KR102390754B1 - 기판 홀더 및 디바이스를 제조하는 제조 방법 - Google Patents

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토마스 포이에즈
사티쉬 아찬타
제로엔 보우비크네그트
아브라햄 알렉산더 소에투우드
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

기판 홀더(holder), 이러한 기판 홀더를 제조하는 방법 및 이러한 기판 홀더를 포함하는 리소그래피(lithographic) 장치가 개시된다. 일 구성에서, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 기판 홀더가 제공된다. 기판 홀더는 기판의 하부 표면을 지지하도록 구성된다. 기판 홀더(WT)는 메인 본체(40), 복수의 버얼(burl) 및 코팅(23)을 포함한다. 메인 본체는 기판-대면 면(substrate-facing face)(41)을 갖는다. 복수의 버얼은 기판-대면 면으로부터 돌출된다. 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 갖는다. 원위 단부는 기판을 지지하도록 구성된다. 코팅은 버얼들 사이에서 기판-대면 면 상에 있다. 버얼들 사이에서 기판-대면 면은 영역들(42, 43)의 배열체를 포함한다. 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리된다. 각각의 단차 변화는 코팅의 두께보다 크다.

Description

기판 홀더 및 디바이스를 제조하는 제조 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017년 11월 8일에 출원되었고 본 명세서에 전체적으로 참조로 통합되는 EP 출원 제17200605.8호에 대한 우선권을 주장한다.
본 발명은 기판 홀더(holder), 리소그래피 장치(lithographic apparatus), 디바이스 제조 방법 및 기판 홀더를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 일반적으로 기판의 타겟 부분 상에 원하는 패턴을 적용하는 기계이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(ICs)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 대안적으로 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)로 지칭되는 패터닝 디바이스(patterning device)가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하도록 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 부분(예를 들어, 하나 또는 다수의 다이의 부분을 포함함) 상에 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트)의 층 상으로의 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 부분들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는 각각의 타겟 부분이 한 번에 타겟 부분 상에 전체 패턴을 노광시킴으로써 조사되는(irradiated) 소위 스테퍼(steppers)와, 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 부분이 조사되고 이 방향에 대해 평행하게 또는 역-평행하게 기판을 동기식으로 스캐닝하는 소위 스캐너를 포함한다. 패턴을 기판 상에 임프린트함으로써 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판으로 전사하는 것이 또한 가능하다.
패터닝 디바이스로부터 패턴을 전사할 때 기판은 리소그래피 장치에서 기판 홀더 상에 클램핑된다. 기판 홀더는 통상적으로 기판을 지지하기 위해 복수의 버얼(burl)을 갖는다. 기판과 접촉하는 버얼의 총 면적은 기판의 총 면적에 비해 작다. 따라서, 기판 또는 기판 홀더의 표면 상에 무작위로 위치된 오염물 입자가 버얼과 기판 사이에 포획될 가능성은 작다.
기판 홀더 상에 층 또는 코팅이 제공될 수 있다. 단지 예로서, 다이아몬드 유사 탄소(DLC)의 층 또는 코팅이 기판 홀더 상에 제공될 수 있다. 이러한 코팅은 기판 홀더가 변형되게 할 수 있다. 이는 코팅 내부의 내부 응력에 기인한 것일 수 있다. 기판 홀더의 변형은 포커스의 정확도의 감소와 같은 문제점들을 야기할 수 있다.
예를 들어, 포커스 에러를 감소시킬 수 있는 개선된 기판 홀더를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 위한 기판 홀더가 제공되고, 기판 홀더는 기판의 하부 표면을 지지하도록 구성되고,
기판 홀더는
기판-대면 면(substrate-facing face)을 갖는 메인 본체;
기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
버얼들 사이에서 기판-대면 면 상의 코팅 - 코팅은 두께를 가짐 -
을 포함하고,
버얼들 사이에서 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 각각의 단차 변화는 코팅의 두께보다 더 크다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 위한 기판 홀더가 제공되고, 기판 홀더는 기판의 하부 표면을 지지하도록 구성되고,
기판 홀더는
기판-대면 면을 갖는 메인 본체;
기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
버얼들 사이에서 기판-대면 면 상의 코팅
을 포함하고,
버얼들 사이에서 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 인접한 영역들은 측벽에 의해 연결되고, 측벽 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들 사이에 응력을 전달하기에 불충분하다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이 제공되고,
상기 디바이스 제조 방법은
기판 홀더 상에 기판을 유지하면서 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계
를 포함하고,
기판 홀더는
기판-대면 면을 갖는 메인 본체;
메인 본체의 기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
버얼들 사이에서 기판-대면 면 상의 코팅 - 코팅은 두께를 가짐 -
을 포함하고,
버얼들 사이에서 메인 본체의 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 각각의 단차 변화는 코팅의 두께보다 더 크다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이 제공되고,
상기 디바이스 제조 방법은
기판 홀더 상에 기판을 유지하면서 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계
를 포함하고,
기판 홀더는
기판-대면 면을 갖는 메인 본체;
메인 본체의 기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
버얼들 사이에서 기판-대면 면 상의 코팅
을 포함하고,
버얼들 사이에서 메인 본체의 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 인접한 영역들은 측벽에 의해 연결되고, 측벽 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들 사이에 응력을 전달하기에 불충분하다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법이 제공되고,
상기 방법은
기판-대면 면을 갖는 메인 본체를 제공하는 단계;
메인 본체의 기판-대면 면으로부터 돌출하는 복수의 버얼을 형성하는 단계 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고 기판을 지지하도록 구성됨 - ;
버얼들 사이에서 메인 본체의 기판-대면 면이 영역들의 배열체를 포함하도록 기판-대면 면을 성형하는 단계 - 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리됨 - ; 및
버얼들 사이에서 메인 본체의 기판-대면 면 상에 코팅을 형성하는 단계 - 코팅은 두께를 가지며, 각각의 단차 변화는 코팅의 두께보다 더 큼 -
를 포함한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법이 제공되고,
상기 방법은
기판-대면 면을 갖는 메인 본체를 제공하는 단계;
메인 본체의 기판-대면 면으로부터 돌출하는 복수의 버얼을 형성하는 단계 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고 기판을 지지하도록 구성됨 - ;
버얼들 사이에서 메인 본체의 기판-대면 면이 영역들의 배열체를 포함하도록 기판-대면 면을 성형하는 단계 - 인접한 영역들은 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리됨 - ; 및
버얼들 사이에서 메인 본체의 기판-대면 면 상에 코팅을 형성하는 단계 - 인접한 영역들은 측벽에 의해 연결되고, 측벽 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들 사이에 응력을 전달하기에 불충분하다.
본 발명의 실시예는 이제 대응하는 참조 부호가 대응하는 부분을 나타내는 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 홀더를 평면도로 도시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 기판 홀더의 버얼을 단면도로 도시한다.
도 4는 일 실시예에 따른 기판 홀더의 기판-대면 면의 인접한 영역들을 단면도로 도시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 기판 홀더의 기판-대면 면의 2 개의 인접한 영역을 단면도로 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따른 기판 홀더의 기판-대면 면의 영역들의 배열체를 평면도로 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른 기판 홀더의 버얼 및 영역들의 배열체를 단면도로 도시한다.
도 8은 기판 홀더의 기판-대면 면의 인접한 영역들을 연결하는 측벽 상의 코팅을 단면도로 도시한다.
도 9는 일 실시예에 따른 영역들의 배열체를 평면도로 도시한다.
도 10은 대안적인 실시예에 따른 영역들의 배열체를 평면도로 도시한다.
도 11은 대안적인 실시예에 따른 영역들의 배열체를 평면도로 도시한다.
도 12는 기판 홀더의 변형을 단면도로 도시한다.
도 13은 일 실시예에 따른 기판 홀더의 코팅에 의해 발생되는 변형을 단면도로 도시한다.
도 1은 일 실시예의 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 다음을 포함한다:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조사 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치 결정시키도록 구성된 제 1 포지셔너(PM)에 연결된 지지 구조물(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 특정 파라미터에 따라, 테이블, 예를 들어 기판(W)의 표면을 정확하게 위치 결정시키도록 구성된 제 2 포지셔너(PW)에 연결된 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 생산 기판)(W)을 유지하도록 구성된 기판 지지 장치(60) 또는 하나 이상의 센서를 지지하는 지지 테이블, 예를 들어 센서 테이블; 및
- 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟 부분(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이의 일부를 포함) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).
조사 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위해 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 유형의 광학 구성 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 구성 요소를 포함할 수 있다.
지지 구조물(MT)은 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조물(MT)은 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치의 설계 및 다른 조건, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경으로 유지되는지 여부에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조물(MT)은 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기 또는 다른 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지 구조물(MT)은 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 또는 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조물(MT)은 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있도록 보장할 수 있다. 본 명세서에서 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 임의의 사용은 "패터닝 디바이스"와 같은 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "패터닝 디바이스"는 예를 들어 기판(W)의 타겟 부분에 패턴을 생성하기 위해 그의 단면에 패턴을 갖는 방사선 빔을 부여하는데 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 광범위하게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-시프팅 특징 또는 소위 보조 특징을 포함하는 경우, 기판(W)의 타겟 부분에서 원하는 패턴에 정확하게 대응하지 않을 수 있다는 점에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟 부분에서 생성되는 디바이스에서의 특정 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과성 또는 반사성일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그래밍 가능한 거울 어레이, 및 프로그래밍 가능한 LCD 패널이 포함된다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있으며, 이진, 교번 위상-시프트 및 감쇠 위상-시프트와 같은 마스크 유형뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 유형도 포함한다. 프로그래밍 가능한 거울 어레이의 예는 작은 거울의 매트릭스 배열을 사용하며, 이들의 각각은 입사 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키기 위해 개별적으로 경사질 수 있다. 경사진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "투영 시스템"은 사용되는 노광 방사선, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인에 적합한 바와 같이, 굴절, 반사, 반사 굴절의, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 유형의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 용어 "투영 렌즈"의 임의의 사용은 더 일반적인 용어인 "투영 시스템"과 동의어로 간주될 수 있다.
여기에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치는(예를 들어, 투과형 마스크를 사용하는) 투과형이다. 대안적으로, 리소그래피 장치는 반사형일 수 있다(예를 들어, 위에서 언급된 유형의 프로그래밍 가능한 거울 어레이를 사용하거나, 도는 반사 마스크를 사용함).
리소그래피 장치는 2 개 이상의 테이블[또는 스테이지(들) 또는 지지부(들)]을 갖는 유형일 수 있는데, 예를 들어, 2 개 이상의 기판 테이블 또는 하나 이상의 기판 테이블 및 하나 이상의 센서 또는 측정 테이블의 조합을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기계에서, 복수의 테이블이 병렬로 사용될 수 있거나, 또는 하나 이상의 다른 테이블이 노광을 위해 사용되는 동안 하나 이상의 테이블에서 준비 단계가 수행될 수 있다. 리소그래피 장치는 기판, 센서 및 측정 테이블과 유사한 방식으로 병렬로 사용될 수 있는 2 개 이상의 패터닝 디바이스 테이블[또는 스테이지(들) 또는 지지체(들)]을 가질 수 있다. 리소그래피 장치는 노광 이전에 생산 기판을 특성화하기 위한 다양한 센서가 존재하는 측정 스테이션 및 노광이 명령되는 노광 스테이션을 갖는 유형일 수 있다.
리소그래피 장치는 기판(W)의 적어도 일부가 비교적 높은 굴절률을 갖는 침지 액체, 예를 들어 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 침지 공간(11)을 채우도록 초순수(ultra pure water)(UPW)와 같은 물로 덮일 수 있는 유형일 수 있다. 침지 액체는 또한 리소그래피 장치에서의 다른 공간, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)와 투영 시스템(PS) 사이에 적용될 수도 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "침지"는 기판(W)과 같은 구조물이 침지 액체에 침지되어야 한다는 것을 의미하지는 않으며; 오히려 "침지"는 단지 노광 동안 침지 액체가 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 위치된다는 것을 의미한다. 투영 시스템(PS)으로부터 기판(W)으로의 패터닝된 방사선 빔(B)의 경로는 전체적으로 침지 액체를 통과한다. 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소와 기판(W) 사이에 침지 액체를 제공하기 위한 장치에서, 액체 한정 구조물(12)은 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(100)와 투영 시스템(PS)과 대면하는 스테이지 또는 테이블의 대면 표면 사이의 침지 공간의 경계의 적어도 일부를 따라 연장된다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수신한다. 예를 들어, 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별개의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은, 예를 들어 적합한 지향 거울 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 소스(SO)는 예를 들어 소스(SO)가 수은 램프인 경우 리소그래피 장치의 필수 부분일 수 있다. 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께, 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는 방사선 시스템으로 지칭될 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔(B)의 각도 세기 분포를 조정하기 위한 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터(IL)의 동공 평면에서의 세기 분포의 적어도 외부 및/또는 내부 방사상 범위(일반적으로 각각 σ-외부 및 σ-내부로 지칭됨)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 적분기(IN) 및 응축기(CO)와 같은 다양한 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다. 소스(SO)와 유사하게, 일루미네이터(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하도록 고려되거나 또는 고려되지 않을 수 있다. 예를 들어, 일루미네이터(IL)는 리소그래피 장치의 필수 부분일 수 있거나 또는 리소그래피 장치와 별도의 개체일 수 있다. 후자의 경우, 리소그래피 장치는 일루미네이터(IL)가 그 위에 장착될 수 있도록 구성될 수 있다. 선택적으로, 일루미네이터(IL)는 (예를 들어, 리소그래피 장치 제조사 또는 다른 공급자에 의해) 분리 가능하며, 별도로 제공될 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조물(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되어, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지른 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 이 투영 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟 부분(C)에 포커싱한다. 제 2 포지셔너(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계(interferometric) 장치, 선형 인코더 또는 용량성 센서)를 사용하여, 기판 지지 장치(60)는 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟 부분(C)을 위치 결정시키기 위해 정확하게 이동될 수 있다.
유사하게, 제 1 포지셔너(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시적으로 도시되지 않음)는 예를 들어, 마스크 라이브러리에서 기계적 검색 후 또는 스캔 중에, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치 결정시키기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조물(MT)의 이동은 제 1 포지셔너(PM)의 일부를 형성하는 장-행정 모듈(거친 포지셔닝) 및 단-행정 모듈(미세 포지셔닝)의 도움으로 구현될 수 있다. 유사하게, 기판 지지 장치(60)의 이동은 제 2 포지셔너(PW)의 일부를 형성하는 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 사용하여 구현될 수 있다.
(스캐너와 대조적으로) 스테퍼(stepper)의 경우에, 지지 구조물(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 또는 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크(P1, P2)가 전용 타겟 부분을 점유하지만, 이들은 타겟 부분들(C) 사이의 공간에 위치될 수 있다(이들은 스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 유사하게, 하나 초과의 다이가 패터닝 디바이스(MA) 상에 제공되는 상황에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2)는 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조물(MT) 및 기판 지지 장치(60)는 본질적으로 정지 상태로 유지되고, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴이 한 번에 타겟 부분(C) 상으로 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 이어서, 기판 지지 장치(60)는 상이한 타겟 부분(C)이 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광으로 이미징되는 타겟 부분(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조물(MT) 및 기판 지지 장치(60)는 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 동안 동기적으로 스캔된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조물(MT)에 대한 기판 지지 장치(60)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 (역) 배율 및 이미지 반전 특성에 의해 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광에서 타겟 부분(C)의 폭(비-스캔 방향)을 제한하고, 한편 스캐닝 동작의 길이(및 노광 필드의 크기)는 타겟 부분(C)의 (스캔 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 다른 모드에서, 지지 구조물(MT)은 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스를 유지하면서 본질적으로 정지 상태로 유지되고, 기판 지지 장치(60)는 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 동안 이동되거나 또는 스캔된다. 이 모드에서, 일반적으로 펄스 방사선 소스가 이용되고, 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스는 기판 지지 장치(60)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안 연속적인 방사선 펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이러한 동작 모드는 상술한 바와 같은 유형의 프로그래밍 가능한 거울 어레이와 같은, 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크-리스(maskless) 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
위에서 설명한 사용 모드 또는 완전히 다른 사용 모드에 대한 조합 및/또는 변형이 또한 사용될 수도 있다.
제어기(500)는 리소그래피 장치의 전체 동작을 제어하고, 특히 아래에서 더 설명되는 동작 프로세스를 수행한다. 제어기(500)는 중앙 처리 장치, 휘발성 및 비-휘발성 저장 수단, 키보드 및 스크린과 같은 하나 이상의 입력 및 출력 디바이스, 리소그래피 장치의 다양한 부분에 대한 하나 이상의 네트워크 연결부 및 하나 이상의 인터페이스를 포함하는 적절하게 프로그래밍된 범용 컴퓨터로서 구현될 수 있다. 컴퓨터 제어와 리소그래피 장치 사이의 일대일 관계는 필요하지 않다는 것이 이해될 것이다. 하나의 컴퓨터가 복수의 리소그래피 장치를 제어할 수 있다. 복수의 네트워크 연결된 컴퓨터는 하나의 리소그래피 장치를 제어하는데 사용될 수 있다. 제어기(500)는 또한 리소그래피 장치가 그의 일부를 형성하는 리소셀(lithocell) 또는 클러스터에서 하나 이상의 관련 프로세스 디바이스 및 기판 처리 장치를 제어하도록 구성될 수 있다. 제어기(500)는 또한 리소셀 또는 클러스터의 감시 제어 시스템 및/또는 팹(fab)의 전체 제어 시스템에 종속되도록 구성될 수도 있다.
기판 지지 장치(60)는 기판 홀더(WT)를 포함한다. 기판(W)은 통상적으로 노광 동안 기판 홀더(WT)에 클램핑된다. 일반적으로 2 개의 클램핑 기술이 사용된다. 진공 클램핑에서, 예를 들어, 기판 홀더(WT)와 기판(W) 사이의 공간을 기판(W) 위의 고압보다 낮은 저압에 연결함으로써, 기판(W)에 걸친 압력 차이가 확립된다. 압력 차이는 기판(W)을 기판 홀더(WT)에 유지하는 힘을 발생시킨다. 정전기 클램핑에서, 정전기력은 기판(W)과 기판 홀더(WT) 사이에 힘을 가하기 위해 사용된다. 이를 달성하기 위해 몇 가지 다른 배열이 알려져 있다. 일 배열에서, 제 1 전극은 기판(W)의 하부 표면 상에 제공되고, 제 2 전극은 기판 홀더(WT)의 상부 표면 상에 제공된다. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 전위차가 확립된다. 다른 배열에서, 2 개의 반원형 전극이 기판 홀더(WT) 상에 제공되고, 도전 층이 기판(W) 상에 제공된다. 2 개의 반원형 전극 사이에 전위차가 가해져서, 2 개의 반원형 전극 및 기판(W) 상의 도전 층이 직렬로 2 개의 커패시터와 같이 작용한다.
기판 홀더(WT) 상에 층 또는 코팅이 제공될 수 있다. 예를 들어, 다이아몬드 유사 탄소(DLC)의 층 또는 코팅이 기판 홀더(WT) 상에 제공될 수 있다. 다른 코팅이 기판 홀더(WT) 상에 제공될 수 있다. 기판 홀더(WT)에는 기판 홀더(WT)와 기판(W) 사이의 계면 특성을 향상시키기 위해 DLC 층이 제공될 수 있다. 기판 홀더(WT) 상의 DLC 층은 기판 홀더(WT)의 지지 평면(SP)에 평행한 방향(따라서, 기판(W)의 표면에 평행한 방향)으로 마찰을 감소시킨다. DLC 층은 SiSiC로 제조된 버얼들과 비교하여, 버얼들과 기판(W) 사이의 마찰 계수를 약 2 배만큼 감소시킬 수 있다. 이는 기판 홀더(WT) 상에 배치될 때 기판(W)이 완전히 이완될 수 있게 한다. 이는 오버레이 오차를 감소시킨다. 기판 홀더(WT)를 DLC로 코팅하는 것은 기판 홀더(WT)의 수명을 증가시키는 추가적인 이점을 갖는다. DLC 층의 경도 및 인성은 기판(W)과 물리적으로 접촉할 때 기판 홀더(WT)의 마모를 감소시킨다.
DLC 층은 마찰을 감소시키고(따라서 오버레이 오차를 감소시키고) 그리고/또는 기판 홀더(WT)의 마모를 감소시키기 위해 기판 홀더(WT) 상에 제공될 수 있는 탄소 기반 재료 층의 일 예이다. 본 발명의 실시예들은 DLC를 구체적으로 참조하여 설명될 것이다. 그러나, 대안적인 실시예에서, 임의의 다른 코팅, 예를 들어 잔류 응력을 갖는 코팅이 DLC 대신에 또는 이에 추가적으로 사용될 수 있다.
이러한 코팅은 고체 및/또는 무기 탄소 기반 재료일 수 있다. 코팅은 기판 홀더(WT)의 메인 본체보다 마모에 대한 더 높은 탄성을 가질 수 있다. 코팅은 그래핀을 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅은 다음의 것들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료를 포함할 수 있다: 다이아몬드 유사 탄소, 그래핀, 흑연, 사면체 비정질 탄소(ta-C), 비정질 탄소(a-C), 텅스텐이 통합된 비정질 탄소(a-C:W), 텅스텐이 통합된 사면체 비정질 탄소(ta-C:W), 수소화된 비정질 탄소(a-C:H), 사면체 수소화 비정질 탄소(ta-C:H), 텅스텐이 통합된 수소화된 비정질 탄소(a-C:H:W), 텅스텐이 통합된 사면체 수소화 비정질 탄소(ta-C:H:W), 실리콘 도핑이 있는 수소화 비정질 탄소(a-C:H:Si), 실리콘 도핑이 있는 사면체 수소화 비정질 탄소(ta-C:H:Si), 불소 도핑이 있는 수소화된 비정질 탄소(a-C:H:F), 불소 도핑이 있는 사면체 수소화된 비정질 탄소(ta-C:H:F), 초 나노결정 다이아몬드(UNCD), 다이아몬드, 텅스텐 카바이드, 크롬 카바이드, 티타늄 카바이드, Cr2C/a-C:H, 흑연/TiC/Ti 합금, 및 알루미나에 통합된 다중 벽 탄소 나노 튜브(MWCNT). 이들 탄소 기반 재료 각각은 마모에 대한 높은 탄성 및 낮은 마찰 특성을 나타낸다. 아래에서 설명되는 실시예들에서, 이들 특정 탄소 기반 재료 중 임의의 하나가 DLC 대신에 또는 이에 추가적으로 사용될 수 있다.
본 발명자들은 기판 홀더(WT) 상에 제공된 DLC 층과 같은 탄소 기반 재료 층이 높은 내부 압축 응력을 발생시킨다는 것을 확인하였다. 이러한 내부 응력은 DLC와 같은 탄소 기반 재료의 생산 공정 및 재료 특성에 기인한다. 예를 들어, DLC 층에서의 내부 응력은 기판 홀더(WT)의 변형을 야기할 수 있다. 변형은 기판 홀더(WT)의 굽힘, 기판 홀더(WT)의 컬링(curling), 또는 다른 변형을 포함할 수 있다. 본 발명자들은 1 ㎛ 두께의 DLC 층으로 코팅된 전형적인 기판 홀더(WT)에 대해 측정을 수행하였으며, 2.5 마이크로미터 정도의 전체 피크-밸리(peak-valley) 변형을 발견하였다. 이러한 변형은 기판(W) 및 기판 홀더(WT)를 제 2 포지셔너(PW)에 대해 클램핑함으로써 부분적으로 억제될 수 있다. 그러나, 기판 홀더(WT)의 외부 에지는 클램프 시스템에 의해 지지되지 않을 수 있다. 따라서, DLC 층의 내부 응력으로 인한 기판 홀더(WT)의 외부 에지의 변형이 억제될 수 없다. 전형적인 기판 홀더(WT)에서의 측정에서, 본 발명자들은 이 효과가 외부 에지의 150 nm 내지 200 nm 컬 다운을 초래한다는 것을 발견하였다. 결과적으로, 외부 에지는 리소그래피 장치의 포커스에서 벗어날 수 있다. 기판 홀더(WT)의 전체적인 변형을 보상하는 하나의 가능성은 DLC 층이 도포된 후 기판 홀더(WT)의 평탄도(flatness)를 보정하는 것이다. 그러나, 이 방법은 광범위하고 값 비싼 후처리가 필요로 한다. 이러한 후처리가 적용되더라도, 많은 리소그래피 프로세스에 대해 평탄도 요건이 충족되지 않을 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 기판 홀더(WT)는 기판(W)의 하부 표면을 지지하도록 구성된다. 기판 홀더(WT)는 메인 본체(40)를 포함한다. 메인 본체(40)는 기판-대면 면(41)을 갖는다.
일 실시예에서, 기판 홀더(WT)는 기판-대면 면(41)으로부터 돌출된 복수의 버얼(20)(예를 들어,도 3, 도 6 및 도 7 참조)을 포함한다. 각각의 버얼(20)은 기판(W)과 결합하도록 구성된 원위 단부를 갖는다. 원위 단부는 실질적으로 지지 평면(SP)에 일치하며, 기판(W)을 지지하도록 구성된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 기판 홀더(WT)는 버얼들(20) 사이에서 기판-대면 면(41) 상에 코팅(23)을 포함한다. 코팅(23)은 두께(tc)를 갖는다(예를 들어, 도 3 및 도 5 참조). 일 실시예에서, 버얼들(20) 사이에서 기판-대면 면(41)은 영역들(42, 43)의 배열체를 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 인접한 영역들(42, 43)은 지지 평면(SP) 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리된다.
단차 변화는 메인 본체의 기판-대면 면(41)에 블록 구조를 생성한다. 코팅(23)은 블록 구조를 갖는 기판-대면 면(41) 상에 있다. 단차 변화는 코팅(23)의 내부 응력을 완화시킨다. 결과적으로, 본 발명의 실시예는 기판 홀더(WT)의 변형을 감소시킬 것으로 예상된다.
코팅(23)의 잔류 내부 응력은 기판 홀더(WT)가 휘어지게 할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 코팅(23)은 기판 홀더(WT)에서 2 차 보울 형상을 야기하는 전체적인 휨을 초래할 수 있다. 기판 홀더(WT)의 변형은 특히 기판 홀더(WT)의 에지에서 바람직하지 않은 디포커스 문제를 야기한다. 도 13은 기판 홀더(WT)의 굽힘을 야기하는 코팅(23)에서의 응력을 도시한 확대도이다.
일 실시예에서, (인접한 영역들(42, 43)을 분리하는) 각각의 단차 변화는 코팅(23)의 두께(tc)보다 더 크다. 결과적으로, 블록 구조는 코팅 두께(tc)보다 높은 진폭을 갖는다. 이는 2 개의 레벨의 코팅 사이의 메인 본체(40)의 재료가 전체 휨으로부터 국소 응력을 분리할 여지가 있다는 것을 의미한다.
일 실시예에서, 인접한 영역들(42, 43)은 측벽(44)에 의해 연결된다(예를 들어, 도 4 참조). 측벽(44) 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들(42, 43) 사이에 응력을 전달하기에 불충분하다. 결과적으로, 단차 변화는 각각의 영역(42, 43)에서의 국소 응력을 서로 분리하여, 이에 따라 기판 홀더(WT)의 임의의 휨을 감소시킨다.
도 8은 메인 본체(40)의 기판-대면 면의 2 개의 인접한 영역들의 확대 단면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 코팅(23)은 각 영역에 도포된다. 2 개의 영역은 서로 다른 레벨, 즉, 지지 평면(SP) 아래에서 다른 거리에 있다.
인접한 영역들은 측벽(44)에 의해 연결된다. 일 실시예에서, 코팅(23)은 기판-대면 면(41)에 실질적으로 수직인 방향으로부터 기판-대면 면(41)에 도포된다. 코팅을 도포하는 과정은 가시선 공정이다. 결과적으로, 측벽(44)에 도포된 코팅이 실질적으로 없을 것이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 코팅 재료의 얇은 층(45)이 측벽(44)에 도포되는 것이 가능하다. 얇은 층(45)은 각 영역 상의 코팅(23)의 두께(tc)보다 훨씬 더 얇다. 예를 들어, 얇은 층(45)은 1 nm 내지 10 nm의 두께를 가질 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 측벽(44) 상의 코팅 재료의 얇은 층(45)은 2 개의 인접한 영역에서 코팅(23)을 연결하지 않을 수 있다. 코팅 재료의 얇은 층(45)이 2 개의 인접한 영역 사이에서 코팅(23)을 연결하더라도, 코팅(23)의 내부 응력은 영역들(42, 43) 사이에서 전달될 수 없다. 일 실시예에서, 측벽(44) 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들(42, 43) 사이에 응력을 전달하기에 불충분하다. 결과적으로, 단차 변화는 코팅(23)의 응력을 완화시킨다.
도 5는 기판 테이블(WT)의 기판-대면 표면(41)의 2 개의 인접한 영역들(42, 43)의 단면 확대도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 기판-대면 면(41)은 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 코팅(23)의 두께(tc)는 코팅(23)이 도포되기 전에 기판-대면 면(41)의 거칠기(Ra)보다 크다.
적어도 특정 두께(tc)의 코팅(23)을 갖는 것이 유리하다. 코팅(23)의 두께(tc)가 거칠기(Ra)보다 클 때, 코팅(23)은 연속 층으로서 작용할 수 있다. 인접한 영역들(42, 43) 사이의 단차 변화없이, 연속 코팅 층(23)은 기판 홀더(WT)의 상단 표면을 이격시킬 수 있다. 이는, 응력이 어디에서도 완화되지 않기 때문에, 전체적 휨을 생성한다.
따라서, 단차 변화의 제공은 코팅(23)이 기판 홀더(WT)의 기판-대면 면(41)의 표면 거칠기(Ra)보다 큰 두께(tc)를 가질 때 특히 유리하다.
표면 거칠기(Ra)는 평가 길이 내의 중심선에 대한 편차로부터 결정된 거칠기 프로파일의 산술 평균값이다. 일 실시예에서, 표면 거칠기(Ra)는 약 500 nm 미만, 선택적으로 약 300 nm 미만, 선택적으로 약 100 nm 미만, 또는 선택적으로 약 50 nm 미만이다.
표면 거칠기(Ra)가 코팅(23)의 두께(tc)보다 클 때, 기판 홀더(WT)의 휨은 더 적을 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이는 표면 거칠기가 코팅(23)에서의 응력을 완화시킬 수 있기 때문이다. 그러나, 표면 거칠기(Ra)가 코팅(23)의 두께(tc)보다 클 때, 코팅(23)은 효과적이지 않을 수 있다. 본 발명은 기판 홀더(WT)의 휨 감소와 함께 더 두꺼운 코팅(23)의 이점을 달성할 것으로 예상된다. 이는 표면 거칠기 대신에 단차 변화에 의해 코팅(23)의 내부 응력을 완화시킴으로써 달성된다.
도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 코팅(23)은 인접한 영역들(42, 43) 사이에서 불연속적이다. 코팅(23)은 인접한 영역들(42, 43) 사이에서 연속적일 수 있는 것이 가능하다. 예를 들어, 측벽(44) 상의 코팅 재료의 얇은 층(45)이 측벽(44)의 전체 높이를 따라 연장되면, 인접한 영역들(42, 43) 사이에 연속 코팅(23)이 존재할 수 있다. 그러나, 이 경우 코팅 재료의 얇은 층(45)은 너무 얇아서, 응력이 인접한 영역들(42, 43) 사이에 전달되지 않는다.
일 실시예에서, 각각의 단차 변화는 코팅(23)의 두께(tc)보다 적어도 2 배, 선택적으로 적어도 4 배, 및 선택적으로 적어도 8 배만큼 더 크다. 일 실시예에서, 각각의 단차 변화는 적어도 1 ㎛이다. 선택적으로, 각 단차 변화는 적어도 2 ㎛이고, 선택적으로 적어도 3 ㎛이다. 이것은 단차 변화가 코팅(23)의 두께(tc)보다 더 크게 할 수 있다.
그러나, 단차 변화는 버얼(20)의 높이(hb)보다 훨씬 더 작다. 도 7은 버얼들(20)의 높이(hb)에 대해 단차 변화를 단면도로 개략적으로 도시한다. 단차 변화(hs)는 버얼(20)의 높이(hb)보다 훨씬 더 작다. 일 실시예에서, 버얼(20)의 높이(hb)는 단차 변화(hs)의 적어도 10 배, 선택적으로 적어도 20 배, 및 선택적으로 적어도 50 배이다. 일 실시예에서, 각 단차 변화(hs)는 최대 10 ㎛, 선택적으로 최대 5 ㎛, 선택적으로 최대 4 ㎛, 및 선택적으로 최대 3 ㎛이다.
일 실시예에서, 영역(42, 43)은 버얼(20)의 측 방향 치수보다 작은 측 방향 치수를 갖는다. 일 실시예에서, 버얼들(20)의 원위 단부 표면의 직경(즉, 측 방향 치수)은 약 25 ㎛ 내지 약 1000 ㎛, 및 선택적으로 100 ㎛ 내지 300 ㎛의 범위일 수 있고, 예를 들어 약 200 ㎛일 수 있다. 단차 변화(hs)에 의해 분리된 영역들(42, 43)은 더 작다.
도 6에 도시된 실시예에서, 영역(42, 43)은 정사각형 형상을 갖는다. 정사각형 형상의 경우, 측 방향 치수는 정사각형 형상의 각 변의 길이에 대응된다. 그러나, 영역(42, 43)이 정사각형 형상을 가질 필요는 없다. 다른 형상도 또한 가능하다.
도 9 내지 도 11은 영역들(42, 43)의 배열체에 대한 가능성을 평면도로 도시한다. 도 9는 각 영역(42, 43)이 육각형 형상을 갖는 배열체를 도시한다. 육각형 형상의 경우, 측 방향 치수는 하나의 에지의 중간에서 반대쪽 에지의 중간까지의 (즉, 육각형의 중심을 통과하는) 거리이다. 도 10은 기판-대면 면(41) 상의 영역들(42, 43)의 배열체를 도시한다. 도 10에 도시된 실시예에서, 각 영역(42, 43)은 정삼각형이다. 정삼각형의 경우, 측 방향 치수는 하나의 정점으로부터 반대쪽 에지의 중간까지의 (즉, 삼각형의 중심을 통과하는) 거리이다.
도 11은 기판 홀더(WT)의 기판-대면 면(41) 상의 대안적인 영역들(42, 43)의 배열체를 도시한다. 도 11에 도시된 실시예에서, 영역들(42, 43)은 규칙적인 형상을 갖지 않는다. 그 대신에, 배열은 불규칙하고, 거친(crazy) 포장과 유사하다. 측 방향 치수는 영역의 중심(즉, 도심(centroid))을 통과하는 영역의 2 개의 에지들 사이의 거리이다. 영역의 도심은 영역의 형상에 있는 모든 점들의 산술 평균 위치이다.
일 실시예에서, 영역의 도심을 통과하는 최대 측 방향 치수는 버얼(20)의 원위 단부 표면의 직경보다 작다. 일 실시예에서, 영역(42, 43)은 최대 100 ㎛, 선택적으로 최대 50 ㎛, 및 선택적으로 최대 20 ㎛의 측 방향 치수를 갖는다. 일 실시예에서, 영역(42, 43)은 최대 100 ㎛, 선택적으로 최대 50 ㎛, 및 선택적으로 최대 20 ㎛의 (중심을 통과하는) 최대 측 방향 치수를 갖는다.
영역(42, 43)에 대해 최대 크기를 제공함으로써, 코팅(23)의 내부 응력이 기판 홀더(WT)의 변형을 감소시키기에 충분히 완화되는 것을 보장할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더(WT)의 기판-대면 면(41)을 평면도로 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 영역(42, 43)은 버얼(20)의 직경(db)보다 작은 측 방향 치수(da)를 갖는다.
도 6에 도시된 바와 같이, 영역들(42, 43)의 배열체는 버얼들(20) 사이의 실질적으로 모든 기판-대면 면(41)을 채운다. 일 실시예에서, 버얼들(20) 사이의 실질적으로 모든 기판-대면 면(41)은 영역들(42, 43)의 배열체를 포함한다. 그러나, 버얼들(20) 사이의 기판-대면 면(41) 전체가 영역들(42, 43)의 배열체를 갖도록 형성될 필요는 없다. 일 실시예에서, 기판-대면 면(41)의 대부분은 영역들(42, 43)의 배열체를 갖도록 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 버얼(20)의 원위 단부 표면은 영역들(42, 43)의 배열체를 갖도록 형성되지 않는다. 일 실시예에서, 실질적으로 버얼(20)의 원위 단부 표면 전체는 지지 평면(SP)에 있다. 버얼(20)의 원위 단부 표면은 어떠한 단차 변화도 갖지 않도록 형성된다.
일 실시예에서, 코팅(23)은 (기판 홀더(WT)의 기판-대면 면(41)에 추가하여) 버얼(20)의 원위 단부 표면에 도포된다. 그 결과, 버얼들(20)의 원위 단부 표면 상의 코팅(23)이 기판 홀더(WT)의 일부 변형을 야기하는 것이 가능할 수 있다. 일 실시예에서, 모든 버얼(20)의 원위 단부 표면의 총 면적은 기판(W) 또는 기판 홀더(WT)의 총 면적의 1 % 내지 3 %의 범위에 있다. 이는 버얼(20) 상의 코팅(23)에서의 잔류 응력이 기판 홀더(WT)를 변형시킬 수 있는 정도를 제한한다.
버얼들(20) 각각의 제한된 크기(즉, 직경(db))는 코팅(23)에 대한 응력 완화를 허용한다. 이는 하나의 버얼(20) 상의 코팅(23)이 다른 버얼(20) 상의 코팅(23)으로 응력을 전달할 수 없기 때문이다. 영역들(42, 43)의 배열체는 버얼들(20) 사이에서 기판-대면 면(41)에 대한 개선된 응력 완화를 제공한다. 이는 영역(42, 43)의 측 방향 치수(da)가 버얼들(20)의 직경(db)보다 작기 때문이다.
대안적인 실시예에서, 이들 사이에 단차 변화를 갖는 영역들(42, 43)의 배열체는 버얼(20)의 원위 단부 표면에 적용된다. 이는 기판(W)의 평탄도에 영향을 미치지 않으면서 원위 단부 표면 상에 무작위로 위치된 오염물 입자가 남아있는 공간을 제공할 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 기판 로드 그리드의 수명을 증가시킬 것으로 예상된다.
일 실시예에서, 이들 사이에 단차 변화를 갖는 영역들(42, 43)의 배열체는 코팅(예를 들어, 도펀트가 고온에서 빠져나오는 것을 방지하기 위한 코팅)이 도포될 수 있는 기판(W)의 후면에 적용된다.
일 실시예에서, 각각의 단차 변화(hs)는 메인 본체(40)의 기판-대면 면(41)과 지지 평면(SP) 사이의 최소 거리보다 작다. 도 7에 도시된 바와 같이, 기판-대면 면(41)과 지지 평면(SP) 사이의 최소 거리는 hb로 표시된다. 단차 변화(hs)는 이 최소 거리(hb)보다 훨씬 더 작다.
일 실시예에서, 각각의 단차 변화(hs)는 최대 20 ㎛, 선택적으로 최대 10 ㎛, 선택적으로 최대 5 ㎛, 및 선택적으로 최대 2 ㎛이다.
일 실시예에서, 각각의 영역(42, 43)은 영역(42)을 인접한 영역(43)으로부터 분리시키는 단차 변화(hs)보다 더 큰 측 방향 치수(da)를 갖는다. 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이, 기판-대면 면(41)은 블록 구조를 갖는다. 일부 영역(42)의 블록은 다른 영역(43)의 블록보다 지지 평면(SP)에 더 가깝게 돌출된다. 추가의 돌출 영역(42)은 (주변 영역(43)에 비해) 높은 것보다 더 넓도록 종횡비를 갖도록 형성된다. 이는 영역(42, 43)을 형성하는 블록의 안정성을 향상시킨다. 일 실시예에서, 각각의 영역(42)은 영역(42)을 인접한 영역들(43)로부터 분리시키는 단차 변화(hs)보다 적어도 2 배 큰 측 방향 치수(da)를 갖는다.
도 4, 도 5, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 인접한 영역들(42, 43)은 측벽(44)에 의해 연결된다. 측벽(44)은 지지 평면(SP)에 실질적으로 직각으로 연장된다. 수직 측벽(44)은 영역들(42, 43) 사이의 높이의 단차 변화를 형성한다. 일 실시예에서, 측벽(44)은 영역(42, 43)의 기판-대면 부분과 직각을 형성한다.
측벽(44)이 지지 평면(SP)에 대해 정확히 직각일 필요는 없다. 측벽(44)은 약간의 돌출부 또는 약간의 절두 원추형 형상이 존재하도록 형성될 수도 있다. 측벽(44)은 (지지 평면(SP)에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 도포되는) 코팅(23)이 영역들(42, 43) 사이에 응력을 전달할 수 없도록 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같이, 측벽(44) 상에 적은 양의 코팅 재료가 존재할 수 있다.
측벽(44)은 영역(42, 43)의 기판-대면 부분과 약간 둥근 코너(corner)를 형성할 수 있는 것이 가능하다. 특히, 도 5에 도시된 바와 같이, 영역(42, 43)의 기판-대면 부분은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 표면 거칠기는 측벽(44)과 90도 이외의 각도가 존재하도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 단차 변화(hs)는 표면 거칠기(Ra)의 적어도 5 배, 및 선택적으로 적어도 10 배, 및 선택적으로 적어도 20 배이다. 결과적으로, 단차 변화(hs)는 영역들(42, 43) 사이의 코팅(23)에서 불연속성을 제공한다.
일 실시예에서, 배열체는 평면도로 대부분의 기판 홀더(WT)에 적용된다.
도 6, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 영역들(42, 43)의 배열체는 그리드이다. 일 실시예에서, 그리드는 규칙적인 형상의 규칙적인 그리드이다. 이는 영역들(42, 43)의 배열체를 갖도록 기판 홀더(WT)를 제조하는 것을 더 용이하게 한다. 그러나, 예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, 배열체가 규칙적인 그리드인 것이 필수적일 필요는 없으며, 일 실시예에서 배열체는 그리드가 아니다. 그럼에도 불구하고, 영역들(42, 43)의 배열체는 영역들(42, 43)에 도포된 코팅(23)에 응력 완화를 제공한다.
도 4, 도 5, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 배열체는 기판-대면 면(41)에 대해 2 개의 상이한 레벨들이 존재하도록 구성된다. 다른 말로 하면, 지지 평면(SP) 아래에 기판-대면 면(41)의 2 개의 상이한 높이가 존재한다. 각각의 영역(42, 43)은 지지 평면(SP) 아래에서 단지 2 개의 상이한 거리 중 하나로 배치된다. 그러나, 레벨의 갯수가 단지 2 개로만 제한될 필요는 없다.
일 실시예에서, 영역들의 배열체는 지지 평면(SP) 아래에 3 개, 4 개 또는 그 이상의 레벨의 기판-대면 면(41)이 존재하도록 구성된다. 각각의 영역(42, 43)은 지지 평면(SP) 아래에서 단지 3 개, 4 개 또는 그 이상의 상이한 거리들 중 하나로 배치된다. 예를 들어, 도 9에 도시된 배열체에서, 배열체는 육각형 그리드이다. 이러한 경우, 모든 인접한 영역들(42, 43)이 그들 사이에 단차 변화를 갖기 위해서는 적어도 3 개의 레벨이 있어야 한다. 특히, 육각형 그리드는 적어도 3 개의 레벨이 존재하는 것이 필요하다. 한편, 도 10에 도시된 삼각형 그리드 또는 도 6에 도시된 정사각형 그리드는 단지 2 개의 상이한 레벨로만 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 영역들(42, 43)의 배열체는 레이저 어블레이션(laser ablation)에 의해 형성된다. 일 실시예에서, 레이저 빔은 단차 변화를 형성하기 위해 기판 홀더(WT)의 상부 표면을 조사하는데 사용된다.
도 2는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치에 사용하기 위한 기판 홀더(WT)의 다른 특징을 도시한다. 기판 홀더(WT)는 기판(W)을 지지한다. 기판 홀더(WT)는 메인 본체(40)를 포함한다. 메인 본체(40)는 메인 본체 표면(22)을 갖는다. 버얼들(20)은 메인 본체 표면(22)으로부터 돌출하여 제공된다. 각 버얼(20)의 원위 단부 표면은 기판(W)과 결합한다. 메인 본체(40) 및 버얼(20)은 실리콘 매트릭스 내에 실리콘 카바이드(SiC) 입자를 갖는 세라믹 재료인 SiSiC로 형성될 수 있다. 대안적으로, 메인 본체(40) 및 버얼(20)은 SiC로 형성될 수 있다.
메인 본체(40)에는 복수의 관통 홀(89)이 형성될 수 있다. 관통 홀(89)은 기판(W)을 수용하기 위해 e-핀이 기판 홀더(WT)를 통해 돌출되도록 허용한다. 관통 홀(89)은 기판(W)과 기판 홀더(WT) 사이의 공간이 배기될(evacuated) 수 있게 한다. 기판(W) 위의 공간이 또한 배기되지 않으면, 기판(W)과 기판 홀더(WT) 사이의 공간의 배기는 클램핑 힘을 제공할 수 있다. 클램핑 힘은 기판(W)을 제 위치에 유지시킨다. EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 장치에서와 같이, 기판(W) 위의 공간이 또한 배기되면, 전극이 기판 홀더(WT) 상에 제공되어 정전기 클램프를 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 기판 홀더(WT)는 시일(87)을 더 포함한다. 시일(87)은 메인 본체 표면(22)으로부터 돌출될 수 있다. 시일(87)은 시일 단부 표면을 가질 수 있다. 시일(87)은 관통 홀(89)을 둘러쌀 수 있다. 시일 단부 표면은 관통 홀(89) 주위에 연속적인 링을 형성할 수 있다. 다른 실시예들에서, 시일(87)은 관통 홀(89)을 둘러싸는 임의의 다른 형상을 가질 수 있다. 시일 단부 표면이 버얼들(20)의 원위 단부 표면들에 의해 정의된 실질적으로 편평한 지지 평면에 일치하도록 시일(87)의 높이는 버얼들(20)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 시일(87)은 기판(W)이 기판 홀더(WT)의 버얼들(20) 상에 놓일 때 기판(W)과 접촉할 수 있다. 시일(87)은 관통 홀(89)과 시일(87) 외부의 영역 사이의 유체 연통이 방지되도록 기판(W)과 접촉할 수 있다. 기판(W) 위의 압력보다 낮은 관통 홀(89)에 대한 저압을 가함으로써, 기판(W)이 기판 홀더(WT)에 클램핑될 수 있다. 대안적으로, 시일(87)은 시일(87)이 기판(W)과 접촉하지 않도록 버얼(20)의 높이보다 약간 더 짧은 높이를 가질 수 있다. 이러한 시일(87)은 저압을 발생시키기 위해 관통 홀(89)로의 가스 흐름을 감소시킨다. 선택적으로 또는 대안적으로, 에지 시일(85)이 기판 홀더(WT)의 주변 근처에 제공될 수 있다. 에지 시일(85)은 기판 홀더(WT)의 외부 주위의 돌출 릿지(ridge)이다. 에지 시일(85)은 버얼들(20)의 높이보다 약간 더 짧은 높이를 가질 수 있고, 클램핑 힘을 제공하기 위해 기판(W)과 기판 홀더(WT) 사이의 공간으로의 가스 흐름을 감소시킨다.
예를 들어 기판 홀더(WT)와 기판(W) 사이의 가스 흐름 및/또는 열 전도성을 제어하기 위한 다른 구조가 제공될 수 있다. 기판 홀더(WT)에는 전자 부품이 제공될 수 있다. 전자 부품은 히터 및 센서를 포함할 수 있다. 기판 홀더(WT) 및 기판(W)의 온도를 제어하기 위해 히터 및 센서가 사용될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 코팅(23)은 버얼들(20) 사이에서 기판-대면 면(41) 상에 있다. 코팅(23)은 두께(tc)를 갖는다. 코팅(23)은 잔류 응력을 갖는다. 예를 들어, 코팅(23)은 내부 압축 응력을 가질 수 있다. 대안적으로, 코팅(23)은 내부 인장 응력을 가질 수 있다.
버얼(20)이 도 3에 확대되어 도시되어 있다. 버얼(20)은 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위, 선택적으로 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위, 예를 들어 약 150 ㎛의 높이(hb)를 가질 수 있다. 버얼(20)의 원위 단부 표면의 직경은 100 ㎛ 내지 300 ㎛의 범위일 수 있으며, 예를 들어 약 200 ㎛일 수 있다. 버얼(20)의 피치는 예를 들어 약 0.5 mm 내지 3 mm의 범위일 수 있으며, 예를 들어 약 1.5 mm일 수 있다. 버얼(20)의 피치는 2 개의 인접한 버얼들(20)의 중심 사이의 거리이다. 일 실시예에서, 모든 버얼들(20)의 원위 단부 표면의 총 면적은 기판(W) 또는 기판 홀더(WT)의 총 면적의 1 % 내지 3 %의 범위에 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 버얼(20)은 절두 원추형 형상일 수 있으며, 버얼 측면이 약간 경사져 있다. 일 실시예에서, 버얼 측면은 수직이거나 또는 심지어 돌출될 수 있다. 일 실시예에서, 버얼(20)은 평면에서 원형이다. 버얼(20)은 또한 원하는 경우 다른 형상으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅(23)은 DLC 층을 포함하고, 0.5 ㎛ 내지 1.5 ㎛ 범위의 두께를 갖는다. 0.5 ㎛의 최소 두께는 예를 들어 DLC 층의 상부 표면의 평탄도를 향상시키기 위해 증착 후에 DLC 층이 처리될 수 있게 한다. 후처리는 DLC 층의 상단 표면이 지지 평면(SP)에 정확하게 일치하도록 보장할 수 있다. 또한 최소 두께가 0.5 ㎛이므로 임의의 약간의 국소 함몰부 또는 돌출부가 수평을 이룰 수 있다. 1.5 ㎛의 최대 두께는 DLC 층의 내부 압축 응력이 낮게 유지되도록 보장한다. 다른 실시예에서, 탄소 기반 재료 층은 DLC 이외의 다른 탄소 기반 재료를 포함하고, 또한 0.5 ㎛ 내지 1.5 ㎛ 범위의 두께를 갖는다. 이는 DLC와 관련하여 설명된 것과 동일한 장점을 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 코팅(23)은 화학 기상 증착에 의해 도포된다. 일 실시예에서, 코팅(23)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착에 의해 도포된다.
본 명세서에서 ICs의 제조에 리소그래피 장치를 사용하는 것에 대해 특정 언급이 이루어질 수 있지만, 본 명세서에 기술된 리소그래피 장치는 통합 광학 시스템의 제조, 자기 도메인 메모리에 대한 안내 및 검출 패턴, 플랫 패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCDs), 박막 자기 헤드 등과 같은 다른 적용을 가질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용의 맥락에서, 본 명세서에서 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 임의의 사용은 각각 더 일반적인 용어인 "기판" 또는 "타겟 부분"과 동의어로 간주될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본 명세서에 언급된 기판은 예를 들어 트랙(일반적으로 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 공구), 계측 공구 및/또는 검사 공구에서, 노광 이전에 또는 이후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 경우, 본 명세서의 개시 내용은 그러한 및 다른 기판 처리 공구에 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위해 기판이 한 번 초과 처리될 수 있으므로, 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어는 이미 하나 또는 복수의 처리된 층을 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에 사용된 용어 "방사선" 및 "빔"은 자외선(UV) 방사선을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선(예를 들어, 약 436, 405, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 가짐)을 포함한다. 문맥 상 허용되는 경우, 용어 "렌즈"는 굴절 및 반사 광학 구성 요소를 포함하는 다양한 유형의 광학 구성 요소 중 임의의 하나 또는 조합을 지칭할 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다른 방식으로 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에 설명된 임의의 제어기는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 리소그래피 장치의 적어도 하나의 구성 요소 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독될 때 각각 또는 조합되어 동작 가능할 수 있다. 제어기는 각각 또는 조합하여 신호를 수신, 처리 및 전송하기 위한 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서가 적어도 하나의 제어기와 통신하도록 구성된다. 예를 들어, 각각의 제어기는 위에서 설명한 방법에 대한 기계 판독 가능한 명령어를 포함하는 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위한 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 제어기는 이러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체 및/또는 이러한 매체를 수용하기 위한 하드웨어를 포함할 수 있다. 따라서 제어기(들)는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독 가능한 명령어에 따라 동작할 수 있다.
상기 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 아래에서 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않으면서 기술된 바와 같이 본 발명에 대한 수정이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 리소그래피(lithographic) 장치를 위한 기판 홀더(holder)로서,
    상기 기판 홀더는 기판의 하부 표면을 지지하도록 구성되고,
    상기 기판 홀더는
    기판-대면 면(substrate-facing face)을 갖는 메인 본체;
    상기 기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼(burl) - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 상기 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 상기 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
    상기 버얼들 사이에서 상기 기판-대면 면 상의 코팅 - 상기 코팅은 두께를 가짐 -
    을 포함하고,
    상기 버얼들 사이에서 상기 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 상기 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 각각의 단차 변화는 상기 코팅의 상기 두께보다 더 크고,
    상기 인접한 영역들 중 상기 지지 평면에 가까운 제1 영역은, 상기 인접한 영역들 중 제1 영역보다 상기 지지 평면으로부터 먼 제2 영역 상의 상기 코팅의 층과는 중첩되지 않는, 기판 홀더.
  2. 제 1 항에 있어서,
    인접한 영역들은 측벽에 의해 연결되고, 상기 측벽 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들 사이에 응력을 전달하기에 불충분한 것인, 기판 홀더.
  3. 리소그래피 장치를 위한 기판 홀더로서,
    상기 기판 홀더는 기판의 하부 표면을 지지하도록 구성되고,
    상기 기판 홀더는
    기판-대면 면을 갖는 메인 본체;
    상기 기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 상기 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 상기 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
    상기 버얼들 사이에서 상기 기판-대면 면 상의 코팅
    을 포함하고,
    상기 버얼들 사이에서 상기 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 상기 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 인접한 영역들은 측벽들에 의해 연결되고, 상기 측벽 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들 사이에 응력을 전달하기에 불충분한, 기판 홀더.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코팅은 잔류 응력을 갖는 것인, 기판 홀더.
  5. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코팅은 인접한 영역들 사이에서 불연속적인 것인, 기판 홀더.
  6. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 단차 변화는 적어도 1 ㎛인 것인, 기판 홀더.
  7. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 영역들은 상기 버얼들의 측 방향 치수보다 작은 측 방향 치수를 갖는 것인, 기판 홀더.
  8. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 단차 변화는 상기 메인 본체의 상기 기판-대면 면과 상기 지지 평면 사이의 최소 거리보다 작은 것인, 기판 홀더.
  9. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 영역은 상기 영역을 인접한 영역들로부터 분리하는 상기 단차 변화보다 큰 측 방향 치수를 갖는 것인, 기판 홀더.
  10. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    인접한 영역들은 상기 지지 평면에 실질적으로 직각으로 연장되는 측벽에 의해 연결되는 것인, 기판 홀더.
  11. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 영역은 상기 지지 평면 아래에서 단지 2 개의 상이한 거리들 중 하나로 배치되는 것인, 기판 홀더.
  12. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 영역들의 배열체는 그리드(grid)인 것인, 기판 홀더.
  13. 리소그래피 장치로서,
    패터닝 디바이스(patterning device)를 지지하도록 구성된 지지 구조물;
    상기 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하도록 배치된 투영 시스템; 및
    상기 기판을 유지하도록 배치된 기판 홀더 - 상기 기판 홀더는 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 것임 -
    를 포함하는, 리소그래피 장치.
  14. 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법으로서,
    상기 디바이스 제조 방법은
    기판 홀더 상에 기판을 유지하면서, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 상기 기판 상으로 투영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 기판 홀더는
    기판-대면 면을 갖는 메인 본체;
    상기 메인 본체의 상기 기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 상기 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 상기 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 상기 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
    상기 버얼들 사이에서 상기 기판-대면 면 상의 코팅 - 상기 코팅은 두께를 가짐 -
    을 포함하고,
    상기 버얼들 사이에서 상기 메인 본체의 상기 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 상기 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 각각의 단차 변화는 상기 코팅의 상기 두께보다 더 크고,
    상기 인접한 영역들 중 상기 지지 평면에 가까운 제1 영역은, 상기 인접한 영역들 중 제1 영역보다 상기 지지 평면으로부터 먼 제2 영역 상의 상기 코팅의 층과는 중첩되지 않는, 디바이스 제조 방법.
  15. 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법으로서,
    상기 디바이스 제조 방법은
    기판 홀더 상에 기판을 유지하면서, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 상기 기판 상으로 투영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 기판 홀더는
    기판-대면 면을 갖는 메인 본체;
    상기 메인 본체의 상기 기판-대면 면으로부터 돌출되는 복수의 버얼 - 각각의 버얼은 상기 기판과 결합하도록 구성된 원위 단부를 가지며, 상기 원위 단부는 지지 평면에 실질적으로 일치하고, 상기 기판을 지지하도록 구성됨 - ; 및
    상기 버얼들 사이에서 상기 기판-대면 면 상의 코팅
    을 포함하고,
    상기 버얼들 사이에서 상기 메인 본체의 상기 기판-대면 면은 영역들의 배열체를 포함하고, 인접한 영역들은 상기 지지 평면 아래에서의 거리의 단차 변화에 의해 분리되고, 인접한 영역들은 측벽에 의해 연결되고, 상기 측벽 상의 임의의 코팅은 인접한 영역들 사이에 응력을 전달하기에 불충분한, 디바이스 제조 방법.
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