JP2004356205A - スキャン型露光装置および露光方法 - Google Patents

スキャン型露光装置および露光方法 Download PDF

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忠弘 大見
Shigetoshi Sugawa
成利 須川
Kiwamu Takehisa
究 武久
Kimio Yanagida
公雄 柳田
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Abstract

【課題】ウエハの正確なアライメントが容易にでき、しかもレンズとウエハの間に気体が入り込みにくい構造のスキャン型露光装置を提供する。
【解決手段】縮小投影光学系3の凸レンズ200の下側の面は、所定の方向に断面した場合、中央の一部(約10mmの幅)のみがウエハ4に対して平行なフラット面で、その左右が斜面になっている。一方、所定の方向を交差する方向に断面した場合、凸レンズ200の下側の面は、全体に亘ってフラットになっている。この構成の凸レンズをスキャン型露光装置に液浸光学系を適用した場合、ウエハの正確なアライメントが容易にでき、しかもレンズとウエハの間に気体が入り込みにくい構造のスキャン型露光装置が得られる。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造時の露光工程で用いられる露光装置に関し、詳しくはスキャン型露光装置の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造時の露光工程で用いられる露光機において、解像性能を上げるために、露光装置の縮小投影光学系を構成する多数のレンズのうち最もウエハに近いレンズと、ウエハとの間を液体で満たして、縮小投影光学系の開口数(NA)を大きくすることで、解像性能を向上する液浸光学系と呼ばれる手法が提案されている。例えば、波長193nmのArFエキシマレーザを光源とした露光装置(以下、ArF露光機と呼ぶ。)に適用したものはArF液浸光学系と呼ばれ、レンズとウエハとの間を純水で満たすことで、解像性能を向上できることが知られており、例えば、非特許文献1において示されている。
【0003】
例えば、図4(a)に示した従来の液浸光学系400のように、縮小投影光学系401における最も下側に配置された凸レンズ405は、ステージ台403を覆っている液体404に漬かっている。したがって、ステージ台403内に載せられたウエハ402と凸レンズ405との間(以下、ワーキングディスタンスと呼ぶ。)は液体404で満たされる。一方、液体404の屈折率が1.3〜1.4であるため、ワーキングディスタンスが空気で満たされる場合より、NAが1.3〜1.4倍に大きくなることから、NAに反比例する解像度が小さくなる(解像性能が高くなる)。
【0004】
一方、波長157nmで動作するフッ素レーザを光源としたフッ素露光装置(以下、F2露光機と呼ぶ。)では、波長157nmのレーザ光は純水中を全く透過しないため、フッ素系の高分子化合物から成る液体(以下、フッ素系液体と呼ぶ。)を利用しなければならないとされている。これに関しては、非特許文献2において説明されている。なお、F2露光機に液浸光学系を適用した光学系を、以下、F2液浸光学系と呼ぶ。
【0005】
ArF液浸光学系に関して従来指摘されていた課題としては、レンズとウエハの間に満たされる純水は、空気や窒素などの気体に比べて、屈折率の温度依存性(すなわち屈折率温度係数)がおよそ2桁も大きいことである。例えば、窒素の屈折率nは、理化年表等に示されているように、0℃において、n=1.000297である。温度変化による屈折率変化は、熱膨張の割合に比例して(n−1)の値が小さくなると考えられるため、1℃当たりの屈折率変化は、(n−1)/273.15/nで近似でき、1.09×10のマイナス6乗となる。一方、水の屈折率温度係数は、20℃において、―8×10のマイナス5乗と示されていることから、窒素に比べて、約73倍も大きいことが判る。これによると、レンズとウエハの間における水の温度変化が生じると、露光光の波長変化から生じる結像波面収差が大きくなることが問題だと指摘されていた。
【0006】
そこで、ArF液浸光学系における、露光光の波長変化から生じる結像波面収差の拡大の抑制法として、従来、特許文献1において、レンズとウエハの間を特定の値より狭くすることが提案されている。これによると、レンズとウエハの間を約2mm以下にすることで、水の温度変動を0.01℃以下の場合、結像波面収差を露光波長の1/30以下に抑制できるとされている。また、これによると、水温変動の許容幅を大きくするには、レンズとウエハの間をさらに縮めればよく、例えば、許容幅を0.1℃にするならば、レンズとウエハの間を約0.2mm以下にすればよい。しかしながら、レンズとウエハの間をこのように短くするならば、図4(b)に示したように、縮小投影光学系401の最も下に配置されるレンズに、平面が下側を向いた平凸レンズ106を用いることが必須となる。
【0007】
ところで、露光装置にはマスク上のパターンをウエハ上に転写する手法として2通りあり、マスク上のパターンを一括して転写するステッパ(あるいは、ステップアンドリピートとも呼ばれる。)と呼ばれる方式と、マスク上の一部分である細長い領域をウエハ上にパターン転写させながら、マスクとウエハとを同期移動させることで、マスク全面のパターンをウエハ上に転写させる方式がある。この方式の露光装置はスキャン型露光装置(スキャナと呼ばれる場合もある。)と呼ばれる。スキャン型露光装置では、ある瞬間にパターン転写される領域は、ウエハ上で約8mm×約26mmの細長い長方形状になっており、この領域における約8mmの狭い方向をスキャンすることで、最大約33mm×約26mmの領域を露光することができる。したがって、縮小投影光学系の最下レンズの直径としては、約27mm以上であればよい。
