KR100804178B1 - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스 - Google Patents

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스 Download PDF

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 발명은: 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템; 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단; 실질적으로 편평한 기판을 지지하기 위하여 실질적으로 평면의 지지부를 제공하는 돌출부 구조가 한정된 복수의 돌출부들을 포함하고, 전기장에 의하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 대해 클램핑하기 위한 상기 전기장을 발생시키기 위한 1이상의 클램핑 전극을 포함하고, 기판과 접촉하도록 배치된 주변지지 에지를 더 포함하는 기판홀더 및 상기 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영하기 위한 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 1이상의 전극은 상기 주변 지지 에지를 넘어 연장된다.

Description

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된 디바이스{Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method, and Device Manufactured Thereby}
도 1은 본 발명에 따른 리소그래피 투영장치의 도;
도 2는 본 발명에 따른 기판홀더의 개략적인 평면도;
도 3은 라인 I-I를 따르는 도 2의 기판의 개략적인 부분도;
도 4는 본 발명에 따른 기판홀더의 다른 실시예의 상세단면도;
도 5는 본 발명에 따른 기판홀더의 제3실시예의 상세단면도이다.
본 발명은: 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템; 및 실질적으로 편평한 기판을 지지하기 위하여 실질적으로 평면의 지지부를 제공하는 돌출부 구조가 한정된 복수의 돌출부들을 포함하는 상기 투영빔의 빔 경로에 배치될 기판을 지지하는 기판홀더를 포함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것으로, 상기 기판홀더는 전기장에 의하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 대해 클램핑하기 위한 상기 전기장을 발생시키기 위한 1이상의 클램핑 전극을 포함하고, 상기 기판홀더는 기판과 접촉하도록 배치된 주변지지 에지를 더 포함한다.
통상적으로, 공지된 정전기 클램프들에는, 돌출부들 사이에 형성되는 공간을 충전시키는데 사용되는 백필 가스(backfill gas)를 사용하기 위한 수단, 상기 돌출부들을 지지하는 접지층을 형성하는 기저판 및 상기 기판홀더에 의하여 클램핑되는 기판의 뒷면이 제공된다. 상기 백필가스는 상기 기판으로부터 상기 기판홀더까지의 열전달 능력을 강화시킨다. 상기 백필가스가 진공작동상태로 흩어지지 않도록 클램핑 압력은 상기 백필가스의 압력보다 커야 하고, 약한 밀봉의 가둠상태를 제공하기 위하여 일반적으로 기판의 윤곽을 따르며 기판이 기판홀더와 접촉할 때 기밀식의 환경을 제공하는 윤곽을 갖는 벽이 존재한다.
유럽특허출원 EP0947884는 돌출부들이 기판의 평탄도를 높이도록 배치되는 기판홀더를 갖는 리소그래피 장치에 대하여 기술하고 있다. 상기 돌출부들은 일반적으로 0.5mm의 직경을 가지며, 서로 3mm 떨어진 거리에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재의 베드를 형성한다. 돌출부의 통상적인 높이는 5㎛이다. 하지만, 정전기 클램핑 구조, 특히 기판의 뒷부분으로 조사될 백필가스를 담기 위하여 하드 림(hard rim)이 존재하는 정전기 클램핑 구조와 관련하여, 웨이퍼는 경계 에지 부근에서 지지부가 끝남으로 인해 돌출부 구조의 경계부 부근에서 특히 불균일하게 지지되는 경향이 있다. 이는, 돌출 정도에 따라 웨이퍼의 상향 리프팅이나 에지 부근에서 아랫쪽으로의 "쳐짐(sagging)"을 야기하여, 허용할 수 없는 묘화 품질을 초래한다.
본 발명의 목적은, 기판홀더 경계부 부근의 웨이퍼 지지부의 불균일성의 문제에 대처하고 기판의 에지 부근에 제어가능한 방식으로 기판이 레벨링되는, 서문에 따른 포토리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 포토리소그래피 장치는 청구항 제1항의 특성화된 특징에 따라 배치된다.
