KR20180067175A - 리소그래피 장치 - Google Patents

리소그래피 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180067175A
KR20180067175A KR1020160168635A KR20160168635A KR20180067175A KR 20180067175 A KR20180067175 A KR 20180067175A KR 1020160168635 A KR1020160168635 A KR 1020160168635A KR 20160168635 A KR20160168635 A KR 20160168635A KR 20180067175 A KR20180067175 A KR 20180067175A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
particles
chamber
conductor
electric field
Prior art date
Application number
KR1020160168635A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102612028B1 (ko
Inventor
김도형
김성수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020160168635A priority Critical patent/KR102612028B1/ko
Priority to US15/674,129 priority patent/US10338477B2/en
Priority to CN201711315833.7A priority patent/CN108227400B/zh
Publication of KR20180067175A publication Critical patent/KR20180067175A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102612028B1 publication Critical patent/KR102612028B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3007—Imagewise removal using liquid means combined with electrical means, e.g. force fields
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

전기력을 이용하여 입자성 오염으로부터 레티클 표면을 보호할 수 있는 리소그래피 장치를 제공하는 것이다. 상기 리소그래피 장치는 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면 상에 형성된 패턴 영역을 포함하는 레티클(reticle), 상기 레티클의 제2 면과 마주보고, 상기 레티클을 고정하는 레티클 스테이지, 및 상기 레티클에 입자(particle)의 흡착을 방지하도록 상기 레티클의 제1 면에 음의 전압을 공급하는 전원을 포함한다.

Description

리소그래피 장치{Lithography apparatus}
본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로, 극자외선광(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용한 리소그래피 장치에 관한 것이다.
EUV 리소그래피는 광학 리소그래피를 사용하여 얻을 수 있는 것보다 더 미세한 패턴 분해능을 제공하는 차세대 리소그래피의 후보로 현재 생각되고 있다. EUV 리소그래피를 이용하여 해상도를 증가시킬 수 있다는 기대는 광학 리소그래피가 150-250nm 범위의 파장을 사용하여 수행되는 반면, EUV 리소그래피는 11-15nm 범위의 파장을 사용하여 수행된다는 사실로부터 유래된다. 일반적으로, 리소그래피에서 패턴 이미징에 사용되는 빛의 파장이 짧아질수록, 얻을 수 있는 해상도가 더 미세해 질 수 있다.
EUV광은 대기에 의해 많이 감쇠되고, 현재 공지된 물질은 EUV 렌즈로서 사용하기 위해 EUV 광에 대해 적절하게 투과성 및 굴절성이 없다. 결과적으로, 레티클에 EUV광을 비추고, 레티클로부터 기판으로 조명된(illuminated) 패턴을 투영하기 위해, EUV 리소그래피는 반사 광학 거울을 사용하여 고진공 하에서 수행된다. EUV 리소그래피에 사용되는 레티클도 광학 마이크로 리소그래피에서 사용되는 투과성 레티클이 아닌 반사형 레티클이다.
광학 마이크로 리소그래피에서, 사용되는 동안의 레티클은 펠리클(pellicle)에 의해 입자성 오염으로부터의 보호된다. 펠리클은 레티클의 패터닝된 표면을 덮는 프레임상의 투과성 박막이다.
하지만, EUV 리소그래피에서, 펠리클은 레티클과 함께 사용될 수 없다. 펠리클은 레티클에 입사하는 EUV광을 흡수함으로써, 펠리클은 레티클에 입사되는 EUV광을 차단한다. 이로 인해, 패턴 이미지를 기판에 투영하기 위한 EUV광이 실질적으로 남지 않는다. 따라서, EUV 리소그래피의 레티클은 펠리클이 없는 상태에서 사용되어야 한다.
이로 인해, EUV 리소그래피의 레티클을 입자성 오염으로부터 효과적으로 보호할 수 있는 방법이 필요하다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 전기력을 이용하여 입자성 오염으로부터 레티클 표면을 보호할 수 있는 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 해결하려는 다른 과제는, 전기력을 이용하여 입자성 오염으로부터 레티클 표면을 보호할 수 있는 리소그래피 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 리소그래피 장치의 일 태양(aspect)은 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면 상에 형성된 패턴 영역을 포함하는 레티클(reticle); 상기 레티클의 제2 면과 마주보고, 상기 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 및 상기 레티클에 입자(particle)의 흡착을 방지하도록 상기 레티클의 제1 면에 음의 전압을 공급하는 전원을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 리소그래피 장치의 다른 태양은 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면 상에 형성된 패턴 영역을 포함하는 레티클; 상기 레티클의 제2 면과 마주보고, 상기 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 및 상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 입자의 이동 방향을 조절하도록 배열되고, 적어도 1개 이상의 도전체를 포함하는 전기장 커튼을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 리소그래피 장치의 또 다른 태양은 노광광을 제공하는 소오스; 상기 노광광을 반사하는 적어도 하나 이상의 조명계 반사 거울이 배치되는 제1 서브 챔버; 상기 제1 서브 챔버를 통과한 상기 노광광을 반사하는 레티클을 포함하는 레티클 스테이지 모듈; 반사된 상기 노광광을 웨이퍼로 투사하는 적어도 하나 이상의 투사 광학계 반사 거울이 배치되는 제2 서브 챔버; 및 상기 웨이퍼가 고정되는 웨이퍼 스테이지를 포함하고, 상기 레티클은 상기 노광광이 입사되는 제1 면과, 상기 제1 면 상의 패턴 영역을 포함하고, 상기 레티클에 입자의 흡착을 방지하도록 상기 레티클의 제1 면에 음의 전압이 인가된다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 리소그래피 장치의 또 다른 태양은 노광광을 제공하는 소오스; 상기 노광광을 반사하는 적어도 하나 이상의 조명계 반사 거울이 배치되는 제1 서브 챔버; 상기 반사 모듈을 통과한 상기 노광광을 반사하는 레티클을 포함하는 레티클 스테이지 모듈; 반사된 상기 노광광을 웨이퍼로 투사하는 적어도 하나 이상의 투사 광학계 반사 거울이 배치되는 제2 서브 챔버; 및 상기 웨이퍼가 고정되는 웨이퍼 스테이지를 포함하고, 상기 제1 서브 챔버 및 상기 제2 서브 챔버 중 적어도 하나는 챔버 내에 양의 전압이 인가되는 입자 포획 전극을 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 레티클이 레티클 스테이지의 고정(chucking)되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 레티클의 형상을 설명하기 위한 예시적인 도면들이다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 15은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 반사 거울의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서 언급되는 리소그래피 장치는 전기력을 이용하여 파티클이 레티클의 표면에 접근하는 것을 방지하는 것에 관한 것이다. 또한, 이하에서 언급되는 리소그래피 장치는 전기력을 이용하여 리소그래피 장치 내의 파티클을 포획하는 것에 관한 것이다.
