KR20220084044A - 패터닝 디바이스 조절 시스템 및 방법 - Google Patents

Abstract

레티클 조절 시스템은 레티클을 지지하기 위한 구조체; 레티클에 인접한 가스의 흐름을 제공하기 위한 가스 공급 모듈; 및 레티클의 전위를 제어하기 위한 바이어싱 모듈을 포함한다. 가스 공급 모듈은 지지 구조체에 인접한 가스의 흐름을 제공하도록 작동 가능하다. 바이어싱 모듈은 제1 전극, 제2 전극 및 전압 공급부를 포함한다. 제1 및 제2 전극은 각각 레티클과 적어도 부분적으로 중첩되도록 레티클과 이격되면서 이를 향한다. 전압 공급부는 제1 전극을 양전압에서 그리고 제2 전극을 음전압에서 유지시키도록 배열되며, 이 전압은 레티클의 전압이 음전압이도록 한다. 제2 전극은 사용시 레티클의 이미지 형성 부분과 겹치지 않도록 배치된다.

Description

패터닝 디바이스 조절 시스템 및 방법

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2019년 10월 18일에 출원된 EP 출원 19203978.2의 우선권을 주장하며, 이의 내용은 원용에 의해 전체적으로 본 명세서 내에 포함된다.

본 발명은 패터닝 디바이스 조절 시스템 및 관련 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 (리소그래피 장치 내에서) 패터닝 디바이스를 지지하기 위한 시스템에 관한 것이며, 패터닝 디바이스가 지지되는 동안 입자가 패터닝 디바이스에 입사할 가능성을 감소시키도록 배열된다. 본 발명은 또한 연관된 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상에 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어, 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예를 들어, 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크 또는 레티클)에 있는 패턴을 기판 상에 제공된 방사선-감응성 재료(레지스트)의 층 상으로 투영할 수 있다.

기판 상에 패턴을 투영하기 위해, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 이용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판 상에 형성될 수 있는 피처(features)의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20㎚ 범위 내의 파장, 예를 들면 6.7㎚ 또는 13.5㎚의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 이용하는 리소그래피 장치가 사용되어, 예를 들어 193㎚의 파장을 갖는 방사선을 이용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피처를 기판 상에 형성할 수 있다.

전자기 방사선은 기판에 패터닝 디바이스의 이미지를 형성하기 위해 사용된다. 임의의 이러한 입자가 기판에 형성되는 이미지에 영향을 미칠 수 있기 때문에 패터닝 디바이스가 가능한 한 오염 입자가 없는 상태로 유지하는 것이 중요하다. 패터닝 디바이스가 지지되는 동안 입자가 패터닝 디바이스에 입사될 가능성을 (예를 들어, 기존 시스템에 비해) 감소시키도록 배열된, 리소그래피 장치 내에서 패터닝 디바이스를 지지하기 위한 시스템을 제공하는 것이 바람직할 수 있다.

본 명세서에서 논의되든지 또는 그렇지 않더라도 선행 기술의 시스템과 연관된 하나 이상의 문제를 적어도 부분적으로 해결하는 것이 바람직할 수 있다.

본 발명의 제1 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 위한 패터닝 디바이스 조절 시스템이 제공되며, 패터닝 조절 시스템은 패터닝 디바이스를 지지하기 위한 것으로서, 패터닝 디바이스의 이미지 형성 부분을 지지하기 위한 제1 부분 및 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분을 지지하기 위한 제2 부분을 포함하는 지지 구조체; 지지 구조체에 인접한 가스의 흐름을 제공하도록 작동 가능한 가스 공급 모듈; 및 지지 구조체에 의해 지지될 때 패터닝 디바이스의 전위를 제어하기 위한 것으로서, 제1 전극, 제2 전극 및 전압 공급부를 포함하는 바이어싱 모듈을 포함하며, 여기서 제1 및 제2 전극 각각은 지지 구조체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 지지 구조체로부터 이격되면서 지지 구조체를 향하고; 전압 공급부는 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키도록 그리고 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키도록 배열되며; 제2 전극은 지지 구조체의 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된다.

사용시, 패터닝 디바이스는 지지 구조체에 의해 지지될 수 있으며 기판 (예를 들어, 레지스트 덮인 실리콘 웨이퍼) 상에 패터닝 디바이스의 이미지를 형성하기 위해 방사선 (예를 들어, EUV 방사선)에 의해 조사될 수 있다. 입자는 이미징 오차를 유발할 수 있기 때문에 입자가 패터닝 디바이스와 접촉하는 것을 방지하는 것이 바람직할 수 있다.

본 발명의 제1 양태에 따른 패터닝 디바이스 조절 시스템은 이제 논의되는 바와 같이 유리하다.

먼저, 가스의 흐름은 입자가 패터닝 디바이스와 접촉할 기회를 감소시키도록 작용할 수 있으며, 이는 이러한 입자가 가스 흐름에 연행될 수 있고 또한 패터닝 디바이스에서 떨어져 수송될 수 있기 때문이다. 그러나 사용시에, 패터닝 디바이스가 방사선 빔에 노출될 때, 방사선은 가스가 플라즈마를 형성하게 할 수 있다. 이러한 입자가 플라즈마를 통해 이동함에 따라, (플라즈마 내의 전자가 플라즈마의 이온보다 더 높은 이동도를 갖고 있기 때문에) 입자는 음으로 하전되는 경향이 있다. 더욱이, 사용 중에 패터닝 디바이스가 방사선에 노출될 때, 광전 효과로 인하여 패터닝 디바이스는 약간 양으로 하전될 수 있다. 그 결과, 패터닝 디바이스를 향하여 이러한 입자에 편향력(biasing force)이 있을 수 있으며, 이는 바람직하지 않다.

지지 구조체에 의해 지지되는 패터닝 디바이스는 전반적으로 비-이미지 형성 부분으로 둘러싸인 중앙 이미지 형성 부분을 포함할 수 있다. 이미지 형성 부분은 패턴 내에 배열된 반사부 및 비-반사부 모두를 포함할 수 있다. 사용시, 방사선 빔은 이미지 형성 부분에 의해 반사될 수 있으며, 이 부분은 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 역할을 할 수 있다. 투영 시스템은 기판 상에 패터닝 디바이스의 이미지 형성 부분의 (분해능-제한된) 이미지를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스의 전위는 유동적일 수 있다 (예를 들어, 패터닝 디바이스는 지지 구조체로부터 전기적으로 격리될 수 있다).

단순하게, 음으로 하전된 입자를 단일 바이어싱 전극을 향하여 그리고 패터닝 디바이스에서 떨어져 끌어당기기 위하여, 예를 들어 양의 바이어싱 전압을 갖는 패터닝 디바이스를 향하는 단일 바이어싱 전극이 제공되는 간단한 배열체를 고려할 수 있다. 그러나 플라즈마의 존재로 인해, 이러한 배열체와 플라즈마는 단일 바이어싱 전극과 패터닝 디바이스 사이에 전도성 링크를 제공할 것이다. 그 결과, 유동적인(floating) 패터닝 디바이스는 단일 바이어싱 전극과 동일한 전위로 당겨질 것이며 음으로 하전된 입자에 작용하는 바이어싱 필드가 없을 것이다.

대조적으로, 본 발명의 제1 양태에 다른 패터닝 디바이스 조절 시스템의 바이어싱 모듈은 2개의 바이어싱 전극을 이용한다. 제1 및 제2 전극 모두는 지지 구조체에 의해 지지되는 패터닝 디바이스와의 용량성 결합을 갖는다. 제1 전극은 패터닝 디바이스의 전압을 제1 양전압으로 효과적으로 압박(urging)하며 제2 전극은 패터닝 디바이스의 전압을 제2 음전압으로 효과적으로 압박한다. 이 배열체의 결과는 패터닝 디바이스가 제1 양전압과 제2 음전압 사이의 중간 전압이 되는 경향이 있다는 것이다. 중간 전압은 제1 및 제2 전압의 가중 평균인 것으로 간주될 수 있으며, 가중은 패터닝 디바이스에 대한 2개의 전극의 용량성 결합에 의해 결정된다. 패터닝 디바이스에 대한 전극들의 각각의 용량성 결합은 패터닝 디바이스와 중첩되는 전극의 면적 및 전극과 패터닝 디바이스 간의 간격 (및 전극과 패터닝 디바이스 사이에 배치된 매체의 유전율)에 의존한다는 점이 인식될 것이다. 이 매개변수의 그리고 제1 및 제2 전압의 적절한 선택에 의하여 패터닝 디바이스의 전압 (또한 중간 전압으로 지칭됨)이 음전압이다라는 것이 보장될 수 있다는 점이 인식될 것이다.