제어가능한 방식으로 클램핑 전극이 기판홀더의 마지막 지지 에지를 넘도록 연장시키면, 기판 경계부 부근의 클램핑 압력이 변화될 수 있다. 따라서, 돌출부 구조에 의하여 한정되는 지지부의 크기와 관련한 기판의 크기에 따라, 전극이 주변 에지 외측으로 연장되어 에지 부근의 기판에 대하여 최적의 하향 비틀림모멘트를 제공할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 상기 돌출부의 구조는 일련의 동심원들로 배치되고, 상기 원들은 거리 a에 걸쳐 상호 분리되고, 상기 전극의 연장은
Figure 112007009382351-pat00001
(여기서, Δp는 가해진 클램핑 압력)으로 정의되는 기준 비틀림 하중의 0.1 내지 3배의 범위의 비틀림 하중을 발생시킨다. 상기 영역에서, 비틀림모멘트는 지지 에지 부근에서 기판의 최적의 높이차를 가져온다는 것을 확인할 수 있다.
상기 돌출구조가 일련의 동심원들로 배치되는 실시예에서, 상기 전극의 연장은 0.3＜b/a＜0.6(여기서, b는 전극 연장의 거리이고, a는 주변 지지 에지에서 가장 가까운 2개의 동심원들간의 상호 간격)의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
다른 바람직한 실시예에서, 상기 기판홀더는 주변 지지 에지 주변으로 연장되는 접지 전극을 포함한다. 상기 접지 전극에 의하여, 전극들 경계부상의 정전기 장이 잘 한정되어, 경계부 부근에서 정전기력들이 제어가능하다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 클램핑 전극은 돌출부 구조와 상보적인 구조로 구성되는 전기장 감쇠기를 포함한다. 상기 전기장 감쇠기는 유전층 및/또는 접지층을 포함할 수도 있다. 이러한 방식으로, 기판의 뒷면과 돌출부들 사이에 존재하는 전기력에 대하여, 기판과 기판홀더 사이에서 발전되는 정전기력이 상기 돌출부들 사이에서 감쇠된다. 이와 대응하여, 돌출부들 사이에서의 굽힘 정도가 현저히 낮아질 수 있다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선(예를 들어, 강한 자외선 영역의 광)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사원(Ex,IL), (이 경우에는 상기 방사원이 특별히 방사원(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크홀더가 마련되어 있고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판홀더가 마련되어 있고, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT);
- 기판(W)의 (예를 들어, 1이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C)상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화(imaging)하는 투영시스템 ("렌즈")(PL)을 포함하여 이 루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (투과마스크를 구비한) 투과형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상술된 바와 같은 형식의 프로그램가능한 거울배열과 같은 또 다른 종류의 패터닝수단을 채택할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 엑시머레이저원)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 조명시스템(일루미네이터)(IL)으로 곧장 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 이것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 여타의 다양한 구성요소들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 도달하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(흔히 예를 들어, 방사원(LA)이 수은램프인 경우에서 처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향 거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 대개 엑시머레이저인 경우이다. 본 발명과 청구 범위는 이들 시나리오를 모두 포함하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀 있는 마스크(MA)를 통과한 다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)을 포커싱한다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안에, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 장행정모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단행정모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에 마스크테이블(MT)이 단행정액추에이터에만 연결되거나 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1,M2) 및 기판 정렬마크(P1,P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다.
도시된 장치는 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 그 후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 하고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하는데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2에는, 본 발명에 따른 기판홀더(1)의 개략적인 평면도가 예시되어 있다. 이 도면에서는, 복수의 돌출부(2)들이 점선으로 도시되어 있고, 상기 돌출부들은 실질적으로 동심원내에 배향되어 있다. 상기 돌출부들은 일반적으로 0.5mm의 직경을 갖고 서로 3mm의 거리만큼 떨어져 배치되어 기판을 지지하는 지지부재의 베드를 형성한다. 거리 a의 상호 간격(도 3 참조)을 갖는 돌출부들의 최외각의 원들은 참조부호 3 및 4로 표기되어 있다. 또한, 주변 지지 에지를 넘어 연장되는 전극이 참조부호 8로 표기되어 있다. 이와 관련하여, 주변 지지 에지는 대체로 기판의 윤곽을 따르며 기판이 기판홀더(1)와 접촉할 때 기밀의 환경을 제공하는 윤곽을 갖는 벽의 형태로 이루어질 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 이와는 달리, 주변 지지 에지(3)는 상호 이격된 복수의 돌출부들을 포함하고, 이에 따라 돌출부들 중 최외각의 원을 형성할 수 있다. 이러한 설정에 있어, 기판을 지지하지 않고 백필 가스가 실질적으로 새어나가지 않도록 하는 (도시 안된) 밀봉에지가 존재할 수도 있다.
