CN112835266B - 一种光罩载台以及曝光装置 - Google Patents

一种光罩载台以及曝光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112835266B
CN112835266B CN202010095141.1A CN202010095141A CN112835266B CN 112835266 B CN112835266 B CN 112835266B CN 202010095141 A CN202010095141 A CN 202010095141A CN 112835266 B CN112835266 B CN 112835266B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
photomask
wafer
carrying platform
static electricity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010095141.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112835266A (zh
Inventor
刘智龙
权炳仁
李大烨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd
Original Assignee
Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US16/694,958 external-priority patent/US11693307B2/en
Priority claimed from US16/736,588 external-priority patent/US20210208516A1/en
Application filed by Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd filed Critical Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd
Publication of CN112835266A publication Critical patent/CN112835266A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112835266B publication Critical patent/CN112835266B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C3/00—Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
    • B03C3/02—Plant or installations having external electricity supply
    • B03C3/04—Plant or installations having external electricity supply dry type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D25/00—Details of other kinds or types of rigid or semi-rigid containers
    • B65D25/02—Internal fittings
    • B65D25/10—Devices to locate articles in containers
    • B65D25/107—Grooves, ribs, or the like, situated on opposed walls and between which the articles are located

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本发明关于一种用于承载一光罩组件的光罩载台以及曝光装置。所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上。所述曝光装置包含一光罩载台。所述光罩载台包含一光罩载台基座、一光罩固定件以及一静电产生器。所述光罩固定件位于光罩载台上，用于固定所述光罩组件于所述载台上。所述静电产生器连接于所述光罩组件，用于产生一静电至所述光罩组件。所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变。

Description

一种光罩载台以及曝光装置
技术领域
本发明关于一种用于预防雾霾污染的光罩载台及曝光装置。更进一步来说，本发明关于一种光罩载台及曝光装置，其具有一静电产生器，预防微粒刮伤或污染光罩。
背景技术
