を
示すブロック図である。
蓄積被爆量検出手段108は、マスク105に書込まれてい
るマスクID205を読み込むためのマスクID読込み機301、
露光光のＸ線の強度を検出する検出手段であるＸ線検出
器303、該Ｘ線検出器303の検出結果に基いてマスク105
の蓄積被爆量を算出する露光装置演算部304、各マスク1
05毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段である記憶装置30
5、各マスク105の蓄積被爆量を表示する表示部306およ
びこれらの各装置の出力を入力し、もしくはその動作を
制御するとともに露光装置の各動作を確認する制御装置
であるマスク履歴記録制御部302より構成されている。
るマスクID205を読み込むためのマスクID読込み機301、
露光光のＸ線の強度を検出する検出手段であるＸ線検出
器303、該Ｘ線検出器303の検出結果に基いてマスク105
の蓄積被爆量を算出する露光装置演算部304、各マスク1
05毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段である記憶装置30
5、各マスク105の蓄積被爆量を表示する表示部306およ
びこれらの各装置の出力を入力し、もしくはその動作を
制御するとともに露光装置の各動作を確認する制御装置
であるマスク履歴記録制御部302より構成されている。
本実施例におけるマスク105の被爆量の検出は、本件
出願人による特願平１−186080号の明細書に記載された
方法により行われるものである。本実施例の露光実施例
の動作について以下に説明する。
出願人による特願平１−186080号の明細書に記載された
方法により行われるものである。本実施例の露光実施例
の動作について以下に説明する。
マスク105が露光チャンバ103内に設置されると、該マ
スク105固有のマスクID205がマスクID読込み機301によ
って読み込まれ、マスク履歴記録制御部302はマスクID2
05を認識するとともに該マススID205に対して記憶装置3
05が記憶する蓄積被爆量を読出す。この状態から露光が
行なわれると各露光毎の被爆量の検出が行なわれる。Ｘ
線検出器303はマスク105が設置される以前のマスク105
透過前のＸ線強度とマスク105が設置された後のマスク1
05透過後のＸ線強度とをそれぞれ検出して露光演算部30
4へ出力する。
スク105固有のマスクID205がマスクID読込み機301によ
って読み込まれ、マスク履歴記録制御部302はマスクID2
05を認識するとともに該マススID205に対して記憶装置3
05が記憶する蓄積被爆量を読出す。この状態から露光が
行なわれると各露光毎の被爆量の検出が行なわれる。Ｘ
線検出器303はマスク105が設置される以前のマスク105
透過前のＸ線強度とマスク105が設置された後のマスク1
05透過後のＸ線強度とをそれぞれ検出して露光演算部30
4へ出力する。
マスク105にとってｉ回目の露光について考えてみ
る。
る。
マスク105透過前のＸ隙円強度をIie0、マスク105の透
過後のＸ線強度をIie1とすると、この露光にてマスク10
5で吸収されたＸ線強度IiはIie0−Iie1となる。露光装
置演算部304は、このＸ線強度Iiを算出し、マスク履歴
記録制御部302へ出力する。マスク履歴露光制御部302
は、このＸ線強度Iiとｉ回目の露光時間Tiとからｉ回目
の露光量Di（＝Ii×Ti）を算出し、これをそれまで（ｉ
−１回目）の蓄積被爆量に加えてマスク105の蓄積被爆
量Ｚを求め、続いて、記憶装置305にマスクID205および
蓄積被爆量Ｚを蓄積被爆量書換え指示とともに出力し、
表示部306にはマスクID205および蓄積被爆量Ｚを出力す
る。これにより記憶装置305においてはマスクID205に対
して記憶されている蓄積被爆量をＺに書換えることが行
なわれ、表示部306においては、マスクID205を示す認識
番号と蓄積被爆量Ｚが表示される。
過後のＸ線強度をIie1とすると、この露光にてマスク10
5で吸収されたＸ線強度IiはIie0−Iie1となる。露光装
置演算部304は、このＸ線強度Iiを算出し、マスク履歴
記録制御部302へ出力する。マスク履歴露光制御部302
は、このＸ線強度Iiとｉ回目の露光時間Tiとからｉ回目
の露光量Di（＝Ii×Ti）を算出し、これをそれまで（ｉ
−１回目）の蓄積被爆量に加えてマスク105の蓄積被爆
量Ｚを求め、続いて、記憶装置305にマスクID205および
蓄積被爆量Ｚを蓄積被爆量書換え指示とともに出力し、
表示部306にはマスクID205および蓄積被爆量Ｚを出力す
る。これにより記憶装置305においてはマスクID205に対
して記憶されている蓄積被爆量をＺに書換えることが行
なわれ、表示部306においては、マスクID205を示す認識
番号と蓄積被爆量Ｚが表示される。
記憶装置305における書込み、読み出し動作について
第４図を参照して説明する。
第４図を参照して説明する。
記憶装置305は第４図に示すように磁気記録ヘッド40
1、磁気記録媒体402、再生磁気ヘッド403および書込
み、読み出し動作を制御する記憶装置制御部404より構
成されている。
1、磁気記録媒体402、再生磁気ヘッド403および書込
み、読み出し動作を制御する記憶装置制御部404より構
