CN116508144A - 夹持器和包括该夹持器的光刻设备 - Google Patents
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Abstract
本文中公开了一种夹持器,所述夹持器被配置成在光刻设备中传送衬底,所述夹持器包括:主体,所述主体具有用于与所述衬底的表面接合的一个或更多个接合部分;其中,所述主体的在所述一个或更多个接合部分与衬底接合时与所述衬底的区叠置的部分包括多个开口,所述多个开口在大致垂直于所述衬底的所述表面的方向上延伸穿过所述主体。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年1月11日递交的欧洲申请21150851.0的优先权,并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种夹持器和一种包括该夹持器的光刻设备。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案涂覆至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(也通常称为“设计布局”或“设计”)投影至设置于衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造过程继续进步,几十年来,电路元件的尺寸已不断地减小,而每器件的诸如晶体管之类的功能元件的量已在稳固地增加,这遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟得上摩尔定律,半导体行业正寻求使得能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影于衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定经图案化于衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。
已将浸没技术引入至光刻系统中以使得能够改善较小特征的分辨率。在浸没光刻设备中,具有相对高折射率的浸没液体的液体层介于所述设备的投影系统(经图案化的束通过所述投影系统朝向衬底投影)与衬底之间的空间中。浸没液体最后覆盖衬底的位于投影系统的最终元件下方的部分。因此,经历曝光的衬底的至少一部分浸没在液体中。浸没液体的作用是使得能够对较小特征进行成像,这是由于曝光辐射在浸没液体中比在气体中将具有更短的波长。(液体的作用也可以被视为增加系统的有效数值孔径(NA)且也增加焦深)。
在商用浸没光刻中,浸没液体为水。通常,水为高纯度的蒸馏水,诸如通常用于半导体制造工厂中的超纯水(UPW)。在浸没系统中,UPW常常被纯化且UPW可以在作为浸没液体供应给空间之前经历额外的处理步骤。除了可以使用水作为浸没液体以外,也可以使用具有高折射率的其它液体,例如:烃,诸如氟代烃;和/或水溶液。另外,已设想将除液体以外的其它流体用于浸没光刻中。在本说明书中,将在描述中参考局部化浸没,其中,浸没液体在使用中被限制至最终元件与面向所述最终元件的表面之间的空间。面向表面是衬底的表面或与衬底的表面共面的支撑台(或衬底支撑件)的表面。(请注意,除非另有明确陈述,否则在下文中对衬底的表面的参考另外地或可替代地也是指衬底支撑件的表面;并且反之亦然)。存在于投影系统与平台之间的流体输送结构用于将浸没限制至所述空间。由浸没液体填充的空间在平面图上小于衬底的顶部表面,并且在衬底和衬底平台在下方移动的同时,所述空间相对于投影系统保持大致静止。
发明内容
在浸没光刻设备中,衬底的表面中的至少一部分浸没在液体中。在已完成浸没过程之后,很大程度上最小化保持在衬底表面上的液体的量可以是重要的。液体的残余液滴可能例如影响液体可以传递至的衬底和/或其它衬底的热性质。
可以提供一种例如由机器手臂驱动以用于移动光刻设备内的衬底的夹持器。例如,夹持器可以用于将衬底从热调节台移动至用于曝光的衬底台。在已执行曝光过程之后,同一夹持器可以用于将衬底从衬底台移动至另一部位且接着移动其它衬底。
已知的光刻设备所经历的问题可以是:当夹持器移动衬底时,衬底上的残余液体传递至夹持器。夹持器可以接着在移动其他衬底时将所述液体中的一些传递至另一衬底。夹持器因此可能不期望地将液体传递至先前干燥的衬底上。这种液体传递可以使得先前干燥的衬底的产率减小。
根据本发明的第一方面,提供一种夹持器,所述夹持器被配置成在光刻设备中传送衬底,所述夹持器包括:主体,所述主体具有用于与所述衬底的表面接合的一个或更多个接合部分;其中,所述主体的在所述一个或更多个接合部分与衬底接合时与所述衬底的区叠置的部分包括多个开口,所述多个开口在大致垂直于所述衬底的所述表面的方向上延伸穿过所述主体。
根据本发明的第二方面,提供一种夹持器系统,包括:根据第一方面的夹持器;以及抽吸模块;其中所述抽吸模块包括配置成从所述夹持器的一部分的所述表面抽取流体的流体抽取管道。
根据本发明的第三方面,提供一种衬底输送装置,包括根据第二方面的夹持器系统。
根据本发明的第四方面,提供一种光刻设备,包括根据第三方面的衬底输送装置。
附图说明
