JP4922322B2 - コーティング - Google Patents

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Description

[0001] 本発明はコーティングに関する。本発明の一態様は、例えばリソグラフィ装置などの放射源を有する装置内でのコーティングの使用に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニング構造を使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニング構造から基板へとパターンを転写することが可能である。
[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。液体は蒸留水（超純水）でよいが、屈折率が高い別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、例えば実質的に非圧縮性流体及び／又はウェッティング流体などの液体について説明されている。しかし、別の流体、特にハイドロフルオロカーボンなどの炭化水素のように、屈折率が空気より高い流体が適切なことがある。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えばクォーツ）が懸濁している水などの、他の液浸液も提案されている。
[0004] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムが液体封じ込めシステムを使用して、基板の局所区域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれるＰＣＴ出願公開公報ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、この例に限る必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
[0005] 局所液体供給システムがあるさらなる液浸リソグラフィ装置が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去されて、投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは使われていない）。
[0006] 液浸システムは流体ハンドリングシステム又は装置でよい。実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給し、したがって流体供給システムでよい。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体を封じ込め、したがって流体封じ込めシステムでよい。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体にバリアを提供し、したがってバリア部材でよい。実施形態では、流体ハンドリングシステムは例えば気体の流れを生成するか、使用し、液浸流体の取扱いに役立つことができる。実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムでよい。
[0007] 提案されている解決法では、流体ハンドリングシステムにはバリア部材が設けられ、これは投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在することができる。バリア部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止していてよいが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。バリア部材と基板の表面との間にシールを形成することができる。実施形態では、シールはガスシールなどの非接触シールである。ガスシールがあるこのようなシステムが、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
[0008] それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行する。液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、露光位置と測定位置の間で動作可能な１つのテーブルのみを有してよい。
[0009] リソグラフィ装置の様々な部品は、例えば部品を保護するか、部品に例えば疎液性又は親液性などの特定の機能を提供するために、コーティングを備えてよい。しかし、機能は、例えば水などの液浸液が存在する状態で、コーティングが例えば紫外線（ＵＶ）放射などの放射に露光することにより、経時的に低下することがある（例えば放射がコーティングを劣化させることがある）。
[0010] 実施形態では、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングが提供される。
[0011] 実施形態では、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングを有する部品を備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0012] 実施形態では、放射源（例えばＵＶ源）を備え、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティング付きの部品を有する装置が提供される。
[0013] 実施形態では、リソグラフィ装置の表面の少なくとも部分を深紫外線（ＤＵＶ）放射の効果から保護するために、本発明の実施形態のコーティングを使用することが提供される。
[0014] 実施形態では、ＵＶ放射源を備え、元素Ｓｉ、Ｏ及びＦを含むコーティングを有する部品を備える装置が提供される。
[0015] 実施形態では、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含むコーティングを有する部品の表面の少なくとも部分を備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0016] 実施形態では、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択された物品が提供され、物品の表面の少なくとも一部は、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングで被覆される。
[0017] 実施形態では、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択された物品が提供され、物品の表面の少なくとも一部は、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含むコーティングで被覆される。
[0018] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
[0019]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。 [0021]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示した図である。 [0022]本発明の実施形態による液体供給システムを示した断面図である。 [0023]本発明の実施形態による液浸システムの基板ホルダを示した略平面図である。 [0024]本発明の実施形態による液浸システムを示した略断面図である。 [0025]ＤＵＶ放射に曝したＳｉＯｘＣｙＦｚ、ＳｉＯｘＣｙＨｚ及びテフロン（登録商標）ＡＦ被覆のサンプルによって示された後退接触角の変化を示したグラフである。 [0026]６０Ｊ／ｃｍ2のＤＵＶ放射に曝したＳｉＯｘＣｙＦｚ及びＳｉＯｘＣｙＨｚ被覆のサンプルによって示された後退接触角の経時回復を示した図である。 [0027]様々なＤＵＶドーズ量に曝した場合にＳｉＯｘＣｙＨｚによって示された静止接触角の変化を示し、例えば１．２から７７Ｊ／ｃｍ2／パルスの範囲から選択した個々のドーズ量で露光し、次に少なくとも１分間乾燥させ、サンプルが必要な合計ドーズ量に露光するまでこのサイクルを繰り返したサンプルで観察された変化を示す図である。 [0027]様々なＤＵＶドーズ量に曝した場合にＳｉＯｘＣｙＨｚによって示された静止接触角の変化を示し、ドーズ量が１．２Ｊ／ｃｍ2／パルスの場合に観察される変化を示す拡大図である。
[0028] 図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニング構造（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニング構造を正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニング構造ＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
[0029] 照明システムは、放射の誘導、成形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0030] 支持構造は、パターニング構造の方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニング構造が真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニング構造を保持する。この支持構造は、パターニング構造を保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニング構造が例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニング構造」と同義と見なすことができる。
[0031] 本明細書において使用する「パターニング構造」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
[0032] パターニング構造は透過性又は反射性でよい。パターニング構造の例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0033] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
[0034] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
