JP2009038301A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 投影光学系と物体との間に供給された液体の周囲への飛散を低減する新規な技術を提供すること。
【解決手段】 原版からの光を投影して像面に像を形成する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体と前記投影光学系と該原版とを介して該基板を露光する露光装置を、該間隙より外側に配された第１の電極を有するものとする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、原版からの光を投影して像面に像を形成する投影光学系を有し、該投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置に関する。

レチクル（又はマスク）に形成された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する投影露光装置は従来から使用されており、近年では、高解像度、且つ、高スループットを実現する露光装置が益々要求されている。高解像度の要求に応えるための一手段として液浸露光が注目されている。液浸露光は、投影光学系のウェハ側の媒質を液体にすることによって、投影光学系の開口数（ＮＡ）の増加を更に進めるものである。投影光学系のＮＡは、媒質の屈折率をｎとすると、ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθであるため、空気の屈折率よりも高い屈折率（ｎ＞１）の媒質を満たすことによって、ＮＡを媒質が空気（ｎ≒１）の場合のｎ倍まで大きくすることができる。その結果、プロセス定数ｋ_１と光源の波長λによって表される露光装置の解像度Ｒ（Ｒ＝ｋ_１（λ／ＮＡ））を改善することができる。

液浸露光では、投影光学系とウェハとの間に局所的に液体を充填するローカルフィル方式が提案されている（特許文献１および２）。また、投影光学系とウェハとの間に供給した液体、本文献では特に反磁性である水に、コイルを用いて磁場を印加することで、液体が投影光学系とウェハの間から飛び出すのを抑制する方式が提案されている（特許文献３）。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレット 国際公開第２００４−０９３１５９号パンフレット

しかしながら、特許文献３に開示された方法では、水に現れる磁性が非常に弱いため、ウェハ（ウェハステージ）を４００ｍｍ／ｓ以上の高速で動作させた場合に、投影光学系とウェハとの間から飛び出してくる液体を制止するのに十分な効果を得ることが難しい。よって、充填された液体が周囲に飛散してしまう。飛散した液滴は、乾燥してウェハ上の不純物の原因、延いてはウェハ上のパターン欠陥の原因となり得る。また、液滴が基板外や計測部にまで飛散することで、計測精度の劣化や機器の不具合を引き起こす可能性もある。

本発明は、以上の背景を考慮してなされたもので、投影光学系と物体との間隙に供給された液体の周囲への飛散を低減する新規な技術を提供することを例示的目的とする。

本発明の第１の側面に係る露光装置は、原版からの光を投影して像面に像を形成する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体と前記投影光学系と該原版とを介して該基板を露光する露光装置であって、
該間隙より外側に配された第１の電極、
を有することを特徴とする露光装置である。

また、本発明の第２の側面に係るデバイス製造方法は、上記の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップにおいて露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法である。

本発明によれば、例えば、投影光学系と物体との間隙に供給された液体の周囲への飛散を低減することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置１の実施形態について説明する。

［実施形態１］
ここで、図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略ブロック図である。露光装置１は、レチクル（原版ともいう）からの光を投影して像面ＩＰに像を形成する投影光学系３０を有する。露光装置１は、レチクル２０と、投影光学系３０と、投影光学系３０のウェハ（基板ともいう）４０側にある最終面（最終レンズ）とウェハ４０との間に満たされた液体ＬＷを介して、ウェハ４０を露光する液浸露光装置である。露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるが、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式を適用することもできる。

露光装置１は、照明装置１０と、レチクルステージ２５と、投影光学系３０と、ウェハステージ４５と、測距装置５と、ステージ制御部６０と、液体供給回収機構７０と、液浸制御部８０と、気体供給回収機構７０と、ノズルユニット１００（ノズル部材ともいう）とを有する。

照明装置１０は、転写用のパターン（回路パターン）が形成されたレチクル２０を照明し、光源部１２と、照明光学系１４とを有する。

光源部１２は、本実施形態では、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを光源として使用する。但し、光源部１２は、ＡｒＦエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ_２レーザーを光源として使用してもよい。

照明光学系１４は、レチクル２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、絞り等を含む。

レチクル２０は、レチクルステージ２５に支持及び駆動される。レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターンが形成されている。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０により、ウェハ４０上に投影される。レチクル２０とウェハ４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式であるため、レチクル２０とウェハ４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル２０のパターンをウェハ４０上に転写する。

レチクルステージ２５は、定盤２７により支持される。レチクルステージ２５は、レチクル２０を載置（保持）し、図示しない移動機構及びステージ制御部６０によって移動を制御される。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、走査方向（本実施形態では、Ｘ軸方向）にレチクルステージ２５を駆動することで、レチクル２０を移動させることができる。

投影光学系３０は、レチクル２０のパターンをウェハ４０に投影する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子のみからなる屈折光学系、複数のレンズ素子と少なくとも１枚の凹面鏡とを有する反射屈折光学系等を使用することができる。

ウェハ４０は、ウェハステージ４５により支持及び駆動される。ウェハ４０は、被処理体の一例であり、かかる被処理体は、ガラスプレート、その他の被処理体を広く含む。ウェハ４０の最表面４１には、フォトレジスト、あるいはトップコートが塗布されている。

ウェハステージ４５は、定盤４７により支持され、ウェハ４０を載置（保持）する。ウェハステージ４５は、投影光学系の光軸に平行なｚ軸、ならびにｚ軸にそれぞれ直交するとともに互いに直交するｘ軸およびｙ軸に関し、各軸に沿った並進運動および各軸を回転軸とした回転運動が可能に構成されている。各運動は、ステージ制御部６０によって制御される。

ウェハステージ４５には、天板４６が設けられている。天板４６は、ウェハステージ４５に載置されたウェハ４０の表面と天板４６の表面とが実質的に同一の平面内にあるように、構成されている。また、天板４６は、エッジショットを液浸露光する際に、ウェハ４０の外側の領域に液膜を形成する（即ち、液体ＬＷを保持する）ことを可能にする。

測距装置５は、参照ミラー５２及び５４、並びにレーザー干渉計５６及び５８を用いて、レチクルステージ２５及びウェハステージ４５の２次元的な位置をリアルタイムに測定する。測距装置５は、測距結果をステージ制御部６０に伝達する。

ステージ制御部６０は、レチクルステージ２５及びウェハステージ４５の駆動を制御する。ステージ制御部６０は、測距装置５の測距結果に基づいて、位置決めや同期制御のために、レチクルステージ２５及びウェハステージ４５を一定の速度比率で駆動する。また、ステージ制御部６０は、例えば、露光時において、ウェハ４０の表面が投影光学系３０の焦点面（結像面）に高精度に合致するように、ウェハステージ４５を制御する。

液体供給回収機構７０は、液体供給配管７２を介して投影光学系３０とウェハ４０との間に液体ＬＷを供給し、液体回収配管７４を介して投影光学系３０とウェハ４０との間に供給した液体ＬＷを回収する。液体ＬＷは、露光光の吸収が少ない液体から選択され、更に、石英や蛍石などから製造される屈折系光学素子と同程度の屈折率を有することが好ましい。液体ＬＷは、例えば、純水、機能水、フッ化液（例えば、フルオロカーボン）などを使用する。

液体ＬＷは、予め、図示しない脱気装置を用いて、十分に溶存ガスを取り除いておくことが好ましい。これにより、気泡の発生を抑制し、また、気泡が発生しても即座に液体中に吸収できるからである。例えば、空気中に多く含まれる窒素及び酸素を対象とし、液体ＬＷに溶存可能なガス量の８０％以上を除去すれば、十分に気泡の発生を抑制することができる。図示しない脱気装置を液体供給回収機構７０に備えて、常に溶存ガスを取り除きながら液体ＬＷを供給してもよい。脱気装置としては、例えば、ガス透過性の膜を隔てて、一方に液体ＬＷを流し、他方を真空にして液体中の溶存ガスをその膜を介して真空中に追い出す真空脱気装置が好適である。また、液体供給回収機構７０は、一般的に、液体ＬＷを貯蔵するタンク、液体ＬＷを精製する精製装置、液体ＬＷを送り出す圧送装置、液体ＬＷの流量や温度などを制御する制御装置、液体ＬＷを吸い取る吸引装置などを備えている。

液体供給配管７２は、図２に示すように、投影光学系３０の最終面（最終レンズ）の周囲に配置され、ノズルユニット１００ａに形成された液体供給口１０１に接続する。これにより、液体供給配管７２は、投影光学系３０とウェハ４０との間に液体ＬＷを供給し、液体ＬＷの液膜を形成する。なお、投影光学系３０とウェハ４０との間隔は、液体ＬＷの液膜を安定して形成できる程度であることが好ましく、例えば、１．０ｍｍとするとよい。なお、図２は、投影光学系の光軸ＯＡを含む平面における断面図である。

液体供給配管７２は、液体ＬＷを汚染しないように、溶出物質が少ないテフロン（登録商標）樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂などで構成されることが好ましい。なお、液体ＬＷとして純水以外の液体を用いる場合、液体供給配管７２は、液体ＬＷに対して耐性を有し、且つ、溶出物質が少ない材料で構成される。

液体回収配管７４は、液体供給配管７２の周囲に配置され、ノズルユニット１００ａに形成された液体回収口１０２に接続する。液体回収配管７４は、液体供給配管７２と同様に、液体ＬＷを汚染しないように、液体ＬＷに耐性を有し、且つ、溶出物質が少ない材料で構成されることが好ましい。

液浸制御部８０は、ウェハステージ４５の現在位置、速度、加速度、目標位置及び移動方向などの情報をステージ制御部６０から取得し、かかる情報に基づいて、液体供給回収機構７０を制御する。具体的には、液浸制御部８０は、液体ＬＷの供給及び回収の切り替え、停止、液体ＬＷの供給量及び回収量（流量）を制御する。

電極９５（第１の電極ともいう）は、液体ＬＷを保持している領域より外側にあって、かつウェハ４０に対向する面内に設置される。電極９５には、電源９０によりウェハ最表面４１の帯電極性と逆極性、あるいは液体ＬＷと千切れ出た液滴５０の帯電極性と同極性になるよう電圧を印加する。接触・流動帯電現象により帯電した液体ＬＷと液滴５０は、電極９５とウェハ最表面４１との間に発生した電界により、投影光学系３０のある内側へと押し戻される。換言すれば、電極９５は、電界による障壁を形成することで、投影光学系と物体（ウェハ４０および／または天板４６）との間に供給された液体ＬＷの周囲への飛散を低減する役目を果たしている。

図２および図３を用いて、本実施形態における電極９５の効果を示す。導電率の低い純水が、接触角７０°以上の固体、例えばフッ素材料と接触すると、その界面において、固体表面に純水中のＯＨ⁻イオンが選択的に吸着し、Ｈ^＋イオンが純水中に拡散する（参照文献： 新版静電気ハンドブック 静電気学会編）。そして、純水が移動して固体から離れていくことで、ＯＨ⁻イオンは固体表面に取り残され、純水はＨ^＋が過剰になり正に帯電、固体は負に帯電する。この状態で、極性が正である電極９５が液体ＬＷの外周に存在すると、電極９５とウェハ最表面４１との間に電界が生じ、液体ＬＷおよび液滴５０に電極９５よりも内側へ向かう力が作用する。その結果、帯電した液体ＬＷおよび液滴５０が電極９５外へ漏れ出す量は減少する。

ところで、上記の例ではウェハ最表面４１をフッ素材料としたため電極９５の極性を正にしたが、ウェハ最表面４１の材質によっては帯電符号がフッ素材料の場合とは逆の場合もある。そのため、電極の極性は、ウェハ最表面４１の帯電符号に応じて選択することになる。

以下、図２に示すノズルユニット１００ａおよび電極９５の実施例について説明する。

投影光学系３０を同心円状に囲むように配置されたノズルユニット１００ａは、液体を供給するための第１の供給口１０１と、液体を回収するための第１の回収口１０２とを有する。同様に投影光学系３０を同心円状に囲み、かつノズルユニット１００ａよりも外側に電極９５を配置する。電極９５の最内周と液体ＬＷ（ウェハ４０が静止している時）の最外周の距離を２０ｍｍ、電極の電位は＋１００Ｖとした。また、電極９５とウェハ最表面４１の距離は、なるべく近づけた方が好ましく、今回は１ｍｍとした。ウェハ最表面４１には静的接触角が７５°のトップコートを塗布してある。

ここで、ウェハ４０を露光するための手順に関して述べる。投影光学系３０の下にウェハ４０もしくは天板４６が存在しない場合、投影光学系３０の下の空間は気体で満たされている。そして、投影光学系３０の下にウェハ４０もしくは天板４６が存在する状態で、第１の供給口１０１より液体ＬＷ（例えば純水）の供給を開始する。この際、第１の回収口１０２からの液体の回収を開始することで、投影光学系３０と、液体回収口１０２と、ウェハ４０とで囲まれた領域内に液体ＬＷを保持する。ここでは、液体ＬＷに純水を用いる。

露光動作に入る際には、電極９５に所望の電圧を印加する。

従来、露光時等、ウェハ４０を高速で、例えば６００ｍｍ／ｓで、移動させると、液体ＬＷがウェハ４０の表面に引きずられてノズルユニット１００ａ下より漏れ出してきた。しかし、本実施形態によれば、先に説明したように、ウェハ４０と一緒に移動してくる液体ＬＷおよび液滴５０は、電気力（クーロン力）で押し戻されるので、外部に漏れ出す量が激減する。

本実施形態では、電極９５を、投影光学系３０を同心円状に囲むようにしたが、その形状は円に限らず、多角形、その他の形状であってもよい。さらに、電極９５の極性は、前述したように、ウェハ最表面４１の帯電符号に応じて選択することになるため、本実施例のようにプラスに限られるものではなく、マイナスにする場合もある。印加する電圧についても効果の程度に応じて、高低を調整する必要が出てくるため、本実施例の値に限られるわけではない。

［実施形態２］
以下、図４および図５を参照して、本発明の別の実施形態における電極９５、９６の構成および効果について説明する。図４および図５は、光軸ＯＡを含む平面による断面図である。実施形態１との相違点は、それぞれ逆の極性を有した電極が２つ配置されているところにある。

水は、直近に帯電した物質が存在すると、誘導電荷が発生し、その表面には帯電物質とは逆の電荷が現れる。この現象を利用して、ウェハ４０の駆動により飛び出してきた液体ＬＷの近傍に電極９６（第２の電極ともいう）を設置することで、液体ＬＷの先端部には電極９６とは逆の極性をもった誘導電荷を発生させることができる。そして、ウェハ４０の更なる移動に伴って液体ＬＷから液滴５０が千切れ出ると、誘電電荷が過剰な液滴５０が生じる。帯電した液滴５０がウェハ４０と一緒に進む先に、誘導電荷と同じ極性を有した、つまり電極９６とは逆（反対）の極性をもった電極９５（第１の電極）が存在すると、液滴５０には電極９５よりも内側へ向かう力が作用する。その結果、帯電した液滴５０が電極９５外へ漏れ出す量は減少する。ここで、ウェハ４０の表面と平行な方向に静電場が生じるように電極９５と電極９６とが配されている。

以下、図４に示すノズルユニット１００ａおよび電極９５、９６の実施例について説明する。

投影光学系３０を同心円状に囲むように配置されたノズルユニット１００ａは、液体を供給するための第１の供給口１０１と、液体を回収するための第１の回収口１０２とを有する。同様に投影光学系３０を同心円状に囲み、かつノズルユニット１００ａよりも外側に電極９６を、その更に外側に電極９５を配置する。電極９６の最内周と液体ＬＷの最外周の距離を２０ｍｍ、電極９６の最外周と電極９５の最内周の距離を２０ｍｍ、電極９６と電極９５の電位をそれぞれ−１００Ｖ、＋１００Ｖ、電極９５、９６とウェハ最表面４１の距離を１ｍｍとした。

ウェハ４０を露光するための手順は実施形態１と同様である。

本実施形態では、電極９６をマイナス、電極９５をプラスにしたが、その逆であってもよい。また、印加する電圧についても、効果の程度に応じて、高低を調整する必要が出てくるので、本実施例の値に限られるわけではない。更に、ウェハ最表面４１から電極９５または９６までの距離を本実施例では同じにしているが、互いに異なっていてもよい。

〔デバイス製造方法〕
次に、図６及び図７を参照して、露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスク（原版またはレチクルともいう）を製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

図７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１を用いてマスクの回路パターンを介しウェハを露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で次のような種々の変形及び変更が可能である。（１）第１の回収口１０２の外周に、液体ＬＷの保持能力を高めるため、液体を回収するための第２の回収口を更に追加した構造にしてもよい。（２）液体の飛散防止機能を補完するために、電極９５の外側、あるいは電極９５の内側にエアカーテンを設けた構造にしてもよい。

以上説明したような実施形態によれば、例えば、ウェハ４０の高速移動によって飛び出してきた液体ＬＷおよび液滴５０を電気力により、内側へと押し戻すことができる。これにより、飛散した液体に起因したウェハ４０上の欠陥および計測精度の劣化や機器の不具合を抑える、または低減させることができる。

以下に、以上説明した本発明に係る実施形態における代表的な実施態様をまとめて列記する。

〔実施態様１〕
原版からの光を投影して像面に像を形成する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体と前記投影光学系と該原版とを介して該基板を露光する露光装置であって、
該間隙より外側に配された第１の電極、
を有することを特徴とする露光装置。

〔実施態様２〕
前記第１の電極は、該基板に対向するように配されている、
ことを特徴とする実施態様１に記載の露光装置。

〔実施態様３〕
該間隙に該液体を満たすためのノズル部材を有し、
前記第１の電極は、前記ノズル部材の外側に配されている、
ことを特徴とする実施態様１または２に記載の露光装置。

〔実施態様４〕
前記第１の電極は、前記ノズル部材の周囲に配されている、
ことを特徴とする実施態様３に記載の露光装置。

〔実施態様５〕
前記第１の電極より該間隙に近い第２の電極を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、極性が異なる、
ことを特徴とする実施態様１乃至４のいずれかに記載の露光装置。

〔実施態様６〕
該基板の表面と平行な方向に静電場が生じるように前記第１の電極と前記第２の電極とが配されている、
ことを特徴とする実施態様５に記載の露光装置。

〔実施態様７〕
該液体は、純水である、
ことを特徴とする実施態様１乃至６のいずれかに記載の露光装置。

〔実施態様８〕
前記第１の電極の極性を、該基板の表面が該液体と接触して帯電した場合の極性とは反対の極性にする、
ことを特徴とする実施態様１乃至７のいずれかに記載の露光装置。

〔実施態様９〕
前記第１の電極の極性を、正の極性にする、
ことを特徴とする実施態様１乃至８のいずれかに記載の露光装置。

〔実施態様１０〕
実施態様１乃至９のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップにおいて露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。

露光装置の構成を示す概略ブロック図である。 実施形態１に係る、図１における要部の拡大断面図である。 図２における要部の拡大断面図である。 図２の構成に対する変形例を示す断面図である。 実施形態２に係る、図１における要部の拡大断面図である。 デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図６におけるステップ４（ウェハプロセス）を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１ 露光装置
３０ 投影光学系
７０ 液体供給回収機構
１０１ 液体供給口
１０２ 液体回収口
５０ 液滴
９０、９１ 電源
９５、９６ 電極

Claims (10)

1. 原版からの光を投影して像面に像を形成する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体と前記投影光学系と該原版とを介して該基板を露光する露光装置であって、
   該間隙より外側に配された第１の電極、
   を有することを特徴とする露光装置。
2. 前記第１の電極は、該基板に対向するように配されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 該間隙に該液体を満たすためのノズル部材を有し、
   前記第１の電極は、前記ノズル部材の外側に配されている、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
4. 前記第１の電極は、前記ノズル部材の周囲に配されている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記第１の電極より該間隙に近い第２の電極を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは、極性が異なる、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置。
6. 該基板の表面と平行な方向に静電場が生じるように前記第１の電極と前記第２の電極とが配されている、
   ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
7. 該液体は、純水である、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置。
8. 前記第１の電極の極性を、該基板の表面が該液体と接触して帯電した場合の極性とは反対の極性にする、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の露光装置。
9. 前記第１の電極の極性を、正の極性にする、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の露光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    前記ステップにおいて露光された基板を現像するステップと、
    を有することを特徴とするデバイス製造方法。

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