成されている。
記憶装置制御部404は、マスク履歴記録制御部302が出
力する蓄積被爆量読み出し指令およびマスクID205が入
力されると、該マスクID205に対して磁気記録媒体402に
記録されているそれまでの蓄積被爆量を再生ヘッド403
を介して読み出してマスク履歴記録制御部302へ出力す
る。また、マスク履歴記録制御部302が出力する蓄積被
爆量書換え指令とともにマスクID205および蓄積被爆量
Ｚが入力された場合にはマスクID205に対して磁気記録
媒体402に記録されている蓄積被爆量を記録磁気ヘッド4
01を介してＺに書換える。
力する蓄積被爆量読み出し指令およびマスクID205が入
力されると、該マスクID205に対して磁気記録媒体402に
記録されているそれまでの蓄積被爆量を再生ヘッド403
を介して読み出してマスク履歴記録制御部302へ出力す
る。また、マスク履歴記録制御部302が出力する蓄積被
爆量書換え指令とともにマスクID205および蓄積被爆量
Ｚが入力された場合にはマスクID205に対して磁気記録
媒体402に記録されている蓄積被爆量を記録磁気ヘッド4
01を介してＺに書換える。
表示306にはマスク105の蓄積被爆量ＺがマスクID205
とともに表示されるため、利用者はマスクの交換時期を
正確に把握することができる。また、このマスク交換を
蓄積被爆量に応じて自動的に行なうものとしてもよい。
とともに表示されるため、利用者はマスクの交換時期を
正確に把握することができる。また、このマスク交換を
蓄積被爆量に応じて自動的に行なうものとしてもよい。
第５図はマスク交換を自動で行なうように構成したと
きの動作を示すフローチャートである。
きの動作を示すフローチャートである。
マスク105が設置されるとマスクID205が読み込まれた
後に（ステップS2）、露光が行なわれる（ステップS
2）。次に、マスク105の蓄積被爆量Ｚを計算し（ステッ
プS3）、記憶装置305に記憶されているマスクID205の蓄
積被爆量をＺに書換える（ステップS4）。続いてマスク
履歴記録制御部302は該蓄積被爆量Ｚが予め定められて
いる許容値以下かどうかを判断し（ステップS5）、許容
値を超えていない場合には次のシーケンス動作（露光動
作やステップ移動動作等）に移行させ（ステップS7）、
許容値を超えている場合には不図示のマスク交換手段に
よりマスク105を新しいものと交換した後に（ステップS
6）、次のシーケンス動作へ移行させる。
後に（ステップS2）、露光が行なわれる（ステップS
2）。次に、マスク105の蓄積被爆量Ｚを計算し（ステッ
プS3）、記憶装置305に記憶されているマスクID205の蓄
積被爆量をＺに書換える（ステップS4）。続いてマスク
履歴記録制御部302は該蓄積被爆量Ｚが予め定められて
いる許容値以下かどうかを判断し（ステップS5）、許容
値を超えていない場合には次のシーケンス動作（露光動
作やステップ移動動作等）に移行させ（ステップS7）、
許容値を超えている場合には不図示のマスク交換手段に
よりマスク105を新しいものと交換した後に（ステップS
6）、次のシーケンス動作へ移行させる。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
本実施例の構成は第３図に示したブロック図のうちの
Ｘ線検出器303を省き、露光装置演算部304、マスク履歴
記録制御部302および記憶装置305の内部構成のみを備え
たものであるので、第２図および第３図を参照し、同一
符号を用いて説明する。
Ｘ線検出器303を省き、露光装置演算部304、マスク履歴
記録制御部302および記憶装置305の内部構成のみを備え
たものであるので、第２図および第３図を参照し、同一
符号を用いて説明する。
第１の実施例においては、マスク105に吸収されるＸ
線量をＸ線検出器303にて検出されるＸ線の強度変化か
ら算出するものとしたが、本実施例のものにおいては、
放射線101のＸ線強度の波長特性Ｉ（λ）とマスク105を
構成するマスク吸収材201およびマスク支持膜202の材質
からＸ線量を算出するものである。
線量をＸ線検出器303にて検出されるＸ線の強度変化か
ら算出するものとしたが、本実施例のものにおいては、
放射線101のＸ線強度の波長特性Ｉ（λ）とマスク105を
構成するマスク吸収材201およびマスク支持膜202の材質
からＸ線量を算出するものである。
マスク105を構成するマスク吸収材201およびマスク支
持膜202のそれぞれの材質をk1,k2とし、また各膜厚をd
1,d2とする。さらに第３図のＡ−Ａ′平面における断面
をxy平面とし、該xy平面でマスク吸収材201が存在すれ
ば１とし、存在しなければ０を与える関数Ｓ（x,y）を
求める。各材質k1,k2のＸ線吸収率の波長特性をそれぞ
れμk1（λ），μK2（λ）とし、露光時間Ｔとすると、
該露光時間Ｔの間にマスク105にて吸収されるＸ線強度I
iは下記の式にて計算される。
持膜202のそれぞれの材質をk1,k2とし、また各膜厚をd
1,d2とする。さらに第３図のＡ−Ａ′平面における断面
をxy平面とし、該xy平面でマスク吸収材201が存在すれ
ば１とし、存在しなければ０を与える関数Ｓ（x,y）を
求める。各材質k1,k2のＸ線吸収率の波長特性をそれぞ
れμk1（λ），μK2（λ）とし、露光時間Ｔとすると、
