JP4376224B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成された照射光線を基板上に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板テーブルとの間の空間を液体で少なくとも部分的に充満するように構成された液体供給システムと、
空間に少なくとも部分的に露出されるように構成された表面を有するセンサと、
センサの表面と、導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加するように構成された電源であって、該要素が少なくとも部分的に前記空間に露出されるように構成された電源と
を備える、リソグラフィ投影装置が提供される。
照射光線を調整するように構成された照明システムと、
パターン形成装置であって、照射光線の断面中にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を支持するように構成された支持部と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部位上にパターン形成された照射光線を投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板テーブルとの間の空間を少なくとも部分的に液体で充満するように構成された液体供給システムと、
前記空間に少なくとも部分的に露出されるように構成された半導電性又は導電性表面を有するセンサと、
前記センサの表面と、前記空間に少なくとも部分的に露出されるように構成された要素との間にバイアス電圧を印加するように構成された電源と
を備える、リソグラフィ装置が提供される。
リソグラフィ装置の投影システムと基板との間の空間に液体を供給する工程と、
リソグラフィ装置のセンサの表面と導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加する工程であって、前記要素が少なくとも部分的に液体に露出され、前記表面が少なくとも部分的に液体に露出される、バイアス電圧を印加する工程と、
投影システムを用いて液体を貫通して基板上にパターン形成された照射光線を投影する工程と
を含む、デバイスを製造する方法が提供される。
リソグラフィ装置の投影システムと基板との間の空間に液体を供給する工程と、
リソグラフィ装置のセンサの表面と導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加する工程であって、前記要素が少なくとも部分的に液体に露出され、前記表面が少なくとも部分的に液体に露出される、バイアス電圧を印加する工程と、
を含む、リソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法が提供される。
照射光線PB(例えば紫外線(UV)又は遠紫外線(DUV))を調整するように構成された照明システム(照明器)ILと、
パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第1の位置決め器PMに連結された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを支持するように構成され、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め器PWに連結された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
パターン形成装置MAによって照射光線PBに付与したパターンを基板Wの目標部位C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折式投影レンズ・システム)PLと
を備える。
1.ステップ・モードであって、照射光線に付与されたパターン全体が目標部位Cに一度で投影される際、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれる(即ち、単一静止露光)。次いで、別の目標部位Cを露光できるように、基板テーブルWTは、X及び/又はY方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光範囲の最大寸法によって、単一静止露光で投影される目標部位Cの大きさが制限される。
2.スキャン・モードであって、パターンを付与された照射光線が目標部位C上に照射される間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期してスキャンされる(即ち、単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)率及び反転投影特性によって決定することができる。スキャン・モードでは、露光域の最大寸法によって、単一動的露光での目標部位の幅(非スキャン方向の)が制限され、スキャン移動距離によって目標部位の長さ(スキャン方向の)が決定される。
3.別のモードでは、マスク・テーブルMTは、プログラム可能パターン形成装置を保持して基本的に静止状態に保たれ、照射光線に付与されたパターンが目標部位C上に投影されている間、基板テーブルWTが移動又はスキャンさせられる。このモードでは、一般に、パルス式光源が用いられ、プログラム可能パターン形成装置は、スキャン中、基板テーブルWTの移動後ごとに、又は一連の各照射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上記に言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成装置を用いる非マスク式リソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (32)
- 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成された照射光線を前記基板上に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間を液体で少なくとも部分的に充満するように構成された液体供給システムと、
前記空間に少なくとも部分的に露出されるように構成された表面を有するセンサと、
前記センサの表面と、少なくとも部分的に前記空間に露出されるように構成されたリソグラフィ投影装置の導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加するように構成された電源と
を備える、リソグラフィ投影装置。 - 前記表面が少なくとも部分的に被覆で覆われている、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記被覆がクロムを有する、請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 負電圧が前記センサの表面に印加され、正電圧が前記導電性又は半導電性要素に印加される、請求項3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記表面が半導電性又は導電性材料を含む、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記導電性又は半導電性要素が鋼を含む、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 負電圧が前記センサの表面に印加され、正電圧が前記導電性又は半導電性要素に印加される、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記バイアス電圧が約5Vから約10Vまでである、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 照射光線を調整するように構成された照明システムと、
前記照射光線の断面にパターンを付与するように構成され、それによってパターン形成された照射光線が形成されるパターン形成装置を保持する構造を有する支持部と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の目標部位上に前記パターン形成された照射光線を投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間を少なくとも部分的に液体で充満するように構成された液体供給システムと、
前記空間に少なくとも部分的に露出されるように構成された半導電性又は導電性表面を有するセンサと、
前記センサの表面と前記空間に少なくとも部分的に露出されるように構成されたリソグラフィ投影装置の導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加するように構成された電源と
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記表面が少なくとも部分的に被覆で覆われている、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記被覆がクロムを有する、請求項10に記載のリソグラフィ投影装置。
- 負電圧を前記センサの表面に印加し、正電圧を前記要素に印加する、請求項11に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記要素が半導電性又は導電性材料を有する、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記半導電性又は導電性材料が鋼を有する、請求項13に記載のリソグラフィ投影装置。
- 負電圧を前記センサの表面に印加し、正電圧を前記要素に印加する、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記バイアス電圧が約5Vから約10Vまでである、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- リソグラフィ装置の投影システムと基板との間の空間に液体を供給する工程と、
リソグラフィ装置のセンサの表面とリソグラフィ投影装置の導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加する工程であって、前記要素が少なくとも部分的に前記液体に露出され、前記表面が少なくとも部分的に前記液体に露出されるバイアス電圧を印加する工程と、
前記投影システムを用いて前記液体を貫通して前記基板上にパターン形成された照射光線を投影する工程と
を含む、デバイスを製造する方法。 - 前記表面が少なくとも部分的に被覆で覆われている、請求項17に記載のデバイスを製造する方法。
- 前記被覆がクロムを有する、請求項18に記載のデバイスを製造する方法。
- 負電圧が前記センサの表面に印加され、正電圧が前記導電性又は半導電性要素に印加される、請求項19に記載のデバイスを製造する方法。
- 前記表面が半導電性又は導電性材料を有する、請求項17に記載のデバイスを製造する方法。
- 前記導電性又は半導電性要素が鋼を有する、請求項17に記載のデバイスを製造する方法。
- 負電圧を前記センサの表面に印加し、正電圧を前記導電性又は半導電性要素に印加する工程を含む、請求項17に記載のデバイスを製造する方法。
- 前記バイアス電圧が約5Vから約10Vまでである、請求項17に記載のデバイスを製造する方法。
- リソグラフィ装置の投影システムと基板との間の空間に液体を供給する工程と、
前記リソグラフィ装置のセンサの表面とリソグラフィ投影装置の導電性又は半導電性要素との間にバイアス電圧を印加する工程であって、前記要素が少なくとも部分的に前記液体に露出され、前記表面が少なくとも部分的に前記液体に露出されるバイアス電圧を印加する工程と、
を含む、リソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。 - 前記表面が少なくとも部分的に被覆で覆われている、請求項25に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
- 前記被覆がクロムを有する、請求項26に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
- 負電圧が前記センサの表面に印加され、正電圧が前記導電性又は半導電性要素に印加される、請求項27に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
- 前記表面が半導電性又は導電性材料を有する、請求項25に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
- 前記導電性又は半導電性要素が鋼を有する、請求項25に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
- 負電圧を前記センサの表面に印加し、正電圧を前記導電性又は半導電性要素に印加する工程を含む、請求項25に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
- 前記バイアス電圧が約5Vから約10Vまでである、請求項25に記載のリソグラフィ装置のセンサ表面の溶解を減少させる方法。
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NL1036211A1 (nl) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method. |
NL2005657A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of forming a lyophobic coating on a surface. |
US20130016329A1 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method |
WO2018114229A1 (en) | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus comprising an object with an upper layer having improved resistance to peeling off |
EP3646116B1 (en) | 2017-06-29 | 2023-12-13 | ASML Netherlands B.V. | A system, a lithographic apparatus, and a method for reducing oxidation or removing oxide on a substrate support |
US10871715B2 (en) | 2018-12-06 | 2020-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a device manufacturing method |
Family Cites Families (74)
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GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) * | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001272604A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
CN1791839A (zh) * | 2001-11-07 | 2006-06-21 | 应用材料有限公司 | 光点格栅阵列光刻机 |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
WO2004019128A2 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3977324B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121829A1 (en) * | 2002-11-29 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
CN101872135B (zh) | 2002-12-10 | 2013-07-31 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN101852993A (zh) | 2002-12-10 | 2010-10-06 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6992750B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
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