도 3은 도 2의 라인 Ⅰ-Ⅰ을 따른 개략적인 측면도이다. 이 도에서는, 주변 지지 에지(3)에 해당하는 최외각 돌출부 및 최외각 바로 이전의 돌출부(4)가 개략적인 방식으로 예시되어 있고, 이에 따르면 최외각 돌출부가 주변 지지 에지(3)를 형성한다. 상기 도에서, 기판홀더(1) 및 기판(7)은 곡선 5에 의하여 개략적으로 표시된 도면의 좌측을 향하여 연장된다. 주변 지지 에지(3)를 이루는 돌출부와 최외각 바로 이전의 돌출부(4)는 기저판(base plate:6)에 의하여 지지된다. 상기 기저판은 전기절연체로 만들어지는 것이 보통이며, 상기 재료들(ULE(Corning의 상표명) 및 사파이어)은 당업계에 잘 알려져 있다. 돌출부들, 그 중 도시되어 있는 3 및 4는 실질적으로 평면의 지지부를 제공하기 위한 돌출부 구조를 한정한다. 이러한 방식으로, 실질적으로 편평한 기판(7)이 지지된다. 실제에 있어서는, 최외각의 돌출부는 주위를 에워싸는 벽의 형태로 이루어지는 반면, 내측의 돌출부들은 통상적으로 원통으로 이루어져 있어 주변 지지 에지가 내측 돌출부들을 둘러싸는 형태로 되어 있다. 이러한 방식으로, 정전기 클램프를 위한, 기밀의 한정상태(confinement)가 부여되며, 백필 가스는 기판(7)의 뒷면, 주변 지지 에지(3) 및 기저판(6)에 의하여 한정된다.
또한, 주변 지지 에지(3)를 넘어 연장되는 기저판내에 매입되는 클램핑전극(8)이 개략적으로 예시되어 있다. 이에 대하여, 일반적인 체계로서 전극(8)은 절연재로 커버링되기 때문에 매설(buried)이라는 용어가 사용된다. 여기서, 클램핑전극(8)은 기판홀더의 상기 마지막 지지 에지를 넘어 연장되기 때문에, 기판 경계부 부근의 클램핑압력이 변화될 수 있다. 따라서, 돌출 구조에 의하여 한정되는 지지부의 크기와 관련된 기판의 크기에 따라, 상기 전극(8)이 주변 지지 에지(3)를 벗어나 연장됨으로써 상기 에지들 부근의 기판(7)에 대한 최적의 하향 비틀림모멘트를 제공할 수 있다. 접지전극(9)은 클램핑전극(8) 및 주변 지지 에지(3) 주위로 연장된다. 이에 의하여, 전극 8 및 9의 주변상의 정전기장이 상기 경계부들 부근에서 잘 형성된다.
최외각 돌출부로 이루어진 주변 지지 에지(3)와 최외각 바로 이전의 돌출부(4)간의 거리는 a로 표기된다. 주변 지지 에지(3)를 넘어 연장되는 전극(8)으로 커버링되는 연장 거리는 b로 표기된다. 클램핑 거리 b로 커버링되는 오버행(overhang) 이외의 클램핑전극(8)의 외측 에지와 기판(10)의 에지 사이의 기판의 최적의 잉여 오버행 거리는 c로 표기된다.
1차원 빔 이론에 따르면, 주변 지지 에지(3) 부근의 비틀림모멘트는 반시계방향의 비틀림모멘트(Ma )(클램핑된 빔 구조) 및 시계방향의 비틀림모멘트(Mb )(캔틸레버식 빔 구조)로 계산될 수 있다.
