JP4860681B2 - 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
毛管圧+空気抵抗=流れの粘度+流れの慣性+液浸液円柱の慣性
[0043] f1・・・f5は、液体供給システムの設計に依存する無次元定数であり、
[0044] γliquid、ρliquid、ηliquidは、それぞれ液浸液(例えば水)の表面張力、密度及び粘度を表し、
[0045] ηgas、Vgasは、それぞれ空気抵抗気体(例えば空気又はN2)の粘度及び速度を表し、
[0046] θrecは、液浸液と表面の後退接触角であり、
[0047] a、Vscanは、それぞれウェーハステージの加速度及びスキャン速度であり、
[0048] hは液体供給システムの底部と基板の間の距離であり、
[0049] Lは液浸液円柱の長さ(ダンパ長さ)である。
Claims (18)
- 放射ビームを調節する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記投影システムの下流光学要素と前記基板の間に液浸液を供給する液体供給システムと、
前記基板テーブルを第一方向の第一速度から第二方向の第二速度へと加速するために加速プロフィールを実行するように、前記基板テーブルを駆動する制御システムと、
を備え、前記加速プロフィールは時間軸に関して非対称であり、前記基板テーブルが前記加速プロフィールに従って加速されると、前記液浸液のメニスカスを破壊する力が、前記液浸液の前記メニスカスを維持する力より低いままであるように寸法決定され、
前記加速プロフィールは、加速度に依存する圧力が速度に依存する圧力を超えている間に加速度の低下が開始されるように寸法決定されている、リソグラフィ装置。 - 前記液浸液の前記メニスカスを破壊する前記力が、前記液体供給システムの前記液浸液の前記メニスカスの流れの粘度圧力、流れの慣性圧力及び水柱の慣性圧力の合計を含み、前記液浸液の前記メニスカスを維持する前記力が、前記液浸液の前記メニスカスの毛管圧と空気抵抗圧力との合計を含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記加速プロフィールが、加速度の絶対値が増加率に伴い増加する第一相、及び前記加速度の絶対値が減少率に伴い減少する第二相を含み、前記増加率が前記減少率を少なくとも10%上回る、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記増加率が前記減少率を少なくとも25%上回る、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記増加率が前記減少率を実質的に30%上回る、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記加速プロフィールが、前記第一相と前記第二相の間に第三相をさらに含み、前記第三相の前記加速度が実質的に一定であり、前記第三相の時間長が、前記第一及び第二相の前記時間長より短い、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- パターニングデバイスからのパターンを投影システムで基板のターゲット部分に投影し、
前記投影システムの下流光学要素と前記基板の前記ターゲット部分の間に液浸液を供給し、
加速プロフィールに従って第一方向の第一速度から第二方向の第二速度へと前記基板を加速させ、
前記基板の以降のターゲット部分について、前記投影を繰り返すことを含み、
前記加速プロフィールは時間軸に関して非対称であり、前記基板テーブルが加速プロフィールに従って加速されると、前記液浸液のメニスカスを破壊する力が、前記液浸液の前記メニスカスを維持する力より低いままであるように寸法決定され、
前記加速プロフィールは、加速度に依存する圧力が速度に依存する圧力を超えている間に加速度の低下が開始されるように寸法決定されている、リソグラフィ投影方法。 - 前記液浸液の前記メニスカスを破壊する前記力が、前記液体供給システムの前記液浸液の前記メニスカスの流れの粘度圧力、流れの慣性圧力及び水柱の慣性圧力の合計を含み、前記液浸液の前記メニスカスを維持する前記力が、前記液浸液の前記メニスカスの毛管圧と空気抵抗圧力との合計を含む、請求項7に記載のリソグラフィ投影方法。
- 前記加速プロフィールの第一相で、加速度の絶対値が増加率に伴い増加し、第二相では、前記加速度の絶対値が減少率に伴い増加し、前記増加率が前記減少率を少なくとも10%上回る、請求項7に記載のリソグラフィ投影方法。
- 前記増加率が前記減少率を少なくとも25%上回る、請求項9に記載のリソグラフィ投影方法。
- 前記増加率が前記減少率を実質的に30%上回る、請求項9に記載のリソグラフィ投影方法。
- 前記加速プロフィールが、前記第一相と前記第二相の間に第三相をさらに含み、前記第三相の前記加速度が実質的に一定であり、前記第三相の時間長が、前記第一及び第二相の前記時間長より短い、請求項9に記載のリソグラフィ投影方法。
- パターニングデバイスからのパターンを投影システムで基板のターゲット部分に投影し、
前記投影システムの下流光学要素と前記基板の前記ターゲット部分の間に液浸液を供給し、
加速プロフィールに従って第一方向の第一速度から第二方向の第二速度へと前記基板を加速させ、
前記基板の以降のターゲット部分について、前記投影を繰り返し、
前記照射した基板を現像し、
前記現像した基板からデバイスを製造することを含み、
前記加速プロフィールは時間軸に関して非対称であり、前記基板テーブルが前記加速プロフィールに従って加速されると、前記液浸液のメニスカスを破壊する力が、前記液浸液の前記メニスカスを維持する力より低いままであるように寸法決定され、
前記加速プロフィールは、加速度に依存する圧力が速度に依存する圧力を超えている間に加速度の低下が開始されるように寸法決定されている、デバイス製造方法。 - 前記液浸液の前記メニスカスを破壊する前記力が、前記液体供給システムの前記液浸液の前記メニスカスの流れの粘度圧力、流れの慣性圧力及び水柱の慣性圧力の合計を含み、前記液浸液の前記メニスカスを維持する前記力が、前記液浸液の前記メニスカスの毛管圧と空気抵抗圧力との合計を含む、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記加速プロフィールの第一相で、加速度の絶対値が増加率に伴い増加し、第二相では、前記加速度の絶対値が減少率に伴い増加し、前記増加率が前記減少率を少なくとも10%上回る、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記増加率が前記減少率を少なく25%上回る、請求項15に記載のデバイス製造方法。
- 前記増加率が前記減少率を実質的に30%上回る、請求項15に記載のデバイス製造方法。
- 前記加速プロフィールが、前記第一相と前記第二相の間に第三相をさらに含み、前記第三相の前記加速度が実質的に一定であり、前記第三相の時間長が、前記第一及び第二相の前記時間長より短い、請求項15に記載のデバイス製造方法。
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