KR100842889B1 - 침지 리소그래피에서 표면장력 및 접촉각도를 증가시키기위한 시스템 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 침지 리소그래피 시스템에 유기 유체들이 사용될 수 있도록 하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 이는, 부분적으로 TEFLON 류의 물질로 만들어지는 액체공급시스템의 샤워헤드부를 제공함으로써 이행된다. 최종 광학기와 기판 사이의 공간에 유기 침지 유체를 사용하는 경우, TEFLON 류의 물질은 웨트니스 효과(wetness effect)를 저감시키며, 따라서 한정도(containment)를 증가시킨다.

Description

침지 리소그래피에서 표면장력 및 접촉각도를 증가시키기 위한 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD TO INCREASE SURFACE TENSION AND CONTACT ANGLE IN IMMERSION LITHOGRAPHY}
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 마스크 또는 레티클이라 지칭되기도 하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼 또는 평판 디스플레이 기판)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사는 묘화를 통해 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트) 층상으로 이루어진다.
일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상으로 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방 향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스캐너를 포함한다. 또한, 패턴을 기판상으로 임프린팅(imprinting)함으로써 패터닝 디바이스로부터의 패턴을 기판으로 전사하는 것도 가능하다.
리소그래피 투영장치에서, 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어, 물에 기판을 침지(immerse)시키는 방법이 제안되어 왔다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체내에서 보다 짧은 파장을 가지기 때문에 보다 작은 피처들을 묘화할 수 있다는 데에 있다. 또한, 액체의 효과는 상기 시스템의 유효 개구수(NA)를 1 보다 커지도록 하고 초점심도를 증가시킬 수 있는 것으로 간주되고 있다. 내부에 고체 입자들(예를 들어, 쿼츠)이 부유(suspend)된 물을 포함하는 여타의 침지 액체들이 제안되어 왔다.
하지만, 액체의 바스(bath) 내에 기판 또는 기판과 기판테이블을 담그는(submersing) 것은, 스캐닝 노광 중에 가속되어야만 하는 큰 몸체의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가적인 또는 보다 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체내에서의 난류가 바람직하지 않은 영향 및 예측할 수 없는 영향들을 초래할 수도 있다.
제안된 해결책 중 하나는, 기판의 국부적인 영역에만 그리고 투영시스템의 최종요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 액체공급시스템을 들 수 있다(일반적으로, 기판은 투영시스템의 최종요소보다 큰 표면적을 가진다).
액체공급시스템과 기판 사이의 갭은 이러한 요소들이 서로에 대해 이동할 수 있도록 한다. 이 갭으로 인하여, 침지 액체가 상기 갭을 통해 유동하지 않도록 하기 위해 액체공급시스템의 1 이상의 "샤워헤드(showerhead)" 부와 침지 액체 사이에 높은 표면장력을 갖도록 할 필요가 있다. 예를 들어, 샤워헤드는 유입 포트 및 유출 포트들과 및/또는 채널들을 포함하는 액체공급시스템의 부분일 수 있다. 침지 리소그래피 시스템에서 침지 액체와 액체공급시스템 및 기판의 표면간에 작은 접촉각도들이 발생될 수 있는 문제가 있다. 이는, 액체공급시스템 및/또는 침지 액체를 위한 특정 물질들을 사용하는 습식 효과(wetness effect)로 인한 것이다. 작은 접촉각도들은 침지 액체와 샤워헤드간에 작은 표면장력을 야기할 수 있다. 따라서, 침지 액체가 전체 기판 표면에 걸쳐 유동하거나 갭을 통해 누출될 수 있으며, 이들 둘 모두는 매우 바람직하지 않다.
또 다른 문제는 액체공급시스템이 강으로 만들어진 경우, 특정 침지 액체들이 상기 액체공급시스템의 부식을 야기할 수 있다는 점이다. 부식은 침지 액체를 오염시킬 수 있으며 기판 표면 상에 결함을 야기할 수 있다. 이 문제를 완화시키기 위한 한가지 방법은 침지 액체를 바꾸는 것이다. 하지만, 침지 액체를 바꾸는 것은 습식 문제들과 같은 또 다른 문제들을 야기할 수 있다.