제1 양전압과 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 할 수 있다.

(제1 양전압에서 유지되는) 제1 전극의 표면에는 양 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점 그리고 제1 전극과 중첩되는 패터닝 디바이스의 부분에는 전반적으로 동일한 그리고 반대의 음 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점이 인식될 것이다. 따라서, 제1 전극과 패터닝 디바이스 사이에 배치된 (예를 들어, 가스 흐름에 연행된) 임의의 음전하는 제1 전극을 향하여 그리고 패터닝 디바이스에서 떨어져 바이어스되는 경향이 있을 것이다. 이는 이러한 입자를 패터닝 디바이스에서 떨어져 유지시키기 때문에 유리하다.

유사하게, (제2 음전압에서 유지되는) 제2 전극의 표면에는 음 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점 그리고 제2 전극과 중첩되는 패터닝 디바이스의 부분에는 전반적으로 동일한 그리고 반대의 양 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점이 인식될 것이다. 따라서, 제2 전극과 패터닝 디바이스 사이에 배치된 (예를 들어, 가스 흐름에 연행된) 임의의 음전하는 제2 전극에서 떨어져 그리고 패터닝 디바이스를 향하여 바이어스되는 경향이 있을 것이다. 그러나 제2 전극은 지지 구조체의 제2 부분, 즉 사용시 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분을 지지하는 지지 구조체의 부분과 중첩되도록 배치된다. 따라서, 이러한 입자들이 패터닝 디바이스를 향하여 압박되더라도, 이들은 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분을 향하여 압박되며 따라서 기판 상에 형성된 이미지에 영향을 미치지 않을 것이다.

제1 전극과 패터닝 디바이스 사이에 또는 제2 전극과 패터닝 디바이스 사이에 있지 않은, 패터닝 디바이스에 인접하게 배치된 (예를 들어, 가스 흐름에 연행된) 임의의 음전하는 또한 패터닝 디바이스에서 떨어져 바이어스되는 경향이 있을 것이며, 이는 (음전하 밀도가 유도되는 제2 전극과 중첩되는 패터닝 디바이스의 영역으로부터 충분히 멀리 있다면) 음전하가 음의 중간 전압에서 유지되기 때문이다.

따라서, 본 발명의 제1 양태에 따른 패터닝 디바이스 조절 시스템은 가스 공급 모듈이 패터닝 디바이스로부터 떨어져 입자를 수송하도록 작용할 수 있는 가스의 흐름을 제공할 수 있기 때문에 유리하다. 동시에, 바이어싱 모듈은 전반적으로, 패터닝 디바이스의 비-이미징 부분의 일부분을 제외하고, 패터닝 디바이스의 모든 부분에서 떨어져 이 가스 흐름에 연행된 음으로 하전된 입자를 바이어스하도록 배열된다.

가스 노즐에 의해 지지 구조체에 인접하게 제공되는 가스의 흐름은 전반적으로 패터닝 디바이스의 표면에 평행하며 그리고 교차 흐름(cross-flow)으로 지칭될 수 있다.

패터닝 디바이스 조절 시스템은 적어도 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이에서 스캐닝 방향으로 지지 구조체를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 더 포함할 수 있다.

이러한 스캐닝 모듈은 동적 스캐닝 노광을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 스캐닝 모듈은 지지 구조체를 지지 프레임에 대해 스캐닝 방향으로 이동시키도록 작동 가능할 수 있다 (지지 구조체는 지지 프레임에 이동 가능하게 장착된 것으로 간주될 수 있다). 가스 공급 모듈과 바이어싱 모듈은 또한 지지 프레임에 장착될 수 있다. 가스 공급 모듈과 바이어싱 모듈은 지지 구조체가 이동할 때 가스 공급 모듈과 바이어싱 모듈이 고정된 상태로 남아있을 수 있도록 지지 프레임에 대해 고정될 수 있거나 적어도 지지 구조체와 관계없이 지지 프레임에 대해 이동 가능할 수 있다.

스캐닝 모듈을 포함하는 이러한 실시예에 대하여, 제2 전극은 지지 구조체의 제2 부분과 중첩되지만 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 위치 범위의 적어도 일부에 대해 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다는 점이 인식될 것이다.

제1 위치와 제2 위치 사이에서의 지지 구조체의 이동은 (지지 구조체의 제1 부분이 배치될 수 있는 모든 영역에 의하여 규정된) 지지 구조체의 연장된 제1 부분 및 지지 구조체의 연장된 제2 부분을 규정할 수 있다.

제2 전극은, 지지 구조체가 제1 종단 위치, 제2 종단 위치 또는 그들 사이의 임의의 위치에 배치될 때 지지 구조체의 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.

이러한 배열체로, 제2 전극은 고정된 비임계 결함 영역과 중첩되는 것으로 간주될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극은 (스캐닝 방향에 수직인) 비-스캐닝 방향으로 연장되는 하나 이상의 연장된 전극을 포함할 수 있다.

제1 전극은 지지 구조체의 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치될 수 있다.

지지 구조체를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 포함하는 실시예에 대하여 제1 전극은 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 위치 범위의 적어도 일부에 대해 지지 구조체의 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치될 수 있다는 점이 인식될 것이다.

제1 전극은 복수의 제1 전극 요소를 포함할 수 있다.

제1 전극 요소는, 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 위치들의 일정 범위 내의 임의의 위치에 대하여 제1 전극 요소들 중 적어도 하나가 지지 구조체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 배열될 수 있다.

제1 전극 요소들 중 적어도 하나는 지지 구조체의 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다.

전압 공급부는 지지 구조체의 위치에 의존하여 제1 전극 요소들의 각각의 전압을 제어하도록 배열될 수 있다.

제2 전극은 복수의 제2 전극 요소를 포함할 수 있으며, 여기서 제2 전극 요소들의 각각은 지지 구조체의 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.

제2 전극은 2개의 제2 전극 요소를 포함할 수 있으며, 제2 전극 요소들의 각각은 스캐닝 방향에 수직인 비-스캐닝 방향으로 연장된다. 예를 들어, 2개의 제2 전극 요소는 지지 구조체의 연장된 제1 부분 영역에 인접한 지지 구조체의 연장된 제2 부분 영역을 따라 연장될 수 있다.

전압 공급부는 지지 구조체의 위치에 의존하여 제2 전극 요소들의 각각의 전압을 제어하도록 배열될 수 있다.

제1 양전압 및 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 전압의 크기가 50V 미만이도록 할 수 있다.

패터닝 디바이스의 전압이 음전압이면 패터닝 디바이스의 전압의 크기가 50V 미만일 때 패터닝 디바이스의 전압은 -50V 내지 0V이라는 점이 인식될 것이다. 예를 들어, 인가된 전압은 패터닝 디바이스의 전압의 크기가 20V 미만, 예를 들어 대략 10V이도록 할 수 있다.

패터닝 디바이스의 전압을 비교적 작지만 음전압에서 유지시키는 것은 패터닝 디바이스의 (상대적으로 얇은) 전도성 필름을 통한 전류의 레벨을 감소시키면서 패터닝 디바이스의 이미지 형성 부분에서 떨어져, 음으로 하전된 입자의 유리한 바이어싱을 제공할 수 있다. 유리하게는, 이는 패터닝 디바이스의 가열 및/또는 손상을 줄일 수 있다. 더욱이, 제1 전극 및 제2 전극에서 전압이 제거되면, 패터닝 디바이스에서 유도된 바이어싱 전압이 그대로 남을 수 있다. 이 전압을 낮게 (예를 들어, 50V 미만) 유지시킴으로써, 이 전압 아크 또는 다른 금속 구성 요소와의 단락의 가능성이 감소된다.

제1 및 제2 전극 중 하나 이상은 패터닝 디바이스 마스킹 블레이드 상에 제공될 수 있으며, 패터닝 디바이스 마스킹 블레이드의 에지는 패터닝 디바이스 상의 필드 영역의 주변부의 일부분을 규정한다.

제1 및 제2 전극 중 하나 이상은 가스 공급 모듈의 일부분 상에 제공될 수 있다.

대안적으로, 제1 및 제2 전극 중 하나 이상은 리소그래피 장치 내에서 임의의 다른 구성 요소 상에 제공될 수 있다.

본 발명의 제2 양태에 따르면, 본 발명의 제1 양태에 따른 패터닝 디바이스 조절 시스템; 및 지지 구조체에 의하여 지지되는 패터닝 디바이스를 포함하는 조립체가 제공된다.

패터닝 디바이스는 레티클을 포함할 수 있다.

