TW202307584A - 微影裝置、基板台、及製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種方法，其包括：使用輻射或熱來處理一物件之一瘤節表面；及設定該輻射或熱之參數以實現該瘤節表面之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。

Description

微影裝置、基板台、及製造方法
本發明係關於基板台、紋理化台表面及在用於例如微影系統及程序中之基板台表面上實施瘤節及奈米結構之方法。
微影裝置係將所要圖案塗佈至基板上(通常塗佈至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地稱作遮罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有順次圖案化之鄰近目標部分之網路。已知之微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由將整個圖案一次性曝光至目標部分上來輻照各目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束來掃描模式同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照各目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。
另一微影系統為干涉微影系統，其中不存在圖案化器件，而是分裂為兩個光束之光束，且經由使用反射系統使得該兩個光束在基板之目標部分處發生干涉。該干涉使得在基板之目標部分處形成線。
在微影操作期間，不同處理步驟可能要求不同層依序地形成於基板上。因此，可有必要以高準確度相對於形成於基板上之先前圖案來定位該基板。一般而言，將對準標記置放於待對準之基板上且參考第二目標來定位對準標記。微影裝置可使用對準裝置來偵測對準標記之位置且使用對準標記來對準基板以確保自遮罩之精確暴露。兩個不同層處之對準標記之間的未對準經量測為疊對誤差。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可在產品基板上及/或專用度量衡目標上執行此量測。存在用於對在微影程序中形成之微觀結構進行量測之各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上之目標上，且量測散射或反射光束之屬性。藉由將光束在其已由基板反射或散射之前與之後的屬性進行比較，可判定基板之屬性。舉例而言，可藉由將反射光束與儲存於與已知基板屬性相關聯之已知量測庫中的資料進行比較來進行此判定。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上且量測散射至特定窄角程內之輻射之頻譜(作為波長之函數之強度)。相比之下，角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的散射輻射之強度。
此等光學散射計可用於量測參數，諸如形成於經圖案化基板中或上之兩個層之間的所產生的感光性抗蝕劑或疊對誤差(OV)之臨界尺寸。可藉由將照明光束在該光束由基板反射或散射之前與之後的屬性進行比較來判定基板之屬性。
期望指示及維護基板台之表面上之摩擦屬性(例如，摩擦、硬度、磨損)。基板台具有難以達到之表面位準公差，此係因為微影及度量衡程序之精確度需求。相較於其表面區域之寬度(例如，＞100 mm)相對較薄(例如，＜1 mm厚)之晶圓(例如，半導體基板)對基板台之不均勻性特別敏感。此外，接觸之超光滑之表面可變為「黏」在一起，此可在基板必須自基板台脫離時出現問題。
因此，需要為基板台開發允許增加耐磨性及摩擦屬性之結構及方法。
在一些實施例中，一種方法包含使用輻射或熱來處理一物件之一瘤節表面。該方法進一步包含設定輻射或熱之參數以實現該瘤節表面之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。
在一些實施例中，一種支撐台包含瘤節表面。瘤節表面包含接觸層，其經組態以進行處理以實現接觸層之預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。接觸層經基於暴露於輻射光束或暴露於熱進行處理，使得接觸層之參數大於參考層之相同參數，該參考層具有與接觸層相同的建構但不暴露於輻射光束或熱。
在一些實施例中，一種微影裝置包含照明系統、投影系統及支撐台。支撐台包含瘤節表面。瘤節表面包含接觸層，其經組態以進行處理以實現接觸層之預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。接觸層經基於暴露於輻射光束或暴露於熱進行處理，使得接觸層之參數大於參考層之相同參數，該參考層具有與接觸層相同的建構但不暴露於輻射光束或熱。照明系統經組態以照明圖案化器件之圖案。投影系統經組態以將圖案之影像投影至基板上。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於繪示性目的呈現此等實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。提供所揭示實施例作為實例。本發明之範疇不限於所揭示實施例。所主張之特徵由此處隨附之申請專利範圍限定。
所描述實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述實施例可包括特定特徵、結構或特性，但各實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。 此外，此等片語未必係指相同實施例。此外，當結合一實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