그러므로, 필요한 것은 침지 액체들의 오염을 야기하지 않는 저감된 습식 특성들을 가능하게 하는 시스템 및 방법이다.
본 발명의 일 실시예는 조명시스템, 패터닝 디바이스, 투영시스템 및 액체공급시스템을 포함하는 리소그래피 시스템을 제공한다. 조명시스템은 방사선의 빔을 콘디셔닝한다. 패터닝 디바이스는 상기 빔을 패터닝한다. 투영시스템은 상기 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영한다. 액체공급시스템은, 상기 투영시스템과 기판 사이의 공간을 물의 굴절지수보다 크거나 또는 1.10보다 큰 굴절지수를 갖는 침지 액체로 적어도 부분적으로 채운다.
일 예시에서, 액체공급시스템의 표면의 적어도 일 부분은 PTFE, TFE, Teflon 및 Teflon-류 플루오르화 하이드로카본 폴리머 중 하나로 코팅된다.
또 다른 예시에서, 액체공급시스템의 표면의 적어도 일 부분은 PTFE, TFE, Teflon 및 Teflon-류 플루오르화 하이드로카본 폴리머 중 하나로 만들어진다.
추가 예시에서, 침지 액체는 개선된 침지 리소그래피를 위해 대략 1.11보다 큰, 예를 들어 1.65의 굴절지수를 갖는다.
본 발명의 또 다른 실시예가 일 방법을 제공한다. 이 방법은, 투영시스템을 사용하여 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는 단계, 및 상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체공급시스템으로부터의 물의 굴절지수보다 크거나 또는 1.10보다 큰 굴절지수를 갖는 침지 액체로 적어도 부분적으로 채우는 단계를 포함한다. 일 예시에서, 침지 액체를 액체공급시스템을 사용하여 공급되고, 그 중 적어도 일부는 PTFE, TFE, Teflon 및 Teflon-류 플루오르화 하이드로카본 폴리머 중 하나로 코팅되거나 그로부터 만들어진 것 중 하나이다.
본 발명의 추가 실시예들, 특징들 및 장점들과, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동에 대해서는 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 후술될 것이다.
특정한 구조 및 구성들에 대해 기술되었으나, 이는 단지 예시의 목적에 지나지 않는다는 것을 이해해야 한다. 당업자라면 본 발명의 기술적사상 및 범위를 벗어나지 않는 또 다른 구조 및 구성들이 사용될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 당업자라면 본 발명이 다양한 다른 응용례들에서도 채용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 1 이상의 실시예들은 유기 유체들이 침지 리소그래피 시스템에서 사용될 수 있도록 하는 시스템 및 방법을 제공한다. 이는, TEFLON 류의 물질로 부분적으로 코팅되거나 상기 물질로 만들어지는 액체공급시스템의 샤워헤드부를 제공함으로써 이행된다. 최종 광학기와 기판 사이의 공간에 유기 침지 유체를 사용하는 경우, TEFLON 류의 물질은 습식 효과를 저감시켜 한정도(containment)를 증가시킨다.
본 발명에 따르면, 침지 액체들의 오염을 야기하지 않는 저감된 습식 특성들을 가능하게 하는 시스템 및 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는, 조명시스템, 지지구조체, 기판테이블 및 투영시스템을 포함한다. 상기 조명시스템(일루미네이터)(IL)은 방사선 빔(PB)(예를 들어, UV 또는 DUV 방사선)을 콘디셔닝한다. 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성되는 제1위치설정수단(PM)에 연결된다. 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT)은 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼 또는 평판 기판)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정수단(PW)에 연결된다. 투영시스템(PL)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)은 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영시킨다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소와 같은 다양한 종류의 광학 구성요소 또는 그들의 조합을 포함할 수 있다.