现在将参考随附示意性附图而仅借助于示例来描述本发明的实施例,在所述附图中,相应的附图标记指示相应的部分或部件,并且在所述附图中:
图1描绘根据本发明的实施例的光刻设备;
图2描绘根据本发明的实施例的光刻设备;
图3是设备4100的更详细的视图;
图4是图2和图3的设备的源收集器设备SO的更详细的视图;
图5描绘朝向与热调节台上的衬底接合的位置移动的现有技术的夹持器;
图6描绘使用图5的现有技术的夹持器将衬底从热调节台传送至用于曝光的衬底台;
图7描绘在将衬底释放至用于曝光的衬底台上之后将图6的现有技术的夹持器移开;
图8以平面图示出固定至夹持器的衬底;
图9A和图9B以平面图示出根据第一实施例的实施方案的夹持器1301的部分;
图10A和图10B示意性地示出根据实施例的穿过肋的横截面;以及
图11A和图11B以侧视图示意性地示出根据第二实施例的夹持器系统。
具体实施方式
在本文件中,术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射,包括紫外辐射(例如,波长是365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)。
如本文中所采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以广义地解释为是指可以用于向入射辐射束赋予经图案化的横截面的一般图案形成装置,所述经图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。在这样的情境下,也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射或反射、二元、相移、混合式等)外,其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘光刻设备。所述光刻设备包括:照射系统(也被称为照射器)IL,所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如,UV辐射或DUV辐射);掩模支撑件(例如,掩模台)MT,所述掩模支撑件被构造成支撑图案形成装置(例如,掩模)MA且连接至第一定位器PM,所述第一定位器被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置MA:衬底支撑件(例如,衬底台)WT,所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如,涂覆有抗蚀剂的晶片)W且连接至第二定位器PW,所述第二定位器被配置成根据某些参数准确地定位衬底支撑件WT;以及投影系统(例如,折射型投影透镜系统)PS,所述投影系统被配置成将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如,包括一个或更多个管芯)上。控制器500控制设备的总体操作。控制器500可以是集中式控制系统,或者光刻设备的多个子系统内的多个独立的子控制器的系统。
在操作中,照射系统IL例如经由束传递系统BD从源SO接收辐射束或辐射。照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件,诸如,折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件或其任何组合。照射器IL可以用于调节辐射束B,以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间和角强度分布。
本文中所使用的术语“投影系统”PS应广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射和/或适于诸如浸没液体的使用的其它因素的各种类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射折射型、变形型、磁性型、电磁型和/或静电型光学系统或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用都与更上位的术语“投影系统”是同义的。
光刻设备可以属于如下类型,其中,衬底W的至少一部分可以由具有相对较高折射率的浸没液体(例如,水)覆盖,以便填充投影系统PS与衬底W之间的浸没空间,这也被称为浸没光刻。在以引用的方式并入本文中的US 6,952,253中给出关于浸没技术的更多信息。
光刻设备可以属于具有两个或更多个衬底台WT(也称为“双平台”)的类型。在这样的“多平台”机器中,可以并行地使用衬底台WT,和/或可以在对位于衬底台WT中的一个上的衬底W进行准备衬底W的后续曝光的步骤的同时,将另一衬底台WT上的另一衬底W用于在所述另一衬底W上曝光图案。
除衬底台WT以外,光刻设备也可以包括测量平台(图1中未描绘)。测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量平台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置成清洁光刻设备的部分,例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。测量平台可以在衬底台WT远离投影系统PS时在投影系统PS下方移动。