為易於描述，本文中可使用諸如「在…之下」、「在…下方」、「下部」、「在…上方」、「在…上」、「上部」或其類似者之空間相對術語來描述如圖式中所繪示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。除圖式中所描繪之定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋器件在使用或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，具指導性的係呈現其中可實施本發明之實施例之實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別展示微影裝置100及微影裝置100'，其中可實施本發明之實施例。微影裝置100及微影裝置100'各自包括以下：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線或極紫外線輻射)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，遮罩、倍縮光罩或動態圖案化器件) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗覆晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒) C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS為反射性的。在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS為透射性的。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其它類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影裝置100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
應將術語「圖案化器件」MA廣泛地解釋為指代可用以在其橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。賦予至輻射光束B之圖案可對應於器件中產生於目標部分C中以形成積體電路的特定功能層。
圖案化器件MA可為透射性的(如在圖1B之微影裝置100'中)或反射性的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括倍縮光罩、遮罩、可程式規劃鏡面陣列或可程式化LCD面板。遮罩在微影中已為所熟知，且包括諸如二元、交替相移或衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型的投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。真空環境可用於EUV或電子射束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置100及/或微影裝置100'可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個基板台WT(及/或兩個或更多個遮罩台)。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如遮罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中已熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置100、100'可為單獨的物理實體。在此等情況下，不認為源SO形成微影裝置100或100'之部分，且輻射光束B藉助於包括(例如)合適之導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當源SO為汞燈時，源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (若需要)可稱為輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (在圖1B中)。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用於調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
參考圖1A，輻射光束B入射於經固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化器件(例如，遮罩) MA上，且由圖案化器件MA圖案化。在微影裝置100中，自圖案化器件(例如，遮罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化器件(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，遮罩) MA及基板W。
參考圖1B，輻射光束B入射於經固持於支撐結構(例如，遮罩台MT)上之圖案化器件(例如，遮罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在已橫穿遮罩MA之情況下，輻射光束穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有至照明系統光瞳IPU之光瞳共軛PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受到遮罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈影像。
