JPH0425106A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH0425106A JPH0425106A JP2129240A JP12924090A JPH0425106A JP H0425106 A JPH0425106 A JP H0425106A JP 2129240 A JP2129240 A JP 2129240A JP 12924090 A JP12924090 A JP 12924090A JP H0425106 A JPH0425106 A JP H0425106A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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-
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣ，ＬＳＩ等を製造するだめの露光装置に関
し、特に露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置
に関する。
し、特に露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置
に関する。
露光装置に用いられる露光用光源としては、可視光およ
び紫外線を発生するものが数多く用いられている。これ
らの光源を用いた露光においてはマスクにダメージを与
えることがほとんどない。
び紫外線を発生するものが数多く用いられている。これ
らの光源を用いた露光においてはマスクにダメージを与
えることがほとんどない。
しかし、ごく微細なパターンを露光するために近年提案
されたシンクロトロン放射光を光源とした露光によって
は、マスクの特性が変化することが、 Ｗ、八、Ｊｏｈ
ｎｓｏｎ、 Ｒ，八、１．ｅｖｙ、 Ｄ、Ｊ、Ｒｅ
５ｎｉｃｋ、Ｔ、Ｅ。
されたシンクロトロン放射光を光源とした露光によって
は、マスクの特性が変化することが、 Ｗ、八、Ｊｏｈ
ｎｓｏｎ、 Ｒ，八、１．ｅｖｙ、 Ｄ、Ｊ、Ｒｅ
５ｎｉｃｋ、Ｔ、Ｅ。
５ａｕｎｄＣｒｓ、 八、Ｗ、Ｙａｎｏｆ、Ｉｌ、Ｂ
ｅｔｚ、！１．ＩＩｕｎｂｃｒ、ａｎｄ、０ｅｒｔｅｌ
、 ”１１ａｄｉａＬｉｏｎ ｄａｍａｇｅ ｅｆｆ
ｅｃｔ、ｓ １ｎｂｏｒｏｎ ｎＮ、ｒｉｄｅ ｍａｓ
ｋ ｍｅｍｂｒｅｎｅｓ ５ｕｂｊｅｃｔｅｄ ｔ。
ｅｔｚ、！１．ＩＩｕｎｂｃｒ、ａｎｄ、０ｅｒｔｅｌ
、 ”１１ａｄｉａＬｉｏｎ ｄａｍａｇｅ ｅｆｆ
ｅｃｔ、ｓ １ｎｂｏｒｏｎ ｎＮ、ｒｉｄｅ ｍａｓ
ｋ ｍｅｍｂｒｅｎｅｓ ５ｕｂｊｅｃｔｅｄ ｔ。
Ｘ−ｒａｙｅＸｐＯ３ＬＩｒｅｓ 、ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ｖａｃｕｕｍｓｃｉｅｎｃｅ ＆ ｌｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ、 ｖｏｌ、５． Ｎｏ、 Ｉ、
、１ａｎ／Ｆｅｂ １９８７等によって指摘されてい
る。
ｌ ｏｆ ｖａｃｕｕｍｓｃｉｅｎｃｅ ＆ ｌｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ、 ｖｏｌ、５． Ｎｏ、 Ｉ、
、１ａｎ／Ｆｅｂ １９８７等によって指摘されてい
る。
したがって、許容被爆量を超えたマスクは交換する必要
があり、この交換の時期を適切に把握するためには、個
々のマスクの被爆量を正確に把握しておく必要があるが
、従来の露光装置にはこの種の機能は設けられていなか
った。
があり、この交換の時期を適切に把握するためには、個
々のマスクの被爆量を正確に把握しておく必要があるが
、従来の露光装置にはこの種の機能は設けられていなか
った。
上述した従来の露光装置は個々のマスクの被爆量を把握
する機能か設けられていなかフたため、露光中にマスク
の被爆量が許容被爆量を超えてしまい、正常な露光が行
なわれない危険性が生じてしまうという問題点がある。
する機能か設けられていなかフたため、露光中にマスク
の被爆量が許容被爆量を超えてしまい、正常な露光が行
なわれない危険性が生じてしまうという問題点がある。
また、−］二記のような放射光により製造がなされるＩ
Ｃ，ＬＳＩ等は士数回の露光プロセスを重ねて行なって
製造されるものが多く、また、その露光時間も厳密に制
限する必要があるため、正常な露光が行なわれない場合
にはそれまでの製造プロセスがすべて無駄なものになっ
てしまい、大きな損失が生じてしまうという問題点もあ
る。
Ｃ，ＬＳＩ等は士数回の露光プロセスを重ねて行なって
製造されるものが多く、また、その露光時間も厳密に制
限する必要があるため、正常な露光が行なわれない場合
にはそれまでの製造プロセスがすべて無駄なものになっ
てしまい、大きな損失が生じてしまうという問題点もあ
る。
本発明は上記従来技術が有する欠点に鑑みてなされたも
のであって、個々のマスクの被爆量を正確に把握するこ
とのできる露光装置を実現することを目的とする。
のであって、個々のマスクの被爆量を正確に把握するこ
とのできる露光装置を実現することを目的とする。
本発明のＸ線露光装置は、
露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置において
、 表示部と、 露光時にマスクに吸収される露光量を各露光毎に検出す
る検出手段と、 各マスク毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段と、 各マスクが露光される際に、当該マスクに対して前記記
憶手段に記憶されている蓄積被爆量を前記検出手段にて
検出された露光量が加算されたものとし、これを前記表
示部に表示させる制御装置とを有する。
、 表示部と、 露光時にマスクに吸収される露光量を各露光毎に検出す
る検出手段と、 各マスク毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段と、 各マスクが露光される際に、当該マスクに対して前記記
憶手段に記憶されている蓄積被爆量を前記検出手段にて
検出された露光量が加算されたものとし、これを前記表
示部に表示させる制御装置とを有する。
この場合、各マスク毎に記憶手段をそれぞれ設けてもよ
く、 また、制御装置が、露光量が加算された蓄積被爆量と予
め定められている許容値とを比較し、該比較結果を表示
部に表示させるものであってもよい。
く、 また、制御装置が、露光量が加算された蓄積被爆量と予
め定められている許容値とを比較し、該比較結果を表示
部に表示させるものであってもよい。
さらに、マスク交換手段を設け、制御装置が、露光量が
加算された蓄積被爆量が予め定められている許容値を超
えるものであるときに、前記マスク交換手段によりマス
クを交換させるものであってもよい。
加算された蓄積被爆量が予め定められている許容値を超
えるものであるときに、前記マスク交換手段によりマス
クを交換させるものであってもよい。
マスクを露光する際には、該露光におけるマスクの露光
１’ｊｌ：か検出１段により検出され、該露光はを記憶
手段に記憶されている当該マスクの蓄積被爆量に加算し
たものが表示部に表示されるので、個々のマスクの被爆
量を正確に把握することができる。
１’ｊｌ：か検出１段により検出され、該露光はを記憶
手段に記憶されている当該マスクの蓄積被爆量に加算し
たものが表示部に表示されるので、個々のマスクの被爆
量を正確に把握することができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の要部の装置構成を示す概略断面図であ
る。
る。
シンクロトロン等の光源装置より出射される放射光１０
１は、大きな曲率半径のミラー１０２により回折されて
拡大され、露光チャンバ１０３に設けられた窓１０４お
よびマスク１０５を介して、ウェハステージ１０７上に
装着されたウェハ１０６を露光する。マスク１０５の蓄
積被爆量はマスク１０５の周縁部近傍に配設された蓄積
被爆量検出手段１０８により検出される。
１は、大きな曲率半径のミラー１０２により回折されて
拡大され、露光チャンバ１０３に設けられた窓１０４お
よびマスク１０５を介して、ウェハステージ１０７上に
装着されたウェハ１０６を露光する。マスク１０５の蓄
積被爆量はマスク１０５の周縁部近傍に配設された蓄積
被爆量検出手段１０８により検出される。
第２図は第１図中のマスク１０５の構成を示す側面図で
ある。
ある。
マスク保持体２０３上に載置されるマスク支持＋１！２
２０２上には、マスク吸収材２０１によるマスクパター
ンが描かれている。マスク保持体２０３はマスク補強体
２０４上に取付けられており、該マスク補強体２０４の
側面にはマスク１０５の認識番号を示ずマスクＩＤ２０
５がバーコード等のパターン情報の形式で書込まれてい
る。
２０２上には、マスク吸収材２０１によるマスクパター
ンが描かれている。マスク保持体２０３はマスク補強体
２０４上に取付けられており、該マスク補強体２０４の
側面にはマスク１０５の認識番号を示ずマスクＩＤ２０
５がバーコード等のパターン情報の形式で書込まれてい
る。
第３図は蓄積被爆量検出手段１０８の構成を示すブロッ
ク図であり、第４図は第３図中の記憶装置３０５の構成
を示すブロック図である。
ク図であり、第４図は第３図中の記憶装置３０５の構成
を示すブロック図である。
蓄積被爆量検出手段１０８は、マスク１０５に書込まれ
ているマスクＩＤ２０５を読み込むためのマスクＩＤ読
込み機３０１、露光光のＸ線の強度を検出する検出手段
であるＸ線検出器３０３、該Ｘ線検出器３０３の検出結
果に基いてマスク１０５の蓄積被爆量を算出する露光装
置演算部３０４、各マスク１０５毎の蓄積被爆量を記憶
する記憶手段である記憶装置３０５、各マスク１０５の
蓄積被爆量を表示する表示部３０６およびこれらの各装
置の出力を人力し、もしくはその動作を制御するととも
に露光装置の各動作を確認する制御装置であるマスク履
歴記録制御部３０２より構成されている。
ているマスクＩＤ２０５を読み込むためのマスクＩＤ読
込み機３０１、露光光のＸ線の強度を検出する検出手段
であるＸ線検出器３０３、該Ｘ線検出器３０３の検出結
果に基いてマスク１０５の蓄積被爆量を算出する露光装
置演算部３０４、各マスク１０５毎の蓄積被爆量を記憶
する記憶手段である記憶装置３０５、各マスク１０５の
蓄積被爆量を表示する表示部３０６およびこれらの各装
置の出力を人力し、もしくはその動作を制御するととも
に露光装置の各動作を確認する制御装置であるマスク履
歴記録制御部３０２より構成されている。
本実施例におけるマスク１０５の被爆量の検出は、本件
出願人による特願平］−１８６０８０号の明細書に記載
された方法により行われるものである。本実施例の露光
時の動作について以下に説明する。
出願人による特願平］−１８６０８０号の明細書に記載
された方法により行われるものである。本実施例の露光
時の動作について以下に説明する。
マスク１０５が露光チャンバ１０３内に設置されると、
該マスク１０５固有のマスクＩＤ２０５がマスクＩＤ読
込み機３０１によって読み込まれ、マスク履歴記録制御
部３０２はマスクＩＤ２０５を認識するとともに該マス
クＩＤ２０５に対して記憶装置３０５が記憶する蓄積被
爆量を読出す。この状態から露光が行なわれると各露光
毎の被爆量の検出が行なわれる。Ｘ線検出器３０３はマ
スク１０５が設置される以前のマスク１０５透過前のＸ
線強度とマスク１０５が設置された後のマスク１０５透
過後のＸ線強度とをそれぞれ検出して露光演算部３０４
へ出力する。
該マスク１０５固有のマスクＩＤ２０５がマスクＩＤ読
込み機３０１によって読み込まれ、マスク履歴記録制御
部３０２はマスクＩＤ２０５を認識するとともに該マス
クＩＤ２０５に対して記憶装置３０５が記憶する蓄積被
爆量を読出す。この状態から露光が行なわれると各露光
毎の被爆量の検出が行なわれる。Ｘ線検出器３０３はマ
スク１０５が設置される以前のマスク１０５透過前のＸ
線強度とマスク１０５が設置された後のマスク１０５透
過後のＸ線強度とをそれぞれ検出して露光演算部３０４
へ出力する。
マスク１０５にとってｉ回目の露光について考えてみる
。
。
マスク１０５透過前のＸ線強度をｌ１ｅＯ、マスク１０
５透過後のＸ線強度をｌ１ｅｌとすると、この露光にて
マスク１０５で吸収されたＸ線強度Ｉｉはｌ１ｅＯ−Ｉ
ｉｅｌとなる。露光装置演算部３０４は、このＸ線強度
Ｉｉを算出し、マスク履歴記録制御部３０２へ出力する
。マスク履歴露光制御部３０２は、このＸ線強度Ｉｉと
ｉ回目の露光時間Ｔｉとからｉ回目の露光量Ｄｉ（ｘｉ
ｘＴｉ）を算出し、これをそれまで（ｉ−ｉ回目）の蓄
積被爆量に加えてマスク１０５の蓄積被爆Ｈｚを求め、
続いて、記憶装置３０５にマスクＩＤ２０５および蓄積
被爆量Ｚを蓄積被曝量書換え指示とともに出力し、表示
部３０６にはマスクＩＤ２０５および蓄積被爆量Ｚを出
力する。これにより記憶装置３０５においてはマスクＩ
Ｄ２０５に対して記憶されている蓄積被爆量をＺに書換
えることが行なわれ、表示部３０６においては、マスク
ＩＤ２０５を示す認識番号と蓄積被爆量Ｚが表示される
。
５透過後のＸ線強度をｌ１ｅｌとすると、この露光にて
マスク１０５で吸収されたＸ線強度Ｉｉはｌ１ｅＯ−Ｉ
ｉｅｌとなる。露光装置演算部３０４は、このＸ線強度
Ｉｉを算出し、マスク履歴記録制御部３０２へ出力する
。マスク履歴露光制御部３０２は、このＸ線強度Ｉｉと
ｉ回目の露光時間Ｔｉとからｉ回目の露光量Ｄｉ（ｘｉ
ｘＴｉ）を算出し、これをそれまで（ｉ−ｉ回目）の蓄
積被爆量に加えてマスク１０５の蓄積被爆Ｈｚを求め、
続いて、記憶装置３０５にマスクＩＤ２０５および蓄積
被爆量Ｚを蓄積被曝量書換え指示とともに出力し、表示
部３０６にはマスクＩＤ２０５および蓄積被爆量Ｚを出
力する。これにより記憶装置３０５においてはマスクＩ
Ｄ２０５に対して記憶されている蓄積被爆量をＺに書換
えることが行なわれ、表示部３０６においては、マスク
ＩＤ２０５を示す認識番号と蓄積被爆量Ｚが表示される
。
記憶装置３０５における再込み、読み出し動作について
第４図を参照して説明する。
第４図を参照して説明する。
記憶装置３０５は第４図に示すように磁気記録ヘッド４
０１、磁気記録媒体４０２、再生磁気ヘッド４０３およ
び書込み、読み出し動作を制御する記憶装置制御部４０
４より構成されている。
０１、磁気記録媒体４０２、再生磁気ヘッド４０３およ
び書込み、読み出し動作を制御する記憶装置制御部４０
４より構成されている。
記憶装置制御部４０４は、マスク履歴記録制御部３０２
が出力する蓄積被爆量読み出し指令およびマスクＩＤ２
０５が入力されると、該マスクＩＤ２０５に対して磁気
記録媒体４０２に記録されているそれまでの蓄積被爆量
を再生磁気ヘッド４０３を介して読み出してマスク履歴
記録制御部３０２へ出力する。また、マスク履歴記録制
御部３０２が出力する蓄積被曝量書換え指令とともにマ
スクＩＤ２０５および蓄積被爆量Ｚが人力された場合に
はマスクＩＤ２０５に対して磁気記録媒体４０２に記録
されている蓄積被爆量を記録磁気ヘッド４０１を介して
Ｚに書換える。
が出力する蓄積被爆量読み出し指令およびマスクＩＤ２
０５が入力されると、該マスクＩＤ２０５に対して磁気
記録媒体４０２に記録されているそれまでの蓄積被爆量
を再生磁気ヘッド４０３を介して読み出してマスク履歴
記録制御部３０２へ出力する。また、マスク履歴記録制
御部３０２が出力する蓄積被曝量書換え指令とともにマ
スクＩＤ２０５および蓄積被爆量Ｚが人力された場合に
はマスクＩＤ２０５に対して磁気記録媒体４０２に記録
されている蓄積被爆量を記録磁気ヘッド４０１を介して
Ｚに書換える。
表示部３０６にはマスク１０５の蓄積被爆量Ｚがマスク
ＩＤ２０５とともに表示されるため、利用者はマスクの
交換時期を正確に把握することができる。また、このマ
スク交換を蓄積被爆量に応じて自動的に行なうものとし
てもよい。
ＩＤ２０５とともに表示されるため、利用者はマスクの
交換時期を正確に把握することができる。また、このマ
スク交換を蓄積被爆量に応じて自動的に行なうものとし
てもよい。
第５図はマスク交換を自動で行なうように構成したとき
の動作を示すフローチャートである。
の動作を示すフローチャートである。
マスク１０５が設置されるとマスクＩＤ２０５が読み込
まれた後に（ステップＳ１）、露光が行なわれる（ステ
ップＳ２）。次に、マスク１０５の蓄積被爆量Ｚを計算
しくステップＳ３）、記憶装置３０５に記憶されている
マスクＩＤ２０５の蓄積被爆量をＺに書換える（ステッ
プＳ４）。続いてマスク履歴記録制御部３０２は該蓄積
被爆量Ｚが予め定められている許容値以下かどうかを判
断しくステップＳ５）、許容値を超えていない場合には
次のシーケンス動作（露光動作やステップ移動動作等）
に移行させ（ステップＳ７）、許容値を超えている場合
には不図示のマスク交換手段によりマスク１０５を新し
いものと交換した後に（ステップＳ６）、次のシーケン
ス動作へ移行させる。
まれた後に（ステップＳ１）、露光が行なわれる（ステ
ップＳ２）。次に、マスク１０５の蓄積被爆量Ｚを計算
しくステップＳ３）、記憶装置３０５に記憶されている
マスクＩＤ２０５の蓄積被爆量をＺに書換える（ステッ
プＳ４）。続いてマスク履歴記録制御部３０２は該蓄積
被爆量Ｚが予め定められている許容値以下かどうかを判
断しくステップＳ５）、許容値を超えていない場合には
次のシーケンス動作（露光動作やステップ移動動作等）
に移行させ（ステップＳ７）、許容値を超えている場合
には不図示のマスク交換手段によりマスク１０５を新し
いものと交換した後に（ステップＳ６）、次のシーケン
ス動作へ移行させる。
次に、本発明の第２の実施例について説明す１す
る。
本実施例の構成は第３図に示したブロック図のうちのＸ
線検出器３０３を省き、露光装置演算部３０４、マスク
履歴記録制御部３０２および記憶装置３０５の内部構成
のみを備えたものであるので、第２図および第３図を参
照し、同一符合を用いて説明する。
線検出器３０３を省き、露光装置演算部３０４、マスク
履歴記録制御部３０２および記憶装置３０５の内部構成
のみを備えたものであるので、第２図および第３図を参
照し、同一符合を用いて説明する。
第１の実施例においては、マスク１０５に吸収されるＸ
線量をＸ線検出器３０３にて検出されるＸ線の強度変化
から算出するものとしたが、本実施例のものにおいては
、放射線１０１のＸ線強度の波長特性Ｉ（λ）とマスク
１０５を構成するマスク吸収材２０１およびマスク支持
膜２０２の材質からＸ線量を算出するものである。
線量をＸ線検出器３０３にて検出されるＸ線の強度変化
から算出するものとしたが、本実施例のものにおいては
、放射線１０１のＸ線強度の波長特性Ｉ（λ）とマスク
１０５を構成するマスク吸収材２０１およびマスク支持
膜２０２の材質からＸ線量を算出するものである。
マスク１０５を構成するマスク吸収材２０１およびマス
ク支持膜２０２のそれぞれの材質をｋｌ、に２とし、ま
た各膜厚をｄｉ、ｄ２とする。さらに第３図のＡ−Ａ’
平面における断面なｘｙ平面とし、該ｘｙ平面でマスク
吸収材２０１が存在すれば１とし、存在しなければ０を
与える関数Ｓ （ｘ、ｙ）を求める。各材質ｋｌ、に２
のＸ線吸収率の波長特性をそれぞれμｋｌ（λ）。
ク支持膜２０２のそれぞれの材質をｋｌ、に２とし、ま
た各膜厚をｄｉ、ｄ２とする。さらに第３図のＡ−Ａ’
平面における断面なｘｙ平面とし、該ｘｙ平面でマスク
吸収材２０１が存在すれば１とし、存在しなければ０を
与える関数Ｓ （ｘ、ｙ）を求める。各材質ｋｌ、に２
のＸ線吸収率の波長特性をそれぞれμｋｌ（λ）。
μに２（λ）とし、露光時間Ｔとすると、該露光時間Ｔ
の間にマスク１０５にて吸収されるＸ線強度１ｉは下記
の式にて計算される。
の間にマスク１０５にて吸収されるＸ線強度１ｉは下記
の式にて計算される。
（＋−ｃ−ｐｋ”＾）Ｓ（ｘ、ｙ）ｄｌ）（１−ｅ−ｐ
”’（入”２）ｄ人ｄｘｄｙｄＬ本実施例のマスク履歴
記録制御部３０２はＬ記のＸ線強度の波長特性Ｉ（λ）
を内蔵するメモリ内に記憶し、記憶装置３０５は各材質
ｋｌ。
”’（入”２）ｄ人ｄｘｄｙｄＬ本実施例のマスク履歴
記録制御部３０２はＬ記のＸ線強度の波長特性Ｉ（λ）
を内蔵するメモリ内に記憶し、記憶装置３０５は各材質
ｋｌ。
ｋ２、各膜厚ｄｉ、ｄ２、関数ｓ （ｘ、ｙ）と種々な
材質のＸ線吸収率の波長特性μｋ（λ）のデータをテー
ブルとして磁気記録媒体４０２（第４図参照）にＪ８録
している。
材質のＸ線吸収率の波長特性μｋ（λ）のデータをテー
ブルとして磁気記録媒体４０２（第４図参照）にＪ８録
している。
マスク露光履歴記録制御部３０２は、露光装置演算部３
０４に上記の各記憶内容および露光時間Ｔｉより露光１
１ｉＤｉ （−１１ｘＴｉ）を計算させ、ざらにΣＤｉ
（ｎは現在までのマスク２０５についての露光回数）
を計算させて蓄積被爆ｉＺを得る。続いてマスク履歴記
録制御部３０２は該蓄積被爆量ＺおよびマスクＩＤ２０
５を記憶装置３０５、表示部３０６へ送出し、記憶装置
３０５の記憶内容を書換えさせ、表示部３０６に表示を
行なわせる。
０４に上記の各記憶内容および露光時間Ｔｉより露光１
１ｉＤｉ （−１１ｘＴｉ）を計算させ、ざらにΣＤｉ
（ｎは現在までのマスク２０５についての露光回数）
を計算させて蓄積被爆ｉＺを得る。続いてマスク履歴記
録制御部３０２は該蓄積被爆量ＺおよびマスクＩＤ２０
５を記憶装置３０５、表示部３０６へ送出し、記憶装置
３０５の記憶内容を書換えさせ、表示部３０６に表示を
行なわせる。
このように、本実施例における検出手段は、制御装置を
兼ねるマスク履歴記録制御部３０２と記憶手段を兼ねる
記憶装置３０５と露光装置演算部３０４によって構成さ
れている。
兼ねるマスク履歴記録制御部３０２と記憶手段を兼ねる
記憶装置３０５と露光装置演算部３０４によって構成さ
れている。
第６図は本発明の第３の実施例の要部構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
本実施例のマスク６０１は、第１の実施例中の記憶装置
３０５として用いられるＳＲＡＭ７０２（第７図参照）
を収容するもので、人出力部６０２を介してマスク履歴
記録制御部６０３と接続する。この他のＸ線検出器６０
４、露光装置演算部６０５および表示部６０６の構成お
よび動作はそれぞれ第３図中のＸ線検出器３０３、露光
装置演算部３０４および表示部３０６と間柱であるため
、詳細な説明は省略する。
３０５として用いられるＳＲＡＭ７０２（第７図参照）
を収容するもので、人出力部６０２を介してマスク履歴
記録制御部６０３と接続する。この他のＸ線検出器６０
４、露光装置演算部６０５および表示部６０６の構成お
よび動作はそれぞれ第３図中のＸ線検出器３０３、露光
装置演算部３０４および表示部３０６と間柱であるため
、詳細な説明は省略する。
マスク６０１内に収容されるＳＲＡＭ７０２は、第７図
に示すようにバックアップ用の電源７０３（リチウム電
池等）から電源供給を受けるもので、配線７０１を介し
て第６図に示した入出力部６０２と接続される。
に示すようにバックアップ用の電源７０３（リチウム電
池等）から電源供給を受けるもので、配線７０１を介し
て第６図に示した入出力部６０２と接続される。
第８図はマスク６０１の要部構成を示す斜視図であり、
第９図は人出力部６０２の構成を示す斜視図である。
第９図は人出力部６０２の構成を示す斜視図である。
ＳＲＡＭ７０２、電源７０３はマスク６０１を構成する
マスク補強体８０１に埋設されている。
マスク補強体８０１に埋設されている。
マスク補強体８０１には、その外周の一部に四部が設け
られており、該凹部の底面には配線７０１によりＳＲＡ
Ｍ７０２の各端子と接続される複数の電極８０２が設け
られている。
られており、該凹部の底面には配線７０１によりＳＲＡ
Ｍ７０２の各端子と接続される複数の電極８０２が設け
られている。
入出力部６０２は、マスク補強体８０１に設けられた凹
部と適合するような凸状に形成され、不図示の係止機構
によりマスク補強体８０１と連結されている。
部と適合するような凸状に形成され、不図示の係止機構
によりマスク補強体８０１と連結されている。
人出力部６０２の頂上部には各電極８０２とそれぞれ対
応して当接するように複数の電極９０１が設けられてお
り、これらの各電極９０１と個別に接続する配線９０２
によってマスク履歴記録制御部６０３と接続されている
。
応して当接するように複数の電極９０１が設けられてお
り、これらの各電極９０１と個別に接続する配線９０２
によってマスク履歴記録制御部６０３と接続されている
。
マスク履歴記録制御部６０３は、上述の各配線７０１．
９０２および各電極８０２，９０１を介してＳＲＡＭ７
０２と接続され、ＳＲＡＭ７０２に記憶されている内容
の読み出し、書換えを行なうことが可能とされている。
９０２および各電極８０２，９０１を介してＳＲＡＭ７
０２と接続され、ＳＲＡＭ７０２に記憶されている内容
の読み出し、書換えを行なうことが可能とされている。
次に、本実施例の動作について説明する。
ＳＲＡＭ７０２は、８ビツトにて構成されたアドレスを
４個収容するもので、１０２４ビツトの記憶領域を有し
ている。マスク履歴記録制御部６０３は、蓄積被爆量の
許容値をＰとし、該許容値Ｐを１０２４で割った商すを
１ビツト相当被爆量として認識しており、露光が行なわ
れる際にはＳＲＡＭ７０２に記録されているビット数Ｂ
を読み出す。続いて、読み出したビット数Ｂに上述の１
ビツト相当被爆ｆｉｂを掛けることにより面回までの露
光による蓄積被爆量を算出する。次に、第１の実施例と
同様にＸ線検出器６０４および露光演算部６０５によっ
て得られる今回の露光量を蓄積被爆量に加算し、これを
許容値Ｐと比較する。
４個収容するもので、１０２４ビツトの記憶領域を有し
ている。マスク履歴記録制御部６０３は、蓄積被爆量の
許容値をＰとし、該許容値Ｐを１０２４で割った商すを
１ビツト相当被爆量として認識しており、露光が行なわ
れる際にはＳＲＡＭ７０２に記録されているビット数Ｂ
を読み出す。続いて、読み出したビット数Ｂに上述の１
ビツト相当被爆ｆｉｂを掛けることにより面回までの露
光による蓄積被爆量を算出する。次に、第１の実施例と
同様にＸ線検出器６０４および露光演算部６０５によっ
て得られる今回の露光量を蓄積被爆量に加算し、これを
許容値Ｐと比較する。
蓄積被爆量が許容値Ｐよりも低いものである場合には、
蓄積被爆量を１ビツト相当被爆量すで割った商をＳＲＡ
Ｍ７０２に記憶させ、その旨を表示部６０６に表示させ
る。蓄積被爆量が許容値Ｐを上回るものである場合には
、その旨を表示部６０６に表示させる。この後、マスク
６０１が交換されるとＳＲＡＭ７０２の記憶内容を０と
する。
蓄積被爆量を１ビツト相当被爆量すで割った商をＳＲＡ
Ｍ７０２に記憶させ、その旨を表示部６０６に表示させ
る。蓄積被爆量が許容値Ｐを上回るものである場合には
、その旨を表示部６０６に表示させる。この後、マスク
６０１が交換されるとＳＲＡＭ７０２の記憶内容を０と
する。
上記のように、本実施例においてはマスク６０１内に記
憶手段が組込まれるため、マスクにＩＤを付与すること
や、該ＩＤを読み取るための装置が不用となり、構成を
簡略化することができる。
憶手段が組込まれるため、マスクにＩＤを付与すること
や、該ＩＤを読み取るための装置が不用となり、構成を
簡略化することができる。
なお、第２の実施例は蓄積被爆量を表示するものとし、
第３の実施例は蓄積被爆量を許容値と比較した結果を表
示するものとして説明したが、これらは第１の実施例と
同様にマスク交換手段と組合わせてマスクを自動交換す
るように構成しても当然よい。
第３の実施例は蓄積被爆量を許容値と比較した結果を表
示するものとして説明したが、これらは第１の実施例と
同様にマスク交換手段と組合わせてマスクを自動交換す
るように構成しても当然よい。
（発明の効果〕
本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載するような効果を奏する。
に記載するような効果を奏する。
請求項１に記載のものにおいては、各マスク毎の蓄積被
爆量を正確に把握することができるため、常に適正な露
光を行なうことができ、大きな損失が生じることを防止
することができる効果がある。
爆量を正確に把握することができるため、常に適正な露
光を行なうことができ、大きな損失が生じることを防止
することができる効果がある。
請求項２に記載のものにおいては、上記効果に加えて構
成を簡略化することかできる効果がある。
成を簡略化することかできる効果がある。
請求項３に記載のものにおいては、上記各効果に加えて
マスクの交換を行なうかどうかの判断を容易とすること
ができる効果がある。
マスクの交換を行なうかどうかの判断を容易とすること
ができる効果がある。
請求項４に記載のものにおいては、に記者効果に加えて
マスク交換が自動で行なわれるため、利用者の負担を軽
減することができる効果がある。
マスク交換が自動で行なわれるため、利用者の負担を軽
減することができる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の要部構成を示す概略断
面図、第２図は第１図中のマスク１０５の構成を示す側
面図、第３図は第１図中の蓄積被爆量検出手段１０８の
構成を示すブロック図、第４図は第３図中の記憶装置３
０５の構成を示すブロック図、第５図は第１の実施例を
マスク交換を自動で行なうように応用したものの動作を
示すフローヂャート、第６図は本発明の第３の実施例の
要部構成を示すブロック図、第７図は第６図中のマスク
６０１内に収容される電子回路の構成を示すブロック図
、第８図および第９図はそれぞれ第６図中のマスク６０
１および人出力部６０２の構成を示す斜視図である。 １０１・・・放射線、 １０２−・・ミラー１
０３・・・露光チャンバー １０４・・・窓、１０５．
６０１・・・マスク、１０６・・・ウェハ、１０７・・
・ウェハステージ、 １０８・・・蓄積被爆量検出手段、 ２０１・・・マスク吸収材、２０２・・・マスク支持膜
、２０３・・・マスク保持体、 ２０４．８０１・・・マスク補強体、 ２０５・・・マスクＩＤ、 ３０１・・・マスクＩＤ読み込み機、 ３０２．６０３・・・マスク履歴記録制御部、３０３．
６０４・・・Ｘ線検出器、 ３０４．６０５−・・露光装置演算部、３０５・・・記
憶装置、３０６，６０６−・・表示部、４０１・・・磁
気記録ヘッド、 ４０２・・・磁気記録媒体、 ４０３・・・再生磁気ヘッド、 ４０４・・・記憶装置制御部、６０２・・・人出力部、
７０１．９０２−・・配線、 ７０２−３ ＲＡ Ｍ
、７０３・・・電源、 ８０２，９０１・・・電極。
面図、第２図は第１図中のマスク１０５の構成を示す側
面図、第３図は第１図中の蓄積被爆量検出手段１０８の
構成を示すブロック図、第４図は第３図中の記憶装置３
０５の構成を示すブロック図、第５図は第１の実施例を
マスク交換を自動で行なうように応用したものの動作を
示すフローヂャート、第６図は本発明の第３の実施例の
要部構成を示すブロック図、第７図は第６図中のマスク
６０１内に収容される電子回路の構成を示すブロック図
、第８図および第９図はそれぞれ第６図中のマスク６０
１および人出力部６０２の構成を示す斜視図である。 １０１・・・放射線、 １０２−・・ミラー１
０３・・・露光チャンバー １０４・・・窓、１０５．
６０１・・・マスク、１０６・・・ウェハ、１０７・・
・ウェハステージ、 １０８・・・蓄積被爆量検出手段、 ２０１・・・マスク吸収材、２０２・・・マスク支持膜
、２０３・・・マスク保持体、 ２０４．８０１・・・マスク補強体、 ２０５・・・マスクＩＤ、 ３０１・・・マスクＩＤ読み込み機、 ３０２．６０３・・・マスク履歴記録制御部、３０３．
６０４・・・Ｘ線検出器、 ３０４．６０５−・・露光装置演算部、３０５・・・記
憶装置、３０６，６０６−・・表示部、４０１・・・磁
気記録ヘッド、 ４０２・・・磁気記録媒体、 ４０３・・・再生磁気ヘッド、 ４０４・・・記憶装置制御部、６０２・・・人出力部、
７０１．９０２−・・配線、 ７０２−３ ＲＡ Ｍ
、７０３・・・電源、 ８０２，９０１・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光光として放射光が用いられるＸ線露光装置にお
いて、 表示部と、 露光時にマスクに吸収される露光量を各露光毎に検出す
る検出手段と、 各マスク毎の蓄積被爆量を記憶する記憶手段と、 各マスクが露光される際に、当該マスクに対して前記記
憶手段に記憶されている蓄積被爆量を前記検出手段にて
検出された露光量が加算されたものとし、これを前記表
示部に表示させる制御装置とを有することを特徴とする
Ｘ線露光装置。 ２、請求項１記載の露光装置において、 各マスク毎に記憶手段がそれぞれ設けられているＸ線露
光装置。 ３、請求項１または請求項２に記載のＸ線露光装置にお
いて、 制御装置は、露光量が加算された蓄積被爆量と予め定め
られている許容値とを比較し、該比較結果を表示部に表
示させるＸ線露光装置。 ４、請求項３に記載のＸ線露光装置について、マスク交
換手段を備え、 制御装置は、露光量が加算された蓄積被爆量が予め定め
られている許容値を超えるものであるときに、前記マス
ク交換手段によりマスクを交換させるＸ線露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129240A JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Ｘ線露光装置 |
| EP91304452A EP0458539B1 (en) | 1990-05-21 | 1991-05-17 | X-ray exposure apparatus and a mask usable therewithin |
| DE69115756T DE69115756T2 (de) | 1990-05-21 | 1991-05-17 | Röntgenbelichtungsvorrichtung und eine darin verwendbare Maske |
| US08/022,407 US5323440A (en) | 1990-05-21 | 1993-02-24 | X-ray lithography apparatus including a dose detectable mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129240A JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425106A true JPH0425106A (ja) | 1992-01-28 |
| JP2958913B2 JP2958913B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=15004659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2129240A Expired - Fee Related JP2958913B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5323440A (ja) |
| EP (1) | EP0458539B1 (ja) |
| JP (1) | JP2958913B2 (ja) |
| DE (1) | DE69115756T2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
| JP3666951B2 (ja) | 1995-10-06 | 2005-06-29 | キヤノン株式会社 | マーク検出方法、これを用いた位置合わせ方法、露光方法及び装置、ならびにデバイス生産方法 |
| US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
| JP3814359B2 (ja) | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | Ｘ線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3728015B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US6268228B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Electrical mask identification of memory modules |
| JP3873696B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2007-01-24 | 株式会社日立製作所 | 電力半導体モジュール及び電力変換装置 |
| DE10352639B4 (de) * | 2003-11-11 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur dynamischen Kontrolle eines Reticles |
| KR20050063439A (ko) | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 삼성전자주식회사 | 레티클 관리 방법 및 시스템 |
| JP2011040460A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0121412B1 (en) * | 1983-03-29 | 1991-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming by projection an integrated circuit pattern on a semiconductor wafer |
| JPS60201626A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
| JPH0666241B2 (ja) * | 1985-10-14 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | 位置検出方法 |
| JPH0820518B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1996-03-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US4804978A (en) * | 1988-02-19 | 1989-02-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Exposure control system for full field photolithography using pulsed sources |
| JPH0276212A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 多重露光方法 |
| US5112724A (en) * | 1989-11-30 | 1992-05-12 | Texas Instruments Incorporated | Lithographic method |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2129240A patent/JP2958913B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-17 EP EP91304452A patent/EP0458539B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-17 DE DE69115756T patent/DE69115756T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-24 US US08/022,407 patent/US5323440A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69115756D1 (de) | 1996-02-08 |
| EP0458539A2 (en) | 1991-11-27 |
| JP2958913B2 (ja) | 1999-10-06 |
| EP0458539B1 (en) | 1995-12-27 |
| EP0458539A3 (en) | 1992-06-03 |
| DE69115756T2 (de) | 1996-05-15 |
| US5323440A (en) | 1994-06-21 |
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