이하의 설명은 리소그래피 장치는 레티클 스테이지(200)에 고정된 레티클(210)을 포함하는 것으로 설명하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 이하의 설명을 통해, 본 발명의 기술 분야에 속하는 통상의 기술자는 레티클과, 레티클이 분리된 리소그래피 장치를 구분하여 이해할 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2는 도 1의 레티클이 레티클 스테이지의 고정(chucking)되는 것을 설명하기 위한 도면이다. 도 3은 도 1의 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 4a 내지 도 4c는 도 1의 레티클의 형상을 설명하기 위한 예시적인 도면들이다.
먼저, 도 1 내지 도 4c를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치는 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110), 제2 서브 챔버(120), 레티클 스테이지 모듈(130), 레티클 스테이지 전원(300), 소오스(400), 조명계 반사 거울(501, 502), 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604) 및 웨이퍼 스테이지(700)을 포함할 수 있다.
메인 챔버(100)는, 제1 서브 챔버(110), 제2 서브 챔버(120), 레티클 스테이지 모듈(130), 조명계 반사 거울(501, 502), 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604), 웨이퍼 스테이지(700)를 포함하고 있다. 메인 챔버(100) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다.
제1 서브 챔버(110)는 메인 챔버(100) 내에 위치할 수 있다. 제1 서브 챔버(110) 내에 적어도 하나 이상의 조명계 반사 거울(501, 502)이 배치될 수 있다.
조명계 반사 거울(501, 502)에서 반사되어 제1 서브 챔버(110)를 통과한 노광광은, 레티클 스테이지(200)에 고정된 레티클(210)에 도달할 수 있다. 노광광의 반사 효율을 높이기 위하여, 제1 서브 챔버(110) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다.
제2 서브 챔버(120)는 메인 챔버(100) 내에 위치할 수 있다. 제2 서브 챔버(120) 내에 적어도 하나 이상의 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)이 배치될 수 있다.
레티클(210) 표면에서 반사된 노광광은, 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)에서 반사되어, 웨이퍼 스테이지(700) 상의 웨이퍼에 조사될 수 있다. 노광광의 반사 효율을 높이기 위하여, 제2 서브 챔버(120) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다.
레티클 스테이지 모듈(130)은 메인 챔버(100) 내에, 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 상에 위치할 수 있다. 레티클 스테이지 모듈(130)은 레티클 스테이지(200)와 레티클(210)과, 레티클 마스킹 블레이드(reticle masking blade)(205) 등을 포함할 수 있다.
레티클 스테이지(200)는 메인 챔버(100)의 상부에 위치할 수 있다. 레티클(210)은 레티클 스테이지(200) 상에 고정될 수 있다. 레티클 스테이지(200)는 스캐닝(scanning) 동작을 할 수 있다.
레티클(210)은 제1 서브 챔버(110)을 통과한 노광광을 제2 서브 챔버(120) 쪽으로 반사한다.
도 1, 도 4a 및 도 4c에서, 레티클(210)은 서로 마주보는 제1 면(210a)과 제2 면(210b)를 포함할 수 있다. 레티클(210)은 레티클의 제1 면(210a)에 상에 형성된 패턴 영역(215)을 포함할 수 있다.
제1 서브 챔버(110)를 통과한 노광광은 패턴 영역(215)이 형성된 레티클의 제1 면(210a)에 입사될 수 있다. 패턴 영역(215)은 소오스(400)에서 생성된 노광광을 흡수하는 물질을 포함할 수 있다.
이에 따라, 레티클의 제1 면(210a)에 입사된 노광광 중 패턴 영역(215)에 의해 흡수되지 않고 남은 노광광이 제2 서브 챔버(120) 내에 배치된 투사 광학계 반사 거울(601)로 입사될 수 있다.
또한, 레티클(210)은 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)과 레티클의 제2 면(210b)에 형성된 제2 레티클 도전막(212)를 포함할 수 있다. 레티클의 제1 면(210a)은 제1 레티클 도전막(211)에 의해 정의되고, 레티클의 제2 면(210b)은 제2 레티클 도전막(212)에 의해 정의될 수 있다.
예를 들어, 제1 레티클 도전막(211)은 루테늄(Ru)을 포함하고, 제2 레티클 도전막(212)은 크롬 질화물(CrN)을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
레티클 마스킹 블레이드(205)는 제1 및 제2 서브 챔버(110, 120)와 레티클 스테이지(200) 사이에 위치할 수 있다. 레티클 마스킹 블레이드(205)는 제1 서브 챔버(110) 및/또는 제2 서브 챔버(120)의 외부에 연결되어 있을 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
레티클 마스킹 블레이드(205)은 레티클의 제1 면(210a)에서 입사되는 노광광의 디멘전(dimension) 등을 조절할 수 있다.
레티클 스테이지 전원(300)은 레티클(210) 및 레티클 스테이지(200)에 전기적으로 연결된다.
도 2에서, 레티클 스테이지 전원(300)은 레티클 스테이지(200)에 제1 전압을 인가하고, 레티클(210)에 제1 전압과 부호가 다른 제2 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 전원(300)은 레티클의 제2 면(210b)에 형성된 제2 레티클 도전막(도 4a의 212)에 연결될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
레티클 스테이지 전원(300)이 레티클 스테이지(200) 및 레티클(210)에 연결됨으로써, 레티클 스테이지(200) 및 레티클(210) 사이에 정전력(electrostatic force)이 발생한다. 즉, 레티클(210)은 정전력에 의해 레티클 스테이지(200)에 고정될 수 있다.
레티클의 제2 면(210b)은 레티클 스테이지(200)와 마주보도록 배치한다. 이어서, 레티클 스테이지(200) 및 레티클의 제2 면(210b)에 레티클 스테이지 전원(300)을 연결하여, 레티클 스테이지(200) 및 레티클의 제2 면(210b)에 서로 반대 부호를 갖는 전압을 인가한다. 정전력에 의해, 레티클의 제2 면(210b)은 레티클 스테이지(200)에 고정될 수 있다.
일 예로, 리소그래피 공정이 진행되는 동안, 레티클 스테이지 전원(300)은 레티클 스테이지(200)에 양의 전압을 계속하여 공급하고, 레티클의 제2 면(210b)에 음의 전압을 계속하여 공급할 수 있다. 반대로, 레티클 스테이지 전원(300)은 레티클 스테이지(200)에 음의 전압을 계속하여 공급하고, 레티클의 제2 면(210b)에 양의 전압을 계속하여 공급할 수 있다. 즉, 레티클 스테이지(200)에 인가되는 전압의 극성 및 레티클(210)의 제2 면에 인가되는 전압의 극성은 일정하게 유지될 수 있다.
다른 예로, 리소그래피 공정이 진행되는 동안, 레티클 스테이지 전원(300)은 레티클 스테이지(200)에 양의 전압과 음의 전압을 교대로 공급하고, 레티클의 제2 면(210b)에 음의 전압과 양의 전압을 교대로 공급할 수 있다. 즉, 레티클 스테이지(200)에 인가되는 전압의 극성 및 레티클(210)의 제2 면에 인가되는 전압의 극성은 주기적으로 변할 수도 있다.
