JP5161197B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
この投影システムがこのパターン化した放射線ビームをこの投影システムの光軸を外して配置した像界に投影するように配置してある装置が提供される。
− 放射線ビームPB(例えば、UV放射線またはEUV放射線)を調整するように構成した照明システム(照明器)IL、
− パターニング装置(例えば、マスク)MAを支持するように構築し、且つこのパターニング装置をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した第1位置決め装置PMに結合した支持構造体(例えば、マスクテーブル)MT、
− 基板(例えば、レジストを塗被したウエハ)Wを保持するように構築し、且つこの基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した第2位置決め装置PWに結合した基板テーブル(例えば、ウエハテーブル)WT、および
− パターニング装置MAによって放射線ビームPBに与えたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に投影するように構成した投影システム(例えば、屈折性投影レンズシステム)PLを含む。
1.ステップモードでは、放射線ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露光で)投影しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードでは、放射線ビームの与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光)しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期して走査する。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの(縮)倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の幅(非走査方向の)を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ(走査方向の)を決める。
3.もう一つのモードでは、プログラム可能パターニング装置を保持するマスクテーブルMTを本質的に固定し、放射線ビームに与えたパターンを目標部分C上に投影しながら、基板テーブルWTを動かしまたは走査する。このモードでは、一般的にパルス化した放射線源を使用し、プログラム可能パターニング装置を基板テーブルWTの各運動後または走査中の連続する放射線パルスの間に必要に応じて更新する。この作動モードは、上に言及した型式のプログラム可能ミラーアレイのような、プログラム可能パターニング装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
“レンズ”という用語は、事情が許せば、屈折式、反射式光学部品を含む、種々の型式の光学部品の何れか一つまたは組合せを指してもよい。
上記の説明は、例示を意図し、限定を意図しない。従って、当業者は、説明したこの発明に以下に示す請求項の範囲から逸脱することなく修正を施すことができることが分るだろう。
30 最終素子、凹面屈折レンズ
30’ 最終素子、凹面屈折レンズ
32 貫通孔
C 目標部分
EF 像界
OA 光軸
PB 放射線ビーム
PL 投影システム
W 基板
Claims (11)
- リソグラフィ装置であって、
パターン化した放射線ビームを、基板の目標部分上の、投影システムの光軸から外れて配置された像界に投影する投影システムであって、前記基板に対向する表面を有する実質的に動かない光学要素を備える投影システムと、
前記光学要素の表面と前記基板とによって少なくとも部分的に規定される空間に液体を供給する液体供給システムと備え、
前記光学要素の前記液体に接する表面は、前記パターン化したビームが通過する第1の部分と、前記パターン化したビームが通過せず、前記第1の部分よりも基板からの距離が離れた第2の部分とを有する、リソグラフィ装置。 - 前記光学要素は、凹面屈折レンズである請求項1に記載の装置。
- 前記凹面屈折レンズが前記光軸の前記像界と反対側を切り落してある請求項2に記載の装置。
- 前記液体供給システムが前記凹面屈折レンズの切り落しに隣接する位置から液体を供給するように配置してある請求項3に記載の装置。
- 前記凹面屈折レンズが前記光軸を含む平面の周りに非対称である請求項2に記載の装置。
- 前記光学要素の表面は、水平面に対して角度を有して傾斜している請求項1に記載の装置。
- 前記投影システムは、反射屈折式システムである請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記光学要素が前記第2の部分または近傍に、液体が供給可能な貫通孔を備える請求項1に記載の装置。
- 前記光学要素が前記光軸の第1側の第1側縁および前記光軸の第2側の第2側縁を有し、前記第1側縁が前記第2側縁よりも前記光軸に近く、前記像界が前記光軸の第2側にある請求項1に記載の装置。
- 前記液体供給システムが前記第1側縁に近い位置から液体を供給する請求項9に記載の装置。
- デバイス製造方法であって、
基板に対向する表面を有する実質的に動かない光学要素を備える投影システムを使ってパターンの像を液体を通して前記基板の目標部分上へ投影する工程と、
前記光学要素の表面と前記基板とによって少なくとも部分的に規定される空間に液体を供給する工程と、を備え、
前記光学要素の前記液体に接する表面は、前記パターン化したビームが通過する第1の部分と、前記パターン化したビームが通過せず、前記第1の部分よりも基板からの距離が離れた第2の部分とを有する、デバイス製造方法。
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DE102005024163A1 (de) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
WO2007034838A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20070070323A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP2009026977A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを有する露光装置 |
DE102008023238A1 (de) * | 2008-05-10 | 2009-12-10 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Erhöhung der Lichtdurchlässigkeit an optischen Elementen für Licht mit Wellenlängen nahe der Absorptionskante |
JP2017520792A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-07-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を製造する方法 |
DE102017217389A1 (de) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Optische Linse zur Verwendung in einer Medienzuführungsvorrichtung sowie Objektiv, Medienzuführungsvorrichtung und Mikroskop |
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US1954755A (en) | 1931-12-05 | 1934-04-10 | Firm Ernst Leitz | Microscope |
GB669921A (en) | 1949-05-26 | 1952-04-09 | D & P Studios Ltd | Improvements in and relating to optical projection apparatus |
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US4405701A (en) | 1981-07-29 | 1983-09-20 | Western Electric Co. | Methods of fabricating a photomask |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6187125A (ja) | 1984-09-20 | 1986-05-02 | Canon Inc | スリツト露光投影装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326U (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS62121417U (ja) | 1986-01-24 | 1987-08-01 | ||
US4747678A (en) | 1986-12-17 | 1988-05-31 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical relay system with magnification |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63157419U (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-14 | ||
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
US4953960A (en) | 1988-07-15 | 1990-09-04 | Williamson David M | Optical reduction system |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
JPH04130710A (ja) | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH04133414A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Yamaguchi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JP3084760B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04211110A (ja) | 1991-03-20 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0545886A (ja) | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nikon Corp | 角形基板の露光装置 |
US5298939A (en) | 1991-11-04 | 1994-03-29 | Swanson Paul A | Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning |
US5212593A (en) | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
DE4344908A1 (de) | 1993-01-08 | 1994-07-14 | Nikon Corp | Kondensorlinsensystem |
US5537260A (en) | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JPH07122469A (ja) | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3339144B2 (ja) | 1993-11-11 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH0982626A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
US6270696B1 (en) | 1996-06-03 | 2001-08-07 | Terastor Corporation | Method of fabricating and integrating an optical assembly into a flying head |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1055713A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
JPH1092735A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2914315B2 (ja) | 1996-09-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3991166B2 (ja) | 1996-10-25 | 2007-10-17 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11283903A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nikon Corp | 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置 |
JPH11162831A (ja) | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
US6407884B1 (en) | 1998-04-28 | 2002-06-18 | Terastor Corporation | Optical head with solid immersion lens and varying cross section coil |
JP2000012453A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000065929A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Olympus Optical Co Ltd | 距離測定方法及び距離測定装置 |
JP4065923B2 (ja) | 1998-09-29 | 2008-03-26 | 株式会社ニコン | 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法 |
JP4345232B2 (ja) | 1998-12-25 | 2009-10-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折結像光学系および該光学系を備えた投影露光装置 |
JP2000276805A (ja) | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Fujitsu Ltd | 光学ヘッドおよびこれに用いるコイル組立体 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
US6671246B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-12-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical pickup |
JP2000003874A (ja) | 1999-06-15 | 2000-01-07 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001110707A (ja) | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Orc Mfg Co Ltd | 周辺露光装置の光学系 |
US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
JP2002118058A (ja) | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
TWI283798B (en) * | 2000-01-20 | 2007-07-11 | Asml Netherlands Bv | A microlithography projection apparatus |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
JP2002100561A (ja) | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
JP3514439B2 (ja) | 2000-04-20 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法 |
US6411426B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-06-25 | Asml, Us, Inc. | Apparatus, system, and method for active compensation of aberrations in an optical system |
EP1277071B1 (en) | 2000-04-25 | 2008-01-09 | ASML Holding N.V. | Apparatus, system and method for precision positioning and alignment of a lens in an optical system |
JP2003532281A (ja) | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | 照明偏光の制御を備えた光学縮小システム |
JP2003532282A (ja) | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | レチクル回折誘起バイアスのない光学縮小システム |
JP2002057097A (ja) | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Nikon Corp | 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法 |
JP2001356263A (ja) | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Pioneer Electronic Corp | 組み合わせ対物レンズ、光ピックアップ装置、光学式記録再生装置及び組み合わせ対物レンズ製造方法 |
US6486940B1 (en) | 2000-07-21 | 2002-11-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture catadioptric lens |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP2002093690A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4245286B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
US20020089758A1 (en) | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Optical component thickness adjustment method, optical component, and position adjustment method for optical component |
JP2002236242A (ja) | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
DE10113612A1 (de) | 2001-02-23 | 2002-09-05 | Zeiss Carl | Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
DE10124566A1 (de) | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür |
JP2002373849A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
JP2003059803A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Canon Inc | 露光装置 |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
CN1791839A (zh) | 2001-11-07 | 2006-06-21 | 应用材料有限公司 | 光点格栅阵列光刻机 |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP2003303751A (ja) | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Canon Inc | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法 |
AU2003236023A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-10-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure device, and device manufacturing method |
JP4292497B2 (ja) | 2002-04-17 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
WO2004019128A2 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004145269A (ja) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法 |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
AU2003297669A1 (en) | 2002-12-06 | 2004-06-30 | Newport Corporation | High resolution objective lens assembly |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN101852993A (zh) | 2002-12-10 | 2010-10-06 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
CN101872135B (zh) | 2002-12-10 | 2013-07-31 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
JP4595320B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004055803A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
US6933078B2 (en) | 2002-12-18 | 2005-08-23 | Valence Technology, Inc. | Crosslinked polymer electrolytes and method of making such crosslinked polymers |
AU2003283717A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
DE60314668T2 (de) | 2002-12-19 | 2008-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
JP2004205698A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
JP2004228497A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
EP2945184B1 (en) | 2003-02-26 | 2017-06-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4604452B2 (ja) | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2004086470A1 (ja) | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4265257B2 (ja) | 2003-03-28 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、フィルム構造体 |
WO2004088650A1 (ja) | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | 光照射ヘッドおよび情報記憶装置 |
JP4902201B2 (ja) | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
CN103383527B (zh) | 2003-04-10 | 2015-10-28 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
WO2004093130A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
KR101533206B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
SG152078A1 (en) | 2003-04-17 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
TWI237307B (en) | 2003-05-01 | 2005-08-01 | Nikon Corp | Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method |
JP2005115127A (ja) | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
KR20170119737A (ko) | 2003-05-06 | 2017-10-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP2004333761A (ja) | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法 |
EP1477856A1 (en) | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TW201806001A (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
TW201415536A (zh) | 2003-05-23 | 2014-04-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
JP2004356205A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Tadahiro Omi | スキャン型露光装置および露光方法 |
KR20180122033A (ko) | 2003-05-28 | 2018-11-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
KR101419663B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494079B1 (en) | 2003-06-27 | 2008-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
CN102854755A (zh) | 2003-07-09 | 2013-01-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
WO2005006415A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101296501B1 (ko) | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4492600B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR101171809B1 (ko) | 2003-08-26 | 2012-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 및 노광장치 |
US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
KR101874724B1 (ko) | 2003-08-29 | 2018-07-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
EP2261740B1 (en) | 2003-08-29 | 2014-07-09 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3223053A1 (en) | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4218475B2 (ja) | 2003-09-11 | 2009-02-04 | 株式会社ニコン | 極端紫外線光学系及び露光装置 |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4470433B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101121260B1 (ko) | 2003-10-28 | 2012-03-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP3984950B2 (ja) | 2003-11-12 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを有する露光装置 |
US7528929B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005175176A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
DE602004027162D1 (de) | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005209769A (ja) | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4018647B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
CN100592210C (zh) | 2004-02-13 | 2010-02-24 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜 |
JP4370992B2 (ja) | 2004-02-18 | 2009-11-25 | 株式会社ニコン | 光学素子及び露光装置 |
JP2005257740A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP4577023B2 (ja) | 2004-03-15 | 2010-11-10 | ソニー株式会社 | ソリッドイマージョンレンズ、集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法 |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4510494B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
DE102004018659A1 (de) | 2004-04-13 | 2005-11-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Abschlussmodul für eine optische Anordnung |
JP4474979B2 (ja) | 2004-04-15 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
KR101258033B1 (ko) | 2004-04-19 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4444743B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006024819A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2006032750A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
EP1796143B1 (en) | 2004-09-01 | 2011-11-23 | Nikon Corporation | Substrate holder, stage apparatus, and exposure apparatus |
JP2006114195A (ja) | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Sony Corp | レンズ保持体とこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置及び光記録再生装置 |
JP2006114196A (ja) | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Sony Corp | ソリッドイマージョンレンズとこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法 |
KR20070068343A (ko) * | 2004-10-13 | 2007-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4961709B2 (ja) | 2004-10-13 | 2012-06-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006114839A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2006128192A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7623218B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-11-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing a miniaturized device |
US7136148B2 (en) * | 2004-12-23 | 2006-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006222222A (ja) | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを有する露光装置 |
US7324185B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007019463A (ja) | 2005-03-31 | 2007-01-25 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101455551B1 (ko) | 2005-05-12 | 2014-10-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
KR20080068013A (ko) | 2005-11-14 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체 회수 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조방법 |
JPWO2007132862A1 (ja) | 2006-05-16 | 2009-09-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101240775B1 (ko) | 2006-09-12 | 2013-03-07 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 소수성 코팅을 갖는 액침 리소그래피용 광학 장치 및 이를 포함하는 투영 노광 장치 |
KR100968459B1 (ko) * | 2008-11-10 | 2010-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
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