패터닝 디바이스는 레티클을 구비할 수 있다.

본 발명의 제3 양태에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 리소그래피 장치는 방사선 빔을 출력하도록 작동 가능한 조명 시스템; 본 발명의 제1 양태의 패터닝 디바이스 조절 시스템 -조명 시스템에 의해 출력된 방사선 빔은 지지 구조체에 의해 지지된 패터닝 디바이스가 방사선 빔의 횡단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있도록 지지 구조체로 지향됨-; 기판을 지지하기 위한 기판 테이블; 및 기판 상에 이미지를 형성하기 위해 기판의 타겟 영역 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영시키기 위한 투영 시스템을 포함한다.

본 발명의 제4 양태에 따르면, 리소그래피 장치 내에서 패터닝 디바이스를 조절하기 위한 방법이 제공되며, 본 방법은 패터닝 디바이스를 지지하는 것; 패터닝 디바이스에 인접한 가스의 흐름을 제공하는 것; 패터닝 디바이스와 적어도 부분적으로 중첩되도록 각각 패터닝 디바이스와 이격되면서 패터닝 디바이스를 향하는 제1 및 제2 전극을 제공하는 것 -제2 전극은 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분과 부분적으로 중첩되고 패터닝 디바이스의 이미징 부분과 중첩되지 않도록 배치됨-; 및 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키고 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키는 것을 포함한다.

가스의 흐름의 제공은 입자가 패터닝 디바이스와 접촉할 기회를 감소시키도록 작용할 수 있으며, 이는 이러한 입자가 가스 흐름에 연행될 수 있고 또한 패터닝 디바이스에서 떨어져 수송될 수 있기 때문이다.

본 발명의 제4 양태에 따른 방법은 2개의 바이어싱 전극을 사용한다. 제1 및 제2 전극 모두는 패터닝 디바이스와의 용량성 결합을 가지며 또한 패터닝 디바이스의 비-이미징 부분의 일부분을 제외하고 패터닝 디바이스의 모든 부분에서 떨어져 가스 흐름에 연행된 음으로 하전된 입자를 전반적으로 바이어스하기 위해 사용될 수 있다.

본 발명의 제5 양태에 따르면, 리소그래피 장치 내에서 펠리클 조립체를 갖는 패터닝 디바이스를 조절하기 위한 방법이 제공되며, 본 방법은 패터닝 디바이스를 지지하는 것; 패터닝 디바이스에 인접한 가스의 흐름을 제공하는 것; 패터닝 디바이스와 적어도 부분적으로 중첩되도록 각각 패터닝 디바이스와 이격되면서 패터닝 디바이스를 향하는 제1 및 제2 전극을 제공하는 것 - 제2 전극은 패터닝 디바이스의 일부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 펠리클 조립체와 중첩되지 않도록 배치되며, 제1 전극은 펠리클 조립체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치됨-; 및 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이고 펠리클의 전압이 양전압이도록 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키고 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키는 것을 포함한다.

본 발명의 제4 및 제5 양태의 방법은 적어도 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이에서 스캐닝 방향으로 지지 구조체를 이동시키는 것을 더 포함할 수 있다. 전압 공급부의 제1 양전압 및/또는 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 위치에 의존하여 제어될 수 있다.

본 발명의 제4 및 제5 양태의 방법들의 적어도 일부는 본 발명의 제1 양태의 패터닝 디바이스 조절 시스템을 사용하여 수행될 수 있다.

첨부된 개략적인 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서:
도 1은 리소그래피 장치와 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시하고 있다.
도 2는 도 1에서 보여지는 도시된 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 지지 구조체 및 지지 구조체에 의해 지지되는 패터닝 디바이스의 개략적인 평면도이다.
도 3a는 제1 종단 위치에 배치된, 도 2에서 보여지는 지지 구조체와 패터닝 디바이스의 개략적인 평면도이다.
도 3b는 제2 종단 위치에 배치된, 도 2에 도시된 지지 구조체와 패터닝 디바이스의 개략적인 평면도이다.
도 4a는 도 1의 리소그래피 장치의 지지 구조체 및 레티클 마스킹 블레이드 상의 패터닝 디바이스를 통한 제1 횡단면의 개략도이다.
도 4b는 도 1의 리소그래피 장치의 지지 구조체 및 레티클 마스킹 블레이드 상의 패터닝 디바이스를 통한 제2 횡단면의 개략도이다.
도 5는 제1 구성에서의 도 1의 리소그래피 장치의 y 마스킹 블레이드 와 x 마스킹 블레이드(점선)를 보여주는 평면도이다.
도 6a는 (패터닝 디바이스를 지지하는 것으로 보여지는) 지지 구조체 및 바이어싱 모듈을 포함하고 지지 구조체에 의해 지지될 때 패터닝 디바이스의 전위를 제어하기 위한 장치의 개략적인 평면도이다.
도 6b는 도 6a에서 보여지는 장치 및 지지된 패터닝 디바이스의 횡단면도를 보여주고 있다.

도 1은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 보여주고 있다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 빔(B)을 생성하도록 그리고 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)로 공급하도록 구성되어 있다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA) (예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함하고 있다.

조명 시스템(IL)은 EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사되기 전에 EUV 방사선 빔(B)을 조절하도록 구성되어 있다. 이에, 조명 시스템(IL)은 패싯 필드(facetted field) 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필(facetted pupil) 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 EUV 방사선 빔(B)에 원하는 횡단면 형상과 원하는 세기 분포를 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.

이렇게 조절된 후, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호작용한다. 이 상호작용의 결과로서, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상으로 투영하도록 구성되어 있다. 이 목적을 위하여, 투영 시스템(PS)은 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있으며, 이 미러는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상으로 투영하도록 구성되어 있다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 감소 지수를 적용할 수 있으며, 따라서 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처보다 더 작은 피처를 갖는 이미지를 형성한다. 예를 들어, 4 또는 8의 감소 지수가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)이 도 1에서는 단지 2개의 미러(13, 14)를 갖는 것으로 도시되어 있으나, 투영 시스템(PS)은 상이한 수의 미러 (예를 들어, 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다.

기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우에, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 이전에 형성된 패턴과 정렬시킨다.

상대적인 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력에서의 소량의 가스 (예를 들어, 수소)가 방사선 소스(SO)에, 조명 시스템(IL)에, 및/또는 투영 시스템(PS)에 제공될 수 있다.

도 1에서 보여지는 방사선 소스(SO)는, 예를 들어 레이저 생성 플라즈마(LPP)로 지칭될 수 있는 유형이다. 예를 들어 CO₂ 레이저를 포함할 수 있는 레이저 시스템(1)은, 예를 들어 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료 내로 레이저 빔(2)을 통해 에너지를 증착시키도록 배치되어 있다. 다음 설명에서 주석이 언급되지만, 임의의 적합한 연료가 사용될 수 있다. 연료는, 예를 들어, 액체 형태일 수 있으며, 또한 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기(3)는 플라즈마 형성 영역(4)을 향하여 궤적을 따라, 예를 들어 액적 형태의 주석을 지향시키도록 구성된 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔(2)은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석에 입사된다. 주석 내로의 레이저 에너지의 증착은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석 플라즈마(7)를 생성한다. 플라즈마의 이온과의 전자의 탈여기(de-excitation) 및 재결합 동안에 EUV 방사선을 포함하는 방사선이 플라즈마(7)로부터 방출된다.

플라즈마로부터의 EUV 방사선은 컬렉터(5)에 의해 수집되고 집속된다. 컬렉터(5)는, 예를 들어 근수직 입사 방사선 컬렉터(5) (때로는 더욱 일반적으로 수직 입사 방사선 컬렉터로 지칭됨)를 포함한다. 컬렉터(5)는 EUV 방사선 (예를 들어, 13.5㎚와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사시키도록 배열된 다층 미러 구조체를 가질 수 있다. 컬렉터(5)는 2개의 초점을 갖는 타원체 구성을 가질 수 있다. 아래에서 논의되는 바와 같이, 초점들 중 제1 초점은 플라즈마 형성 영역(4)에 있을 수 있으며, 초점들 중 제2 초점은 중간 초점(6)에 있을 수 있다.

레이저 시스템(1)은 방사선 소스(SO)로부터 공간적으로 분리될 수 있다. 이 경우, 레이저 빔(2)은, 예를 들어 적절한 지향 미러 및/또는 빔 익스팬더 및/또는 기타 광학계를 포함하는 빔 전달 시스템(보이지 않음)의 도움으로 레이저 시스템(1)으로부터 방사선 소스(SO)로 나아갈 수 있다. 레이저 시스템(1), 방사선 소스(SO) 및 빔 전달 시스템은 함께 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.