集成电路(Integrated Circuits)通常是经由黄光微影制程(Photolithographicprocess)，将一电路图案藉由一光罩(Reticle或Photomask)以及搭配对应之光源投影至硅晶圆上进行制作。所述光罩通常为一片状的石英层或钠钙玻璃层所制成，并在其表面上覆盖一金属层。所述金属层用于形成所述集成电路所需之图形。一防尘薄膜通常用来密封所述光罩，可隔离并保护所述光罩表面之图形，避免受到微粒的污染，且避免灰尘或其他微粒落在所述电路图形之聚焦平面上。所述光罩及防尘薄膜可以一并称为一光罩组件。当所述防尘薄膜与所述光罩贴覆在一起时，污染微粒可能会落入所述防尘薄膜与光罩之间。在将所述黄光微影图形转移到晶圆上时，落入所述光罩或所述防尘薄膜表面的污染微粒可能造成图形的改变、扭曲或变形等，最终影响到制造之半导体元件之质量。请先参考图1，图1为污染微粒在光罩组件上之示意图。如图1所示，一光罩组件100包含一光罩110以及一防尘薄膜120覆盖于所述光罩110上。所述光罩110包含一石英层111以及一铬金属层112设置于所述石英层111之一面上。所述防尘薄膜120覆盖于所述光罩之铬金属层112上。
所述铬金属层112具有许多间隙与线条，以形成一用于转移至一晶圆上之图案。微粒P1位于所述时石英层111的另外一面上(与所述铬金属层112不同面)。所述微粒P1对于半导体元件之质量影响较小，可以藉由氮气吹扫的方式移除。微粒P2位于所述铬金属层112的间隙中。所述微粒P2对于半导体元件之质量有严重影响，必须藉由光罩清洗流程与清洁剂来清除。微粒P3位于所述铬金属层的表面上。所述微粒P3对于半导体元件之质量无影响，于光罩清洗流程中可被清除。微粒P4介于所述铬金属层112以及防尘薄膜120之间。所述微粒P4对于半导体元件质量之影响较小，与所述微粒P3相同，可于光罩清洗流程中清除。微粒P5位于所述防尘薄膜120的底面上。所述微粒P5对于半导体元件质量的影响较小，可以藉由氮气吹扫移除。
雾霾微粒(Haze particles)为所述污染微粒的一种，其为光罩清洗流程中化学残留物或杂质所形成的沉淀物。举例来说，如图2所示，当清洗所述光罩组件100的溶液中包含铵离子(NH4 +)及硫酸离子(SO4 2-)时，残留在光罩组件100上的铵离子(NH4 +)及硫酸离子(SO4 2-)暴露于短波长UV光(例如波长为248nm或193nm之UV光)时，可能会形成硫酸铵((NH4)2SO4)沉淀物。其他沉淀物例如有机化合物等也可能于黄光微影制程中形成。化学残留物或杂质一般可藉由氮气吹扫来清除。氮气吹扫的流程包含将氮气引入一光罩储存柜(Reticlestocker或Photomask stocker)中，使化学残留物或杂质扩散出所述储存柜。然而，所述氮气吹扫无法将落入所述光罩110及所述防尘薄膜120中之化学残留物或杂质(例如铵离子及硫酸离子)清除。
因此，需要一种能够预防雾霾微粒污染光罩的装置。
发明内容
有鉴于此，本发明目的之一为提供一种光罩载台及曝光装置，所述光罩载台及曝光装置含有一静电产生器，预防雾霾微粒污染光罩。
为达上述目的，本发明提供一种用于承载一光罩组件的光罩载台。所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上。所述光罩载台包含一光罩载台基座、一光罩固定件以及一静电产生器。所述光罩固定件位于所述光罩载台基座上，用于固定所述光罩组件。所述静电产生器连接于所述光罩组件，用于产生一静电至所述光罩组件。所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变。
为达上述目的，本发明再提供一种用于将一光罩组件上之一图案转移一至一晶圆上之曝光装置。所述曝光装置包含一照明模块、一光罩载台、一投影模块以及一晶圆载台。所述照明模块藉由一光源所产生之光线来照明所述光罩组件。所述光罩载台用于支撑所述光罩组件。所述投影模块用于将所述光罩组件之图案投影至所述晶圆。所述晶圆载台用于承载所述晶圆。所述光罩载台包含一光罩载台基座、一光罩固定件以及一静电产生器。所述光罩固定件位于所述光罩载台上，用于将所述光罩组件固定于所述光罩载台基座上。所述静电产生器连接于所述光罩组件，用于产生一静电至所述光罩组件。所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变。
为达上述目的，本发明再提供一种在晶圆曝光过程中固定一光罩组件的方法。所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上。所述固定方法包含步骤S501至步骤S503。在步骤S501中，提供一种曝光装置，其用于将一光罩组件的图案转移至一晶圆上。所述曝光装置包含一光罩载台。所述光罩载台包含一光罩载台基座、一光罩固定件以及一静电产生器。所述光罩固定件位于所述光罩载台基座上，用于将所述光罩组件固定于所述光罩载台基座上。所述静电产生器连接于所述光罩组件之光罩固定件。在步骤S502中，所述静电产生器产生一静电至所述光罩组件。在步骤S503中，所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变。
综上所述，本发明之实施例所提供之光罩载台以及曝光装置包含一静电产生器。所述静电产生器能够产生一静电通于所述光罩组件之光罩及防尘薄膜上。所述静电产生器产生之静电藉由以一固定频率交替改变其产生静电之电性，使光罩与防尘薄膜之间的带电粒子因静电排斥力而与光罩与防尘薄膜的表面保持一定的距离(也就是使带电粒子不会附着于光罩或防尘薄膜的表面)。以此方式，本发明所提供之光罩载台以及曝光装置可避免在所述光罩之表面上形成雾霾微粒，并有效减少因雾霾微粒之污染而在晶圆上产生之缺陷。
