JP5584745B2 - 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダ製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、λは使用する放射の波長であり、NAはパターンの印刷に使用する投影システムの開口数であり、k1はプロセス依存調整係数であり、レイリー定数とも呼ばれ、CDは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ(又はクリティカルディメンション)である。式(1)から、フィーチャの最小印刷可能サイズの低減は3つの方法で達成可能であることが分かる。すなわち、露光波長λを短縮するか、開口数NAを大きくするか、又はk1の値を低減するという方法である。
[0037] − 放射ビームB(例えばUV放射、DUV放射、又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0038] − パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0039] − 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0040] − パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
[0065] 1.ステップモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0066] 2.スキャンモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cの(スキャン方向における)高さが決まる。
[0067] 3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (13)
- リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
表面を有する本体と、
前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
前記本体表面の少なくとも一部に設けられた平坦化層と、
前記平坦化層上に設けられ、電気コンポーネントを形成する薄膜スタックと、
を備え、
前記平坦化層は、山部から谷部までの距離が約10μm未満である外面を有し、
前記バールは、前記平坦化層の溶媒又は前駆物質を反発するように処理されている外面を有する、
基板ホルダ。 - 前記バールの前記外面は、反発性物質の付与によって処理される、請求項1に記載の基板ホルダ。
- 前記反発性物質は、ポリシラザン溶液、オクタデシルトリクロロシラン、メチル末端ポリマー、シロキサン、シラザン、フッ化材料、疎水性単層材料、シラン、フッ化シラン及びフルオロ−オクチル−トリクロロ−シランからなる群から選択される1つ又は複数である、請求項2に記載の基板ホルダ。
- 前記平坦化層は、ベンゾシクロブテン、パーヒドロポリシラザン、SiO2、化学的気相堆積したパラキシリレン系ポリマー及び/又はポリイミドからなる群から選択される材料、又は材料の組合せで形成される、請求項1から3のいずれかに記載の基板ホルダ。
- 前記電子コンポーネントは、電極、ヒータ、センサ、トランジスタ及び論理デバイスからなる群から選択されるコンポーネントである、請求項1から4のいずれかに記載の基板ホルダ。
- 前記電極は、使用時に静電クランプの電極である、請求項5に記載の基板ホルダ。
- パターニングデバイスを支持する支持構造と、
前記パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板に投影する投影システムと、
前記基板を保持する請求項1から6のいずれかに記載の基板ホルダと、
を備える、リソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
基板ホルダ内で基板を保持しながら、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを前記基板に投影することを含み、
前記基板ホルダは、表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、前記本体表面の少なくとも一部に設けられた平坦化層と、前記平坦化層に設けられて電気コンポーネントを形成する薄膜スタックとを備え、前記平坦化層は、山部から谷部までの距離が約10μm未満である外面を有し、前記バールは、前記平坦化層の溶媒又は前駆物質を反発するように処理されている外面を有する、デバイス製造方法。 - リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダを製造する方法であって、
表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けること、
前記本体表面の少なくとも一部に平坦化層を形成すること、及び
前記平坦化層上に薄膜スタックを形成すること、
を含み、
前記薄膜スタックは電気コンポーネントを形成し、前記平坦化層は、山部から谷部までの距離が約10μm未満である外面を有し、
前記平坦化層を形成する前に、前記平坦化層の形成に使用される材料の溶媒又は前駆物質を反発するよう、前記バールの前記表面を選択的に処理することをさらに含む、
方法。 - 前記バールの前記表面の処理は、前記バールに反発性物質を付与することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記反発性物質の付与は、
バールを露出させ、前記基板ホルダの他の部分を遮蔽するマスクを前記基板ホルダ上に形成すること、及び
前記マスクによって露出した前記基板ホルダの前記部分に前記反発性材料を付与すること、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記反発性物質は、ポリシラザン溶液、オクタデシルトリクロロシラン、メチル末端ポリマー、シロキサン、シラザン、フッ化材料、疎水性単層材料、シラン、フッ化シラン及びフルオロ−オクチル−トリクロロ−シランからなる群から選択される1つ又は複数である、請求項10又は請求項11に記載の方法。
- 前記薄膜スタックの下にある前記本体の前記表面の部分は、溶媒又は前駆物質を反発する処理を受けない、請求項9から12のいずれかに記載の方法。
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