[0035] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0036] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0037] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0038] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニング構造（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニング構造によってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニング構造ＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニング構造ＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニング構造ＭＡ及び基板Ｗは、パターニング構造アラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニング構造ＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニング構造アラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0039] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0040] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0041] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
[0042] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニング構造を保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニング構造を必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニング構造を使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0043] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0044] 図５は、図１にＩＨと図示された本発明の実施形態による液体供給システムを断面図で示す。液体供給システムは、投影システムＰＬと基板Ｗの間の空間を少なくとも部分的に、又は完全に囲み、投影システムＰＬ及び基板Ｗ（及び／又は基板テーブルＷＴ）とともに液体１１のリザーバを規定するバリア表面を有するバリア部材１０を備える。この方法で、液体１１をその空間に提供することができ、したがって投影システムＰＬを通して基板Ｗに投影されるパターン付き放射ビームが、液体１１を通過する。
[0045] 実施形態では、バリア部材１０と基板Ｗ（又は基板Ｗの縁部を結像している場合は基板テーブルＷＴ）との間に非接触シールを形成することができる。図示の実施形態では、非接触シールは液体除去デバイス３０、液体除去デバイスの半径方向外側にあり、半径方向内側の上面にガス入口４２、及び半径方向外側の表面にガス出口を有する窪み４０を備える。任意選択のガスナイフ５０を、窪み４０の半径方向外側に設けることができる。バリア部材１０の底面にあるこれら３つの品目の配置構成は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００６−０１５８６２７号に詳細に説明されている。液体除去デバイス３０の詳細は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号に開示されている。非接触シール及びガスナイフの代わりに、又はそれに加えて、バリア部材は一連のガスドラグ口を有してよい。
[0046] 図５で（例示により）表した実施形態で示すように、液体はバリア部材１０によって高圧でチャンバ２０に提供することができる。液体は、１つ又は複数の入口２８を通って実質的に水平の方向で（つまり矢印２９で示すように、基板Ｗの上面に実質的に平行に）投影システムＰＬと基板Ｗの間の空間に入る。液体はまた、矢印２５で示すように、液体の流れを投影システムＰＬから離れる方向で垂直下方向に（基板Ｗに向かって）誘導する１つ又は複数の入口２４を通して、チャンバ２０を出る。この液体の流れは、特にバリア部材１０の下で基板Ｗをスキャンしている間に、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間に通常存在するギャップ２６を充填し、さらにバリア部材１０の下のメニスカスを液体除去デバイス３０の内側より半径方向外側に維持するように意図される。入口２４から出る液体の流れでこのギャップ２６を充填すると、そのギャップ内での気泡の発生を減少させることができる。
[0047] 実施形態では、入口２４は投影システムＰＬの像フィールドの周囲に円形（又は他の形状）に配置された一連の個別の穴を備える。この入口及びこれらの穴の目的は、基板Ｗの縁部を結像している場合、又はスキャン速度が特定の大きさを超える場合に、バリア部材１０と基板Ｗの間のメニスカスが、投影システムＰＬと基板Ｗの間の空間に引き込まれるのを防止することである。基板Ｗが投影システムＰＬに対して相対運動している間に、メニスカスの外側からの気体（例えば空気）が投影システムの下に閉じ込められる場合、これは結像品質に悪影響を及ぼすことがある。しかし、一連の個別の穴があると、気体が穴の間に捕捉され、それによって基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップに蓄積することがある。次に、このような気泡は基板Ｗと投影システムＰＬの間の液体１１に入ることがある。この理由から、１つ又は複数の出口２７が入口２４の隣にも設けられ、気体と液体の混合物が出口２７を通して抽出され、したがってギャップ２６に捕捉された気体があれば、全て逃げることができ、液体が気泡を一切捕捉せずにギャップ２６の穴を充填することができる。出口２７は、出口２７での圧力変動を減少させるために、チャンバ２０などのチャンバ（図示せず）に接続することができる。出口２７は、投影システムＰＬの像フィールドの周囲に円形（又は他の形状）に配置された一連の個別の穴を備えることができる。実施形態では、穴の外周を形成する入口２４及び穴の内周を形成する出口２７が設けられ、したがってギャップ２６が入口２４及び出口２７の下を通過する場合、最初にギャップ２６が入口２４によって充填され、次に気泡が出口２７によって抽出される。しかし、この機能が達成される限り、入口２４と出口２７の正確な配置は他の方法でもよい。出口の穴２７は、投影システムの下で溶解したレジストによって汚染された可能性がある液体を抽出するためにも使用することができる。このように抽出すると、メニスカス付近（液体除去デバイス３０付近）の液体の汚染が減少する。これで、スキャン中に基板Ｗ上に残された液体の汚染も減少させることができ、したがって液体除去後の乾燥汚れのような、基板上に残る粒子の量も減少させることができる。
[0048] バリア部材１０は一般的に、投影システムＰＬの外形に一致するように成形することができ、したがって投影システムＰＬとバリア部材１０の間に一定のギャップが存在する。投影システムＰＬとバリア部材１０との独立した相対運動が可能であるために、ギャップが存在する。
[0049] 実施形態では、リザーバの容積の変動及びリザーバからの液体供給／抽出の変動に対応するために、措置を執る。通常の状態では、液体１１の上面が、投影システム及びバリア部材１０に対して実質的に静止したメニスカス１１０を有する。バリア部材１０の上面９０は、平坦である水平表面であり、液体は緊急事態に上面９０にしか存在することができない。緊急事態に対応するために、上面９０に出口８０を設ける。メニスカス１１０が上面９０上にあると、これは容易に前進することができ、バリア部材１０が溢れる可能性がある。その防止に役立てるために、バリア部材１０の上面９０でバリア部材の最も内側の縁部に突起１００を設けることができる。突起１００は、バリア部材１０の周囲に延在し、したがってリング又は他の囲み形状を形成することができる。突起１００は、突起１００を囲むバリア部材１０の部分と投影システムＰＬとの間より、投影システムＰＬの表面に、特に投影システムＰＬの水平表面２００に近くてよい。
[0050] 実施形態では、突起１００と投影システムＰＬの間の距離と、バリア部材１０と投影システムＰＬの間の距離には階段状変化がある。この階段状変化は、図５の突起１００の左手側に見ることができる。実施形態では、この階段状変化は突起１００の半径方向外側にあるが、追加的又は任意選択で図５の場合のように突起１００の半径方向内側に存在してもよい。この幾何学的形状は、液体１１の頂部のメニスカス１１０が突起１００を通過するために、メニスカス１１０を長くする必要があるという意味であり、これは多大なエネルギを必要とする。
[0051] 実施形態では、突起１００と投影システムＰＬの突起領域との両方の表面は、撥液性又は疎液性材料で形成される。例えば、炭化水素の液体（例えば油）に対して疎油性であるか、水に対して疎水性の材料である。疎液性材料で作成した表面では、液体は静止状態の表面に対して一般的に９０°より大きく、１００°、１１０°、１２０°及び１３０°などで、例えばリザーバ内の液浸液の動作温度では露光中に９０°から１３０°の範囲又は１００°から１２０°の範囲から選択した接触角、例えば静止接触角を成す。静止状態では、メニスカス１１０の形状は液体の外側から見て凸状である。表面の面に対して平行に移動する状態で、表面に対する液体の後退接触角は５０°と１００°の間、例えば５０°から９０°、望ましくは６０°を上回る範囲である。実施形態では、これは８０°と８６°の間でよい。前進接触角は９０°から１３０°の範囲、望ましくは１２０°未満である。実施形態では、前進接触角は９０°と１００°の間である。これらの接触角は全て、遠心システムの通常の動作温度で、例えば２２℃で規定される。
[0052] したがって、投影システムＰＬの表面とバリア部材１０との間の距離を半径方向外側の方向に階段状に増加させると、バリア部材１０の使用時に溢れる可能性を有意に減少させることができる。
[0053] 突起１００はバリア部材１０上にあるものと図示されている。しかし、そうである必要はなく、同じ機能が満たされる（つまりメニスカスが突起を克服して、それを通過するためのエネルギバリアを提供する）限り、突起は投影システム上にあってよい。