附图说明
图1为光罩组件上污染微粒位置的示意图。
图2为图1之光罩组件中之雾霾微粒的示意图。
图3A为本发明一实施例之曝光装置的示意图。
图3B为图3A之曝光装置的光罩载台的剖面图。
图4A及图4B为一光罩组件的示意图，显示光罩组件带静电后的效果。
图4C为图4A及图4B之光罩组件中，光罩与防尘薄膜间带电粒子之分布示意图。
图5为本发明一实施例之在晶圆曝光过程中固定光罩组件之方法的流程图。
主要组件符号说明
L 中线
P1 微粒
P2 微粒
P3 微粒
P4 微粒
P5 微粒
100 光罩组件
110 光罩
111 石英层
112 铬金属层
120 防尘薄膜
300 曝光装置
310 光源
320 照明模块
330 光罩载台
331 光罩组件
331a 光罩
331b 防尘薄膜
3311 穿透层
3312 金属层
332 光罩载台基座
333 光罩固定件
334 第一驱动单元
335 第一干涉仪
336 静电产生器
340 投影模块
350 晶圆载台
351 晶圆
352 晶圆载台基座
353 晶圆固定件
354 第二驱动单元
355 第二干涉仪
360 检测单元
370 控制单元
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将参照相关图式，说明本发明较佳实施例之一种用于预防雾霾污染的光罩载台及曝光装置，其中相同的组件将以相同的参照符号加以说明。
请先参考图3A，图3A为本发明一实施例之一曝光装置300的示意图。所述曝光装置300用于黄光微影制程，将一光罩组件331上之一图案转移至一晶圆351上。所述光罩组件331包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上。所述曝光装置300包含一照明模块320、一光罩载台330以及一投影模块340。所述照明模块320利用一光源310产生的光线来照明所述光罩组件331。所述光罩载台330用于承载所述光罩组件331。所述投影模块340用于将所述光罩组件331上之一图案投影至所述晶圆351上。所述曝光装置300还包含一晶圆载台350、一检测单元360以及一控制单元370。所述晶圆载台350用于承载所述晶圆351。
所述光罩载台330藉由在Y轴方向移动所述光罩组件331将其定位。在本实施例中，所述光罩载台330包含一光罩载台基座332、一光罩固定件333以及一静电产生器336。所述光罩载台330用于承载所述光罩组件331。所述光罩固定件333位于所述光罩载台基座332上，用于固定所述光罩组件331。所述静电产生器336连接于所述光罩组件331，用于产生一静电至所述光罩组件331。一第一驱动单元334根据一驱动模式驱动所述光罩载台基座332。一第一干涉仪335持续量测所述光罩载台基座332之位置。所述控制单元370用于控制所述第一驱动单元334，以使所述第一驱动单元334精准地依据所述驱动模式驱动所述光罩载台基座332。
所述检测单元360用于确认位于所述光罩载台基座332上的光罩组件331之一特征。举例来说，所述检测单元360由一辨识元件所构成，用于辨识所述光罩组件331上之一标识符(例如条形码)。此外，所述辨识元件还可以由一影像感测元件所构成，用于侦测所述光罩组件331之图像。举例来说，所述影像感测元件可为一区域传感器(area sensor)、一反射型传感器或一摄影机，并搭配一影像处理元件处理所述影像感测元件所获取的图像。所述光罩组件331之特征，举例来说，包含至少一种光罩种类或光罩形状。所述光罩的种类各异。举例来说，一般光罩(光罩上印有一电路图)用于半导体元件之制程，而特殊光罩则用于其他特殊目的。所述特殊光罩包含各种图形，且并不限于所述印有一电路图之光罩。
利用照明模块320所发出的光线，所述投影模块340将所述光罩组件331上之图案以一预定的投影比例(例如1/4或1/5)投影至所述晶圆351上。所述投影模块340可由一第一光学模块、第二光学模块以及第三光学模块所构成。所述第一光学模块只包含复数透镜。所述第二光学模块包含复数透镜以及至少一面凹面镜(例如一反射折射式光学系统)。所述第三光学模块包含复数透镜、至少一绕射光学元件(例如绕射镜片)以及一高反射镜模块。需要进行色差校正时，可利用复数的透镜元件来进行校正。色差校正也可以藉由设置一光学绕射元件的方式，使光线向与所述透镜相反的方向分散。所述复数透镜元件可由钠钙玻璃所构成，且有不同的色散值(dispersion values)或阿贝数(Abbe values)。
所述晶圆载台350藉由在X轴及Y轴方向移动所述晶圆351将其定位。在本实施例中，所述晶圆载台350包含一晶圆载台基座352、一晶圆固定件353以及一第二驱动单元354。所述晶圆载台基座352用于承载所述晶圆351。所述晶圆固定件353用于将所述晶圆351固定于所述晶圆载台基座352上。所述第二驱动单元354用于移动所述晶圆载台基座352。一第二干涉仪355持续量测所述晶圆载台基座352之位置。所述控制单元370用于控制所述第二驱动单元354，使所述第二驱动单元354精准地驱动所述晶圆载台基座352。
