JP2012526368A - 浸液蒸発作用の低い光学結像 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
以下において、本発明による光学構成体の好適な実施形態を備える本発明による光学結像装置の好適な第1実施形態を、図1〜図3を参照して説明する。
以下において、本発明による光学構成体210の好適な第2実施形態を、図1、図3、及び図4を参照して説明する。光学構成体210は、図1のマイクロリソグラフィ装置101における光学構成体110の代わりとすることができる。光学構成体210は、その基本的な設計及び機能性が光学構成体110と概ね対応するため、相違点のみに主に言及する。特に、同様のコンポーネントには、100を足して同じ参照符号を付けてある。こうしたコンポーネントの特性に関して以下で別段の記載のない場合、上述の説明を参照されたい。
Claims (28)
- 光学結像プロセスで使用するための光学構成体であって、
光学素子と、
液浸区域と、
撥液装置と、
を備え、前記液浸区域は、前記光学結像プロセス中に前記光学素子に隣接して位置して浸液を充填されており、
前記光学素子は、第1表面領域及び第2表面領域を有し、
前記第1表面領域は、前記光学結像プロセス中に前記浸液で濡れており、
前記撥液装置は、前記光学結像プロセス中に少なくとも一時的に前記第2表面領域で電場を発生させ、
前記電場は、前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触しており前記電場に反応する部分に対して反発力を引き起こすようになっており、
前記反発力は、前記浸液の前記部分を前記第2表面領域から取り払う方向を有する、光学構成体。 - 請求項1に記載の光学構成体において、前記電場は静電場である、光学構成体。
- 請求項1又は2に記載の光学構成体において、
前記撥液装置は、少なくとも1つの導電素子を備え、
該少なくとも1つの導電素子を、前記光学素子に隣接して位置付けた、光学構成体。 - 請求項3に記載の光学構成体において、前記少なくとも1つの導電素子を、前記光学素子に機械的に接続するか、又は該光学素子以外のさらに別のコンポーネントに機械的に接続した、光学構成体。
- 請求項4に記載の光学構成体において、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記第1表面領域に位置付け、
前記電場を、前記反発力が前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分と前記少なくとも1つの導電素子との間で引力として作用するよう構成した、光学構成体。 - 請求項5に記載の光学構成体において、
前記少なくとも1つの導電素子は、第3表面領域を有し、
該第3表面領域は、前記結像プロセス中に前記浸液に面し、
少なくとも1つのカバー素子が、少なくとも前記第3表面領域を覆い、
前記少なくとも1つのカバー素子は、電気絶縁性及び親水性の少なくとも一方である、光学構成体。 - 請求項6に記載の光学構成体において、前記少なくとも1つのカバー素子は、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)からなる材料群から選択される少なくとも1つの材料を含む、光学構成体。
- 請求項4〜7のいずれか1項に記載の光学構成体において、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記第2表面領域の領域に位置付け、
前記電場を、前記反発力が前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分と前記少なくとも1つの導電素子との間で斥力として作用するよう構成した、光学構成体。 - 請求項8に記載の光学構成体において、
前記少なくとも1つの導電素子は、第3表面領域を有し、
該第3表面領域は、前記結像プロセス中に前記浸液に面し、
少なくとも1つのカバー素子が、少なくとも前記第3表面領域を覆い、
前記少なくとも1つのカバー素子は、電気絶縁性及び疎水性の少なくとも一方である、光学構成体。 - 請求項3〜9のいずれか1項に記載の光学構成体において、前記少なくとも1つの導電素子は、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、ハフニウム(Hf)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)からなる材料群から選択される少なくとも1つの材料を含む、光学構成体。
- 請求項3〜10のいずれか1項に記載の光学構成体において、
前記撥液装置は、少なくとも1つの電場発生装置を含み、
該電場発生装置を、前記少なくとも1つの導電素子に少なくとも一時的に電気的に接触させる、光学構成体。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の光学構成体において、
前記電場は、第1電場であり、
前記撥液装置は、少なくとも1つの電場発生装置を含み、
該電場発生装置は、前記光学結像プロセス中に少なくとも一時的に第2電場を発生させ、
該第2電場は、前記第1電場に対する前記浸液の反応性を少なくとも高めるために、第1作用及び第2作用の少なくとも一方を提供し、
前記第1作用は、少なくとも前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分の電気分極であり、
前記第2作用は、少なくとも前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分の帯電である、光学構成体。 - 光学結像プロセスで使用するための光学素子であって、
光学素子本体と、
第1表面領域と、
第2表面領域と、
を備え、
前記第1表面領域は、前記光学結像プロセス中に電場に反応する浸液で濡れるようになっており、
少なくとも1つの導電素子を、前記第1表面領域及び前記第2表面領域の少なくとも一方の領域で前記光学素子本体に機械的に接続し、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記電場の発生に関与するよう構成する、光学素子。 - 請求項13に記載の光学素子において、前記少なくとも1つの導電素子を帯電させて前記電場として静電場を発生させる、光学素子。
- 請求項13又は14に記載の光学素子において、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記第1表面領域の領域に位置付け、
前記電場を、前記反発力が前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分と前記少なくとも1つの導電素子との間で引力として作用するよう構成した、光学素子。 - 請求項15に記載の光学素子において、
前記少なくとも1つの導電素子は、第3表面領域を有し、
該第3表面領域は、前記結像プロセス中に前記浸液に面し、
少なくとも1つのカバー素子が、少なくとも前記第3表面領域を覆い、
前記少なくとも1つのカバー素子は、電気絶縁性及び親水性の少なくとも一方である、光学素子。 - 請求項16に記載の光学素子において、前記少なくとも1つのカバー素子は、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)からなる材料群から選択される少なくとも1つの材料を含む、光学素子。
- 請求項13〜17のいずれか1項に記載の光学素子において、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記第2表面領域の領域に位置付け、
前記電場を、前記反発力が前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分と前記少なくとも1つの導電素子との間で斥力として作用するよう構成した、光学素子。 - 請求項18に記載の光学素子において、
前記少なくとも1つの導電素子は、第3表面領域を有し、
該第3表面領域は、前記結像プロセス中に前記浸液に面し、
少なくとも1つのカバー素子が、少なくとも前記第3表面領域を覆い、
前記少なくとも1つのカバー素子は、電気絶縁性及び疎水性の一方である、光学素子。 - 請求項13〜19のいずれか1項に記載の光学素子において、前記少なくとも1つの導電素子は、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、ハフニウム(Hf)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)からなる材料群から選択される少なくとも1つの材料を含む、光学素子。
- 特にマイクロリソグラフィ用の光学結像装置であって、
照明装置と、
投影パターンを備えるマスクを収容するマスク装置と、
光学素子群を備える光学投影装置と、
基板を収容する基板装置と、
を備え、前記照明装置は、前記投影パターンを照明し、
前記光学素子群は、前記投影パターンを前記基板に投影し、
前記光学投影装置は、請求項1〜12のいずれか1項に記載の光学構成体をさらに備える、光学結像装置。 - 光学結像プロセス中の光学素子の表面における液体蒸発作用を低減する方法であって、
前記光学素子及び浸液を設けることを含み、
前記光学素子は、第1表面領域及び第2表面領域を有し、
前記第1表面領域は、前記光学結像プロセス中に前記浸液で濡れており、
前記光学結像プロセス中に少なくとも一時的に、前記第2表面領域で電場を発生させ、
前記電場は、前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触しており前記電場に反応する部分に対して反発力を引き起こすようになっており、
前記反発力は、前記浸液の前記部分を前記第2表面領域から取り払う方向を有する、方法。 - 請求項22に記載の方法において、前記電場は静電場である、方法。
- 請求項22又は23に記載の方法において、
前記電場を、少なくとも1つの導電素子を使用して発生させ、
該少なくとも1つの導電素子を、前記光学素子に隣接して位置付ける、方法。 - 請求項24に記載の方法において、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記第1表面領域の領域に位置付け、
前記電場を、前記反発力が前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分と前記少なくとも1つの導電素子との間で引力として作用するよう発生させる、方法。 - 請求項24又は25に記載の方法において、
前記少なくとも1つの導電素子を、前記第2表面領域の領域に位置付け、
前記電場を、前記反発力が前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分と前記少なくとも1つの導電素子との間で引力として作用するよう発生させる、方法。 - 請求項24〜26のいずれか1項に記載の方法において、少なくとも一時的に、前記少なくとも1つの導電素子を電気的に接触させて前記電場を発生させる、方法。
- 請求項22〜27のいずれか1項に記載の方法において、
前記電場は第1電場であり、
前記光学結像プロセス中に少なくとも一時的に、第2電場を発生させ、
該第2電場は、前記第1電場に対する前記浸液の反応性を少なくとも高めるために、第1作用及び第2作用の少なくとも一方を提供し、
前記第1作用は、少なくとも前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分の電気分極であり、
前記第2作用は、少なくとも前記浸液のうち前記第2表面領域に偶発的に接触した前記部分の帯電である、方法。
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