JP2008242136A - 露光装置、露光方法および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で、小さなサイズのパターンと大きなサイズのパターンとの双方を良好な解像性で形成できる露光装置および露光方法と、その露光装置を用いた液晶表示装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】照明光学系１は、光をフォトマスク２０Ａ、２０Ｂに照射するためのものである。投影光学系２Ａ、２Ｂは、フォトマスク２０Ａ、２０Ｂに照射された光をフォトレジスト３２に投影するためのものである。露光装置１０は１つの照明光学系１に対して複数の投影光学系２Ａ、２Ｂを有し、複数の投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる分解能を有するように構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置、露光方法および液晶表示装置の製造方法に関し、特に、画素部とドライバ部とを有するシステム液晶の製造に適した露光装置および露光方法と、その露光装置を用いた液晶表示装置の製造方法とに関するものである。

液晶表示装置の製造工程は、たとえばガラス基板上に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）などを製造するために、半導体膜、誘電体膜、導電膜、絶縁膜などをパターニングする工程を含んでいる。そのようなパターニングの方法として、被加工膜の上にフォトレジスト（感光体）のパターンを形成し、そのフォトレジストをマスクとして当該被加工膜をエッチングするといったフォトリソグラフィー技術が用いられる。フォトレジストのパターンは、フォトレジストの塗布、露光、現像、ベークなどの工程を経て形成される。

上記のフォトレジストの露光には、たとえば特開２００５−１１６７７９号公報に開示された構成の露光装置が用いられる。上記公報に開示された露光装置は、照明用ランプと、その照明用ランプから発せられた照明光を原版となるマスクに導くためのミラーおよびレンズと、マスクの像を投影する投影光学系とを有している。
特開２００５−１１６７７９号公報

近年、液晶表示装置自体に半導体回路（一般的には液晶の画素部を制御するドライバ部）を組み込んだシステム液晶が、小型化、薄型化、消費電力の省力化の観点から、携帯電話用、携帯情報端末（ＰＤＡ）用、携帯ゲーム機用、デジタルスチルカメラ用、車載用などの中・小型の液晶市場で注目されている。

このシステム液晶のパネルでは、画素部とドライバ部とで必要とされるパターンサイズが異なる。画素部においては、２５μｍ×６０μｍの画素サイズが最小であるため、３μｍ程度の最小加工寸法を有する露光装置で十分に形成することができる。

一方、ドライバ部では、トランジスタサイズが小さければ小さい程、回路の集積度を増やすことができる。さらに、小さいトランジスタの方が高い性能のトランジスタを実現することもできる。このため、一般的に、ドライバ部のパターンサイズは画素部のパターンサイズよりも小さく設定されている。

しかし、上記の従来の露光装置では、一様な解像性能しか得られない。このため、ドライバ部の小さなパターンサイズに合わせて露光装置の分解能を小さくすると、焦点深度（Depth Of Focus：ＤＯＦ）が小さくなる。ここで、画素部の広い領域ではうねりなどの変形が生じやすいため、焦点深度が小さくなると画素部の変形部が焦点深度を超える場合が生じ、その部分で感光体に結像した像がぼやけて十分な解像性が得られないという問題があった。

それゆえ本発明の目的は、簡易な構成で、小さなサイズのパターンと大きなサイズのパターンとの双方を良好な解像性で形成できる露光装置および露光方法と、その露光装置を用いた液晶表示装置の製造方法とを提供することを目的とする。

本発明の露光装置は、フォトマスクのパターンを感光体に露光する露光装置であって、照明光学系と、投影光学系とを備えている。照明光学系は、光をフォトマスクに照射するためのものである。投影光学系は、フォトマスクに照射された光を感光体に投影するためのものである。本発明の露光装置は１つの照明光学系に対して複数の投影光学系を有し、複数の投影光学系の各々が互いに異なる分解能を有するように構成されている。

本発明の露光装置によれば、複数の投影光学系の各々が互いに異なる分解能を有しているため、小さなサイズのパターンは分解能の小さい投影光学系を用いて露光し、また大きなサイズのパターンは分解能の大きい投影光学系を用いて露光することができる。これにより、小さなサイズのパターンを加工できるとともに、大きなサイズのパターンを大きな焦点深度で形成することができる。

また１つの照明光学系に対して複数の投影光学系が設けられているため、投影光学系ごとに照明光学系を設けた構成よりも簡易な構成にすることができる。

上記の露光装置において好ましくは、照明光学系は、複数の輝線スペクトルからなる光を発する光源を有している。

上記の露光装置において好ましくは、複数の投影光学系の各々に異なる波長の光が入射されるように構成されている。

これにより、１つの光源で、複数の投影光学系の各々に異なる波長の光を入力することができる。短波長の光を入力された投影光学系では分解能が小さくなるため、小さなサイズのパターンを加工することができる。また長波長の光を入力された投影光学系では焦点深度が大きくなるため、大きなサイズのパターンを良好な解像性で形成することができる。

また１つの光源から発する複数の波長の光を利用することができるため、不要な波長の光を少なくでき、光の利用効率を高めることができる。

上記の露光装置において好ましくは、複数の投影光学系の各々が互いに異なる開口数ＮＡを有するように構成されている。

これにより、複数の投影光学系の各々に同じ波長の光が入力されても、開口数ＮＡの大きな投影光学系では分解能が小さくなるため、小さなサイズのパターンを加工することができる。また開口数ＮＡの小さな投影光学系では焦点深度が大きくなるため、大きなサイズのパターンを良好な解像性で形成することができる。

本発明の露光方法は、上記のいずれかに記載の露光装置を用いて感光体を露光することを特徴とする。

本発明の露光方法によれば、上記のいずれかに記載の露光装置を用いるため、簡易な構成の露光装置で、小さなサイズのパターンを加工できるとともに、大きなサイズのパターンを大きな焦点深度で形成することができる。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の露光装置を用いて、画素部とドライバ部とを有する液晶表示装置を製造する方法であって、露光装置の分解能の大きい一の投影光学系を用いて画素部のパターン形成のために感光体の画素部形成領域に露光を行ない、かつ露光装置の分解能の小さい他の投影光学系を用いてドライバ部のパターン形成のために感光体のドライバ領域に露光を行なうことを特徴とするものである。

本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、感光体の画素部形成領域を分解能の大きい一の投影光学系で露光するため、大きな焦点深度で露光することができる。このため、広い画素部においてうねりなどにより大きな変形が生じていても、焦点深度が大きくなることでその変形部においても像のぼやけを抑制でき、解像性を確保することができる。また感光体のドライバ領域を分解能の小さい他の投影光学系で露光するため、ドライバの微細なパターン寸法に対応した加工が可能となる。

以上説明したように、本発明によれば、露光装置が１つの照明光学系に対して、互いに分解能の異なる複数の投影光学系を有しているため、簡易な構成で、小さなサイズのパターンと大きなサイズのパターンとの双方を良好な解像性で形成することができる。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における露光装置の構成を概略的に示す模式図である。図１を参照して、本実施の形態の露光装置１０は、フォトマスク２０Ａ、２０Ｂのパターンを基板３０のフォトレジスト（感光体）３２に露光するものである。なお基板３０は、フォトレジスト３２と、そのフォトレジスト３２の下地層３１とを有している。

この露光装置１０は、１つの照明光学系１と、ハーフミラー３Ａと、反射ミラー３Ｂと、２つの投影光学系２Ａ、２Ｂとを有している。照明光学系１は、光源１ａを有し、その光源１ａから発せられた光をフォトマスク２０Ａ、２０Ｂに照射するためのものである。照明光学系１は、光源１ａ以外に、反射ミラー、集光レンズ、フライアイレンズ、絞り、ブラインド絞りなどを有していてもよい。光源１ａは、複数の輝線スペクトルからなる光を発するものであり、たとえば水銀灯である。この光源１ａは、たとえばｉ線と呼ばれる波長３６５ｎｍの光と、ｈ線と呼ばれる波長４０５ｎｍの光と、ｇ線と呼ばれる波長４３６ｎｍの光などを発することが好ましい。

ハーフミラー３Ａは、照明光学系１からの光を反射してフォトマスク２０Ａに照射するとともに、照明光学系１からの光を透過して反射ミラー３Ｂに入射するものである。反射ミラー３Ｂは、ハーフミラー３Ａからの光を反射してフォトマスク２０Ｂに照射するものである。

投影光学系２Ａは、フォトマスク２０Ａに照射された光を基板３０のフォトレジスト３２に投影するものである。また投影光学系２Ｂは、フォトマスク２０Ｂに照射された光を基板３０のフォトレジスト３２に投影するものである。これらの投影光学系２Ａ、２Ｂの各々は、投影レンズ、瞳面絞りなどを有している。

露光装置１０は、これらの投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる分解能を有するように構成されている。ここで、分解能とは、以下のレイリーの式により与えられる分解能Ｒのことである。

Ｒ＝ｋ₁・λ／ＮＡ
上式において、ｋ₁は結像条件およびレジストプロセスに依存する定数、λは投影光学系に入射する光の波長、ＮＡはレンズの投影光学系の開口数である。

上記のレイリーの式より、投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる分解能を有する構成とは、たとえば投影光学系２Ａ、２Ｂの各々に互いに異なる波長λの光を入射させる構成である。具体的には、図１においてハーフミラー３Ａによって反射された光が単一波長光となるように不要な波長の光をカットするフィルタ（図示せず）と、ハーフミラー３Ａによって透過された光が単一波長光となるように不要な波長の光をカットするフィルタ（図示せず）とを設けた構成がある。このようにカットフィルタを用いて、ハーフミラー３Ａによって反射された光と透過された光とにおいて互いに異なる波長の光を残すことで、投影光学系２Ａ、２Ｂの各々に互いに異なる波長λの光を入射させることができる。

本実施の形態では、たとえば密なパターンの露光に用いる投影光学系には比較的短波長のｉ線が、疎なパターンの露光に用いる投影光学系には比較的長波長のｇ線とｈ線との混合波長光がそれぞれ入射される。これにより、２つの投影光学系が同じ開口数ＮＡを有する場合には、密なパターンの露光に用いる投影光学系の分解能を小さく、かつ疎なパターンの露光に用いる投影光学系の分解能を大きくすることができる。

また投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる分解能を有する構成として、たとえば投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる開口数ＮＡを有する構成とすることもできる。つまり、投影光学系２Ａ、２Ｂの各々に仮に同じ波長の光が入射されるような構成であっても、投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる開口数ＮＡを有していれば、上記のレイリーの式より、投影光学系２Ａ、２Ｂの各々が互いに異なる分解能を有することとなる。投影光学系の開口数ＮＡを変える構成としては、たとえば投影光学系に含まれる瞳面絞りを光軸方向に沿って移動させる構成がある。

次に、本実施の形態の露光装置を用いて製造される製品の一例としてシステム液晶よりなる液晶表示装置について説明する。

図２は、本発明の実施の形態１における露光装置を用いて製造されるシステム液晶よりなる液晶表示装置の構成を概略的に示す平面図である。図２を参照して、システム液晶（液晶表示装置）５０は、画素部形成領域５１と、ドライバ部５２と、ソースドライバ部５３と、ゲートドライバ部５４と、端子部５５とを主に有している。

画素部形成領域５１は液晶の画素部が形成される領域である。この画素部はトランジスタを含んでいる。このトランジスタのゲート長はたとえば４μｍ、ゲート幅はたとえば５μｍであり、画素部のピッチがたとえば２５〜４０μｍである。

ソースドライバ部５３は、画素部のトランジスタのソース電圧を制御するための回路を有している。またゲートドライバ部５４は、画素部のトランジスタのゲート電圧を制御するための回路を有している。ドライバ部５２は、ソースドライバ部５３とゲートドライバ部５４との各回路を制御するための回路を有している。これらのソースドライバ部５３、ゲートドライバ部５４およびドライバ部５２の各々は、回路を構成するためのトランジスタを有しており、各領域のトランジスタのゲート長はたとえば２μｍ、ゲート幅はたとえば２μｍであり、トランジスタのピッチがたとえば１２μｍである。

端子部５５は、ドライバ部５２に装置外部から制御信号を与える部分である。
次に、上記の図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法について説明する。

図３〜図１３は、図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法を工程順に示す概略断面図である。図３を参照して、ガラス基板３３上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法でアモルファスシリコン層３４が堆積される。このアモルファスシリコン層３４上に、金属触媒を用いた固相成長によりアモルファスシリコン層がさらに形成される。この後、アモルファスシリコン層３４の上面からエキシマレーザが照射され、これを走査することによりレーザアニールが行なわれる。

図４を参照して、上記のレーザアニールによりアモルファスシリコン層が多結晶シリコン層３４となる。この多結晶シリコン層３４上にフォトレジスト３２Ａが塗布された後に、上記の露光装置を用いた露光処理と、その後の現像処理とが行なわれて、フォトレジスト３２Ａがパターニングされる。このレジストパターン３２Ａをマスクとして多結晶シリコン層３４が選択的にエッチング除去される。この後、レジストパターン３２Ａがアッシングなどにより除去される。

図５を参照して、上記のエッチングにより多結晶シリコン層３４がパターニングされ、画素部およびドライバ部との各々に多結晶シリコンよりなる半導体層３４が形成される。

図６を参照して、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）を原料としてプラズマＣＶＤ法を行なうことにより、ゲート絶縁膜３５としてたとえばシリコン酸化膜が形成される。この後、リン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）を半導体層３４に注入することによりｎ型、ｐ型のトランジスタのしきい値が調整される。

図７を参照して、ゲート酸化膜３５上に、ゲート電極となる導電層３６としてたとえばモリブデンシリサイド層がスパッタ法で堆積される。このモリブデンシリサイド層３６上にフォトレジスト３２Ｂが塗布された後に、上記の露光装置を用いた露光処理と、その後の現像処理とが行なわれて、フォトレジスト３２Ｂがパターニングされる。このレジストパターン３２Ｂをマスクとしてモリブデンシリサイド層３６が選択的にエッチング除去される。この後、レジストパターン３２Ｂがアッシングなどにより除去される。

図８を参照して、上記のエッチングによりモリブデンシリサイド層３６がパターニングされ、画素部およびドライバ部との各々にモリブデンシリサイド層よりなるゲート電極層３６が形成される。ゲート電極層３６の形成後に、ソース／ドレイン領域を形成するために、このゲート電極層３６をマスクとしてリンまたはボロンのイオンが半導体層３４に注入される。

図９を参照して、表面全面に層間絶縁膜３７がＣＶＤ法により堆積される。この層間絶縁膜３７上にフォトレジスト３２Ｃが塗布された後に、上記の露光装置を用いた露光処理と、その後の現像処理とが行なわれて、フォトレジスト３２Ｃがパターニングされる。このレジストパターン３２Ｃをマスクとして層間絶縁膜３７が選択的にエッチング除去される。この後、レジストパターン３２Ｃがアッシングなどにより除去される。

図１０を参照して、上記のエッチングにより層間絶縁膜３７を貫通して半導体層３４のソース／ドレイン領域に達するコンタクトホール３７ａが形成される。

図１１を参照して、表面全面に配線層となる導電層３８としてたとえばアルミニウム層が形成される。このアルミニウム層３８上にフォトレジスト３２Ｄが塗布された後に、上記の露光装置を用いた露光処理と、その後の現像処理とが行なわれて、フォトレジスト３２Ｄがパターニングされる。このレジストパターン３２Ｄをマスクとしてアルミニウム層３８が選択的にエッチング除去される。この後、レジストパターン３２Ｄがアッシングなどにより除去される。

図１２を参照して、上記のエッチングによりアルミニウム層がパターニングされて、アルミニウム層よりなる配線層３８がコンタクトホール３７ａを通じてソース／ドレイン領域と電気的に接続するように形成される。

図１３を参照して、この後、配線層３８を覆うように樹脂平坦化膜３９が塗布形成される。この樹脂平坦化膜３９に写真製版技術を用いてホール３９ａが形成される。この後、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜４０が形成され、このＩＴＯ膜４０が写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされてＩＴＯ電極パターン４０が形成される。このようにして画素部と液晶部とが製造されてシステム液晶が製造される。

次に、上記の製造方法における露光方法について説明する。
図１４は、本発明の実施の形態１におけるシステム液晶の製造方法での露光方法を説明するための概略平面図である。図１４を参照して、基板３０はステージ上に載置される。この基板３０表面のフォトレジストに、複数のシステム液晶のチップとなるチップ領域５０Ａが露光される。この露光においては、露光とステージの移動とが同期して行なわれる。そのことを以下に説明する。

たとえば図１４中の上段横方向に配置された一群のチップ領域５０Ａの露光において、互いに異なるチップ領域５０Ａの画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとが同時に露光される。つまり、一のチップ領域５０Ａの画素領域５１Ａと他のチップ領域５０Ａのドライバ領域５２Ａとが同時に露光される。本実施の形態では、まず図中番号１が付された画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとが同時に露光される。

この露光後、ステージの移動により基板３０が露光装置に対して相対的に図中左方向に移動する。そして、図中番号２が付された画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとが同時に露光される。これを繰り返し、たとえば図中番号８で示すように最も右端に位置するチップ領域５０Ａの画素領域５１Ａの露光が終了した時点で、ステージの移動により基板３０が露光装置に対して相対的に図中右方向に移動する。この後、最も左端のチップ領域５０Ａのドライバ領域５２Ａの露光が行なわれ、この露光後にステージの移動により基板３０が露光装置に対して相対的に図中左方向に移動する。これを繰り返すことにより、図中上段横方向に配置された一群のチップ領域５０Ａのすべての画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとの露光が完了する。この露光が各段について行なわれて、基板３０上のすべてのチップ領域の露光が完了する。

本実施の形態によれば、図１に示すように露光装置１０は２つの投影光学系２Ａ、２Ｂを有し、一方の投影光学系で密なパターンの露光を行ない、他方の露光装置で疎なパターンの露光を行なっている。しかし、投影光学系２Ａ、２Ｂは露光パターンに対して大きな装置である。このため、同一チップ領域５０Ａ内の画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとを同時に露光できる程度に、２つの投影光学系２Ａ、２Ｂを近づけることが難しい。しかし、システム液晶においては、半導体装置の単結晶基板と異なり比較的寸法の大きなガラス基板３３を用いることができる。このため、システム液晶においては、上記のように互いに異なるチップ領域５０Ａの画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとを同時に露光することができる。よって、上記のように露光とステージの移動とを同期させることで効率良く露光を行なうことができる。

また本実施の形態によれば、互いに異なるチップ領域５０Ａの画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとを同時に露光することができる。このため、画素領域５１Ａとドライバ領域５２Ａとを別々に露光する場合よりも露光の回数を少なくすることもできる。

本実施の形態によれば、フォトレジスト３２のドライバ領域を分解能の小さい他の投影光学系（２Ａ、２Ｂの他方）で露光するため、ドライバ部の微細なパターン寸法に対応した微細な加工が可能となる。

また図１に示すようにフォトレジスト３２の画素部形成領域が分解能の大きい一の投影光学系（２Ａ、２Ｂの一方）で露光されるため、大きな焦点深度で露光することができる。以下、そのことを説明する。

分解能とは、上記にて説明したようにレイリーの式（Ｒ＝ｋ₁・λ／ＮＡ）により表されるものである。また焦点深度δは、以下の式で表される。

δ＝ｋ₂・λ／（ＮＡ）²
上式において、ｋ₂は結像条件およびレジストプロセスに依存する定数、λは投影光学系に入射する光の波長、ＮＡはレンズの投影光学系の開口数である。

上記のレイリーの式において分解能Ｒを大きくするためには光の波長λを大きくするか、または開口数ＮＡを小さくする必要がある。ここで、上記の焦点深度の式より、光の波長λを大きくするか、または開口数ＮＡを小さくした場合には、焦点深度δも大きくなることが分かる。このため、分解能の大きい投影光学系を用いた露光では焦点深度も大きくなる。よって、広い画素部においてうねりなどにより大きな変形が生じていても、焦点深度が大きくなることでその変形部においても像のぼやけを抑制でき、解像性を確保することができる。

（実施の形態２）
上述した実施の形態１においては、光源１ａからの光を分光する手段としてハーフミラーを用いた場合について説明したが、光を分光する手段としてビームスプリッタが用いられてもよい。このビームスプリッタを用いた構成を実施の形態２として以下に説明する。

図１５は、本発明の実施の形態２における露光装置の構成を概略的に示す模式図である。図１５を参照して、本実施の形態の露光装置１０は、実施の形態１の構成と比較して、ビームスプリッタ（プリズム）１ｂを用いて光源１ａから出た光を分光する点において異なる。

このビームスプリッタ１ｂは照明光学系１に含まれており、光源１ａからの光を互いに波長の異なる複数の光に分けるためのものである。ビームスプリッタ１ｂにより分光された互いに波長の異なる光のそれぞれを反射してフォトマスク２０Ａ、２０Ｂの各々に照射させるために反射ミラー３Ｃ、３Ｄの各々が設けられている。

本実施の形態においては、投影光学系２Ａ、２Ｂの各々は、互いに同じ開口数ＮＡを有していてもよく、また場合に応じて互いに異なる開口数ＮＡを有していてもよい。

なお、上記以外の構成については上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施の形態においても、実施の形態１と同様、図１５に示すように２つの投影光学系２Ａ、２Ｂを有しており、２つの投影光学系２Ａ、２Ｂの各々に互いに異なる波長の光が入射されるように構成されている。このため、上記のレイリーの式より、２つの投影光学系２Ａ、２Ｂの各々で分解能を異ならせることができる。よって、フォトレジスト３２の画素部形成領域を分解能の大きい一の投影光学系（２Ａ、２Ｂの一方）で露光し、かつフォトレジスト３２のドライバ領域を分解能の小さい他の投影光学系（２Ａ、２Ｂの他方）で露光することができる。したがって、本実施の形態においても、実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、画素部とドライバ部とを有するシステム液晶の製造に特に有利に適用することができる。

本発明の実施の形態１における露光装置の構成を概略的に示す模式図である。 本発明の実施の形態１における露光装置を用いて製造されるシステム液晶よりなる液晶表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第１工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第２工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第３工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第４工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第５工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第６工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第７工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第８工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第９工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第１０工程を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置を用いて図２に示すシステム液晶を製造する方法の第１１工程を示す概略断面図である。 本発明の実施の形態１におけるシステム液晶の製造方法での露光方法を説明するための概略平面図である。 本発明の実施の形態２における露光装置の構成を概略的に示す模式図である。

符号の説明

１ 照明光学系、１ａ 光源、１ｂ ビームスプリッタ、２Ａ，２Ｂ 投影光学系、３Ａ ハーフミラー、３Ｂ，３Ｃ 反射ミラー、１０ 露光装置、２０Ａ，２０Ｂ フォトマスク、３０ 基板、３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ フォトレジスト、３３ ガラス基板、３４ 半導体層、３５ ゲート絶縁膜、３６ ゲート電極層、３７ａ コンタクトホール、３７ 層間絶縁膜、３８ 配線層、３９ 樹脂平坦化膜、４０ 電極パターン、５０Ａ チップ領域、５１ 画素部形成領域、５１Ａ 画素領域、５２ ドライバ部、５２Ａ ドライバ領域、５３ ソースドライバ部、５４ ゲートドライバ部、５５ 端子部。

Claims (6)

1. フォトマスクのパターンを感光体に露光する露光装置であって、
   光を前記フォトマスクに照射するための照明光学系と、
   前記フォトマスクに照射された光を前記感光体に投影するための投影光学系とを備え、
   １つの前記照明光学系に対して複数の前記投影光学系を有し、複数の前記投影光学系の各々が互いに異なる分解能を有するように構成されている、露光装置。
2. 前記照明光学系は、複数の輝線スペクトルからなる光を発する光源を有する、請求項１に記載の露光装置。
3. 複数の前記投影光学系の各々に異なる波長の光が入射されるように構成されている、請求項１または２に記載の露光装置。
4. 複数の前記投影光学系の各々が互いに異なる開口数ＮＡを有するように構成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の前記露光装置を用いて前記感光体を露光する、露光方法。
6. 請求項１〜４のいずれかに記載の前記露光装置を用いて、画素部とドライバ部とを有する液晶表示装置を製造する方法であって、
   前記露光装置の分解能の大きい一の前記投影光学系を用いて前記画素部のパターン形成のために前記感光体の画素部形成領域に露光を行ない、かつ前記露光装置の分解能の小さい他の前記投影光学系を用いて前記ドライバ部のパターン形成のために前記感光体のドライバ部形成領域に露光を行なう、液晶表示装置の製造方法。

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