Figure 112004031131669-pat00002
수학식 1에서, Δp는 전극(8)에 의하여 가해지는 클램핑압력, a는 최외각 돌출부에 해당하는 주변 지지 에지(3)와 최외각 돌출부 바로 이전의 돌출부(4) 사이의 거리, b는 클램핑 거리, θa 는 지지 에지(3) 부근의 기판의 반시계방향 회전이다. 상기 수학식으로부터, 비회전 구조를 위한 클램핑 거리는 지지 돌출부들간의 지지 거리 a의 0.4배가 넘도록 연장되어야 한다는 것을 명백히 알 수 있다. 또한, 도 3에서 c로 표기된 기판의 클램핑되지 않은 오버랩의 정도가 지지 거리와 비교하여 (10배 이상의 정도로) 클 경우, 경계부 부근의 기판은 실질적으로 돌출부 3 및 4에 의하여 형성되는 지지 평면에 배치되는 초점평면의 최적의 깊이를 벗어나려는 경향이 있다. 웨이퍼의 오버행의 정도 c와 관련하여 클램핑 거리 b를 변화시킴으로써, 기판상의 모든 영역에 대한 최적의 초점깊이가 제공될 수 있으며, 여기서, 거리 c의 크기에 따라 거리 b가 보다 작거나 크게 선택될 수 있다.
c의 실제 값들은 지지 거리 a의 0 내지 10배에 이르며, 여기서, b의 값들은 상기 지지 거리 a의 0.1 내지 0.7배에 이른다.
이하의 표는 5가지 부하를 적용한 경우에 대한 결과들을 보여준다.
1. 마지막 지지 에지(3)에서 기판의 회전이 0일 경우의 최적 거리 b.
2. "작은" 기판의 연장(b+c=2a)에 대하여 지지 돌출부들 사이의 기판 및 기판 에지(10)에서의 동일한 편향에 대한 최적 거리 b.
3. "큰" 기판의 연장(b+c=10a)에 대하여 지지 돌출부들 사이의 기판 및 기판 에지(10)에서의 동일한 편향에 대한 최적 거리 b.
4. 160nm의 웨이퍼 에지의 최대 상향 편향에 대한 최적 거리 b.
5. 160nm의 웨이퍼 에지의 최대 하향 편향에 대한 최적 거리 b.
유효 클램프 연장 b/a 기판 에지 연장 (b+c)/a 위치에 따른 기판의 총 편향 ytot 클램프의 연장으로부터의 비틀림 하중 Mb/M 디자인 타겟
마지막 벌 (burl)의 좌측 A 클램프 의 유효 에지 B 웨이퍼의 에지 C
1 0.408 2 2.46 3.26 20 1 yb = ya
2 0.353 2 3.19 0.07 3.27 0.74 yc = ya, 작은 c
3 0.342 10 3.33 -0.40 3.34 0.70 yc = ya, 큰 c
4 0.160 10 4.92 -2.58 -160 0.15 yc＞= -160nm, 모든 c
5 0.680 2 -2.71 48 160 2.77 yc＜= 160nm, 모든 c
Mb/M 열은 상기 디자인들에 대한 마지막 지지 에지를 바로 벗어난 웨이퍼의 비틀림 모멘트의 변화를 나타낸다. 대략 0.1 내지 3의 범위가 모든 최적의 디자인을 포괄하는 것으로 보여진다. 여기서, Mb 는 정전기 클램프가 마지막 돌출부 바로 외측의 웨이퍼에 가해지는 실제 비틀림 모멘트이다. M은 평균의 일정한 정전기 클램프 하중 및 돌출 피치로부터 한정된 기준 모멘트이다. 또한, 상기 표에서, ya, yb, yc는 도 3에 나타낸 위치 A, B 및 C 부근에서 돌출부(2)에 의하여 한정되는 지지부(11)의 평면과 평행한 기준 평면으로부터의 수직방향으로의 기판의 편향을 나타낸다.