지지구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝 디바이스를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝 디바이스를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝 디바이스(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 액체(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 바와 같이 소정 형태의 프로그램가능한 거울 어래이를 채용한 또는 반사 마스크를 채용한) 반사형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지) 이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 지지구조체)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 또는 지지구조체가 병행하여 사용될 수 있으며, 1 이상의 테이블 또는 지지구조체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 또는 지지구조체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소 스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 방사선 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(PB)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에서 유지되어 있는 패터닝 디바이스MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(PB)은, 패터닝 디바이스(MA)를 가로질러 투영시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커싱한다. 보다 상세히 후술되는 침지 후드(immersion hood:IH)는 투영시스템(PL)의 최종요소와 기판(W) 사이의 공간으로 침지 액체를 공급한다.
제 2 위치설정수단(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 방사선 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정수단(PM) 및 또 다른 위치센 서(도 1에 명확히 도시되지는 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(PB)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지구조체(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정수단(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정수단(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다.
(스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 지지구조체(MT)는 단지 짧은 행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다.
예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 패터닝 디바이스 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 지지구조체(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 지지구조체(MT)와 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 지지구조체(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영시스템(PL)의 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 지지구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상술된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2 및 3은 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 액체공급시스템을 나타내고 있다. 도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 투영시스템(PL) 아래의 검게 표시된 영역으로 나타낸 액체는 1 이상의 유입부(IN)에 의하여 투영시스템(PL)에 대한 기판(W)의 이동 방향(화살표로 나타냄)을 따라 기판(W) 상으로 공급된다. 상기 액체는 투영시스템(PL) 아래를 지난 후에 1 이상의 유출부(OUT)에 의하여 제거된다. 즉, 기판(W)이 -X 방향으로 요소 아래에서 스캐닝될 때, 액체는 요소의 +X 측(도면에서는 우측)에서 공급되고 요소의 -X 측(도면에서는 우측)에서 흡입된다.
도 2는 액체가 유입부(IN)를 통해 공급되고 저압 소스에 연결될 수 있는 유출부(OUT)에 의해 요소의 다른 측 상에서 흡입된다. 도 2의 예시에서, 액체는 투영시스템(PL)의 최종요소에 대한 기판(W)의 이동 방향(화살표로 나타냄)을 따라 공급되지만, 반드시 그러해야 하는 것은 아니다.
최종 요소 주위에서는 다양한 방위 및 개수의 유출부 및 유입부들이 가능하다. 예를 들어, 도 3에 도시된 구성이 있을 수 있다. 이 예시에서는, 어느 한 측상의 유출부와 함께 유입부의 4개의 세트가 투영시스템(PL)의 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공된다.
도 4는 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 또 다른 액체공급시스템을 나타내고 있다. 이 예시에서는, 국부화된(localized) 액체공급시스템이 도시되어 있다. 액체는 투영시스템(PL)의 어느 한 측면 상의 2개의 홈 유입부(IN)에 의해 공급되고, 상기 유입부(IN)의 반경방향 바깥쪽으로 배치되는 복수의 별도 유출부(OUT) 에 의해 제거된다. 상기 유입부(IN) 및 유출부(OUT)는 중앙에 홀을 갖는 플레이트에 배치될 수 있으며, 그를 통해 투영빔이 투영된다. 액체는 투영시스템의 일 측면 상의 하나의 홈 유입부(IN)에 의해 공급되고 투영시스템(PL)의 다른 측면 상의 복수의 별도 유출부(OUT)에 의해 제거되어, 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이에 액체의 얇은 막의 유동을 야기한다. 유입부(IN) 및 유출부(OUT)의 어떤 조합을 사용할지에 대한 선택은 기판의 이동 방향에 달려있다(유입부(IN) 및 유출부(OUT)의 여타 조합은 불활성(inactive)임).
