TW202236378A - 夾持器及包括夾持器之微影設備 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種夾持器，其經組態以在一微影設備中傳送一基板，該夾持器包括：一主體，其具有用於與該基板之一表面接合的一或多個接合部分；其中當該一或多個接合部分與一基板接合時，該主體之與該基板之一區重疊的一部分包括在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上延伸穿過該主體之複數個開口。

Description

夾持器及包括夾持器之微影設備
本發明係關於一種夾持器及一種包括夾持器之微影設備。
微影設備為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，遮罩)之圖案(亦通常稱為「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如，晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟得上莫耳定律，半導體行業正尋求使能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前使用之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。
已將浸潤技術引入至微影系統中以使能夠改良較小特徵之解析度。在浸潤微影設備中，具有相對高折射率之浸潤液體之液體層插入於該設備之投影系統(經圖案化光束係通過該投影系統而朝向基板投影)與基板之間的空間中。浸潤液體最後覆蓋投影系統之最終元件下方的基板之部分。因此，經歷曝光之基板之至少部分浸潤於液體中。浸潤液體之效應係使能夠對較小特徵進行成像，此係由於曝光輻射在浸潤液體中相比於在氣體中將具有較短波長。(液體之效應亦可視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。
在商用浸潤微影中，浸潤液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體而供應至空間之前經歷額外處理步驟。除了可使用水作為浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。另外，已設想將除液體以外之其他流體用於浸潤微影中。在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中被限制至最終元件與面向該最終元件之表面之間的空間。對向表面為基板之表面或與基板之表面共面的支撐台(或基板支撐件)之表面。(請注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對基板之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板支撐件之表面；且反之亦然)。存在於投影系統與載物台之間的流體處置結構用以將浸潤限制至該空間。由浸潤液體填充之空間在平面圖上小於基板之頂表面，且該空間相對於投影系統保持實質上靜止，而基板及基板載物台在下方移動。
在浸潤微影設備中，基板之表面中的至少部分浸潤於液體中。在已完成浸潤程序之後，實質上最小化保持於基板表面上之液體之量可為重要的。液體之殘餘液滴可例如影響液體可傳遞至之基板及/或其他基板之熱屬性。
可提供一種例如由機器手臂驅動以用於移動微影設備內之基板的夾持器。舉例而言，夾持器可用於將基板自熱調節台移動至用於曝光之基板台。在已執行曝光程序之後，同一夾持器可用於將基板自基板台移動至另一位置且接著移動其他基板。
已知微影設備所經歷之問題可為：當夾持器移動基板時，基板上之殘餘液體傳遞至夾持器。夾持器可接著在移動另一基板時將該液體中之一些傳遞至另一基板。夾持器可因此不合需要地將液體傳遞至先前乾燥的基板上。此液體傳遞可使得先前乾燥的基板的良率減小。
根據本發明之第一態樣，提供一種夾持器，其經組態以在一微影設備中傳送一基板，該夾持器包括：一主體，其具有用於與該基板之一表面接合的一或多個接合部分；其中當該一或多個接合部分與一基板接合時，該主體之與該基板之一區重疊的一部分包括在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上延伸穿過該主體之複數個開口。
根據本發明之第二態樣，提供一種夾持器系統，其包括：根據第一態樣之夾持器；以及一抽吸模組；其中該抽吸模組包括經組態以自該夾持器之一部分的該等表面抽取流體之一流體抽取管道。
根據本發明之第三態樣，提供一種基板處置器，其包括根據第二態樣之夾持器系統。
根據本發明之第四態樣，提供一種微影設備，其包括根據該第三態樣之基板處置器。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用於涵蓋所有類型之電磁輻射，包含紫外線輻射(例如，波長為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化裝置」可廣泛地解譯為係指可用於向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之一般圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)外，其他此類圖案化裝置之實例包含可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影設備。該微影設備包含：照射系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；遮罩支撐件(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩) MA且連接至第一定位器PM，該第一定位器經組態以根據某些參數準確地定位圖案化裝置MA；基板支撐件(例如，基板台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至第二定位器PW，該第二定位器經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件WT；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。控制器500控制設備的總體操作。控制器500可為集中式控制系統，或者微影設備之各種子系統內的多個獨立子控制器的系統。
在操作中，照射系統IL例如經由光束遞送系統BD自源SO或輻射接收輻射光束。照射系統IL可包含用於導向、塑形及/或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件或其任何組合。照明器IL可用於調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用的其他因素的各種類型之投影系統，包含折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。
微影設備可屬於如下類型，其中基板W之至少一部分可由具有相對較高折射率之浸潤液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間，此亦被稱作浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US 6,952,253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備可屬於具有兩個或更多個基板台WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板台WT，及/或可對位於基板台WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板台WT上之另一基板W用於在該另一基板W上曝光圖案。
除基板台WT以外，微影設備亦可包括量測載物台(圖1中未描繪)。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體之系統之一部分。量測載物台可在基板台WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下方移動。
在操作中，輻射光束B入射在固持於遮罩支撐件MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且藉由圖案化裝置MA上存在之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿遮罩MA之情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便將輻射光束B之路徑中的不同目標部分C定位於經聚焦及對準之位置。類似地，第一定位器PM及可能的另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但其可定位於目標部分之間的空間中。基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時被稱為切割道對準標記。
在本說明書中，使用笛卡爾座標系統(Cartesian coordinate system)。笛卡爾座標系統具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。繞x軸之旋轉稱為Rx旋轉。繞y軸之旋轉稱為Ry旋轉。繞z軸之旋轉稱為Rz旋轉。x軸及y軸界定水平面，而z軸處於豎直方向上。笛卡爾座標系統並非限制本發明且僅用於闡明。實情為，另一座標系統，諸如圓柱形座標系統可用於闡明本發明。笛卡爾座標系統之定向可不同，例如，使得z軸具有沿著水平面之分量。
局部液體供應系統或流體處置系統設置於投影系統PS與基板W之間。液體供應系統具備流體處置結構IH (或液體限制結構)，該流體處置結構IH沿著投影系統PS之最終元件與支撐台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。流體處置結構IH在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可存在某相對移動。在一實例中，密封件形成於流體處置結構IH與基板W之表面之間，且可為非接觸式密封件，諸如氣體密封件(具有氣體密封件之此系統揭示於EP1,420,298中)或液體密封件。
流體處置結構IH至少部分地限制在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間中的浸潤液體。空間係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且該最終元件的流體處置結構IH而至少部分地形成。浸潤液體係藉由液體開口中之一者而帶入至在投影系統PS下方且在流體處置結構IH內之空間中。浸潤液體可藉由液體開口中之另一者移除。
浸潤液體可藉由諸如由氣體形成之氣體密封件的無接觸密封件限制於空間中，該無接觸密封件在使用期間形成於流體處置結構IH之底部與基板W之表面之間。氣體密封件中之氣體經由入口而在壓力下提供至流體處置結構IH與基板W之間的間隙。氣體經由出口抽取。氣體入口上之過壓、出口上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置使得在內部存在限制浸潤液體之高速氣流。此系統揭示於US 2004/0207824中，其以全文引用之方式併入本文中。在一實例中，流體處置結構IH不具有氣體密封件。
液體供應系統之另一實例揭示於US 2010/0045949 A1中，其以全文引用的方式併入本文中。
圖2示意性地描繪包含源收集器設備SO之EUV微影設備4100。設備包括： -照射系統(照明器) EIL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； -支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩或倍縮光罩) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM； -基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確定位基板之第二定位器PW；及 -投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。
EUV微影設備之此等基本組件在功能上與圖1之微影設備之對應組件類似。以下描述主要覆蓋不同的區域，且省略相同組件之態樣的重複描述。
在EUV微影設備中，需要使用真空或低壓環境，此係因為氣體可吸收過多輻射。因此，可藉助於真空壁及一或多個真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
參看圖2，EUV照明器EIL自源收集器設備SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包含但未必限於運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一種元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。
輻射光束EB入射於被固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且藉由圖案化裝置而圖案化。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束EB穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束EB之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用於相對於輻射光束EB之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA及基板W。
所描繪設備可使用與圖1之設備相同的模式。
圖3更詳細地展示EUV設備4100，其包含源收集器設備SO、EUV照射系統EIL及投影系統PS。源收集器設備SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器設備SO之圍封結構4220中。可藉由放電產生電漿源而形成EUV輻射發射電漿4210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生電漿4210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。
由電漿4210發射之輻射經由定位於源腔室4211中之開口中或後方的選用氣體障壁及/或污染物捕集器4230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片捕集器)而自源腔室4211傳遞至收集器腔室4212中。
收集器腔室4212可包含可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側4251及下游輻射收集器側4252。橫穿收集器CO之輻射可由光柵光譜濾光器4240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器設備經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構4220中之開口4221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿4210之影像。
隨後，輻射橫穿照射系統IL，其可包含琢面化場鏡面裝置422及琢面化光瞳鏡面裝置424，該琢面化場鏡面裝置422及該琢面化光瞳鏡面裝置424經配置以提供在圖案化裝置MA處輻射光束421之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處的輻射光束421之反射後，即形成經圖案化光束426，且由投影系統PS經由反射元件428、430將經圖案化光束426成像至由基板載物台或基板台WT固持之基板W上。
將如圖3所說明之收集器光學器件CO描繪為具有掠入射反射器4253、4254及4255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器4253、4254及4255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學器件CO較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
替代地，源收集器設備SO可為如圖4所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而藉由數10 eV之電子溫度產生高度電離電漿4210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學器件CO收集，且聚焦於圍封結構4220中之開口4221上。
本發明之實施例可應用於任何類型的微影設備。
圖5至圖7描繪用於將基板自熱調節台20傳遞至用於曝光之基板台22的先前技術之基板傳遞裝置30之使用。基板傳遞裝置30包括夾持器24、機器手臂26及機器手臂馬達28。圖5描繪夾持器24，其藉由機器手臂26朝向熱調節台20上之基板W移動。圖6描繪將所夾持基板W朝向用於曝光之基板台22傳送的夾持器24。圖7描繪在將基板W釋放至用於曝光之基板台22上之後遠離基板W移動之夾持器24。
在所描繪之配置中，夾持器24具有切口部分25以允許夾持器24在基板W下方滑動通過支撐插腳，該等支撐插腳用於在熱調節台20上方豎直地支撐基板。當夾持器24處於基板W下方之位置時，夾持器24升高以將基板W自熱調節台20脫離。可接著朝向用於曝光之基板台22向下傳送基板W，直至基板W放置於與用於曝光22之基板台相關聯的支撐元件(例如，支撐插腳，圖中未展示)上為止，因此自夾持器24釋放基板W。夾持器24可接著被移除，如圖7中所展示。
如描述之引言部分中所描述，在浸潤微影設備中，基板W之表面中的至少部分浸潤於液體中。在已完成浸潤程序之後，最小化保持於基板W表面上之液體之殘餘量為重要的。液體之殘餘液滴可例如影響基板W之熱屬性且藉此減小良率。
如上文所描述，基板傳遞裝置30之夾持器24可在微影設備內傳遞基板W。舉例而言，夾持器24可用於將基板W自熱調節台移動至用於曝光之基板台。在已執行曝光程序之後，同一夾持器24可用於將基板W自基板台移動至另一位置。
圖8以平面圖展示固定至夾持器1201之基板W。基板W可藉由三個接合部分1202固定至夾持器1201。接合部分1202可為基板W與夾持器1201之間的僅有接觸點。基板W可位於夾持器1201上方以使得接合部分1202接觸基板W之下表面。由於可能已對基板W執行之浸潤程序，諸如水滴之殘餘液體可存在於基板W之區中。特定言之，殘餘液體可存在於基板W之邊緣/周邊區1203中。
可經歷之問題為基板W上之殘餘液體被傳遞至夾持器1201。舉例而言，儘管基板W之邊緣/周邊區1203與夾持器1201之間可不存在直接接觸，但邊緣/周邊區1203中之液體可自基板W下落至夾持器1201上。可接著將傳遞至夾持器1201之任何液體傳遞至固定至夾持器1201之另一基板W上。因此，夾持器1201可不合需要地將液體自濕的輸出基板W傳遞至先前乾燥的輸入基板W。此液體傳遞可導致來自輸入基板W之良率減小。
實施例提供用於減少或實質上防止不同基板W之間的液體傳遞之上述問題的技術。實施例提供基板傳遞裝置之夾持器的新設計。當液體自基板W傳遞至夾持器時，保持在夾持器上之液體量可低於使用已知技術之液體量。此可減少或實質上防止夾持器將液體傳遞至另一基板W。
圖9A及圖9B以平面圖展示根據第一實施例之實施方案的夾持器1301之部分。
根據實施例之夾持器1301可包括具有一或多個接合部分1302之主體，該一或多個接合部分1302經組態以與基板W之表面接合。夾持器1301可包括三個接合部分，如針對圖8中之夾持器1201所展示。接合部分1302可為基板W與夾持器1301之間的僅有接觸點。基板W可位於夾持器1301上方以使得接合部分1302接觸基板W之下表面。夾持器1301之上表面之部分可實質上平坦且平行於基板W之下表面。如稍後參看圖11A及圖11B所解釋，夾持器1301之上表面可藉由間隙1501與基板W之下表面分離。
如圖9A及圖9B中所展示，可存在穿過夾持器1301之主體中之至少部分的開口。夾持器1301之主體中的至少部分可包括以肋狀結構配置之複數個肋片1303、1304。開口可為肋片1303與1304之間的間隙。開口可延伸穿過夾持器1301為平行於基板W之表面的方向。
若任何液體自基板W下落至根據實施例之夾持器1301的肋狀結構上，則液體中之一些或全部可下落穿過夾持器1301中之開口而不下落至夾持器1301上。下落至肋片1303、1304上之任何液體可在肋片上方流動，且接著自夾持器1301下落。有利地，收集於夾持器1301之外表面上的液體量可低於不包括開口之已知夾持器24、1201。
如圖8中所展示，殘餘液體可大部分存在於基板W之邊緣區1203處。實施例包含夾持器1301之與基板W之邊緣區1203重疊的部分，該邊緣區1203為肋狀結構。如圖9A及圖9B中所展示，夾持器1301之主體的其餘部分可實質上與夾持器之已知設計相同。亦即，當基板W固定至夾持器1301時，僅夾持器1301之與基板W之邊緣區1203重疊的部分可包括開口。
肋片1303、1304可以骨架型或網狀型結構配置。圖9A及圖9B展示根據實施例之肋片1303、1304之不同配置。實施例包含肋片1303、1304之任何配置。舉例而言，肋片1303、1304可為不彼此接合或交叉之複數個平行結構。肋片1303、1304可以單個層配置。替代地，肋片1301、1304可以複數個層配置。舉例而言，可存在如圖9A中所展示之肋片1303、1304之兩個配置，其中該等配置中之一者安置於另一者上方。
肋片1303、1304中之每一者可包括至少部分地塗佈之外表面。實施例包含經塗佈之肋片1303、1304之所有外表面。塗層可例如為疏水性的。替代地，塗層可為親水性的。
肋片1304中之一些亦可為流體管道。亦即，肋片1304包括用於支撐穿過肋片1304之流體流的通道類型結構。夾持器1301之主體可包括一或多個其他流體管道1305。每一流體管道1305可與接合部分1302中之一或多者流體連通。作為肋狀結構中之流體管道的每一肋片1304可與不為肋狀結構之部分的流體管道1305流體流動。肋狀結構亦可包括一或多個肋片1303，其並非流體管道且僅提供結構支撐。在圖9A及圖9B中所展示之實施例中，中間肋片1304為穿過肋狀結構之主流體管道。中間肋片1304可為肋狀結構中之唯一流體管道，且其他肋片1303可僅提供結構支撐。中間肋片1304之寬度/直徑可大於其他肋片1303之寬度/直徑。實施例亦包含包括為所有流體管道之複數個肋片1304的夾持器1301。當所有肋片1304為流體管道時，所有肋片可具有實質上相同的大小及形狀。
圖10A及圖10B示意性地展示根據實施例之穿過肋片1303、1304的橫截面。如圖10A中所展示，實施例包含具有實質上三角形橫截面之肋片1303、1304中之一或多者。如圖10B中所展示，實施例亦包含具有實質上梯形橫截面之肋片1303、1304中之一或多者。肋片1303、1304之每一外表面之間的隅角/邊緣可為弧形的。肋片1303、1304之每一外表面可為彎曲的。
如先前所描述，夾持器1301可包括一或多個接合部分1302。夾持器1301可包括圖8中所展示之配置中的三個接合部分1302。每一接合部分1302可包括夾持裝置，諸如夾持襯墊或表面夾持襯墊。表面夾持襯墊可為例如允許藉由氣壓或由另一介質產生之壓力來拉動或推動基板W之渦流襯墊。用於夾持襯墊之空氣或其他介質可經由夾持器1301之主體中的數個流體管道供應或排出。每一流體管道可為真空管道。藉由每一接合部分1302夾持及/或釋放基板W可藉由控制來自及/或達至接合部分1302之流體流來操作。
實施例亦包含使用其他類型之表面夾持襯墊，諸如Bernoulli夾持襯墊或靜電夾持襯墊。至少在使用靜電夾持襯墊時，可不存在至夾持器1301之主體中的接合部分1302之流體管道。然而，肋片1303、1304中之一些可包括用於將電源提供至靜電夾持襯墊之一或多個電纜。
夾持襯墊可為非接觸式表面夾持襯墊，亦即，能夠在表面夾持襯墊與基板W之間不具有機械接觸的情況下夾持基板W；或接觸式表面夾持襯墊，亦即，能夠在表面夾持襯墊與基板W之間具有機械接觸的情況下夾持基板W。渦流襯墊可屬於非接觸式類型。
圖11A及圖11B以側視圖示意性地展示根據第二實施例之夾持器系統1300。
根據第二實施例之夾持器系統1300可包括根據第一實施例之夾持器1301的實施方案中之任一者。根據第二實施例之夾持器系統1300亦可包括抽吸模組1503。抽吸模組1503可位於基板處置器框架1502中。抽吸模組1503可位於夾持器1301與基板W之相對側上。
如圖11A中所展示，基板W可位於夾持器1301上方以使得接合部分1302接觸基板W之下表面。夾持器1301之上表面之部分可為實質上平坦的，且平行於基板W之下表面。接合部分1302可提供基板W與夾持器1301之間的僅有接觸點，使得夾持器1301之上表面之其他部分藉由間隙1501與基板W之下表面分離。
抽吸模組1503可包括流體抽取管道1505。流體抽取管道1505之末端1504可經組態以自夾持器1301之至少部分的表面抽取流體。
抽吸模組1503可在如圖11B中所展示之第一位置與如圖11A中所展示之第二位置之間移動。在第一位置中，抽吸模組1503之流體抽取管道1505的末端1504接近於夾持器1301之下表面。流體抽取管道1505之末端1504可經配置以使得其接近包括肋片1303、1304之夾持器1301的一部分。流體抽取管道1505之末端1504可包括可撓性部分，諸如橡膠部分，使得其可接觸夾持器1301之下表面。流體抽取管道1505之末端1504可經配置以抽取位於肋片1303、1304之表面上的任何流體。流體抽取管道1505之末端1504亦可經配置以抽取位於基板W之下表面上的任何流體。如針對第一實施例所解釋，當夾持器1301與基板W接合時，包括肋片1303、1304之夾持器1301之部分可與基板W之邊緣區1203重疊。基板W之邊緣區1203可為殘餘液體主要存在之地方且為基板W之液滴最有可能自其中下落之部分。
在第二位置中，抽吸模組1503之流體抽取管道1505的末端1504比在第一位置中時更遠離夾持器1301定位。在第二位置中，抽吸模組1503可實質上在基板處置器框架1502內迴縮。當在第二位置中時，抽吸模組1503因此可不干擾夾持器1301之移動或微影設備之操作之任何其他態樣。
在其上可具有殘餘液體之基板W已固定至夾持器1301或自夾持器1301移除之後，抽吸模組1503可自第二位置移動至第一位置。抽吸模組1503可接著抽取位於肋片1303、1304之表面及/或基板W之下表面上的任何液體。抽吸模組1503可接著自第一位置移動回至第二位置。
有利地，抽吸模組1503可實質上移除位於肋片1303、1304之表面及/或基板W之下表面上的任何液體。藉由移除自基板W傳遞至夾持器1301之肋片1303、1304之表面上的任何液體，液體將不傳遞至固定至夾持器1301之另一基板W上。
實施例包含對以上所描述之技術的多個修改及變化。
特定言之，穿過夾持器1301之開口並不限於僅穿過夾持器1301之當基板W固定至夾持器1301時與基板W之邊緣區1203重疊的部分。實施例包含夾持器1301之與基板W之任何部分重疊的實質上所有部分，該任何部分包括開口。開口可在實質上垂直於基板W之平面的方向上延伸穿過夾持器1301。實質上所有的與基板W之任何部分重疊之夾持器1301結構可包括以骨架型或網狀型結構配置之肋片1303、1304。在垂直於基板W之平面的方向上，肋片1303、1304可以單個層或以複數個層配置。
實施例實質上亦包含包括開口之整個夾持器1301，該等開口包含夾持器1301之並不與基板W重疊的部分。開口可在實質上垂直於基板W之平面的方向上延伸穿過夾持器1301。實質上所有夾持器1301結構可包括以骨架型或網狀型結構配置之肋片1303、1304。如先前所描述，在垂直於基板W之平面的方向上，肋片1303、1304可以單個層或以複數個層配置。
根據第一實施例之夾持器1301及/或根據第二實施例之夾持器系統1300可形成基板處置器(圖中未描繪)之一部分。基板處置器可包含第二實施例之基板處置器框架1502。
實施例亦包含一種微影設備。微影設備可具有如上文所描述之微影設備之其他特徵或組件中之任一者/全部。舉例而言，微影設備可視情況包括源SO、照射系統IL、投影系統PS、基板台WT等中之至少一或多者。特定言之，微影設備可包括經組態以朝向基板W之表面之區投影輻射光束B的投影系統PS。微影設備可進一步包括夾持器1301及/或夾持器系統1300，如以上實施例及變化中之任一者中所描述。
微影設備可包括致動器，該致動器經組態以使基板W相對於流體處置系統移動。因此，致動器可用於控制基板W之位置(或替代地，流體處置系統之位置)。致動器可為或可包括經建構以固持基板W之基板台WT及/或基板固持器，及/或經組態以準確地定位基板台WT之第二定位器PW。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板W)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件的任何設備之部分。此等設備可通常被稱作微影工具。此微影工具可使用環境(非真空)條件。
儘管上文可能已對在光學微影的內容背景中使用本發明之實施例進行特定參考，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影。
如應瞭解，上文所描述特徵中之任一者可與任何其他特徵一起使用，且本申請案不僅涵蓋明確描述之彼等組合。
儘管可在本文中特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可在製造具有微尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
在內容背景允許之情況下，本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包含用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包含唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其它裝置所引起，且在執行此操作時可造成致動器或其它裝置與實體世界互動。
實施例包含以下編號條項： 1.      一種夾持器，其經組態以在一微影設備中傳送一基板，該夾持器包括：一主體，其具有用於與該基板之一表面接合的一或多個接合部分；其中當該一或多個接合部分與一基板接合時，該主體之與該基板之一區重疊的一部分包括在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上延伸穿過該主體之複數個開口。 2.      如條項1之夾持器，其中當該一或多個接合部分與該基板接合時，該主體之該部分與該基板之一邊緣區重疊。 3.      如條項1或2之夾持器，其中該主體之與該基板之該區重疊的該部分包括複數個肋片；且該複數個開口配置於該等肋片與之間。 4.      如條項3之夾持器，其中該等肋片以一骨架型結構配置。 5.      如條項3或4中任一項之夾持器，其中該等肋片中之一或多者包括一至少部分塗佈之外表面。 6.      如條項5之夾持器，其中塗層為疏水性或親水性的。 7.      如條項3至6中任一項之夾持器，其中該等肋片中之一或多者包括一彎曲外表面。 8.      如條項3至7中任一項之夾持器，其中該等肋片中之一或多者在其外表面之間包括弧形邊緣。 9.      如任一前述條項之夾持器，其中該等接合部分包括夾持襯墊，諸如渦流或靜電夾持襯墊。 10.    如任一前述條項之夾持器，其進一步包括該主體中之一或多個管道，該一或多個管道用於提供來自及/或達至該等接合部分中之每一者的一流體流，以便藉由該一或多個接合部分中之每一者操作該基板之該夾持及/或釋放。 11.    如條項10之夾持器，其中該一或多個管道包括真空管道。 12.    如條項10或11之夾持器，其中穿過該一或多個管道之該流體流為一空氣流。 13.    如條項10至12中任一項之夾持器，當取決於條項3時，其中在該主體之與該基板之該區重疊的該部分中，存在用於提供達至該等接合部分之相當大流體流之一主管道。 14.    如條項13之夾持器，其中該主管道之寬度/直徑大於該等肋片之寬度/直徑。 15.    如條項10至14中任一項之夾持器，當取決於條項3時，其中複數個該等肋片為用於流體之管道。 16.    如任一前述條項之夾持器，其中當該一或多個接合部分與該基板接合時，該基板位於該夾持器上方。 17.    如任一前述條項之夾持器，其中當該一或多個接合部分與該基板接合時，在該夾持器主體之與該基板之該邊緣區重疊的該部分與該基板之間存在一間隙。 18.    一種夾持器系統，其包括：如任一前述條項之夾持器；及一抽吸模組；其中該抽吸模組包括經組態以自該夾持器之一部分的該等表面抽取流體之一流體抽取管道。 19.    如條項18之夾持器系統，其中當該夾持器與一基板接合時，該夾持器之該部分與該基板之一邊緣區重疊。 20.    如條項18或19之夾持器系統，其中當該夾持器與該基板接合時，該抽吸模組配置於該夾持器與該基板之相對側上。 21.    如條項18至20中任一項之夾持器系統，其中該抽吸模組經配置以在一第一位置與一第二位置之間移動；在該第一位置中，該抽吸模組之該流體抽取管道的一末端接近於該夾持器且經配置以自該夾持器之該等表面抽取流體；且在該第二位置中，該抽吸模組之該流體抽取管道之該末端比在該第一位置中時更遠離該夾持器定位。 22.    一種基板處置器，其包括如18至21中任一項之夾持器系統。 23.    一種微影設備，其包括如條項22之基板處置器。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
20:熱調節台 22:基板台 24:夾持器 25:切口部分 26:機器手臂 28:機器手臂馬達 30:基板傳遞裝置 421:輻射光束 422:琢面化場鏡面裝置 424:琢面化光瞳鏡面裝置 426:經圖案化光束 428:反射元件 430:反射元件 500:控制器 1201:夾持器 1202:接合部分 1203:邊緣/周邊區 1300:夾持器系統 1301:夾持器 1302:接合部分 1303:肋片 1304:肋片 1305:流體管道 1501:間隙 1502:基板處置器框架 1503:抽吸模組 1504:末端 1505:抽取管道 4100:EUV微影設備 4210:電漿 4211:源腔室 4212:收集器腔室 4220:圍封結構 4221:開口 4230:污染物捕集器 4240:光柵光譜濾光器 4251:上游輻射收集器側 4252:下游輻射收集器側 4253:掠入射反射器 4254:掠入射反射器 4255:掠入射反射器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:輻射收集器/收集器光學器件 EB:輻射光束 EIL:EUV照明器 IF:位置量測系統/虛擬源點 IH:處置結構 IL:照射系統 LA:雷射 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置 MT:遮罩支撐件 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 SO:源/源收集器設備 W:基板 WT:基板支撐件
現在將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中：
圖1描繪根據本發明之實施例之微影設備；
圖2描繪根據本發明之實施例之微影設備；
圖3為設備4100之更詳細視圖；
圖4為圖2及圖3之設備之源收集器設備SO的更詳細視圖；
圖5描繪朝向與熱調節台上之基板接合之位置移動的先前技術夾持器；
圖6描繪使用圖5之先前技術夾持器將基板自熱調節台傳送至用於曝光之基板台；
圖7描繪在將基板釋放至用於曝光之基板台上之後將圖6之先前技術夾持器移開；
圖8以平面圖展示固定至夾持器之基板；
圖9A及圖9B以平面圖展示根據第一實施例之實施方案的夾持器1301之部分；
圖10A及圖10B示意性地展示根據實施例之穿過肋片的橫截面；且
圖11A及圖11B以側視圖示意性地展示根據第二實施例之夾持器系統。
1301:夾持器
1302:接合部分
1303:肋片
1304:肋片
1305:流體管道

Claims (15)

  1. 一種夾持器，其經組態以在一微影設備中傳送一基板，該夾持器包括： 一主體，其具有用於與該基板之一表面接合的一或多個接合部分； 其中當該一或多個接合部分與一基板接合時，該主體之與該基板之一區重疊的一部分包括在實質上垂直於該基板之該表面的一方向上延伸穿過該主體之複數個開口。
  2. 如請求項1之夾持器，其中當該一或多個接合部分與該基板接合時，該主體之該部分與該基板之一邊緣區重疊，及/或其中該主體之與該基板之該區重疊的該部分包括複數個肋片，且該複數個開口配置於該等肋片之間。
  3. 如請求項2之夾持器，其中該等肋片以一骨架型結構配置，及/或其中該等肋片中之一或多者包括一至少部分塗佈之外表面，及/或其中該等肋片中之一或多者包括一彎曲外表面，及/或其中該等肋片中之一或多者在其外表面之間包括弧形邊緣。
  4. 如請求項3之夾持器，其中塗層為疏水性或親水性的。
  5. 如請求項1至4中任一項之夾持器，其中該等接合部分包括夾持襯墊，諸如渦流或靜電夾持襯墊，及/或其中當該一或多個接合部分與該基板接合時，該基板位於該夾持器上方，及/或其中當該一或多個接合部分與該基板接合時，在該夾持器主體之與該基板之該邊緣區重疊的該部分與該基板之間存在一間隙。
  6. 如請求項1至4中任一項之夾持器，其進一步包括該主體中之一或多個管道，該一或多個管道用於提供來自及/或達至該等接合部分中之每一者的一流體流，以便藉由該一或多個接合部分中之每一者操作該基板之該夾持及/或釋放。
  7. 如請求項6之夾持器，其中該一或多個管道包括真空管道，及/或其中穿過該一或多個管道之該流體流為一空氣流，及/或其中穿過該一或多個管道之該流體流為一空氣流。
  8. 如請求項6之夾持器，當附屬於請求項2時，其中在該主體之與該基板之該區重疊的該部分中，存在用於提供達至該等接合部分之相當大流體流之一主管道，及/或其中複數個該等肋片為用於流體之管道，及/或其中複數個該等肋片為用於流體之管道。
  9. 如請求項8之夾持器，其中該主管道之寬度/直徑大於該等肋片之寬度/直徑。
  10. 一種夾持器系統，其包括： 如請求項1至9中任一項之夾持器；及 一抽吸模組； 其中該抽吸模組包括經組態以自該夾持器之一部分的該等表面抽取流體之一流體抽取管道。
  11. 如請求項10之夾持器系統，其中當該夾持器與一基板接合時，該夾持器之該部分與該基板之一邊緣區重疊。
  12. 如請求項10之夾持器系統，其中當該夾持器與該基板接合時，該抽吸模組配置於該夾持器與該基板之相對側上。
  13. 如請求項10至12中任一項之夾持器系統，其中該抽吸模組經配置以在一第一位置與一第二位置之間移動； 在該第一位置中，該抽吸模組之該流體抽取管道的一末端接近於該夾持器且經配置以自該夾持器之該等表面抽取流體；且 在該第二位置中，該抽吸模組之該流體抽取管道之該末端比在該第一位置中時更遠離該夾持器定位。
  14. 一種基板處置器，其包括如請求項10至13中任一項之夾持器系統。
  15. 一種微影設備，其包括如請求項14之基板處置器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291375A (ja) * 1992-04-08 1993-11-05 Hitachi Ltd ウエハ搬送アーム
JPH0817895A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ搬送プレート
FR2835337B1 (fr) * 2002-01-29 2004-08-20 Recif Sa Procede et dispositif d'identification de caracteres inscrits sur une plaque de semi-conducteur comportant au moins une marque d'orientation
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4616731B2 (ja) * 2005-09-01 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
US20100045949A1 (en) 2008-08-11 2010-02-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
TW202101660A (zh) * 2019-05-16 2021-01-01 以色列商核心流有限公司 用於翹曲工件之抽吸抓持器

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