소오스(400)는 메인 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 소오스(400)은 리소그래피에 사용되는 노광광을 제공할 수 있다. 소오스(400)는 제1 서브 챔버(110) 내의 조명계 반사 거울(501, 502)에 노광광을 조사할 수 있다.
소오스(400)는, 예를 들어, 방전 생성 플라즈마(DPP) EUV 광원, 레이저 생성 플라즈마(LPP) EUV 광원, 하이브리드 EUV 광원, 싱크로트론(synchrotron) EUV 광원 등일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
반사 거울(501, 502, 601, 602, 603, 604)는 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 내에 위치할 수 있다. 반사 거울(501, 502, 601, 602, 603, 604)은, 소스(400)로부터 조사된 노광광이 거울의 반사면 상에 경사 입사각으로 입사하는 경사 입사 거울, 반사면이 다층막인 다중 다층 거울 등일 수 있다.
웨이퍼 상에 미세한 패턴을 전사하기 위해, 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)는 고해상도를 가질 수 있다. 반사 거울(501, 502, 601, 602, 603, 604)의 개수는, 예를 들어, 6개일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
웨이퍼 스테이지(700)는 메인 챔버(100) 내의 하부에 위치할 수 있다. 웨이퍼 스테이지(700) 상에 웨이퍼가 고정될 수 있다.
웨이퍼 스테이지(700)는 미세 정렬을 위한 이동이 가능할 수 있다. 또한, 웨이퍼 스테이지(700)는 리소그래피 공정을 위해 특정한 방향으로 이동이 가능할 수 있다.
도 3 내지 도 4c를 이용하여, 레티클(210)의 표면에 입자(50)들이 흡착되는 것을 방지하여, 레티클(210)을 보호하는 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 패턴 영역(215)이 형성된 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가될 수 있다. 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압을 인가함으로써, 레티클(210)에 입자가 흡착되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)에 음의 전압을 인가할 경우, 레티클의 제1 면(210a)은 음의 전압을 갖게 될 수 있다. 제1 레티클 도전막(211)은 음의 전압을 공급할 수 있는 제1 음의 전압원(negative voltage source 1)과 연결될 수 있다.
제1 음의 전압원(negative voltage source 1)은 레티클 스테이지 전원(300)일 수도 있고, 별도의 전압원일 수도 있다.
도 4a 내지 도 4c에서, 제1 음의 전압원(negative voltage source 1)은 레티클 스테이지 전원(300)인 것으로 설명한다.
도 4a에서, 레티클(210)은 제1 레티클 도전막(211)과 제2 레티클 도전막(212)을 전기적으로 연결하는 레티클 비아(213)을 포함할 수 있다. 레티클 비아(213)는 레티클(210)을 관통하여 형성될 수 있다.
레티클 스테이지 전원(300)이 제2 레티클 도전막(212)에 음의 전압을 인가하면, 레티클 비아(213)를 통해 제2 레티클 도전막(212)과 연결된 제1 레티클 도전막(211)은 음의 전압을 갖게 된다. 즉, 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가된다.
도 4b에서, 레티클(210)은 제1 레티클 도전막(211)과 제2 레티클 도전막(212)을 전기적으로 연결하는 측벽 도전막(214)을 포함할 수 있다. 측벽 도전막(214)은 레티클의 제1 면(210a)과 레티클의 제2 면(210b)을 연결하는 측벽을 따라 형성될 수 있다.
레티클 스테이지 전원(300)이 제2 레티클 도전막(212)에 음의 전압을 인가하면, 측벽 도전막(214)을 통해 제2 레티클 도전막(212)과 연결된 제1 레티클 도전막(211)은 음의 전압을 갖게 된다. 즉, 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가된다.
도 4c에서, 레티클(210)은 패턴 영역(215)의 주변에 형성된 접속 패드(216)을 포함할 수 있다. 접속 패드(216)은 레티클(210)의 가장자리 부근에 형성될 수 있다. 접속 패드(216)은 제1 레티클 도전막(211) 상에 형성되고, 제1 레티클 도전막(211)과 전기적으로 연결된다.
레티클 스테이지 전원(300)은 접속 패드(216)와 연결되어, 제1 레티클 도전막(211)에 음의 전압을 인가할 수 있다. 즉, 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가된다.
도 4a 및 도 4b에서, 제1 레티클 도전막(211)은 제2 레티클 도전막(212)을 통해 음의 전압을 공급하는 레티클 스테이지 전원(300)과 연결되게 된다. 반면, 도 4c에서, 제1 레티클 도전막(211)은 제2 레티클 도전막(212)을 경유하지 않고, 레티클 스테이지 전원(300)과 연결될 수 있다.
리소그래피 공정이 진행되는 동안, 레티클 스테이지 전원(300)이 제2 레티클 도전막(212)에 음의 전압을 계속하여 공급할 경우, 도 4a 내지 도 4c에서 설명한 예시적인 레티클이 사용될 수 있다.
한편, 리소그래피 공정이 진행되는 동안, 레티클 스테이지 전원(300)이 제2 레티클 도전막(212)에 음의 전압과 양의 전압을 교대로 공급할 경우, 도 4a 및 도 4b에서 설명한 레티클의 제1 면(210a)에도 음의 전압과 양의 전압이 교대로 인가된다.
따라서, 레티클 스테이지 전원(300)이 제2 레티클 도전막(212)에 음의 전압과 양의 전압을 교대로 공급할 경우, 레티클의 제1 면(210a)에도 음의 전압이 계속하여 인가될 수 있도록 제2 레티클 도전막(212)의 형상 등을 조절할 필요가 있다.
도 4c에서 설명한 레티클의 제1 면(210a)에 인가되는 전압은 레티클의 제2 면(210b)에 인가되는 전압과 무관할 수 있다. 제1 레티클 도전막(211)은 제2 레티클 도전막(212)을 경유하지 않고, 레티클 스테이지 전원(300)과 연결될 수 있기 때문이다.
도 4a 내지 4c는 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압을 인가하기 위한 레티클(210)의 예시적인 형상일 뿐이므로, 이에 제한되지 않는다.
다음으로, 리소그래피 장치 내부에 존재하는 입자(50)들이 갖는 전하에 대해서 설명한다.
소오스(400)의 내부는 EUV광의 전달 및 콜렉터(collector)의 오염 방지를 위해 수소의 흐름이 존재한다. 또한, EUV광이 생성되는 과정은 고출력의 pulse 레이저가 예를 들어, 주석(Sn) 입자를 때리면서 발생된 플라즈마를 이용할 수 있다.
즉, 소오스(400) 및 메인 챔버(100) 내부의 수소는 상술한 과정에서 이온화한 상태로 존재할 가능성이 높다. 이로 인해, 메인 챔버(100) 내부는 수소에서 해리된 많은 양의 전자가 존재할 수 있다.