該露光時間Ｔの間にマスク105にて吸収されるＸ線強度I
iは下記の式にて計算される。
本実施例のマスク履歴記録制御部302は上記のＸ線強
度の波長特性Ｉ（λ）を内蔵するメモリ内に記憶し、記
憶装置305は各材質k1,k2、各膜厚d1,d2、関数Ｓ（x,y）
と種々な材質のＸ線吸収率の波長特性μｋ（λ）のデー
タをテーブルとして磁気記録媒体402（第４図参照）に
記録している。
度の波長特性Ｉ（λ）を内蔵するメモリ内に記憶し、記
憶装置305は各材質k1,k2、各膜厚d1,d2、関数Ｓ（x,y）
と種々な材質のＸ線吸収率の波長特性μｋ（λ）のデー
タをテーブルとして磁気記録媒体402（第４図参照）に
記録している。
マスク露光履歴記録制御部302は、露光装置演算部304
に上記の各記憶内容および露光時間Tiより露光量Di（＝
Ii×Ti）を計算させ、さらにΣDi（ｎは現在までのマス
ク205についての露光回数）を計算させて蓄積被爆量Ｚ
を得る。続いてマスク履歴記録制御部302は該蓄積被爆
量ＺおよびマスクID205を記憶装置305、表示部306へ送
出し、記憶装置305の記憶内容を書換えさせ、表示部306
に表示を行なわせる。
に上記の各記憶内容および露光時間Tiより露光量Di（＝
Ii×Ti）を計算させ、さらにΣDi（ｎは現在までのマス
ク205についての露光回数）を計算させて蓄積被爆量Ｚ
を得る。続いてマスク履歴記録制御部302は該蓄積被爆
量ＺおよびマスクID205を記憶装置305、表示部306へ送
出し、記憶装置305の記憶内容を書換えさせ、表示部306
に表示を行なわせる。
このように、本実施例における検出手段は、制御装置
を兼ねるマスク履歴記録制御部302と記憶手段を兼ねる
記憶装置305と露光装置演算部304によって構成されてい
る。
を兼ねるマスク履歴記録制御部302と記憶手段を兼ねる
記憶装置305と露光装置演算部304によって構成されてい
る。
第６図は本発明の第３の実施例の要部構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
本実施例のマスク601は、第１の実施例中の記憶装置3
05として用いられるSRAM702（第７図参照）を収容する
もので、入出力部602を介してマスク履歴記録制御部603
と接続する。この他のＸ線検出器604、露光装置演算部6
05および表示部606の構成および動作はそれぞれ第３図
中のＸ線検出器303、露光装置演算部304および表示部30
6と同様であるため、詳細な説明は省略する。
05として用いられるSRAM702（第７図参照）を収容する
もので、入出力部602を介してマスク履歴記録制御部603
と接続する。この他のＸ線検出器604、露光装置演算部6
05および表示部606の構成および動作はそれぞれ第３図
中のＸ線検出器303、露光装置演算部304および表示部30
6と同様であるため、詳細な説明は省略する。
マスク601内に収容されるSRAM702は、第７図に示すよ
うにバックアップ用の電源703（リチウム電池等）から
電源供給を受けるもので、配線701を介して第６図に示
した入出力部602と接続される。
うにバックアップ用の電源703（リチウム電池等）から
電源供給を受けるもので、配線701を介して第６図に示
した入出力部602と接続される。
第８図はマスク601の要部構成を示す斜視図であり、
第９図は入出力部602の構成を示す斜視図である。
第９図は入出力部602の構成を示す斜視図である。
SRAM702、電源703はマスク601を構成するマスク補強
体801に埋設されている。マスク補強体801には、その外
周の一部に凹部が設けられており、該凹部の底面には配
線701によりSRAM702の各端子と接続される複数の電極80
2が設けられている。
体801に埋設されている。マスク補強体801には、その外
周の一部に凹部が設けられており、該凹部の底面には配
線701によりSRAM702の各端子と接続される複数の電極80
2が設けられている。
入出力部602は、マスク補強体801に設けられた凹部と
適合するような凸状に形成され、不図示の係止機構によ
りマスク補強体801と連結されている。
適合するような凸状に形成され、不図示の係止機構によ
りマスク補強体801と連結されている。
入出力部602の頂上部には各電極802とそれぞれ対応し
て当接するように複数の電極901が設けられており、こ
れらの各電極901と個別に接続する配線902によってマス
ク履歴記録制御部603と接続されている。
て当接するように複数の電極901が設けられており、こ
れらの各電極901と個別に接続する配線902によってマス
ク履歴記録制御部603と接続されている。
マスク履歴記録制御部603は、上述の各配線701,902お
よび各電極802,901を介してSRAM702と接続され、SRAM70
2に記憶されている内容の読み出し、書換えを行なうこ
とが可能とされている。
よび各電極802,901を介してSRAM702と接続され、SRAM70
2に記憶されている内容の読み出し、書換えを行なうこ
とが可能とされている。
次に、本実施例の動作について説明する。
SRAM702は、８ビットにて構成されたアドレスを４個
収容するもので、1024ビットの記憶領域を有している。