컬렉터(5)에 의해 반사된 방사선은 EUV 방사선 빔(B)을 형성한다. EUV 방사선 빔(B)은 중간 초점(6)에서 집속되어 플라즈마 형성 영역(4)에 존재하는 플라즈마의 중간 초점(6)에서 이미지를 형성한다. 중간 초점(6)에서의 이미지는 조명 시스템(IL)에 대한 가상 방사선 소스로서의 역할을 한다. 방사선 소스(SO)는 중간 초점(6)이 방사선 소스(SO)의 외함 구조체(9) 내의 개구(8)에 또는 그 근처에 위치되도록 배열되어 있다.

도 1이 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로서 방사선 소스(SO)를 도시하고 있지만, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스 또는 자유 전자 레이저(FEL)와 같은 임의의 적합한 소스가 사용되어 EUV 방사선을 생성할 수 있다.

본 발명의 실시예는 리소그래피 장치(LA) 내에서 패터닝 디바이스(MA)를 지지하기 위한 패터닝 디바이스 조절 시스템에 관한 것이다. 지금 논의되는 바와 같이, 패터닝 디바이스 조절 시스템은 패터닝 디바이스가 지지되는 동안 입자가 패터닝 디바이스(MA)에 입사될 가능성을 줄이도록 배열된다.

도 2에서 개략적으로 보여지는 바와 같이, 지지 구조체(MT)에 의해 지지되는 패터닝 디바이스(MA)는 전반적으로 비-이미지 형성 부분(22)으로 둘러싸인 중앙 이미지 형성 부분(20)을 포함할 수 있다. 이미지 형성 부분(20)은 패턴 내에 배열된 반사부 및 비-반사부 모두를 포함할 수 있다. 사용시, 방사선 빔(B)은 이미지 형성 부분(20)에 의해 반사되며, 이 부분은 패터닝된 방사선 빔(B')을 형성하는 역할을 할 수 있다. 전체 패터닝 디바이스(MA)는 (비교적 얇은) 전도성 코팅부를 구비할 수 있으며, 이 코팅부는 일반적으로 중앙 이미지 형성 부분(20) 및 비-이미지 형성 부분(22) 모두를 덮는다. 패터닝 디바이스(MA) (그리고 특히, 전도성 코팅부)의 전위는 유동적일 수 있다 (예를 들어, 패터닝 디바이스(MA)는 지지 구조체(MT)로부터 전기적으로 절연될 수 있다).

지지 구조체(MT)가 패터닝 디바이스(MA)를 지지하기 때문에 지지 구조체(MT)는 (도 2 내의 이미지 형성 부분(20)과 일치하는) 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)을 지지하기 위한 제1 부분 및 (도 2의 이미지 형성 부분(20)과 일치하는) 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)을 지지하기 위한 제2 부분을 포함하는 것으로 간주될 수 있다는 점이 인식될 것이다.

이제 도 3a 및 도 3b를 참조하여 논의되는 바와 같이, 단일 동적 스캐닝 노광에서 패터닝 디바이스(MA)의 더 큰 영역을 노광시키기 위하여 지지 구조체(MT)는 스캐닝 방향으로 이동 가능할 수 있다. 도 3a 및 도 3b는 2개의 상이한 위치에 있는 지지 구조체(MT)와 패터닝 디바이스(MA)의 개략적인 평면도를 보여주고 있다.

지지 구조체(MT)는 영역(24) 내에 이동 가능하게 장착된다. 특히, 지지 구조체(MT)는 (도 3a에서 보여지는 바와 같은) 제1 종단 위치와 (도 3b에서 보여지는 바와 같은) 제2 종단 위치 사이에서, 화살표 26으로 표시된 바와 같이, 스캐닝 방향으로 이동 가능하다.

달리 명시되지 않는 한, 이 명세서 전체에서 다음의 데카르트 좌표 세트가 사용된다. 스캐닝 방향은 y-방향으로 표시된다. 또한, 지지 구조체(MT)의 평면에 있고 스캐닝 방향에 수직인 방향은 비-스캐닝 방향으로 지칭되며 x-방향으로 표시된다. 지지 구조체(MT)의 평면에 수직인 방향은 z-방향으로 표시된다.

리소그래피 장치(LA)는 적어도 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이에서 스캐닝 방향으로 지지 구조체(MT)를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 포함하는 것으로 고려될 수 있다. 예를 들어, 스캐닝 모듈은, 지지 구조체(MT)가 이동 가능하게 장착된 것으로 간주될 수 있는 (영역(24)에 의하여 개략적으로 표시된) 지지 프레임에 대해 스캐닝 방향으로 지지 구조체(MT)를 이동시키도록 작동 가능할 수 있다.

제1 위치와 제2 위치 사이에서의 지지 구조체(MT)의 이동은 지지 구조체(MT)의 제1 부분 (또는 동등하게, 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)이 배치될 수 있는 모든 영역에 의하여 규정된, 지지 구조체(MT)의 연장된 제1 부분 영역(28)을 규정한다. 즉, 지지 구조체(MT)의 연장된 제1 부분 영역(28)은 지지 구조체(MT)의 제1 부분 (또는 동등하게, 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20))을 (도 3a에서 보여지는 바와 같은) 제1 종단 위치에서 (도 3b에서 보여지는 바와 같은) 제2 종단 위치로 이동시킴으로써 규정된 영역이다.

제1 위치와 제2 위치 사이에서의 지지 구조체(MT)의 이동은 또한 지지 구조체의 연장된 제2 부분 영역을 규정한다. 지지 구조체(MT)의 연장된 제2 부분 영역은 지지 구조체(MT)의 제1 부분 (또는 동등하게, 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20))이 배치될 수 없는 모든 영역에 의해 규정될 수 있다. 지지 구조체(MT)의 연장된 제2 부분 영역은 2개의 연장된 비임계 영역(30a, 30b)을 포함한다.

도 4a, 도 4b 및 도 5를 참조하여 이제 설명되는 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 조명되는 패터닝 디바이스(MA) 상의 필드의 범위를 규정하는 4개의 레티클 마스킹 블레이드를 구비하고 있다. 조명 시스템(IL)은 지지 구조체(MT) 상에 배치될 때 패터닝 디바이스(MA)의 영역을 조명하도록 작동 가능하다. 이 영역은 조명 시스템(IL)의 슬릿(slit)으로 지칭될 수 있고 또한 4개의 레티클 마스킹 블레이드에 의해 적어도 부분적으로 규정되며, 이 레티클 마스킹 블레이드는 방사선을 받아들일 수 있는 패터닝 디바이스의 전반적으로 직사각형인 영역을 규정한다. x 방향으로 지칭될 수 있는 제1 방향으로의 전반적으로 직사각형의 영역의 범위는 한 쌍의 x 마스킹 블레이드(32, 34)에 의해 규정된다. y 방향으로 지칭될 수 있는 제2 방향으로의 전반적으로 직사각형의 영역의 범위는 한 쌍의 y 마스킹 블레이드(36, 38)에 의해 규정된다.

마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)들의 각각은 지지 구조체(MT) 상의 패터닝 디바이스의 평면에 가깝게, 그러나 약간 바깥쪽에 배치된다. x 마스킹 블레이드(32, 34)는 제1 평면(40)에 배치되고 y 마스킹 블레이드(36, 38)는 제2 평면(42)에 배치된다.

마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)의 각각은 방사선을 받아들일 수 있는 패터닝 디바이스(MA)의 평면에서 직사각형 필드 영역(44)의 하나의 에지를 규정한다. 실제로, 조명 시스템(IL)은 직사각형 필드 영역(44)의 일부만을 조명할 수 있다. 도 5에서 보여지는 바와 같이, 조명 시스템(IL)은 (y 마스킹 블레이드(36, 38)의 위치에 따라) 직사각형 필드 영역(44)의 일부와 일치할 수 있는 만곡형 슬릿 영역(46)을 조명하도록 배열될 수 있다. 각 블레이드는 블레이드가 방사선 빔의 경로에 배치되지 않은 수축 위치와 조명 시스템(IL)에 의해 패터닝 디바이스(MA) 상으로 투영되는 방사선 빔을 적어도 부분적으로 차단하는 삽입 위치 사이에서 독립적으로 이동 가능할 수 있다. 마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)를 방사선 빔의 경로로 이동시킴으로써, 방사선 빔(B)은 (x 및/또는 y 방향으로) 줄여질(truncated) 수 있으며, 따라서 방사선 빔(B)을 받아들이는 필드 영역(44)의 범위를 제한한다.

x-방향은 리소그래피 장치(LA)의 비-스캐닝 방향에 대응하며 y-방향은 리소그래피 장치(LA)의 스캐닝 방향에 대응한다. 단일 동적 스캐닝 노광에서 패터닝 디바이스(MA)의 더 큰 영역을 노광시키기 위하여 (화살표 26으로 다시 표시된 바와 같이) 패터닝 디바이스(MA)는 필드 영역(44)을 통하여 y-방향으로 이동 가능하다.

