JP6917523B2 - 基板ホルダおよび基板ホルダを製造する方法 - Google Patents

基板ホルダおよび基板ホルダを製造する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6917523B2
JP6917523B2 JP2020521601A JP2020521601A JP6917523B2 JP 6917523 B2 JP6917523 B2 JP 6917523B2 JP 2020521601 A JP2020521601 A JP 2020521601A JP 2020521601 A JP2020521601 A JP 2020521601A JP 6917523 B2 JP6917523 B2 JP 6917523B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
facing surface
substrate holder
coating
crowbars
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020521601A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021502584A (ja
Inventor
ポイスズ，トーマス
アチャンタ，サティシュ
ボウクネグト，ジェロエン
ソエトウト，アブラハム，アレキサンダー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2021502584A publication Critical patent/JP2021502584A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6917523B2 publication Critical patent/JP6917523B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１７年１１月８日出願の欧州出願第１７２００６０５．８号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および基板ホルダを製造する方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0004] パターニングデバイスからパターンを転写する際、基板はリソグラフィ装置内の基板ホルダ上にクランプされる。基板ホルダは、従来、基板を支持するための複数のバールを有する。基板に接触するバールの総面積は、基板の総面積に比べると小さい。したがって、基板または基板ホルダの表面上にランダムに位置した汚染粒子がバールと基板との間に捕捉される可能性は小さい。
[0005] 基板ホルダ上には層またはコーティングを設けることができる。単に一例として、基板ホルダ上には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の層またはコーティングを設けることができる。このようなコーティングは、基板ホルダを変形させることがある。これは、コーティング内の内部応力によるものであり得る。基板ホルダの変形は、フォーカス精度の低下などの問題を引き起こす恐れがある。
[0006] 例えば、フォーカス誤差を減少させることができる改良された基板ホルダを提供することが望ましい。
[0007] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置用の基板ホルダが提供され、この基板ホルダは、基板の下面を支持するように構成され、
基板対向面を有する本体と、
基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは基板と係合するように構成された遠位端を有し、遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ基板を支持するように構成される、複数のバールと、
複数のバール間の基板対向面上のコーティングであって、所定の厚さを有するコーティングと、を備え、
基板対向面は、複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域は、サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、各段状変化は、コーティングの厚さよりも大きい。
[0008] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置用の基板ホルダが提供され、この基板ホルダは、基板の下面を支持するように構成され、
基板対向面を有する本体と、
基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは基板と係合するように構成された遠位端を有し、遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ基板を支持するように構成される、複数のバールと、
複数のバール間の基板対向面上のコーティングと、を備え、
基板対向面は、複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域は、サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、隣接した領域は、側壁によって接続され、側壁上のコーティングはいずれも、隣接した領域間で応力を伝達するには不十分である。
[0009] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法が提供され、このデバイス製造方法は、基板ホルダ上に基板を保持する一方で、パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを基板上に投影することを含み、
基板ホルダは、
基板対向面を有する本体と、
本体の基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは基板と係合するように構成された遠位端を有し、遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ基板を支持するように構成される、複数のバールと、
複数のバール間の基板対向面上のコーティングであって、所定の厚さを有するコーティングと、を備え、
本体の基板対向面は、複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域は、サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、各段状変化は、コーティングの厚さよりも大きい。
[0010] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法が提供され、このデバイス製造方法は、基板ホルダ上に基板を保持する一方で、パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを基板上に投影することを含み、
基板ホルダは、
基板対向面を有する本体と、
本体の基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは基板と係合するように構成された遠位端を有し、遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ基板を支持するように構成される、複数のバールと、
複数のバール間の基板対向面上のコーティングと、を備え、
本体の基板対向面は、複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域は、サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、隣接した領域は、側壁によって接続され、側壁上のコーティングはいずれも、隣接した領域間で応力を伝達するには不十分である。
[0011] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置において使用される基板ホルダを製造する方法が提供され、この方法は、
基板対向面を有する本体を提供することと、
本体の基板対向面から突出した複数のバールを形成することであって、各バールは基板と係合するように構成された遠位端を有し、遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ基板を支持するように構成されることと、
本体の基板対向面が、複数のバール間に、複数の領域の配置を有し、隣接した領域が、サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離されるように、基板対向面を整形することと、
本体の基板対向面上の複数のバール間にコーティングを形成することであって、コーティングが所定の厚さを有し、各段状変化はコーティングの厚さよりも大きいことと、
を含む。
[0012] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置において使用される基板ホルダを製造する方法が提供され、この方法は、
基板対向面を有する本体を提供することと、
本体の基板対向面から突出した複数のバールを形成することであって、各バールは基板と係合するように構成された遠位端を有し、遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ基板を支持するように構成されることと、
本体の基板対向面が、複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域が、サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離されるように、基板対向面を整形することと、
本体の基板対向面上の複数のバール間にコーティングを形成することであって、隣接した領域は側壁によって接続され、側壁上のコーティングはいずれも隣接した領域間で応力を伝達するには不十分であることと、
を含む。
[0013] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0014] リソグラフィ装置を概略的に示す。 [0015] 一実施形態に係る基板ホルダを平面図で示す。 [0016] 一実施形態に係る基板ホルダのバールを断面図で示す。 [0017] 一実施形態に係る基板ホルダの基板対向面の隣接した領域を断面図で示す。 [0018] 一実施形態に係る基板ホルダの基板対向面の２つの隣接した領域を断面図で示す。 [0019] 一実施形態に係る基板ホルダの基板対向面の複数の領域の配置を平面図で示す。 [0020] 一実施形態に係る基板ホルダの複数の領域およびバールの配置を断面図で示す。 [0021] 基板ホルダの基板対向面の隣接した領域を接続する側壁上のコーティングを断面図で示す。 [0022] 一実施形態に係る複数の領域の配置を平面図で示す。 [0023] 代替的な実施形態に係る複数の領域の配置を平面図で示す。 [0024] 代替的な実施形態に係る複数の領域の配置を平面図で示す。 [0025] 基板ホルダの変形を断面図で示す。 [0026] 一実施形態に係る基板ホルダのコーティングによって生じる変形を断面図で示す。
[0027] 図１は、一実施形態のリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えば紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコート製品基板）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って、例えば基板Ｗのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されているサポートテーブル（例えば、１つ以上のセンサを支持するセンサテーブルまたは基板サポート装置６０）と、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイの一部を含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
[0028] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0029] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0030] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
[0031] パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0032] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0033] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0034] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（またはステージもしくはサポート）（例えば、２つ以上の基板テーブル、または、１つ以上の基板テーブルと１つ以上のセンサもしくは測定テーブルとの組み合わせ）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、複数のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、センサ、および測定テーブルと同様に、並行して使用することができる２つ以上のパターニングデバイステーブル（またはステージもしくはサポート）を有してもよい。リソグラフィ装置は、露光に先立って製品基板の特性を特定するための多用なセンサがある測定ステーションと、露光が指示される露光ステーションとを有する型のものであってもよい。
[0035] また、リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１１を満たすように、比較的高屈折率を有する液浸液（例えば、超純水（ＵＰＷ：Ultra Pure Water）などの水）によって基板Ｗの少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板Ｗのような構造物を液浸液内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液浸液があるということを意味するものである。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターン付き放射ビームＢの経路は、完全に液浸液内を通過する。投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗとの間に液浸液を提供する配置において、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素１００と投影システムＰＳに対向するステージまたはテーブルの対向表面との間の液浸空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。
[0036] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0037] イルミネータＩＬは、放射ビームＢの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームＢの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成するとみなすこともあれば、一部を形成しないとみなすこともある。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってもよく、リソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬを載置できるように構成され得る。任意で、イルミネータＩＬは、取り外し可能であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者または別の供給業者により）別途設けられてもよい。
[0038] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板サポート装置６０を正確に動かすことができる。
[0039] 同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板サポート装置６０の移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。
[0040] ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークＰ１およびＰ２が専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２は、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0041] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0042] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板サポート装置６０を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板サポート装置６０は、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0043] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板サポート装置６０を同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板サポート装置６０の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分Ｃの幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さ（および露光フィールドのサイズ）によって、ターゲット部分Ｃの高さ（スキャン方向）が決まる。
[0044] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板サポート装置６０動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板サポート装置６０の移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0045] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0046] コントローラ５００は、リソグラフィ装置全体の動作を制御し、特に、以下でさらに説明する動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央処理装置、揮発性または不揮発性記憶手段、キーボードおよびスクリーンなどの１つ以上の入力デバイスおよび出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続部、ならびにリソグラフィ装置の多様な部分に対する１つ以上のインタフェースを備えた好適にプログラムされた汎用コンピュータとして具現化され得る。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間では、１対１の関係が必須ではないことが理解されよう。一台のコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御してもよい。複数のネットワーク接続されたコンピュータを使用して、一台のリソグラフィ装置を制御してもよい。コントローラ５００は、リソグラフィ装置がその一部を形成するリソセルまたはクラスタにおいて、１つ以上の関連したプロセスデバイスおよび基板ハンドリングデバイスを制御するようにも構成され得る。コントローラ５００は、リソセルもしくはクラスタの監視制御システムおよび／または製造工場内の統括制御システムに属するように構成されることもできる。
[0047] 基板サポート装置６０は、基板ホルダＷＴを備える。従来、基板Ｗは、露光の間基板ホルダＷＴにクランプされる。２つのクランプ技術が一般的に使用されている。真空クランプでは、例えば、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間の空間を、基板Ｗ上方の高圧力よりも低い低圧力に接続させることにより、基板Ｗ全体に圧力差が確立される。この圧力差により、基板Ｗを基板ホルダＷＴに保持する力が生じる。静電クランプでは、静電力を使用して基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間に力を作用させる。これを実現するために、いくつかの異なる構成が知られている。一つの構成では、基板Ｗの下面に第１電極が設けられ、基板ホルダＷＴの上面に第２電極が設けられる。第１電極と第２電極との間に電位差が確立される。別の構成では、２つの半円電極が基板ホルダＷＴ上に設けられ、導電層が基板Ｗ上に設けられる。２つの半円電極間に電位差が印加され、それにより２つの半円電極および基板Ｗ上の導電層が２つの直列のコンデンサとして機能する。
[0048] 基板ホルダＷＴ上には、層またはコーティングを設けることができる。例えば、基板ホルダＷＴ上には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の層またはコーティングを設けることができる。基板ホルダＷＴ上には他のコーティングが設けられてもよい。基板ホルダＷＴには、ＤＬＣ層が設けられ、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間のインタフェース特性を向上させることができる。基板ホルダＷＴ上のＤＬＣ層は、基板ホルダＷＴのサポート平面ＳＰに平行な方向（つまり、基板Ｗの表面に平行な方向）の摩擦を減少させる。ＤＬＣ層は、バールと基板Ｗとの間の摩擦係数を、ＳｉＳｉＣ製のバールと比較して、約２分の１に減少させることができる。これにより、基板Ｗは、基板ホルダＷＴ上に置かれた時に完全に解放された状態になる。このことにより、オーバレイエラーが減少する。基板ホルダＷＴをＤＬＣでコーティングすると、基板ホルダＷＴの寿命が長くなるといった付加的な利点もある。ＤＬＣ層の硬度および靭性により、基板Ｗと物理的に接触する際の基板ホルダＷＴの摩耗が小さくなる。
[0049] ＤＬＣ層は、摩擦を減少させる（ひいては、オーバレイエラーを減少させる）ため、かつ／または、基板ホルダＷＴの摩耗を減少させるために、基板ホルダＷＴ上に設けることができる炭素系材料の層の一例である。本発明のいくつかの実施形態は、具体的にＤＬＣに言及して説明される。しかし、代替的な実施形態では、ＤＬＣに加えて、あるいはＤＬＣの代わりに、例えば残留応力を有するコーティングなどの任意の他のコーティングを使用してもよい。
[0050] そのようなコーティングは、固体炭素系材料および／または無機炭素系材料であり得る。コーティングは、基板ホルダＷＴの本体よりも、摩耗に対してより高い回復力を有し得る。コーティングは、グラフェンを含み得る。例えば、コーティングは、ダイヤモンドライクカーボン、グラフェン、グラファイト、テトラヘドラルアモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）、タングステン含有アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｗ）、タングステン含有テトラヘドラルアモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ：Ｗ）、水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）、水素化テトラヘドラルアモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ：Ｈ）、タングステン含有水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｗ）、タングステン含有水素化テトラヘドラルアモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ：Ｈ：Ｗ）、ケイ素ドープされた水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｓｉ）、ケイ素ドープされた水素化テトラヘドラルアモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ：Ｈ：Ｓｉ）、フッ素ドープされた水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ）、フッ素ドープされた水素化テトラヘドラルアモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ）、超ナノ微結晶ダイヤモンド（ＵＮＣＤ）、ダイヤモンド、タングステンカーバイド、クロムカーバイド、チタンカーバイド、Ｃｒ２Ｃ／ａ−Ｃ：Ｈ、グラファイト／ＴｉＣ／Ｔｉ合金、および、アルミナに混和された多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）から成る群から選択される材料を含み得る。これらの炭素系材料は、摩耗に対する高い回復力と、低い摩擦特性を示す。以下で説明する実施形態において、ＤＬＣの代わりに、またはＤＬＣに加えて、これら特定の炭素系材料のいずれか１つを使用してもよい。
[0051] 発明者らは、基板ホルダＷＴ上に設けられたＤＬＣ層などの炭素系材料の層が高い内部圧縮応力を生じさせることをつきとめた。これらの内部応力は、ＤＬＣなどの炭素系材料の製造プロセスおよび材料特性によるものである。例えば、ＤＬＣ層内の内部応力は、基板ホルダＷＴの変形を引き起こし得る。この変形には、基板ホルダＷＴの屈曲、基板ホルダＷＴの湾曲、または他の変形が含まれ得る。発明者らは、１μｍの厚さのＤＬＣ層でコーティングされた典型的な基板ホルダＷＴについて測定を行い、およそ２．５マイクロメートルの全体的な山−谷型変形（peak-valley deformation）を発見した。この変形は、基板Ｗおよび基板ホルダＷＴを第２ポジショナＰＷに対してクランプすることにより部分的に抑制することができる。しかし、基板ホルダＷＴの外縁はクランプシステムによりクランプされないこともある。したがって、ＤＬＣ層の内部応力に起因する基板ホルダＷＴの外縁の変形は抑制することができない。典型的な基板ホルダＷＴの測定において、発明者らは、この作用により、外縁に１５０ｎｍ〜２００ｎｍの下方湾曲が生じたことを発見した。結果として、この外縁は、リソグラフィ装置のフォーカスから外れるおそれがある。基板ホルダＷＴの全体的な変形を補償する一つの可能性として、ＤＬＣ層が施された後に基板ホルダＷＴの平坦度を補正することが挙げられる。しかし、このアプローチは、広範かつ高額な後処理を要する。そのような後処理が施されたとしても、多くのリソグラフィプロセス用の平坦度要件は満足されない。
[0052] 図４に示すように、一実施形態において、基板ホルダＷＴは、基板Ｗの下面を支持するように構成される。基板ホルダＷＴは、本体４０を備える。本体４０は、基板対向面４１を有する。
[0053] 一実施形態では、基板ホルダＷＴは、基板対向面４１から突出した複数のバール２０（例えば、図３、６および７）を備える。各バール２０は、基板Ｗと係合するように構成された遠位端を有する。遠位端は、サポート平面ＳＰと実質的に一致し、基板Ｗを支持するように構成される。
[0054] 図４に示すように、一実施形態において、基板ホルダＷＴは、複数のバール２０間の基板対向面４１上にコーティング２３を備える。コーティング２３は、厚さｔｃを有する（例えば、図３および５を参照）。一実施形態において、基板対向面４１は、複数のバール２０間において複数の領域４２、４３の配置を含む。 図４に示すように、一実施形態において、隣接する領域４２、４３は、サポート平面ＳＰから下方への距離の段状変化によって分離される。
[0055] 段状変化により、本体の基板対向面４１にはブロック構造が作られる。コーティング２３は、ブロック構造を有する基板対向面４１上にある。段状変化により、コーティング２３の内部応力が緩和される。結果として、本発明の一実施形態では、基板ホルダＷＴの変形が減少することが見込まれる。
[0056] コーティング２３の残留内部応力は、基板ホルダＷＴを歪ませ得る。例えば、図１２に示すように、コーティング２３は、基板ホルダＷＴに二次ボウル形状を引き起こす全体的な歪みをもたらし得る。基板ホルダＷＴの変形は、特に基板ホルダＷＴの縁部において望ましくない焦点外れの問題を生じさせる。図１３は、基板ホルダＷＴの屈曲を引き起こすコーティング２３内の応力を示す拡大図である。
[0057] 一実施形態において、（隣接した領域４２、４３を分離する）各段状変化は、コーティング２３の厚さｔｃよりも大きい。結果として、ブロック構造は、コーティング厚さｔｃよりも高い振幅を有する。このことは、コーティングの２つの段差間にある本体４０の材料は、全体的な歪みから局所的な応力を切り離す余地があることを意味する。
[0058] 一実施形態において、隣接した領域４２、４３は、側壁４４によって接続されている（例えば、図４参照）。側壁上のコーティングは、いずれも隣接した領域４２、４３間に応力を伝達するには不十分である。結果として、段状変化によって、各領域４２、４３内の局所的な応力が互いから切り離され、これにより、基板ホルダＷＴのあらゆる歪みが減少されることになる。
[0059] 図８は、本体４０の基板対向面の２つの隣接した領域の拡大断面図である。図８に示すように、コーティング２３は各領域に施される。２つの領域は、異なる高さ、つまり、サポート平面ＳＰから異なる距離にある。
[0060] 隣接した領域は、側壁４４によって接続される。一実施形態において、コーティング２３は、基板対向面４１に実質的に垂直な方向から基板対向面４１に施される。コーティングを施すプロセスは、見通し線プロセスである。結果として、側壁４４には実質的にコーティングが施されないことになる。
[0061] 図８に示すように、コーティング材料の薄層４５を側壁４４に施すことは可能である。薄層４５は、各領域上のコーティング２３の厚さｔｃよりもずっと薄い。例えば、薄層４５は、１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さを有し得る。
[0062] 図８に示すように、側壁４４上のコーティング材料の薄層４５は、２つの隣接した領域内のコーティング２３を接続しないこともある。コーティング材料の薄層４５が２つの隣接した領域間のコーティング２３を接続するとしても、コーティング２３の内部応力は、領域４２、４３間で伝達され得ない。一実施形態において、側壁４４上のコーティングはいずれも、隣接した領域４２、４３間に応力を伝達するには不十分である。結果として、段状変化はコーティング２３の応力を緩和する。
[0063] 図５は、基板テーブルＷＴの基板対向面４１の２つの隣接した領域４２、４３の拡大断面図である。図５に示すように、基板対向面４１は、粗さＲａを有し得る。図５に示すように、一実施形態において、コーティング２３の厚さｔｃは、コーティング２３が施される前の基板対向面４１の粗さＲａよりも大きい。
[0064] 少なくとも所定の厚さｔｃのコーティング２３を有するようにすることには利点がある。コーティング２３の厚さｔｃが粗さＲａよりも大きい場合、コーティング２３は連続した層として機能し得る。隣接した領域４２、４３間に段状変化が無い場合、コーティング材料２３の連続した層が基板ホルダＷＴの上面を離れる方向に押し得る。これにより、どこの応力も緩和されないため、全体的な歪みが生じる。
[0065] したがって、段状変化を設けることは、コーティング２３が基板ホルダＷＴの基板対向面４１の表面粗さＲａよりも大きい厚さｔｃを有する場合に、特に有益である。
[0066] 表面粗さＲａは、評価長さ内の中央線を中心としたずれから特定される粗さプロファイルの算術平均値である。一実施形態において、表面粗さＲａは、約５００ｎｍよりも小さい、任意で約３００ｎｍよりも小さい、任意で約１００ｎｍよりも小さい、または任意で約５０ｎｍよりも小さい。
[0067] 表面粗さＲａがコーティング２３の厚さｔｃよりも大きい場合、基板ホルダＷＴの歪みがより小さくなり得ることが判明している。これは、表面粗さがコーティング２３内の応力を緩和することができるためである。しかし、表面粗さＲａがコーティング２３の厚さｔｃよりも大きい場合、コーティング２３はそれほど効果的でなくなることもある。本発明では、より厚いコーティング２３と、基板ホルダＷＴの歪みの減少との利点を合わせて達成することを見込んでいる。これは、表面粗さによってではなく、段状変化によってコーティング２３の内部応力を緩和させることにより達成される。
[0068] 図５および８に示すように、一実施形態において、コーティング２３は、隣接した領域４２、４３間で非連続的である。コーティング２３は、隣接した領域４２、４３間で連続的であってもよい。例えば、側壁４４上のコーティング材料の薄層４５が側壁４４の全高に沿って延在する場合、隣接した領域４２、４３間に連続的なコーティング２３が存在することもある。しかし、このような場合は、コーティング材料の薄層４５は、隣接した領域４２、４３間で応力が伝達されない程度に薄くなる。
[0069] 一実施形態において、各段状変化は、コーティング２３の厚さｔｃよりも少なくとも２倍、任意で少なくとも４倍、さらに任意で少なくとも８倍大きい。一実施形態において、各段状変化は少なくとも１μｍである。任意で、各段状変化は少なくとも２μｍ、さらに任意で少なくとも３μｍである。これにより、段状変化はコーティング２３の厚さｔｃよりも大きくなる。
[0070] しかし、段状変化は、バール２０の高さｈｂよりはずっと小さい。図７は、バール２０の高さｈｂに対する段状変化を断面図で概略的に示している。段状変化ｈｓは、バール２０の高さｈｂよりもずっと小さい。一実施形態において、バール２０の高さｈｂは、段状変化ｈｓの少なくとも１０倍、任意で少なくとも２０倍、さらに任意で少なくとも５０倍である。一実施形態において、各段状変化ｈｓは、最大１０μｍ、任意で最大５μｍ、任意で最大４μｍ、さらに任意で最大３μｍである。
[0071] 一実施形態において、領域４２、４３は、バール２０よりも小さい横方向寸法を有する。一実施形態において、バール２０の遠位端面の直径（つまり、横方向寸法）は、約２５μｍ〜約１０００μｍの範囲、任意で１００μｍ〜３００μｍの範囲（例えば、約２００μｍ）であり得る。段状変化ｈｓによって分離される領域４２、４３は、それよりも小さい。
[0072] 図６に示される実施形態では、領域４２、４３は正方形である。正方形の場合、横方向寸法は、正方形の各辺の長さに対応する。しかし、領域４２、４３は正方形である必要はない。 他の形状もまた可能である。
[0073] 図９〜１１は、領域４２、４３の可能な配置例を平面図で示す。図９は、領域４２、４３のそれぞれが六角形を有する配置を示す。六角形の場合、横方向寸法は、一つの辺の中央から反対側の辺の中央までの（つまり、六角形の中心を通る）距離である 。図１０は、基板対向面４１上の領域４２、４３の配置を示す。図１０に示される実施形態では、各領域４２、４３は、正三角形である。正三角形の場合、横方向寸法は、一つの頂点から反対側の辺の中央までの（つまり、三角形の中心を通る）距離である。
[0074] 図１１は、基板ホルダＷＴの基板対向面４１上の領域４２、４３の配置の代替的な実施形態を示す。図１１に示す実施形態では、領域４２、４３は、規則的な形状を有さない。その代わりに、配置は不規則であり、乱形石貼り（crazy paving）に似ている。横方向寸法は、領域の中心（つまり、重心）を通るこの領域の２つの辺間の距離である。領域の重心は、この領域の形状の全ての点の算術平均位置である。
[0075] 一実施形態において、領域の重心を通る最大横方向寸法は、バール２０の遠位端面の直径よりも小さい。一実施形態において、領域４２、４３は、最大１００μｍ、任意で最大５０μｍ、さらに任意で最大２０μｍの横方向寸法を有する。一実施形態において、領域４２、４３は、最大１００μｍ、任意で最大５０μｍ、さらに任意で最大２０μｍの（重心を通る）最大横方向寸法を有する。
[0076] 領域４２、４３に最大サイズを設けることにより、確実に、コーティング２３の内部応力を十分に緩和し、基板ホルダＷＴの変形を減少することができるようになる。
[0077] 図６は、本発明の一実施形態に係る基板ホルダＷＴの基板対向面４１を平面図で示す。図に６示すように、領域４２、４３は、バール２０の直径ｄｂよりも小さい横方向寸法ｄａを有する。
[0078] 図６に示すように、領域４２、４３の配置は、複数のバール２０間の基板対向面４１の実質的に全てを満たしている。一実施形態では、複数のバール２０間の基板対向面４１の実質的に全てが領域４２、４３の配置を含んでいる。しかし、複数のバール２０間の基板対向面４１の実質的に全体が領域４２、４３の配置を有するように形成されることは必須ではない。一実施形態では、 基板対向面４１の大半が領域４２、４３の配置を有するように形成される。
[0079] 図６に示すように、一実施形態では、バール２０の遠位端面は領域４２、４３の配置を有さないように形成される。一実施形態において、バール２０の遠位端面の実質的に全体がサポート平面ＳＰにある。バール２０の遠位端面は、段状変化を全く有さないように形成される。
[0080] 一実施形態において、コーティング２３は、（基板ホルダＷＴの基板対向面４１に加えて）バール２０の遠位端面に施される。結果として、バール２０の遠位端面上のコーティング２３が基板ホルダＷＴにいくらかの変形を生じさせる可能性はある。一実施形態において、全てのバール２０の遠位端面の全面積は、基板Ｗまたは基板ホルダＷＴの全面積の１％〜３％の範囲である。これにより、バール２０上のコーティング２３内の残留応力が基板ホルダＷＴを変形し得る程度が制限される。
[0081] 各バール２０のサイズ（つまり、直径ｄｂ）を制限することにより、コーティング２３の応力緩和が可能となる。これは、あるバール２０上のコーティング２３が別のバール２０上のコーティング２３に応力を伝達することができないためである。領域４２、４３の配置により、複数のバール２０間の基板対向面４１に改善された応力緩和がもたらされる。これは、領域４２、４３の横方向寸法ｄａがバール２０の直径ｄｂよりも小さいためである。
[0082] 代替的な実施形態では、間に段状変化を有する領域４２、４３の配置が、バール２０の遠位端面に適用される。これにより、遠位端面上にランダムに位置する汚染粒子が基板Ｗの平坦度に影響を及ぼすことなく残留する余地がもたらされ得る。本発明の一実施形態では、基板ロードグリッド（substrate load grid）の寿命が長くなることが見込まれる。
[0083] 一実施形態において、間に段状変化を有する領域４２、４３の配置が、コーティング（例えば、高温でドーパントが漏出するのを防止するためのコーティング）が施され得る基板Ｗの裏側に適用される。
[0084] 一実施形態において、各段状変化ｈｓは、本体４０の基板対向面４１とサポート平面ＳＰとの間の最小距離よりも小さい。図７に示すように、基板対向面４１とサポート平面ＳＰとの間の最小距離は、ｈｂで示されている。段状変化ｈｓは、この最小距離ｈｂよりもずっと小さい。
[0085] 一実施形態において、各段状変化ｈｓは、最大で２０μｍ、任意で最大１０μｍ、任意で最大５μｍ、さらに任意で最大２μｍである。
[0086] 一実施形態において、各領域４２、４３は、領域４２を隣接した領域４３から分離する段状変化ｈｓよりも大きい横方向寸法ｄａを有する。図４および７に示すように、基板対向面４１はブロック構造を有する。いくつかの領域４２のブロックは、他の領域４３のブロックよりもサポート平面ＳＰのより近くまで突出している。より突出した領域４２は、（周囲の領域４３に対して）高さよりも幅が大きくなるような縦横比を有するように形成される。 これにより、領域４２、４３を形成するブロックの安定性が向上する。一実施形態において、各領域４２は、領域４２を隣接した領域４３から分離する段状変化ｈｓよりも少なくとも２倍大きい横方向寸法ｄａを有する。
[0087] 図４、５、７および８に示すように、一実施形態では、隣接した領域４２、４３は側壁４４によって接続される。側壁４４は、サポート平面ＳＰに実質的に垂直に延在する。垂直な側壁４４は、領域４２と領域４３との間に高さの段状変化を形成する。一実施形態において、側壁４４は領域４２、４３の基板対向部分と直角を形成する。
[0088] 側壁４４は、必ずしもサポート平面ＳＰに対して正確に垂直でなくてもよい。側壁４４は、わずかに張り出した形状またはわずかに円錐台形状となるように形成されてもよい。側壁４４は、（サポート平面ＳＰに実質的に垂直な方向から施された）コーティング２３が、領域４２、４３間に応力を伝達し得ないような形状である。よって、例えば図８に示すように、側壁４４上にはわずかな量のコーティング材料があってもよい。
[0089] 側壁４４は、領域４２、４３の基板対向部分との間にわずかに丸みをおびた角を形成してもよい。特に、図５に示すように、領域４２、４３の基板対向部分は表面粗さを有し得る。この表面粗さは、側壁４４に対して９０度以外の角度を生じさせ得る。一実施形態において、段状変化ｈｓは、表面粗さＲａの少なくとも５倍、任意で少なくとも１０倍、さらに任意で少なくとも２０倍である。結果として、段状変化ｈｓは領域４２、４３間のコーティング２３を不連続にする。
[0090] 一実施形態において、配置は、平面視で基板ホルダＷＴの大半に適用される。
[0091] 図６、９および１０に示すように、一実施形態において、領域４２、４３の配置はグリッドである。一実施形態では、このグリッドは、規則的な形状の規則的なグリッドである。このようなグリッドでは、基板ホルダＷＴが領域４２、４３の配置を有するように製造するのがより容易である。しかし、配置は必ずしも規則的なグリッドなくてもよく、例えば図１１に示すように、一実施形態において配置はグリッドではない。そのような場合でも、領域４２、４３の配置は、領域４２、４３に施されたコーティング２３に対し応力緩和をもたらす。
[0092] 図４、５、７および８に示すように、一実施形態において、配置は、基板対向面４１に２つの異なる段差があるように構成される。換言すると、基板対向面４１は、サポート平面ＳＰよりも下方にある２つの異なる高さを有する。各領域４２、４３は、サポート平面ＳＰから下方への２つの異なる距離のうちの一方にあるように配置される。しかし、段差の数は、必ずしも２つのみに限定されなくてもよい。
[0093] 一実施形態において、領域の配置は、サポート平面ＳＰの下方に基板対向面４１の段差が３つ、４つ、またはそれ以上存在するように構成される。各領域４２、４３は、サポート平面ＳＰから下方へ３つ、４つ、またはそれ以上の異なる距離のうちの１つにあるように配置される。例えば、図９に示す配置では、配置は六角形グリッドである。この場合、全ての隣接した領域４２、４３がそれらの間に段状変化を有するには、少なくとも３つの段差が必要である。 特に、六角形グリッドでは、少なくとも３つの段差が必要である。一方、図１０に示す三角形グリッドまたは図６に示す正方形グリッドは、２つの異なる段差のみで形成することができる。
[0094] 一実施形態において、領域４２、４３の配置は、レーザアブレーションによって形成される。一実施形態において、レーザビームを使用して、段状変化を形成するように基板ホルダＷＴの上面を照射する。
[0095] 図２は、一実施形態に係るリソグラフィ装置で使用される基板ホルダＷＴのさらなる特徴を示す。基板ホルダＷＴは基板Ｗを支持する。基板ホルダＷＴは本体４０を含む。本体４０は本体表面２２を有する。複数のバール２０が本体表面２２から突出して設けられている。各バール２０の遠位端面は、基板Ｗと係合する。本体４０およびバール２０は、ケイ素マトリックス内に炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子を有するセラミック材料であるＳｉＳｉＣで形成され得る。あるいは、本体４０およびバール２０は、ＳｉＣで形成されてもよい。
[0096] 本体４０には、複数の貫通孔８９が形成され得る。この貫通孔８９により、ｅ−ピンが基板ホルダＷを貫通して基板Ｗを受けることができる。貫通孔８９から、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間のスペースを真空にすることもできる。基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間のスペースを真空にすることで、基板Ｗの上方のスペースが真空にされていない場合にも、クランプ力を提供することができる。このクランプ力により、基板Ｗが所定位置に保持される。ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置の場合のように基板Ｗの上方のスペースも真空にされている場合は、基板ホルダＷＴ上に電極を設けて静電クランプを形成することができる。
[0097] 一実施形態において、基板ホルダＷＴはシール８７をさらに備える。シール８７は、本体表面２２から突出し得る。シール８７シール端面を有し得る。シール８７は貫通孔８９を囲み得る。シール端面は、貫通孔８９の周りに連続したリングを形成し得る。他の実施形態では、シール８７は、貫通孔８９を囲む任意の他の形状を有してもよい。シール８７の高さは、バール２０の高さと実質的に同じであってよく、それにより、シール端面がバール２０の遠位端面によって画定される実質的に平坦なサポート平面と一致する。シール８７は、基板Ｗが基板ホルダＷＴのバール２０上に載置される時に、基板Ｗと接触し得る。シール８７は、貫通孔８９とシール８７の外側の領域との間の流体接続が防止されるように、基板Ｗと接触し得る。基板Ｗの上方の圧力よりも低い低圧を貫通孔８９に印加することにより、基板Ｗを基板ホルダＷＴにクランプすることができる。あるいは、シール８７は、基板Ｗに接触しないように、バール２０よりもわずかに低い高さを有してもよい。このようなシール８７は、 貫通孔８９内へのガス流を少なくし、低圧を生じさせる。任意で、あるいはその代わりに、基板ホルダＷＴの周縁付近にエッジシール８５を設けてもよい。エッジシール８５は、基板ホルダＷＴの外側を囲む突条部である。エッジシール８５は、バール２０よりもわずかに低い高さを有してもよく、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間のスペース内へのガス流を少なくすることによりクランプ力を提供する。
[0098] 例えば、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間のガス流および／または熱伝導性を制御するための他の構造を設けることができる。基板ホルダＷＴには、電子部品を設けることができる。電子部品には、ヒータおよびセンサが含まれ得る。ヒータおよびセンサを使用して、基板ホルダＷＴおよび基板Ｗの温度を制御することができる。
[0099] 図３に示すように、バール２０の間の基板対向面４１上にはコーティング２３がある。コーティング２３は厚さｔｃを有する。コーティング２３は残留応力を有する。例えば、コーティング２３は、内部圧縮応力を有し得る。あるいは、コーティング２３は、内部引っ張り応力を有し得る。
[0100] 図３は、バール２０の拡大図を示す。バール２０は、１０μｍ〜５００μｍの範囲、任意で１００μｍ〜５００μｍの範囲（例えば、約１５０μｍ）の高さｈｂを有し得る。バール２０の遠位端面の直径は、１００μｍ〜３００μｍの範囲（例えば、約２００μｍ）であってよい。バール２０のピッチは、約０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲（例えば、約１．５ｍｍ）であってよい。バール２０のピッチは、２つの隣接したバール２０の中心間の距離である。一実施形態において、全てのバール２０の遠位端面の全面積は、基板Ｗまたは基板ホルダＷＴの全面積の１％〜３％の範囲である。図３に示すように、バール２０は、バール側面がわずかに傾斜した円錐台状であり得る。一実施形態において、バール側面は、垂直であっても、張り出し状であってもよい。一実施形態では、バール２０は平面視で円形である。バール２０は、必要に応じて、他の形状に形成されてもよい。
[0101] 一実施形態において、コーティング２３は、ＤＬＣ層を含み、０．５μｍ〜１．５μｍの範囲の厚さを有する。最小厚さを０．５μｍとすることで、ＤＬＣ層は、堆積後に、例えばＤＬＣ層の上面の平坦度を向上させるための処理をすることが可能となる。後処理により、確実に、ＤＬＣ層の上面がサポート平面ＳＰに高精度で一致することができるようになる。さらに、最小厚さを０．５μｍとすることで、あらゆる局所的な微小の凹凸を平らにすることができる。最大厚さを１．５μｍとすることで、確実に、ＤＬＣ層内の内部圧縮応力を低く維持することができる。他の実施形態では、炭素系材料の層は、ＤＬＣ以外の炭素系材料を含み、同様に０．５μｍ〜１．５μｍの厚さを有する。これにより、ＤＬＣに関連した上述したのと同様の効果を提供することができる。
[0102] 一実施形態において、コーティング２３は、化学蒸着法により施される。一実施形態では、コーティング２３は、プラズマ化学蒸着法により施される。
[0103] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに単層または多層の処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0104] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折および反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0105] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。
[0106] 本明細書に記載されるあらゆるコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ以上のプロセッサによって１つ以上のコンピュータプログラムが読み取られた際に、それぞれが動作可能であってもよく、または組み合わせで動作可能であってもよい。それらのコントローラは、それぞれが、あるいは組み合わせで、信号を受信し、処理し、かつ送信するための任意の好適な構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上述した方法のための機械可読命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つ以上のプロセッサを含み得る。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体および／またはそのような媒体を受けるハードウェアを備え得る。したがって、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械可読命令に従って動作し得る。
[0107] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、以降に記載する特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置用の基板ホルダであって、前記基板ホルダは基板の下面を支持するように構成され、前記基板ホルダは、
    基板対向面を有する本体と、
    前記基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは前記基板と係合するように構成された遠位端を有し、前記遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ前記基板を支持するように構成される、複数のバールと、
    前記複数のバール間の前記基板対向面上のコーティングと、を備え、
    前記基板対向面は、前記複数のバール間に複数の領域の配置を有し、
    隣接した領域は、前記サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、
    各段状変化は、前記コーティングの厚さよりも大きく、
    前記隣接した領域のうち前記サポート平面に近い第１の領域は、前記隣接した領域のうち前記第１の領域よりも前記サポート平面から遠い第２の領域の上の前記コーティングの層に重なっていない、基板ホルダ。
  2. 隣接した領域は、側壁によって接続され、
    前記側壁上のコーティングはいずれも、隣接した領域間で応力を伝達するには不十分である、請求項１に記載の基板ホルダ。
  3. リソグラフィ装置用の基板ホルダであって、前記基板ホルダは基板の下面を支持するように構成され、前記基板ホルダは、
    基板対向面を有する本体と、
    前記基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは前記基板と係合するように構成された遠位端を有し、前記遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ前記基板を支持するように構成される、複数のバールと、
    前記複数のバール間の前記基板対向面上のコーティングと、を備え、
    前記基板対向面は、前記複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域は、前記サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、隣接した領域は、側壁によって接続され、前記側壁上のコーティングはいずれも、隣接した領域間で応力を伝達するには不十分である、基板ホルダ。
  4. 前記コーティングは、残留応力を有する、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  5. 前記コーティングは、隣接した領域間で不連続である、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  6. 各段状変化は、少なくとも１μｍである、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  7. 前記領域の横方向寸法は、前記バールの横方向寸法よりも小さい、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  8. 各段状変化は、前記本体の前記基板対向面と前記サポート平面との間の最小距離よりも小さい、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  9. 各領域は、当該領域を隣接した領域から分離する前記段状変化よりも大きい横方向寸法を有する、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  10. 隣接した領域は、前記サポート平面に実質的に垂直に延在する側壁によって接続される、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  11. 各領域は、前記サポート平面から下方の２つの異なる距離の一方にある、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  12. 前記複数の領域の前記配置は、グリッドである、請求項１、２または３に記載の基板ホルダ。
  13. パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、
    前記パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、
    前記基板を保持するように配置された、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板ホルダと、
    を備える、リソグラフィ装置。
  14. リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
    基板ホルダ上に基板を保持する一方で、パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを前記基板上に投影することを含み、
    前記基板ホルダは、
    基板対向面を有する本体と、
    前記本体の前記基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは前記基板と係合するように構成された遠位端を有し、前記遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ前記基板を支持するように構成される、複数のバールと、
    前記複数のバール間の前記基板対向面上のコーティングと、を備え、
    前記本体の前記基板対向面は、前記複数のバール間に複数の領域の配置を有し、
    隣接した領域は、前記サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、
    各段状変化は、前記コーティングの厚さよりも大きく、
    前記隣接した領域のうち前記サポート平面に近い第１の領域は、前記隣接した領域のうち前記第１の領域よりも前記サポート平面から遠い第２の領域の上の前記コーティングの層に重なっていない、デバイス製造方法。
  15. リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
    基板ホルダ上に基板を保持する一方で、パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを前記基板上に投影することを含み、
    前記基板ホルダは、
    基板対向面を有する本体と、
    前記本体の前記基板対向面から突出した複数のバールであって、各バールは前記基板と係合するように構成された遠位端を有し、前記遠位端は、サポート平面に実質的に一致し、かつ前記基板を支持するように構成される、複数のバールと、
    前記複数のバール間の前記基板対向面上のコーティングと、を備え、
    前記本体の前記基板対向面は、前記複数のバール間に複数の領域の配置を有し、隣接した領域は、前記サポート平面から下方への距離の段状変化によって分離され、隣接した領域は、側壁によって接続され、前記側壁上のコーティングはいずれも、隣接した領域間で応力を伝達するには不十分である、デバイス製造方法。
JP2020521601A 2017-11-08 2018-10-11 基板ホルダおよび基板ホルダを製造する方法 Active JP6917523B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17200605.8 2017-11-08
EP17200605 2017-11-08
PCT/EP2018/077740 WO2019091694A1 (en) 2017-11-08 2018-10-11 A substrate holder and a method of manufacturing a device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021502584A JP2021502584A (ja) 2021-01-28
JP6917523B2 true JP6917523B2 (ja) 2021-08-11

Family

ID=60293812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020521601A Active JP6917523B2 (ja) 2017-11-08 2018-10-11 基板ホルダおよび基板ホルダを製造する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11086234B2 (ja)
EP (1) EP3707559B1 (ja)
JP (1) JP6917523B2 (ja)
KR (1) KR102390754B1 (ja)
CN (1) CN111373327B (ja)
TW (1) TWI710052B (ja)
WO (1) WO2019091694A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111373327B (zh) 2017-11-08 2022-07-22 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和制造器件的方法
CN108538776B (zh) * 2018-03-29 2021-11-16 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘及其制造方法
US20220223451A1 (en) * 2019-05-22 2022-07-14 Vuereal Inc. Systems and methods for transferring devices or patterns to a substrate
US11804410B2 (en) * 2019-08-29 2023-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thin-film non-uniform stress evaluation
JP2021060573A (ja) * 2019-10-02 2021-04-15 キヤノン株式会社 ウエハチャック、その製造方法、及び露光装置
US11842918B2 (en) 2019-10-02 2023-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Wafer chuck, method for producing the same, and exposure apparatus
WO2022051185A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-10 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with embossments that comprise diamond-like carbon and deposited silicon-based material, and related methods

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9300389A (nl) * 1993-03-04 1994-10-03 Xycarb Bv Substraatdrager.
EP1341216A1 (en) 2000-12-05 2003-09-03 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor manufacturing and inspecting devices, and method of manufacturing the ceramic substrate
JP4704792B2 (ja) * 2005-04-04 2011-06-22 シャープ株式会社 薄膜付きガラス基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
US7468782B2 (en) * 2005-04-25 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, position quantity controller and control method with feedforward signal
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20140343191A1 (en) 2011-09-30 2014-11-20 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Fiber-reinforced resin composite material and method for producing same
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
WO2013113569A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder
EP2841995A2 (en) 2012-04-23 2015-03-04 ASML Netherlands BV Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method
NL2010527A (en) 2013-03-27 2014-09-30 Asml Netherlands Bv Object holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing an object holder.
CN105683839B (zh) 2013-09-27 2017-08-08 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台、光刻设备以及器件制造方法
DE102015007216B4 (de) 2015-06-03 2023-07-20 Asml Netherlands B.V. Verfahren zur Herstellung einer Halteplatte, insbesondere für einen Clamp zur Waferhalterung, Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung zur Halterung eines Bauteils, Halteplatte und Haltevorrichtung
NL2016873A (en) 2015-07-02 2017-01-17 Asml Netherlands Bv A Substrate Holder, a Lithographic Apparatus and Method of Manufacturing Devices.
CN106331050A (zh) 2015-07-06 2017-01-11 中兴通讯股份有限公司 一种资源共享方法、终端设备、应用服务器及系统
DE102015214997A1 (de) 2015-08-06 2017-02-09 ALL-Impex GmbH Import/Export Verfahren zur Herstellung eines Bauteils aus keramischen Werkstoffen
NL2017357A (en) 2015-09-28 2017-09-01 Asml Netherlands Bv A Substrate Holder, a Lithographic Apparatus and Method of Manufacturing Devices
US10236203B2 (en) 2015-10-29 2019-03-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus substrate table and method of loading a substrate
JP6867149B2 (ja) 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
CN109791363B (zh) 2016-07-06 2021-01-08 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和制造衬底保持器的方法
CN111373327B (zh) 2017-11-08 2022-07-22 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和制造器件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200292947A1 (en) 2020-09-17
WO2019091694A1 (en) 2019-05-16
CN111373327B (zh) 2022-07-22
EP3707559B1 (en) 2023-04-19
KR20200063225A (ko) 2020-06-04
CN111373327A (zh) 2020-07-03
EP3707559A1 (en) 2020-09-16
TW201923954A (zh) 2019-06-16
JP2021502584A (ja) 2021-01-28
TWI710052B (zh) 2020-11-11
US11086234B2 (en) 2021-08-10
KR102390754B1 (ko) 2022-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6917523B2 (ja) 基板ホルダおよび基板ホルダを製造する方法
JP7068378B2 (ja) 基板ホルダ、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP6806841B2 (ja) 基板支持体、基板支持ロケーションに基板を搭載するための方法、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP6774507B2 (ja) 基板ホルダ及び基板ホルダを製造する方法
JP2021103332A (ja) 基板、基板ホルダ、基板コーティング装置、基板をコーティングするための方法、及びコーティングを除去するための方法
TWI626708B (zh) 基板支撐件、補償基板之上表面之不平整度之方法、微影裝置及器件製造方法
JP6609694B2 (ja) 基板ホルダ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法
US20210263418A1 (en) Tool for modifying a support surface
US20200103770A1 (en) A system for cleaning a substrate support, a method of removing matter from a substrate support, and a lithographic apparatus
CN113348543A (zh) 用于光刻设备中的衬底保持器和器件制造方法
US20220082953A1 (en) Lithographic apparatus, substrate table, and method
TW202307584A (zh) 微影裝置、基板台、及製造方法
TW202141196A (zh) 用於製造雙面靜電夾的系統和方法
KR20230158096A (ko) 개선된 오버레이를 위한 클램프 전극 변경

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200605

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210622

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210715

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210719

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6917523

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150