도 5는 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 또 다른 액체공급시스템을 도시하고 있다. 이 예시에서, 국부화된 액체공급시스템 해법을 갖는 리소그래피 디바이스는 투영시스템(PL)의 최종요소와 기판테이블(WT) 사이의 공간 경계부의 적어도 일부를 따라 연장되는 액체한정구조체(liquid confinement structure;12)를 액체공급시스템에 제공하는 것이다. 액체한정구조체(12)는 Z방향(광학축선의 방향)으로 일부 상대적인 이동이 존재하기는 하나 XY 평면에서 투영시스템(PL)에 대해 실질적으로 정치식(stationary)이다. 일 실시예에서는, 액체한정구조체(12)와 기판(W)의 표면 사이에는 시일(16)이 형성된다.
일 실시예에서는, 저장소(reservoir;10)가, 기판(W)의 표면과 투영시스템(PL)의 최종요소 사이의 공간을 채우기 위해 액체(11)가 한정되도록 투영시스템(PL)의 이미지 필드 주위의 기판(W)에 대해 무접촉 시일(contactless seal)을 형성한다. 상기 저장소(10)는 투영시스템(PL)의 최종요소 아래와 그를 둘러싸 위치되는 액체한정구조체(12)에 의해 형성된다. 액체(11)는 투영시스템(PL) 아래의 공간 과 액체한정구조체(12) 내로 나아간다. 액체한정구조체(12)는 투영시스템(PL)의 최종요소 위에서 약간 연장되고, 액체(11)의 버퍼가 제공되도록 액체의 레벨은 최종요소 위로 상승한다. 액체한정구조체(12)는 상단부에서 내주부(inner periphery)를 갖는다. 일 실시예에서, 상단부는 투영시스템(PL) 또는 그것의 최종요소의 형상과 밀접하게 순응하고, 예를 들어 라운드질 수 있다. 저부에서, 내주부는 반드시 그러해야 하는 것은 아니지만 이미지 필드의 형상과 밀접하게 순응하는, 예를 들어 직사각형의 내주부를 갖는다.
일 예시에서는, 액체(11)가 액체한정구조체(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에서 가스 시일(16)에 의해 저장소내에 한정된다. 가스 시일(16)은 가스에 의해 형성된다. 다양한 예시들에서, 가스 시일은 압력하에서 유입부(15)를 통해 액체한정구조체(12)와 기판 사이의 갭으로 제공되며, 유출부(14)를 통해 추출되는 가스, 예를 들어 공기, 합성공기, N2 또는 불활성 가스일 수 있다. 유입부(15) 상의 과도압력, 유출부(14) 상의 진공 레벨 및 갭의 기하학적 형상은, 액체를 한정하는 안쪽으로의 고속 가스 유동이 존재하도록 구성된다. 이러한 시스템은 본 명세서에서 인용참조하고 있는 미국특허 제 6,952,253 호에 개시되어 있다.
본 명세서에서 인용 참조하고 잇는 유럽특허출원 제 03257072.3 호에는, 트윈 또는 듀얼 스테이지 침지 리소그래피 장치에 대한 아이디어가 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2개의 테이블이 제공된다. 레벨링 측정은 침지 액체 없이 제 1 위치의 테이블로 수행되며, 노광은 침지 액체가 존재하는 제2위치 의 테이블로 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 단 하나의 테이블만을 가질 수도 있다.
도 6은 본 발명에 따른 리소그래피 장치에 사용하기 위한 액체공급시스템의 부분(600)을 나타낸다. 부분(600)은 투영시스템(PL)의 최종 광학기(604)와 기판(W) 사이에 침지 유체(602)를 적용한다. 침지 유체(602)는 최종 광학기(604)와 기판(W) 사이의 공간(606)을 적어도 부분적으로 채운다. 침지 유체(602)는, 예를 들어 상술된 바와 유사하게, 소스(도시 안됨)로부터 화살표 A의 방향으로 유입부(608)를 통해 공간(606) 내로 유동하고 유출부(610)를 통해 화살표 B의 방향으로 리셉터클(receptacle)(도시 안됨) 내로 유동한다. 유입부 및 유출부(608 및 610) 각각은 부분(600)의 샤워헤드부(612) 내에 배치된다.