投影系統PS將遮罩圖案MP之影像MP'投影至塗覆於基板W上之光阻層上，其中影像MP'由繞射光束形成，該等繞射光束自標記圖案MP由來自強度分佈之輻射產生。舉例而言，遮罩圖案MP可包括線及空間陣列。在陣列處且不同於零階繞射之輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線之方向上改變方向。未繞射光束(亦即，所謂的零階繞射光束)橫穿圖案，而傳播方向沒有任何變化。零階繞射光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛PPU上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛PPU。在光瞳共軛PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之一影像。孔徑器件PD，例如係安置於包括投影系統PS之光瞳共軛PPU之平面處或實質上安置於該平面處。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組L不僅捕捉零階繞射光束，而且亦捕捉第一階或第一階及較高階繞射光束(未展示)。在一些實施例中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，第一階繞射光束在晶圓W級下干涉對應的零階繞射光束，而以最高可能解析度及程序窗(亦即，與容許曝光劑量偏差組合之可用景深)產生線圖案MP之影像。在一些實施例中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(圖中未展示)來減小散光像差。此外，在一些實施例中，可藉由阻擋投影系統之光瞳共軛PPU中之與相對四分體中之輻射極相關聯的零階光束來減小散光像差。此情形更詳細地描述於2009年3月31日發佈之US 7,511,799 B2中，該專利以全文引用之方式併入本文中。
藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，一干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位遮罩MA (例如，在以機械方式自遮罩庫擷取之後或在掃描期間)。
一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部件之一長衝程模組(粗略定位)及一短衝程模組(精細定位)來實現遮罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之一長衝程模組及一短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，遮罩台MT可僅連接至一短衝程致動器，或可固定。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準遮罩MA及基板W。儘管基板對準標記(如所繪示)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(稱為切割道對準標記)。類似地，在超過一個晶粒設置於遮罩MA上之情形中，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。
遮罩台MT及圖案化器件MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用於將諸如遮罩之圖案化器件移入及移出真空腔室。可替代地，當遮罩台MT及圖案化器件MA處於真空腔室外部時，類似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。應校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於將任何酬載(例如，遮罩)平滑轉移至轉移站之固定運動學座架。
微影裝置100及100'可在以下模式中之至少一者下使用:
1. 在步進模式下，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性地投影至目標部分C上時，支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式下，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小率)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台) MT之速度及方向。
3. 在另一模式下，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，遮罩台)MT實質上保持靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之各移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，該極紫外線(EUV)源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態以處於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構且經配置以使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜的EUV範圍內之輻射。藉由例如造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。例如分壓為10 Pa之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適之氣體或蒸汽可用於輻射之有效產生。在一些實施例中，提供受激發錫(Sn)之電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方之任選氣體障壁或污染物阱230 (在一些情況下亦稱作污染物障壁或箔阱)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物阱230可包括通道結構。污染物阱230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物阱230 (或污染物障壁)至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵濾光片240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點INTF通常稱為中間焦點，且源收集器裝置經配置以使得中間焦點INTF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點INTF為輻射發射電漿210之影像。光柵濾光片240尤其用於抑制紅外(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡器件222及琢面化瞳鏡器件224，其經配置以在圖案化器件MA處提供輻射光束221之所要角度分佈以及在圖案化器件MA處提供輻射強度的所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射輻射光束221後，形成圖案化光束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將圖案化光束226成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵濾光片240。此外，可存在比圖2所展示之鏡面多的鏡面，例如，除圖2中所示的以外，在投影系統PS中可存在一個至六個額外反射元件。
如圖2中所繪示，收集器光學器件CO經描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為採集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置以，且此類型之收集器光學器件CO較佳地結合放電產生電漿源(常常稱為DPP源)使用。
例示性微影單元
圖3展示根據一些實施例之微影單元300，有時亦稱為微影單元(lithocell)或叢集。微影裝置100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括一或多個裝置以對基板執行曝光前程序及曝光後程序。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以使經曝光抗蝕劑顯影之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置100或100'之裝載底架LB。常常統稱為塗佈顯影系統之此等器件係在自身由監督控制系統SCS控制之塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出量及處理效率。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合形式實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)及其他。另外，可在本文中將韌體、軟體、常式及/或指令描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起。
例示性基板台
圖4展示根據一些實施例之基板載物台400之示意圖。在一些實施例中，基板載物台包含基板台402、支撐區塊404及一或多個感測器結構406。在一些實施例中，基板台402包含夾具以固持基板408(例如，靜電夾具)。在一些實施例中，一或多個感測器結構406中之各者包含透射影像感測器(TIS)板。TIS板為感測器單元，其包含在TIS感測系統中使用之一或多個感測器及/或標記器，該TIS感測系統用於準確定位晶圓相對於微影裝置(例如，微影裝置100，圖1)之投影系統(例如，投影系統PS，圖1)及遮罩(例如，遮罩MA，圖1)的位置。儘管在此處以圖示展示TIS板，本文中之實施例不限於任何特定感測器。基板台402安置於支撐區塊404上。一或多個感測器結構406安置於支撐區塊404上。
在一些實施例中，當基板載物台400支撐基板408時，基板408安置於基板台402上。
可在本文中使用術語「平坦」、「平坦度」或其類似者來描述相對於表面之大體平面之結構。舉例而言，彎曲或不水平表面可為一種並不符合平板之表面。表面上之突起及/或凹陷亦可經特徵化為自「平坦」平面之偏差。
在一些實施例中，上文所提及之基板台之表面(例如，圖1A及圖1B中之晶圓台WT、圖4中之基板台402)可為平坦的或瘤節的(例如，如圖5中所示)。當基板台之表面係平坦的時，黏在基板台與晶圓之間的任何微粒或污染物將使得污染物透印晶圓，從而在其附近引起微影誤差。因此，污染物降低器件良率且增加生產成本。
在基板台上安置瘤節有助於減少平坦基板台之非期望效應。當將晶圓夾持至瘤節基板台時，可在晶圓並不接觸基板台之區域中獲得空的空間。空的空間充當污染物之囊袋以便防止印刷誤差。另一特徵為很有可能歸因於由瘤節引起之負荷的增加(例如，每單位面積所增加之局部壓力或力)而崩解瘤節上之污染物。壓碎污染物亦有助於減少透印誤差。在一些實施例中，瘤節之經組合表面區域可為基板台之表面區域的約1-5%。此處，瘤節之表面區域係指瘤節的與晶圓接觸之表面(例如，不包括瘤節之側壁)。且基板台之表面區域係指瘤節所駐留之基板台之表面(例如，不包括基板台之橫側或背側)的間隔。當將晶圓夾持至瘤節基板台上時，與平坦基板台相比，負荷增加100倍，此足以崩解大部分污染物。雖然此處之實例使用基板台，但該實例並不意欲為限制性的。舉例而言，本發明之實施例可針對各種夾持結構(例如，靜電夾具、夾持薄膜)且在多種微影系統(例如，EUV、DUV)中實施於倍縮光罩台上。
圖5展示根據一些實施例之基板台500之區域之橫截面示意圖。基板台500包含瘤節表面502，其包含瘤節504。瘤節表面502可為安置於基板台500上之靜電夾具之表面。當基板台500支撐基板506時，瘤節504可接觸基板506。
在一些實施例中，瘤節504中之各者具有約100-1000微米之寬度或直徑(平行於瘤節表面502之平面的尺寸)。瘤節504中之各者具有約10-200、10-150或10-100微米之高度(垂直於瘤節表面502之平面的尺寸)。可基於條件性考慮因素而針對瘤節504使用其他尺寸。舉例而言，瘤節504之尺寸可基於微影裝置中之典型或預期污染物微粒之大小。在另一實例中，接觸表面區域為影響摩擦之參數。因此，瘤節504之尺寸可基於達到指定摩擦之接觸區域。
瘤節-晶圓介面控管基板台之功能效能。舉例而言，當基板台之表面為平滑的時，基板台之平滑表面與晶圓之平滑表面之間可產生黏著力—稱為緊貼之現象。一種緩解問題之方法為使接觸表面瘤節及/或變粗糙。然而，經由重複使用，粗糙瘤節頂部不保持其粗糙度。瘤節頂部之最初粗糙度越粗糙，就可更快地將其研磨及磨掉。一種減少瘤節-晶圓的介面處之摩擦的方法為使用低摩擦塗層來塗覆該瘤節。然而，在水(例如，浸沒微影)的存在下，可相當快速地研磨掉塗層。
此外，已觀察到，基板台之瘤節表面易受到不同尋常地快速磨損，尤其係在遠離基板台之中心之邊緣處之磨損(亦即，不均勻磨損)的影響。不均勻磨損導致晶圓在夾持至基板台時彎曲，此又降低器件結構之微影定位之準確度、隨時間變化之疊對漂移及其類似者。歸因於夾持表面之整體形狀的變化，總磨損可使得成像效能降低。
通常將用於微影程序中之習知基板台發送回至製造商以進行修整或用新基板替換。兩種替代方案均可能為成本高的。此外，修整可為緩慢過程，其中根據磨損特徵(亦即，非標準修整過程)，處理會發生許多變化，且通常持續數周或數月才可將最終產品返回至消費者。
例示性基板台製造方法
一種解決與接觸表面(例如，用於微影程序中之瘤節表面)之修整相關聯之問題的方法有可能藉由在製造程序期間操控表面材料之屬性來延長表面之使用壽命。舉例而言，在製造期間，可將程序應用於接觸表面以使表面材料硬化。硬化接觸表面可更具耐磨性。硬度及耐磨性為接觸表面之屬性的非限制性實例。接觸表面之屬性的其他非限制性實例可包括表面強度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、腐蝕性或其類似者。此外，程序不限於重新製造之表面。返回進行修整之所使用接觸表面亦可使用本文中所揭示之程序在先前使用之產品上重新塗佈更耐用、持久的表面。
圖6展示根據一些實施例之用於操控接觸表面之屬性的方法步驟。在步驟602處，用輻射或熱來處理物件(例如，基板台、夾具或其類似者)之瘤節表面。在步驟604處，設定輻射或熱之參數以便實現瘤節表面之預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。
圖7A展示根據一些實施例之表示接觸表面(例如，靜電夾具之瘤節頂部表面)之表面構形量測的曲線圖702。曲線圖702中之資料對應於已用如圖6之方法中所描述的雷射進行處理的接觸表面之一部分。曲線圖702之縱軸表示相對於接觸表面之平面的構形高度或深度(呈非限制性任意單位a.u.)。橫軸表示在垂直於構形高度之方向上(亦即，沿著接觸表面之表面)之距離(呈任意單位a.u.)。此外，已移除(例如，使用研磨程序)區域704中之材料，而區域706免受研磨程序。
在一些實施例中，曲線圖702中之資料展示研磨程序在接觸表面上產生深度為約2 a.u.之凹槽。所移除材料之深度與接觸表面材料之屬性(例如，硬度)關聯。如前所述，可基於關於圖6所描述之雷射或熱處理來調整接觸表面材料之屬性。舉例而言，雷射可將局部熱引入至接觸表面且在接觸表面之材料中誘發退火效應。以此方式，相較於例如在烘箱中加熱整個物件，可針對性地對接觸表面之區域進行處理。加熱物件之某些部件可能係不合需要的，尤其係在物件為具有不等熱膨脹係數之黏附組件之總成的情況下。
出於比較，圖7B展示根據一些實施例之表示接觸表面(例如，靜電夾具之瘤節頂部表面)之表面構形量測的曲線圖708。曲線圖708之軸與曲線圖702中之軸相同。曲線圖708中之資料對應於尚未用雷射進行處理之接觸表面之一部分。圖7B中所示之接觸表面確實具有已暴露於參考圖7A所描述之相同研磨程序之區域710及免受研磨程序之區域712。
在一些實施例中，曲線圖708中之資料展示研磨程序在接觸表面上產生深度為約3 a.u.之凹槽。雷射處理能夠使藉由研磨程序移除之材料的量減少或減輕約33%。因此，雷射處理具有改變接觸表面之材料屬性的效應，使得更難以移除材料，亦即改良耐磨性。簡要地參考圖6，步驟604處之輻射或熱的參數可對應於接觸表面之材料屬性的所要結果。輻射或熱之參數可包括例如曝光時間、脈衝、脈寬(pulse length)、振幅、量值、重複率、波長、焦點大小、焦點形狀、脈衝能量、脈衝峰值功率、平均功率、脈衝間時間、掃描速度、掃描節距、掃描模式及/或其類似者。
圖8展示根據一些實施例之物件之雷射處理。在一些實施例中，該結構可為具有接觸層802的瘤節表面。接觸層802可具有接觸表面804。在一些實施例中，瘤節表面可塗覆有犧牲層806及透明限制層808。犧牲層806可安置於瘤節表面上(例如，安置於接觸表面804上)。透明限制層808可安置於犧牲層806上。
在一些實施例中，圖6之方法可應用於圖8中所示之瘤節表面。舉例而言，朝向瘤節表面引導輻射光束810 (例如，雷射)，使得輻射光束入射於透明限制層808上。在透明限制層808之內容背景中，術語「透明」或其類似者可指代相對於輻射光束810之波長的透明度或部分透明度。亦即，輻射光束810之能量之至少一部分可透射穿過透明限制層808，使得輻射能夠與犧牲層806相互作用。
在一些實施例中，犧牲層806包含吸收一定波長之輻射光束810之材料。當犧牲層806之材料與輻射光束810相互作用時，犧牲層之材料可快速膨脹(例如，剝蝕、崩解、蒸發或其類似者)以便產生衝擊波812。舉例而言，犧牲層806之材料可包含黑色黏著帶。衝擊波812可衝擊及壓縮接觸層802。壓縮可改變接觸層802之材料屬性(例如，原子堆積密度、表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性)。以此方式，可操控瘤節表面之屬性。上文所描述之雷射/衝擊波程序可稱為雷射衝擊(peening)。
在一些實施例中，透明限制層808之不存在可使得衝擊波812遠離接觸層802而非朝向接觸層802膨脹—亦即，衝擊波能量被浪費。因此，透明限制層808用於限制犧牲層806之膨脹材料以便朝向接觸表面804引導衝擊波812。
再次參考圖6，在一些實施例中，瘤節表面可包含如參考圖8所描述之結構。接著，步驟602 (用輻射或熱進行處理之步驟)可包含使輻射透射穿過透明限制層以輻照犧牲層。在步驟606處，基於輻照而使犧牲層崩解以便產生衝擊波。在步驟608處，使用透明限制層來限制犧牲層之崩解材料而朝向瘤節表面引導衝擊波。在步驟610處，基於衝擊波衝擊於瘤節表面上而增加瘤節表面之分子的堆積密度。
在一些實施例中，設定(或選擇)輻射或熱之參數的步驟604可包含基於犧牲層及/或接觸層802之材料(例如，鈦(例如，TiN)、鉻(例如，CrN)、類金剛石碳及/或其類似者)來設定輻射或熱之參數。舉例而言，所產生衝擊波可能對犧牲層之材料如何對曝光時間、脈衝、脈寬、振幅、量值、重複率、波長及/或其類似者做出反應敏感。需要控制衝擊波之壓力，使得可在不損壞瘤節表面之情況下操控瘤節表面之屬性。
參考圖6之較早實施例提及將輻射或熱直接施加至瘤節表面(亦即，無犧牲層或限制層)。在一些實施例中，用輻射或熱進行處理可包含使輻射或熱與瘤節表面直接相互作用，而不首先使輻射或熱傳遞通過另一材料。
可以任何可設想次序執行圖6之方法步驟且不需要執行所有步驟。此外，上文所描述之圖6的方法步驟僅反映步驟之實例且不為限制性的。亦即，可基於本文中所描述之實施例中之任一者設想進一步方法步驟及功能。
在一些實施例中，當比較經處理之接觸層與未經處理之接觸層時，未經處理之接觸層可稱為參考層。在處理接觸層之前，參考層及經處理之接觸層可具有相同或實質上類似之建構。以此方式，與參考層相比，可量化經處理之接觸層之效能參數。此比較之實例可例如如圖7A及圖7B中所示。圖7A可對應於一經處理之接觸層，而圖7B可對應於一參考層。
在一些實施例中，一支撐台(參見例如圖1之遮罩台MT或基板台WT)可包含一瘤節表面，其包含一接觸層。支撐台可為一微影裝置(例如，微影裝置100或100')之部件。接觸層可經處理以實現接觸層之預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。經基於暴露於輻射光束或暴露於熱而處理之接觸層具有大於參考層之相同參數(例如，若先前提及之參數為硬度，則為硬度)的參數(例如，硬度)，該參考層具有與接觸層相同的構造但不暴露於輻射光束或熱。瘤節表面可為靜電夾具之部件，該靜電夾具為支撐台之部件。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種方法，其包含： 使用輻射或熱來處理一物件之一瘤節表面；及 設定該輻射或熱之參數以實現該瘤節表面之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。 2. 如條項1之方法，其中： 該瘤節表面包含安置於該瘤節表面上之一犧牲層及安置於該犧牲層上之一透明限制層；且 該透明限制層對該輻射為至少部分透明的。 3. 如條項2之方法，其中該處理包含使該輻射透射穿過該透明限制層以輻照該犧牲層，且該方法進一步包含： 基於該輻照該犧牲層而使該犧牲崩解以產生一衝擊波；及 使用該透明限制層來限制該犧牲層之崩解材料而朝向該瘤節表面引導該衝擊波。 4. 如條項3之方法，其進一步包含基於該引導該衝擊波而增加該瘤節表面之分子的一堆積密度。 5. 如條項1之方法，其中該處理包含使該輻射或熱與該瘤節表面直接相互作用，而不首先使該輻射或熱傳遞通過另一材料。 6. 如條項1之方法，其中基於包含鈦、鉻及/或類金剛石碳之該瘤節表面來選擇該輻射或熱之該等參數。 7. 如條項1之方法，其中該輻射或熱之該等設定參數包含曝光時間、脈衝、脈寬、振幅、量值、重複率、波長、焦點大小、焦點形狀、脈衝能量、脈衝峰值功率、平均功率、脈衝間時間、掃描速度、掃描節距及/或掃描模式。 8. 如條項1之方法，其中該處理包含使用一雷射來處理該瘤節表面。 9. 如條項1之方法，其進一步包含使用一靜電夾具、一支撐台或該靜電夾具及該支撐台作為該物件。 10.   一種支撐台，其包含： 一瘤節表面，其包含一接觸層，該接觸層經組態以進行處理以實現該接觸層之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性； 其中該接觸層經基於暴露於一輻射光束或暴露於熱進行處理，使得該接觸層之一參數大於一參考層之一相同參數，該參考層具有與該接觸層相同的一建構但不暴露於該輻射光束或熱。 11.    如條項10之支撐台，其進一步包含一靜電夾具，該靜電夾具包含該瘤節表面。 12.   如條項10之支撐台，其中該接觸層之該參數包含硬度及/或耐磨性。 13.   如條項10之支撐台，其中該接觸層包含鈦、鉻及/或類金剛石碳。 14.   如條項10之支撐台，其中： 一犧牲層安置於該接觸層上； 該瘤節表面進一步包含安置於該犧牲層上之一透明限制層；且 該透明限制層對該光束為至少部分透明的。 15.   如條項14之支撐台，其中該接觸層經基於以下操作進行處理：使輻射透射穿過該透明限制層以輻照該犧牲層，基於該輻照該犧牲層而使該犧牲崩解以產生一衝擊波，及使用該透明限制層來限制該犧牲層之崩解材料而朝向該瘤節表面引導該衝擊波。 16.   一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以照射一圖案化器件之一圖案。 一投影系統，其經組態以將該圖案之一影像投影至一基板上；及 一支撐台，其包含： 一瘤節表面，其包含一接觸層，該接觸層經組態以進行處理以實現該接觸層之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性； 其中該接觸層經基於暴露於一輻射光束或暴露於熱進行處理，使得該接觸層之一參數大於一參考層之一相同參數，該參考層具有與該接觸層相同的一建構但不暴露於該輻射光束或熱。 17.   如條項16之微影裝置，其進一步包含一靜電夾具，該靜電夾具包含該瘤節表面。 18.   如條項16之微影裝置，其中該接觸層之該參數包含硬度及/或耐磨性。 19.   如條項16之微影裝置，其中該接觸層包含鈦、鉻及/或類金剛石碳。 20.   如條項16之微影裝置，其中該支撐台經組態以支撐該基板。 21.   如條項16之微影裝置，其中該支撐台經組態以支撐該圖案化器件。 22.   如條項16之微影裝置，其中： 一犧牲層安置於該接觸層上； 該瘤節表面進一步包含安置於該犧牲層上之一透明限制層；且 該透明限制層對該光束為至少部分透明的。 23.   如條項22之微影裝置，其中該接觸層經基於以下操作進行處理：使輻射透射穿過該透明限制層以輻照該犧牲層，基於該輻照該犧牲層而使該犧牲崩解以產生一衝擊波，及使用該透明限制層來限制該犧牲層之崩解材料而朝向該瘤節表面引導該衝擊波。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢驗單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理超過一次(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對所揭示實施例的使用，但將瞭解，所揭示實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形定義在基板上產生之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本發明之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
本發明之實施例的以上實例為繪示性而非限制性的。通常在該領域中遇到之將對熟習此項技術者顯而易見之多種調節及參數的其他適合之修改及調整在本發明之精神及範疇內。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，本發明之實施例可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐。描述意欲為繪示性，而非限制性的。由此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述對本發明進行修改。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[發明摘要]章節可闡述如由本發明人所考慮的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及所附申請專利範圍。
上文已藉助於繪示特定功能及其關係之實施方式的功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將如此充分地揭露本發明之一般性質而使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內的知識，針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。
受保護主題之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者予以界定。
100:微影裝置 100':微影裝置 210:EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡器件 224:琢面化瞳鏡器件 226:圖案化光束 228:反射元件 229:反射元件 230:污染物阱/污染物障壁 240:光柵濾光片 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影單元 400:基板載物台 402:基板台 404:支撐區塊 406:感測器結構 500:基板台 502:瘤節表面 504:瘤節 506:基板 602:步驟 604:步驟 606:步驟 608:步驟 702:曲線圖 704:區域 706:區域 708:曲線圖 710:區域 712:區域 802:接觸層 804:接觸表面 806:犧牲層 808:透明限制層 810:輻射光束 812:衝擊波 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:輻射收集器/聚光器 DE:顯影器 IF1:位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統 IN:積光器 INTF:虛擬源點/位置感測器 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 I/O1:輸入埠 I/O2:輸出埠 L:透鏡或透鏡群組 LACU:微影控制單元 LB:裝載底架 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化器件 MP:遮罩圖案 MP':影像 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑器件 PM:第一定位器 PPU:光瞳共軛物 PU:處理單元 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:機器人 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:源/源收集器裝置 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 W:基板 WT:基板台 X:方向 Y:方向 Z:方向
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式繪示本發明，且連同描述進一步用於解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本文中所描述之實施例。
圖1A展示根據一些實施例之反射微影裝置之示意圖。
圖1B展示根據一些實施例之透射微影裝置之示意圖。
圖2展示根據一些實施例之反射微影裝置之更詳細示意圖。
圖3展示根據一些實施例之微影單元之示意圖。
圖4展示根據一些實施例之基板載物台之示意圖。
圖5展示根據一些實施例之基板台之區域之橫截面示意圖。
圖6展示根據一些實施例之用於操控接觸表面之屬性的方法步驟。
圖7A及圖7B展示根據一些實施例之表示接觸表面之表面構形量測的曲線圖。
圖8展示根據一些實施例之物件之雷射處理。
本發明之特徵將根據下文結合圖式所闡述之詳細描述變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文標識對應元件。在該等圖式中，相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。此外，通常，參考標號之最左側數字標識首次出現該參考標號之圖式。除非另外指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解譯為按比例繪製。
802:接觸層
804:接觸表面
806:犧牲層
808:透明限制層
810:輻射光束
812:衝擊波

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 使用輻射或熱來處理一物件之一瘤節表面；及 設定該輻射或熱之參數以實現該瘤節表面之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性。
  2. 如請求項1之方法，其中： 該瘤節表面包含安置於該瘤節表面上之一犧牲層及安置於該犧牲層上之一透明限制層；且 該透明限制層對該輻射為至少部分透明的。
  3. 如請求項2之方法，其中該處理包含使該輻射透射穿過該透明限制層以輻照該犧牲層，且該方法進一步包含： 基於該輻照該犧牲層而使該犧牲崩解以產生一衝擊波； 使用該透明限制層來限制該犧牲層之崩解材料而朝向該瘤節表面引導該衝擊波；及 基於該引導該衝擊波而增加該瘤節表面之分子之一堆積密度。
  4. 如請求項1之方法，其中： 該處理包含使該輻射或熱與該瘤節表面直接相互作用，而不首先使該輻射或熱傳遞通過另一材料；且 基於包含鈦、鉻及/或類金剛石碳之該瘤節表面而選擇該輻射或熱之該等參數。
  5. 如請求項1之方法，其中該輻射或熱之該等設定參數包含曝光時間、脈衝、脈寬、振幅、量值、重複率、波長、焦點大小、焦點形狀、脈衝能量、脈衝峰值功率、平均功率、脈衝間時間、掃描速度、掃描節距及/或掃描模式。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含使用一靜電夾具、一支撐台或該靜電夾具及該支撐台作為該物件，其中該處理包含使用一雷射處理該瘤節表面。
  7. 一種支撐台，其包含： 一瘤節表面，其包含一接觸層，該接觸層經組態以進行處理以實現該接觸層之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性； 其中該接觸層經基於暴露於一輻射光束或暴露於熱進行處理，使得該接觸層之一參數大於一參考層之一相同參數，該參考層具有與該接觸層相同的一建構但不暴露於該輻射光束或熱。
  8. 如請求項7之支撐台，其進一步包含一靜電夾具，該靜電夾具包含該瘤節表面，其中： 該接觸層之該參數包含硬度及/或耐磨性；且 該接觸層包含鈦、鉻及/或類金剛石碳。
  9. 如請求項7之支撐台，其中： 一犧牲層安置於該接觸層上； 該瘤節表面進一步包含安置於該犧牲層上之一透明限制層；且 該透明限制層對該光束為至少部分透明的。
  10. 如請求項9之支撐台，其中該接觸層經基於以下操作進行處理：使輻射透射穿過該透明限制層以輻照該犧牲層，基於該輻照該犧牲層而使該犧牲崩解以產生一衝擊波，及使用該透明限制層來限制該犧牲層之崩解材料而朝向該瘤節表面引導該衝擊波。
  11. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以照射一圖案化器件之一圖案； 一投影系統，其經組態以將該圖案之一影像投影至一基板上；及 一支撐台，其包含： 一瘤節表面，其包含一接觸層，該接觸層經組態以進行處理以實現該接觸層之一預定表面強度、硬度、粗糙度、摩擦係數、耐化學性、耐磨性及/或腐蝕性； 其中該接觸層經基於暴露於一輻射光束或暴露於熱進行處理，使得該接觸層之一參數大於一參考層之一相同參數，該參考層具有與該接觸層相同的一建構但不暴露於該輻射光束或熱。
  12. 如請求項11之微影裝置，其進一步包含一靜電夾具，該靜電夾具包含該瘤節表面，其中： 該接觸層之該參數包含硬度及/或耐磨性；且 該接觸層包含鈦、鉻及/或類金剛石碳。
  13. 如請求項11之微影裝置，其中該支撐台經組態以支撐該基板或該支撐台經組態以支撐該圖案化器件。
  14. 如請求項11之微影裝置，其中： 一犧牲層安置於該接觸層上； 該瘤節表面進一步包含安置於該犧牲層上之一透明限制層；且 該透明限制層對該光束為至少部分透明的。
  15. 如請求項11之微影裝置，其中該接觸層經基於以下操作進行處理：使輻射透射穿過該透明限制層以輻照該犧牲層，基於該輻照該犧牲層而使該犧牲崩解以產生一衝擊波，及使用該透明限制層來限制該犧牲層之崩解材料而朝向該瘤節表面引導該衝擊波。
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