[0054] 図５には、投影システムＰＬに面するバリア部材１０の内面が意図的に歪められ、したがって同様に意図的に歪められた投影システムＰＬの外面にさらに似ているシステムの実施形態も図示されている。この方法で、液体１１が基板から突起１００に向かって上方向に流れるためにラビリンスが生成され、これは流れの絞りを増加させ、したがって溢れの危険性を低下させる。したがって、バリア１０から溢れるために液体が辿る必要がある経路は蛇行し、少なくとも３回の方向転換を必要とする。図示の実施形態では、これは投影システムＰＬの側壁に窪み２２０を設けることによって達成することができる。突起は、バリア部材１０の内側壁に（バリア表面に）設け、２つの要素３１０、３２０によって形成することができる。液体が投影システムＰＬと基板Ｗの間の位置からバリア部材１０の頂部へと辿る経路の蛇行性を上げるために、他の措置を執ってもよい。窪み２２０及び／又は要素３１０、３２０は、突起１００がある又はない状態で、及び以下でさらに詳細に検討する疎液性コーティングがある又はない状態で使用することができる。
[0055] 実施形態では、リソグラフィ装置はコーティングを有する１つ又は複数の部品を備える。実施形態では、これらの１つ又は複数は、元素Ｓｉ（珪素）、Ｏ（酸素）、Ｆ（フッ素）及び任意選択でＣ（炭素）及びＨ（水素）を含むコーティングを有する。実施形態では、言及した元素がコーティング内に存在する化合物内に存在する。実施形態では、コーティングは基本的にこれらの元素（Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨ）で構成される。実施形態では、コーティングはこれらの元素で構成される。実施形態では、コーティングは基本的に元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｈ及びＣで構成される。実施形態では、コーティングは元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｈ及びＣで構成される。
[0056] 実施形態では、ＦはＳｉ及び／又はＣと共有結合する。実施形態では、ＯはＳｉと共有結合する。
[0057] 実施形態では、コーティングは非晶質である。
[0058] 実施形態では、コーティングは原子規模の相互貫入したランダムな網状組織である。このような構造は非晶質と見なすことができる。網状組織はＣ：Ｈ／Ｃ／Ｆ、又はＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｆ又はその両方を含んでよい。コーティングは珪素を含むことが望ましい。コーティングは、Ｃ又はＳｉと共有結合した蛍光体が存在した状態で、ａ−Ｃ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｏの原子規模の相互貫入したランダムな網状組織と呼ぶことができる。蛍光体は、ダイアモンド状構造（例えばａ−Ｃ−Ｈ）網状組織でＣに結合することができる。蛍光体は、石英状構造（ａ−Ｓｉ：Ｏ）網状組織でＳｉに結合することができる。実施形態では、フッ素化ａ−Ｓｉ：Ｏ網状組織の場合、石英状網状組織のみが存在する。
[0059] Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｈ及びＨを含むコーティングを、ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングと呼ぶことができる。実施形態では、このようなコーティングはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｃ及びＣ：Ｈ／Ｃ：Ｆの網状組織を有する。実施形態では、ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｆ及び任意選択でＣ：Ｈ／Ｃ：Ｆの網状組織を有する。
[0060] Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含む（つまりＣ及びＨが存在しない）コーティングをＳｉＯｘＦｙコーティングと呼ぶことができる。実施形態では、ＳｉＯｘＦｙコーティングはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｆの網状組織を有する。
[0061] 実施形態では、リソグラフィ装置の１つ又は複数の部品は、センサ、基板テーブル、シャッタ部材（例えばスワップブリッジ又は閉鎖ディスク）、流体ハンドリング構造（例えば液体封じ込め構造）、投影システム、及び光学要素で構成されたグループから選択された１つ又は複数の部材を含む。実施形態では、光学要素は最終レンズ要素などのレンズである。
[0062] 実施形態では、ＳｉとＯのモル比は１：１＜Ｓｉ：Ｏ＜１：２の範囲である。実施形態では、Ｓｉ：Ｏ＜１：１．８、Ｓｉ：Ｏ＜１：１．６、又はＳｉ：Ｏ＜１：１．４である。実施形態では、Ｓｉ：Ｏは約１：１．２である。これらの比率はそれぞれ、第一露光前の初期モル比として望ましい。露光毎に、放射に露光する表面の部分に、より多くのエネルギが供給され、その部分が露光される露光継続時間が長くなる。放射ビームのエネルギは、表面の化学組成を変化させる、例えばＳｉ：Ｏの比率を上げるのに十分である。したがって、露光の継続時間が長くなるにつれ、Ｓｉ：Ｏの比率を上げることができる。実施形態では、Ｓｉ：Ｏの初期比率は１：１．２でよく、１０００Ｊ／ｃｍ2の合計ＤＵＶドーズ量の露光後、この比率は１：１．９でよい。
[0063] 実施形態では、ＳｉとＣの（Ｃが存在する場合の）モル比は１：０．１＜Ｓｉ：Ｃ＜１：２．５の範囲である。実施形態では、１：０．４＜Ｓｉ：Ｃ、１：０．８＜Ｓｉ：Ｃ、１：１．２＜Ｓｉ：Ｃ、１：１．６＜Ｓｉ：Ｃ、さらには１：２＜Ｓｉ：Ｃでよい。実施形態では、Ｓｉ：Ｃの比率は約１：２．１である。放射ビームへの露光が増加するとともに、この比率は変化してよく、例えば減少してよい。実施形態では、Ｓｉ：Ｃの初期比率は１：２．１でよく、１０００Ｊ／ｃｍ2の合計ＤＵＶドーズ量の露光後、この比率は１：０．７でよい。
[0064] 実施形態では、ＳｉとＦのモル比は１：０．１＜Ｓｉ：Ｆ＜１：２である。実施形態では、Ｓｉ：Ｆ＜１．６、Ｓｉ：Ｆ＜１．２、さらにはＳｉ：Ｆ＜０．８でよい。実施形態では、Ｓｉ：Ｆは約１：０．４である。放射ビームへの露光が増加するとともに、この比率は変化してよく、例えば減少してよい。実施形態では、Ｓｉ：Ｆの初期比率は１：０．４でよく、１０００Ｊ／ｃｍ2の合計ＤＵＶドーズ量の露光後、この比率は１：０．２でよい。
[0065] コーティングは珪素、酸素、フッ素及び任意選択で炭素及び水素を含んでよい。珪素と酸素とのモル比は１：１＜Ｓｉ：Ｏ＜１：２の範囲でよい。存在する元素のモル比は、例えばＸ線光電子分光法を使用した化学分析で割り出すことができる。コーティングは、珪素、酸素、フッ素及び（存在する場合は）炭素の以下の割合を有することができ、この割合は水素を無視して、各元素の原子番号に基づく。
ｉ）１０から４０、望ましくは１５から３０、例えば１９から２６の珪素の原子百分率
ｉｉ）１５から６０、望ましくは２０から５４、例えば２３から４９の酸素の原子百分率
ｉｉｉ）３から４０、望ましくは５から３０、例えば４から１７のフッ素の原子百分率
ｉｖ）１０から５０、望ましくは１５から４５、例えば１９から４０の炭素の原子百分率
[0066] 概して、このタイプのフッ素含有コーティングでは、フッ素の含有がコーティングの疎液性に影響する。コーティングは、フッ素の含有率が高くなると、さらに疎液性になり得る。しかし、フッ素含有率が例えば放射ビームへの露光を通して低下すると、フッ素の減少と露光継続時間の延長とがそれぞれ、表面のナノ規模の粗さの増大を伴い得る。コーティングの疎液性は、表面のナノ規模の粗さから影響されることがある。ナノ規模の粗さの増大は、疎液性の上昇を伴うことがある。したがって、フッ素を失うが、表面のナノ規模の粗さが増大しているコーティングは、実質的にその疎液性を維持する。
[0067] 実施形態では、コーティングはダイアモンド状ナノ複合（ＤＬＮ）フィルムである。実施形態では、コーティングはＦを含むＤＬＮフィルムである。実施形態では、コーティングはＳｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むＤＬＮフィルムである。実施形態では、コーティングは基本的にＳｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨで構成されたＤＬＮフィルムである。実施形態では、コーティングはＳｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨで構成されるＤＬＮフィルムである。実施形態では、コーティングは基本的に元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｈ及びＣで構成されたＤＬＮフィルムである。実施形態では、コーティングは元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｈ及びＣで構成されたＤＬＮフィルムである。
[0068] コーティングは、１つの化合物から、又は２つ以上の化合物の混合物から形成することができる。実施形態では２部システム、つまり基質材料と包含材料が使用される。実施形態では、基質材料はポリシロキサン、例えばポリ（ジメチルシロキサン）、又はポリシラザン、例えばオルガノポリシラザンなどの酸化珪素材料である。実施形態では、酸化珪素材料は、シラン化学物質を使用したゾルゲル技術により準備した酸化珪素に基づく。
[0069] 包含物は、例えばフッ素分子（つまりフッ素元素を含む分子）でよい。フッ素分子の組合せ又は選択肢を使用することができる。実施形態では、フッ素分子はフッ素デンドリマ、フッ素オリゴマ、例えば分枝又は星形フッ素オリゴマ、又はフッ素シランである。実施形態では、包含物は少なくとも炭素、珪素、水素、酸素、窒素及び／又はフッ素のいずれか１つを含む分子でよい。実施形態では、基質材料中の包含材料の含有率は少なくとも０．１ｖｏｌ％、例えば少なくとも１ｖｏｌ％、少なくとも５ｖｏｌ％、又は少なくとも１０ｖｏｌ％である。実施形態では、基質中の包含物の含有率は４０ｖｏｌ％未満、例えば３０ｖｏｌ％未満、２０ｖｏｌ％未満、又は１０ｖｏｌ％未満である。実施形態では、含有物の含有率は０．１ｖｏｌ％から４０ｖｏｌ％の範囲、例えば１ｖｏｌ％から３０ｖｏｌ％の範囲、又は５ｖｏｌ％から２０ｖｏｌ％の範囲から選択される。コーティングがこのような２部システムを備え、ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングである場合、これはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｃの基質で形成し、Ｃ：Ｆ／Ｃ：Ｈの添加物を有することができる。実施形態では、Ｃ：Ｆ／Ｃ：Ｈの添加物は、ＤＵＶ放射などのＵＶ放射に露光している場合に、コーティングに追加の疎液性と回復性を提供することができる。
[0070] 実施形態では、コーティングは１０ｎｍから２μｍの範囲、例えば５０ｎｍから１μｍの範囲から選択した厚さを有する。実施形態では、コーティングは４００ｎｍから１．５μｍの範囲、例えば１μｍから１．４μｍの範囲から選択された厚さを有する。実施形態では、コーティングは０．８μｍから１．２μｍの範囲から選択された厚さを有する。
[0071] 実施形態では、コーティングの厚さは約１００ミクロン未満、例えば６０ミクロン未満、２０ミクロン未満、１０ミクロン未満、５ミクロン未満、３ミクロン未満、又はさらには１ミクロン未満である。実施形態では、厚さは少なくとも約１０ｎｍ、例えば少なくとも２０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ又は少なくとも１００ｎｍである。
[0072] 実施形態では、コーティングは酸化珪素の網状組織を有する。露光中に、ＵＶ放射の一部が、例えば水などの液浸液によって覆うことができるコーティングの部分に当たってよい。このような環境では、コーティングはＵＶ放射の影響で反応し、酸化珪素網状組織を強化することができる。しかし、コーティングはその疎液性を回復及び／又は維持することができ、例えばその疎液性を保持及び／又は回復することができる。実施形態では、コーティングは例えば水などの液浸液中で改良されたＵＶ抵抗を有することができる。
[0073] 通常、粗くした表面は疎液性を呈する。残っているフッ素化分子の疎液性と組み合わせると、粗くした表面は通常、コーティング表面の表面を疎液性に維持する。コーティングは、放置して乾燥させると、その疎液性を実質的に又は十分に回復する。
[0074] コーティングを塗布する方法は様々でよい。実施形態では、コーティングはウェット化学的塗布コーティングである。つまり、コーティングを溶剤中の化合物の溶液として塗布し、溶剤を蒸発させる。実施形態では、コーティングは真空中で化学蒸着（ＣＶＤ）技術によって塗布する。
[0075] コーティングは真空中で塗布することができる。実施形態では、コーティングは化学蒸着（ＣＶＤ）によって、マグネトロンスパッタリング、イオンビーム蒸着、誘導結合プラズマ化学蒸着（ＩＣＰ ＣＶＤ）、マイクロ波プラズマ化学蒸着又はプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を含む（しかしこれに限定されない）技術によって塗布される。実施形態では、コーティングはＰＥＣＶＤによって塗布される。ＰＥＣＶＤ及び関連する前駆物質は、例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許ＵＳ５，５６３，１０５号及び第ＵＳ６，５１８，６４６号で言及されている。例えば実施形態では、ＳｉaＨbとＳｉxＦy、例えばＳｉＨ4／ＳｉＦ4／Ｏ2の組合せを前駆物質として使用する。ここでａ及びｂは珪素と水素のモル比を表し、ｘ及びｙは珪素とフッ素のモル比を表す。以下の説明はプラズマ蒸着技術に言及している。適宜、コメントはＣＶＤなどの他の可能な蒸着技術に適用することができる。
[0076]実施形態では、炭素含有化合物を、ＳｉＨ4、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）、ヘキサメチルジシラザン、（ＨＭＤＳＮ）、又は望ましくはヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）の代わりに、又はそれに加えて使用する。炭素含有化合物がコーティングの主要モノマでよい。フッ素は、フッ素含有ガスを使用してコーティングに組み込むことができ、これは炭素、例えばＣＦ4（テトラフルオロメタン）、Ｃ2Ｆ4（テトラフルオロエチレン）、Ｃ2Ｆ6（ヘキサフルオロエタン）又はＨＣＦ3（トリフルオロメタン）を含んでよい。フッ素含有ガスは珪素、例えばトリフルオロメチルトリメチルシラン、ＳｉＦ4（４フッ化珪素）、又はＳｉxＦyの他の任意の気体状化合物を含んでよい。ＳｉＦ4の場合、ＳｉＨ4又はＨ2などの水素系前駆物質を使用して、フッ素イオンを中和することができる。このような技術では、メタン又はアセチレンなどの補剤ガスを使用することができる。例えばアルゴン、酸素、窒素及び／又は水素などの希ガスのような重合不可能な気体を使用して、気体中の圧力を上昇させ、最終的なコーティングの均質性を改良することができる。実施形態では、水素を添加して、フッ素イオンを中和する。コーティングを準備することができる配合物の例は、ＳｉＨ4／ＳｉＦ4／Ｏ2（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれるSolid Films, 2006, 376, 26を参照）、ＳｉＨ4／ＳｉＦ4／Ｏ2／Ａｒ（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれるIBM J. Res. Develop, 1999, 43, 109を参照）、ＴＥＯＳ／ＳｉＦ4／Ｏ2（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許ＵＳ５，５６３，１０５号又は参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許ＵＳ６，５１８，６４６号参照）である。当業者は、コーティングを塗布する適切なＣＶＤ技術を承知している。このような技術の例は、（参照により全体が本明細書に組み込まれる）米国特許ＵＳ７，１５７，１４５Ｂ２号、（参照により全体が本明細書に組み込まれる）Plasmas and Polymers第６巻（２００１年、２２１ページ）、（参照により全体が本明細書に組み込まれる）Phys. State. Solid (a)第１４５巻５７５ページ（１９９４年）、及び（参照により全体が本明細書に組み込まれる）Surf Coat Technol.第７６〜７７巻３６７ページ（１９９５年）に記載されている。
[0077] 当業者は、Phys. State. Solid (a)第１４５巻５７５ページ（１９９４年）及びSurf Coat Technol.第７６〜７７巻３６７ページ（１９９５年）が、Ｃ：Ｆ結合形成のフッ素含有前駆物質材料の例を開示していることを承知している。これらの前駆物質は、ＨＭＤＳＯ又は（参照により全体が本明細書に組み込まれる）Appl. Phys. Letter第８２巻３５２６ページに記載されたような同様の化学物質とともに使用した場合、Ｃ−Ｆ結合を含むコーティングを提供する。
[0078] ＰＥＣＶＤ技術の実施形態では、プロセスはモノマ／補剤ガス／重合不可能なガスの配合物から開始し、次にプロセス中に補剤ガスが徐々にフッ素含有ガスに置換される。ＰＥＣＶＤ技術の実施形態では、プロセスはＨＭＤＳＯ／アセチレン／アルゴンの配合物から開始し、プロセス中にアセチレンが徐々にＣ2Ｆ4又はＨＣＦ3に置換される。
[0079] 実施形態では、ＴＥＯＳをモノマとして使用し、ＳｉｘＦｙをフッ素含有ガスとして使用する場合、その結果のコーティングはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｆ網状組織を有する。実施形態では、ＨＭＤＳＯ、ＨＭＤＳ又はＨＭＤＳＮをモノマとして使用し、ＳｉｘＦｙをフッ素含有ガスとして使用する場合、その結果のコーティングはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｆ／Ｓｉ：Ｃ網状組織を有する。実施形態では、ＨＭＤＳＯ、ＨＭＤＳ又はＨＭＤＳＮをモノマとして使用し、ＣｘＦｙをフッ素含有ガスとして使用する場合、その結果のコーティングはＳｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｃ及びＣ：Ｈ／Ｃ：Ｆ網状組織を有する。
[0080] 方法のプラズマの実施形態では、生成されたコーティングが２μｍ以下、望ましくは１μｍ以下、しかしさらに望ましくは５００ｎｍ又は３００ｎｍ未満の厚さを有してよい。実施形態では、プラズマ方法によって塗布されたコーティングは、２００ｎｍと１μｍの間、例えば４００ｎｍと６００ｎｍの間の厚さを有する。
[0081] 実施形態では、化学蒸着によるコーティングの付着は、フッ素含有分子の濃度が上昇する間に徐々に実行される。この方法で付着すると、その結果、コーティングとそれが塗布される表面との間の接着を良好にすることができる。
[0082] プラズマ蒸着技術によって塗布されたコーティングは、高い厚さ均一性を有することができる。したがって、コーティングの厚さはコーティングされた表面の輪郭を辿ることができる。塗布されたコーティングは、（非制限的なリストの）ガラス、金属、プラスチック及びセラミックなどの材料に対して良好な接着性を有することができる。
[0083] プラズマ蒸着技術では、例えば酸素などの重合不可能な気体、アルゴンなどの希ガス、及び窒素をモノマに添加して、プラズマの均質性を改良することができる。重合不可能な気体を使用すると、気体相にある場合に前駆物質（モノマ）の圧力を上昇させることができる。
[0084] 炭素を含むプラズマ塗布コーティングの実施形態では、ＵＶ放射の影響下での反応が炭素とフッ素の網状組織を損傷する。コーティングは粗くしてよい。粗面仕上げは、コーティングから炭素を失うことによって引き起こすことができる。露光を継続すると、より多くの炭素を除去することができるが、実質的に一部の炭素がコーティングに残る。粗面仕上げは、ＵＶ放射への露光で生じる可能性が高い。したがって、粗面仕上げは、露光中などにＵＶ放射に直接露光した可能性が高い表面の方が、より多く生じる。このような表面は、センサ及び基板テーブル表面を含むことができる。表面は、センサ、基板テーブル又は両方の表面でよい。粗面仕上げは、ナノ規模で粗くすると見なすことができる。
[0085] ウェット化学的塗布コーティングの実施形態では、コーティングは室温などの比較的低温で塗布される。例は、例えば吹き付け、スピンコーティング又は刷毛塗りである。
[0086] ウェット化学的塗布技術は、真空に適合しない、又はＣＶＤ技術を使用して容易に被覆できない形状を有する材料の被覆に使用することができる。
[0087] ウェット化学技術によって塗布されるコーティングの実施形態では、コーティング基質は、表面に直接塗布され、次に最高４７５ケルビン（２００℃）の高温で硬化することができる。実施形態では、コーティングは、ＥＢ（電子ビーム）、ＵＶ及び／又はマイクロ波加熱などの技術を使用して、室温（２０℃）で硬化することができる。
[0088] 実施形態では、ウェット化学技術によって塗布されるコーティングは、１０ｎｍから１００μｍの範囲、例えば１０ｎｍから２０μｍの範囲又は１０ｎｍ〜２μｍの範囲、例えば２００ｎｍから１μｍの範囲から選択された厚さを有してよい。
[0089] ウェット化学技術によって塗布されるコーティングの実施形態では、コーティングは回復し、したがってその疎液性を維持することができる。これは、コーティング中の長鎖分枝フッ素官能分子の高い移動度によって達成することができる。
[0090] 当業者はコーティングを塗布する適切なウェット化学技術を承知している。
[0091] 実施形態では、コーティングは元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含む。実施形態では、コーティングは基本的にＳｉ、Ｏ、Ｃ及びＨで構成される。実施形態では、コーティングはＳｉ、Ｏ、Ｃ及びＨで構成される。このようなコーティングは、原子規模の相互貫入したランダムな網状組織でよい。このような構造は非晶質と見なすことができる。このようなコーティングの網状組織は、Ｓｉ：Ｏ／Ｓｉ：Ｃを含んでよく、水素はＣ：Ｈの形態で存在する。元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含むコーティングを、ＳｉＯｘＣｙＨｚコーティングと呼ぶことができる。
[0092] コーティングが元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含む場合、ＳｉとＯのモル比は１：１＜Ｓｉ：Ｏ＜１：６の範囲の範囲、例えば１：２＜Ｓｉ：Ｏ＜１：６でよい。各比率は、第一露光前の初期モル比として望ましい。露光毎に、表面により多くのエネルギが供給され、表面の露光継続時間が長くなる。放射ビームのエネルギは、表面の化学組成を変化させる、例えばＳｉ：Ｏの比率を上げるのに十分である。したがって、露光の継続時間が長くなるにつれ、Ｓｉ：Ｏの比率を上げることができる。例えば、１：１．２という初期のＳｉ：Ｏの比率は、１０００ｍＪ／ｃｍ2のＤＵＶドーズ量の露光後、１：１．５になるように増加することができる。
[0093] コーティングが元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含む場合、ＳｉとＣのモル比は１：０．５＜Ｓｉ：Ｃ＜１：２．５、例えば１：１．０＜Ｓｉ：Ｃ＜１：２．０、１：１．２＜Ｓｉ：Ｃ＜１：１．９などの範囲でよい。放射ビームへの露光が増加するにつれ、比率は変化してよく、例えば減少してよい。例えば１：１８という初期のＳｉ：Ｃの比率は、１０００ｍＪ／ｃｍ2のＤＵＶドーズ量の露光後、１：１．３になるように増加することができる。
[0094] コーティングは、フッ素含有コーティングと同様の方法で生成することができるが、フッ素含有分子は使用しない。したがって、フッ素含有コーティングに関して上述したコーティングの厚さなどの特徴は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含有するコーティングにも等しく当てはまる。当業者は、このようなコーティングの生成方法を承知している。実施形態では、コーティングはＰＥＣＶＤを使用して塗布される。このようなコーティングを生成する適切なモノマはＨＭＤＳＯ、ＨＭＤＳＮをモノマ、ＨＭＤＳＮ及びＴＥＯＳである。実施形態では、コーティングの生成に使用されるモノマはＨＭＤＳＯである。希ガス、例えばアルゴン、酸素又は窒素のような重合不可能な気体をモノマに添加して、プラズマの均質性を改良し、気体相の圧力を上昇させることができる。このようなコーティングをＣＶＤ技術（例えばＰＥＣＶＤ技術）によって準備できる配合物の例は、ＨＭＤＳＯ／Ｏ2である。このようなコーティングの生成に適切な技術の例は、（参照によって全体が本明細書に組み込まれる）米国特許ＵＳ７，１５７，１４５Ｂ２号、及び（参照により全体が本明細書に組み込まれる）Plasmas and Polymers第６巻（２００１年）２２１ページに記載されている。
[0095] コーティングが元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含む場合、例えば電子分光法を使用した化学分析によって割り出された存在元素のモル比は、各元素の原子番号に基づき、水素を無視すると、以下の通りでよい。
ｉ）１５から３５、望ましくは２０から３０、例えば２５から２６の珪素の原子百分率
ｉｉ）２０から５５、望ましくは２５から４５、例えば３０から４０の酸素の原子百分率
ｉｉｉ）２０から５５、望ましくは３０から５０、例えば３３から４５の炭素の原子百分率
[0096] コーティングが元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含む場合、このようなコーティングは例えば１．２Ｊ／ｃｍ2以下などの少量のＵＶ放射に露光した場合に、比較的遅い接触角の低下を呈することができる。実施形態では、このようなコーティングを閉鎖ディスク（シャッタ部材）、センサ、最終光学要素、又はリソグラフィ装置の液浸フードの上面及び／又は下面に使用することができる。実施形態では、コーティングは基板テーブルに使用される。これは、露光放射の直接的経路内にあるが、露光ドーズ量は０．５５ｍＪ／ｃｍ2／パルスの範囲にある。
[0097] コーティングを塗布できる液浸システムの１つ又は複数の特定のフィーチャが、図６及び図７に図示されている。図６は、基板テーブルＷＴ上に存在してよいフィーチャを示す。実施形態では、物品は基板テーブルＷＴである。実施形態では、物品はセンサ５１０である。例えば、センサ５１０は透過イメージセンサ（ＴＩＳ）、レンズ干渉計センサ（ＩＬＩＡＳ）又はスポットセンサでよい。ＴＩＳはコーティングすることが望ましい。というのは、これによってコーティングの疎液性を実質的に失わずにＴＩＳの洗浄を可能にできるからである。
[0098] 実施形態では、物品は閉鎖ディスク５００、ブリッジ５２０（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００７−０２１６８８１号参照）、又は測定ステージなどの第二ステージ５２５のようなシャッタ部材５００、５２０、５２５（つまり例えば基板交換中などの基板が露光していない場合に、液浸液を閉じ込めるのを補助する要素で、例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許ＵＳ７，１１０，０８１号参照）である。ブリッジ５２０は、基板交換中に、マルチステージ装置の少なくとも２つのステージ間に配置することができる。ステージ間のブリッジの表面は、封じ込め構造１２の下で移動することができる。ブリッジ５２０及び閉鎖ディスク５００は代替物でよい。基板交換中に基板テーブルＷＴの縁部に隣接するように、第二ステージ５２５が移動することができる。基板テーブルの表面は、封じ込め構造１２が第二ステージ５２５の上に位置するように、封じ込め構造１２の下で移動することができる。実施形態では、第二ステージ５２５は測定ステージであり、基板を支持しない。測定ステージ５２５は、センサ、測定ツール及び洗浄ステーションのいずれかを有してよい。液体封じ込め構造１２は、基板テーブルＷＴに戻って、基板交換を完了させることができる。実施形態では、第二ステージ５２５は第二基板テーブルである。第二ステージ５２５は、閉鎖ディスク５００又はブリッジ５２０の代替物として使用するか、その一方又はその両方との組合せで使用することができる。
[0099] 基板テーブルＷＴは、センサ５１０及びシャッタ部材５００、５２０、例えば閉鎖ディスク５００又はブリッジ５２０などの他のコンポーネントのうち少なくとも幾つかを含んでよい。コーティングは、これらのフィーチャに一緒に、組み合わせて、又は別個に塗布することができる。
[00100] 図７は、封じ込め構造１２、投影システムＰＬの一部及び基板テーブルＷＴの一部を通る断面図を示す。実施形態では、物品は流体／液体供給システムの少なくとも一部を備えることができる封じ込め構造１２（又はシール部材又はバリア部材）である。実施形態では、コーティングは、基板テーブルに面していない封じ込め構造１２の表面５４０の少なくとも一部に存在する。これは、投影システムＰＬと封じ込め構造１２の間で液浸液のメニスカス５６０を制御するために望ましいことがある。コーティングされた部分５４０は、液浸液が封じ込め構造１２と投影システムＰＬの間から逃げる可能性、及び液跳ね（液浸液の蒸発によって引き起こされる冷点の原因となる）の可能性を低下させることができる。
[00101] 実施形態では、コーティングは、基板テーブルＷＴに面している封じ込め構造１２の表面５５０の少なくとも一部に存在する。これによって、基板テーブルＷＴと封じ込め構造１２の間で液浸液のメニスカス５７０の制御を改良可能にすることができる。この改良は、基板テーブルＷＴも同様のコーティングで被覆されている場合に、さらに望ましいことがある。
[00102] 実施形態では、物品は光学要素である。実施形態では、光学要素はレンズである。実施形態では、コーティングは投影システムＰＬの少なくとも一部に存在する。実施形態では、コーティングは、基板テーブルに面している投影システムＰＬの少なくとも一部５３０に存在する。コーティングが存在する投影システム表面の部分は、露光中などに放射ビームＢが通過する部分から離れていることが望ましい。例えば、コーティングは、投影システムＰＬの光軸から離れた最終光学要素の表面５３０に塗布される。コーティングが位置することにより、上述のように液浸液が液浸空間から逃げる危険性を低下させることができる。
[00103] 基板Ｗが基板テーブルＷＴによって保持されている場合、基板Ｗの表面は基板テーブルＷＴと実質的に同一平面上にあってよい。基板Ｗと基板テーブルＷＴの間にある平面の表面にギャップがあってよい。ギャップは凹み５８０を規定することができる。凹み５８０が液体封じ込め構造１２の下を通過すると、気泡が液浸液に同伴することがある。気泡は、投影システムＰＬの下方で液体封じ込めシステム１２内の液浸液の光学的品質に影響を与えることがあり、したがって欠陥の源になり得る。気泡抽出又は減少又は防止システムなどのシステムを凹み５８０に配置して、気泡を抽出するか、気泡の生成を防止又は減少させることができる。凹み５８０の表面及び／又はシステムの表面の少なくとも一部を、コーティングで被覆することができる。これによって、液体の制御及び気泡の抑制及び制御を改良可能にすることができる。
[00104] コーティングをステッカに塗布することができる。表面がコーティングの特性を呈するように、ステッカを特定の表面に塗布することができる。これは、このような表面が他の方法ではコーティングを直接又は容易に塗布することができない表面である場合に望ましい。
[00105] コーティングを主にリソグラフィ装置に関して説明してきたが、本明細書で述べたコーティングは例えば計測装置などに他の用途もあることを理解されたい。例えば、コーティングは、液浸システムの環境を再現するために使用される計測装置に用途を有することがある。
[00106] 以上の説明は、特定の事例では疎液性又は親液性である材料又はコーティングに言及していることが認識される。これらの用語は、任意のタイプの液体に関して使用することができる。例えば液浸液として水が存在する場合は、疎水性及び親水性という用語を使用することができる。他で指定しない限り、疎水性とは９０°より大きい、望ましくは１００、１２０、１３０又は１４０°より大きい後退接触角を意味する。１つの実施形態では、接触角は１８０°未満である。他に明記しない限り、親水性とは９０°未満、望ましくは８０°未満、７０°未満、６０°未満又は５０°未満の後退接触角を意味する。１つの実施形態では、接触角は０°より大きい、望ましくは１０°より大きい。これらの角度は、室温（２０℃）及び大気圧で測定することができる。
[00107] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[00108] 以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニング構造の微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニング構造の微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニング構造をレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
[00109] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
[00110] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が基板を沈める槽の形態で提供されるか、基板及び／又は基板テーブルの局所的な表面区域に封じ込められるか、封じ込められない上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。封じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができる。実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない全表面が濡れる。このように封じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を封じ込めることができない。往々にして「オールウェット」と呼ばれる実施形態では、実質的に基板テーブル及び基板の全体が、少なくとも露光中に液浸液の薄膜で覆われる。液体封じ込め構造は、ある割合の液浸液封じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の封じ込めを完成しない。液体封じ込め構造を含む液体供給システム、又は液体封じ込め構造のような液体供給システムは、本明細書で想定されるように広義に解釈されたい。
[00111] 特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体処理システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する制御装置などの１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。１つ又は複数の制御要素を設けて、装置又は装置の１つ又は複数のコンポーネントを制御することができる。
[00112] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに、機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
[00113] 本明細書で説明した制御装置はそれぞれ、又は組み合わせて、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータ処理装置が１つ又は複数のコンピュータプログラムを読み取ると、動作可能にすることができる。制御装置はそれぞれ、又は組み合わせて、信号を受信、処理及び送信する任意の適切な構成を有することができる。１つ又は複数の処理装置は、制御装置の少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各制御装置は、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために１つ又は複数の処理装置を含むことができる。制御装置は、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受けるハードウェアを含むことができる。したがって、制御装置は１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
（実施例）
[00114] Cymer ELS-6610A ArFレーザを使用して、ＤＵＶ抵抗試験を実行した。レーザは１９３ｎｍの波長、１０Ｗの出力及び２ｋＨｚの周波数（繰り返し数）を有していた。全幅半値は０．３５ｐｍで、パルス持続時間は＞２５ｎｓであった。サンプルは、表面上で約１．２８ｍＪ／ｃｍ2／パルスのＤＵＶドーズ量を受けた。
[00115] 実験では、ＤＵＶ放射はＣａＦ2ミラーで再誘導されて、セルに入り、ここで水に沈められたサンプルと相互作用した。実験セルはステンレス鋼３１６Ｌで作成され、水を供給する入口及び出口を有していた。これは中央に組み込まれた石英の窓があるステンレス鋼製の蓋で閉じることができる。ゴムリングを使用して、蓋とセルとの接触を向上させた。
[00116] ＤＵＶ抵抗試験は以下のように実行した。
１）２つのＳｉウェーハを準備した。第一ウェーハはＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（５００ｎｍ）を有し、第二ウェーハはＳｉＯｘＣｙＦｚコーティング（１．２μｍ）を有していた。両方のコーティングをＰＥＣＶＤで塗布した。対照として作用するように、テフロンＡＦコーティングを有するＳｉウェーハサンプルも準備した。
２）次に、コーティングを停滞水及び流水（１Ｌ／分）の両方に入れて、６０、５００及び次に１０００Ｊ／ｃｍ2（機械の寿命の０．５％）の合計ＤＵＶドーズ量で露光した。
３）次に、後退接触角（ＲＣＡ）の測定によって、ＤＵＶ放射に対するコーティングの抵抗を割り出した。
[00117] ＳｉＯｘＣｙＨｚ、ＳｉＯｘＣｙＦｚ及びテフロンＡＦコーティングで観察された結果を、図８に示す。図８は、様々な化学組成のコーティングを比較したグラフである。
[00118] 図８から見られるように、３つのコーティングは全て同様の初期ＲＣＡを示す。テフロンコーティングのＲＣＡは非常に迅速に低下し、このコーティングが短い寿命を有することを示す。ＳｉＯｘＣｙＨｚ及びＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングについては、最初にＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングがＳｉＯｘＣｙＨｚよりもわずかに低いＲＣＡ値を有している。しかし、コーティングを大量の放射に露光した後、２つのコーティング間の差はさらに顕著になる。ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングのＲＣＡは、パルス数が増加するにつれて飽和するように見え、ＳｉＯｘＣｙＨｚコーティングのＲＣＡは減少し続ける。ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングの飽和挙動は、コーティングの劣化と粗さの変化との効果の組合せに関係すると考えられる。
[00119] ＳｉＯｘＣｙＨｚ、ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングを含むサンプルを、１Ｌ／分の流量で流れる水中で６０Ｊ／ｃｍ2の合計ＤＵＶドーズ量に露光した後、サンプルのＲＣＡを経時測定した。その結果を図９に示す。図９は、様々な化学組成のコーティングについて、接触角の経時的回復効果を示す。グラフで示した結果から見られるように、ＲＣＡの有意の回復が、ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングを有するサンプルで示されている。
[00120] ＤＵＶ露光中のＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングの化学的改質を研究するために、ＸＰＳ分析を実行した。ＸＰＳの結果を下表で示す。測定は、ＳｉＯｘＣｙＦｚで被覆したＳｉウェーハのサンプルで実行した。ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｒｅｆは、ＤＵＶ放射に露光してあるサンプルで、ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｔｒｅａｔｅｄは流水（１Ｌ／分）中でＤＵＶに露光してあるサンプルであった。これは、以上で検討したように、Cymer ELS-6610A ArFレーザを使用し、サンプルを１０００Ｊ／ｃｍ2のＵＶドーズ量に露光して実行した。珪素２ｐ（Ｓｉ ２ｐ）、酸素１ｓ（Ｏ １ｓ）、炭素１ｓ（Ｃ １ｓ）及びフッ素１ｓ（Ｆ １ｓ）のピークを測定し、その結果を下表に示す。
[00121] Ｃ １ｓピークは、２８３．０ｅＶの結合エネルギに存在する。これは炭素様Ｃ（例えばＳｉＯＣＦ層中のＣ）に帰せられる。ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｒｅｆのスペクトルでは、Ｃの第二ピークが２９１ｅＶに存在する。これはＦに結合されたＣに帰することができる。Ｆ １ｓピークは約６８６ｅＶに存在する。Ｓｉ ２ｐピークは、ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｒｅｆでは１０１．０ｅＶに、ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｔｒｅａｔｅｄでは１０１．６ｅＶに存在する。処理したサンプルのピーク位置が対照サンプルのそれよりわずかに高いことの理由は、サンプルのＯ含有率の上昇に帰せられると考えられる。Ｏ １ｓピークは５３１ｅＶにあった。
[00122] この結果から、ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｒｅｆの初期元素組成はＳｉ：Ｏ＝１：１．２、Ｓｉ：Ｃ＝１：２．１及びＣ：Ｆ＝１：０．４と計算することができる。コーティングを流水中でＤＵＶ放射に露光すると、酸素及び珪素濃度が上昇して、炭素及びフッ素濃度が低下し、これは有意の大きさになることがある。ＳｉＯｘＣｙＦｚ−ｔｒｅａｔｅｄの元素組成は、Ｓｉ：Ｏ＝１：１．９、Ｓｉ：Ｃ＝１：０．７及びＣ：Ｆ＝１：０．２と計算することができる。
[00123] サンプルの様々な深さで取得した結果は、サンプルの表面におけるＤＵＶ放射への反応は、サンプルの深部よりも少なく、ここの方がフッ素濃度の測定値が高い。表面の方がフッ素の濃度が高いので、これはサンプルのナノ規模の粗さが大きいことに関連づけることができる。
[00124] ＤＵＶ露光中のＳｉＯｘＣｙＨｚコーティングの化学的改質を研究するために、ＸＰＳ分析を実行した。実験は、ＳｉＯｘＣｙＦｚコーティングについて上述したのと同様の方法で実施し（したがって、処理したサンプルを１０００Ｊ／ｃｍ2のＵＶドーズ量に露光し）、その結果は以下の通りである。
[00125] 実験は、ＳｉＯｘＣｙＨｚコーティングの静止接触角が、適用されるＤＵＶドーズ量の強度にいかに影響されるかを割り出すためにも実行された。コーティングは、静水中で１Ｊ／ｃｍ2と８０Ｊ／ｃｍ2の間の様々なドーズ量に露光し、露光と露光の間で、コーティングを数分間放置して乾燥させた。その結果を図１０ａに示す。図１０ａから見られるように、１回の露光で９．５Ｊ／ｃｍ2より高いドーズ量の場合、コーティングの劣化は１回の露光のドーズ量に依存せず、受けた合計ドーズ量に依存するように見える。１．２Ｊ／ｃｍ2／パルスのドーズ量の場合、同じ合計ドーズ量に到達した場合に、接触角がわずかしか変化しないという挙動の有意の違いが観察された。図１０ｂは、１．２Ｊ／ｃｍ2／パルスという固定ドーズ量についてグラフの拡大図を示す。
[00126] 実施形態では、部品の表面の少なくとも一部が元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングを有するリソグラフィ装置が提供される。装置は、元素Ｓｉ、Ｏ及びＦを含むコーティングを有する部品を備えてよい。コーティングは基本的に元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨで構成される。コーティングは元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨで構成される。言及された元素は、コーティング内に存在する化合物を構成してよい。
[00127] ＦはＣ及び／又はＳｉと共有結合することができる。ＳｉとＦのモル比は１：０．１＜Ｓｉ：Ｆ＜１：２の範囲でよい。比率Ｓｉ：Ｆは、１：０．２から１：０．４の範囲、好ましくは約１：０．４でよい。コーティングは、フッ素系含有物を有する酸化珪素基質を含んでよい。基質はポリシロキサンでよい。フッ素系含有物はフッ素デンドリマ、フッ素オリゴマ、又はフッ素シランである。
[00128] 実施形態では、コーティングは元素Ｈを含む。実施形態では、コーティングは元素Ｃを含む。
[00129] 実施形態では、部品の表面の少なくとも一部が元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含むコーティングを有するリソグラフィ装置がある。ＯはＳｉと共有結合することができる。コーティングは非晶質でよい。部品は、センサ、基板テーブル、シャッタ部材、封じ込め構造及び光学要素で構成されたグループから選択した部材でよい。
[00130] 装置は液浸リソグラフィ装置でよい。装置は１９３ｎｍの放射源を備えることができる。
[00131] 実施形態では、ＳｉとＯのモル比は１：１＜Ｓｉ：Ｏ＜１：２の範囲である。比率Ｓｉ：Ｏは約１：１．２でよい。ＳｉとＣのモル比は、１：０．１＜Ｓｉ：Ｃ＜１：２．５の範囲でよい。比率Ｓｉ：Ｃは１：０．７から１：２．１の範囲でよい。
[00132] コーティングはウェット化学的塗布コーティングでよい。コーティングは化学蒸着で塗布することができる。
[00133] 実施形態では、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択された物品が提供され、物品の表面の少なくとも一部は、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングで被覆される。コーティングは元素Ｈを含んでよい。コーティングは元素Ｃを含んでよい。
[00134] 実施形態では、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択された物品が提供され、物品の表面の少なくとも一部は、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含むコーティングで被覆される。実施形態では、コーティングは基本的にこれらの元素で構成される。実施形態では、コーティングは元素で構成される。物品は基板テーブルでよい。物品はセンサでよい。物品は光学要素でよい。物品はレンズ、好ましくは最終レンズ要素でよい。物品は封じ込め構造でよい。物品はシャッタ部材でよい。物品は投影システムでよい。
[00135] 実施形態では、リソグラフィ装置の表面の少なくとも一部をＤＵＶ放射の効果から保護するために、上述した方法で規定されたようなコーティングの使用が提供される。
[00136] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (16)

  1. 部品の表面の少なくとも一部が元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングを有し、
    ＳｉとＦの間のモル比が１：０．１＜Ｓｉ：Ｆ＜１：２の範囲である、
    リソグラフィ装置。
  2. ＵＶ放射源を備え、元素Ｓｉ、Ｏ及びＦを含むコーティングを有する部品を備え、
    ＳｉとＦの間のモル比が１：０．１＜Ｓｉ：Ｆ＜１：２の範囲である、
    装置。
  3. 前記コーティングが基本的に元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨで構成される、請求項１又は２に記載の装置。
  4. 前記元素が、前記コーティング内に存在する化合物を構成する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
  5. 前記Ｆが前記Ｃ及び／又は前記Ｓｉと共有結合している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
  6. 前記コーティングが元素Ｃを含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の装置。
  7. 部品の表面の少なくとも一部が元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含み元素Fを含まないコーティングを有するリソグラフィ装置。
  8. 前記Ｏが前記Ｓｉと共有結合している、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置。
  9. 前記装置が液浸リソグラフィ装置である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
  10. 前記部品が、センサ、基板テーブル、シャッタ部材、封じ込め構造、及び光学要素で構成されたグループから選択された部材である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の装置。
  11. ＳｉとＯのモル比が１：１＜Ｓｉ：Ｏ＜１：２の範囲である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置。
  12. ＳｉとＣのモル比が１：０．１＜Ｓｉ：Ｃ＜１：２．５の範囲である、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の装置。
  13. 基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択され、表面の少なくとも一部が元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含むコーティングで被覆される物品であって、
    ＳｉとＦの間のモル比が１：０．１＜Ｓｉ：Ｆ＜１：２の範囲である、
    物品。
  14. 基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択され、表面の少なくとも一部が元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含み元素Fを含まないコーティングで被覆される物品。
  15. リソグラフィ装置の表面の少なくとも一部の部品をＤＵＶ放射の効果から保護するために、前記少なくとも一部の部品を、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｆ及び任意選択でＣ及びＨを含む化合物でコーティングすることを含み、ＳｉとＦの間のモル比が１：０．１＜Ｓｉ：Ｆ＜１：２の範囲である、リソグラフィ装置の部品の製造方法。
  16. リソグラフィ装置の表面の少なくとも一部の部品をＤＵＶ放射の効果から保護するために、前記少なくとも一部の部品を、元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含み元素Fを含まない化合物でコーティングすることを含む、リソグラフィ装置の部品の製造方法。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009026419A1 (en) 2007-08-23 2009-02-26 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Optimized cmp conditioner design for next generation oxide/metal cmp
JP4922322B2 (ja) * 2008-02-14 2012-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． コーティング
KR101413030B1 (ko) * 2009-03-24 2014-07-02 생-고벵 아브라시프 화학적 기계적 평탄화 패드 컨디셔너로 사용되는 연마 공구
JP2010251745A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Asml Netherlands Bv 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
GB2470049B (en) * 2009-05-07 2011-03-23 Zeiss Carl Smt Ag Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects
CA2764358A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-09 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Corrosion-resistant cmp conditioning tools and methods for making and using same
NL2004807A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method.
SG178605A1 (en) 2009-09-01 2012-04-27 Saint Gobain Abrasives Inc Chemical mechanical polishing conditioner
JP5507392B2 (ja) 2009-09-11 2014-05-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2005478A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method.
NL2005479A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method.
NL2005657A (en) * 2009-12-03 2011-06-06 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a method of forming a lyophobic coating on a surface.
NL2006054A (en) 2010-02-09 2011-08-10 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2006203A (en) * 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2006244A (en) 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus.
JP5313293B2 (ja) 2010-05-19 2013-10-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2008239A (en) * 2011-03-28 2012-10-01 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP6077792B2 (ja) * 2012-08-28 2017-02-08 株式会社ブリヂストン 硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化層を少なくとも表面に有する部材
ES2967531T3 (es) * 2013-02-12 2024-04-30 Fraunhofer Ges Forschung Lámina de separación recubierta de silicona con una capacidad especial de embutición en vacío
NL2015033A (en) * 2014-07-25 2016-06-27 Asml Netherlands Bv An Immersion Lithographic Apparatus, and a Device Manufacturing Method.
JP6458490B2 (ja) * 2014-12-25 2019-01-30 富士ゼロックス株式会社 折り増し装置及びこれを用いた後処理装置、処理装置
NL2017128A (en) * 2015-07-16 2017-01-23 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a projection system, a last lens element, a liquid control member and a device manufacturing method
US10625971B2 (en) * 2016-01-29 2020-04-21 Canon Finetech Nisca Inc. Apparatus for processing sheets, apparatus for forming images and method of pressing folds of sheets

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62239101A (ja) * 1986-04-11 1987-10-20 Canon Inc 光学素子およびその製造方法
JPS63124001A (ja) * 1986-11-14 1988-05-27 Minowa Megane:Kk プラスチツクレンズの染色方法
US5563105A (en) 1994-09-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element
JPH09324139A (ja) * 1996-04-03 1997-12-16 Toyota Autom Loom Works Ltd 高撥水・撥油性ハードコート液及びその製造方法
US6015597A (en) * 1997-11-26 2000-01-18 3M Innovative Properties Company Method for coating diamond-like networks onto particles
JPH11158631A (ja) * 1997-12-01 1999-06-15 Tdk Corp 保護膜およびその製造方法ならびに物品
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000096233A (ja) * 1998-06-20 2000-04-04 Nissin Electric Co Ltd 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法
US6518646B1 (en) 2001-03-29 2003-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device with variable composition low-k inter-layer dielectric and method of making
DE10131156A1 (de) 2001-06-29 2003-01-16 Fraunhofer Ges Forschung Arikel mit plasmapolymerer Beschichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4221949B2 (ja) 2002-05-17 2009-02-12 コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 トナー担持体
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100585476B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6811936B2 (en) * 2002-12-31 2004-11-02 Freescale Semiconductor Inc. Structure and process for a pellicle membrane for 157 nanometer lithography
JP2005101558A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、及び表示装置
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1965389B (zh) 2004-06-09 2011-08-10 尼康股份有限公司 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1801850B1 (en) 2004-09-17 2014-11-26 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1843386A1 (en) 2005-01-18 2007-10-10 Nikon Corporation Liquid removing apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP4262252B2 (ja) 2005-03-02 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置
JP4194612B2 (ja) * 2005-06-08 2008-12-10 キヤノン株式会社 近接場露光用マスク、該マスクの製造方法、該マスクを備えた近接場露光装置及びレジストパターンの形成方法
US7659039B2 (en) 2005-06-08 2010-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Near-field exposure mask, method of producing that mask, near-field exposure apparatus having that mask, and resist pattern forming method
TWI269937B (en) * 2005-10-13 2007-01-01 Promos Technologies Inc Phase shifting mask and method for preparing the same and method for preparing a semiconductor device using the same
US7310132B2 (en) 2006-03-17 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7709813B2 (en) * 2006-04-03 2010-05-04 Nikon Corporation Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids
JP2007320142A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Meisho Kiko Kk ナノインプリント用モールド
US7500397B2 (en) * 2007-02-15 2009-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films
WO2009017634A2 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Corning Incorporated Cleaning method for duv optical elements to extend their lifetime
NL1035757A1 (nl) 2007-08-02 2009-02-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4922322B2 (ja) * 2008-02-14 2012-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． コーティング

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