도 4는 본 발명에 따른 기판홀더의 또 다른 실시예의 상세 단면도이다. 이 실시예에서, 정전기 클램핑의 편향효과는 실질적으로 돌출부 구조와 상보적인 구조로 구성되는 전기장 감쇠기를 도입함으로써 더욱 완화된다. 보다 구체적으로, 도 4는 돌출부(2)들을 포함하는 기판홀더(1)를 나타내고 있고, 돌출부(2)들 사이의 영역에서 기판(7)과 전극(8)간의 거리는 증대된다. 따라서, 클램핑전극(8)에서, 2개의 이웃하는 돌출부(2)들 사이에 후퇴부(12)가 형성되어 상기 거리와는 반비례로 정전기력이 감소된다. 또한, 상기 실시예에서, 상기 전극(8)은 돌출부내로 돌출한 직립 요소(13)를 갖도록 형성되어, 돌출부의 직접적인 지지 영역내의 돌출부(2)들상에 가해지는 정력기력을 증대시킨다. 돌출부(2)들 사이에서 지지되지 않는 영역내의 정전기력은 실질적으로 작아지기 때문에, 편향이 덜 발생하고, 따라서 리소그래피 조명 프로세스의 초점 오차 및 오버레이 오차가 저감된다. 5㎛의 돌출 높이, 30nm의 표면조도 및 3kV로 적용된 정전기 하중이 통상적인 수치들이다. 이러한 구조에 있어서, 돌출부들 사이의 영역에서 300㎛ 및 4F/m의 유전상수를 갖는 20㎛이상의 유전층(14)으로 정전기 클램프가 커버링된다고 가정했을 때, 기판 전체에 걸쳐 350V 보다 큰 갭 전압은 발생되지 않기 때문에 급격한 변화를 막는다. 가해지는 전압은, 상기 돌출부들 사이에서는 0.06 바아, 그리고 돌출부들상에서는 16 바아의 전체적으로 추정된 클램핑 압력을 야기한다.
도 5는 본 발명에 따른 기판홀더의 또 다른 실시예의 상세단면도를 나타낸 다. 상기 실시예에서, 정전기 클램핑의 편향효과는 돌출부들 사이에 정전기 장을 차폐(shielding)하는 접지층(15)을 도입함으로써 완화된다. 상기 접지층(15)은 커버층일 수 있으나 기판홀더내에 매설될 수도 있다. 도 5에는, 돌출부들의 측벽(16)들이 접지층(15)으로 커버링되는 구조가 도시되어 있다. 이는, 기판(7)이 접지되는 추가적인 효과를 제공한다. 또한, 상기 기판홀더는, 상기 기판홀더를 금속층으로 커버링하고, 상기 돌출부의 최상부들을 클리어링하고 폴리싱 프로세스 등에 의하여 매끈하게 한 후에 매우 쉽게 제조될 수 있다.
당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 빔의 경로에 배치될 여하한의 대상물을 지칭하는 보다 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있을 것이다. 이러한 대상물은, 투영빔의 단면에 패턴을 부여하거나 기판이 그것의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 적용시킴으로써 패터닝되도록 하는 역할을 하는 패터닝수단(patterning device)을 포함할 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 어떠한 개념의 일반적이거나 특정적인 문맥적 관계를 고려하여 다음과 같은 정의가 주어진다. 상기 "패터닝수단"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 마스크테이블이 지지구조체가 되고, 상기 마스크테이블은 입사되는 방사선 빔내의 원하는 위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배치를 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 적절하게 국부적으로 치우친 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그램가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT 특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그램가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그램가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 이후에 방사선 감응재(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서는, 마스크 테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택함에 있어, 두 가지의 상이한 형식의 기계들간에 구분이 이루어질 수 있다. 어느 한 형식의 리소그래피 투영장치 에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper) 또는 스텝-앤드-리피트 장치(step-and-repeat apparatus)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대안의 장치에서는 소정의 기준 방향("스캐닝 방향")으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 평행 또는 반평행으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참고자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피 장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
나아가, 상기 리소그래피 장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는, 추가테이블들이 병렬로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 본 명세서에서 참고자료로 채택되는 듀얼스테이지 리소그래피 장치는, 예를 들어, 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에 개시되어 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 자외선과 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인) 극자외(EUV)선 및 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
본 발명의 특정 실시예들에 대하여 상술하였으나, 본 발명은 상술된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 상기 예시들은 기판홀더를, 기판의 타겟부상으로 패터닝되는 빔에 의하여 상기 기판이 패터닝될 수 있도록 잡아주는 웨이퍼 테이블이라 설명하였으나, 몇몇 실시예(특히, 반사형 마스크를 사용하는 실시예)에서는, 기판홀더가, 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지부일 수도 있다. 그러므로, 상기 설명은 본 발명을 제한하려는 의도를 가진 것이 아니라는 점을 이해해야 한다.
