JP4405515B2 - 液浸リソグラフィー方法および基板露光装置 - Google Patents
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Description
リソグラフィーに使用される他の方法の一例としては、いわゆる「スキャナ」を用いて実施される方法があげられる。スキャナでは、マスクのパターン全体が、1つの工程でウエハの第1露光フィールドに投影されるのではなく、常に、マスクの狭い帯だけが、一回でウエハの露光フィールドに投影される。このため、いわゆる露光スリットを使用する。この露光スリットは、常に、マスクの狭い帯だけを照らす。また、この露光スリットを通るようにマスクが動かされる。1つの露光フィールドを露光する間に、フィールド全体が露光スリットを通るように少しずつ動かされる。具体的には、この露光スリットを用いて、マスクがスキャンされる。ウエハの1つのフィールドにマスクを投影する間に、マスクもウエハも動かされる。この場合、一般的に、ウエハとマスクとは反対の方向に動かされる。具体的に言えば、露光スリットを用いてマスクがスキャンされる。この場合、動作スリットを通るようにマスクを動かしている間に、複数のレーザー光(パルス)によって、マスクの各点がウエハに焼き付けられる。
R=k1・(λ/(n・sin(θ)))
によって得られる。ただし、Rは解像度である。
k1はプロセスに応じた因数である。
λは、リソグラフィーに使用されるビームの真空波長である。
n・sin(θ)はいわゆる開口数である。なお、nはリソグラフィーの実施される媒体の屈折率であり、θはレンズの開口角である。
ΔD=(D・δn)/(n・cos2θ)
を参考にして、温度をどれほど正確に制御し、調整する必要があるかが計算される。必要な精度は6mKとなる。この温度制御の精度を維持することは困難である。したがって、半導体素子をパターン化する場合、液浸リソグラフィーは、非常に使用しにくく、困難なことである。
δT=(1−τ)γ/cD
によって決定できる。ただし、δTは温度上昇を示す。
τは液浸流動体の伝送係数を示す。
γは露光に使用されるフォトレジストを露光するために必要なイオン化放射線吸収量を示す。
cは液浸流動体の特定の熱を示す。
Dは投影素子と基板との間の間隔、すなわち作動距離を示す。
ΔD=(D・δn)/(n・cos2θ)
が生じる。
ΔD/Δt=((dn/dT)・(1−τ)・γ)/c・n・cos2θ)・(1/Δt)
が生じる。ただし、ΔTは時間である。この時間は、1つの点が基板上に露光される時間である。すなわち、1つの点が、露光スリットの領域に侵入した後にこの領域を再び離れるために必要とする時間である。言い換えれば、基板上の1つの点が、図3Aまたは図3Bにおいて破線312から破線313までの経路を経るために必要とする時間である。
要するに、本発明は、スキャン露光装置を用いて実施されるイマージョンリソグラフィー技術において、イマージョン媒体における吸収によりイマージョン媒体の温度が変化し、これに伴ってイマージョン媒体の屈折率が変化することにより生じる、最良の集光、すなわち、最も鮮明な投影の位置の変化を、従来技術のようにイマージョン媒体の温度を調整することだけで防止するのではなく、レチクルと基板の被露光面との間隔を、基板の動作方向に沿って変更することによって集光変化を補償する。間隔の変化は、オフセットに相当し、このオフセットは、基板および/またはレチクルの通常の動き、すなわち、基板および/またはレチクルを従来技術に基づくイマージョンリソグラフィー装置において行われる動きに加算される。このオフセットの値は、上記の式(4)を用いて計算される。このオフセットは、z方向、すなわち、スキャン露光装置の光学軸の方向の線形の動きと解釈できる。光学軸は、スキャン露光装置における軸に相当しており、この軸に沿って露光に使用されるビーム(例えばレーザービーム)が拡散する。
[1] US 6 191 429
[2] US 6 586 160
[3] JP 10 303 114
[4] US 6 509 952
101 支持部
102 レチクル
103 露光される素子
104 担体
105 基板
106 露光スリット
107 第1矢印(動作方向)
108 第2矢印(動作方向)
209 2重矢印(動作方向)
210 注入口
211 イマージョン流動体
312 露光スリットの第1境界
313 露光スリットの第2境界
316 矢印(動作方向)
317 矢印(動作方向)
402 レチクル
403 投影素子
404 担体
405 基板
407 第1矢印(動作方向)
408 第2矢印(動作方向)
502 レチクル
503 投影素子
504 担体
505 基板
507 第1矢印(動作方向)
508 第2矢印(動作方向)
514 第1平面
515 第2平面
600 リソグラフィー装置
601 ウエハ
602 レーザー
603 レンズ
604 マスク
605 レーザービーム
Claims (11)
- 基板を露光するための液浸リソグラフィー方法であって、
ビームを生成する照射源と、
レチクルを受け入れる支持部と、
その上部に基板が配置されている担体と、
レチクルと基板との間に配置されている投影素子とを備えたスキャン露光装置を用いて行うとともに、
上記基板の露光中に、液浸流動体を、上記投影素子と上記基板との間に導入し、
上記ビームを、上記照射源から、上記レチクル、上記投影素子、及び上記液浸流動体を通過させて、基板の被露光面に到達させ、
上記ビームを、上記レチクルを第1方向にスキャンさせ、
上記担体を、上記基板の被露光面を露光する際に、第2方向に動かし、
基板の露光における焦点深度および/または解像度を調整するために、上記レチクルによる露光中に、上記レチクルと上記基板の被露光面との間の照射方向における間隔を、上記担体の動作方向に沿って変更し、
上記間隔は、上記液浸流動体の露光中の温度変化によって露光中に引き起こされる焦点深度変化および/または解像度変化を補償することによって変更され、
上記担体の動作方向に沿った、レチクルと基板の被露光面との間の間隔を、直線的に変更する、液浸リソグラフィー方法。 - 上記液浸流動体は、任意の露光波長において透明度が高い、および/または、dn/dTが小さい液体である、請求項1に記載の方法。
- 上記液浸流動体は、水またはパーフルオロポリエーテルである請求項1または2に記載の方法。
- 上記担体は、上記レチクルに対して斜めに動かされる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 上記レチクルは、上記基板の上記被露光面に対して傾斜して動かされる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 上記第2方向は、上記第1方向とは逆である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 上記液浸流動体の温度を調整する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 上記投影素子は、レンズまたはレンズ系である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 上記液浸流動体を、露光中に、上記投影素子と上記基板との間に導入する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 上記基板の露光前の、上記基板に対する校正工程に、上記間隔の変化量を、オフセットとして決定し、
上記基板の露光中に、上記オフセットを用いて、上記間隔の変更を行う、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。 - 基板を露光するために液浸リソグラフィーを実施する装置であって、
ビームを射出する照射源と、
上部に基板を配置可能な担体と、
レチクルを受け入れる支持部と、
上記支持部と上記担体との間に配置されている投影素子とを備え、
上記担体と上記支持部とが互いに反対方向に動けるようになっており、
上記投影素子と上記担体との間に、液浸流動体が導入できるようになっており、
上記支持部に配置されているレチクルと、上記担体上に配置されている基板の被露光面とが、上記基板表面の露光中に、相互に反対に傾斜するようになっており、
上記基板露光中の傾斜により、露光中の液浸流動体の温度変化によって生じる焦点深度変化および/または解像度変化が補償されるようになっており、
上記担体の動作方向に沿った、レチクルと基板の被露光面との間の間隔を、直線的に変更するようになっている、装置。
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