【0008】
【非特許文献1】
SEMICON Japan 2002、Technical programs for the semiconductor equipment and materials industries、第3−15〜3−16
【0009】
【非特許文献2】
Journal of Vacuum Science Technology B19, Nov/Dec 2001, pp.2353−2356
【0010】
【非特許文献3】
Proceedings of SPIE, Vol.4691, 2002, pp.459−465.
【0011】
【特許文献1】
特開平10−303114号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
スキャン型露光装置の場合は、露光中に、固定されているレンズに対してウエハが相対的に高速移動するため、レンズとウエハの間隔が、前記のように0.2mm以下と非常に小さくなると、特にフッ素系の液体のように粘性が高い場合、レンズとウエハの間で液体が移動しずらくなる。その結果、液体の移動がウエハの移動に追従できなくなり、レンズとウエハの間に周囲の気体が入り込む恐れがある。これに関しては、非特許文献3に示されている。
【0013】
さらにまた、ウエハ402の全体を液体404中に浸す従来の構成では、縮小投影光学系401とウエハ402との間隔を正確に測定することが困難になる。すなわち、通常の露光装置では、ウエハ表面に計測用のレーザ光を照射して、その反射光を測定することで、ウエハ表面の高さや傾斜を正確に計測することが知られている。したがって、ウエハ全体が液体に浸される場合、計測用レーザ光を液体中に通過させる必要があり、液体の温度や屈折率の微小な揺らぎによって、計測精度に悪影響を及ぼすことがあり、正確なアライメントが困難なことも問題であった。
【0014】
本発明の目的は、スキャン型露光装置に液浸光学系を適用した場合、ウエハの正確なアライメントが容易にでき、しかもレンズとウエハの間に気体が入り込みにくい構造のスキャン型露光装置を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明では、縮小投影光学系におけるウエハ側に最も近い光学部材として、レーザ光が通過する領域を含む一方向に長い形状のフラット面を有するものを用いたものである。これによると、スキャン型露光装置の場合は、ウエハにおいてレーザ光が細長い領域に照射されることから、前記フラット面の形状を細長い領域にすることができる。その結果、前記光学部材とウエハとの間が最も狭い領域の面積を従来よりも大幅に低減でき、前記光学部材とウエハとの間に満たされる液体は、ウエハが高速移動しても追従しやすくなり、気体が流入することはない。
【0016】
また、本発明では、レンズの中心に対してスキャン方向の両側に、液体の吐出部を設けたものであり、これによって、往復スキャンにおける2つのスキャン方向のどちらの場合でも、レンズとウエハの間に液体が十分満たされるようになる。さらに、両側に液体の吸引部を設けることで、吐出された液体がウエハ上から溢れ出さないようになる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
【0018】
図1は本発明の第1の実施例としてのF2露光機であるスキャン型露光装置100の構成図である。露光光であるレーザ光L1は、マスク1の照射領域R1を照射する。マスク1を通過したレーザ光L2は縮小倍率1/4の縮小投影光学系3に入射し、ウエハ4上の照射領域R2を照射する。すなわち、縮小投影光学系3によって、マスク1の照射領域R1内のパターンが、ウエハ4の照射領域R2に縮小投影される。
【0019】
マスク1は、マスクステージ2におけるYステージ2a上に載せられており、Y方向(図中のスキャン方向S1)に往復移動(すなわち往復スキャン)できるようになっている。一方、ウエハ4はウエハステージ5におけるYステージ5c上に載せられており、Y方向(図中のスキャン方向S2)に往復スキャンできるようになっているが、露光中には、マスク1の移動方向とは反対方向に同期しながら往復スキャンしている。
【0020】
ここでは、マスク1のパターン領域のサイズはX方向に104mm、Y方向に132mmとなっており、これが縮小倍率1/4の縮小投影光学系3によって、ウエハ4上では、X方向に26mm、Y方向に33mmとなっている。ただし、照射領域R2のサイズは、X方向に26mm、Y方向に8mmとなっている。したがって、縮小投影光学系3における最下レンズの直径としては、(26^2+8^2)の平方根である27.2mm以上あればよく、ここでは28mmになっている。
【0021】
ウエハ4が載せられたウエハステージ5のYステージ5cは、X方向に移動できるXステージ5b上に載せられており、これによって、ウエハ4はX方向(図中のステップ方向S3)にもステップ移動できるようになっている。
【0022】
本実施例では、ウエハ4における照射領域R2と縮小投影光学系3との間に、後述するように、フッ素系の液体が供給される構造になっており、F2液浸光学系が適用できるようになっている。ただし、図1ではウエハ4と縮小投影光学系3とを多少離して描かれているが、実際にはこれらの間隔は約50ミクロンと非常に小さくなっている。これに関して、図2、3を用いて、以下で説明する。
【0023】
図2は図1に示した第1実施例におけるF2液浸光学系に関する説明図であり、縮小投影光学系3の中心軸に沿って切った断面を示した。図2(a)は、図1中の座標のY方向に沿った断面図であり、(b)はX方向に沿った断面図であり、(c)は下側から見た図である。(a)に示したように、縮小投影光学系3の最下端に配置される光学レンズである台形底面凸レンズ200は、下側の面は、中央の一部(約10mmの幅)のみがウエハ4に平行なフラット面で、その左右が斜面になっている。一方、(b)に示したように、X方向に関しては、全体がフラットになっている。すなわち、(c)に示したように、下側から見ると、中央のフラットな面は一方向に細長い形状になっており、図1に示されたウエハ4の照射領域R2に当たるレーザ光が通過する領域が、そのフラットな面内に含まれるようになっている。
【0024】
一方、台形底面凸レンズ200の下側のフラットな面とウエハ4との間で形成される最も狭い間隔は約50ミクロンになっているため、波長157nmのレーザ光が液体6において減衰する割合は10パーセント未満と小さくなる。ただし、図2(a)、(b)では判りやすいように、間隔を多少大きく描いてある。なお、フッ素系液体6としては、例えば、ダイキン工業製のフッ素系潤滑油のデムナム(商品名)などが適している。
【0025】
本実施例では台形底面凸レンズ200の直径は約30mmになっているため、下側のフラットな面の面積は約300平方ミリメートルであり、この面積がウエハ4と近接する。これに対して、図4(b)に示した従来の平凸レンズ406を用いた液浸光学系では、レンズの直径が最小でも約28mmは必要であり、この直径の円の全体がウエハ402と近接することから、近接する面積は約616平方ミリメートルとなる。したがって、本発明によって、ウエハと近接する面積を1/2以下に低減できるようになり、近接部に液体がスムーズに流れ、かつ気体が混入することもない。
【0026】
なお、台形底面凸レンズ200の材質としては、波長157nmにおいて透過率の高いフッ化カルシウムを用いるのが好ましい。しかし、フッ化カルシウムは吸水性が僅かにあるため、下面には、耐水性を有するフッ化マグネシウムを材料としたコーティングを施すのが好ましく、フッ化マグネシウムでは、波長157nmにおいて、屈折率がフッ化カルシウムより低く、かつ液体6であるフッ素系の液体よりも高いため、フッ化マグネシウムをコーティングに用いると、反射防止膜としての機能も兼ねることになるからである。
【0027】
以上のように、図2に示した台形底面凸レンズ200の下面の形状は、図4(b)に示した従来の平凸レンズ406の下面の2箇所を斜めにカットしたような形状になるが、そのカットする部分には、レーザ光通過領域L3が存在しないことから、カットした形状の台形底面凸レンズ200を用いることができる。その結果、台形底面凸レンズ200とウエハ4との間で近接する部分の面積を1/2以下に低減できた。
【0028】
本発明では、図2(a)に示したように、従来の平凸レンズのフラットな下面を2箇所斜めにカットしたようなレンズを用いるが、これはウエハ上への照射領域が細長くなるスキャン型露光装置であるために適用できたレンズ形状である。すなわち、もしもステッパのように、最下レンズを通過するレーザ光の断面形状が一辺22mm程度の正方形の場合は、最下レンズの直径は、その正方形の対角線である約31mmよりも僅かに大きい程度であるため、正方形の外部をカットしても、レンズとウエハとの近接領域の面積をそれほど低減できないからである。
【0029】
次に、液体6の供給に関して図3を用いて説明する。図3(a)に示したように、液体6は、縮小投影光学系3の下部の横に取り付けられた吐出ノズル210a及び210bから供給される。例えば、ウエハ4が+Y方向にスキャンされる場合は、吐出ノズル210aから液体6を吐出し、ウエハ4が−Y方向にスキャンされる場合は、吐出ノズル210bから液体6を吐出すればよい。以上のように、本発明はスキャン型露光装置に適用するものであるため、吐出ノズルを、最下レンズの中心に対して、+Y方向と−Y方向の、少なくとも2箇所に配置すればよい。
【0030】
なお、本実施例のように、F2液浸光学系を適用する場合、ウエハ4上に塗布するレジストの特性として、液体6に対する濡れ性が一定の範囲内である必要がある。その理由としては、濡れ性が良過ぎると、液体6がウエハ4上に大きく広がってしまい、ウエハ4から溢れる恐れがある。一方、濡れ性が悪いと、液体6が台形底面凸レンズ200とウエハ4との間を完全に満たさず、気体が入る恐れがある。したがって、濡れ性の範囲としては、ウエハ4上のレジスト表面における液体6の接触角が、15度から60度の範囲であることが望ましい。
【0031】
また、露光光源であるフッ素レーザ装置(ただし図示していない。)に関しては、パルス動作の装置より、連続発振型の装置を用いる方が好ましい。連続発振型では、レーザ光のピークパワーがパルス型に比べて数桁も小さいことから、光子数密度が低く、液体6に対して2光子吸収を起こしにくい。その結果、液体6がほとんど劣化しないようになる。これに対して、パルスの場合は、2光子吸収により、液体6の分子構造が破壊されやすく、高価な液体6の再利用が困難になる。
【0032】
ところで、図3(a)に示した実施例では、液体6を吸引する機構は付いていない。その理由としては、本発明では、特にレンズとウエハとの間隔が0.1mm以下と狭い場合に適用するものであるため、レンズとウエハとの間を満たすために必要な液体の体積が小さくなることから、液体を吸引しなくてもウエハから溢れ出さないようにできるからである。例えば、レンズとウエハとの間隔が50ミクロンの場合、直径300mmのウエハ全面に液体が満たされるとしても、液体の体積は約3.5立方センチメートルと小さい。ただし、ウエハの周囲の淵に接した液体は、ウエハから外に溢れ出す場合があるが、その場合は、ウエハを載せるステージ面の形状として周囲に壁を立てて、溢れた液体がステージの移動部(例えばエアガイド部)にこぼれないようにすればよい。
【0033】
なお、以上のように、ウエハ4の全面に満たされる液体6の体積は小さいため、図3(a)を参照して説明したように、吐出ノズル210aと210bとによる液体6の吐出をスキャン方向によって必ずしも交互に動作させなくてもよい。すなわち、ウエハ4の全面を露光する間は、常時、吐出ノズル210aと210bとから液体6を吐出させてもよい。これによって、液体の吐出制御機構が簡素化できる。
【0034】
ところで、吐出ノズル210a及び210bの代わりに、図3(b)に示したように、台形底面凸レンズ200を底面から見た図のように液体を吸引できる機構を備えた吐出・吸引装置211を用いてもよい。吐出・吸引装置211には、吐出ノズル212と吸引ノズル213が、台形底面凸レンズ200の中心に対して、+Y方向と−Y方向に多数、交互に配置している。例えば、ウエハ4が+Y方向にスキャンされる場合は、−Y方向(図で左側)の吐出ノズル212から液体6を吐出させ、+Y方向(図で右側)と上下に備えられた吸引ノズル213から液体を吸引するように動作させればよい。一方、ウエハ4が−Y方向にスキャンされる場合は、以上と反対に、+Y方向(図で右側)の吐出ノズル212から液体6を吐出し、−Y方向(図で左側)と上下に備えられた吸引ノズル213から液体を吸引するように動作させればよい。以上によって、台形底面凸レンズ200の直下には、常に一定の体積の液体6が存在するようになる。なお、液体6が周囲に広がってウエハ4から溢れるのを防ぐには、吸引ノズル213における吸引圧力として、ウエハ4の周囲を満たす気体(なお、ここでは乾燥窒素が用いられている。)の圧力(ここでは1気圧)よりも低くすればよく、例えば、0.8気圧程度に設定しておけばよい。
【0035】
即ち、移動方向における前記片側の反対側から液体を吸引する手段が設けられ、この吸引手段により、吸引圧力を前記光学部材周囲を満たす外部気体の圧力よりも低い圧力にしていることが判る。
【0036】
これによって、吐出ノズル212から吐出して、台形底面凸レンズ200の直下に満たされた液体6はウエハ4上で大きく広がることなく、吸引ノズル213から回収できる。したがって、回収された液体6を再利用することができる。ただし、再利用するには、液体をフィルタに通し、冷却する必要がある。
【0037】
また、図3(b)では吐出ノズル212と吸引ノズル213がXY面内(すなわち水平面内)で交互に並んであるが、あるいはZ方向(すなわち高さ方向)に2段重ねに配置させてもよい。
【0038】
【発明の効果】
以上のように、本発明の液浸光学系を適用したスキャン型露光装置によると、縮小投影光学系の最下部とウエハとの近接部分の面積を従来の1/2以下に低減できる。したがって、ウエハを高速でスキャンさせても、近接部でも液体の移動が十分追従でき、近接部に気体が入り込むことはない。しかも、吐出ノズルをスキャン方向の前後に設けることで、スキャンにおける2つの方向のどちらにウエハを移動させても、常にレンズとの間を液体で満たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のスキャン型露光装置100の構成図である。
【図2】(a)、(b)、及び、(c)はスキャン型露光装置100における液浸光学系の構造を説明する図である。
【図3】(a)及び(b)は液浸光学系に液体を供給する液体供給機構を説明する断面図及び底面図である。
【図4】(a)及び(b)は従来の液浸光学系を説明する図である。
【符号の説明】
1 マスク
2 マスクステージ
2a Yステージ
3、401 縮小投影光学系
4、402 ウエハ
5 ウエハステージ
5a ステージ台
5b Xステージ
5c Yステージ
6、404 液体
405 凸レンズ
100 スキャン型露光装置
200 台形底面凸レンズ
210a、210b 吐出ノズル
211 吐出・吸引装置
212 吐出ノズル
213 吸引ノズル
400 従来の液浸光学系
403 ステージ
L1、L2 レーザ光
L3 レーザ光通過領域
R1、R2 照射領域
S1、S2 スキャン方向
S3 ステップ方向

Claims (16)

  1. 被露光基板を載置する支持体と、前記基板にマスクパターンを縮小投影する縮小投影光学系と、前記支持体と前記縮小投影光学系とを相対的に移動させる手段とを含むスキャン型露光装置において、前記縮小投影光学系における前記支持体に最も近い光学部材の前記支持体側の端面が一方向に長い形状の前記基板に実質的に平行な平坦面を有し、かつ露光処理中に前記平坦面を露光光が通過するようにする手段および少なくとも前記露光処理中に前記平坦面と前記基板との間を液体で満たす手段とをさらに有することを特徴とするスキャン型露光装置。
  2. 被露光基板を載置する支持体と、前記基板にマスクパターンを縮小投影する縮小投影光学系と、前記支持体と前記縮小投影光学系とを相対的に移動させる手段とを含むスキャン型露光装置において、前記縮小投影光学系における前記支持体に最も近くかつ前記基板に近接して配される光学部材の前記支持体側の端面のうち少なくとも露光処理中に露光光が通過する領域と前記基板との間を液体で満たすように、前記移動方向の少なくとも片側から前記液体を吐出する手段を設けたことを特徴とするスキャン型露光装置。
  3. 前記移動方向における前記片側の反対側からも前記液体を吐出させる手段をさらに設けたことを特徴とする請求項2記載のスキャン型露光装置。
  4. 前記移動方向における前記片側の反対側から前記液体を吸引する手段をさらに設け、かつ前記吸引する手段は吸引圧力を、前記光学部材周囲を満たす外部気体の圧力よりも低い圧力にすることを特徴とする請求項2記載のスキャン型露光装置。
  5. 前記吐出手段は、前記側において、前記液体の吐出口を一つまたは複数有することを特徴とする請求項2または3記載のスキャン型露光装置。
  6. 前記吸引手段は、前記側において、前記液体の吸引口を一つまたは複数有することを特徴とする請求項4記載のスキャン型露光装置。
  7. 前記液体の前記基板上に塗布されるべきレジスト表面に対する接触角が15度以上60度以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のスキャン型露光装置。
  8. 被露光基板を支持体に載置し、前記基板にマスクパターンを縮小投影する露光光を縮小投影光学系先端の一方向に長い形状の領域から前記基板に投影させるとともに露光処理中に前記先端の少なくとも前記領域と前記基板との間に液体を供給することを特徴とするスキャン露光方法。
  9. 被露光半導体基板を支持体に載置し、前記半導体基板にマスクパターンを縮小投影する露光光を縮小投影光学系先端の一方向に長い形状の領域から前記基板に投影させるとともに前記先端の少なくとも前記領域と前記基板との間に液体を供給しつつスキャン露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 互いに対向する面を備えたレンズにおいて、前記対向する面の一方に、一方向に延びる細長い形状のフラット面が形成されていることを特徴とする光学レンズ。
  11. 請求項10において、前記フラット面は中央領域に設けられ、当該中央領域を挟む領域は斜めにカットされていることを特徴とする光学レンズ。
  12. 請求項10又は11において、前記フラット面に対向する他方の面は凸型形状を有していることを特徴とする光学レンズ。
  13. 請求項10〜12のいずれかにおいて、前記フラット面の幅及び長さは前記レンズを通して照射される照射領域の幅及び長さに対応付けられていることを特徴とする光学レンズ。
  14. 請求項10〜13のいずれかに記載された前記光学レンズを縮小投影光学系の最下端に配置し、当該縮小投影光学系により基板を露光することを特徴とするスキャン型露光装置。
  15. 請求項14において、前記光学レンズと前記基板との間に液体を供給する手段を備えていることを特徴とするスキャン型露光装置。
  16. 請求項15において、前記液体を吸引する手段を備えていることを特徴とするスキャン型露光装置。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005077533A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Nikon Corp 光学素子、レンズ系、及び投影露光装置
JP2005286286A (ja) * 2004-03-04 2005-10-13 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2006310588A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007017632A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Nikon Corp 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP2007214501A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nikon Corp 光学素子及び投影露光装置
JP2009117879A (ja) * 2004-11-12 2009-05-28 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009182359A (ja) * 2003-10-28 2009-08-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2010074184A (ja) * 2005-03-04 2010-04-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011254092A (ja) * 2003-08-29 2011-12-15 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置およびリソグラフィ投影方法
JP2012151513A (ja) * 2003-08-29 2012-08-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2012155330A (ja) * 2005-05-12 2012-08-16 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
US8547519B2 (en) 2003-11-14 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2014099649A (ja) * 2004-06-10 2014-05-29 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US9477153B2 (en) 2005-05-03 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005077533A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Nikon Corp 光学素子、レンズ系、及び投影露光装置
US9025127B2 (en) 2003-08-29 2015-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011254092A (ja) * 2003-08-29 2011-12-15 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置およびリソグラフィ投影方法
US9581914B2 (en) 2003-08-29 2017-02-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9606448B2 (en) 2003-08-29 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9442388B2 (en) 2003-08-29 2016-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8953144B2 (en) 2003-08-29 2015-02-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8804097B2 (en) 2003-08-29 2014-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10146142B2 (en) 2003-08-29 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8629971B2 (en) 2003-08-29 2014-01-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012151513A (ja) * 2003-08-29 2012-08-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
US7868998B2 (en) 2003-10-28 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2010206225A (ja) * 2003-10-28 2010-09-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
US9482962B2 (en) 2003-10-28 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10527955B2 (en) 2003-10-28 2020-01-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009182359A (ja) * 2003-10-28 2009-08-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
US10248034B2 (en) 2003-10-28 2019-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8860923B2 (en) 2003-10-28 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8547519B2 (en) 2003-11-14 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8634056B2 (en) 2003-11-14 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9134623B2 (en) 2003-11-14 2015-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9134622B2 (en) 2003-11-14 2015-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10345712B2 (en) 2003-11-14 2019-07-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9952515B2 (en) 2003-11-14 2018-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4622340B2 (ja) * 2004-03-04 2011-02-02 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
JP2005286286A (ja) * 2004-03-04 2005-10-13 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2014099649A (ja) * 2004-06-10 2014-05-29 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US10274832B2 (en) 2004-11-12 2019-04-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US9964861B2 (en) 2004-11-12 2018-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US9798247B2 (en) 2004-11-12 2017-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US9261797B2 (en) 2004-11-12 2016-02-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US9645507B2 (en) 2004-11-12 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009117879A (ja) * 2004-11-12 2009-05-28 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8817231B2 (en) 2004-11-12 2014-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US10620546B2 (en) 2004-11-12 2020-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US10495981B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477159B2 (en) 2005-03-04 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010074184A (ja) * 2005-03-04 2010-04-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10495980B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7843551B2 (en) 2005-03-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8514369B2 (en) 2005-03-04 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006310588A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US10451973B2 (en) 2005-05-03 2019-10-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477153B2 (en) 2005-05-03 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10488759B2 (en) 2005-05-03 2019-11-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101544336B1 (ko) 2005-05-12 2015-08-12 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP2014099615A (ja) * 2005-05-12 2014-05-29 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2012168543A (ja) * 2005-05-12 2012-09-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2012155330A (ja) * 2005-05-12 2012-08-16 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2017138606A (ja) * 2005-05-12 2017-08-10 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2016118790A (ja) * 2005-05-12 2016-06-30 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2007017632A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Nikon Corp 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP2007214501A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nikon Corp 光学素子及び投影露光装置

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