기판(W)의 타겟 영역의 동적 노광 동안, 타겟 영역은 기판(W)의 평면 내의 노광 영역을 통해 이동되며, 이 노광 영역은 패터닝 디바이스(MA)의 노광 영역(44)이 투영 시스템(PS)에 의해 이미지화된 기판(W)의 부분이다. 기판(W)의 타겟 영역이 노광 영역으로 이동함에 따라, 제1 마스킹 블레이드(36, 38)는 타겟 영역만이 방사선을 받아들이도록 (즉, 타겟 영역 외부의 기판의 부분이 노광되지 않도록) 이동한다. 스캐닝 노광의 시작 시, y 마스킹 블레이드(36, 38)들 중 하나는 방사선 빔(B)의 경로에 배치되어, 셔터로서의 역할을 하며, 따라서 기판(W)의 어떤 부분도 방사선을 받아들이지 않는다. 스캐닝 노광의 종료 시, y 마스킹 블레이드(36, 38) 중 다른 하나는 방사선 빔(B)의 경로에 배치되어, 셔터로서의 역할을 하며, 따라서 기판(W)의 어떤 부분도 방사선을 받아들이지 않는다.

방사선 빔(B)의 광선은 마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)의 각각에 인접한 것으로 보여지고 있다. 슬릿 영역(46)의 각 포인트는 다양한 각도에서 방사선으로 조명된다는 점이 인식될 것이다. 예를 들어, 슬릿 영역(46)의 각 포인트는 원뿔형 방사선을 받아들일 수 있다. 방사선 빔(B)의 광선은 마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)들의 각각에 인접한 것으로 보여지고 있으며 패터닝 디바이스(MA)에 의해 받아들여진 방사선의 평균 방향을 나타낸다. 도 4a 및 도 4b에서 알 수 있는 바와 같이, 이 실시예에서, x-z 평면으로 투영됨에 따라, 방사선은 전반적으로 패터닝 디바이스(MA)에 수직적으로(normally) 입사하는 반면에, y-z 평면으로 투영됨에 따라 방사선은 전반적으로 48의 각도로 패터닝 디바이스(MA)에 입사된다.

리소그래피 장치(LA)는 가스 노즐(50)을 더 포함하며, 이 가스 노즐은 지지 구조체(MT)에 인접한 가스의 흐름(52)을 지향시키도록 배열되어 있다. 특히, 가스 노즐(50)에 의해 지지 구조체(MT)에 인접하게 제공되는 가스의 흐름(52)은 전반적으로 패터닝 디바이스(MA)의 표면에 평행하며 그리고 교차 흐름(cross-flow)으로 지칭될 수 있다. 가스 노즐(50)은 전반적으로 x 마스킹 블레이드(32, 34)와 동일한 평면 (제1 평면(40))에 배치되어 있다. 가스 노즐은 가스의 흐름(52)이 전반적으로 스캐닝 방향과 평행하고 x 마스킹 블레이드(32, 34)들 사이를 흐르도록 스캐닝 방향을 향한다. 가스 노즐(50)은 지지 구조체(MT)에 인접한 가스 흐름을 제공하도록 작동 가능한 가스 공급 모듈의 일부를 형성하는 것으로 간주될 수 있다.

도 5는 양의 z-방향(즉, 도 4b에서의 상향)으로 본 바와 같은 제2 평면(42)에서의 y 마스킹 블레이드(36, 38)의 평면도를 보여주고 있다. (제1 평면(40)에 배치된) x 마스킹 블레이드(32, 34)와 가스 노즐의 위치는 점선으로 보여지고 있다. 도 5에서, 4개의 마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)는 전반적으로 직사각형의 필드 영역(44)을 규정하도록 배치되어 있으며, 슬릿 영역(46)은 이 전반적으로 직사각형의 필드 영역(44) 내에 배치되어 있다. 이는 타겟 영역 (예를 들어, 기판(W) 상의 다이)의 중앙 부분의 노광 동안의 4개의 마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)의 전형적인 구성일 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, x 마스킹 블레이드(32, 34)들의 각각은 x 방향으로 이동하도록 작동 가능하며 y 마스킹 블레이드(36, 38)들의 각각은 y 방향으로 이동하도록 작동 가능하여 필드 영역(44)의 크기를 제어한다. Y 마스킹 블레이드(36, 38)는 필드 영역(44)의 동일한 측면으로부터 작동될 수 있도록 구성되어 있다. 이를 이루기 위해, y 마스킹 블레이드(36, 38)들은, (이들이 동일한 평면(42)에 놓일지라도) y 마스킹 블레이드(36, 38)들의 각각이 동일한 방향 (도 5에서의 음의 y 방향)으로 연장되는 하나 이상의 지지 부분이 제공되도록 형상화된다.

마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)와 가스 노즐(50)은 공동의 마스킹 블레이드 조립체 지지체 (보이지 않음)에 장착될 수 있다. 마스킹 블레이드(32, 34, 36, 38)는 이들이 이 지지체에 대해 이동할 수 있도록 이러한 지지대에 이동 가능하게 장착될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 가스 노즐은 이러한 지지체에 정적으로 장착될 수 있다.

입자가 기판(W) 상에 형성된 이미지에서의 이미징 오차로 이어질 수 있기 때문에 입자가 패터닝 디바이스(MA)와 접촉하는 것을 방지하는 것이 바람직할 수 있다.

이제 도 6a 및 도 6b를 참조하여 논의되는 바와 같이, 본 발명의 실시예는 지지 구조체(MT)에 의해 지지될 때 패터닝 디바이스(MA)의 전위를 제어하기 위한 바이어싱 모듈(biasing module)을 포함하는 장치에 관한 것이다. 바이어싱 모듈은 제1 전극(54), 제2 전극(56) 및 전압 공급부(58)를 포함하고 있다.

도 6b에서 가장 잘 알 수 있는 바와 같이, 제1 및 제2 전극(54, 56) 각각은 지지 구조체(MT) 및 이에 의해 지지되는 패터닝 디바이스(MA)와 적어도 부분적으로 중첩되도록 지지 구조체(MT)로부터 이격되면서 지지 구조체(MT)를 향한다. 지지 구조체(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)의 평면도를 보여주는 도 6a에서, 전극의 위치는 점선으로 표시되어 있다.

전압 공급부(58)는 라인(60, 62)들로 각각 표시된 바와 같이 제1 및 제2 전극(54, 56)의 각각과 전기적 연결 상태에 있다. 전압 공급부(58)는 제1 및 제2 전극(54, 56)의 각각의 전압을 제어하도록 작동 가능하다. 특히, 전압 공급부(56)는 제1 전극(54)을 제1 양전압에서 유지시키고 제2 전극(56)을 제2 음전압에서 유지시키도록 배열되어 있다.

제1 양전압과 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 한다.

(전압 공급부에 의해 음전압에서 유지되는) 제2 전극(56)은 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)과 적어도 부분적으로 중첩되고 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 중첩되지 않도록 배치된다.

이제 논의되는 바와 같이, (예를 들어, 위에서 설명된 가스 노즐(50)을 포함할 수 있는) 가스 공급 모듈과 조합하여, 이러한 바이어싱 모듈은 특히 유리하다. 바이어싱 모듈, (예를 들어, 위에서 설명된 가스 노즐(50)을 포함할 수 있는) 가스 공급 모듈 및 지지 구조체는 (예를 들어, 리소그래피 장치(LA)를 위한) 패터닝 디바이스 조절 시스템을 형성하는 것으로 간주될 수 있다.

유리하게는, 가스 노즐(50)로부터의 가스의 흐름(52)은 입자가 패터닝 디바이스(MA)와 접촉할 기회를 감소시키도록 작용할 수 있으며, 이는 이러한 입자가 가스 흐름(52)에 연행될 수 있고 또한 패터닝 디바이스(MA)에서 떨어져 수송될 수 있기 때문이다. 그러나 사용시에, 패터닝 디바이스(MA)가 방사선 빔(B)에 노출될 때, 방사선은 가스(52)가 플라즈마를 형성하게 할 수 있다. 러한 입자가 플라즈마를 통해 이동함에 따라, (플라즈마 내의 전자가 플라즈마의 이온보다 더 높은 이동도를 갖고 있기 때문에) 입자는 음으로 하전되는 경향이 있다. 더욱이, 사용 중에 패터닝 디바이스(MA)가 방사선에 노출될 때, 광전 효과로 인하여 패터닝 디바이스(MA)는 약간 양으로 하전될 수 있다. 그 결과, 패터닝 디바이스(MA)를 향하여 이러한 입자에 편향력(biasing force)이 있을 수 있으며, 이는 바람직하지 않다.