マスク履歴記録制御部603は、蓄積被爆量の許容値をＰ
とし、該許容値Ｐを1024で割った商ｂを１ビット相当被
爆量として認識しており、露光が行なわれる際にはSRAM
7023に記録されているビット数Ｂを読み出す。続いて、
読み出したビット数Ｂに上述の１ビット相当被爆量ｂを
掛けることにより前回までの露光による蓄積被爆量を算
出する。次に、第１の実施例と同様にＸ線検出器604お
よび露光演算部605によって得られる今回の露光量を蓄
積被爆量に加算し、これを許容値Ｐと比較する。蓄積被
爆量が許容値Ｐよりも低いものである場合には、蓄積被
爆量を１ビット相当被爆量ｂで割った商をSRAM702に記
憶させ、その旨を表示部606に表示させる。蓄積被爆量
が許容値Ｐを上回るものである場合には、その旨を表示
部606に表示させる。この後、マスク601が交換されると
SRAM702の記憶内容を０とする。
収容するもので、1024ビットの記憶領域を有している。
マスク履歴記録制御部603は、蓄積被爆量の許容値をＰ
とし、該許容値Ｐを1024で割った商ｂを１ビット相当被
爆量として認識しており、露光が行なわれる際にはSRAM
7023に記録されているビット数Ｂを読み出す。続いて、
読み出したビット数Ｂに上述の１ビット相当被爆量ｂを
掛けることにより前回までの露光による蓄積被爆量を算
出する。次に、第１の実施例と同様にＸ線検出器604お
よび露光演算部605によって得られる今回の露光量を蓄
積被爆量に加算し、これを許容値Ｐと比較する。蓄積被
爆量が許容値Ｐよりも低いものである場合には、蓄積被
爆量を１ビット相当被爆量ｂで割った商をSRAM702に記
憶させ、その旨を表示部606に表示させる。蓄積被爆量
が許容値Ｐを上回るものである場合には、その旨を表示
部606に表示させる。この後、マスク601が交換されると
SRAM702の記憶内容を０とする。
上記のように、本実施例においてはマスク601内に記
憶手段が組込まれるため、マスクにIDを付与すること
や、該IDを読み取るための装置が不用となり、構成を簡
略化することができる。
憶手段が組込まれるため、マスクにIDを付与すること
や、該IDを読み取るための装置が不用となり、構成を簡
略化することができる。
なお、第２の実施例は蓄積被爆量を表示するものと
し、第３の実施例は蓄積被爆量を許容値と比較した結果
を表示するものとして説明したが、これらは第１の実施
例と同様にマスク交換手段と組合わせてマスクを自動交
換するように構成しても当然よい。
し、第３の実施例は蓄積被爆量を許容値と比較した結果
を表示するものとして説明したが、これらは第１の実施
例と同様にマスク交換手段と組合わせてマスクを自動交
換するように構成しても当然よい。
本発明は以上説明したように構成されているので、以
下に記載するような効果を奏する。
下に記載するような効果を奏する。
請求項１に記載のものにおいては、各マスク毎の蓄積
被爆量を正確に把握することができるため、常に適正な
露光を行なうことができ、大きな損失が生じることを防
止することができる効果がある。
被爆量を正確に把握することができるため、常に適正な
露光を行なうことができ、大きな損失が生じることを防
止することができる効果がある。
請求項２に記載のものにおいては、上記効果に加えて
構成を簡略化することができる効果がある。
構成を簡略化することができる効果がある。
請求項３に記載のものにおいては、上記各効果に加え
てマスクの交換を行なうかどうかの判断を容易とするこ
とができる効果がある。
てマスクの交換を行なうかどうかの判断を容易とするこ
とができる効果がある。
請求項４に記載のものにおいては、上記各効果に加え
てマスク交換が始動で行なわれるため、利用者の負担を
軽減することができる効果がある。
てマスク交換が始動で行なわれるため、利用者の負担を
軽減することができる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の要部構成を示す概略断
面図、第２図は第１図中のマスク105の構成を示す側面
図、第３図は第１図中の蓄積被爆量検出手段108の構成
を示すブロック図、第４図は第３図中の記憶装置305の
構成を示すブロック図、第５図は第１の実施例をマスク
交換を自動で行なうように応用したものの動作を示すフ
ローチャート、第６図は本発明の第３の実施例の要部構
成を示すブロック図、第７図は第６図中のマスク601内
に収容される電子回路の構成を示すブロック図、第８図
および第９図はそれぞれ第６図中のマスク601および入
出力部602の構成を示す斜視図である。 101……放射線、102……ミラー、 103……露光チャンバー、104……窓、 105,601……マスク、106……ウエハ、 107……ウエハステージ、 108……蓄積被爆量検出手段、 201……マスク吸収材、202……マスク支持膜、 203……マスク保持体、 204,801……マスク補強体、 205……マスクID、 301……マスクID読み込み機、 302,603……マスク履歴記録制御部、 303,604……Ｘ線検出器、 304,605……露光装置演算部、 305……記憶装置、306,606……表示部、 401……磁気記録ヘッド、 402……磁気記録媒体、 403……再生磁気ヘッド、 404……記憶装置制御部、602……入出力部、 701,902……配線、702……SRAM、 703……電源、802,901……電極。