본 발명에 따르면, 기판홀더 경계부 부근의 웨이퍼 지지부의 불균일성의 문제에 대처하고 기판의 에지 부근에 제어가능한 방식으로 기판이 레벨링되는 포토리소그래피 장치를 얻을 수 있다.

Claims (13)

  1. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템; 및
    - 실질적으로 편평한 기판을 지지하기 위하여 실질적으로 평면의 지지부를 제공하는 돌출부 구조가 한정된 복수의 돌출부들을 포함하고 상기 투영빔의 빔 경로에 배치될 기판을 지지하는 기판홀더를 포함하고, 상기 기판홀더는 전기장에 의하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 대해 클램핑하기 위한 상기 전기장을 발생시키기 위한 1이상의 클램핑전극을 포함하고, 상기 기판홀더는 기판과 접촉하도록 배치된 최외각 돌출부로 이루어진 주변 지지 에지를 더 포함하며,
    - 상기 1이상의 클램핑전극은, 상기 기판의 에지 부근에서 상기 기판을 레벨링하는 비틀림 하중을 제공하기 위하여 상기 주변 지지 에지를 넘어 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극의 연장은
    Figure 112004031131669-pat00003
    으로 정의되는 기준 비틀림 하중의 0.1 내지 3배 범위의 비틀림 하중을 발생시키고, 여기서, Δp는 가해진 클램핑 압력이며, a는 두 돌출부 사이의 평균거리인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 돌출부 구조는 일련의 동심원들로 배치되고, 상기 전극의 연장은 0.3＜b/a＜0.6의 관계를 만족시키고, 여기서, b는 상기 전극의 연장 거리이고, a는 상기 주변 지지 에지에서 가장 가까운 2개의 동심원들간의 상호 간격인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판홀더는 상기 주변 지지 에지를 따라 연장되는 접지전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클램핑전극은 상기 돌출부 구조와 실질적으로 상보적인 구조이며 전기장의 감쇠를 제공하도록 구성되는 전기장 감쇠기를 포함하여 상기 돌출부들에 근접한 곳에 상기 전기장에 의하여 기판을 끌어당기는 압력을 집중시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전기장 감쇠기는 200㎛ 이상으로 된 4F/m의 유전상수를 갖는 유전층 및/또는 접지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 클램핑전극은 두 이웃하는 돌출부들 사이에서 후퇴되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 클램핑전극은 상기 돌출부들 각각의 내부로 돌출되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클램핑전극은 20㎛ 이상으로 된 4F/m의 유전상수를 갖는 유전층으로 커버링되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판홀더는 기판의 타겟부상으로 패터닝되는 빔에 의하여 상기 기판이 패터닝될 수 있도록 잡아주는 지지테이블인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 리소그래피 투영장치용 기판홀더에 있어서,
    - 실질적으로 편평한 기판을 지지하기 위하여 실질적으로 평면의 지지부를 제공하는 돌출부 구조가 형성된 복수의 돌출부들을 포함하고, 전기장에 의하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 대해 클램핑하기 위한 상기 전기장을 발생시키기 위한 1이상의 클램핑전극 및 기판과 접촉하도록 배치된 최외각 돌출부로 이루어진 주변 지지 에지를 포함하며,
    - 상기 1이상의 클램핑전극은, 상기 기판의 에지 부근에서 상기 기판을 레벨링하는 비틀림 하중을 제공하기 위하여 상기 주변 지지 에지를 넘어 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치용 기판홀더.
