JP2005183973A - リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射線の投影ビームを提供する照明系と、物品支持体上で前記放射線の投影ビームのビーム経路内に配置される平坦な物品を支持するための物品支持体と、投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備えるリソグラフィ装置。本発明によれば、前記凹形充填ガス供給部が、経路構造を前記静電界から遮蔽するための遮蔽層を備える。
【選択図】図4
Description
− リソグラフィ投影技法を用いてデバイスを製造する際に加工される基板、或いは
− リソグラフィ投影装置内のリソグラフィ投影マスク若しくはマスク・ブランク、マスク検査装置若しくはマスク洗浄装置などマスク取扱い装置、又はマスク製造装置若しくは任意の他の物品若しくは、放射系の光路内で固定される光学要素などの用語のいずれかとすることができる。
− 放射線(たとえば、UV又はEUV放射線)の投影ビームPBを供給するための照明系(イルミネータ)ILと、
− 投影系PLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された、パターン形成手段(たとえば、マスク)MAを支持するための第1の支持構造(たとえば、マスク・テーブル)MTと、
− 投影系PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された、基板(たとえば、レジスト被覆ウェハ)Wを保持するための基板テーブル(たとえば、ウェハ・テーブル)WTと、
− パターン形成手段MAによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの(たとえば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分C上に結像するための投影系(たとえば、反射投影レンズ)PLとを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが実質的に静止したままであり、投影ビームに与えられたパターン全体が目標部分C上に1回で(すなわち、1回の静止露光)投影される。次いで、基板テーブルWTがX及び/又はY方向でシフトされ、その結果、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズにより、1回の静止露光で結像される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期して走査され、一方、投影ビームに与えられたパターンが目標部分C上に投影される(すなわち、1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PLの(縮小)倍率と像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズにより、1回の動的露光における目標部分の(非走査方向での)幅が制限され、一方、走査運動の長さにより、目標部分の(走査方向での)高さが決定される。
3.別のモードでは、マスク・テーブルMTが、プログラム可能なパターン形成手段を保持して実質的に静止したままであり、投影ビームに与えられたパターンが目標部分C上に投影されている間に、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス放射線源が使用され、走査中、基板テーブルWTの各移動の後で、又は連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラム可能なパターン形成手段が更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラム可能なミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成手段を使用するマスク不要のリソグラフィに容易に適用することができる。
になり、これは、典型的には、グラフに示されているディップ(dip)のはるか左側に見られる。したがって、周囲環境内においても、静電固定に使用される典型的な電圧の場合、ブレークスルーの可能性は高くない。しかし、典型的な間隙についての積は50muになり、これは、
すなわち典型的にはディップの右になる。したがって、周辺空気の除去中に、システムは、破壊が発生する可能性が高いパッシェン・ディップを横切る。図4は、図2に示されている線分X−Xに沿うウェハ・テーブル1の詳細な横断面図を示す。ウェハ6は、ウェハ・テーブル1上に示されている。したがって、一般的な高さ約5muの第1及び第2の突起2が示されている。電極7は、パッシェン・ディップによる電圧を超えない、この間隙全体にわたる電界をもたらす。しかし、経路構造5では、誘電体8がないため、特にテストのためにウェハ・テーブル1が可変の非真空状態で動作されるとき、パッシェン・ディップ電圧を超える可能性がある。経路構造5の底部とウェハ6の裏側との間に設けられた間隙は、10〜200muに及ぶ。図4の実施例では、間隙内で静電界を遮蔽する遮蔽層9を導入することにより、静電界の作用が緩和される。遮蔽層9は、カバー層とすることができるが、物品支持体1内に埋め込むこともできる。遮蔽層9は、経路構造5の底部10と側壁11を包み、したがって、間隙内の電圧差がパッシェン・ディップを超えないように、底部10とウェハ7の裏側との間に形成された間隙12を効果的に遮蔽する。図1の示されている実施例では、遮蔽層9を接地することができる。通常の動作条件では、EUV照射によりウェハの電圧が90ボルトを超えないため、ウェハ6を接地することは必要としない。
2 突起
3 支持ゾーン
4 包囲壁
5 経路構造
6 ウェハ
7 電極
8 誘電体
9 遮蔽層
10 底部
11 側壁
12 間隙
13 側壁
14 点線
C 目標部分
IF1 位置センサ
IF2 位置センサ
IL 照明系(イルミネータ)
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
MA パターン形成手段(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
PB 投影ビーム
PL 投影系
PM 第1の位置決め手段
PW 第2の位置決め手段
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル(ウェハ・テーブル)
Claims (13)
- 放射線の投影ビームを提供する照明系と、
物品支持体上で前記放射線の投影ビームのビーム経路内に配置される平坦な物品を支持するための物品支持体と、
投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、
前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備えるリソグラフィ装置であって、
前記凹形充填ガス供給部が、前記経路構造を前記静電界から遮蔽するための遮蔽層を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記凹形充填ガス供給部が、前記充填ガスを前記物品支持体の支持領域の上に移送するための経路構造を備え、前記経路構造が、前記遮蔽層を備えることを特徴とする、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記遮蔽層が、前記凹形充填ガス供給部を包む導電層を含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記遮蔽層が前記物品に対して所定の電圧で維持される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記遮蔽層が、接地された層である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記物品支持体が、支持中に前記物品と接触するための接地電極を備える、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記遮蔽層が支持中に前記物品と接触する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記静電クランプが、前記物品支持体の前記支持領域及び誘電体層の上に延在する電極を備え、前記誘電体層が前記電極を覆う、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記経路構造が前記誘電体層内に含まれる、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記誘電体層が、前記物品を支持するために複数の支持突起を備える、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記物品支持体が、パターン形成手段を支持するための支持体であり、前記パターン形成手段は、投影ビームにその断面でパターンを与えるように働く、請求項1から10までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記物品支持体が、基板の目標部分上に照射されたパターン形成済みビームによってパターン形成される基板を保持するための基板テーブルである、請求項1から8までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 物品支持体上で平坦な物品を支持するための、リソグラフィ装置用の物品支持体であって、
投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、
前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備え、
前記凹形充填ガス供給部が、前記経路構造を前記静電界から遮蔽するための遮蔽層を備えることを特徴とする物品支持体。
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