단순하게, 음으로 하전된 입자를 단일 바이어싱 전극을 향하여 그리고 패터닝 디바이스(MA)에서 떨어져 끌어당기기 위하여, 예를 들어 양의 바이어싱 전압을 갖는 패터닝 디바이스(MA)를 향하는 단일 바이어싱 전극이 제공되는 간단한 배열체를 고려할 수 있다. 그러나 플라즈마의 존재로 인해, 이러한 배열체와 플라즈마는 단일 바이어싱 전극과 패터닝 디바이스(MA) 사이에 전도성 링크를 제공할 것이다. 그 결과, 유동적인(floating) 패터닝 디바이스(MA)는 단일 바이어싱 전극과 동일한 전위로 당겨질 것이며 음으로 하전된 입자에 작용하는 바이어싱 필드가 없을 것이다.

대조적으로, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 위에서 설명된 바이어싱 모듈은 2개의 바이어싱 전극(54, 56)을 이용한다. 제1 및 제2 전극(54, 56) 모두는 지지 구조체(MT)에 의해 지지되는 패터닝 디바이스(MA)와의 용량성 결합을 갖는다. 제1 전극(54)은 패터닝 디바이스(MA)의 전압을 제1 양전압으로 효과적으로 압박(urging)하며 제2 전극(56)은 패터닝 디바이스(MA)의 전압을 제2 음전압으로 효과적으로 압박한다. 이 배열체의 결과는 패터닝 디바이스(MA)가 제1 양전압과 제2 음전압 사이의 중간 전압이 되는 경향이 있다는 것이다. 중간 전압은 제1 및 제2 전압의 가중 평균인 것으로 간주될 수 있으며, 가중은 패터닝 디바이스(MA)에 대한 2개의 전극(54, 56)의 용량성 결합에 의해 결정된다. 패터닝 디바이스(MA)에 대한 전극(54, 56)들의 각각의 용량성 결합은 패터닝 디바이스(MA)와 중첩되는 전극(54, 56)의 면적 및 전극(54, 56)과 패터닝 디바이스(MA) 간의 간격 (및 전극(54, 56)과 패터닝 디바이스(MA) 사이에 배치된 매체의 유전율)에 의존한다는 점이 인식될 것이다. 이 매개변수의 그리고 제1 및 제2 전압의 적절한 선택에 의하여 패터닝 디바이스(MA)의 전압 (또한 중간 전압으로 지칭됨)이 음전압이다라는 것이 보장될 수 있다는 점이 인식될 것이다.

(제1 양전압에서 유지되는) 제1 전극(54)의 표면에는 양 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점 그리고 제1 전극(54)과 중첩되는 패터닝 디바이스(MA)의 부분에는 전반적으로 동일한 그리고 반대의 음 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점이 인식될 것이다. 따라서, 제1 전극(54)과 패터닝 디바이스(MA) 사이에 배치된 (예를 들어, 가스 흐름에 연행된) 임의의 음전하는 제1 전극(54)을 향하여 그리고 패터닝 디바이스(MA)에서 떨어져 바이어스되는 경향이 있을 것이다. 이는 이러한 입자를 패터닝 디바이스(MA)에서 떨어져 유지시키기 때문에 유리하다.

유사하게, (제2 음전압에서 유지되는) 제2 전극(56)의 표면에는 음 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점 그리고 제2 전극(56)과 중첩되는 패터닝 디바이스(MA)의 부분에는 전반적으로 동일한 그리고 반대의 양 표면 전하 밀도가 유도될 것이라는 점이 인식될 것이다. 따라서, 제2 전극(56)과 패터닝 디바이스(MA) 사이에 배치된 (예를 들어, 가스 흐름에 연행된) 임의의 음전하는 제2 전극(56)에서 떨어져 그리고 패터닝 디바이스(MA)를 향하여 떨어져 바이어스되는 경향이 있을 것이다. 그러나 제2 전극(56)은 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)과 중첩되도록 배치된다. 따라서, 이러한 입자들이 패터닝 디바이스(MA)를 향하여 압박되더라도, 이들은 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)을 향하여 압박되며 따라서 기판(W) 상에 형성된 이미지에 영향을 미치지 않을 것이다.

제1 전극(54)과 패터닝 디바이스(MA) 사이에 또는 제2 전극(56)과 패터닝 디바이스(MA) 사이에 있지 않은, 패터닝 디바이스(MA)에 인접하게 배치된 (예를 들어, 가스 흐름에 연행된) 임의의 음전하는 또한 패터닝 디바이스(MA)에서 떨어져 바이어스되는 경향이 있을 것이며, 이는 (음전하 밀도가 유도되는 제2 전극(56)과 중첩되는 패터닝 디바이스(MA)의 영역으로부터 충분히 멀리 있다면) 음전하가 음의 중간 전압에서 유지되기 때문이다.

따라서, 위에서 설명된 패터닝 디바이스 조절 시스템은 가스 공급 모듈이 패터닝 디바이스(MA)에서 떨어져 입자를 수송하도록 작용할 수 있는 가스의 흐름(52)을 제공할 수 있기 때문에 유리하다. 동시에, 바이어싱 모듈은 전반적으로, 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미징 부분(22)의 일부분을 제외하고, 패터닝 디바이스(MA)의 모든 부분에서 떨어져 이 가스 흐름(52)에 연행된 음으로 하전된 입자를 바이어스하도록 배열되어 있다.

전압 공급부(58)는 제1 양전압 및 제2 음전압이 패터닝 디바이스(MA)의 전압의 크기가 50V 미만이도록 하게 하도록 구성된다. 예를 들어, 인가된 전압은 패터닝 디바이스(MA)의 전압이 20V 미만, 예를 들어 대략 10V이도록 할 수 있다.

패터닝 디바이스(MA)의 전압을 비교적 작지만 음전압에서 유지시키는 것은 패터닝 디바이스(MA)의 (상대적으로 얇은) 전도성 필름을 통한 전류의 레벨을 감소시키면서 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)에서 떨어져, 음으로 하전된 입자의 유리한 바이어싱을 제공할 수 있다. 유리하게는, 이는 패터닝 디바이스(MA)의 가열 및/또는 손상을 줄일 수 있다. 더욱이, 제1 전극 및 제2 전극에서 전압이 제거되면, 패터닝 디바이스(MA)에서 유도된 바이어싱 전압이 그대로 남을 수 있다. 이 전압을 낮게 (예를 들어, 50V 미만) 유지시킴으로써, 이 전압 아크 또는 다른 금속 구성 요소와의 단락의 가능성이 감소된다.

(음전하 밀도가 유도되는) 제2 전극(56)이 패터닝 디바이스의 이미지 형성 부분(20)과 중첩되지 않는다면 (도 6a 및 도 6b에서 약간 개략적으로 보여지는) 제1 및 제2 전극(54, 56)은 임의의 편리한 위치에 제공될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 제1 및 제2 전극 중 어느 하나는 복수의 전극에 의해 제공될 수 있다. 제1 및 제2 전극은 실질적으로 동일한 평면에 또는 (도 6a 및 도 6b에서와 같이) 패터닝 디바이스(MA)로부터 상이한 거리에 있는 상이한 평면에 제공될 수 있다.

스캐닝 모듈을 포함하고 또한 사용시 지지 구조체(MT)와 패터닝 디바이스(MA)가 스캐닝 방향으로 이동하는 실시예에 대하여, 제2 전극(56)은 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미징 부분(22)과 항상 중첩되고 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 전체 위치 범위에 대해 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 즉, 제2 전극은, 지지 구조체(MT)가 제1 종단 위치, 제2 종단 위치 또는 그들 사이의 임의의 위치에 배치될 때 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)과 적어도 부분적으로 중첩되고 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 실제로, 이는 다수의 제2 전극을 사용하여 달성될 수 있다. 이러한 다수의 제2 전극의 전압은, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)의 위치에 의존하여 제어될 수 있다.

일부 실시예에서, 제2 전극은 2개의 x 마스킹 블레이드(32, 34) 중 하나 또는 둘 모두에 제공된다. 유리하게는, 이들은 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 위치의 전체 범위를 통해 패터닝 디바이스(MA)와 중첩되며 특히 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)과 중첩된다.