所述控制单元370包含一中央处理器(CPU)及一内存，用于控制所述曝光装置300所有的操作。所述控制单元370控制整个曝光制程，也就是将所述光罩组件331上的图案转移至所述晶圆351上的过程。
请参考图3B，图3B为图3A中之曝光装置的光罩载台330之剖面图。如图3B所示，本实施例光罩载台330包含所述光罩载台基座332、所述光罩固定件333以及所述静电产生器336。所述光罩载台330用于承载所述光罩组件331。所述光罩固定件333位于所述光罩载台基座332上，用于将所述光罩组件331固定于所述光罩载台基座332上。所述静电产生器336可设置于所述光罩载台基座332上。所述静电产生器336连接于所述光罩组件331，用于产生一静电至所述光罩组件331。所述静电产生器336产生之静电于正电和负电之间交替改变。在一较佳实施例中，所述静电以一固定频率交替改变其电性。所述频率的范围为每分钟6至600次。
如图3B所示，所述光罩组件331包含一光罩331a以及一防尘薄膜331b覆盖于所述光罩331a上。所述光罩组件331之光罩331a包含一穿透层3311以及一金属层3312设置于所述穿透层3311之一面上。所述光罩组件331之防尘薄膜331b贴附于所述光罩331a上并覆盖住其金属层3312。所述光罩331a之穿透层3311为一石英层或一钠钙玻璃层。所述光罩331a之金属层3312具有许多间隙与线条以形成一图案，用于转移至所述晶圆351上。在一较佳的例子中，所述金属层为一铬金属层。所述光罩固定件333用于固定所述光罩331a之穿透层3311。
请参考图4A及图4B。图4A及图4B为光罩组件之示意图，显示静电对于图3A及图3B所示之光罩组件331所产生的效果。在光罩清洗流程后，带电粒子(例如铵离子(NH4 +)及硫酸离子(SO4 2-))及其他微粒可能会被困于所述光罩331a及防尘薄膜331b之间。当所述光罩组件331暴露于光源下时，所述带电粒子可能于所述光罩331a之金属层3312形成雾霾污染物(haze contamination，例如硫酸铵((NH4)2SO4)沉淀物)，并对所述晶圆351造成严重缺陷。所述静电产生器336产生一静电至所述光罩组件331上。所述静电在正电和负电之间交替改变，以防止在所述光罩331a之金属层3312上形成雾霾微粒(haze particle)。如图4A所示，当所述静电产生器336产生正的静电至所述光罩组件331时，所述光罩组件331之光罩331a及防尘薄膜331b上皆带正电荷。由于所述光罩组件331带正电荷，位于所述光罩331a及防尘薄膜331b表面附近带正电之带电粒子(例如NH4 +)将会因斥力而移动至所述光罩331a及防尘薄膜331b间之一中线L上。如图4B所示，当所述静电产生器336产生负的静电至所述光罩组件331时，所述光罩组件331之光罩331a及防尘薄膜331b上皆带负电荷。由于所述光罩组件331带负电荷，位于所述光罩331a及防尘薄膜331b表面附近之带负电之带电粒子(例如SO4 2-或CxHyOz -)将会因斥力而移动到所述中线L上。因此，藉由周期性地交替改变所述静电之电性(即在正电和负电之间交替改变)，所述带电粒子会倾向于聚集于所述中线L上。请参考图4C，图4C为所述光罩组件331之光罩331a与防尘薄膜331b间带电粒子分布图。如图4C所示，分布于所述中线L上之带电粒子之数量多于分布于所述光罩331a及防尘薄膜331b之表面的带电粒子的数量。藉由保持所述带电粒子与所述光罩331a及防尘薄膜331b之表面之距离，可避免在所述光罩331a之金属层3312表面上形成雾霾微粒，并有效减少在曝光过程中因雾霾微粒而在晶圆上产生之缺陷。
请参考图5，图5为本发明另一实施例之在晶圆曝光过程中固定光罩组件之方法的流程图。所述曝光过程指将所述光罩组件上的一图案转移到所述晶圆上。如图5所示，所述方法包含步骤S501至步骤S503。所述光罩组件可以参考图3A及图3B中所示之光罩组件331。所述光罩组件331包含一光罩331a以及一防尘薄膜331b贴附于所述光罩331a上。在步骤S501中，提供一曝光装置。所述曝光装置用于将所述光罩组件331的图案转移至所述晶圆上。所述曝光装置可参考于图3A所示之曝光装置300。所述曝光装置300包含一光罩载台330。所述光罩载台330包含一光罩载台基座332、一光罩固定件333以及一静电产生器336。所述光罩固定件333设置于所述光罩载台基座332上，用于固定所述光罩组件331于所述光罩载台基座332上。所述静电产生器336与所述光罩组件331相连接。在步骤S502中，所述静电产生器336产生一静电至所述光罩组件331上。在步骤S503中，所述静电在正电和负电之间交替改变。在一较佳实施例中，所述静电以一固定频率于正电和负电之间交替改变。所述频率的范围介于每分钟6至600次之间。所述光罩组件331之光罩331a包含一穿透层3311以及一金属层3312设置于所述穿透层3311之一面上。所述光罩组件331之防尘薄膜331b贴附于所述光罩331a上并覆盖住所述光罩331a之金属层3312。所述静电产生器336产生所述静电至所述光罩组件331之光罩331a及防尘薄膜331b上。所述光罩331a之穿透层3311为一石英层或一钠钙玻璃层。所述光罩331a之金属层3312为一铬金属层，具有许多间隙与线条以形成用于转移至所述晶圆上之图案。
根据再一实施例，本发明也提供了一种用于转移一光罩组件上之一图案至一晶圆上之曝光装置。所述曝光装置以及光罩组件可以参考如图3A及图3B所示之曝光装置300及光罩组件331。如图3A及图3B所示，所述曝光装置300包含一照明模块320、一光罩载台330、一投影模块340以及一晶圆载台350。所述照明模块320利用一光源310所产生的光线来照明所述光罩组件331。所述投影模块340用于将所述光罩组件331之图案投影至所述晶圆351上。所述晶圆载台350用于承载所述晶圆351。所述光罩载台330用于承载所述光罩组件331。所述光罩载台330包含一光罩载台基座332、一光罩固定件333以及一静电产生器336。所述光罩固定件333用于将所述光罩组件331固定于所述光罩载台基座332上。所述静电产生器336与所述光罩组件331连接，用于产生一静电至所述光罩组件331。所述静电产生器产生之静电在正电和负电之间交替改变。在一较佳实施例中，所述静电以一固定频率于正电和负电间交替改变。所述频率的范围介于每分钟6至600次之间。所述光罩组件331包含一光罩331a以及一防尘薄膜331b覆盖于所述光罩331a上。如图4A至4C所示，藉由周期性地交替改变所述静电之电性，如铵离子(NH4 +)及硫酸盐离子(SO4 2-)等位于所述光罩331a及防尘薄膜331b间的带电粒子倾向于聚集于所述光罩331a及防尘薄膜331b间之一中线L上。藉由保持所述带电粒子与所述光罩331a及防尘薄膜331b之表面之距离，可避免于所述光罩331a之金属层3312之表面上形成雾霾微粒，有效地减少在曝光过程中因雾霾微粒而在晶圆上产生之缺陷。
所述曝光装置300之晶圆载台350包含一晶圆载台基座352以及一晶圆固定件353。所述晶圆固定件353用于固定所述晶圆351于所述晶圆载台基座352上。所述曝光装置300进一步包含一第一驱动单元334、一第二驱动单元354以及一控制单元370。所述第一驱动单元334与所述光罩载台基座332连接，用于驱动所述光罩载台基座332。所述第二驱动单元354与所述晶圆载台基座352连接，用于驱动所述晶圆载台基座352。所述控制单元370与所述第一驱动单元334及所述第二驱动单元354链接，用于控制所述第一驱动单元334及所述第二驱动单元354之驱动模式。所述曝光装置再进一步包含一第一干涉仪335以及一第二干涉仪355。所述第一干涉仪335用于测量所述光罩载台基座332之位置。所述第二干涉仪355用于测量所述晶圆载台基座352之位置。
综上所述，本发明之实施例所提供之光罩载台及曝光装置具有一静电产生器，用于产生静电至光罩载台上及曝光装置中的光罩与防尘薄膜。所述静电产生器产生之静电藉由以一固定频率交替改变其产生静电之电性，使光罩与防尘薄膜之间的带电粒子因静电排斥力与光罩及防尘薄膜的表面保持一定的距离(也就是使带电粒子不会附着于光罩或防尘薄膜的表面)。以此方式，本发明所提供之光罩载台及曝光装置可预防于所述光罩之表面上形成雾霾微粒，并有效减少因雾霾微粒的污染而在晶圆上产生之缺陷。
可以理解的是，以上实施例仅用来说明本发明，并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形，都落在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种光罩载台，用于承载一光罩组件，所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上，其特征在于，所述光罩载台包含：
一光罩载台基座；
一光罩固定件，设置于所述光罩载台基座上，用于将所述光罩组件固定于所述光罩载台基座上；以及
一静电产生器，连接于所述光罩组件，所述静电产生器用于产生一静电至所述光罩组件，所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变，所述光罩和所述防尘薄膜在所述静电产生器产生正电时均带正电荷，使得位于所述光罩和所述防尘薄膜之间带正电的带电粒子移动至所述光罩和所述防尘薄膜之间的中线上，所述光罩和所述防尘薄膜在所述静电产生器产生负电时均带负电荷，使得位于所述光罩和所述防尘薄膜之间带负电的带电粒子移动至所述中线上。
2.如权利要求1所述之光罩载台，其特征在于，所述静电以一固定频率交替改变。
3.如权利要求2所述之光罩载台，其特征在于，所述静电交替改变的频率为每分钟6至600次。
4.如权利要求1所述之光罩载台，其特征在于，所述光罩组件之光罩包含一穿透层以及一金属层设置于所述穿透层之一面上，所述防尘薄膜覆盖住所述光罩之金属层。
5.如权利要求4所述之光罩载台，其特征在于，所述光罩之穿透层为一石英层或一钠钙玻璃层。
6.如权利要求4所述之光罩载台，其特征在于，所述光罩之金属层为一铬金属层。
7.如权利要求4所述之光罩载台，其特征在于，所述光罩固定件用于固定所述光罩之穿透层。
8.一种曝光装置，用于转移一光罩组件上之一图案至一晶圆上，所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上，其特征在于，所述曝光装置包含：
一照明模块，其利用一光源所产生的光线来照明所述光罩组件；
一光罩载台，用于承载所述光罩组件，所述光罩载台包含：
一光罩载台基座；
一光罩固定件，设置于所述光罩载台基座上，用于将所述光罩组件固定于所述光罩载台基座上；以及