  12. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템; 및
    - 실질적으로 편평한 기판을 지지하기 위하여 실질적으로 평면의 지지부를 제공하는 돌출부 구조가 한정된 복수의 돌출부들을 포함하고 상기 투영빔의 빔 경로에 배치될 기판을 지지하는 기판홀더를 포함하고, 상기 기판홀더는 전기장에 의하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 대해 클램핑하기 위한 상기 전기장을 발생시키기 위한 1이상의 클램핑전극을 포함하고, 상기 기판홀더는 기판과 접촉하도록 배치된 최외각 돌출부로 이루어진 주변지지 에지를 더 포함하며,
    - 상기 클램핑전극은 상기 돌출부 구조와 실질적으로 상보적인 구조이며 전기장의 감쇠를 제공하도록 구성되는 전기장 감쇠기를 포함하여 상기 돌출부들에 근접한 곳에 상기 전기장에 의하여 기판을 끌어당기는 압력을 집중시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  13. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템; 및
    - 패터닝수단의 실질적인 뒷면을 지지하기 위하여 실질적으로 평면의 지지부를 제공하는 돌출부 구조가 한정된 복수의 돌출부들을 포함하고 상기 투영빔의 빔 경로에 배치될 상기 패터닝수단을 지지하는 패터닝수단 홀더를 포함하고, 상기 패터닝수단 홀더는 전기장에 의하여 상기 패터닝수단을 상기 패터닝수단 홀더에 대해 클램핑하기 위한 상기 전기장을 발생시키기 위한 1이상의 클램핑전극을 포함하고, 상기 패터닝수단 홀더는 상기 패터닝수단과 접촉하도록 배치된 최외각 돌출부로 이루어진 주변지지 에지를 더 포함하며,
    - 상기 1이상의 클램핑전극은 상기 패터닝수단의 에지 부근에서 상기 패터닝수단을 레벨링하는 비틀림 하중을 제공하기 위하여 상기 주변지지 에지를 넘어 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7041989B1 (en) 2004-10-22 2006-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
WO2012103967A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2490073B1 (en) * 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
EP3683627A1 (en) 2012-02-03 2020-07-22 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic apparatus
CN105934715B (zh) * 2014-01-20 2019-01-01 Asml荷兰有限公司 衬底保持件、用于光刻设备的支撑台、光刻设备和器件制造方法
TWI546464B (zh) * 2014-05-27 2016-08-21 財團法人金屬工業研究發展中心 多孔質氣靜壓軸承之製作方法
JP2023500106A (ja) * 2019-10-29 2023-01-04 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． リソグラフィ装置および静電クランプの設計
WO2021094057A1 (en) * 2019-11-14 2021-05-20 Asml Netherlands B.V. Substrate support, lithographic apparatus, method for manipulating charge distribution and method for preparing a substrate
JP2022060859A (ja) * 2020-10-05 2022-04-15 キオクシア株式会社 静電チャック装置及び半導体製造装置
WO2023285139A1 (en) * 2021-07-13 2023-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithography system, substrate sag compensator, and method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5532903A (en) 1995-05-03 1996-07-02 International Business Machines Corporation Membrane electrostatic chuck
KR20000023474A (ko) 1998-09-29 2000-04-25 시바타 마사하루 정전 척
EP1077393A2 (en) 1999-08-19 2001-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
KR20010040072A (ko) 1999-10-14 2001-05-15 하이든 마틴 웨이퍼-접촉 전극을 지닌 정전 척 및 웨이퍼를 처킹하는방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3471827D1 (en) 1983-09-30 1988-07-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck and loading method
GB2154365A (en) * 1984-02-10 1985-09-04 Philips Electronic Associated Loading semiconductor wafers on an electrostatic chuck
FR2661039B1 (fr) 1990-04-12 1997-04-30 Commissariat Energie Atomique Porte-substrat electrostatique.
US5094536A (en) * 1990-11-05 1992-03-10 Litel Instruments Deformable wafer chuck
JPH07153825A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Toto Ltd 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法
US5646814A (en) * 1994-07-15 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck
US5886863A (en) * 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
US5838529A (en) * 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
JP2000311933A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
JP3805134B2 (ja) * 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
US6268994B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-31 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck and method of manufacture
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP4312394B2 (ja) * 2001-01-29 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャックおよび基板処理装置
US20030098965A1 (en) * 2001-11-29 2003-05-29 Mike Binnard System and method for supporting a device holder with separate components
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1391786B1 (en) * 2002-08-23 2010-10-06 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5532903A (en) 1995-05-03 1996-07-02 International Business Machines Corporation Membrane electrostatic chuck
KR20000023474A (ko) 1998-09-29 2000-04-25 시바타 마사하루 정전 척
EP1077393A2 (en) 1999-08-19 2001-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
KR20010040072A (ko) 1999-10-14 2001-05-15 하이든 마틴 웨이퍼-접촉 전극을 지닌 정전 척 및 웨이퍼를 처킹하는방법

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