투영시스템(PL) 및 침지 유체(602)는 기판(W)에 대해, 예를 들어 초당 200mm 내지 400mm, 또는 보다 바람직하게는 대략 초당 300mm로 이동하고 있다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 이러한 움직임 동안 침지 유체(602)를 한정하는 것은 매우 바람직하다. 일 예시에서, 침지 유체(602)는 액체공급시스템의 표면(630)에 대한 표면장력을 통해 한정된다.
일 예시에서, 가스(예를 들어, 질소)는 또한 유입부(614)를 통해 화살표 C의 방향으로 그리고 유입부(616)를 통해 화살표 D의 방향으로 공간(606) 내로 유동한다. 예를 들어, 가스는 샤워헤드(612)와 기판(W) 사이의 갭(620) 내에 나이프 에지(knife edge;618)를 형성할 수 있다. 이들 나이프 에지(618)들은 침지 유체(602)의 한정을 돕거나 및/또는 산소가 침지 유체(602)로 들어가는 것을 방지하기 위한 배리어(barrier) 또는 커튼으로서의 역할을 할 수 있다. 이는, 보다 짧은 파장의 광, 예를 들어 대략 1-300 나노미터 범위 내의 광에 대한 오염 및/또는 증가된 흡수를 야기할 수 있다.
일 예시에서, 샤워헤드(612)는 강 재료 등으로부터 만들어질 수 있다. 강을 사용하는 경우, 물이 침지 유체(602)로서 사용될 때가 좋았다. 하지만, 최종 광학기(604)의 개구수를 증가시키기 위하여, 물보다 높은 굴절지수를 갖는 침지 유체(602), 예를 들어 대략 1.65까지의 또는 그 이상의 굴절지수를 갖는 유기 유체를 위해 다른 물질이 사용될 수 있다. 이는, 투영시스템(PL)의 최종 광학기(604)가 보다 높은 NA 특성들을 나타내도록 하며, 이는 기판(W) 상에 보다 작고 보다 정확한 피처들을 형성하기 위한 패터닝된 빔의 분해능을 증가시킨다. 일 예시에서는, 1.65의 굴절지수를 갖는 데카하이드로나프탈렌(decahydronaphthalene)(데칼린(Decalin))과 같은 물질이 사용될 수 있다. 하지만, 샤워헤드(612)를 위해 강이 사용되는 경우, 바람직하지 않은 습식 효과들이 초래된다. 유기 침지 유체들과 샤워헤드(612) 및 기판(W) 사이에 작은 접촉각도들이 형성되어, 유기 침지 유체 사용의 장점을 저하시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른, 물보다 높은 굴절지수를 갖는 유기 침지 유체(702)와 강 샤워헤드(612) 간의 접촉각도를 나타내고 있다. 예를 들어, 접촉각도 β는 대략 5° 내지 7°일 수 있으며, 이는 허용불가하다. 이것이 허용불가능한 이유는, 기판(W) 및 샤워헤드(612)와 침지 유체(702) 간의 작은 표면장력을 기초로 하여 기판(W)과 샤워헤드(612)에 걸친 바람직하지 않은 습식 효과(wetting effect)를 초래하기 때문이다. 습식은 침지 유체(702)가 갭(620)을 통해 유동하도록 하며, 이는 침지 유체가 더 이상 한정되지 않기 때문에 바람직하지 않다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른, 샤워헤드(812)와 물보다 높은 굴절지수를 갖는 유기 침지 유체(702)간의 접촉각도(α)를 나타내고 있다. 일 예시에서, 샤워헤드(812)는 유기 침지 유체(702)와 접촉하는 표면(830)을 따라 코팅된다. 다양한 예시에서, 코팅은 TEFLON 류의 물질, 예컨대 PTFE 폴리-테트라플루오르에틸렌(Poly-TetraFluorEthylene), TFE(Tetra FluorEthylene), Teflon, CalF 또는 여타 Teflon-류 플루오르화 하이드로카본 폴리머들(Teflon-like fluorinated hydrocarbon polymers)을 포함한다. 또 다른 예시에서, 샤워헤드(812)는 단지 코팅 표면(830) 보다는 TEFLON 류 물질로 만들어질 수 잇다. TEFLON 류의 특징들을 나타내는 다른 물질들 또한 사용될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
샤워헤드(812) 상의 TEFLON 코팅을 사용하거나 또는 TEFLON 물질로부터 샤워헤드(812)를 만드는 것은 접촉각도(α)를 매우 바람직한 접촉각도인 대략 140°내지 대략 90°의 각도가 되도록 증가시킬 수 있다. 접촉각도의 이러한 증가에 의하면, 샤워헤드(812)로부터 침지 유체(702) 상에 높은 표면장력이 가해지고, 이는 갭(620)을 통한 침지 유체의 여하한의 유동을 실질적으로 제거하여, 예를 들면 유체의 한정(containment)을 허락한다. 따라서, 샤워헤드(812)를 사용하는 시스템에서, 최종 광학기(604)는 웨팅(wetting)없이, 큰 개구수, 예를 들어 대략 1.11 내지 대략 1.65 또는 그 이상의 개구수를 가질 수 있으며, 유기 침지 유체는 높은 굴절지수, 예를 들어 1.11 내지 1.65 또는 그 이상의 굴절지수를 가질 수 있다. 이는 투영시스템(PL)에 의하여 투영되는 패터닝된 빔의 보다 우수한 분해능을 가져와, 기판(W) 상에 보다 작고 보다 정확한 피처들이 형성되도록 한다.
상술된 바와 같이, 또 다른 문제는 물이 침지 유체(602)로서 사용되는 경우 샤워헤드(612)의 부식을 들 수 있다. 이 부식은 침지 유체들의 투과 특성들을 저감시킬 수 있는 침지 유체(602)의 오염을 야기할 수 있다. 짧은 파장의 광, 예를 들어 1 내지 300nm 범위 내의 광이 사용되는 경우, 이렇게 저감된 투과는 기판(W) 상에 바람직하지 않는 패턴이 형성되게 할 수 있다.
일 실시예에서는, 샤워헤드(612)를 위해 유리-세라믹 복합 물질, 예컨대 Zerodur 물질을 사용함으로써 실질적으로 저감되거나 제거될 수 있다. 이 물질은 강과 같이 물로부터의 부식에 취약하지 않다. 따라서, 샤워헤드(612)를 위해 Zerodur 등을 사용하는 것은 샤워헤드(612)의 부식에 의하여 야기되는 침지 유체(602)의 어떠한 오염도 실질적으로 저감시키거나 또는 제거시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법(900)을 나타내는 플로우차트이다. 단계 902에서, 패터닝된 방사선 빔이 투영시스템을 사용하여 기판의 타겟부 상으로 투영된다. 단계 904에서는, 액체공급시스템이 제공된다. 액체공급시스템의 적어도 일 부분은 PTFE, TFE, Teflon 및 Teflon-류의 플루오르화 하이드로카본 폴리머 중 하나로 코팅되거나 그로부터 만들어지는 것 중 하나이다. 단계 906에서는, 투영시스템과 기판 사이의 공간이 액체공급시스템으로부터의 침지 액체로 적어도 부분적으로 채워진다. 따라서, 웨트니스(wetness)가 저감되고 유기 침지 액체의 한정(containment)이 유지된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사 및 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달 리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 적용이 가능하다면 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명의 실시예들 중 1이상은 어떠한 침지 리소그래피 장치에도 적용될 수 있으며, 특히 상술된 타입들, 및 침지 액체가 바쓰(bath)의 형태로 제공되는지 또는 기판의 국부적인 표면적에만 제공되는지에 대한 것과 같이 배타적으로 적용되는 것은 아니다. 본 명세서에서 구현되는 액체공급시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 특정 실시예에서, 액체공급시스템은 투영시스템과 기판 및/또는 기판테이블 사이의 공간으로 액체를 제공하는 기구 또는 구조체들의 조합일 수 있다. 그것은 상기 공간에 액체를 제공하는 1이상의 구조체, 1이상의 액체 유입부, 1이상의 가스 유입부, 1이상의 가스 유출부 및/또는 1이상의 액체 유출부의 어떠한 조합도 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판테이블의 부분이거나, 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판테이블의 표면을 완전히 커버링하거나, 또는 상기 공간은 기판 및/또는 기판테이블을 둘러쌀(envelop) 수도 있다. 액체공급시스템은 위치, 양, 품질, 형상, 유속 또는 액체의 다른 특징들을 제어하기 위한 1 이상의 요소들을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
상기 장치에 사용되는 침지 액체는, 바람직한 특성 및 사용되는 노광 방사선의 파장에 따라 상이한 성분(composition)들을 가질 수도 있다. 193nm의 노광 파장 에 대하여, 초순수(ultra pure water) 또는 수계(water-based) 성분들이 사용되고, 이러한 이유로 침지 액체가 때때로 물이라 칭해지며, 친수성, 소수성, 습도 등과 같은 물-관련 용어들이 사용될 수 있다.
본 명세서에서는 특정 디바이스(예를 들어, 집적 회로 또는 평판 디스플레이)의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 본 명세서에서 언급된 리소그래피장치는 다른 응용례들을 가질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 응용례들은, 집적 회로, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, MEMS(micro-electromechanical devcices) 등의 제조를 포함하여 이루어지나, 이들로 제한되는 것은 아니다. 또한, 예를 들어 평판 디스플레이에서, 본 발명은 다양한 층들 예를 들어 박막 트랜지스터 층 및/또는 칼라 필터 층의 생성을 돕는데 이용될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
광학 리소그래피의 배경에서 본 발명의 용례에 대해 특정한 언급이 있었으나, 본 발명은 여타 응용례, 예를 들어 적용이 가능하다면 임프린트(implint) 리소그래피에 사용될 수 있으며, 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기 판 상에 생성되는 패턴을 한정한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 경화되는 기판으로 공급되는 레지스트의 층 내로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트로부터 이동해 나와 그 내에 패턴을 남긴다.
본 발명의 다양한 실시예들에 대해 상술하였으나, 그들은 예시에 지나지 않으며 제한의 의도는 없다는 것을 이해해야 한다. 당업자들이라면, 본 명세서에서는 본 발명의 기술적사상 및 범위를 벗어나지 않는 형태 및 세부사항에 있어서의 다양한 변경들이 이루어질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 본 발명의 폭 및 범위는 상술된 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않으며, 후속 청구항 및 그들의 등가물들에 따라서만 한정되어야 한다.
상술된 설명부는 청구항의 이해를 돕는데 사용되도록 의도되었다는 것을 이해해야 한다. 발명의 구성부는 본 발명인(들)에 의하여 구현된 본 발명의 1 이상의 실시예들을 나열하고 있으나, 의도했던 모든 실시예들을 나타낸 것은 아니며, 따라서 본 발명 및 후속 청구항을 어떠한 이유로도 제한하려 의도된 것이 아니다.
본 명세서에 채용되어 그 일부를 구성하는 첨부도면들은 본 발명의 1 이상의 실시예들을 예시하며, 나아가 설명부와 함께 본 발명의 원리를 설명하고 당업자들이 본 발명을 제작 및 이용할 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시한 도;
도 2 및 3은 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 액체공급시스템을 도시한 도;
도 4는 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 또 다른 액체공급시스템을 도시한 도;
도 5는 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 또 다른 액체공급시스템을 나타낸 도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체공급시스템의 일 부분을 나타낸 도;
도 7 및 8은 본 발명의 일 실시예에 따른, 도 6에 도시된 액체공급시스템의 상기 부분에 대한 유체의 접촉각도를 나타낸 도;
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법을 나타내고 있는 플로우차트이다.
이하, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명에 대해 기술될 것이다. 도면들에서, 같은 참조부호들은 같거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 수 있다. 추가적으로, 참조부호의 가장 좌측의 숫자(들)은 참조부호가 먼저 나타난 도면을 식별가능 하게 한다.

Claims (16)

  1. 리소그래피 시스템에 있어서,
    기판(W)을 지지하도록 구성된 기판테이블(WT);
    패터닝된 방사선빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하는 투영시스템(PL); 및
    상기 투영시스템과 상기 기판 및/또는 상기 기판테이블 사이의 공간을 유기 침지 액체로 부분적으로 또는 전체적으로 채우는 액체공급시스템을 포함하며,
    상기 액체공급시스템은, 상기 투영시스템(PL)과 상기 기판테이블(WT) 및/또는 기판(W) 사이의 공간의 경계의 일부 또는 전부를 따라서 연장되는 액체한정구조체를 포함하며, 상기 침지 액체는 1.10보다 큰 굴절지수를 갖고, 상기 액체한정시스템의 일 표면이 상기 유기 침지 액체와 접촉하며 상기 유기 침지 액체는 상기 표면과 140° 내지 90°사이의 접촉각도를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표면은 상기 기판(W) 및/또는 상기 기판테이블(WT)과 마주하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 표면은 상기 액체공금시스템과 상기 기판(W) 및/또는 기판테이블(WT) 사이의 갭 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    방사선 빔을 콘디셔닝하는 조명시스템; 및
    상기 방사선 빔을 패터닝하는 패터닝 디바이스;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 침지 액체는 상기 기판의 표면, 상기 투영시스템의 최종 요소, 또는 상기 액체공급시스템의 표면과 120°의 접촉각도를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 침지 액체는 1.11 위의 굴절지수를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 침지 액체는 1.65의 굴절지수를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 표면에서 상기 침지 액체 주위에 가스 커튼을 형성하는 가스를 공급하는 가스공급시스템을 더 포함하며,
    상기 가스 커튼은 상기 침지 액체를 산소로부터 보호하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 기판의 표면에서 상기 침지 액체 주위에 가스 커튼을 형성하는 가스를 공급하는 가스공급시스템을 더 포함하며,
    상기 가스는 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 기판의 표면에서 상기 침지 액체 주위에 가스 커튼을 형성하는 가스를 공급하는 가스공급시스템을 더 포함하며,
    상기 가스 커튼은 나이프 에지 가스 커튼(knife edge gas curtain)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 액체공급시스템의 표면의 일 부분 또는 전부는 PTFE, TFE, TEFLON, Teflon-류의 플루오르화 하이드로카본 폴리머 중 어느 하나로 코팅되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 침지 액체는 1.11 내지 대략 1.65의 굴절지수를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 침지 액체는 데칼린인 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 액체공급시스템의 일부분 또는 전부는 PTFE, TFE, TEFLON, Teflon-류의 플루오르화 하이드로카본 폴리머 중 어느 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 침지 액체 주위에 나이프-에지 질소 배리어를 형성하는 질소를 공급하여, 상기 침지 액체가 산소로부터 보호되도록 하는 가스공급시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  16. 투영시스템을 사용하여, 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는 단계;
    상기 투영시스템(PL)과 상기 기판(W) 및/또는 이 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판테이블(WT) 사이의 공간의 경계의 일부 또는 전부를 따라서 연장되는 액체한정구조체를 포함하는 액체공급시스템을 사용하는 단계; 및
    상기 액체한정시스템의 일 표면이 상기 유기 침지 액체와 접촉하며 상기 유기 침지 액체가 상기 표면과 140° 내지 90°사이의 접촉각도를 갖도록, 상기 투영시스템과 상기 기판 및/또는 상기 기판테이블 사이의 공간을 1.10보다 큰 굴절지수를 갖는, 상기 액체공급시스템으로부터의 유기 침지 액체로 부분적으로 또는 전체적으로 채우는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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