一静电产生器，连接于所述光罩组件，所述静电产生器用于产生一静电至所述光罩组件，所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变，所述光罩和所述防尘薄膜在所述静电产生器产生正电时均带正电荷，使得位于所述光罩和所述防尘薄膜之间带正电的带电粒子移动至所述光罩和所述防尘薄膜之间的中线上，所述光罩和所述防尘薄膜在所述静电产生器产生负电时均带负电荷，使得位于所述光罩和所述防尘薄膜之间带负电的带电粒子移动至所述中线上；
一投影模块，用于将所述光罩组件之图案投影至所述晶圆；以及
一晶圆载台，用于承载所述晶圆。
9.如权利要求8所述之曝光装置，其特征在于，所述静电交替改变的频率为每分钟6至600次。
10.如权利要求8所述之曝光装置，其特征在于，所述光罩组件之光罩包含一穿透层以及一金属层设置于所述穿透层之一面上，所述防尘薄膜覆盖住所述光罩之金属层。
11.如权利要求10所述之曝光装置，其特征在于，所述光罩之穿透层为一石英层或一钠钙玻璃层，且所述光罩之金属层为一铬金属层。
12.如权利要求8所述之曝光装置，其特征在于，所述晶圆载台包含一晶圆载台基座以及一晶圆固定件，所述晶圆固定件位于所述晶圆载台基座上，用于将所述晶圆固定于所述晶圆载台基座上。
13.如权利要求12所述之曝光装置，其特征在于，进一步包含：
一第一驱动单元连接于所述光罩载台基座，用于驱动所述光罩载台基座；以及
一第二驱动单元连接于所述晶圆载台基座，用于驱动所述晶圆载台基座。
14.如权利要求12所述之曝光装置，其特征在于，进一步包含：
一第一干涉仪，用于测量所述光罩载台基座之一位置；以及
一第二干涉仪，用于测量所述晶圆载台基座之一位置。
15.如权利要求13所述之曝光装置，其特征在于，进一步包含一控制单元连接于所述第一驱动单元及所述第二驱动单元，用于控制所述第一驱动单元及所述第二驱动单元之驱动模式。
16.如权利要求8所述之曝光装置，其特征在于，进一步包含一检测单元用于判断所述光罩之特征。
17.一种在曝光过程中固定光罩组件的方法，所述曝光过程为将所述光罩组件之一图案转移至一晶圆上，所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上，其特征在于，所述方法包含：
提供一曝光装置，所述曝光装置包含一光罩载台，所述光罩载台包含一光罩载台基座、一光罩固定件以及一静电产生器，所述光罩固定件设置于所述光罩载台基座上，用于固定所述光罩组件于所述光罩载台基座上，所述静电产生器连接于所述光罩组件；
所述静电产生器产生一静电至所述光罩组件上；以及
在正电和负电之间交替改变所述静电，所述光罩和所述防尘薄膜在所述静电产生器产生正电时均带正电荷，使得位于所述光罩和所述防尘薄膜之间带正电的带电粒子移动至所述光罩和所述防尘薄膜之间的中线上，所述光罩和所述防尘薄膜在所述静电产生器产生负电时均带负电荷，使得位于所述光罩和所述防尘薄膜之间带负电的带电粒子移动至所述中线上。
18.如权利要求17所述之方法，其特征在于，所述静电交替改变的频率为每分钟6至600次。
19.如权利要求17所述之方法，其特征在于，所述光罩组件之光罩包含一穿透层以及一金属层设置于所述穿透层之一面上，所述防尘薄膜覆盖住所述光罩之金属层。
20.如权利要求19所述之方法，其特征在于，所述光罩之穿透层为一石英层或一钠钙玻璃层，且所述光罩之金属层为一铬金属层。
CN202010095141.1A 2019-11-25 2020-02-14 一种光罩载台以及曝光装置 Active CN112835266B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/694958 2019-11-25
US16/694,958 US11693307B2 (en) 2019-11-25 2019-11-25 Reticle pod for preventing haze contamination and reticle stocker having the same
US16/736588 2020-01-07
US16/736,588 US20210208516A1 (en) 2020-01-07 2020-01-07 Reticle stage for preventing haze contamination and exposure apparatus having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112835266A CN112835266A (zh) 2021-05-25
CN112835266B true CN112835266B (zh) 2022-12-02

Family

ID=75923087

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010093165.3A Active CN112838035B (zh) 2019-11-25 2020-02-14 一种光罩盒及光罩储存柜
CN202010095141.1A Active CN112835266B (zh) 2019-11-25 2020-02-14 一种光罩载台以及曝光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010093165.3A Active CN112838035B (zh) 2019-11-25 2020-02-14 一种光罩盒及光罩储存柜

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN112838035B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6440617B1 (en) * 2000-09-29 2002-08-27 United Microelectronics Corp. Photomask structure
CN1708828A (zh) * 2002-11-25 2005-12-14 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
KR20060007657A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 주식회사 하이닉스반도체 펠리클 및 이를 이용하여 포토마스크의 이물 생성을방지하는 방법
TW201504767A (zh) * 2013-07-18 2015-02-01 Nat Applied Res Laboratories 一種晶圓步進曝光裝置及一種晶圓步進曝光方法
CN105045035A (zh) * 2014-04-24 2015-11-11 台湾积体电路制造股份有限公司 护膜结构及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06258820A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Seiko Epson Corp フォトマスク、レチクルケース、レチクルストッカー、投影露光装置および半導体装置の製造方法
US6338409B1 (en) * 2000-04-13 2002-01-15 International Business Machines Corporation Reticle SMIF pod in situ orientation
US6734443B2 (en) * 2001-05-08 2004-05-11 Intel Corporation Apparatus and method for removing photomask contamination and controlling electrostatic discharge
TWI256093B (en) * 2001-07-25 2006-06-01 Taiwan Semiconductor Mfg Container for storage of photo mask
US6803159B2 (en) * 2002-03-28 2004-10-12 Intel Corporation Method of keeping contaminants away from a mask with electrostatic forces
JP2004061884A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Umc Japan フォトマスク
KR100578132B1 (ko) * 2003-11-03 2006-05-10 삼성전자주식회사 레티클 박스 클리너
US7252911B2 (en) * 2004-03-26 2007-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. ESD-resistant photomask and method of preventing mask ESD damage
US20070076292A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fully electric field shielding reticle pod
CN202279374U (zh) * 2011-10-17 2012-06-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光罩盒存放柜
CN202794839U (zh) * 2012-10-11 2013-03-13 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于掩膜板的防尘保护装置
US20150131071A1 (en) * 2013-11-08 2015-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing apparatus
KR102612028B1 (ko) * 2016-12-12 2023-12-07 삼성전자주식회사 리소그래피 장치
CN111771166B (zh) * 2018-02-13 2023-12-05 Asml荷兰有限公司 在光刻设备中的原位颗粒移除的设备和方法
CN208444127U (zh) * 2018-05-31 2019-01-29 云谷（固安）科技有限公司 一种掩膜板及掩膜板存放装置
CN209020879U (zh) * 2018-09-14 2019-06-25 长鑫存储技术有限公司 光罩缺陷的清洁装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6440617B1 (en) * 2000-09-29 2002-08-27 United Microelectronics Corp. Photomask structure
CN1708828A (zh) * 2002-11-25 2005-12-14 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
KR20060007657A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 주식회사 하이닉스반도체 펠리클 및 이를 이용하여 포토마스크의 이물 생성을방지하는 방법
TW201504767A (zh) * 2013-07-18 2015-02-01 Nat Applied Res Laboratories 一種晶圓步進曝光裝置及一種晶圓步進曝光方法
CN105045035A (zh) * 2014-04-24 2015-11-11 台湾积体电路制造股份有限公司 护膜结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112835266A (zh) 2021-05-25
CN112838035B (zh) 2022-12-30
CN112838035A (zh) 2021-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6239863B1 (en) Removable cover for protecting a reticle, system including and method of using the same
JP4340255B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US20090014030A1 (en) Substrates and methods of using those substrates
KR20020070843A (ko) 마스크핸들링방법, 마스크, 그를 위한 그리퍼를 포함하는기구 또는 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
KR100599941B1 (ko) 퍼플루오로폴리에테르 액체 펠리클 및퍼플루오로폴리에테르 액체를 사용하는 마스크의 클리닝방법
KR20040038756A (ko) 마스크의 결함을 검출하는 방법, 컴퓨터 프로그램 및 기준기판
JP2004207734A (ja) リソグラフィ装置
JP3977377B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP3495983B2 (ja) マスク及び投影露光装置
EP1698941A2 (en) Optical apparatus and method of manufacturing a device
US20100007869A1 (en) Reticle Handler
CN112835266B (zh) 一种光罩载台以及曝光装置
US20210208516A1 (en) Reticle stage for preventing haze contamination and exposure apparatus having the same
US11693307B2 (en) Reticle pod for preventing haze contamination and reticle stocker having the same
TWI643027B (zh) 曝光裝置、曝光方法、曝光裝置之維修方法、曝光裝置之調整方法、以及元件製造方法
JP4738573B2 (ja) 投影露光装置及びデバイス製造方法
KR20080048966A (ko) 노광장치, 노광방법, 및 디바이스의 제조방법
CN220773415U (zh) 光掩模检查设备
JP4514225B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN112286002A (zh) 光学装置、曝光装置以及物品制造方法
KR20060122417A (ko) 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 반도체 기판 가공 설비
JP2008096652A (ja) レチクルカバー、アウターケースおよび露光装置
JP2008166613A (ja) 清掃方法、露光方法及びデバイス製造方法、清掃部材及びメンテナンス方法、並びに露光装置
JPH1116819A (ja) 露光方法および基板ホルダ
JPS6337617A (ja) レティクルの欠陥検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant