JP2012094913A - コーティング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コーティングが開示される。コーティングは、放射源を有する装置、例えばリソグラフィ装置に使用することができる。コーティングは元素Si、O、F及び任意選択でC及びHを含む。物品も開示される。物品は、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループのいずれか1つでよい。物品の表面の少なくとも一部がコーティングで被覆される。コーティングは元素Si、O、F及び任意選択でC及びHを含む。コーティングは元素Si、O、C及びHを含んでよい。
【選択図】図1
Description
i)10から40、望ましくは15から30、例えば19から26の珪素の原子百分率
ii)15から60、望ましくは20から54、例えば23から49の酸素の原子百分率
iii)3から40、望ましくは5から30、例えば4から17のフッ素の原子百分率
iv)10から50、望ましくは15から45、例えば19から40の炭素の原子百分率
i)15から35、望ましくは20から30、例えば25から26の珪素の原子百分率
ii)20から55、望ましくは25から45、例えば30から40の酸素の原子百分率
iii)20から55、望ましくは30から50、例えば33から45の炭素の原子百分率
(実施例)
1)2つのSiウェーハを準備した。第一ウェーハはSiOxCyHzコーティング(500nm)を有し、第二ウェーハはSiOxCyFzコーティング(1.2μm)を有していた。両方のコーティングをPECVDで塗布した。対照として作用するように、テフロン(登録商標)AFコーティングを有するSiウェーハサンプルも準備した。
2)次に、コーティングを停滞水及び流水(1L/分)の両方に入れて、60、500及び次に1000J/cm2(機械の寿命の0.5%)の合計DUVドーズ量で露光した。
3)次に、後退接触角(RCA)の測定によって、DUV放射に対するコーティングの抵抗を割り出した。
Claims (16)
- 部品の表面の少なくとも一部が元素Si、O、F及び任意選択でC及びHを含むコーティングを有するリソグラフィ装置。
- UV放射源を備え、元素Si、O及びFを含むコーティングを有する部品を備える装置。
- 前記コーティングが基本的に元素Si、O、F及び任意選択でC及びHで構成される、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記元素が、前記コーティング内に存在する化合物を構成する、前記請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記Fが前記C及び/又は前記Siと共有結合する、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- SiとFの間のモル比が1:0.1<Si:F<1:2の範囲である、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コーティングが前記元素Cを含む、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 部品の表面の少なくとも一部が元素Si、O、C及びHを含むコーティングを有するリソグラフィ装置。
- 前記Oが前記Siと共有結合する、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記装置が液浸リソグラフィ装置である、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記部品が、センサ、基板テーブル、シャッタ部材、封じ込め構造、及び光学要素で構成されたグループから選択された部材である、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- SiとOのモル比が1:1<Si:O<1:2の範囲である、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- SiとCのモル比が1:0.1<Si:C<1:2.5の範囲である、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択され、表面の少なくとも一部が元素Si、O、F及び任意選択でC及びHを含むコーティングで被覆される物品。
- 基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループから選択され、表面の少なくとも一部が元素Si、O、C及びHを含むコーティングで被覆される物品。
- リソグラフィ装置の表面の少なくとも一部をDUV放射の効果から保護する、請求項1から9及び12から13のいずれか1項に記載のコーティングの使用。
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