JP4846583B2 - リソグラフィ化学プロセスの適応温度制御システム - Google Patents
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Description
Claims (9)
- リソグラフィ基板を化学的に処理する温度制御システムであって、
前記リソグラフィ基板のCDU(限界寸法一様性)と関連した前記リソグラフィ基板の属性であって、当該基板全体のCD(限界寸法)、当該基板上の標的フィールドのCD(限界寸法)及び当該基板のプロフィール寸法形状を含む前記リソグラフィ基板の属性を測定し、その測定結果に基づいて基板属性情報を作成するよう構成される測定処理モジュールと、
前記リソグラフィ基板上にあらかじめ特定された複数のゾーンの温度を検出する複数の温度センサ要素を有するマルチゾーン温度検出ユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節する複数の温度カプラ要素を有するマルチゾーン温度調節ユニットと、
前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに作動的に且つ情報伝達可能に結合された温度コントローラユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての予想温度情報を有する電子ストレージ装置と、を有し、
前記温度コントローラユニットは、論理回路を有し、この論理回路は、前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットから情報を受け取り、情報を処理し、情報を前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達し、
前記マルチゾーン温度検出ユニットは、検出された温度情報を前記温度コントローラユニットに伝達し、
前記温度コントローラユニットは、前記検出された温度情報と前記電子ストレージ装置に記憶されている前記予想温度情報との差があらかじめ指定されたしきい値を超えたかどうかを判定し、当該しきい値を超えている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するために温度制御情報を作成し、この温度制御情報を前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達してから次の手順タスクに進む一方、当該しきい値に収まっている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するための温度制御情報を作成せずに次の手順タスクに進み、
前記温度コントローラユニットは、前記次の手順タスクのいずれにおいても、前記測定処理モジュールによって測定された前記リソグラフィ基板の属性が一様であるかどうかを判定し、その結果一様でない場合には、次のリソグラフィ基板のために、前記基板属性情報に基づいて、前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての1又は複数の前記予想温度情報を修正する、温度制御システム。 - リソグラフィ基板の化学的処理を温度制御する方法であって、
前記リソグラフィ基板上にあらかじめ特定された複数のゾーンの温度を、複数の温度センサ要素によって検出する段階と、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての予想温度情報を電子的にストアする段階と、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンの前記検出された温度と前記あらかじめ特定された複数のゾーンの前記電子的にストアされた予想温度との差があらかじめ指定されたしきい値を超えたかどうかを、温度コントローラユニットによって判定する段階と、
その判定の結果、前記しきい値を超えている場合には、前記比較があらかじめ指定されたしきい値を超えているという判定に応答して、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの前記検出される温度を調節するための温度制御情報を前記温度コントローラユニットによって作成し、且つ、この作成された前記温度制御情報に応答して、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの前記検出される温度を、複数の温度カプラ要素によって調節してから次の段階に進む段階と、
前記判定の結果、当該しきい値に収まっている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するための温度制御情報を作成せずに次の段階に進む段階と、を有し、
前記次の段階として、前記リソグラフィ基板のCDU(限界寸法一様性)と関連した前記リソグラフィ基板の属性であって、当該基板全体のCD(限界寸法)、当該基板上の標的フィールドのCD(限界寸法)及び当該基板のプロフィール寸法形状を含む前記リソグラフィ基板の属性を測定し、その測定結果に基づいて基板属性情報を作成する段階と、
測定された前記リソグラフィ基板の属性が一様であるかどうかを前記温度コントローラユニットによって判定し、その結果一様でない場合には、次のリソグラフィ基板のために、前記基板属性情報に基づいて、前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての1又は複数の前記予想温度情報を修正する段階と、を有する、方法。 - リソグラフィシステムであって、
リソグラフィ装置と、ウェーハトラック装置と、を有し、
前記リソグラフィ装置は、
放射線の投射ビームを供給する照明器と、
前記投射ビームを所望のパターンに従ってパターニングするよう構成されたパターニング装置を保持する支持体と、
基板を保持するよう構成された基板テーブルと、
前記パターニングされた投射ビームを前記基板の標的部分に当てる投射システムと、を有し、
前記ウェーハトラック装置は、
前記基板のCDU(限界寸法一様性)と関連した当該基板の属性であって、当該基板全体のCD(限界寸法)、当該基板上の標的フィールドのCD(限界寸法)及び当該基板のプロフィール寸法形状を含む前記基板の属性を測定し、その測定結果に基づいて基板属性情報を作成する測定処理モジュールと、
前記基板を化学的に処理するよう構成された少なくとも1つの処理モジュールと、
前記基板の前記化学的処理中、温度を制御する温度制御システムとを有し、
前記温度制御システムは、
前記基板上にあらかじめ特定された複数のゾーンの温度を検出する複数の温度センサ要素を有するマルチゾーン温度検出ユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節する複数の温度カプラ要素を有するマルチゾーン温度調節ユニットと、
前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに作動的に且つ情報伝達可能に結合された温度コントローラユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての予想温度情報を有する電子ストレージ装置と、を有し、
前記温度コントローラユニットは、論理回路を有し、この論理回路は、前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットから情報を受け取り、情報を処理し、情報を前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達し、
前記マルチゾーン温度検出ユニットは、検出された温度情報を前記温度コントローラユニットに伝達し、
前記温度コントローラユニットは、前記検出された温度情報と前記電子ストレージ装置に記憶されている前記予想温度情報との差があらかじめ指定されたしきい値を超えたかどうかを判定し、当該しきい値を超えている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するために温度制御情報を作成し、前記温度制御情報を前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達してから次の手順タスクに進む一方、当該しきい値に収まっている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するための温度制御情報を作成せずに次の手順タスクに進み、
前記温度コントローラユニットは、前記次の手順タスクのいずれにおいても、前記測定処理モジュールによって測定された前記基板の属性が一様であるかどうかを判定し、その結果一様でない場合には、次の基板のために、前記基板属性情報に基づいて、前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての1又は複数の前記予想温度情報を修正する、リソグラフィシステム。 - 前記少なくとも1つの処理モジュールは、前記ウェーハを現像する現像液モジュールとして構成され、この現像液モジュールは、溶液を一様に分配する塗布ノズルを有する、請求項3記載のリソグラフィシステム。
- 前記ウェーハトラック装置は、更に、前記現像された基板をもっぱらすすぎ洗いするリンスモジュールを有し、このリンスモジュールは、洗浄溶液を分配する洗浄ノズルと、前記現像された基板を受け取るスピン板と、前記現像された基板を前記スピン板にしっかりと取り付ける保持装置と、を有する請求項4記載のリソグラフィシステム。
- ウェーハトラック装置であって、
前記基板のCDU(限界寸法一様性)と関連した前記基板の属性であって、当該基板全体のCD(限界寸法)、当該基板上の標的フィールドのCD(限界寸法)及び当該基板のプロフィール寸法形状を含む前記基板の属性を測定し、その測定結果に基づいて基板属性情報を作成する測定処理モジュールと、
前記基板を化学的に処理するよう構成された少なくとも1つの処理モジュールと、
前記基板の前記化学的処理中、温度を制御する温度制御システムとを有し、
前記温度制御システムは、
前記基板上にあらかじめ特定された複数のゾーンの温度を検出する複数の温度センサ要素を有するマルチゾーン温度検出ユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節する複数の温度カプラ要素を有するマルチゾーン温度調節ユニットと、
前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに作動的に且つ情報伝達可能に結合された温度コントローラユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての予想温度情報を有する電子ストレージ装置と、を有し、
前記温度コントローラユニットは、論理回路を有し、この論理回路は、前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットから情報を受け取り、情報を処理し、情報を前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達し、
前記マルチゾーン温度検出ユニットは、検出された温度情報を前記温度コントローラユニットに伝達し、
前記温度コントローラユニットは、前記検出された温度情報と前記電子ストレージ装置に記憶されている前記予想温度情報との差があらかじめ指定されたしきい値を超えたかどうかを判定し、当該しきい値を超えている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するために温度制御情報を作成し、前記温度制御情報を前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達してから次の手順タスクに進む一方、当該しきい値に収まっている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するための温度制御情報を作成せずに次の手順タスクに進み、
前記温度コントローラユニットは、前記次の手順タスクのいずれにおいても、前記測定処理モジュールによって測定された前記基板の属性が一様であるかどうかを判定し、その結果一様でない場合には、次の基板のために、前記基板属性情報に基づいて、前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての1又は複数の前記予想温度情報を修正する、ウェーハトラック装置。 - 前記少なくとも1つの処理モジュールは、前記ウェーハを現像する現像液モジュールとして構成され、この現像液モジュールは、溶液を一様に分配する塗布ノズルを有する、請求項6記載のウェーハトラック装置。
- 前記ウェーハトラック装置は、更に、前記現像された基板をもっぱらすすぎ洗いするリンスモジュールを有し、このリンスモジュールは、洗浄溶液を分配する洗浄ノズルと、前記現像された基板を受け取るスピン板と、前記現像された基板を前記スピン板にしっかりと取り付ける保持装置と、を有する請求項7記載のウェーハトラック装置。
- リソグラフィシステムであって、
リソグラフィ装置と、ウェーハトラック装置と、を有し、
前記リソグラフィ装置は、
放射線の投射ビームを供給する照明器と、
前記投射ビームを所望のパターンに従ってパターニングするよう構成されたパターニング装置を保持する支持体と、
基板を保持するよう構成された基板テーブルと、
前記パターニングされた投射ビームを前記基板の標的部分に当てる投射システムと、を有し、
前記ウェーハトラック装置は、
前記基板のCDU(限界寸法一様性)と関連した当該基板の属性であって、当該基板全体のCD(限界寸法)、当該基板上の標的フィールドのCD(限界寸法)及び当該基板のプロフィール寸法形状を含む前記基板の属性を測定し、その測定結果に基づいて基板属性情報を作成する測定処理モジュールと、
前記基板を化学的に処理するよう構成された少なくとも1つの処理モジュールと、
前記基板の前記化学的処理中、温度を制御する温度制御システムとを有し、
前記温度制御システムは、
前記基板上にあらかじめ特定された複数のゾーンの温度を検出する複数の温度センサ要素を有するマルチゾーン温度検出ユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節する複数の温度カプラ要素を有するマルチゾーン温度調節ユニットと、
前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに作動的に且つ情報伝達可能に結合された温度コントローラユニットと、
前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての予想温度情報を有する電子ストレージ装置と、を有し、
前記温度コントローラユニットは、論理回路を有し、この論理回路は、前記測定処理モジュール、前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットから情報を受け取り、情報を処理し、情報を前記マルチゾーン温度検出ユニット及び前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達し、
前記マルチゾーン温度検出ユニットは、検出された温度情報を前記温度コントローラユニットに伝達し、
前記温度コントローラユニットは、前記検出された温度情報と前記電子ストレージ装置に記憶されている前記予想温度情報との差があらかじめ指定されたしきい値を超えたかどうかを判定し、当該しきい値を超えている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するために温度制御情報を作成し、前記温度制御情報を前記マルチゾーン温度調節ユニットに伝達してから次の手順タスクに進む一方、当該しきい値に収まっている場合には、前記あらかじめ特定された複数のゾーンの温度を調節するための温度制御情報を作成せずに次の手順タスクに進むものであり、