在操作中,辐射束B入射在保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过图案形成装置MA上存在的图案(设计布局)而图案化。在已横穿掩模MA的情况下,辐射束B穿过投影系统PS,所述投影系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF(例如,干涉测量装置、线性编码器、2D编码器或电容式传感器),可以准确地移动衬底台WT,例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中的经聚焦和对准的位置。类似地,第一定位器PM和可能地另一位置传感器(另一位置传感器未在图1中明确地描绘的)可以用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA与衬底W。虽然如所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分,但衬底对准标记P1、P2可以定位在目标部分之间的空间中。衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时被称为划线对准标记。
在本说明书中,使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴,即,x轴、y轴和z轴。三个轴中的每个与其它两个轴正交。绕x轴的旋转称为Rx旋转。绕y轴的旋转称为Ry旋转。绕z轴的旋转称为Rz旋转。x轴和y轴限定水平面,而z轴处于竖直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明且仅用于阐述。而是,另一坐标系,诸如圆柱形坐标系,可以用于阐述本发明。笛卡尔坐标系的定向可以是不同的,例如,使得z轴具有沿水平面的分量。
局域化液体供应系统或流体处理系统设置于投影系统PS与衬底W之间。液体供应系统设置有流体输送结构IH(或液体限制结构),所述流体输送结构IH沿投影系统PS的最终元件与支撑台WT或衬底W之间的空间的边界的至少一部分延伸。流体输送结构IH在XY平面中相对于投影系统PS大致静止,但在Z方向上(在光轴的方向上)可以存在某一相对移动。在示例中,密封件形成在流体输送结构IH与衬底W的表面之间,并且可以是非接触式密封件,诸如气体密封件(具有气体密封件的这种系统公开于EP1,420,298中)或液体密封件。
流体输送结构IH至少部分地限制位于投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间中的浸没液体。空间通过定位在投影系统PS的最终元件下方且围绕所述最终元件的流体输送结构IH而被至少部分地形成。浸没液体通过液体开口中的一个而被带入至在投影系统PS下方且在流体输送结构IH内的空间中。浸没液体可以通过液体开口中的另一液体开口移除。
浸没液体可以通过诸如由气体形成的气体密封件之类的无接触密封件限制于空间中,所述无接触密封件在使用期间形成在流体输送结构IH的底部与衬底W的表面之间。气体密封件中的气体经由入口在压力下提供至流体输送结构IH与衬底W之间的间隙。气体经由出口抽取。气体入口上的过压、出口上的真空水平和间隙的几何形状被布置使得在内部存在限制浸没液体的高速气流。这种系统公开于US 2004/0207824中,US 2004/0207824以全文引用的方式并入本文中。在示例中,流体输送结构IH不具有气体密封件。
液体供应系统的另一示例公开于US 2010/0045949A1中,US 2010/0045949A1以全文引用的方式并入本文中。
图2示意性地描绘包括源收集器设备SO的EUV光刻设备4100。设备包括:
照射系统(照射器)EIL,所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如,EUV辐射);
-支撑结构(例如,掩模台)MT,所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如,掩模或掩模版)MA且连接至被配置成准确地定位图案形成装置的第一定位器PM;
-衬底台(例如,晶片台)WT,所述衬底台被构造成保持衬底(例如,涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并且连接至被配置成准确定位衬底的第二定位器PW;以及
-投影系统(例如,反射投影系统)PS,所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如,包括一个或更多个管芯)上。
EUV光刻设备的这些基本部件在功能上与图1的光刻设备的相应的部件类似。以下描述主要覆盖不同的区域,并且省略相同部件的方面的重复描述。
在EUV光刻设备中,期望使用真空或低压环境,这是因为气体可吸收过多辐射。因此,可以借助于真空壁和一个或更多个真空泵而将真空环境提供至整个束路径。
参考图2,EUV照射器EIL从源收集器设备SO接收极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不必限于利用在EUV范围内的一个或更多个发射谱线将具有至少一种元素(例如,氙、锂或锡)的材料转换成等离子体状态。
辐射束EB入射到被保持在支撑结构(例如,掩模台)MT上的图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过图案形成装置而图案化。在从图案形成装置(例如,掩模)MA反射之后,辐射束EB穿过投影系统PS,所述投影系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如,干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器),可以准确地移动衬底台WT,例如以便使不同的目标部分C定位在辐射束EB的路径中。类似地,第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以用于相对于辐射束EB的路径来准确地定位图案形成装置(例如,掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如,掩模)MA和衬底W。
所描绘的设备可以使用与图1的设备相同的模式。
图3更详细地示出EUV设备4100,所述EUV设备包括源收集器设备SO、EUV照射系统EIL、和投影系统PS。源收集器设备SO被构造和布置成使得可以将真空环境维持于源收集器设备SO的围封结构4220中。可以通过放电产生等离子体源而形成EUV辐射发射等离子体4210。可以通过气体或蒸汽(例如,Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)而产生EUV辐射,其中,产生等离子体4210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。
由等离子体4210发射的辐射经由定位在源腔室4211中的开口中或后方的可选的气体屏障和/或污染物陷阱4230(在一些情况下,也被称为污染物屏障或箔片陷阱)而从源腔室4211传递至收集器腔室4212中。
收集器腔室4212可以包括可以是所谓掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧4251和下游辐射收集器侧4252。横穿收集器CO的辐射可以由光栅光谱滤波器4240反射以聚焦于虚拟源点IF中。虚拟源点IF通常被称为中间焦点,并且源收集器设备被布置成使得中间焦点IF位于围封结构4220中的开口4221处或附近。虚拟源点IF为辐射发射等离子体4210的图像。
随后,辐射横穿照射系统IL,所述照射系统可以包括琢面场反射镜装置422和琢面光瞳反射镜装置424,所述琢面场反射镜装置422和所述琢面光瞳反射镜装置424被布置成提供辐射束421在图案形成装置MA处的期望的角分布,以及辐射强度在图案形成装置MA处的期望的均一性。在辐射束421在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处被反射后,形成经图案化的束426,并且由投影系统PS经由反射元件428、430将经图案化的束426成像至由衬底平台或衬底台WT保持的衬底W上。
将如图3所图示的收集器光学器件CO描绘成具有掠入射反射器4253、4254和4255的巢状式收集器,仅仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器4253、4254和4255被设置成围绕光轴O轴向地对称,并且这种类型的收集器光学器件CO优选地结合放电产生等离子体源(常常被称为DPP源)来使用。
替代地,源收集器设备SO可以是如图4所示出的LPP辐射系统的部分。激光器LA被布置成将激光能量沉积至诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)的燃料中,从而通过数10eV的电子温度产生高度电离等离子体4210。在这些离子的去激发和再结合期间所产生的高能辐射从等离子体发射,由近正入射收集器光学器件CO收集,并且聚焦于围封结构4220中的开口4221上。
本发明的实施例可以应用于任何类型的光刻设备。
图5至图7描绘用于将衬底从热调节台20传递至用于曝光的衬底台22的现有技术的衬底传递装置30的使用。衬底传递装置30包括夹持器24、机械臂26和机械臂马达28。图5描绘夹持器24,所述夹持器通过机械臂26朝向热调节台20上的衬底W移动。图6描绘将所夹持的衬底W朝向用于曝光的衬底台22传送的夹持器24。图7描绘在将衬底W释放至用于曝光的衬底台22上之后远离衬底W移动的夹持器24。
在所描绘的布置中,夹持器24具有切口部分25以允许夹持器24在衬底W下方滑动通过支撑销,所述支撑销用于在热调节台20上方竖直地支撑衬底。当夹持器24在衬底W下方就位时,夹持器24升高以将衬底W从热调节台20分离。可以接着朝向用于曝光的衬底台22向下传送衬底W,直到衬底W放置于与用于曝光22的衬底台相关联的支撑元件(例如,支撑销,图中未示出)上,因此从夹持器24释放衬底W。夹持器24可以接着被移除,如图7中示出的。
如描述的引言部分中所描述的,在浸没光刻设备中,衬底W的表面的至少一部分浸没在液体中。在已完成浸没过程之后,最小化保持在衬底W表面上的液体的残余量是重要的。液体的残余液滴可能例如影响衬底W的热性质且由此减小产率。
如上文所描述的,衬底传递装置30的夹持器24可以在光刻设备内传递衬底W。例如,夹持器24可以用于将衬底W从热调节台移动至用于曝光的衬底台。在已执行曝光过程之后,同一夹持器24可以用于将衬底W从衬底台移动至另一部位。
图8以平面图示出固定至夹持器1201的衬底W。衬底W可以通过三个接合部分1202固定至夹持器1201。接合部分1202可以是衬底W与夹持器1201之间的仅有接触点。衬底W可以位于夹持器1201上方以使得接合部分1202接触衬底W的下表面。由于可能已对衬底W执行的浸没过程,诸如水滴之类的残余液体可能存在于衬底W的区中。特别地,残余液体可以存在于衬底W的边缘/周边区1203中。
可能经历的问题是衬底W上的残余液体被传递至夹持器1201。例如,虽然衬底W的边缘/周边区1203与夹持器1201之间可能不存在直接接触,但边缘/周边区1203中的液体可能从衬底W下落至夹持器1201上。可以接着将传递至夹持器1201的任何液体传递至固定至夹持器1201的另一衬底W上。因此,夹持器1201可能不期望地将液体从湿的离开的衬底W传递至先前干燥的进入的衬底W。这种液体传递可能导致来自进入的衬底W的产率减小。
实施例提供用于减少或基本上防止不同衬底W之间的液体传递的上述问题的技术。实施例提供衬底传递装置的夹持器的新设计。当液体从衬底W传递至夹持器时,保持在夹持器上的液体的量可以低于使用已知技术导致的液体的量。这可以减少或基本上防止夹持器将液体传递至另一衬底W。
图9A和图9B以平面图示出根据第一实施例的实施方案的夹持器1301的部分。
根据实施例的夹持器1301可以包括具有一个或更多个接合部分1302的主体,所述一个或更多个接合部分1302被配置成与衬底W的表面接合。夹持器1301可以包括三个接合部分,如针对图8中的夹持器1201所示出的。接合部分1302可以是衬底W与夹持器1301之间的仅有接触点。衬底W可以位于夹持器1301上方以使得接合部分1302接触衬底W的下表面。夹持器1301的上表面的部分可以是大致平坦的且平行于衬底W的下表面。如稍后参考图11A和图11B所解释的,夹持器1301的上表面可以通过间隙1501与衬底W的下表面分离。
如图9A和图9B中示出的,可以存在穿过夹持器1301的主体中的至少一部分的开口。夹持器1301的主体中的至少一部分可以包括以肋状结构布置的多个肋1303、1304。开口可以是肋1303与1304之间的间隙。开口可以在平行于衬底W的表面的方向上延伸穿过夹持器1301。
如果任何液体从衬底W下落至根据实施例的夹持器1301的肋状结构上,则液体中的一些或全部可以下落穿过夹持器1301中的开口而不下落至夹持器1301上。下落至肋1303、1304上的任何液体可以在肋上方流动,并且接着从夹持器1301下落。有利地,收集于夹持器1301的外表面上的液体量可以低于不包括开口的已知夹持器24、1201。
如图8中示出的,残余液体可以大部分存在于衬底W的边缘区1203处。实施例包括夹持器1301的与衬底W的边缘区1203叠置的部分,夹持器1301的与衬底W的边缘区1203叠置的部分为肋状结构。如图9A和图9B中示出的,夹持器1301的主体的其余部分可以与夹持器的已知设计大致相同。即,当衬底W固定至夹持器1301时,仅夹持器1301的与衬底W的边缘区1203叠置的部分可以包括开口。
肋1303、1304可以以骨架型或网状型结构布置。图9A和图9B示出根据实施例的肋1303、1304的不同布置。实施例包括肋1303、1304的任何布置。例如,肋1303、1304可以是不彼此接合或交叉的多个平行结构。肋1303、1304可以被布置成单个层。替代地,肋1301、1304可以布置成多个层。例如,可以存在如图9A中示出的肋1303、1304的两个布置,其中,所述布置中的一个设置于所述布置中的另一个上方。
肋1303、1304中的每个肋可以包括至少部分有涂层的外表面。实施例包括有涂层的肋1303、1304的所有外表面。涂层可以例如为疏水性的。替代地,涂层可以是亲水性的。
肋1304中的一些肋也可以是流体管道。即,肋1304包括用于支持穿过肋1304的流体流的通道类型结构。夹持器1301的主体可以包括一个或更多个其它流体管道1305。每个流体管道1305可以与接合部分1302中的一个或更多流体连通。作为肋状结构中的流体管道的每个肋1304可以与不为肋状结构的部分的流体管道1305流体流动。肋状结构也可以包括不是流体管道且仅提供结构支撑的一个或更多个肋1303。在图9A和图9B中示出的实施例中,中间肋1304为穿过肋状结构的主流体管道。中间肋1304可以是肋状结构中的唯一流体管道,并且其它肋1303可以仅提供结构支撑。中间肋1304的宽度/直径可以大于其它肋1303的宽度/直径。实施例也包括包含全部是流体管道的多个肋1304的夹持器1301。当所有肋1304为流体管道时,所有肋可以具有大致相同的尺寸和形状。
图10A和图10B示意性地示出根据实施例的穿过肋1303、1304的横截面。如图10A中示出的,实施例包括具有大致三角形横截面的肋1303、1304中的一个或更多个肋。如图10B中示出的,实施例也包括具有大致梯形横截面的肋1303、1304中的一个或更多个肋。位于肋1303、1304的每个外表面之间的拐角/边缘可以是倒圆角的。肋1303、1304的每个外表面可以是弯曲的。
如先前所描述的,夹持器1301可以包括一个或更多个接合部分1302。夹持器1301可以包括图8中示出的布置中的三个接合部分1302。每个接合部分1302可以包括夹持装置,诸如夹持垫或表面夹持垫。表面夹持垫可以是例如允许通过气压或由另一介质产生的压力来拉动或推动衬底W的涡流垫。用于夹持垫的空气或其它介质可以由夹持器1301的主体中的多个流体管道供应或排出。每个流体管道可以是真空管道。可以通过控制来自和/或到达接合部分1302的流体流来操作通过每个接合部分1302夹持和/或释放衬底W。
实施例也包括使用其它类型的表面夹持垫,诸如伯努利(Bernoulli)夹持垫或静电夹持垫。至少在使用静电夹持垫时,可以不存在至夹持器1301的主体中的接合部分1302的流体管道。然而,肋1303、1304中的一些肋可以包括用于将电源提供至静电夹持垫的一个或更多个电缆。
夹持垫可以是非接触式表面夹持垫,即,能够在表面夹持垫与衬底W之间不具有机械接触的情况下夹持衬底W;或接触式表面夹持垫,即,能够在表面夹持垫与衬底W之间具有机械接触的情况下夹持衬底W。涡流垫可以属于非接触式类型。
图11A和图11B以侧视图示意性地示出根据第二实施例的夹持器系统1300。
根据第二实施例的夹持器系统1300可以包括根据第一实施例的夹持器1301的实现方式中的任一实现方式。根据第二实施例的夹持器系统1300也可以包括抽吸模块1503。抽吸模块1503可以位于衬底输送装置框架1502中。抽吸模块1503可以位于夹持器1301的与衬底W相反的一侧上。
如图11A中示出的,衬底W可以位于夹持器1301上方以使得接合部分1302接触衬底W的下表面。夹持器1301的上表面的部分可以是大致平坦的,并且平行于衬底W的下表面。接合部分1302可以提供衬底W与夹持器1301之间的仅有接触点,使得夹持器1301的上表面的其它部分通过间隙1501与衬底W的下表面分离。
抽吸模块1503可以包括流体抽取管道1505。流体抽取管道1505的端部1504可以被配置成从夹持器1301的至少一部分的表面抽取流体。
抽吸模块1503可以在如图11B中示出的第一位置与如图11A中示出的第二位置之间移动。在第一位置处,抽吸模块1503的流体抽取管道1505的端部1504邻近夹持器1301的下表面。流体抽取管道1505的端部1504可以被布置成使得流体抽取管道1505的端部1504邻近夹持器1301的包括肋1303、1304的一部分。流体抽取管道1505的端部1504可以包括柔性部分,诸如橡胶部分,使得流体抽取管道1505的端部1504可以接触夹持器1301的下表面。流体抽取管道1505的端部1504可以被布置成抽取位于肋1303、1304的表面上的任何流体。流体抽取管道1505的端部1504也可以被布置成抽取位于衬底W的下表面上的任何流体。如针对第一实施例所解释的,当夹持器1301与衬底W接合时,夹持器1301的包括肋1303、1304的部分可以与衬底W的边缘区1203叠置。衬底W的边缘区1203可以是残余液体主要存在于的位置,并且是液滴最可能从衬底W下落的衬底W的部分。
在第二位置处,抽吸模块1503的流体抽取管道1505的端部1504比在第一位置处时更远离夹持器1301定位。在第二位置处,抽吸模块1503可以基本上缩回衬底输送装置框架1502内。当在第二位置处时,抽吸模块1503因此可以不干扰夹持器1301的移动或光刻设备的操作的任何其它方面。
在其上可能具有残余液体的衬底W已经固定至夹持器1301或从夹持器1301移除之后,抽吸模块1503可以从第二位置移动至第一位置。抽吸模块1503可以接着抽取位于肋1303、1304的表面和/或衬底W的下表面上的任何液体。抽吸模块1503可以接着从第一位置移动回至第二位置。
有利地,抽吸模块1503可以很大程度上移除位于肋1303、1304的表面和/或衬底W的下表面上的任何液体。通过移除从衬底W传递至夹持器1301的肋1303、1304的表面上的任何液体,液体将不传递至固定至夹持器1301的另一衬底W上。
实施例包括对以上所描述的技术的多种修改和变化。
特别地,穿过夹持器1301的开口不限于仅穿过夹持器1301的当衬底W固定至夹持器1301时与衬底W的边缘区1203叠置的部分。实施例包括夹持器1301的与衬底W的任何部分叠置的基本上所有部分都包括开口。开口可以在大致垂直于衬底W的平面的方向上延伸穿过夹持器1301。与衬底W的任何部分叠置的基本上所有的夹持器1301结构都可以包括以骨架型或网状型结构布置的肋1303、1304。在垂直于衬底W的平面的方向上,肋1303、1304可以布置成单个层或多个层。
实施例也包括包含开口的大致整个夹持器1301,整个夹持器1301包括夹持器1301的不与衬底W叠置的部分。开口可以在大致垂直于衬底W的平面的方向上延伸穿过夹持器1301。大致所有夹持器1301结构可以包括以骨架型或网状型结构布置的肋1303、1304。如先前所描述的,在垂直于衬底W的平面的方向上,肋1303、1304可以布置成单个层或多个层。
根据第一实施例的夹持器1301和/或根据第二实施例的夹持器系统1300可以形成衬底输送装置(图中未描绘)的一部分。衬底输送装置可以包括第二实施例的衬底输送装置框架1502。
实施例也包括一种光刻设备。光刻设备可以具有如上文所描述的光刻设备的其它特征或部件中的任一个/全部。例如,光刻设备可以可选地包括源SO、照射系统IL、投影系统PS、衬底台WT等中的至少一个或更多个。特别地,光刻设备可以包括配置成朝向衬底W的表面的区投影辐射束B的投影系统PS。光刻设备还可以包括夹持器1301和/或夹持器系统1300,如以上实施例和变化中的任一个中所描述的。
光刻设备可以包括致动器,所述致动器被配置成使衬底W相对于流体处理系统移动。因此,致动器可以用于控制衬底W的位置(或替代地,流体处理系统的位置)。致动器可以是或可以包括构造成保持衬底W的衬底台WT和/或衬底保持器,和/或配置成准确地定位衬底台WT的第二定位器PW。
虽然可以在本文中具体地参考在光刻设备的情境下的本发明的实施例,但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底W)或掩模(或其它图案形成装置)的对象的任何设备的部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用环境(非真空)条件。
虽然上文可能已对在光学光刻术的情境下使用本发明的实施例进行具体参考,但应了解,本发明在情境允许的情况下不限于光学光刻术。
如应了解的,上文所描述的特征中的任一特征可以与任何其它特征一起使用,并且本申请不仅涵盖明确描述的那些组合。
虽然可以在本文中具体地参考光刻设备在IC制造中的使用,但应理解,本文中所描述的光刻设备可以具有制造具有微米尺度或甚至纳米尺度的特征的部件的其它应用,诸如,制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
在情境允许的情况下,本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合实施。本发明的实施例也可以实施为储存在机器可读介质上的指令,所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈可以由机器(例如,计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如,机器可读介质可以包括只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁性储存介质;光学储存介质;闪存装置;电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如,载波、红外信号、数字信号等);等。另外,固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而,应了解,这样的描述仅出于方便起见,并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置所引起,并且在执行这种操作时可能造成致动器或其它装置与物理世界相互作用。
实施例包括以下编号的方面:
1.一种夹持器,所述夹持器被配置成在光刻设备中传送衬底,所述夹持器包括:主体,所述主体具有用于与所述衬底的表面接合的一个或更多个接合部分;其中,所述主体的在所述一个或更多个接合部分与衬底接合时与所述衬底的区叠置的部分包括多个开口,所述多个开口在大致垂直于所述衬底的所述表面的方向上延伸穿过所述主体。
2.根据方面1所述的夹持器,其中,所述主体的所述部分在所述一个或更多个接合部分与所述衬底接合时与所述衬底的边缘区叠置。
3.根据方面1或2的夹持器,其中,所述主体的与所述衬底的所述区叠置的所述部分包括多个肋;并且所述多个开口被布置在所述多个肋之间。
4.根据方面3所述的夹持器,其中,所述多个肋以骨架型结构布置。
5.根据方面3或4中任一项所述的夹持器,其中,所述多个肋中的一个或更多个肋包括至少部分有涂层的外表面。
6.根据方面5所述的夹持器,其中,涂层为疏水性或亲水性的。
7.根据方面3至6中任一项所述的夹持器,其中,所述多个肋中的一个或更多个肋包括弯曲的外表面。
8.根据方面3至7中任一项所述的夹持器,其中,所述多个肋中的一个或更多个肋包括位于其外表面之间的倒圆边缘。
9.根据任一前述方面所述的夹持器,其中,所述接合部分包括夹持垫,诸如涡流或静电夹持垫。
10.根据任一前述方面所述的夹持器,还包括所述主体中的一个或更多个管道,所述一个或更多个管道用于提供来自和/或到达所述接合部分中的每个接合部分的流体流,以便通过所述一个或更多个接合部分中的每个接合部分操作所述衬底的所述夹持和/或释放。
11.根据方面10所述的夹持器,其中,所述一个或更多个管道包括真空管道。
12.根据方面10或11的夹持器,其中,穿过所述一个或更多个管道的所述流体流为空气流。
13.根据方面10至12中任一项所述的夹持器,当从属于方面3时,其中,在所述主体的与所述衬底的所述区叠置的所述部分中,存在用于提供到达所述接合部分的相当大的流体流的主管道。
14.根据方面13所述的夹持器,其中,所述主管道的宽度/直径大于所述肋的宽度/直径。
15.根据从属于方面3时方面10至14中任一项所述的夹持器,其中,多个所述肋是用于流体的管道。
16.根据任一前述方面所述的夹持器,其中,当所述一个或更多个接合部分与所述衬底接合时,所述衬底位于所述夹持器上方。
17.根据任一前述方面所述的夹持器,其中,当所述一个或更多个接合部分与所述衬底接合时,在所述夹持器主体的与所述衬底的所述边缘区叠置的所述部分与所述衬底之间存在间隙。
18.一种夹持器系统,包括:根据任一前述方面所述的夹持器;和抽吸模块;其中所述抽吸模块包括配置成从所述夹持器的一部分的所述表面抽取流体的流体抽取管道。
19.根据方面18所述的夹持器系统,其中,当所述夹持器与衬底接合时,所述夹持器的所述部分与所述衬底的边缘区叠置。
20.根据方面18或19的夹持器系统,其中,当所述夹持器与所述衬底接合时,所述抽吸模块布置在所述夹持器的与所述衬底相反的一侧上。
21.根据方面18至20中任一项所述的夹持器系统,其中,所述抽吸模块被布置成在第一位置与第二位置之间移动;在所述第一位置处,所述抽吸模块的所述流体抽取管道的端部邻近所述夹持器且被布置成从所述夹持器的所述表面抽取流体;并且在所述第二位置处,所述抽吸模块的所述流体抽取管道的所述端部定位成比在所述第一位置处时更远离所述夹持器。
22.一种衬底输送装置,包括如方面18至21中任一项所述的夹持器系统。
23.一种光刻设备,包括根据方面22所述的衬底输送装置。
以上描述旨在是说明性的,而不是限制性的。因此,本领域技术人员将明白,可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对如所描述的本发明进行修改。
Claims (15)
1.一种夹持器,所述夹持器被配置成在光刻设备中传送衬底,所述夹持器包括:
主体,所述主体具有用于与所述衬底的表面接合的一个或更多个接合部分;
其中,所述主体的在所述一个或更多个接合部分与衬底接合时与所述衬底的区叠置的部分包括多个开口,所述多个开口在大致垂直于所述衬底的所述表面的方向上延伸穿过所述主体。
2.根据权利要求1所述的夹持器,其中,所述主体的所述部分在所述一个或更多个接合部分与所述衬底接合时与所述衬底的边缘区叠置,和/或其中,所述主体的与所述衬底的所述区叠置的所述部分包括多个肋,并且所述多个开口布置在所述多个肋之间。
3.根据权利要求2所述的夹持器,其中,所述肋以骨架型结构布置,和/或其中,所述多个肋中的一个或更多个肋包括至少部分有涂层的外表面,和/或其中,所述多个肋中的一个或更多个肋包括弯曲的外表面,和/或其中,所述多个肋中的一个或更多个肋包括位于其外表面之间的倒圆边缘。
4.根据权利要求3所述的夹持器,其中,涂层为疏水性或亲水性的。
5.根据任一前述权利要求所述的夹持器,其中,所述接合部分包括夹持垫,诸如涡流或静电夹持垫,和/或其中,当所述一个或更多个接合部分与所述衬底接合时,所述衬底位于所述夹持器上方,和/或其中,当所述一个或更多个接合部分与所述衬底接合时,在所述夹持器主体的与所述衬底的所述边缘区叠置的所述部分与所述衬底之间存在间隙。
6.根据任一前述权利要求所述的夹持器,还包括所述主体中的一个或更多个管道,所述一个或更多个管道用于提供来自和/或到达所述接合部分中的每个接合部分的流体流,以便通过所述一个或更多个接合部分中的每个接合部分操作对所述衬底的夹持和/或释放。
7.根据权利要求6所述的夹持器,其中,所述一个或更多个管道包括真空管道,和/或其中,穿过所述一个或更多个管道的所述流体流为空气流,和/或其中,穿过所述一个或更多个管道的所述流体流为空气流。
8.根据从属于权利要求2时的权利要求6或7所述的夹持器,其中,在所述主体的与所述衬底的所述区叠置的所述部分中,存在用于提供到达所述接合部分的相当大的流体流的主管道,和/或其中,多个所述肋是用于流体的管道,和/或其中,多个所述肋是用于流体的管道。
9.根据权利要求8所述的夹持器,其中,所述主管道的宽度/直径大于所述肋的宽度/直径。
10.一种夹持器系统,包括:
根据任一前述权利要求所述的夹持器;和
抽吸模块;
其中,所述抽吸模块包括被配置成从所述夹持器的一部分的所述表面抽取流体的流体抽取管道。
11.根据权利要求10所述的夹持器系统,其中,当所述夹持器与衬底接合时,所述夹持器的所述部分与所述衬底的边缘区叠置。
12.根据权利要求10或11所述的夹持器系统,其中,当所述夹持器与所述衬底接合时,所述抽吸模块布置在所述夹持器的与所述衬底相反的一侧上。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的夹持器系统,其中,所述抽吸模块被布置成在第一位置与第二位置之间移动;
在所述第一位置处,所述抽吸模块的所述流体抽取管道的端部邻近所述夹持器且被布置成从所述夹持器的所述表面抽取流体;以及
在所述第二位置处,所述抽吸模块的所述流体抽取管道的所述端部定位成比在所述第一位置处时更远离所述夹持器。
14.一种衬底输送装置,包括根据权利要求10至13中任一项所述的夹持器系统。
15.一种光刻设备,包括根据权利要求14所述的衬底输送装置。
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