面図、第２図は第１図中のマスク105の構成を示す側面
図、第３図は第１図中の蓄積被爆量検出手段108の構成
を示すブロック図、第４図は第３図中の記憶装置305の
構成を示すブロック図、第５図は第１の実施例をマスク
交換を自動で行なうように応用したものの動作を示すフ
ローチャート、第６図は本発明の第３の実施例の要部構
成を示すブロック図、第７図は第６図中のマスク601内
に収容される電子回路の構成を示すブロック図、第８図
および第９図はそれぞれ第６図中のマスク601および入
出力部602の構成を示す斜視図である。 101……放射線、102……ミラー、 103……露光チャンバー、104……窓、 105,601……マスク、106……ウエハ、 107……ウエハステージ、 108……蓄積被爆量検出手段、 201……マスク吸収材、202……マスク支持膜、 203……マスク保持体、 204,801……マスク補強体、 205……マスクID、 301……マスクID読み込み機、 302,603……マスク履歴記録制御部、 303,604……Ｘ線検出器、 304,605……露光装置演算部、 305……記憶装置、306,606……表示部、 401……磁気記録ヘッド、 402……磁気記録媒体、 403……再生磁気ヘッド、 404……記憶装置制御部、602……入出力部、 701,902……配線、702……SRAM、 703……電源、802,901……電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】露光光として放射光が用いられるＸ線露光
装置において、 表示部と、 露光時にマスクに吸収される露光量を各露光毎に検出す
る検出手段と、 各マスク毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段と、 各マスクが露光される際に、当該マスクに対して前記記
憶手段に記憶されている蓄積被爆量を前記検出手段にて
検出された露光量が加算されたものとし、これを前記表
示部に表示させる制御装置とを有することを特徴とする
Ｘ線露光装置。 - 【請求項２】請求項１記載の露光装置において、 各マスク毎に記憶手段がそれぞれ設けられているＸ線露
光装置。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載のＸ線露光
装置において、 制御装置は、露光量が加算された蓄積被爆量と予め定め
られている許容値とを比較し、該比較結果を表示部に表
示させるＸ線露光装置。 - 【請求項４】請求項３に記載のＸ線露光装置について、 マスク交換手段を備え、 制御装置は、露光量が加算された蓄積被爆量が予め定め
られている許容値を超えるものであるときに、前記マス
ク交換手段によりマスクを交換させるＸ線露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129240A JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Ｘ線露光装置 |
| EP91304452A EP0458539B1 (en) | 1990-05-21 | 1991-05-17 | X-ray exposure apparatus and a mask usable therewithin |
| DE69115756T DE69115756T2 (de) | 1990-05-21 | 1991-05-17 | Röntgenbelichtungsvorrichtung und eine darin verwendbare Maske |
| US08/022,407 US5323440A (en) | 1990-05-21 | 1993-02-24 | X-ray lithography apparatus including a dose detectable mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129240A JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425106A JPH0425106A (ja) | 1992-01-28 |
| JP2958913B2 true JP2958913B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=15004659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2129240A Expired - Fee Related JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5323440A (ja) |
| EP (1) | EP0458539B1 (ja) |
| JP (1) | JP2958913B2 (ja) |
| DE (1) | DE69115756T2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