따라서, 메인 챔버(100) 내부의 전자가 입자(50)들에 붙을 경우, 입자(50)들은 음의 전하를 띌 수 있다. 레티클(210) 주변 및 레티클의 제1 면(210a) 상의 입자(50)들도 음의 전하를 띌 가능성이 높다.
결과적으로, 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가되면, 레티클(210) 주변 및 레티클의 제1 면(210a) 상의 음의 전하를 갖는 입자(50)들과 레티클(210) 사이에는 척력이 작용되게 된다.
이로 인해, 레티클(210) 주변 및 레티클의 제1 면(210a) 상의 음의 전하를 갖는 입자(50)들은 레티클의 제1 면(210a)에서 멀어지는 방향으로 이동하게 된다.
따라서, 레티클(210)의 표면에 입자(50)들이 흡착되는 것을 방지함으로써, 레티클(210)의 표면은 메인 챔버(100) 내의 입자(50)들로부터 보호될 수 있다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4c를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 5를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 레티클 스테이지 모듈(130)은 전자 공급기(220)를 더 포함할 수 있다.
전자 공급기(220)는 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)에 전자(221)를 공급하도록 배열될 수 있다.
메인 챔버(100) 내의 입자(50)는 수소 플라즈마의 영향을 받아 음의 전하를 띄는 입자와, 중성인 입자와, 양의 전하를 띄는 입자들이 섞여서 존재할 수도 있다.
이와 같은 경우, 음의 전하를 띄는 입자는 레티클의 제1 면(210a)에 인가된 음의 전압에 의한 전기력의 영향을 받아, 레티클(210)에서 멀어지는 방향으로 이동할 수 있다. 하지만, 중성인 입자 또는 양의 전하를 띄는 입자는 레티클(210)에서 멀어지는 방향으로 이동하지 않을 수 있다.
따라서, 전자 공급기(220)을 이용하여, 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)들에 전자(221)를 공급함으로써, 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)들은 음의 전하로 대전될 수 있다.
전자 공급기(220)를 이용하여, 음의 전하로 대전된 레티클(210) 주변 및 레티클의 제1 면(210a) 상의 입자(50)들도 레티클의 제1 면(210a)에서 멀어지는 방향으로 이동하게 된다.
전자 공급기(220)는 제1 전압원(voltage source 1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전압원(voltage source 1)은 레티클 스테이지 전원(300)일 수도 있고, 별도의 전압원일 수도 있다.
도 5에서, 전자 공급기(220)는 레티클 스테이지(200)와 레티클 마스킹 블레이드(205) 사이에 배치되는 것으로 도시하였지만, 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 7은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4c를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 6 내지 도 8을 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 레티클 스테이지 모듈(130)은 레티클(210)과 연결된 전기장 커튼(230)을 더 포함할 수 있다.
전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)들의 이동 방향을 조절하도록 배열될 수 있다.
예를 들어, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a)보다 위로 돌출된 적어도 1개 이상의 도전체(231,232)를 포함할 수 있다.
도 6 내지 도 8에서, 전기장 커튼(230)은 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)를 포함하는 것으로 도시하였지만, 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 6에서, 전기장 커튼(230)은 제2 음의 전압원(negative voltage source 2)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)는 각각 제2 음의 전압원(negative voltage source 2)에 연결될 수 있다.
제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)에 음의 전압이 인가됨으로써, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들에 척력을 작용시킬 수 있다. 즉, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들을 레티클(210)에서 멀어지게 할 수 있다.
이를 통해, 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들은 레티클의 제1 면(210a)에서 멀어지는 방향으로 이동하게 된다.
제2 음의 전압원(negative voltage source 2)은 레티클 스테이지 전원(300)일 수도 있고, 별도의 전압원일 수도 있다. 또한, 제2 음의 전압원(negative voltage source 2)은 레티클의 제1 면(210a)과 연결된 제1 음의 전압원(negative voltage source 1)일 수도 있고, 아닐 수도 있다.
제2 음의 전압원(negative voltage source 2)이 제1 음의 전압원(negative voltage source 1)일 경우, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)은 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 음의 전압원(negative voltage source 2)이 레티클 스테이지 전원(300)이거나 별도의 전압원일 경우, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)은 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)과 전기적으로 연결될 수도 있고, 전기적으로 분리될 수도 있다.
도 7에서, 전기장 커튼(230)은 제1 양의 전압원(positive voltage source 1)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)는 각각 제1 양의 전압원(positive voltage source 1)에 연결될 수 있다.
제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)에 양의 전압이 인가됨으로써, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들에 인력을 작용시킬 수 있다.
레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들이 레티클(50)에 도달 또는 접근하기 전에, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들을 끌어 당기게 된다.
음의 전하로 대전된 입자(50)들이 레티클의 제1 면(210a)에 도달하기 전에, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 음의 전하를 갖는 입자(50)들을 포획할 수 있다.
이를 통해, 레티클(210)의 표면은 메인 챔버(100) 내의 입자(50)들로부터 보호될 수 있다.
제1 양의 전압원(positive voltage source 1)은 레티클 스테이지 전원(300)일 수도 있고, 별도의 전압원일 수도 있다. 전기장 커튼(230)에 양의 전압이 인가되므로, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)은 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)과 전기적으로 분리된다.
도 8에서, 전기장 커튼(230)은 제2 양의 전압원(positive voltage source 2)와, 제3 음의 전압원(negative voltage source 3)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)는 제2 양의 전압원(positive voltage source 2)에 연결되고, 제2 커튼 도전체(232)는 제3 음의 전압원(negative voltage source 3)에 연결될 수 있다.
제1 커튼 도전체(231) 및 제2 커튼 도전체(232)에 서로 다른 부호의 전압이 인가됨으로써, 전기장 커튼(230)은 음의 전하를 갖는 입자(50)들을 제2 커튼 도전체(232)에서 제1 커튼 도전체(231) 방향으로 이동시킬 수 있다.
즉, 전기장 커튼(230)에 의해, 음의 전하를 갖는 입자(50)들이 레티클의 제1 면(210a)과 나란한 방향으로 이동됨으로써, 레티클(210)의 표면은 메인 챔버(100) 내의 입자(50)들로부터 보호될 수 있다.
제2 양의 전압원(positive voltage source 2)와, 제3 음의 전압원(negative voltage source 3)은 하나의 전압원에서 나오는 양의 단자 및 음의 단자일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 양의 전압원(positive voltage source 2)와, 제3 음의 전압원(negative voltage source 3)은 레티클 스테이지 전원(300)에 포함될 수도 있고, 별도의 전압원에 포함될 수도 있다.
양의 전압이 인가되는 제1 커튼 도전체(231)은 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)과 전기적으로 분리된다. 하지만, 음의 전압이 인가되는 제2 커튼 도전체(232)는 제1 레티클 도전막(211)과 전기적으로 연결될 수도 있고, 전기적으로 분리될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4c를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 9를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 레티클 스테이지 모듈(130)은 레티클 스테이지(200)와 연결된 전기장 커튼(230)을 더 포함할 수 있다.
전기장 커튼(230)은 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)들의 이동 방향을 조절하도록 배열될 수 있다.
예를 들어, 전기장 커튼(230)은 레티클의 제2 면(210b)과 마주보는 레티클 스테이지(200)의 일면보다 위로 돌출된 적어도 1개 이상의 도전체(231,232)를 포함할 수 있다.
도 9에서, 전기장 커튼(230)은 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)를 포함하는 것으로 도시하였지만, 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
전기장 커튼(230)은 제2 전압원(voltage source 2)와, 제3 전압원(voltage source 3)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)는 제2 전압원(voltage source 2)에 연결되고, 제2 커튼 도전체(232)는 제3 전압원(voltage source 3)에 연결될 수 있다.
일 예로, 제2 전압원(voltage source 2)과, 제3 전압원(voltage source 3)은 모두 음의 전압원일 수 있다. 이에 관한 설명은 도 6의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
다른 예로, 제2 전압원(voltage source 2)과, 제3 전압원(voltage source 3)은 모두 양의 전압원일 수 있다. 이에 관한 설명은 도 7의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
또 다른 예로, 제2 전압원(voltage source 2)은 양의 전압원이고, 제3 전압원(voltage source 3)은 음의 전압원일 수 있다. 이에 관한 설명은 도 8의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 11은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 12는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 13은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4c을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 10 내지 도 13을 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 패턴 영역(215)이 형성된 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가되지 않는다. 또한, 레티클 스테이지 모듈(130)은 전기장 커튼(230)을 더 포함할 수 있다.
즉, 레티클의 제1 면(210a)에 형성된 제1 레티클 도전막(211)은 전압원이 연결되지 않은 상태일 수 있다. 따라서, 레티클의 제1 면(210a)은 전압이 인가되지 않은 상태를 유지할 수 있다.
도 10 내지 도 12에서, 전기장 커튼(230)은 레티클(210)과 연결되고, 레티클의 제1 면(210a)보다 위로 돌출된 적어도 1개 이상의 도전체(231,232)를 포함할 수 있다.
도 10에서, 전기장 커튼(230)은 제2 음의 전압원(negative voltage source 2)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)는 각각 제2 음의 전압원(negative voltage source 2)에 연결될 수 있다. 이에 관한 설명은 도 6의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
도 11에서, 전기장 커튼(230)은 제1 양의 전압원(positive voltage source 1)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)과, 제2 커튼 도전체(232)는 각각 제1 양의 전압원(positive voltage source 1)에 연결될 수 있다. 이에 관한 설명은 도 7의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
도 12에서, 전기장 커튼(230)은 제2 양의 전압원(positive voltage source 2)와, 제3 음의 전압원(negative voltage source 3)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)는 제2 양의 전압원(positive voltage source 2)에 연결되고, 제2 커튼 도전체(232)는 제3 음의 전압원(negative voltage source 3)에 연결될 수 있다. 이에 관한 설명은 도 8의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
도 13에서, 전기장 커튼(230)은 레티클 스테이지(200)와 연결될 수 있다. 전기장 커튼(230)은 레티클의 제2 면(210b)과 마주보는 레티클 스테이지(200)의 일면보다 위로 돌출된 적어도 1개 이상의 도전체(231,232)를 포함할 수 있다.
전기장 커튼(230)은 제2 전압원(voltage source 2)와, 제3 전압원(voltage source 3)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 커튼 도전체(231)는 제2 전압원(voltage source 2)에 연결되고, 제2 커튼 도전체(232)는 제3 전압원(voltage source 3)에 연결될 수 있다.
일 예로, 제2 전압원(voltage source 2)과, 제3 전압원(voltage source 3)은 모두 음의 전압원일 수 있다. 다른 예로, 제2 전압원(voltage source 2)과, 제3 전압원(voltage source 3)은 모두 양의 전압원일 수 있다. 또 다른 예로, 제2 전압원(voltage source 2)은 양의 전압원이고, 제3 전압원(voltage source 3)은 음의 전압원일 수 있다. 각각의 예에 관한 설명은 도 6 내지 도 8의 설명과 유사할 수 있으므로, 생략한다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 레티클 스테이지 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 10을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 레티클 스테이지 모듈(130)은 전자 공급기(220)를 더 포함할 수 있다.
전자 공급기(220)는 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)에 전자(221)를 공급하도록 배열될 수 있다. 좀 더 구체적으로, 전자 공급기(220)은 전기장 커튼(230)에 진입하기 전의 입자(50)들에 전자(221)를 공급하도록 배열될 수 있다.
전자 공급기(220)을 이용하여, 레티클의 제1 면(210a) 상 또는 레티클(210) 주변의 입자(50)들에 전자(221)를 공급함으로써, 전기장 커튼(230)에 진입하기 전의 입자(50)들은 음의 전하로 대전될 수 있다.
전자 공급기(220)를 이용하여, 음의 전하로 대전된 입자(50)들은 전기장 커튼(230)에 의해 이동 방향이 조절될 수 있다.
도 14에서, 전자 공급기(220)는 전기장 커튼(230)과 레티클 마스킹 블레이드(205) 사이에 배치되는 것으로 도시하였지만, 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 15은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4c를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 15를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치는 제1 입자 포획 전극(101)과, 제2 입자 포획 전극(111)과, 제3 입자 포획 전극(121)을 더 포함할 수 있다.
메인 챔버(100)는 메인 챔버(100) 내에 배치되는 제1 입자 포획 전극(101)을 포함할 수 있다. 제1 입자 포획 전극(101)에는 양의 전압이 인가될 수 있다. 제1 입자 포획 전극(101)은 메인 챔버(100) 내의 부유 입자 중 음의 전하를 갖는 입자들을 포획할 수 있다.
제1 서브 챔버(110)는 제1 서브 챔버(110) 내에 배치되는 제2 입자 포획 전극(111)을 포함할 수 있다. 제2 입자 포획 전극(111)에는 양의 전압이 인가될 수 있다. 제2 입자 포획 전극(111)은 제1 서브 챔버(110) 내의 부유 입자 중 음의 전하를 갖는 입자들을 포획할 수 있다.
제2 서브 챔버(120)는 제2 서브 챔버(120) 내에 배치되는 제3 입자 포획 전극(121)을 포함할 수 있다. 제3 입자 포획 전극(121)에는 양의 전압이 인가될 수 있다. 제3 입자 포획 전극(121)은 제2 서브 챔버(120) 내의 부유 입자 중 음의 전하를 갖는 입자들을 포획할 수 있다.
제1 내지 제3 입자 포획 전극(101, 111, 121)은 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 내의 입자를 포획함으로써, 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 내의 부유 입자들이 이동하지 못하게 할 수 있다.
도 15에서, 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120)에 각각 제1 내지 제3 입자 포획 전극(101, 111, 121)이 형성되는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
즉, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 중 적어도 하나는 챔버 내에 양의 전압이 인가되는 입자 포획 전극을 포함할 수 있다.
도 15에서, 제1 내지 제3 입자 포획 전극(101, 111, 121)은 각각 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 내에 두 개가 형성되는 것으로 도시하였지만, 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 15에서, 제1 내지 제3 입자 포획 전극(101, 111, 121)은 챔버 벽으로부터 돌출된 막대기 모양인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
덧붙여, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치가 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 중 적어도 하나는 챔버 내에 양의 전압이 인가되는 입자 포획 전극을 포함할 경우, 레티클의 제1 면(도 3의 210a)에 음의 전압이 인가되지 않을 수도 있다.
또한, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치가 메인 챔버(100), 제1 서브 챔버(110) 및 제2 서브 챔버(120) 중 적어도 하나는 챔버 내에 양의 전압이 인가되는 입자 포획 전극을 포함할 경우, 레티클 스테이지 모듈(130)은 전자 공급기(220) 또는 전기장 커튼(230) 등을 포함하지 않을 수 있다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치 중 반사 거울의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
참고적으로, 도 16a는 조명계 반사 거울 중 하나를 예시적으로 나타낸 것이고, 도 16b는 투사 광학계 반사 거울 중 하나를 예시적으로 나타낸 것일 수 있다.
도 16a를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 조명계 반사 거울(501)은 제1 반사 금속막(501a)와, 제1 거울 전극(501c)과, 제1 반사 금속막(501a) 및 제1 거울 전극(501c) 사이의 제1 거울 절연막(501b)을 포함할 수 있다.
제1 반사 금속막(501a)은 조명계 반사 거울(501)에 입사되는 노광광을 반사시킬 수 있다.
제1 거울 전극(501c)은 제1 반사 금속막(501a)을 따라 형성될 수 있다. 제1 거울 전극(501c)는 제1 반사 금속막(501a)과 전기적으로 분리된다.
제1 거울 절연막(501b)은 제1 거울 전극(501c)과 제1 반사 금속막(501a)을 전기적으로 분리시킬 수 있다.
제1 거울 전극(501c)과 제1 반사 금속막(501a)은 서로 다른 극성의 전압이 연결될 수 있다. 즉, 제1 반사 금속막(501a)에 양의 전압이 연결되면, 제1 거울 전극(501c)에 음의 전압이 연결될 수 있다. 상술한 것과 반대일 수 있음은 물론이다.
조명계 반사 거울(501)도 소모품이므로, 리소그래피 장치의 작동 중 조명계 반사 거울(501)의 제1 반사 금속막(501a)의 일부가 벗겨질 수 있다. 이와 같이 벗겨진 금속막이 조명계 반사 거울(501)의 제1 반사 금속막(501a) 상에 있을 경우, 반사되는 노광광에 왜곡이 발생할 수 있다.
하지만, 제1 거울 전극(501c)과 제1 반사 금속막(501a)은 서로 다른 극성의 전압이 연결되어 있을 경우, 벗겨진 제1 반사 금속막(501a)의 일부는 제1 거울 전극(501c)쪽으로 이동할 수 있다. 이를 통해, 반사되는 노광광에 왜곡을 경감시킬 수 있다.
도 16b를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 장치에서, 투사 광학계 반사 거울(601)은 제2 반사 금속막(601a)와, 제2 거울 전극(601c)과, 제2 반사 금속막(601a) 및 제2 거울 전극(601c) 사이의 제2 거울 절연막(601b)을 포함할 수 있다.
제2 반사 금속막(601a)은 투사 광학계 반사 거울(601)에 입사되는 노광광을 반사시킬 수 있다.
제2 거울 전극(601c)은 제2 반사 금속막(601a)을 따라 형성될 수 있다. 제2 거울 전극(601c)는 제2 반사 금속막(601a)과 전기적으로 분리된다.
제2 거울 절연막(601b)은 제2 거울 전극(601c)과 제2 반사 금속막(601a)을 전기적으로 분리시킬 수 있다.
제2 거울 전극(601c)과 제2 반사 금속막(601a)은 서로 다른 극성의 전압이 연결될 수 있다. 즉, 제2 반사 금속막(601a)에 양의 전압이 연결되면, 제2 거울 전극(601c)에 음의 전압이 연결될 수 있다. 상술한 것과 반대일 수 있음은 물론이다.
투사 광학계 반사 거울(601)도 소모품이므로, 리소그래피 장치의 작동 중 투사 광학계 반사 거울(601)의 제2 반사 금속막(601a)의 일부가 벗겨질 수 있다. 이와 같이 벗겨진 금속막이 투사 광학계 반사 거울(601)에 있을 경우, 반사되는 노광광에 왜곡이 발생할 수 있다.
하지만, 제2 거울 전극(601c)과 제2 반사 금속막(601a)은 서로 다른 극성의 전압이 연결되어 있을 경우, 벗겨진 제2 반사 금속막(601a)의 일부는 제2 거울 전극(601c)쪽으로 이동할 수 있다.
도 1 내지 도 15를 이용하여 설명한 리소그래피 장치에 포함된 조명 광학계 반사 거울(501, 502) 및 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)는 도 16a 및 도 16b에서 설명한 형상을 가질 수도 있고, 갖지 않을 수도 있다.
도 16a 및 도 16b에서 설명한 형상을 갖지 않을 경우, 도 1 내지 도 15를 이용하여 설명한 리소그래피 장치에 포함된 조명 광학계 반사 거울(501, 502) 및 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)은 제1 거울 전극(501c) 및 제2 거울 전극(601c)을 포함하지 않는다. 즉, 조명 광학계 반사 거울(501, 502) 및 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)에 전압원이 연결되지 않을 수 있다.
또한, 조명 광학계 반사 거울(501, 502) 및 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)은 제1 거울 절연막(501b) 및 제1 거울 절연막(601b)도 포함하지 않을 수 있다.
도 17은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 리소그래피 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 17을 참고하면, 레티클(210)은 레티클 핸들러(800)에 의해, 로봇 챔버(900)를 거쳐 레티클 스테이지(200)로 이동될 수 있다. 레티클(210)은 레티클 스테이지(200)에 고정된다.
레티클 핸들러 챔버(810) 및 로봇 챔버(900)는 진공 상태로 유지될 수 있다.
레티클(210)이 레티클 스테이지(200)에 고정될 때, 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가될 수 있다. 또는, 레티클(210)이 레티클 스테이지(200)에 고정된 후, 레티클의 제1 면(210a)에 음의 전압이 인가될 수 있다.
소오스(400)는 제1 서브 챔버(110) 내의 반사 거울(501)에 노광광을 조사한다. 소오스(400)는, 예를 들어, 방전 생성 플라즈마(DPP) EUV 광원, 레이저 생성 플라즈마(LPP) EUV 광원, 하이브리드 EUV 광원, 싱크로트론(synchrotron) EUV 광원 등일 수 있다.
노광광은 제1 서브 챔버(110) 내의 다수의 조명계 반사 거울(501, 502)에서 반사되어, 레티클(210) 표면, 즉 레티클의 제1 면(210a)에 도달한다. 레티클(210) 표면에서 반사된 노광광은, 제2 서브 챔버(120) 내의 다수의 투사 광학계 반사 거울(601, 602, 603, 604)에서 반사되어 웨이퍼에 조사된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 메인 챔버 110: 제1 서브 챔버
120: 제2 서브 챔버 101, 111, 121: 입자 포획 전극
130: 레티클 스테이지 모듈 200: 레티클 스테이지
210: 레티클 220: 전자 공급기
230: 전기장 커튼 300: 레티클 스테이지 전원
400: 소오스 501, 502: 조명계 반사 거울
700: 웨이퍼 스테이지 800: 레티클 핸들러
810: 레티클 핸들러 챔버 900: 로봇 챔버
502, 503, 504, 600: 투사 광학계 반사 거울

Claims (20)

  1. 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면 상에 형성된 패턴 영역을 포함하는 레티클(reticle);
    상기 레티클의 제2 면과 마주보고, 상기 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 및
    상기 레티클에 입자(particle)의 흡착을 방지하도록 상기 레티클의 제1 면에 음의 전압을 공급하는 전원을 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 상기 입자에 전자를 공급하도록 배열된 전자 공급기를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 상기 입자의 이동 방향을 조절하도록 배열된 전기장 커튼을 더 포함하고,
    상기 전기장 커튼은 적어도 1개 이상의 도전체를 포함하는 리소그래피 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 도전체에 음의 전압이 인가되고,
    상기 전기장 커튼은 상기 입자에 척력을 작용시켜, 상기 입자가 상기 레티클에서 멀어지도록 하는 리소그래피 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 도전체에 양의 전압이 인가되고,
    상기 전기장 커튼은 상기 입자에 인력을 작용시켜, 상기 레티클에 도달하기 전에 상기 입자를 포획하는 리소그래피 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 전기장 커튼은 음의 전압이 인가되는 제1 도전체와, 양의 전압이 인가되는 제2 도전체를 포함하고,
    상기 전기장 커튼은 상기 입자를 제1 도전체에서 상기 제2 도전체 방향으로 이동시키는 리소그래피 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 도전체는 상기 레티클과 연결되는 리소그래피 장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 도전체는 상기 레티클 스테이지와 연결되는 리소그래피 장치.
  9. 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면 상에 형성된 패턴 영역을 포함하는 레티클;
    상기 레티클의 제2 면과 마주보고, 상기 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 및
    상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 입자의 이동 방향을 조절하도록 배열되고, 적어도 1개 이상의 도전체를 포함하는 전기장 커튼을 포함하는 리소그래피 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 상기 입자에 전자를 공급하도록 배열된 전자 공급기를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 레티클의 제1 면에 음의 전압이 인가되는 리소그래피 장치.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 도전체에 음의 전압이 인가되고,
    상기 전기장 커튼은 상기 입자에 척력을 작용시켜, 상기 입자가 상기 레티클에서 멀어지도록 하는 리소그래피 장치.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 도전체에 양의 전압이 인가되고,
    상기 전기장 커튼은 상기 입자에 인력을 작용시켜, 상기 레티클에 도달하기 전에 상기 입자를 포획하는 리소그래피 장치.
  14. 제9 항에 있어서,
    상기 전기장 커튼은 음의 전압이 공급되는 제1 도전체와, 양의 전압이 공급되는 제2 도전체를 포함하고,
    상기 전기장 커튼은 상기 입자를 제1 도전체에서 상기 제2 도전체 방향으로 이동시키는 리소그래피 장치.
  15. 노광광을 제공하는 소오스;
    상기 노광광을 반사하는 적어도 하나 이상의 조명계 반사 거울이 배치되는 제1 서브 챔버;
    상기 제1 서브 챔버를 통과한 상기 노광광을 반사하는 레티클을 포함하는 레티클 스테이지 모듈;
    반사된 상기 노광광을 웨이퍼로 투사하는 적어도 하나 이상의 투사 광학계 반사 거울이 배치되는 제2 서브 챔버; 및
    상기 웨이퍼가 고정되는 웨이퍼 스테이지를 포함하고,
    상기 레티클은 상기 노광광이 입사되는 제1 면과, 상기 제1 면 상의 패턴 영역을 포함하고,
    상기 레티클에 입자의 흡착을 방지하도록 상기 레티클의 제1 면에 음의 전압이 인가되는 리소그래피 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지 모듈은 상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 상기 입자에 전자를 공급하도록 배열된 전자 공급기를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지 모듈은 상기 레티클의 제1 면 상 또는 상기 레티클 주변의 상기 입자의 이동 방향을 조절하도록 배열된 전기장 커튼을 더 포함하고,
    상기 전기장 커튼은 적어도 1개 이상의 도전체를 포함하는 리소그래피 장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 서브 챔버는 상기 제2 서브 챔버 내에 양의 전압이 인가되는 입자 포획 전극을 더 포함하는 리소그래피 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 노광광은 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)광인 것을 포함하는 리소그래피 장치.
  20. 노광광을 제공하는 소오스;
    상기 노광광을 반사하는 적어도 하나 이상의 조명계 반사 거울이 배치되는 제1 서브 챔버;
    상기 반사 모듈을 통과한 상기 노광광을 반사하는 레티클을 포함하는 레티클 스테이지 모듈;
    반사된 상기 노광광을 웨이퍼로 투사하는 적어도 하나 이상의 투사 광학계 반사 거울이 배치되는 제2 서브 챔버; 및
    상기 웨이퍼가 고정되는 웨이퍼 스테이지를 포함하고,
    상기 제1 서브 챔버 및 상기 제2 서브 챔버 중 적어도 하나는 챔버 내에 양의 전압이 인가되는 입자 포획 전극을 포함하는 리소그래피 장치.