선택적으로, 제1 전극(54)은 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 이러한 배열체는, 예를 들어 위에서 설명된 바와 같이 지지 구조체(MT)를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 포함하는 실시예를 위해 사용될 수 있으며, 이는 이러한 스캐닝 배열체에 대해 방사선 빔(B)을 받아들이지 않는 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)의 적어도 일부가 항상 있기 때문이다. 제1 전극(54)은 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 위치 범위의 적어도 일부에 대해 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 제1 전극(54)은 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 전체 위치 범위에 대해 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 실제로, 이는 다수의 제1 전극을 사용하여 달성될 수 있다. 이러한 다수의 제1 전극의 전압은, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)의 위치에 의존하여 제어될 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 전극은 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 스캐닝 위치의 범위의 적어도 일부에 대해 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 중첩되는 임의의 구성 요소 상에 제공된 하나 이상의 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극은 y 마스킹 블레이드(38, 38) 및/또는 가스 노즐(50) 상에 제공될 수 있다.

일반적으로, 위에서 설명된 바와 같이 지지 구조체(MT)를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 포함하는 실시예에 대하여, 제1 전극(54)은 지지 구조체(MT)의 연장된 제1 부분 영역(28) 내에서 중첩되도록 배치된 하나 이상의 전극을 포함할 수 있으며 (도 3a 및 도 3b 참조), 제2 전극(56)은 지지 구조체(MT)의 2개의 연장된 비임계 영역(30a, 30b) 내에서 중첩되도록 배치된 하나 이상의 전극을 포함할 수 있다 (도 3a 및 도 3b 참조).

일부 실시예에서, 패터닝 디바이스(MA)는 펠리클 조립체를 구비할 수 있다. 이러한 펠리클 조립체는 지지 프레임 상에서 인장된(tensioned) 비교적 얇은 멤브레인을 포함할 수 있다. 이미지 형성 부분(20)을 덮기 위하여 펠리클 조립체는 패터닝 디바이스(MA) 위에 제공된다. 예를 들어, 프레임은 패터닝 디바이스(MA)의 비-이미지 형성 부분(22)과 중첩될 수 있으며, 멤브레인은 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)과 중첩될 수 있다. 이러한 실시예에 대하여, 패터닝 디바이스 조절 시스템은 변경되어, 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 형성 부분(20)이 펠리클에 대해 음으로 바이어스되어 패터닝 디바이스(MA)로부터 펠리클을 향하여 입자에 전기적 힘을 생성하는 스킴(scheme)을 제공할 수 있다. 펠리클이 사용되는 실시예에 대하여 펠리클과 패터닝 디바이스 사이에 배치된 입자만이 이미징에 문제를 일으킨다 (이 영역 외부의 입자는 펠리클로 인하여 패터닝 디바이스(MA)에 충돌할 수 없다)는 점이 인식될 것이다.

이는 (예를 들어, 비-스캐닝 방향으로 연장되는) 펠리클 영역 외부의 패터닝 디바이스(MA)의 전도성 표면을 향하는 음으로 바이어스된 카운터-전극을 배치함으로써 그리고 (예를 들어, 스캐닝 방향으로 연장되는) 펠리클을 향하는 양으로 바이어스된 카운터-전극을 배치함으로써 달성될 수 있다. 즉, 펠리클과의 사용을 위하여 맞춰질 패터닝 디바이스 조절 시스템의 전극의 위치 결정 또는 바이어싱에 큰 변화가 이용되지 않는다. 펠리클은 실제 제1 전극에 의해 양의 바이어스로 유지되는 유효 제1 전극을 효과적으로 제공한다. 유리하게는, 펠리클에 의해 형성된 유효 제1 전극은 (펠리클이 패터닝 디바이스(MA)와 함께 이동함에 따라) 스캐닝 위치의 전체 범위에 대해 패터닝 디바이스(MA)의 전체 이미지 형성 부분(20)을 덮을 수 있다. 그러나, (용량성 결합을 통해 펠리클에 전압을 인가하는) 실제 전극과 펠리클 간의 중첩은 패터닝 디바이스(MA)의 스캐닝 위치의 범위에 걸쳐 달라질 수 있다는 점이 인식될 것이다.

본 명세서에서는 IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 다른 적용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 가능한 다른 적용은 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 플랫-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.

본 명세서에서는 리소그래피 장치의 맥락에서 본 발명의 실시예에 대해 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼 (또는 기타 기판) 또는 마스크 (또는 기타 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정 또는 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이 장치들은 일반적으로 리소그래피 툴로 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 대기 (비진공) 조건을 이용할 수 있다.

광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 사용에 대해 위에서 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 문맥이 허용하는 경우 본 발명은 광학 리소그래피에 제한되지 않으며 다른 적용, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있다는 점이 인식될 것이다.

문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 기계-판독 가능한 매체에 저장된 명령어로서 구현될 수 있으며, 이 매체는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 기계 (예를 들어, 연산 디바이스(computing device))에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장 또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독 가능한 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal) (예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 및/또는 명령어는 특정 동작을 수행하는 것으로서 본 명세서에서 설명될 수 있다. 그러나 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 작동은 사실은 연산 디바이스, 프로세서, 컨트롤러, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스에 기인하며 이렇게 하는 것은 액추에이터 또는 다른 디바이스를 물질계와 상호작용할 수 있게 한다는 점이 인식되어야 한다.

본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 위의 설명은 제한이 아닌, 예시를 위한 것이다. 따라서, 아래에 제시된 청구범위의 범위를 벗어남이 없이 설명된 바와 같이 본 발명에 대하여 수정이 이루어질 수 있다는 것이 당 업자에게 명백할 것이다.

조항

조항 1. 리소그래피 장치를 위한 패터닝 디바이스 조절 시스템을 개시하며, 패터닝 디바이스 조절 시스템은, 패터닝 디바이스를 지지하기 위한 것으로서, 패터닝 디바이스의 이미지 형성 부분을 지지하기 위한 제1 부분 및 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분을 지지하기 위한 제2 부분을 포함하는 지지 구조체; 지지 구조체에 인접한 가스의 흐름을 제공하도록 작동 가능한 가스 공급 모듈; 및 지지 구조체에 의해 지지될 때 패터닝 디바이스의 전위를 제어하기 위한 것으로서, 제1 전극, 제2 전극 및 전압 공급부를 포함하는 바이어싱 모듈을 포함하며, 여기서 제1 및 제2 전극 각각은 지지 구조체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 지지 구조체로부터 이격되면서 지지 구조체를 향하고; 전압 공급부는 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키도록 그리고 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키도록 배열되며; 제2 전극은 지지 구조체의 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된다.

조항 2. 조항 1의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 양전압 및 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 한다.

조항 3. 조항 1 또는 2의 패터닝 디바이스 조절 시스템은 적어도 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이에서 스캐닝 방향으로 지지 구조체를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 더 포함한다.

조항 4. 조항 1 내지 3 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제2 전극은, 지지 구조체가 제1 종단 위치, 제2 종단 위치 또는 그들 사이의 임의의 위치에 배치될 때 지지 구조체의 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된다.

조항 5. 조항 1 내지 4 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 전극은 지지 구조체의 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치된다.

조항 6. 조항 1 내지 5 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 전극은 복수의 제1 전극 요소를 포함한다.

조항 7. 조항 3을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 조항 6 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 전극 요소는, 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이의 위치들의 일정 범위 내의 임의의 위치에 대하여 제1 전극 요소들 중 적어도 하나가 지지 구조체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 배열된다.

조항 8. 조항 7의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 전극 요소들 중 적어도 하나는 지지 구조체의 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩된다.

조항 9. 조항 3을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 조항 6의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 전압 공급부는 지지 구조체의 위치에 의존하여 제1 전극 요소들의 각각의 전압을 제어하도록 배열된다.

조항 10. 조항 1 내지 9 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제2 전극은 복수의 제2 전극 요소를 포함하며, 제2 전극 요소들의 각각은 지지 구조체의 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 지지 구조체의 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된다.

조항 11. 조항 2를 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 조항 10의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제2 전극은 2개의 제2 전극 요소를 포함하며, 제2 전극 요소들의 각각은 스캐닝 방향에 수직인 비-스캐닝 방향으로 연장된다.

조항 12. 조항 3을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 조항 10 또는 11의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 전압 공급부는 지지 구조체의 위치에 의존하여 제2 전극 요소들의 각각의 전압을 제어하도록 배열된다.

조항 13. 조항 1 내지 12 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 양전압 및 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 전압의 크기가 50V 미만이게 한다.

조항 14. 조항 1 내지 13 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 및 제2 전극 중 하나 이상은 패터닝 디바이스 마스킹 블레이드 상에 제공되며, 패터닝 디바이스 마스킹 블레이드의 에지는 패터닝 디바이스 상의 필드 영역의 주변부의 일부분을 규정한다.

조항 15. 조항 1 내지 14 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템에서, 제1 및 제2 전극 중 하나 이상은 가스 공급 모듈의 일부분 상에 제공된다.

조항 16. 조립체는 조항 1 내지 15 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템; 및 지지 구조체에 의하여 지지되는 패터닝 디바이스를 포함한다.

조항 17. 조항 16의 조립체에서, 패터닝 디바이스는 펠리클을 구비한다.

조항 18. 리소그래피 장치는, 방사선 빔을 출력하도록 작동 가능한 조명 시스템; 조항 1 내지 15 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스 조절 시스템 -조명 시스템에 의해 출력된 방사선 빔은 지지 구조체에 의해 지지된 패터닝 디바이스가 방사선 빔의 횡단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있도록 지지 구조체로 지향됨-; 기판을 지지하기 위한 기판 테이블; 및 기판 상에 이미지를 형성하기 위해 기판의 타겟 영역 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영시키기 위한 투영 시스템을 포함한다.

조항 19. 리소그래피 장치 내에서 패터닝 디바이스를 조절하는 방법은, 패터닝 디바이스를 지지하는 것; 패터닝 디바이스에 인접한 가스의 흐름을 제공하는 것; 패터닝 디바이스와 적어도 부분적으로 중첩되도록 각각 패터닝 디바이스와 이격되면서 패터닝 디바이스를 향하는 제1 및 제2 전극을 제공하는 것 -제2 전극은 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분과 부분적으로 중첩되고 패터닝 디바이스의 이미징 부분과 중첩되지 않도록 배치됨-; 및 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키고 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키는 것을 포함한다.

20. 리소그래피 장치 내에서 펠리클 조립체를 갖는 패터닝 디바이스를 조절하는 방법은, 패터닝 디바이스를 지지하는 것; 패터닝 디바이스에 인접한 가스의 흐름을 제공하는 것; 패터닝 디바이스와 적어도 부분적으로 중첩되도록 각각 패터닝 디바이스와 이격되면서 패터닝 디바이스를 향하는 제1 및 제2 전극을 제공하는 것 - 제2 전극은 패터닝 디바이스의 일부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 펠리클 조립체와 중첩되지 않도록 배치되며, 제1 전극은 펠리클 조립체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치됨-; 및 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이고 펠리클의 전압이 양전압이도록 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키고 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키는 것을 포함한다.

조항 21. 조항 19 또는 20의 방법은 적어도 제1 종부 위치와 제2 종단 위치 사이에서 스캐닝 방향으로 지지 구조체를 이동시키는 것을 더 포함한다.

조항 22. 조항 21의 방법에서, 전압 공급부의 제1 양전압 및/또는 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 위치에 의존하여 제어된다.

조항 23. 조항 19 내지 22 중 어느 한 조항의 방법에서, 본 방법의 적어도 일부는 조항 1 내지 15 중 어느 하나의 패터닝 디바이스 조절 시스템을 이용하여 수행된다.

Claims (15)

1. 리소그래피 장치를 위한 패터닝 디바이스 조절 시스템에 있어서,
   패터닝 디바이스를 지지하기 위한 것으로서, 상기 패터닝 디바이스의 이미지 형성 부분을 지지하기 위한 제1 부분 및 상기 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분을 지지하기 위한 제2 부분을 포함하는 지지 구조체;
   상기 지지 구조체에 인접한 가스의 흐름을 제공하도록 작동 가능한 가스 공급 모듈; 및
   상기 지지 구조체에 의해 지지될 때 패터닝 디바이스의 전위를 제어하기 위한 것으로서, 제1 전극, 제2 전극 및 전압 공급부를 포함하는 바이어싱 모듈을 포함하며,
   상기 제1 및 제2 전극 각각은 상기 지지 구조체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 상기 지지 구조체로부터 이격되면서 지지 구조체를 향하고;
   상기 전압 공급부는 상기 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키도록 그리고 상기 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키도록 배열되며;
   상기 제2 전극은 상기 지지 구조체의 상기 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 상기 지지 구조체의 상기 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 양전압 및 상기 제2 음전압은 상기 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 하는 것인 패터닝 디바이스 조절 시스템.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 제1 종단 위치와 제2 종단 위치 사이에서 스캐닝 방향으로 상기 지지 구조체를 이동시키도록 작동 가능한 스캐닝 모듈을 더 포함하는 패터닝 디바이스 조절 시스템.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 전극은, 상기 지지 구조체가 상기 제1 종단 위치, 상기 제2 종단 위치 또는 그들 사이의 임의의 위치에 배치될 때 상기 지지 구조체의 상기 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 상기 지지 구조체의 상기 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 지지 구조체의 상기 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극은 복수의 제1 전극 요소를 포함하는 패터닝 디바이스 조절 시스템.
7. 제3항을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 제6항에 있어서, 상기 제1 전극 요소는, 상기 제1 종단 위치와 상기 제2 종단 위치 사이의 위치들의 일정 범위 내의 임의의 위치에 대하여 상기 제1 전극 요소들 중 적어도 하나가 상기 지지 구조체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 배열된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
8. 제7항에 있어서, 제1 전극 요소들 중 상기 적어도 하나는 상기 지지 구조체의 상기 제1 부분과 적어도 부분적으로 중첩되는 패터닝 디바이스 조절 시스템.
9. 제3항을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 제6항에 있어서, 상기 전압 공급부는 상기 지지 구조체의 위치에 의존하여 제1 전극 요소들의 각각의 전압을 제어하도록 배열된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전극은 복수의 제2 전극 요소를 포함하며, 제2 전극 요소들의 각각은 상기 지지 구조체의 상기 제2 부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 상기 지지 구조체의 상기 제1 부분과 중첩되지 않도록 배치된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
11. 제2항을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 제10항에 있어서, 상기 제2 전극은 2개의 제2 전극 요소를 포함하며, 제2 전극 요소들의 각각은 스캐닝 방향에 수직인 비-스캐닝 방향으로 연장되는 패터닝 디바이스 조절 시스템.
12. 제3항을 직접 또는 간접적으로 인용할 때의 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 전압 공급부는 상기 지지 구조체의 위치에 의존하여 제2 전극 요소들의 각각의 전압을 제어하도록 배열된 패터닝 디바이스 조절 시스템.
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 양전압 및 상기 제2 음전압은 패터닝 디바이스의 전압의 크기가 50V 미만이게 하는 것인 패터닝 디바이스 조절 시스템.
14. 리소그래피 장치 내에서 패터닝 디바이스를 조절하는 방법에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스를 지지하는 것;
    상기 패터닝 디바이스에 인접한 가스의 흐름을 제공하는 것;
    상기 패터닝 디바이스와 적어도 부분적으로 중첩되도록 각각 상기 패터닝 디바이스와 이격되면서 패터닝 디바이스를 향하는 제1 및 제2 전극을 제공하는 것 -상기 제2 전극은 상기 패터닝 디바이스의 비-이미지 형성 부분과 부분적으로 중첩되고 상기 패터닝 디바이스의 이미징 부분과 중첩되지 않도록 배치됨-; 및
    상기 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이도록 상기 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키고 상기 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키는 것을 포함하는 패터닝 디바이스 조절 방법.
15. 리소그래피 장치 내에서 펠리클 조립체를 갖는 패터닝 디바이스를 조절하는 방법에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스를 지지하는 것;
    상기 패터닝 디바이스에 인접한 가스의 흐름을 제공하는 것;
    상기 패터닝 디바이스와 적어도 부분적으로 중첩되도록 각각 상기 패터닝 디바이스와 이격되면서 패터닝 디바이스를 향하는 제1 및 제2 전극을 제공하는 것 -상기 제2 전극은 상기 패터닝 디바이스의 일부분과 적어도 부분적으로 중첩되고 상기 펠리클 조립체와 중첩되지 않도록 배치되며, 상기 제1 전극은 상기 펠리클 조립체와 적어도 부분적으로 중첩되도록 배치됨-; 및
    상기 패터닝 디바이스의 전압이 음전압이고 상기 펠리클의 전압이 양전압이도록 상기 제1 전극을 제1 양전압에서 유지시키고 상기 제2 전극을 제2 음전압에서 유지시키는 것을 포함하는 패터닝 디바이스 조절 방법.

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