前記温度コントローラユニットは、前記次の手順タスクのいずれにおいても、前記測定処理モジュールによって測定された前記基板の属性が一様であるかどうかを判定し、その結果一様でない場合には、次の基板のために、前記基板属性情報に基づいて、前記あらかじめ特定された複数のゾーンについての1又は複数の前記予想温度情報を修正し、
前記少なくとも1つの処理モジュールは、前記ウェーハを現像する現像液モジュールとして構成され、この現像液モジュールは、溶液を一様に分配する塗布ノズルを有し、
前記ウェーハトラック装置は、更に、前記現像された基板をもっぱらすすぎ洗いするリンスモジュールを有し、このリンスモジュールは、洗浄溶液を分配する洗浄ノズルと、前記現像された基板を受け取るスピン板と、前記現像された基板を前記スピン板にしっかりと取り付ける保持装置と、を有するリソグラフィシステム。
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7274429B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-09-25 | Asml Netherlands B.V. | Integrated lithographic fabrication cluster |
US7151590B2 (en) * | 2004-02-24 | 2006-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for a lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7106420B2 (en) * | 2004-09-28 | 2006-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7534627B2 (en) * | 2006-08-07 | 2009-05-19 | Sokudo Co., Ltd. | Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools |
US8741394B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-06-03 | Novellus Systems, Inc. | In-situ deposition of film stacks |
CN103389625A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-11-13 | 浙江大学 | 一种应用于浸没式光刻机中浸液液体传送系统的通讯方法 |
US11222783B2 (en) * | 2017-09-19 | 2022-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Using cumulative heat amount data to qualify hot plate used for postexposure baking |
CN108803260A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-13 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 曝光后烘焙装置及晶圆线宽优化方法 |
CN115903941A (zh) * | 2021-08-20 | 2023-04-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 控温装置及控温方法 |
CN115877665A (zh) | 2021-09-29 | 2023-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 控温装置及控温方法 |
CN114253088B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-07-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6034771A (en) * | 1998-11-04 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for uniformly heating photoresist |
US6377334B2 (en) * | 1999-05-19 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Method for controlling image size of integrated circuits on wafers supported on hot plates during post exposure baking of the wafers |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998005060A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multizone bake/chill thermal cycling module |
US5996353A (en) * | 1998-05-21 | 1999-12-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system with a thermoelectric cooling/heating device |
US6495802B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-17 | Motorola, Inc. | Temperature-controlled chuck and method for controlling the temperature of a substantially flat object |
-
2003
- 2003-09-12 US US10/660,646 patent/US6927835B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-31 JP JP2006526174A patent/JP4846583B2/ja active Active
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6034771A (en) * | 1998-11-04 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for uniformly heating photoresist |
US6377334B2 (en) * | 1999-05-19 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Method for controlling image size of integrated circuits on wafers supported on hot plates during post exposure baking of the wafers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005033801A3 (en) | 2005-10-27 |
KR20070019945A (ko) | 2007-02-16 |
CN100504609C (zh) | 2009-06-24 |
TW200516646A (en) | 2005-05-16 |
CN1849561A (zh) | 2006-10-18 |
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