KR1020160168635A 2016-12-12 2016-12-12 리소그래피 장치 KR102612028B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160168635A KR102612028B1 (ko) 2016-12-12 2016-12-12 리소그래피 장치
US15/674,129 US10338477B2 (en) 2016-12-12 2017-08-10 Lithography apparatus
CN201711315833.7A CN108227400B (zh) 2016-12-12 2017-12-12 光刻装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160168635A KR102612028B1 (ko) 2016-12-12 2016-12-12 리소그래피 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180067175A true KR20180067175A (ko) 2018-06-20
KR102612028B1 KR102612028B1 (ko) 2023-12-07

Family

ID=62489143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160168635A KR102612028B1 (ko) 2016-12-12 2016-12-12 리소그래피 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10338477B2 (ko)
KR (1) KR102612028B1 (ko)
CN (1) CN108227400B (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194012B1 (ko) * 2020-04-10 2020-12-22 숭실대학교산학협력단 탄소나노튜브 박막을 이용한 커패시터형 펠리클 및 이의 제조 방법
KR20220098627A (ko) * 2021-01-04 2022-07-12 한국표준과학연구원 오염 입자 포집부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치
KR20220098614A (ko) * 2021-01-04 2022-07-12 한국표준과학연구원 오염 입자 차단부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치
KR102467650B1 (ko) * 2021-11-16 2022-11-21 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 전자층을 이용한 입자 이동 차단 장치 및 리소그래피 장치
WO2023195800A1 (ko) * 2022-04-06 2023-10-12 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 정전 트랩을 구비한 전자층을 이용한 입자 이동 차단 장치 및 리소그래피 장치
WO2023195799A1 (ko) * 2022-04-06 2023-10-12 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 전자층을 이용한 리소그래피 장치
WO2023249309A1 (ko) * 2022-06-21 2023-12-28 덕우세미텍 주식회사 열전달 방지기능을 구비한 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치
WO2023249308A1 (ko) * 2022-06-21 2023-12-28 덕우세미텍 주식회사 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200128270A (ko) * 2019-05-02 2020-11-12 삼성전자주식회사 Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR20200128275A (ko) 2019-05-02 2020-11-12 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
EP3809204A1 (en) * 2019-10-18 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Patterning device conditioning system and method
KR20210052707A (ko) 2019-10-30 2021-05-11 삼성전자주식회사 극자외선 노광 시스템
CN112838035B (zh) * 2019-11-25 2022-12-30 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 一种光罩盒及光罩储存柜
EP4030235A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A contamination reduction system

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169652B1 (en) * 1999-03-12 2001-01-02 Euv, L.L.C. Electrostatically screened, voltage-controlled electrostatic chuck
KR20020016564A (ko) * 2000-08-25 2002-03-04 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 마스크 조작장치, 리소그래피 투영장치, 디바이스제조방법 및 그것에 의하여 제조된 디바이스
JP2007329288A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
KR20090052274A (ko) * 2007-11-20 2009-05-25 캐논 가부시끼가이샤 노광장치
KR20090103847A (ko) * 2008-03-28 2009-10-01 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20140051652A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 삼성전자주식회사 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템
US20140253887A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Contamination prevention for photomask in extreme ultraviolet lithography application

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734443B2 (en) 2001-05-08 2004-05-11 Intel Corporation Apparatus and method for removing photomask contamination and controlling electrostatic discharge
US6642531B1 (en) 2002-12-23 2003-11-04 Intel Corporation Contamination control on lithography components
US20050275835A1 (en) 2004-06-15 2005-12-15 Nikon Corporation Method and apparatus for protecting an EUV reticle from particles
US7248332B2 (en) 2004-07-13 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7367138B2 (en) * 2005-10-11 2008-05-06 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles
US20070285632A1 (en) 2006-06-08 2007-12-13 Nikon Corporation EUVL reticle stage and reticle protection system and method
KR100935763B1 (ko) 2008-05-26 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법
US8268514B2 (en) 2009-01-26 2012-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle mounting method and apparatus
US9244368B2 (en) 2012-09-26 2016-01-26 Kla-Tencor Corporation Particle control near reticle and optics using showerhead

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169652B1 (en) * 1999-03-12 2001-01-02 Euv, L.L.C. Electrostatically screened, voltage-controlled electrostatic chuck
KR20020016564A (ko) * 2000-08-25 2002-03-04 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 마스크 조작장치, 리소그래피 투영장치, 디바이스제조방법 및 그것에 의하여 제조된 디바이스
JP2007329288A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
KR20090052274A (ko) * 2007-11-20 2009-05-25 캐논 가부시끼가이샤 노광장치
KR20090103847A (ko) * 2008-03-28 2009-10-01 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20140051652A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 삼성전자주식회사 리소그래피 장치 및 방법과 스테이지 시스템
US20140253887A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Contamination prevention for photomask in extreme ultraviolet lithography application

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194012B1 (ko) * 2020-04-10 2020-12-22 숭실대학교산학협력단 탄소나노튜브 박막을 이용한 커패시터형 펠리클 및 이의 제조 방법
KR20220098627A (ko) * 2021-01-04 2022-07-12 한국표준과학연구원 오염 입자 포집부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치
KR20220098614A (ko) * 2021-01-04 2022-07-12 한국표준과학연구원 오염 입자 차단부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치
KR102467650B1 (ko) * 2021-11-16 2022-11-21 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 전자층을 이용한 입자 이동 차단 장치 및 리소그래피 장치
WO2023090796A1 (ko) * 2021-11-16 2023-05-25 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 전자층을 이용한 입자 이동 차단 장치 및 리소그래피 장치
WO2023195800A1 (ko) * 2022-04-06 2023-10-12 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 정전 트랩을 구비한 전자층을 이용한 입자 이동 차단 장치 및 리소그래피 장치
WO2023195799A1 (ko) * 2022-04-06 2023-10-12 덕우세미텍 주식회사 진공 시스템에서 전자층을 이용한 리소그래피 장치
WO2023249309A1 (ko) * 2022-06-21 2023-12-28 덕우세미텍 주식회사 열전달 방지기능을 구비한 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치
WO2023249308A1 (ko) * 2022-06-21 2023-12-28 덕우세미텍 주식회사 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN108227400A (zh) 2018-06-29
US10338477B2 (en) 2019-07-02
KR102612028B1 (ko) 2023-12-07
US20180164694A1 (en) 2018-06-14
CN108227400B (zh) 2021-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102612028B1 (ko) 리소그래피 장치
JP5535194B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法
US8115901B2 (en) Exposure apparatus
US6169652B1 (en) Electrostatically screened, voltage-controlled electrostatic chuck
US11333984B2 (en) Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus
US11048175B2 (en) Apparatus for and method cleaning a support inside a lithography apparatus
JP2020522020A (ja) パーティクル除去装置および関連システム
JP6253647B2 (ja) 静電クランプ、リソグラフィ装置及び方法
KR20130054945A (ko) 오염 입자들을 제거하기 위한 시스템, 리소그래피 장치, 오염 입자들을 제거하기 위한 방법 및 디바이스 제조 방법
KR102467257B1 (ko) 플라즈마 조절을 위한 요소를 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템
JP2009246046A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US8084757B2 (en) Contamination prevention in extreme ultraviolet lithography
KR20040034524A (ko) 2차 전자제거유닛을 포함하는 리소그래피투영장치
JP4319642B2 (ja) デバイス製造方法
KR20090103847A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20220084044A (ko) 패터닝 디바이스 조절 시스템 및 방법
US20230073062A1 (en) Operating method for preventing photomask particulate contamination
JP6732475B2 (ja) インプリント装置、物品の製造方法、保持装置および露光装置
KR20160134087A (ko) 웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법
JP4005075B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2023691A (en) Apparatus comprising an electrostatic clamp and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant