JP2006024819A - 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液浸露光時に浸液中に発生した静電気を除電し、基板への帯電防止可能な液浸露光装置を提供する。
【解決手段】 最上層にレジスト膜2が形成された基板1を保持し、基板表面に対して水平方向に移動するステージ11と、パターンが描画されたレチクルRを透過した露光光をレジスト膜2に対して照射する投影系14と、投影系14の投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間に導電性の浸液17を供給する浸液供給部16と、隙間に供給された浸液17と接触し、かつ接地された導電部材19とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 最上層にレジスト膜2が形成された基板1を保持し、基板表面に対して水平方向に移動するステージ11と、パターンが描画されたレチクルRを透過した露光光をレジスト膜2に対して照射する投影系14と、投影系14の投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間に導電性の浸液17を供給する浸液供給部16と、隙間に供給された浸液17と接触し、かつ接地された導電部材19とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液浸露光装置、及びそれを用いた例えば半導体装置等の電子デバイスの製造方法に係り、特にステージ移動時に浸液中に発生する静電気の除電に関するものである。
電子デバイス、例えば、半導体集積回路のような半導体装置の製造過程において、微細パターンを基板上に転写する方法としてリソグラフィ技術が用いられている。このリソグラフィ技術には主に投影露光装置が用いられ、該投影露光装置に装着したフォトマスクを透過した露光光を基板上のレジストに照射することによりパターン転写が行われる。
近年、デバイスの高集積化や、デバイス動作速度の高速化が要求されており、これらの要求に応えるためにパターンの微細化が進められている。パターンの微細化を図るため、露光装置のNA(レンズ開口数)を上げて解像度を向上させる手法が用いられてきたが、NAが理論限界である1に近づいてきた。そこで、実効的なNAを向上させる方法である液浸露光法が検討されている(例えば、非特許文献1参照。)。
液浸露光法とは、レンズとレジストとの間を液体で満たしてその空間の屈折率を上げることにより実効的なNAを向上させる露光法である。換言すれば、液浸露光法は、露光光の実効的な波長を短くした露光法である。
また、液浸露光法に関して、レンズの周りに給排水設備を設けて局所的に液浸状態にする局部液浸露光が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
液浸露光法とは、レンズとレジストとの間を液体で満たしてその空間の屈折率を上げることにより実効的なNAを向上させる露光法である。換言すれば、液浸露光法は、露光光の実効的な波長を短くした露光法である。
また、液浸露光法に関して、レンズの周りに給排水設備を設けて局所的に液浸状態にする局部液浸露光が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
"純水がArFステッパーの限界を変える液浸露光技術"、[2004年3月8日検索]、インターネット<URL:http://www.nikon.co.jp/main/jpn/profile/technology/immersion/>
特開昭57−153433号公報
しかしながら、上記局部液浸露光を行うと、電気的歩留まりが低下してしまうという問題があった。本発明者等の鋭意検討により、この電気的歩留まりの低下は、ステージ移動時に浸液中で発生する静電気が基板上で帯電することに起因することが分かった。特に、基板上に薄い絶縁膜が形成されている場合に局所液浸露光法を適用すると、該絶縁膜に帯電が起こり、ゲートリークが発生してしまうことが分かった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、液浸露光時に浸液中に発生した静電気を除電し、基板への帯電防止可能な液浸露光装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る液浸露光装置は、最上層にレジスト膜が形成された基板を保持し、該基板の表面に対して水平方向に移動するステージと、
パターンが描画されたレチクルと、
前記レチクルを透過した露光光を前記レジスト膜に対して照射する投影系と、
前記投影系の投影レンズと前記レジスト膜との隙間に導電性の浸液を供給する浸液供給部と、
前記隙間に供給された浸液と接触し、かつ接地された導電部材とを備えたことを特徴とするものである。
パターンが描画されたレチクルと、
前記レチクルを透過した露光光を前記レジスト膜に対して照射する投影系と、
前記投影系の投影レンズと前記レジスト膜との隙間に導電性の浸液を供給する浸液供給部と、
前記隙間に供給された浸液と接触し、かつ接地された導電部材とを備えたことを特徴とするものである。
本発明は、以上説明したように、浸液中で発生した静電気を、接地された導電部材を介して除電することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
実施の形態1.
図1は、本実施の形態1による液浸露光装置101を説明するための概略断面図である。
図1に示すように、ステージ11上に基板(例えば、シリコン基板)1が載置されている。ステージ11は、基板1表面に対して水平方向に2次元的に移動可能である。ステージ11の移動速度、すなわちスキャンスピードは、例えば、500mm/secである。基板1上には、レチクルRのパターンが転写されるレジスト膜2が形成されている。なお、図1では、基板1直上にレジスト膜2が形成されているが、通常は、レジスト膜2の下層に被加工膜が形成されている。例えば、ゲート電極形成用のレジストパターン形成時には、図2に示すように、基板1上にゲート絶縁膜21として薄いシリコン酸化膜や高誘電率膜が形成され、ゲート絶縁膜21上にゲート電極となる導電膜としてのポリシリコン膜が形成され、最上層にレジスト膜2が形成されている。
図1は、本実施の形態1による液浸露光装置101を説明するための概略断面図である。
図1に示すように、ステージ11上に基板(例えば、シリコン基板)1が載置されている。ステージ11は、基板1表面に対して水平方向に2次元的に移動可能である。ステージ11の移動速度、すなわちスキャンスピードは、例えば、500mm/secである。基板1上には、レチクルRのパターンが転写されるレジスト膜2が形成されている。なお、図1では、基板1直上にレジスト膜2が形成されているが、通常は、レジスト膜2の下層に被加工膜が形成されている。例えば、ゲート電極形成用のレジストパターン形成時には、図2に示すように、基板1上にゲート絶縁膜21として薄いシリコン酸化膜や高誘電率膜が形成され、ゲート絶縁膜21上にゲート電極となる導電膜としてのポリシリコン膜が形成され、最上層にレジスト膜2が形成されている。
露光光13を射出する照明系12は、図示しないが、波長193nmのArFエキシマレーザ光を発する光源としてのArFエキシマレーザ、フライアイレンズ、レチクルブラインド、コンデンサレンズ等を備えている。
照明系12と投影系14との間に配置されたレチクルRには、レジスト膜2に転写するパターンが描画されている。
照明系12と投影系14との間に配置されたレチクルRには、レジスト膜2に転写するパターンが描画されている。
投影系14の最下部にはレジスト膜2に対しパターンを縮小投影する投影レンズ14aを備えている。
投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間には、浸液17が局所的に満たされている。投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間は、1mm〜2mm程度である。この浸液17は、脱気装置15を通して気泡を取り除いた後、浸液供給ノズル16から上記隙間に供給される。該供給された浸液17は、所定時間経過後、排水管18を通して排水されて廃液となる。
投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間には、浸液17が局所的に満たされている。投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間は、1mm〜2mm程度である。この浸液17は、脱気装置15を通して気泡を取り除いた後、浸液供給ノズル16から上記隙間に供給される。該供給された浸液17は、所定時間経過後、排水管18を通して排水されて廃液となる。
浸液17としては、導電性を有する液体である電離水を用いる。浸液17の電気抵抗は0.1〜1MΩcmであることが好適である。本発明者等の鋭意検討の結果、電気抵抗が0.1〜1MΩcmの場合に、絶縁破壊を防止することができ、レジストダメージの発生を防止することができることが分かった(後述)。
より具体的には、電気抵抗が1MΩcmである希釈酢酸水溶液を浸液17として用いることができる。超純水の電気抵抗が18MΩcmであるため、超純水よりも1/20近く電気抵抗が低いものを用いる。電気抵抗が低いほど液浸露光時の絶縁破壊防止に対する余裕度は高くなるが、酢酸の量が多くなるためレジストダメージが発生してしまう。該希釈酢酸水溶液のpHを5〜6程度にすることにより、レジストダメージの発生を防止することができる。
また、浸液17としては、上記希釈酢酸水溶液以外にも、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(以下「TMAH水溶液」という。)のような希釈アルカリ水溶液を用いることができる。但し、このTMAH水溶液が高濃度の場合にはレジスト現像液となるため、希釈する必要がある。浸液17としてのTMAH水溶液の濃度は、0.001wt%以上0.1wt%以下が好適であり、0.05wt%がより好適である。このTMAH水溶液は、僅かに投影レンズ材料をエッチングする。このため、図3に示すように、投影レンズ14aの表面に保護カバー14bを装着し、該保護カバー14bの浸液17接触面にアルカリ水溶液に対して耐性を有するコーティング14cを施しておくことが好ましい。
なお、上記希釈酢酸水溶液を浸液17として用いる場合にも、投影レンズ14a保護のため、さらにメンテナンス性向上のため、コーティング14cが施された保護カバー14bを装着することが好適である。該コーティング14cを酸とアルカリ水溶液の両方に耐性を有するものにすることにより、多種の浸液17に対応することができる。
なお、上記希釈酢酸水溶液を浸液17として用いる場合にも、投影レンズ14a保護のため、さらにメンテナンス性向上のため、コーティング14cが施された保護カバー14bを装着することが好適である。該コーティング14cを酸とアルカリ水溶液の両方に耐性を有するものにすることにより、多種の浸液17に対応することができる。
なお、試料が半導体装置以外であり金属汚染の問題がない場合には、例えば、NaCl等の塩を純水に適量添加することにより得られた電気抵抗が0.1〜1MΩcmの導電性水溶液を、浸液17として用いることができる。
本実施の形態1による液浸露光装置101では、上記隙間に供給された導電性を有する浸液17と接触するように導電部材19が配置されている。より詳細には、浸液供給ノズル16の底部と、排水管18の底部に沿って導電部材19が配置されている。導電部材19の形状は、特に限定されず、板状、管状、棒状の何れであってもよい。この導電部材19は、任意の箇所において接地されている。接地箇所は、1箇所であっても複数箇所であってもよい。導電部材19の材料は、基本的に電気伝導性を有する材料であればよいが、金属汚染防止の観点からはカーボンのような非金属材料が好ましい。これにより、浸液17中に生じた静電気が導電部材19を介して除電される。
次に、上記液浸露光装置の動作について説明する。すなわち、上記液浸露光装置を用いたパターン露光について説明する。
先ず、ステージ11上に、レジスト膜2が形成された基板1(例えば、図2に示した基板)を固定する。
次に、レジスト膜2と投影レンズ14aとの隙間に、脱気装置15により液中の気泡が除去された浸液17を浸液供給ノズル16から供給する。
先ず、ステージ11上に、レジスト膜2が形成された基板1(例えば、図2に示した基板)を固定する。
次に、レジスト膜2と投影レンズ14aとの隙間に、脱気装置15により液中の気泡が除去された浸液17を浸液供給ノズル16から供給する。
そして、照明系12から射出された露光光13が、レチクルRを透過する。レチクルRを透過した光は、投影系14の投影レンズ14aを通過し、浸液17を介してレジスト膜2に照射される。
この露光光の照射、すなわちパターン露光は、ステージ11を高速移動させながら行われる。ステージ11の移動速度は、例えば、500mm/secである。このステージ11移動の際に、浸液17中に静電気が発生するが、この静電気は液浸液17を通じ、さらに接地された導電部材19を介して除電される。よって、基板1への帯電が防止される。
この露光光の照射、すなわちパターン露光は、ステージ11を高速移動させながら行われる。ステージ11の移動速度は、例えば、500mm/secである。このステージ11移動の際に、浸液17中に静電気が発生するが、この静電気は液浸液17を通じ、さらに接地された導電部材19を介して除電される。よって、基板1への帯電が防止される。
以上説明したように、本実施の形態1では、投影レンズ14aとレジスト膜2との隙間に満たす浸液17として電離水のような導電性を有する液体を用い、接地された導電部材19を浸液17と接触するように設けた。これにより、ステージ11を移動する際に浸液17中で発生する静電気を、浸液17を通じて導電部材19を介して除電することができる。よって、基板1における帯電を防止することができる。このため、製造した半導体装置において絶縁膜の静電破壊を防止することができるため、電気歩留まりを向上させることができる。後述する比較例に対して電気歩留まりを30%向上させることができることが分かった。本発明者等の鋭意検討の結果、特に、CMOSのスプリットゲート(split gate)や、フラッシュメモリのフローティングゲートにおける電気歩留まりが著しく向上し、これらのデバイスに対して本発明が有効であることが分かった。
次に、上記実施の形態1の変形例について説明する。
図4は、本発明の実施の形態1の変形例による液浸露光装置102を説明するための概略断面図である。
本変形例では、脱気装置15により気泡が除去された純水に炭酸ガス(CO2)を導入する炭酸ガス導入装置20を備えている。すなわち、脱気後に該炭酸ガス導入装置20により炭酸ガスが導入された純水を浸液17aとして用いるようにする。この浸液17aの電気抵抗は、実施の形態1で述べたように、0.1MΩcm〜1MΩcmとする。また、その他の構成は、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
本変形例においても、実施の形態1と同様に、ステージ11を移動する際に浸液17a中で発生する静電気を、接地された導電部材19を介して除電することができる。よって、基板1における帯電を防止することができ、製造した半導体装置において絶縁膜の静電破壊を防止することができるため、電気歩留まりを向上させることができる。
なお、本変形例に対して、図3に示したコーティング14cを有する保護カバー14bを適用することができる。
図4は、本発明の実施の形態1の変形例による液浸露光装置102を説明するための概略断面図である。
本変形例では、脱気装置15により気泡が除去された純水に炭酸ガス(CO2)を導入する炭酸ガス導入装置20を備えている。すなわち、脱気後に該炭酸ガス導入装置20により炭酸ガスが導入された純水を浸液17aとして用いるようにする。この浸液17aの電気抵抗は、実施の形態1で述べたように、0.1MΩcm〜1MΩcmとする。また、その他の構成は、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
本変形例においても、実施の形態1と同様に、ステージ11を移動する際に浸液17a中で発生する静電気を、接地された導電部材19を介して除電することができる。よって、基板1における帯電を防止することができ、製造した半導体装置において絶縁膜の静電破壊を防止することができるため、電気歩留まりを向上させることができる。
なお、本変形例に対して、図3に示したコーティング14cを有する保護カバー14bを適用することができる。
次に、上記実施の形態1に対する比較例について説明する。
図5は、本発明の実施の形態1に対する比較例による液浸露光装置110を説明するための概略断面図である。
本比較例と、上記実施の形態1との相違点は、浸液17bとして電気抵抗が18Ωcm以上の超純水を用いている点と、導電部材を設けていない点である。それ以外の構成は、図1に示した液浸露光装置と同様であるため説明を省略する。
本比較例による液浸露光装置を用いて、上記実施の形態1と同様の露光条件(スキャンスピードを含む。)で液浸露光を行った。しかし、本変形例では、ステージ11を移動する際に浸液17b中で発生した静電気が基板1に帯電した。このため、製造した半導体装置において絶縁膜の絶縁破壊が発生し、ゲートリークが発生し、電気歩留まりが低下した。
図5は、本発明の実施の形態1に対する比較例による液浸露光装置110を説明するための概略断面図である。
本比較例と、上記実施の形態1との相違点は、浸液17bとして電気抵抗が18Ωcm以上の超純水を用いている点と、導電部材を設けていない点である。それ以外の構成は、図1に示した液浸露光装置と同様であるため説明を省略する。
本比較例による液浸露光装置を用いて、上記実施の形態1と同様の露光条件(スキャンスピードを含む。)で液浸露光を行った。しかし、本変形例では、ステージ11を移動する際に浸液17b中で発生した静電気が基板1に帯電した。このため、製造した半導体装置において絶縁膜の絶縁破壊が発生し、ゲートリークが発生し、電気歩留まりが低下した。
実施の形態2.
図6は、本実施の形態2による液浸露光装置103を説明するための概略断面図である。
本実施の形態2と、上記実施の形態1との相違点は、導電部材19を設ける代わりに、浸液17と接触する浸液供給ノズル16aと排水管18aとを導電材料で形成し、該浸液供給ノズル16aと排水管18aとを接地する点である。導電材料としては、金属汚染防止の観点からカーボンのような非金属材料が好適である。導電材料で形成された浸液供給ノズル16a及び排水管18aの部分は小さくてよく、浸液17と接触し、接地可能な大きさがあれば十分である。
本実施の形態2によっても、ステージ11を移動する際に浸液17中で発生した静電気を、浸液17を通じ、浸液供給ノズル16a及び排水管18aを介して除電することができる。よって、実施の形態1で得られた効果と同様の効果を得ることができる。
なお、本実施の形態2に対して、図3に示したコーティング14cを有する保護カバー14bを適用することができる。
図6は、本実施の形態2による液浸露光装置103を説明するための概略断面図である。
本実施の形態2と、上記実施の形態1との相違点は、導電部材19を設ける代わりに、浸液17と接触する浸液供給ノズル16aと排水管18aとを導電材料で形成し、該浸液供給ノズル16aと排水管18aとを接地する点である。導電材料としては、金属汚染防止の観点からカーボンのような非金属材料が好適である。導電材料で形成された浸液供給ノズル16a及び排水管18aの部分は小さくてよく、浸液17と接触し、接地可能な大きさがあれば十分である。
本実施の形態2によっても、ステージ11を移動する際に浸液17中で発生した静電気を、浸液17を通じ、浸液供給ノズル16a及び排水管18aを介して除電することができる。よって、実施の形態1で得られた効果と同様の効果を得ることができる。
なお、本実施の形態2に対して、図3に示したコーティング14cを有する保護カバー14bを適用することができる。
1 基板(シリコン基板)、 2 レジスト膜、 11 ステージ、 12 照明系、 13 露光光、 14 投影系、 14a 投影レンズ、 14b 保護カバー、 14c コーティング、15 脱気装置、 16,16a 浸液供給ノズル、 17,17a 浸液、18 排水管、 19 導電部材、 20 炭酸ガス導入装置、 21 ゲート絶縁膜、 22 導電膜(ポリシリコン膜)。
Claims (6)
- 最上層にレジスト膜が形成された基板を保持し、該基板の表面に対して水平方向に移動するステージと、
パターンが描画されたレチクルと、
前記レチクルを透過した露光光を前記レジスト膜に対して照射する投影系と、
前記投影系の投影レンズと前記レジスト膜との隙間に導電性の浸液を供給する浸液供給部と、
前記隙間に供給された浸液と接触し、かつ接地された導電部材とを備えたことを特徴とする液浸露光装置。 - 最上層にレジスト膜が形成された基板を保持し、該基板の表面に対して水平方向に移動するステージと、
パターンが描画されたレチクルと、
前記レチクルを透過した露光光を前記レジスト膜に対して照射する投影系と、
前記投影系の投影レンズと前記レジスト膜との隙間に導電性の浸液を供給する浸液供給部とを備え、
前記浸液供給部は、前記隙間に供給された浸液と接触し、かつ接地された導電性ノズルを有することを特徴とする液浸露光装置。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記浸液供給部は、純水から気泡を除去する脱気装置と、
気泡が除去された純水に炭酸ガスを導入する炭酸ガス導入装置とを更に有し、
炭酸ガスが導入された純水を前記浸液として用いることを特徴とする液浸露光装置。 - 請求項1又は2に記載の液浸露光装置において、
電離水を前記浸液として用いることを特徴とする液浸露光装置。 - 請求項1から4の何れかに記載の液浸露光装置において、
前記浸液の電気抵抗が0.1MΩcm以上1MΩcm以下であることを特徴とする液浸露光装置。 - 最上層にレジスト膜が形成された基板を保持し、該基板の表面に対して水平方向に移動するステージと、パターンが描画されたレチクルと、該レチクルを透過した露光光を該レジスト膜に対して照射する投影系と、該投影系の投影レンズと該レジスト膜との隙間に浸液を供給する浸液供給部とを備えた浸液露光装置を用いて、該浸液を介して前記レジスト膜に対しパターン露光を行う液浸露光工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記隙間に導電性の浸液を供給し、該供給された浸液を導電部材を介して接地するとともに、前記ステージを移動させながらパターン露光を行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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