| JP3666951B2 (ja) | 1995-10-06 | 2005-06-29 | キヤノン株式会社 | マーク検出方法、これを用いた位置合わせ方法、露光方法及び装置、ならびにデバイス生産方法 |
| US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
| JP3814359B2 (ja) | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | Ｘ線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3728015B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US6268228B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Electrical mask identification of memory modules |
| JP3873696B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2007-01-24 | 株式会社日立製作所 | 電力半導体モジュール及び電力変換装置 |
| DE10352639B4 (de) * | 2003-11-11 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur dynamischen Kontrolle eines Reticles |
| KR20050063439A (ko) | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 삼성전자주식회사 | 레티클 관리 방법 및 시스템 |
| JP2011040460A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0121412B1 (en) * | 1983-03-29 | 1991-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming by projection an integrated circuit pattern on a semiconductor wafer |
| JPS60201626A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
| JPH0666241B2 (ja) * | 1985-10-14 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | 位置検出方法 |
| JPH0820518B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1996-03-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US4804978A (en) * | 1988-02-19 | 1989-02-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Exposure control system for full field photolithography using pulsed sources |
| JPH0276212A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 多重露光方法 |
| US5112724A (en) * | 1989-11-30 | 1992-05-12 | Texas Instruments Incorporated | Lithographic method |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2129240A patent/JP2958913B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-17 EP EP91304452A patent/EP0458539B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-17 DE DE69115756T patent/DE69115756T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-24 US US08/022,407 patent/US5323440A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69115756D1 (de) | 1996-02-08 |
| EP0458539A2 (en) | 1991-11-27 |
| JPH0425106A (ja) | 1992-01-28 |
| EP0458539B1 (en) | 1995-12-27 |
| EP0458539A3 (en) | 1992-06-03 |
| DE69115756T2 (de) | 1996-05-15 |
| US5323440A (en) | 1994-06-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |